CN117941061A - 驱动基板、发光基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种驱动基板、发光基板、显示装置以及驱动基板的制备方法，所述驱动基板包括：衬底，以及层叠设置在所述衬底一侧的导电层和第一绝缘层；衬底；位于所述衬底上的第一导电层和第一阻隔层，所述第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，所述第一导电部包括第一接触垫；其中，所述第一阻隔层包括与每个所述第一接触垫对应的第一镂空区，所述第一接触垫在所述衬底上的正投影落在所述第一镂空区在所述衬底上的正投影中，所述第一阻隔层的材料包括抗氧化材料。

Description

驱动基板、发光基板以及显示装置 技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种驱动基板、发光基板以及显示装置。

背景技术

微型发光二极管，其尺寸大约小于500μm，由于其具有更小的尺寸和超高的亮度、寿命长等优势，因此在显示领域使用趋势明显增大。

其中，在微型显示产品中，提高MiniLED产品的良率是显示领域所关注的重点问题。

概述

本公开提供了一种驱动基板，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一导电层和第一阻隔层，所述第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，所述第一导电部包括第一接触垫；

其中，所述第一阻隔层包括与每个所述第一接触垫对应的第一镂空区，所述第一接触垫在所述衬底上的正投影落在所述第一镂空区在所述衬底上的正投影中，所述第一阻隔层的材料包括抗氧化材料。

在一种可选的示例中，所述第一阻隔层设置在所述第一导电层背离所述衬底的一侧；

在所述第一阻隔层背离所述衬底的一侧设置第一绝缘层，所述第一绝缘层设置第一开孔，所述第一镂空区在所述衬底上的正投影位于所述第一开孔在所述衬底上的正投影内，所述第一接触垫的远离所述衬底的表面裸露。

在一种可选的示例中，所述第一阻隔层至少覆盖任一所述第一导电部的侧表面，所述侧表面为与任一所述第一导电部朝向所述衬底的底面相邻接的多个面。

在一种可选的示例中，所述驱动基板还包括：

位于所述第一导电层背离所述衬底一侧的第二导电层，所述第一阻隔层位于所述第二导电层与所述第二导电层之间；

其中，所述第二导电层多个导电部组，所述多个导电部组的每个导电部组包括至少两个第二导电部，所述第二导电部包括第二接触垫；

其中，所述第二接触垫穿过所述第一镂空区与所述第一接触垫直接搭接，所述第二接触垫的远离所述衬底的表面裸露。

在一种可选的示例中，所述驱动基板还包括：位于述第一导电层背离所述衬底一侧的第二绝缘层；其中，所述第一阻隔层位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，所述第二导电层位于述第一阻隔层背离所述衬底的一侧；

所述第二绝缘层包括多个第二开孔，所述第二接触垫穿过所述第一镂空区和所述第二开孔，与所述第一接触垫直接搭接；其中，所述第二开孔在所述衬底上的正投影落在所述第一镂空区在所述衬底上的正投影中。

在一种可选的示例中，所述驱动基板还包括：

位于所述第一导电层与所述第二绝缘层之间的第二阻隔层，所述第二阻隔层的材料包括抗氧化材料；

其中，所述第二阻隔层包括第二镂空区，所述第二接触垫依次穿过所述第一镂空区、所述第二开孔和所述第二镂空区，与所述第一接触垫直接搭接；其中，所述第二开孔在所述衬底上的正投影位于所述第二镂空区在所述衬底上的正投影内。

在一种可选的示例中，所述抗氧化材料包括钼铌合金。

在一种可选的示例中，所述第一导电层包括：靠近所述衬底一侧的无机层，以及位于所述无机层背离所述衬底一侧的第一金属层。

在一种可选的示例中，所述第二导电层包括：靠近所述衬底一侧的第二金属层；以及位于所述第二金属层背离所述衬底一侧的第三金属层。

在一种可选的示例中，所述第一导电部的厚度大于所述第二导电部的厚度；且，所述第一导电部的厚度与所述第二导电部的厚度的比值大于或等于5，且小于或等于7。

在一种可选的示例中，所述第二绝缘层包括：

第一无机层；

位于所述第一无机层背离所述衬底一侧的有机层；

位于所述有机层背离所述衬底一侧的第二无机层。

在一种可选的示例中，所述第一导电部包括信号线和/或连接线。

在一种可选的示例中，所述第一导电部包括信号线，所述信号线包括与所述第一镂空区对应的所述第一接触垫，所述第二导电层还包括多个连接线；

其中，每个所述连接线通过贯穿所述第二绝缘层的第三开孔与下方的所述信号线直接接触，以使所述第二接触垫通过所述信号线与所述连接线电连接；

其中，所述信号线在所述衬底上的正投影与所述连接线在所述衬底上的正投影有交叠，所述信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第二接触垫在所述衬底上的正投影。

在一种可选的示例中，，所述基板还包括：

位于所述第二导电层背离所述衬底一侧的第三绝缘层，所述第三绝缘层包括第四开孔；其中，所述第二接触垫在所述衬底上的正投影落在所述第四开孔在所述衬底上的正投影内。

本公开还提供一种发光基板，所述发光基板包括多个电子元件及所述的驱动基板；

所述多个电子元件的每个电子元件包括至少两个引脚，每个所述电子元件的引脚与所述驱动基板上的所述第一接触垫或所述第二接触垫焊接。

在一种可选的示例中，所述电子元件包括无机发光二极管和/或驱动芯片；其中，所述驱动芯片用于驱动所述无机发光二极管发光。

本公开还一种显示装置，所述显示装置包括所述的驱动基板，或所述的发光基板。

采用本公开所述的驱动基板，具有以下优点：

由于衬底上包括第一导电层和第一阻隔层，其中，第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，第一导电部包括第一接触垫，在第一阻隔层包括与每个第一接触垫对应的第一镂空区，第一接触垫在衬底上的正投影落在第一镂空区在衬底上的正投影中，且第一阻隔层的材料包括抗氧化材料。这样，第一接触垫可以在第一镂空区裸露，从而形成可以与电子元件电连接的焊盘。

其中，由于第一阻隔层是抗氧化材料制成，如此可以提高第一导电部未在第一镂空区裸露的部分的抗氧化性能，由于提高了导电部的这部分抗氧化 性能，因此，可以保证第一导电部未在第一镂空区裸露的部分与其他膜层，如绝缘层之间的附着力，可以避免导电部的非接触垫的部分与其相接触的介质之间的附着力低导致的脱离，从而保证产品的良率。

上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。

附图简述

为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。需要说明的是，附图中的比例仅作为示意并不代表实际比例。

图1示意性地示出了相关技术中驱动基板中导电层上的焊盘区和非焊盘区的示意图；

图2示意性地示出了一种驱动基板的结构示意图；

图3示意性地示出了又一种驱动基板的结构示意图；

图4示意性地示出了另一种驱动基板的结构示意图；

图5示意性示出了包括信号线的驱动基板的结构示意图；

图6示意性示出了提供一种发光基板的结构示意图；

图7示意性示出了一种发光基板的俯视平面图；

图8是图7所示的发光基板的局部放大图；

图9是图8所示的显示装置沿AA’方向剖开后得到的阵列基板的局部剖视图。

详细描述

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

相关技术中，MiniLED产品的良率控制是一个重点关注的问题，其中，驱动基板是为微型发光二极管提供电源驱动的基板，一般而言，微型发光二极管在驱动基板上阵列排布，且焊接在驱动基板上。在LED显示器件中，驱动基板为微型发光二极管提供电连接基础。

其中，驱动基板的各层之间的附着力是影响MiniLED产品良率的一个因素，例如，驱动基板的导电层与绝缘层之间的附着力是否足够，如果附着力不足则会导致导电层与绝缘层分离，从而引起MiniLED产品的电性能差的问题。

因此，在制作MiniLED产品时，需要关注导电层与绝缘层之间的吸附性。其中，导电层一般包括焊盘区和非焊盘区，焊盘区是用于将导电层与其他电学结构(例如电子元件的引脚或其他导电层)实现耦接的区域，非焊盘区则被绝缘层覆盖，防止导电层受到水氧或异物的侵蚀而发生不良。

示例地，参照图1所示，示出了驱动基板中导电层上的焊盘区和非焊盘区的示意图，如图1所示，包括衬底100，位于衬底上的第一导电层202，以及位于第一导电层202背离衬底一侧的绝缘层300，其中，绝缘层300具有多个开口301，每个开口用于露出导电层上的部分区域，该露出的部分区域即为焊盘区400，其他被绝缘层所覆盖的区域称为非焊盘区500。其中，若第一导电层202采用溅射工艺沉积，如采用Sputter工艺沉积金属形成第一导电层202，则会导致该第一导电层202表面可能被氧化，从而第一导电层202在非焊盘区500的部分区域与绝缘层300的附着力不够，二者相互脱离从而影响整个驱动基板的电性能，进而影响产品良率。

有鉴于此，本公开提供了一种提高导电层和绝缘层之间的附着力，从而保证产品良率的一种驱动基板，该驱动基板增加一层阻隔层，该阻隔层在导电层中需要与电子元件焊接的接触垫区域镂空，以露出接触垫，而在非镂空区域，则可以充当导电层与其他膜层，如绝缘层之间的抗氧化层，从而阻隔层的一侧是导电层，另一侧是绝缘层，通过阻隔层可以提高导电层的抗氧化性，从而提高与绝缘层之间的粘附力，避免在非焊盘区的导电层和绝缘层之间脱离，从而保证产品的良率。

首先，本公开提供一种驱动基板，参照图2和图3所示，示出了本公开 的驱动基板的结构示意图，如图2和图3所示，该驱动基板可以包括：

衬底100，以及层叠设置在衬底100一侧的第一导电层202和第一阻隔层201；第一导电层202包括多个间隔排布的第一导电部2021，第一导电部2021包括第一接触垫20211；

其中，第一阻隔层201包括与每个第一接触垫20211对应的第一镂空区203，第一接触垫20211在衬底100上的正投影落在第一镂空区203在衬底100上的正投影中，第一阻隔层201的材料包括抗氧化材料。

其中，第一导电层202中的第一导电部2021有多个，第一导电部2021在第一镂空区203露出的部分称为第一接触垫20211。在一种可选示例中，第一接触垫20211可以是第一导电部2021的全部区域，或者可以是第一导电部2021的部分区域。

在又一种可选示例中，第一接触垫20211的厚度可以略大于第一导电部2021的其他部分的厚度，例如略大1μm的厚度，这样可以增大第一接触垫20211的厚度，从而为焊接电子元件提供足够的焊接厚度。当然，第一接触垫20211的厚度可以与第一导电部2021的其他部分的厚度相等，本申请不对次作出特别限制。

其中，第一阻隔层201中除第一镂空区203外的区域，可以为第一导电层202提高抗氧化保护，如图2所示，对第一导电部2021除第一接触垫20211外的区域(以下称非焊盘区)而言，非焊盘区需要与其他膜层，如绝缘层进行搭接时，第一阻隔层201可以位于非焊盘区与绝缘层之间，从而防止非焊盘区因氧化而与绝缘层脱离，从而可以提高非焊盘区与绝缘层之间的附着力，保证产品良率。

在一种可选的示例中，第一导电层202和第一阻隔层201可以共同构成叠层结构，也就是说在制备时，第一导电层202和第一阻隔层201可以纳入导电层的制备工艺中，使得第一阻隔层201成为第一导电层202的一个叠层。

此种情况下，第一导电层202也可以叠层结构或单层结构，其中，在为单层的情况下，第一导电层202的主体材料为Cu(在为叠层结构时，第一导电层202可以为包括多个金属或者金属合金的堆叠结构，例如包括相对靠近衬底的由Cu作为主体材料的第一子层和相对远离衬底的由Ni合金(例如镍铜合金)构成的第二子层。

本实施例中，第一阻隔层201用于提高第一导电层202的抗氧化性，其可以是抗氧化材料制成，具体地可以采用具有抗氧化性能的金属合金制成，如可以是钼铌合金，当然，在其他一些实施例中，也可以是其他的抗氧化材料，如钼镍合金。

在一种可选的示例中，可以采用溅射方式在衬底上沉积金属构成第一导电层，之后，在第一导电层上通过掩膜工艺掩膜出第一阻隔层的掩膜图形，接着依据掩膜图形可以在第一导电层上涂覆含抗氧化材料，从而形成有第一镂空区的第一阻隔层。

具体地，第一阻隔层在第一接触垫的位置是镂空的，即在需要露出第一接触垫的区域不涂覆抗氧化材料，而在非焊盘区不镂空，即在非接触垫涂覆抗氧化材料，从而第一阻隔层可以作为第一导电层的一个抗氧化涂层，该抗氧化涂层可以位于第一导电层的顶层，也可以位于第一导电层的底层。如图2所示，便是第一阻隔层位于第一导电层的顶层的情况，在非焊盘区，第一阻隔层与第一绝缘层接触，可以防止导电层由于氧化导致的与第一绝缘层之间脱离的问题。

在一种可选的示例中，提出了衬底上设置绝缘层时，第一导电层202与绝缘层之间的布局示意图。

如图2所示，其中，如图2所示，示出了第一导电层202与第一绝缘层300之间的位置示意图，也就是说驱动基板还包括第一绝缘层300。

其中，第一阻隔层201设置在第一导电层202背离衬底100的一侧；在第一阻隔层201背离衬底100的一侧设置第一绝缘层300，第一绝缘层300设置第一开孔301，第一镂空区203在衬底100上的正投影位于第一开孔301在衬底100上的正投影内，第一接触垫20211的远离衬底100的表面裸露。

具体地，第一阻隔层201位于第一导电层202背离衬底的一侧，第一绝缘层300位于第一阻隔层201背离衬底的一侧。也就是说，第一阻隔层201可以靠近第一绝缘层300设置。其中，可以理解的是，第一阻隔层201在衬底100上的正投影，与第一绝缘层300在衬底100上的正投影，均与第一接触垫20211在衬底100上的正投影无交叠。其中，第一阻隔层201可以为第一导电层202中的非焊盘区提供抗氧化保护，且第一阻隔层201与第一绝缘层300之间的附着力，可以大于第一导电层202与第一绝缘层300之间的附 着力。

如图2所示，在第一阻隔层201中设置第一镂空区203，相应地，第一绝缘层300在第一镂空区203的位置处对应设置第一开孔301，第一接触垫20211裸露在第一镂空区203和第一开孔301所共同形成的开口区中，从而形成驱动基板的焊盘。

其中，第一绝缘层300可以包括多个第一开孔301，通过第一开孔301可以为多个第一接触垫20211提供裸露区，每个第一接触垫可以视作一个导电区域，而在第一导电部2021除第一接触垫20211外的区域被第一阻隔层所覆盖，第一阻隔层201上又覆盖第一绝缘层300。如此，为保证第一接触垫20211的充分裸露，第一镂空区203在衬底100上的正投影位于第一开孔300在衬底100上的正投影内，而第一接触垫20211在衬底100上的正投影又位于第一镂空区203在衬底100上的正投影内，这样可以充分暴露出第一接触垫，以便电子元件的焊接。

如图2所示，由于第一导电层202和第一阻隔层201可以共同构成叠层结构，因此在非焊盘区500，第一阻隔层201可以是第一导电层202的顶层。

其中，由于第一阻隔层201与第一绝缘层300之间的附着力，大于第一导电层202中其他叠层202与第一绝缘层300之间的附着力，因此将第一绝缘层300靠近第一阻隔层201设置，一方面可以防止第一导电层因氧化导致的附着力低的问题，另一方面，由于第一阻隔层与第一绝缘层之间的附着力较大，而第一导电层与第一阻隔层又可以是同一工艺环节中制备的叠层结构，因此第一阻隔层与第一导电层，以及与第一绝缘层之间的附着力都较大，从而避免第一导电层直接接触第一绝缘层的情况下，第一导电层中的非焊盘区脱离第一绝缘层的问题。

其中，在一种实施例中，如图2所示，可以只有一层第一导电层，该第一导电层可以采用溅射工艺在衬底上沉积相应金属得到，该金属可以是铜，则在第一导电层的非焊盘区在背离衬底的一侧上设置第一阻隔层，在第一阻隔层背离衬底一侧设置第一绝缘层，也即是此种情况下，第一阻隔层作为第一导电层的顶层与第一绝缘层接触。

其次，在非焊盘区，第一阻隔层201可以全覆盖下方的第一导电层202中第一导电部2021的非焊盘区，如此，可以避免第一阻隔层缩进的问题， 也就是说给第一阻隔层留足了缩进空间，从而即使第一阻隔层有部分缩进，也由于其是全覆盖第一导电部2021的非焊盘区，也不会缩进到导电层边缘内，从而可以提高第一阻隔层对导电层的保护效果，从而提高产品良率。

具体地，第一阻隔层至少覆盖任一第一导电部的侧表面，侧表面为与任一第一导电部朝向衬底的底面相邻接的多个面。

其中，第一导电部的侧表面是指与朝向衬底100的底面且与衬底100的底面相邻接的面，如图2所示，侧表面可以是形如侧表面20212的面，即从横截面图看，侧表面可以是与衬底11相邻接的斜面，在这个斜面上也覆盖第一阻隔层201。

在制备如图2所示的驱动基板时，可以在衬底100上制备第一导电层202，该第一导电层202可以采用溅射工艺制备得到，其中，在第一导电层202上包括多个间隔的第一导电部2021，之后，在第一导电层202上形成第一阻隔层201，其中，形成第一阻隔层201时，可以在第一导电层上通过掩膜工艺掩膜出第一阻隔层的掩膜图形，接着依据掩膜图形可以在第一导电层上涂覆含抗氧化材料，从而形成有第一镂空区203的第一阻隔层201，其中，一个第一镂空区203对应一个第一导电部2021，第一导电部2021被第一镂空区203露出的部分为第一接触垫20211，之后，在第一阻隔层201上形成第一绝缘层300，其中，形成第一绝缘层300时可以先图案化出第一开孔301，从而在第一接触垫20211处，第一绝缘层300便具有第一开孔301，以露出第一接触垫。

其中，第一接触垫的厚度可以设置为较厚的厚度，如3.6μm～7μm，以便在电子元件出现虚焊需要返工重新固晶时，可以直接利用第一接触垫下方剩余的导电层进行焊接。

相关技术中，若电子元件由于虚焊导致异常，需要进行返修和重焊，此种情况下，由于首次固晶中锡膏会和焊盘区的金属形成0.9μm～1.2μm的IMC(金属间化合物)层，当在拆焊过程时，焊盘区的金属会随电子元件一同被移除，如果焊盘区没有剩余的金属，则无法再次进行固晶。

在本公开中，提供了双导电层设计，以通过双导电层增加焊盘上的金属厚度，从而解决电子元件固晶的返工问题。相应地，在双导电层设计中，在非焊盘区的两个导电层之间设置第一绝缘层，其中，第一阻隔层可以设置在 第一绝缘层与顶层的导电层之间。当然，为了进一步提高产品的良率，在第一绝缘层与底层的导电层之间也可以增设第二阻隔层。

其中，在具有两个导电层的情况下，第一导电层和第二导电层可以采用不同的工艺制备得到，也可以采用相同的工艺制备得到。第一导电层可以为叠层结构或单层结构，其中，在为单层的情况下，第二导电层的主体材料为Cu，在为叠层结构时，第二导电层可以为包括多个金属或者金属合金的堆叠结构，例如包括相对靠近衬底的由Cu作为主体材料的第一子层和相对远离衬底的由Ni合金(例如镍铜合金)构成的第二子层。

在一种可选示例中，第一导电层可以采用电镀工艺在衬底上电镀金属，如电镀铜，从而得到底层的导电层，第二导电层可以采用溅射工艺沉积金属得到。在该可选示例中，由于第一导电层采用电镀工艺在衬底上电镀金属，电镀工艺可以使得导电层本身具有较强的抗氧化性，因此，在第一导电层的第一导电部的顶层可以不设阻隔层，而在第二导电层靠近第一绝缘层的一侧设置第一阻隔层，同样地，第一阻隔层在对应第一接触垫的位置镂空，从而可以让第二导电层中的第二导电部穿过第一镂空区与第一接触垫搭接，以形成厚度较厚的焊盘。也就是说在第二导电层的底层设置第一阻隔层。这样，可以一定程度上缩短工艺流程，降低制备成本的同时，保证产品的良率。

相应地，在该双导电层的设计中，包括两个导电层，第一导电层和第二导电层，其中，第一阻隔层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层多个导电部组，多个导电部组的每个导电部组包括至少两个第二导电部，第二导电部包括第二接触垫；其中，第二接触垫穿过第一镂空区与第一接触垫直接搭接，第二接触垫的远离衬底的表面裸露。

本实施例中，一个导电部组可以对应一个电子元件的焊接需求，或者可以对应多个电子元件的焊接需求，具体来说，电子元件包括至少两个引脚，因此，每个导电部组可以包括至少两个第二导电部，每一个导电部对应一个电子元件的一个引脚。

其中，第二导电部包括第二接触垫，第二接触垫是第二导电部露出在第一镂空区的部分，此种情况下，第一接触垫同样是第一导电部露出在第一镂空区的部分，则第二接触垫可以与第一接触垫直接搭接，从而形成焊盘，以用于电子元件的一个引脚的焊接。可以理解的是，第二接触垫的膜层结构与 第二导电部的膜层结构相同；或者第二接触垫的膜层结构与第二导电部的膜层结构有差异，例如第二导电部为包括铜层和镍合金层的叠层结构，而第二接触垫为仅包括铜层的单层结构，在此不做限定。

本实施例中，在包括第一导电层和第二导电层的情况下，由于在非接触垫的区域，需要对两个导电层进行电性能的绝缘设置，因此在非焊盘区需要在两个导电层之间设置绝缘层，这样，第一阻隔层需要位于第一导电层与第二导电层之间，以提高第一导电层或第二导电层与绝缘层之间的附着力。

在一种可选的示例中，第一导电层可以与第二导电层层叠设置，其中，第一导电层可以靠近衬底设置，第二导电层可以位于第一导电层背离衬底一侧的一侧，此种情况下，第一接触垫作为第二接触垫的托底层；或者，第二导电层可以靠近衬底设置，第一导电层可以位于第二导电层背离衬底一侧的一侧，此种情况下，第二接触垫作为第一接触垫的托底层。无论哪一种情况，第一阻隔层都位于第一导电层和第二导电层之间，用于帮助第一导电层或第二导电层提高抗氧化性，从而帮助提高第一导电层或第二导电层与绝缘层之间的附着力。

这样，在焊盘(第一接触垫与第二接触垫的叠层结构)与电子元件的引脚焊接不良的情况需要进行返工时，第一接触垫或第二接触垫作为“托底”备用部件更有助于保证再次安装的可靠性，解决焊盘无法进行二次焊接的问题。

其中，在第二导电层位于第一导电层背离衬底的一侧时，第二导电层和第一阻隔层可以共同形成叠层结构，其中，第一阻隔层可以作为第二导电层的底层。

参照图3所示，示出的是在第二导电层位于第一导电层背离衬底的一侧，且第二导电层和第一导电层之间设置第二绝缘层的示意图。如图3所示，包括第一导电层202和第二导电层204；位于述第一导电层背离衬底一侧的第二绝缘层，第一阻隔层201位于第二绝缘层600背离衬底的一侧，第二导电层204位于第一阻隔层201背离衬底100的一侧；第二绝缘层600包括多个第二开孔601，第二接触垫20411穿过第一镂空区203和第二开孔601，与第一接触垫20211直接搭接。

其中，第二开孔601在衬底100上的正投影落在第一镂空区203在衬底 上的正投影中。

其中，第二绝缘层600包括多个第二开孔601，如上所述，通过第二开孔601可以为第一导电部2021和第二导电部2041留出各自的焊盘区域。如图3所示，在第一导电部2021和第二导电部2041上在第一镂空区2006露出的部分称为第一接触垫20211和第二接触垫20411，第一接触垫20211和第二接触垫20411直接搭接；而第一导电部2021和第二导电部2041各自的除接触垫外的区域(非焊盘区)之间依次设置第二绝缘层600和第一阻隔层201。也就是说，在非焊盘区，第一导电层202和第二导电层204之间由第二绝缘层600隔开，其中，第二导电层204与第二绝缘层600之间包括第一阻隔层201，其第一阻隔层201可以提高第二导电层204与第二绝缘层600之间的附着力。

需要说明的是，由于此种情况下，需要充分暴露出第二接触垫20411和第一接触垫20211的叠层结构，因此，第二接触垫20411和第一接触垫20211的叠层在衬底上的正投影落在第一镂空区203在衬底上的正投影内，又由于第一阻隔层201位于第二绝缘层600背离衬底一侧，因此为充分暴露出第二接触垫20411和第一接触垫20211的叠层结构，第二接触垫20411和第一接触垫20211的叠层在衬底上的正投影又落在第二开孔601在衬底上的正投影内。

相应地，在具有两个导电层的情况下，第二导电层204背离衬底的一侧也可以设置第三绝缘层700，第三绝缘层700在衬底100上的正投影与第一第二接触垫20411和第一接触垫20211的叠层在衬底100上的正投影无交叠。

其中，第二绝缘层600可以是叠层结构，第三绝缘层700也可以是叠层结构，或者不是叠层结构，而是单层的PVX层。

如图3所示，在顶层的第二绝缘层700上设置第四开孔701，第二接触垫20411在衬底上的正投影落在第四开孔701在衬底上的正投影内，具体地，第一镂空区203在衬底100上的正投影，落在第一开孔301在衬底100上的正投影中，第二接触垫20411在衬底上的正投影又落在第一镂空区203在衬底上的正投影内，从而充分暴露出焊盘。

在制备如图3所示的驱动基板时，可以在衬底100的一侧形成第一导电层202，该第一导电层202可以采用电镀工艺在衬底上电镀以Cu为主体材料 的金属层得到，接着，在第一导电层202背离衬底100一侧上形成第二绝缘层600，在第二绝缘层600背离衬底100的一侧上形成一层第一阻隔层201，在该第一阻隔层201背离衬底100一侧上形成第二导电层204，在第二导电层204背离衬底的一侧形成第二绝缘层700，第二导电层204和第一导电层202构成双导电层，从而可以形成第一接触垫和第二接触垫的叠层结构，由此可以增大焊盘区的厚度，以便固晶阶段出现的二次返工。

其中，在又一种可选示例中，参照图4所示，若第一导电层202采用溅射工艺在衬底上沉积金属得到，第二导电层204也采用溅射工艺沉积金属得到。在该可选示例中，也可以在第一导电层与第二绝缘层之间设置第二阻隔层，第二阻隔层的材料包括抗氧化材料。

其中，第二阻隔层包括第二镂空区，第二接触垫依次穿过第一镂空区、第二开孔和第二镂空区，与第一接触垫直接搭接；其中，第二开孔在衬底上的正投影位于第二镂空区在衬底上的正投影内。

此种实施例中，在第一导电层202靠近第二绝缘层600的一侧可以设置第二阻隔层205。

具体地，第一导电层202可以和第二阻隔层205构成叠层结构，第二导电层204和第一阻隔层201可以构成叠层结构，如此，第二阻隔层205可以作为第一导电层202的顶层，第一阻隔层201可以作为第二导电层204的底层。需要说明的是，第二阻隔层205包括第二镂空区2051，其中，第二开孔601在衬底上的正投影位于第二镂空区2051在衬底上的正投影内，第一镂空区203在衬底上的正投影位于第二开孔601在衬底上的正投影内。也就是说，按照尺寸从大到小的顺序，第二镂空区2051大于第二开孔601，第二开孔601大于第一镂空区203。

其中，第二导电部2041中的第二接触垫20411依次穿过第一镂空区203、第二开孔601和第二镂空区2051，与第一接触垫20211直接搭接。

采用本示例的驱动基板，对同组的第一导电部和第二导电部而言，在非焊盘区，在衬底上依次层叠第一导电部、第二阻隔层、第二绝缘层和第二导电部，在焊盘区，第一接触垫和第二接触垫直接搭接构成与电子元件的引脚进行焊接的焊盘。从而在非焊盘区中，在第二绝缘层的两侧分别与第一阻隔层和第二阻隔层接触，由此可以提高第一导电层与第二绝缘层之间的附着力， 以及提高第二导电层与第二绝缘层之间的附着力，从而提高整个驱动基板的导电层的附着力，保证良率。

在制备如图4所示的驱动基板时，可以在衬底100的一侧形成第一导电层202，该第一导电层202可以采用溅射工艺制备得到，之后，在第一导电层202上形成第二阻隔层205，接着，在第二阻隔层205背离衬底100一侧上形成第二绝缘层600，在第二绝缘层600背离衬底100的一侧上又形成一层第一阻隔层201，在该第一阻隔层201背离衬底100一侧上形成第二导电层204，在第二导电层204背离衬底的一侧形成第二绝缘层700，第二导电层204中的第二接触垫和第一导电层202中的第一接触垫构成双导电层，从而可以增大焊盘区的厚度，以便固晶阶段出现的二次返工。

本可选示例中，由于包括两个导电层，其中，第一导电部2021的厚度大于第二导电部2041的厚度。具体地，第一导电部的厚度范围可以为3.6μm～4.32μm，第二导电部的厚度为0.6μm～0.72μm。也就是说，第一导电部的厚度与所述第二导电部的厚度的比值大于或等于5，且小于或等于7。

例如，第一导电部的厚度可以为3.6μm，第二导电部的厚度为0.6μm；或者，第一导电部的厚度可以为4.32μm，第二导电部的厚度为0.6μm；或者，第一导电部的厚度可以为3.6μm，第二导电部的的厚度为0.72μm；或者，第一导电部的厚度可以为4.32μm，第二导电部的的厚度为0.72μm。

在一种可选示例中，对第一导电层和第二导电层的具体结构进行说明，其中，第一导电层可以是叠层材料，可以包括：靠近衬底一侧的无机层；位于无机层背离衬底一侧的第一金属层。

其中，无机层可以选用用于与衬底附着力较好的材料制成，例如可以是钼铌材料，第一金属层可以是铜层，形成例如MoNb/Cu的叠层材料，钼铌层用于提高与下方的衬底之间的附着力。其中，如上所述，第一金属层Cu用于传递电信号，其可以通过电镀方式得到，或者溅射方式得到；其中，在通过电镀方式得到第一金属层的情况下，可以先形成种子层MoNiTi提高晶粒成核密度，电镀后再制作防氧化层MoNiT。

其中，无机层的厚度可以是300埃，第一金属层的厚度可以是3.6μm，由此可以使得底层的导电层的厚度大于顶层的导电层的厚度。

当然，在一种实施例中，由于第一导电层和第二阻隔层可以形成叠层结 构，因此，第一导电层和第二阻隔层可以形成例如MoNb/Cu/MoNb的叠层材料，第二阻隔层位于顶层，且在第一接触垫的位置镂空。

相应地，第二导电层包括：靠近衬底一侧的第二金属层；位于第二金属层背离衬底一侧的第三金属层。

本实施例中，第二导电层的材料可以为叠层材料，例如可以是Cu/CuNi的叠层材料，Cu主要用于确保第二导电层具有较低的电阻，CuNi可兼顾防氧化和固晶牢固性。也即，第二金属层为Cu层，第二金属层的厚度可以是0.6μm；第三金属层CuNi层，第三金属层的厚度可以是500埃。

在又一种可选示例中，如图3和如图4所示，给出了第二绝缘层600的结构，第二绝缘层600包括：靠近衬底一侧的第一无机层602；位于所第一无机层602背离衬底100一侧的有机603；位于有机层603背离衬底100一侧的第二无机层604。

其中，第一无机层可以是防水材料制成的无机层，有机层可以是OC材料，第二无机层也可以是防水材料制成，通过第一无机层和第二无机层可减缓水氧向焊盘区入侵的速度，提升驱动基板的信赖性。

其中，第一无机层的厚度可以大于第二无机层的厚度，这样，可以提高驱动基板的稳定性。例如，第一无机层的厚度可以是2400埃，有机层的厚度可以是7.5μm，第二无机层的厚度可以是1200埃。

当然，在又一种实施例中，如图8所示，第一导电层可以包括信号线2022和/或连接线2042，其中，在衬底上设置单层的第一导电层的情况下，可以包括信号线和连接线，信号线用于向驱动基板提供驱动信号，连接线用于提供驱动基板内部的焊盘之间的电性连接，如串接多个焊盘，以实现多个电子元件的串联或并联。此种情况下，信号线和连接线可以与第一导电部同层设置。

在衬底上设置第一导电层和第二导电层的情况下，第一导电层可以包括信号线，信号线用于向驱动基板提供驱动信号，第二导电层可以包括连接线。此种情况下，信号线与第一导电层的第一导电部同层设置，连接线与第二导电层的第二导电部同层设置。

具体地，信号线可以提供焊接于驱动基板上的电子元件所需的各种驱动电源线的连接，如与公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线VSS、 源地址线DI、时钟信号线CLOCK、数据线DATA等的电连接，从而实现驱动基板为电子元件提供完整的电驱动性能。

如图5和图7所示，导电层包括两个导电层，其中，对于第二导电层204，可以包括与第二导电部2041同层设置的多个连接线2042；第一导电部包括信号线2022，也就是说，部分的第一导电部2021为信号线(公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线VCC、源地址线DI、时钟信号线CLOCK、数据线DATA)，信号线的被第一镂空区的露出部分为第一接触垫20211。具体地，第二导电层还包括多个连接线。

需要说明的是，连接线2042背离衬底的一侧覆盖上第三绝缘层700，从而第三绝缘层700可以防止干扰电信号干扰连接线2042。其中，第三绝缘层可以是叠层结构，如图5所示，可以包括无机层702和有机层703。无机层702的材料包括氮化硅与氧化硅中的至少一种，有机层703的材料可以为有机树脂。

这样，通过连接线2042可以实现多个焊盘之间的串联或并联，以在后续焊接电子元件时，实现多个电子元件的串联或并联，而信号线又可以公共接地、公共电压、时钟信号等，因此通过连接线和信号线的搭接，可以将信号线提供的公共接地、公共电压、时钟信号等信号通过焊盘传递给电子元件，又通过连接线，同时传递给串联或并联的多个电子元件，实现驱动基板为电子元件提供完整的电驱动性能。

本公开基于以上的驱动基板，还提供了一种发光基板，该发光基板包括多个电子元件以及上述实施例的驱动基板，其中，每个电子元件包括至少两个引脚，每个电子元件的一个引脚与一个焊盘区焊接，以将电子元件与驱动基板电连接。

参照图6所示，示出了本公开的一种发光基板的结构示意图，如图6所示，发光基板包括驱动基板和多个电子元件，多个电子元件的每个电子元件包括至少两个引脚，每个电子元件的引脚与驱动基板上的第一接触垫或第二接触垫焊接。

图6示出的是两个导电层的情况下，驱动基板的示意图，如上述实施例所述，包括第一导电层202和第二导电层204，其中，第二导电层包括多个导电部组，一个导电部组对应一个或多个电子元件，每个导电部组包括至少 两个第二导电部2041，一个第二导电部2041露出第一镂空区203的部分为第二接触垫，这样，一个第二导电部组至少包括两个第二接触垫，从而可以至少实现一个电子元件的焊接。其中，第一导电层202包括多个第一导电部，其中，第一导电部露出第一镂空区203的部分为第一接触垫，其中，第二接触垫搭接在第一接触垫上，从而形成驱动基板的焊盘，此种情况下，电子元件与焊盘中的第二接触垫焊接。

当然，若固晶阶段需要返工，则可以去掉第二接触垫，进而电子元件的引脚可以与第一接触垫焊接。

其中，在驱动基板上的每个接触垫对应一个电子元件800的一个引脚801。一个电子元件在具有两个甚至两个以上的引脚时，一个电子元件可以对应多个接触垫，也就是说，电子元件包括的引脚的数量与其对应的接触垫的数量相同，各引脚分别与一个接触垫焊接。其中，引脚可以焊接在接触垫。

其中，电子元件800可以完全覆盖接触垫，或者可以不完全覆盖接触垫，图9示出了完全覆盖接触垫的情况。

在一些实施例中，引脚与对应的第一接触垫或第二接触垫可以通过焊接材料(例如锡、锡银铜合金、锡铜合金等)，采用回流焊工艺或浸焊工艺实现引脚与对应的接触垫的连接。其中，由于本公开实施例提供的驱动基板中，在接触垫可以包括两个导电层，若出现接触垫与电子元件的引脚焊接不良的情况，需要进行返工时，即使第二接触垫因第一次焊接时被损坏，位于其下方的第一接触垫可以作为“托底”备用部件，保证后续再次安装的可靠性，从而解决相关技术中无法进行二次焊接的问题，有助于提升产品良率。

在一种可选地示例中，对于Mini LED来说，电子元件包括无机发光二极管和/或驱动芯片，其中，驱动芯片用于驱动无机发光二极管发光。

在一种情况下，无机发光二极管的尺寸在百微米及以下量级，驱动芯片尺寸在百微米及以下量级。其中，驱动芯片的引脚较多，可以与多个焊盘区焊接以实现驱动芯片的电连接。

参照图7所示，示出了本公开的一种发光基板的俯视平面图，如图7所示，包括多个电子元件800，其中，多个电子元件800中包括驱动芯片803，以及多个无机发光二极管802，其中，无机发光二极管802的两个引脚分别与对应的第一接触垫或第二接触垫焊接。

在一个实施例中，如图7所示，每四个无机发光二极管802相互串联作为一组，一个驱动芯片803被配置为向四个组提供驱动信号。

参照图8所示，示出了图7所示的发光基板的局部放大图(第一列第三行位置处的无机发光二极管802所在区域)。其中，连接线2042通过第二绝缘层600的第三开孔605和第一阻隔层201的过孔，与第一导电层202中的一个第一导电部2021直接搭接，该第一导电部分别与连接线2042和一个第二接触垫连接，从而使得第二接触垫与连接线2042电连接。其中，第一导电部2021和第二导电部2041之间设置第一阻隔层201，第一阻隔层具有第一镂空区203，第二导电部2041被第一镂空区203暴露的区域即为第二接触垫20411，其中，第一镂空区203在衬底上的正投影落在第二开孔601在衬底上的正投影中，第二接触垫20411在衬底上的正投影落在第一镂空区203在衬底上的正投影中。

电子元件800的两个引脚801分别与一个第二接触垫20411焊接。

在一个实施例中，如图7及图5所示，驱动基板还包括信号线和连接线，其中，信号线可以与第一导电部同层设置，连接线可以与第二导电部同层设置。如此，第一导电部和多个信号线可以在同一工艺步骤中同时形成，连接线可以与第二导电部可以在同一工艺步骤中同时形成，不会增加驱动基板的制备工艺复杂度。

其中，在导电层具有两层的情况下，连接线2042可以用于将多个接触垫电连接，具体地，连接线2042与下方的信号线(第一导电部)电连接，信号线的第一接触垫20211直接与顶层的第二接触垫204111直接搭接，从而实现焊盘与连接线2042的电连接，这样属于同一组的无机发光二极管可以串联或并联，例如，如图7所示，在第一列中，一个连接线2042连接两个接触垫，从而将四个无机发光二极管802串联。

其中，与第一导电部同层设置的信号线可以用于向无机发光二极管和/或驱动芯片提供信号，其中，多个信号线可以包括公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线VCC、源地址线DI、时钟信号线CLOCK、数据线DATA等。如图7所示，每一个第一导电层的多个信号线包括公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线VCC、源地址线DI、时钟信号线CLOCK、数据线DATA等。

如上述实施例所述，同一电子元件的两个引脚可与同一信号线(例如公共电压线GND)连接，则与该两个引脚对应的接触垫中的两个导电层可以相互连通，例如构成一体结构。

采用本公开实施例提供的发光基板，可以为Mini LED的显示装置提供电性驱动，无机发光二极管可以作为发光元件，从而为Mini LED提供显示。

当然，在一些可选的实施例中，如图7所示，发光基板还可以还包括包覆无机发光二极管的保护结构(图7中圆形区域即为保护结构)，保护结构可采用透明硅胶通过滴注或打印的方式制备得到，保护结构远离衬底一侧的表面可为半球形，用以调节无机发光二极管发出的光线。

采用本公开的发光基板，一方面，由于驱动基板的焊盘可以由第一接触垫和第二接触垫搭接形成叠层结构，如此，位于其下方的接触垫可以作为“托底”备用部件，保证后续再次安装的可靠性，从而解决焊盘无法进行二次焊接的问题，有助于提升产品良率。另一方面，由于在驱动基板的非焊盘区，在绝缘层与导电层之间增设了阻隔层，用于防止导电部的非焊盘区的氧化，从而提高导电部的非焊盘区与绝缘层之间的附着力，从而保证二者不相互脱离影响驱动基板的电性能，从而提高本公开的发光基板的良率，从而保证了发光基板的发光稳定性。

本公开相应地还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括本公开提供的驱动基板，或者包括本公开提供的发光基板。当然，在实际装配中，驱动基板上焊接电子元件后成为发光基板，发光基板与中框、玻璃盖板组装后形成显示装置，进而可以用于显示。

参照图9所示，示出了本公开的图8所示的显示装置沿AA’方向剖开后得到的阵列基板的局部剖视图，如图9所示，可以包括玻璃盖板900以及贴合在玻璃盖板900一侧的发光基板，发光基板包括驱动基板以及焊接在驱动基板的第一接触垫或第二接触垫上的电子元件800。

其中，电子元件包括无机发光二极管以及驱动芯片，发光基板设置在以电子元件背离驱动基板一侧。其中，驱动芯片为无机发光二极管提供驱动信号，无机发光二极管在该驱动信号的驱动下发光，从而提供显示。

为制备出以上的驱动基板，本公开还提供了一种驱动基板的制造方法，所述方法包括以下步骤：

步骤1：提供衬底；

步骤2：在所述衬底上形成第一导电层和第一阻隔层，所述第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，所述第一导电部包括第一接触垫；

其中，第一阻隔层包括与每个接触垫对应的第一镂空区，接触垫在衬底上的正投影落在第一镂空区在衬底上的正投影中。

可选第，在衬底上形成第一导电层和第一阻隔层的步骤中，可以在第一导电层背离衬底的一侧形成第一阻隔层；

接着，在第一阻隔层背离衬底的一侧形成第二导电层；

其中，第二导电层多个导电部组，多个导电部组的每个导电部组包括至少两个第二导电部，其中，第二导电部包括第二接触垫，第二接触垫穿过第一镂空区与第一接触垫直接搭接。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本公开所提供的一种驱动基板、发光基板以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本公开的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本公开的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本公开的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本公开的限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

本文中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本公开的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本公开的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本公开可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (17)

1. 一种驱动基板，其特征在于，包括：

   衬底；

   位于所述衬底上的第一导电层和第一阻隔层，所述第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，所述第一导电部包括第一接触垫；

   其中，所述第一阻隔层包括与每个所述第一接触垫对应的第一镂空区，所述第一接触垫在所述衬底上的正投影落在所述第一镂空区在所述衬底上的正投影中，所述第一阻隔层的材料包括抗氧化材料。
2. 根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一阻隔层设置在所述第一导电层背离所述衬底的一侧；

   在所述第一阻隔层背离所述衬底的一侧设置第一绝缘层，所述第一绝缘层设置第一开孔，所述第一镂空区在所述衬底上的正投影位于所述第一开孔在所述衬底上的正投影内，所述第一接触垫的远离所述衬底的表面裸露。
3. 根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第一阻隔层至少覆盖任一所述第一导电部的侧表面，所述侧表面为与任一所述第一导电部朝向所述衬底的底面相邻接的多个面。
4. 根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：

   位于所述第一导电层背离所述衬底一侧的第二导电层，所述第一阻隔层位于所述第二导电层与所述第二导电层之间；

   其中，所述第二导电层多个导电部组，所述多个导电部组的每个导电部组包括至少两个第二导电部，所述第二导电部包括第二接触垫；

   其中，所述第二接触垫穿过所述第一镂空区与所述第一接触垫直接搭接，所述第二接触垫的远离所述衬底的表面裸露。
5. 根据权利要求4所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：位于述第一导电层背离所述衬底一侧的第二绝缘层；其中，所述第一阻隔层位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，所述第二导电层位于述第一阻隔层背离所述衬底的一侧；

   所述第二绝缘层包括多个第二开孔，所述第二接触垫穿过所述第一镂空区和所述第二开孔，与所述第一接触垫直接搭接；其中，所述第二开孔在所述衬底上的正投影落在所述第一镂空区在所述衬底上的正投影中。
6. 根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：

   位于所述第一导电层与所述第二绝缘层之间的第二阻隔层，所述第二阻隔层的材料包括抗氧化材料；

   其中，所述第二阻隔层包括第二镂空区，所述第二接触垫依次穿过所述第一镂空区、所述第二开孔和所述第二镂空区，与所述第一接触垫直接搭接；其中，所述第二开孔在所述衬底上的正投影位于所述第二镂空区在所述衬底上的正投影内。
7. 根据权利要求1-6任一所述的驱动基板，其特征在于，所述抗氧化材料包括钼铌合金。
8. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一导电层包括：靠近所述衬底一侧的无机层，以及位于所述无机层背离所述衬底一侧的第一金属层。
9. 根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述第二导电层包括：靠近所述衬底一侧的第二金属层；以及位于所述第二金属层背离所述衬底一侧的第三金属层。
10. 根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述第一导电部的厚度大于所述第二导电部的厚度；且，所述第一导电部的厚度与所述第二导电部的厚度的比值大于或等于5，且小于或等于7。
11. 根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括：

    第一无机层；

    位于所述第一无机层背离所述衬底一侧的有机层；

    位于所述有机层背离所述衬底一侧的第二无机层。
12. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一导电部包括信号线和/或连接线。
13. 根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第一导电部包括信 号线，所述信号线包括与所述第一镂空区对应的所述第一接触垫，所述第二导电层还包括多个连接线；

    其中，每个所述连接线通过贯穿所述第二绝缘层的第三开孔与下方的所述信号线直接接触，以使所述第二接触垫通过所述信号线与所述连接线电连接；

    其中，所述信号线在所述衬底上的正投影与所述连接线在所述衬底上的正投影有交叠，所述信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第二接触垫在所述衬底上的正投影。
14. 根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述基板还包括：

    位于所述第二导电层背离所述衬底一侧的第三绝缘层，所述第三绝缘层包括第四开孔；其中，所述第二接触垫在所述衬底上的正投影落在所述第四开孔在所述衬底上的正投影内。
15. 一种发光基板，其特征在于，所述发光基板包括多个电子元件及权利要求1至14任一项所述的驱动基板；

    所述多个电子元件的每个电子元件包括至少两个引脚，每个所述电子元件的引脚与所述驱动基板上的所述第一接触垫或所述第二接触垫焊接。
16. 根据权利要求15所述的发光基板，其特征在于，所述电子元件包括无机发光二极管和/或驱动芯片；其中，所述驱动芯片用于驱动所述无机发光二极管发光。
17. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至14任一所述的驱动基板，或包括权利要求15至16任一所述的发光基板。