CN117637829A - 半导体装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：半导体基体；漂移层；环层；主沟槽部，主沟槽部设置于环层且在第一方向上延伸设置，主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部，多个栅极沟槽组在第二方向上间隔设置，相邻两个栅极沟槽组之间设置有至少一个假栅沟槽部，栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部；连接沟槽部，连接沟槽部设置于环层且在第二方向上延伸设置，连接沟槽部位于半导体装置的有源区的边缘，连接沟槽部将每个栅极沟槽组中至少两个栅极沟槽部的至少一端连通。由此，不仅可以优化半导体装置的电场分布，提高半导体装置的静电防护能力和绝缘击穿耐压能力，而且可以提高半导体装置的开通速度，降低开通损耗。

Description

半导体装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体装置。

背景技术

随着科技的发展，半导体装置的应用越来越广泛。半导体装置在设计和生产制造时，会设置有沟槽，沟槽处可以形成栅极，从而保证半导体装置的正常工作。

在相关技术中，沟槽多采用条状形，半导体装置的静电防护容易在沟槽的边缘处失效，导致半导体装置的稳定性和可靠性较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种半导体装置，该半导体装置的静电防护能力更佳，稳定性和可靠性更高。

根据本发明实施例的半导体装置，包括：半导体基体，具有第一主面及与所述第一主面相反的第二主面；漂移层，所述漂移层设置于所述半导体基体且位于所述第一主面和所述第二主面之间；环层，所述环层设置于所述漂移层朝向所述第一主面的一侧，所述环层远离所述漂移层的一侧表面构成所述第一主面的部分；主沟槽部，所述主沟槽部设置于所述环层且在第一方向上延伸设置，所述主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部，多个所述栅极沟槽组在第二方向上间隔设置，相邻两个所述栅极沟槽组之间设置有至少一个所述假栅沟槽部，所述栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部；连接沟槽部，所述连接沟槽部设置于所述环层且在第二方向上延伸设置，所述连接沟槽部位于所述半导体装置的有源区的边缘，所述连接沟槽部将每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部的至少一端连通，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

由此，通过设置连接沟槽部，将连接沟槽部设置于环层且在第二方向上延伸设置，连接沟槽部位于半导体装置的有源区的边缘，连接沟槽部将每个栅极沟槽组中至少两个栅极沟槽部的至少一端连通，这样不仅可以优化半导体装置的电场分布，提高半导体装置的静电防护能力和绝缘击穿耐压能力，而且可以提高半导体装置的开通速度，降低开通损耗。

在本发明的一些示例中，每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部的两端均设置有所述连接沟槽部。

在本发明的一些示例中，每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部之间设置有所述假栅沟槽部。

在本发明的一些示例中，每个所述栅极沟槽组包括两个所述栅极沟槽部，所述连接沟槽部将每个所述栅极沟槽组中的两个所述栅极沟槽部的至少一端相连通。

在本发明的一些示例中，所述连接沟槽部将多个所述栅极沟槽组的至少一端相连通。

在本发明的一些示例中，所述栅极沟槽部第一方向的长度大于所述假栅沟槽部第一方向的长度，所述栅极沟槽部第一方向的两端凸出于所述假栅沟槽部第一方向的两端，所述连接沟槽部呈长条形且与所述假栅沟槽部相互间隔。

在本发明的一些示例中，所述连接沟槽部将多个栅极沟槽组和多个所述假栅沟槽部的至少一端相连通。

在本发明的一些示例中，所述假栅沟槽部第一方向的长度等于所述栅极沟槽部第一方向的长度，所述栅极沟槽部第一方向的两端与所述假栅沟槽部第一方向的两端相平齐。

在本发明的一些示例中，所述连接沟槽部将多个所述假栅沟槽部的至少一端相连通。

在本发明的一些示例中，所述假栅沟槽部第一方向的长度大于所述栅极沟槽部第一方向的长度，所述假栅沟槽部第一方向的两端凸出于所述栅极沟槽部第一方向的两端。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的半导体装置的俯视图；

图2是图1中A区域的示意图；

图3是图1中B区域的示意图；

图4是根据本发明实施例的半导体装置沿A-A方向的剖视图；

图5是根据本发明实施例的半导体装置沿B-B方向的剖视图；

图6是根据本发明另一实施例的半导体装置的局部示意图；

图7是根据本发明实施例的半导体装置的制造过程的状态图；

图8是根据本发明实施例的半导体装置的制造过程的状态图；

图9是根据本发明实施例的半导体装置的制造过程的状态图；

图10是根据本发明实施例的半导体装置的制造过程的状态图。

附图标记：

100、半导体装置；

10、半导体基体；101、第一主面；102、第二主面；103、有源区；104、终端区；

11、漂移层；12、环层；13、氧化绝缘层；14、多晶层；15、层间介质层；16、发射极金属层；17、场截止层；18、集电极层；19、接触孔；

20、主沟槽部；21、栅极沟槽部；22、假栅沟槽部；23、栅极沟槽组；24、假栅沟槽组；

30、连接沟槽部；31、子连接沟槽；40、栅极焊盘。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本发明的实施例。

下面参考图1-图10描述根据本发明实施例的半导体装置100。在以下的说明中，N及P表示半导体的导电型，在本发明中，以第一导电型设为P型、第二导电型设为N型而进行说明。

结合图1-图6所示，根据本发明的半导体装置100可以主要包括：半导体基体10、漂移层11、环层12和主沟槽部20，其中，半导体基体10具有第一主面101及与第一主面101相反的第二主面102，环层12设置于漂移层11朝向第一主面101的一侧，环层12远离漂移层11的一侧表面构成第一主面101的部分，主沟槽部20设置于环层12且在第一方向上延伸设置其中，第一方向垂直于第二方向。

具体地，半导体基体10具有第一主面101和第二主面102，环层12和漂移层11均位于第一主面101和第二主面102之间，并且环层12设置于漂移层11朝向第一主面101的一侧，环层12远离漂移层11的一侧表面构成第一主面101的部分，以及，环层12之上还层叠设置有氧化绝缘层13、多晶层14和层间介质层15，漂移层11之下还设置有场截止层17和集电极层18。

进一步，环层12设置有主沟槽部20，主沟槽部20在第一方向上延伸设置，这样可以在主沟槽部20处可以形成栅极，以及，在层间介质层15之上设置发射极金属层16，在集电极层18之下设置集电极金属层(图中未示出)，从而可以形成半导体装置100的基本结构，保证半导体装置100的正常工作。

其中，主沟槽部20可以主要包括多个栅极沟槽组23和多个假栅沟槽部22，多个栅极沟槽组23在第二方向上间隔设置，相邻两个栅极沟槽组23之间设置有至少一个假栅沟槽部22，栅极沟槽组23包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部21，

具体而言，栅极沟槽部21和假栅沟槽部22均设置有氧化绝缘层13，并且沉积多晶硅，但是栅极沟槽部21内会注入第一导电型掺杂剂，并且设置有第二导电型阱区，栅极沟槽部21处可以形成栅极，具有导电沟道，具有通流能力，保证半导体装置100的正常工作，而假栅沟槽部22处不会注入第一导电型掺杂剂，也不会设置有第二导电型阱区，不具有导电沟道，也不具有通流能力，假栅沟槽部22可以与发射极相连，减小密勒电容，降低电流密度。

通过使至少两个栅极沟槽部21形成一个栅极沟槽组23，使至少一个假栅沟槽部22形成一个假栅沟槽组24，并且将栅极沟槽组23和假栅沟槽组24均设置为多个，多个栅极沟槽组23和多个假栅沟槽组24在第二方向上依次交替间隔设置，这样可以使多个栅极沟槽部21和多个假栅沟槽部22在第二方向上的设置更加合理，从而进一步地提升半导体装置100的工作性能。

结合图1-图4以及图6所示，本发明的半导体装置100还可以包括：连接沟槽部30，连接沟槽部30设置于环层12，并且在第二方向上延伸设置，连接沟槽部30位于半导体装置100的有源区103的边缘，连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的至少一端连通，其中，第一方向垂直于第二方向。

具体地，每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21在第二方向上间隔设置，即：每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的端部也在第二方向上间隔设置，考虑到栅极沟槽部21的端部所在区域，电场分布较为集中，电场的分布不够均匀，容易出现静电防护失效，并且绝缘击穿耐压能力也较低，通过将连接沟槽部30设置于环层12，使连接沟槽部30在第二方向上延伸设置，并且使连接沟槽部30位于半导体装置100的有源区103的边缘，使连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的至少一端连通，这样在每个栅极沟槽组23内，连接沟槽部30可以将其至少两个栅极沟槽部21在第一方向的至少一端包围，使连接沟槽部30与每个栅极沟槽组23内的至少两个栅极沟槽部21相连通。

一方面，连接沟槽部30包围在每个栅极沟槽组23内的至少两个栅极沟槽部21的端部外侧，可以优化每个栅极沟槽组23内的至少两个栅极沟槽部21端部的电场分布，使每个栅极沟槽组23内的至少两个栅极沟槽部21的端部的电场分布更加均匀，从而可以有效提高半导体装置100的静电防护能力，避免半导体装置100在主沟槽部20的端部发生静电失效，以及可以提高半导体装置100的绝缘耐压击穿能力，进而可以提升半导体装置100的可靠性。

另一方面，连接沟槽部30可以作为栅极通路，从而可以增加栅极通路，可以提高半导体装置100开通速度，降低开通损耗。

由此，通过设置连接沟槽部30，将连接沟槽部30设置于环层12且在第二方向上延伸设置，连接沟槽部30位于半导体装置100的有源区103的边缘，连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的至少一端连通，这样不仅可以优化半导体装置100的电场分布，提高半导体装置100的静电防护能力和绝缘击穿耐压能力，而且可以提高半导体装置100的开通速度，降低开通损耗。

结合图6所示，每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的两端均设置有连接沟槽部30。具体地，栅极沟槽部21具有第一方向的两端，通过在每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的两端均设置连接沟槽部30，这样一端的连接沟槽部30可以将至少两个栅极沟槽部21的一端进行连接，使其相连通，并且另一端的连接沟槽部30可以将至少两个栅极沟槽部21的另一端进行连接，使其相连通，从而可以将每个栅极沟槽组23的所有端部均与连接沟槽部30相连通，避免每个栅极沟槽组23存在未连通的端部，可以进一步地优化半导体装置100的电场分布，提高半导体装置100的静电防护能力和绝缘耐压击穿能力，可以进一步地提高半导体装置100的开通速度。

需要说明的是，半导体装置100设置有栅极焊盘40，栅极焊盘40用于与栅极连接，作为栅极引出端，栅极沟槽部21和假栅沟槽部22在栅极焊盘40处断开，因此，可以将栅极沟槽组23靠近栅极焊盘40一侧的端部也设置连接沟槽部30，使连接沟槽部30将栅极沟槽组23靠近栅极焊盘40一侧的端部相连通，从而更加可靠地提高半导体装置100的静电防护能力，提高半导体装置100的开通速度。

在本发明的一些实施例中，每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21之间设置有假栅沟槽部22。具体地，可以在每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21之间设置有假栅沟槽部22，假栅沟槽部22在第一方向的长度不大于栅极沟槽部21的长度，从而可以防止假栅沟槽部22的设置，影响连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21的至少一端的连接。

在本发明的一个具体实施例中，结合图6所示，每个栅极沟槽组23可以主要包括两个栅极沟槽部21，连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中的两个栅极沟槽部21的至少一端相连通。具体地，每个栅极沟槽组23可以主要包括两个栅极沟槽部21，并且使连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中的两个栅极沟槽部21的至少一端相连通，这样可以使每个栅极沟槽组23中的栅极沟槽部21的数量的设置更加合理，也可以便于连接沟槽部30的设置。

结合图1-图3所示，连接沟槽部30将多个栅极沟槽组23的至少一端相连通。

具体地，考虑到连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中至少两个栅极沟槽部21进行连接时，虽然可以在一定程度上优化半导体装置100的电场分布，提高半导体装置100的静电防护能力和绝缘击穿能力，但是多个栅极沟槽组23之间仍然处于未连通的状态，每个栅极沟槽组23在第二方向上仍然存在端部区域，电场在此处仍然会发生集中，半导体装置100的静电防护能力和绝缘耐压击穿能力也仍然有待提高。

通过使连接沟槽部30将多个栅极沟槽组23的至少一端相连通，这样可以方便将连接沟槽部30与半导体装置100的所有栅极沟槽部21的至少一端进行连接，从而可以使连接沟槽部30将半导体装置100的所有栅极沟槽部21的至少一端包围，使连接沟槽部30与半导体装置100的所有栅极沟槽部21的至少一端相连通。

一方面，连接沟槽部30包围在所有栅极沟槽部21的端部外侧，不仅可以优化所有栅极沟槽部21端部的电场分布，使所有栅极沟槽部21的端部的电场分布更加均匀，避免在所有栅极沟槽部21的端部发生电场集中，而且可以增加所有栅极沟槽部21的端部的栅氧厚度，从而可以有效提高半导体装置100的静电防护能力，避免半导体装置100在栅极沟槽部21的端部发生静电失效，可以提升半导体装置100的可靠性。

另一方面，连接沟槽部30可以作为栅极通路，从而可以增加栅极通路，可以提高半导体装置100开通速度，降低开通损耗，可以提升半导体装置100的工作性能。

再一方面，为保证电流的正常引出，需要在半导体装置100中设置接触孔19，接触孔19可以将栅极与其他材料连接起来,从而实现电路的功能，通过设置连接沟槽部30，使连接沟槽部30与多个栅极沟槽部21的端部相连通，这样在保证半导体装置100的正常工作的前提下，可以直接将接触孔19设置于连接沟槽部30中，从而可以便于接触孔19的制造，降低接触孔19乃至半导体装置100的制造难度。

如此，不仅可以优化半导体装置100的电场分布，提高半导体装置100的静电防护能力，而且可以提高半导体装置100的开通速度，降低开通损耗，以及可以降低半导体装置100的制造难度。

在本发明的一些实施例中，结合图1-图3所示，栅极沟槽部21第一方向的长度大于假栅沟槽部22第一方向的长度，栅极沟槽部21第一方向的两端凸出于假栅沟槽部22第一方向的两端，连接沟槽部30呈长条形且与假栅沟槽部22相互间隔。

具体地，考虑到假栅沟槽部22没有导电能力，假栅沟槽部22的端部不会出现静电失效，当栅极沟槽部21第一方向的长度大于假栅沟槽部22第一方向的长度，栅极沟槽部21第一方向的两端凸出于假栅沟槽部22第一方向的两端时，只需要使连接沟槽部30与每个栅极沟槽组23相连通，而无需将多个假栅沟槽组24进行连通，连接沟槽部30呈长条形且与假栅沟槽部22相互间隔，就可以提高半导体装置100的静电防护能力，以及提高半导体装置100的开通速度，从而可以降低半导体装置100的制造成本。

在本发明的另一些实施例中，连接沟槽部30将多个栅极沟槽组23和多个假栅沟槽部22的至少一端相连通。具体地，也可以使连接沟槽部30将多个栅极沟槽组23和多个假栅沟槽部22的至少一端相连通，即：连接沟槽部30可以将所有主沟槽部20的至少一端相连通，这样在可以优化半导体装置100的电场分布的前提下，可以便于连接沟槽部30的开设，可以降低半导体装置100的制造难度。

进一步地，假栅沟槽部22第一方向的长度等于栅极沟槽部21第一方向的长度，栅极沟槽部21第一方向的两端与假栅沟槽部22第一方向的两端相平齐。具体地，当半导体装置100的假栅沟槽部22第一方向的长度等于栅极沟槽部21第一方向的长度，栅极沟槽部21第一方向的两端与假栅沟槽部22第一方向的两端相平齐时，可以直接使连接沟槽部30连接于栅极沟槽部21的端部和假栅沟槽部22的端部之间，使连接沟槽部30在第一方向上贯穿半导体装置100的有源区103，使半导体装置100的结构更加简单可靠。

在本发明的再一些实施例中，连接沟槽部30将多个假栅沟槽部22的至少一端相连通。具体地，在设置连接沟槽部30将每个栅极沟槽组23中多个栅极沟槽部21的至少一端相连接的前提下，也可以另外设置连接沟槽部30，使连接沟槽部30将相邻两个栅极沟槽组23之间的多个假栅沟槽部22的至少一端相连通，这样一方面，连接沟槽部30也可以优化多个假栅沟槽部22的至少一端的电场分布，避免电场集中，提升半导体装置100的可靠性，另一方面，也可以便于连接沟槽部30和假栅沟槽部22的分别设计，拓展半导体装置100的应用场景。

进一步地，假栅沟槽部22第一方向的长度大于栅极沟槽部21第一方向的长度，假栅沟槽部22第一方向的两端凸出于栅极沟槽部21第一方向的两端。具体地，当半导体装置100的假栅沟槽部22第一方向的长度大于栅极沟槽部21第一方向的长度，假栅沟槽部22第一方向的两端凸出于栅极沟槽部21第一方向的两端时，可以在每个栅极沟槽组23内单独设置连接沟槽部30，并且在相邻两个栅极沟槽组23之间的多个假栅沟槽部22之间单独设置连接沟槽部30，从而可以防止二者相互影响，保证半导体装置100的静电防护能力和绝缘击穿耐压能力。

结合图4和图5所示，主沟槽部20和连接沟槽部30均在从第一主面101朝向第二主面102的方向上延伸设置，在从第一主面101到第二主面102的方向上，主沟槽部20的深度为L1，连接沟槽部30的深度为L2，L1和L2满足关系式：L1≤L2。

具体地，通过在从第一主面101到第二主面102的方向上，将连接沟槽部30的深度设置地不小于主沟槽部20的深度，这样在从第一主面101到第二主面102的方向上，连接沟槽部30可以将主沟槽部20完全进行连接，避免连接沟槽部30的深度不足，主沟槽部20的下方未与连接沟槽部30连通，导致主沟槽部20的下方的电场分布不均，半导体装置100的静电防护仍然容易失效，如此，可以保证对主沟槽部20端部的各位置处的电场的优化，进一步地提升半导体装置100的静电防护能力。

结合图4和图5所示，主沟槽部20在第二方向上的宽度为W1，连接沟槽部30在第一方向上的宽度为W2，W1和W2满足关系式：W1≤W2。

具体地，连接沟槽部30在第一方向的宽度可以影响连接沟槽部30的通路大小，通过将连接沟槽部30在第一方向上的宽度设置地不小于主沟槽部20在第二方向上的宽度，这样在通过连接沟槽部30增加栅极通路的前提下，可以进一步地增大连接沟槽部30的通路能力，从而可以进一步地提高半导体装置100的开通速度，降低半导体装置100的损耗。

优选地，可以在从第一主面101到第二主面102的方向上，将连接沟槽部30的深度设置地与主沟槽部20的深度相同，并且将连接沟槽部30在第一方向上的宽度设置地与主沟槽部20在第二方向上的宽度相同，这样在提高半导体装置100的静电防护能力，提高半导体装置100的开关速度的前提下，可以便于主沟槽部20和连接沟槽部30的同步蚀刻，并且结构相同或几乎相同，从而可以降低加工复杂度，提高生产效率。

结合图4和图5所示，主沟槽部20和连接沟槽部30均与漂移层11间隔设置。具体地，主沟槽部20和连接沟槽部30蚀刻成型于环层12上，通过使主沟槽部20和连接沟槽部30均与漂移层11间隔设置，即：使主沟槽部20和连接沟槽部30不贯穿环层12，主沟槽部20和连接沟槽部30与漂移层11间隔设置，这样可以保证主沟槽部20和连接沟槽部30与漂移层11之间存在场环层12，可以保证半导体装置100的电气性能。

结合图1和图2所示，半导体基体10可以包括有源区103和终端区104，终端区104环绕设置于有源区103的外侧，主沟槽部20设置于有源区103，连接沟槽部30位于有源区103和终端区104之间。

具体地，有源区103既可以承担正向导通时的大部分正向电流,又可以在施加反向电压时承担高的阻断电压，而终端区104在半导体装置100被施加反向电压时,可以缓解有源区103边缘处的电场拥挤，从而达到提高半导体装置100的反向击穿电压的目的。

进一步地，主沟槽部20设置于有源区103，主沟槽部20的端部位于有源区103和终端区104之间，通过将连接沟槽部30设置于有源区103和终端区104之间，这样连接沟槽部30可以阻挡有源区103电场的扩散，可以更加有效且可靠地避免有源区103和终端区104之间的区域处的静电防护的失效，提高半导体装置100的静电防护能力。

下面结合图7-图10举例描述半导体装置100的制作方法：

如图7所示，提供衬底，衬底为N型漂移层11，并在衬底上注入P型掺杂剂，形成N型漂移层11和P型环层12。

如图8所示，在环层12蚀刻连接沟槽部30，并且在环层12上方生长氧化绝缘层13。

如图9所示，在氧化绝缘层13上方进行多晶硅淀积和多晶蚀刻，形成多晶层14。

如图10所示，在多晶层14上方生长层间介质，形成层间介质层15，在层间介质层15上方进行金属溅射，形成发射极金属层16，并且在漂移层11下方制备场截止层17、集电极层18和集电极金属层，最终形成半导体装置100。

需要说明的是，该制造方法仅仅以制造连接沟槽部30为例，在环层12上蚀刻连接沟槽部30的同时，可以同步蚀刻主沟槽部20，此处不作赘述。以及，该制造方法仅仅示意了制造过程中的一部分，根据本发明实施例的半导体装置100的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基体，具有第一主面及与所述第一主面相反的第二主面；

漂移层，所述漂移层设置于所述半导体基体且位于所述第一主面和所述第二主面之间；

环层，所述环层设置于所述漂移层朝向所述第一主面的一侧，所述环层远离所述漂移层的一侧表面构成所述第一主面的部分；

主沟槽部，所述主沟槽部设置于所述环层且在第一方向上延伸设置，所述主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部，多个所述栅极沟槽组在第二方向上间隔设置，相邻两个所述栅极沟槽组之间设置有至少一个所述假栅沟槽部，所述栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部；

连接沟槽部，所述连接沟槽部设置于所述环层且在第二方向上延伸设置，所述连接沟槽部位于所述半导体装置的有源区的边缘，所述连接沟槽部将每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部的至少一端连通，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部的两端均设置有所述连接沟槽部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部之间设置有所述假栅沟槽部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述栅极沟槽组包括两个所述栅极沟槽部，所述连接沟槽部将每个所述栅极沟槽组中的两个所述栅极沟槽部的至少一端相连通。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接沟槽部将多个所述栅极沟槽组的至少一端相连通。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极沟槽部第一方向的长度大于所述假栅沟槽部第一方向的长度，所述栅极沟槽部第一方向的两端凸出于所述假栅沟槽部第一方向的两端，所述连接沟槽部呈长条形且与所述假栅沟槽部相互间隔。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接沟槽部将多个所述栅极沟槽组和多个假栅沟槽部的至少一端相连通。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述假栅沟槽部第一方向的长度等于所述栅极沟槽部第一方向的长度，所述栅极沟槽部第一方向的两端与所述假栅沟槽部第一方向的两端相平齐。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接沟槽部将多个所述假栅沟槽部的至少一端相连通。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述假栅沟槽部第一方向的长度大于所述栅极沟槽部第一方向的长度，所述假栅沟槽部第一方向的两端凸出于所述栅极沟槽部第一方向的两端。