CN117435416B - 一种存储器的测试***及测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种存储器的测试***及测试方法，包括：至少一个测试板，被配置为其上通信连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及处理器，通信连接于测试板，且被配置为根据待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对待测存储器进行写入测试；处理器还被配置为获取待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并重复向待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止。通过本发明提供的一种存储器的测试***及测试方法，能够对不同类型的存储器同时进行寿命压力测试。

Description

一种存储器的测试***及测试方法

技术领域

本发明涉及存储领域，特别涉及一种存储器的测试***及测试方法。

背景技术

内嵌式存储器（Embedded Multi Media Card，eMMC）在电视机、机顶盒、平板电脑、手机等电子产品中被广泛应用。eMMC是由ARM CPU作为控制器再加上闪存块（NAND Flash）构成，其中ARM CPU会运行控制器软件，通常称为固件(Firmware)。

eMMC的使用寿命是整个产品的关键指标。对于不同厂家的不同类型的eMMC而言，其使用寿命存在差异。目前，针对eMMC的寿命压力测试时，存在测试效率较为低下的问题，且无法同时对不同类型的eMMC进行寿命压力测试。因此，存在待改进之处。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器的测试***及测试方法，以对不同类型的存储器同时进行寿命压力测试。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供了一种存储器的测试***，包括：

至少一个测试板，被配置为其上通信连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及

处理器，通信连接于所述测试板，且被配置为根据所述待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对所述待测存储器进行写入测试；

所述处理器还被配置为获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并重复向所述待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止。

在本发明一实施例中，不同所述测试板上的待测存储器的类型不同。

在本发明一实施例中，所述处理器被配置为：根据存储芯片的类型选择对应的***镜像文件烧录至所述存储芯片中，以搭建对应的测试环境。

在本发明一实施例中，所述处理器还被配置为：根据所述待测存储器的类型，配置测试模型的参数，根据所述测试模型，获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例。

在本发明一实施例中，所述测试模型的参数包括冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的数据块的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器的功能。

在本发明一实施例中，所述数据写入的顺序包括依次进行顺序写操作、随机写操作，或者，依次进行随机写操作、顺序写操作。

在本发明一实施例中，所述处理器确定数据写入完成时，执行的动作为获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对所述待测存储器内的数据进行擦除，其中，所述测试结果包括写入数据量、顺序写测试阶段、随机写测试阶段、单层存储平均擦除次数、三层存储平均擦除次数、三层存储放大指数、三层存储总写入字节数。

本发明还提供了一种存储器的测试方法，包括：

获取至少一个待测存储器，以搭建测试环境；

根据所述待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对所述待测存储器进行写入测试；

在数据写入完成后，获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总；

重复向所述待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止。

在本发明一实施例中，所述根据所述待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对所述待测存储器进行写入测试的步骤包括：

根据所述待测存储器的类型，配置测试模型的参数，其中，所述测试模型的参数包括冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的数据块的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器的功能；

根据所述测试模型，获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例，其中，所述数据写入的顺序包括依次进行顺序写操作、随机写操作，或者，依次进行随机写操作、顺序写操作。

在本发明一实施例中，所述在数据写入完成后，获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总的步骤包括：

判断数据是否完成写入；

若数据写入未完成，则继续写入数据，直至数据写入完成为止；

若数据写入完成，则获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对所述待测存储器内的数据进行擦除，其中，所述测试结果包括写入数据量、顺序写测试阶段、随机写测试阶段、单层存储平均擦除次数、三层存储平均擦除次数、三层存储放大指数、三层存储总写入字节数。

如上所述，本发明提供一种存储器的测试***及测试方法，能够对不同类型的存储器同时进行寿命压力测试，测试效率较高。同时，能够精确模拟分析出不同存储器在各种复杂场景下的使用寿命及各种状态，能够直观地显示出测试结果。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中一种存储器的测试***的示意图；

图2为本发明一实施例中一种存储器的测试***的主机界面的示意图；

图3为本发明一实施例中一种存储器的测试方法的流程图；

图4为图3中步骤S10的流程图；

图5为图3中步骤S20的流程图；

图6为图3中步骤S30的流程图。

图中：100、电源模块；200、处理器；300、动态随机存取存储器；400、数据传输模块；500、存储芯片；600、测试板；700、界面。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供了一种存储器的测试***，其可对不同的电子产品中的内嵌式存储器（eMMC）的使用寿命进行测试。例如可以对应用于手机（Phone）、电视（TV）、机顶盒(OTT）、平板电脑(PAD）中的内嵌式存储器的使用寿命进行测试。测试***可以包括电源模块（Power）100、处理器（CPU）200、动态随机存取存储器（DRAM）300、数据传输模块（USB）400、存储芯片（SD）500、测试板600以及主机。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，电源模块100可用以向处理器200、动态随机存取存储器300、测试板600等进行供电。处理器200可以为中央处理器。处理器200可以通信连接于动态随机存取存储器300、数据传输模块400、存储芯片500、测试板600等。动态随机存取存储器300可以为内存，是与处理器200直接交换数据的内部存储器。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，处理器200可通过数据传输模块400与主机通信连接，进而可将数据上传至主机的UI界面700，并进行显示。当需要对待测存储器的使用寿命进行测试时，可根据存储芯片500的类型在主机的UI界面700上选择对应的***镜像文件（SOC Image），将***镜像文件烧录到存储芯片500的存储颗粒中，以使存储芯片500能够运行相应的程序，进而完成待测存储器使用寿命的测试。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，待测存储器可以与测试板600的通信接口（Socket）通信连接，处理器200可以通过测试板600与存储器通信连接，以完成存储器使用寿命的测试。测试板600可被配置为分别与处理器200、待测存储器通信连接，以搭建对应的测试环境。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，对于不同的待测存储器而言，其生产厂家可能是不同的，其型号也可能并不一致。因此，需要将待测存储器连接到适配的测试板600上以完成使用寿命的测试。在本实施例中，测试板600的数量可以为至少一个，每个测试板600的通信接口上都可通信连接一个待测存储器。因此，待测存储器的数量也可为至少一个，待测存储器的数量不超过测试板600的数量。在本实施例中，以测试板600的数量为四个、待测存储器的数量为四个为例进行说明。四个测试板600上的通信接口可分别表示为Socket1、Socket2、Socket3以及Socket4。四个待测存储器可分别表示为eMMC Vendor1、eMMC Vendor2、eMMC Vendor3以及eMMC Vendor4。通过多个待测存储器与多个测试板600的连接，可以同时完成多个待测存储器使用寿命的测试，有效提升测试效率。

在本发明的一个实施例中，处理器200可以被配置为根据待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对待测存储器进行写入测试。具体地，处理器200可以根据待测存储器的类型，配置测试模型（Life-Time Mode）的参数，并根据测试模型，获取数据写入的顺序。其中，测试模型可以用于计算存储器的使用寿命。测试模型可以包括顺序写测试模型（Mode A）与随机写测试模型（Mode B）。通过测试模型对存储器进行使用寿命测试时，会分别进行随机写和顺序写操作，并根据其结果估算存储器的预期寿命。

在本发明的一个实施例中，顺序写可以是数据按照一定顺序连续写入到存储器中。由于顺序写可以有效地降低存储器的磨损，因此通常对存储器的寿命影响较小。随机写可以是数据被随机写入到存储器中的任意位置。随机写对存储器的性能和寿命提出了较高的要求，因为存储器需要不断在不同位置之间切换，可能会导致更多的磨损。

在本发明的一个实施例中，在配置测试模型的参数时，可以通过主机的UI界面700，根据待测存储器的类型，选择对应的参数，以完成对应的测试模型的配置。其中，测试模型的参数可以包括整体***冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的数据块（Trunk Size）的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，测试模型可以将数据分为热数据（hot data）和冷数据（cold data）。热数据可以是指经常访问和修改的数据。冷数据可以是指很少访问和修改的数据。在实际应用中，这两种类型的数据在存储器上的比例是不同的，并且对设备寿命有影响。冷数据与热数据的比例的比例大小决定了存储器在测试过程中两种类型数据的分布。当冷数据比例较大时可以表示为大部分数据在设备上的访问和修改频率较低，进而可能降低了数据写入和擦除操作的频率，从而延长了存储器的寿命。当冷数据比例较小时可以表示为存储器上大部分数据的访问和修改频率较高，进而可能会导致更频繁的数据擦除和写入，从而影响存储器的使用寿命。对于不同类型的存储器而言，测试模型在测试过程中可能会采用不同的冷数据与热数据的比例，以便更准确地预测实际应用环境中的存储器的使用寿命。测试模型可以根据实际存储器应用场景来选择合适的冷数据与热数据的比例。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，测试模型需要考虑顺序写数据和随机写数据的比例，这种比例具体取决于存储器在实际使用中可能面临的工作负载和模式。顺序写和随机写都对存储器的使用寿命有影响。顺序写可能会导致连续的闪存单元擦写，而随机写可能会导致闪存单元的不连续擦写。随机写的寿命消耗通常比顺序写要大，需要更频繁地调整存储器上的数据布局，从而导致更高的磨损。在设定这种写入比例时，通常需要参考实际应用的工作负载。例如，如果存储器将在一个主要执行顺序写任务的环境中使用，那么应该提高顺序写数据的比例。反之，如果存储器将在一个主要执行随机写任务的环境中使用，那么随机写数据的比例应该更高。测试模型需要对比例进行合理设定，旨在模拟存储器遇到的实际工作负载，并通过数据写入模式（包括顺序写和随机写）、数据大小和各种其他工作负载来确定设备的预期寿命。具体的写入比例可以根据实际需求进行调整。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，顺序写和随机写的地址范围的比例指的是测试模型如何分配或选择写入数据的物理地址，这是为了模拟实际使用中的数据访问模式，因为不同的访问模式对存储器的磨损有不同的影响。顺序写通常是指在连续的物理地址上写入数据。这种模式对存储器的使用寿命影响较小，因为它通常可以利用内部的闪存控制器优化，减小写放大效应。随机写是指在非连续的物理地址上写入数据。随机写操作对存储器寿命的影响要大一些，因为随机写导致了物理地址的不连续性，会增加写放大效应，使得存储器的寿命降低。测试模型的顺序写与随机写的地址范围的比例可以用于模拟真实的使用场景。在本实施例中，可以根据实际应用的数据处理需求来控制两者之间的比例，例如，对于数据输入大部分是顺序写入的场景，可以把顺序写的地址范围比例设定得较大。反之，如果随机写操作更频繁，则随机写入的地址范围比例应该较高。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，顺序写和随机写的数据块的大小与比例（也可称为传输块Trunk大小）指的是每次操作向存储器写入的数据量。测试模型通常包括顺序写和随机写操作，这两种操作在使用Trunk Size和比例方面也有所不同。在顺序写操作中，测试通常关注不同大小的Trunk Size对存储器性能的影响，以找到适合该存储器的最佳写入性能配置。随机写通常涉及到较小的Trunk Size以模拟实际场景中随机写入请求的性能表现。这两种类型写入操作的数据块的大小及比例的设定在测试模型中需要尽可能地模拟实际工作负载。具体数值的设定，可以根据存储器使用的实际场景和工作环境来决定。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，顺序写和随机写的地址4K对齐方式指的是写入操作时所选取的物理地址和4KB边界的对齐关系。存储器通常以4KB为一个物理块来管理存储单元。在存储器中，如果写入操作的起始地址和4KB边界对齐，那么数据可以一次性写入到一个或多个物理块中，这样可以减小I/O操作的次数，提高性能。同时，对齐的操作还可以提高存储器的寿命，因为减小了I/O操作的次数，也就减小了闪存的磨损。反之，如果写入操作的起始地址和4KB边界不对齐，那么可能需要多次的I/O操作，并且可能引发部分物理块的额外擦写，这既影响了性能，也增大了eMMC的磨损。因此，在进行存储器的使用寿命测试时，需要设定测试模型中顺序写和随机写的地址4K对齐方式，以反映这种操作对存储器性能和寿命的影响。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，顺序写和随机写的地址空间是否固定，主要是指在测试过程中写入操作所使用的地址范围是否保持不变。在固定地址空间的测试模型中，顺序写和随机写的操作会在一个固定的地址范围内进行。这种方式会导致这个固定地址范围内的存储器的内存块上经历更多的编程/擦除周期（P/Ecycles），从而更容易导致磨损和损坏。同时，非固定地址空间的区域则会遭受较少磨损。因此，这种测试模型有助于检测存储器在特定工作负载下，特定地址范围的耐久性和寿命。在不固定地址空间的测试模型中，顺序写和随机写的操作会在整个存储器的地址范围内进行。这种方式可以使编程/擦除周期分布在整个存储器上，从而更好地模拟实际应用场景中的使用情况，以及评估在正常使用场景下存储器的整体耐久性和寿命。在本实施例中，在对存储器进行使用寿命测试时，可以根据实际需求选择固定地址空间或不固定地址空间进行测试。

在本发明的一个实施例中，在存储器的寿命测试过程中，顺序写和随机写操作可能使用到存储器的不同功能，如cache（缓存）on/off、CMDQ（Command Queue，指令队列）、CMD25（Write Multiple Block，连续块写入）等。这些功能不仅影响eMMC的性能，同时也可能影响其寿命。

在本发明的一个实施例中，存储器可能会具有内置的缓存功能，在写操作时，存储器可以使用缓存来存储部分数据，从而通过减少写次数提高性能。缓存功能开启时（Cacheon），存储器性能会有所提高。但由于更频繁地使用缓存，也可能会给存储器带来额外的磨损。缓存关闭时（Cache off），存储器性能可能下降，但对存储器的磨损可能较小。因此，在存储器的使用寿命测试中，应比较不同缓存模式下存储器的寿命表现。

在本发明的一个实施例中，CMDQ是存储器的指令队列功能，CMDQ能够允许对写指令进行排队和优先级管理。进而有助于存储器在同时执行多个任务时，优化存储器的性能。在存储器的使用寿命测试中，使用CMDQ功能可以帮助评估在实际多任务环境下，存储器的性能和寿命表现。

在本发明的一个实施例中，CMD25是存储器用于连续写入多个块的命令。在存储器的使用寿命测试中，CMD25可以评估存储器在同时处理大量连续写入数据时的性能和寿命表现。通过这种方式，可以模拟实际应用中对存储器进行大量连续写入操作的场景。

在本发明的一个实施例中，测试模型的具体参数可根据实际需求进行设定，例如，可将测试模型中的冷数据设为零、顺序写与随机写的数据块（Trunk Size）设为最优、顺序写数据与随机写数据的比例设为4:4交替、顺序写与随机写的地址4K对齐方式设定为data/addres对齐、顺序写与随机写的地址空间固定等。

在本发明的一个实施例中，当设定好测试模型的参数后，可以获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例。其中，数据写入的顺序可以表示为先向待测存储器随机写入数据，后向待测存储器顺序写入数据。或者，数据写入的顺序也可以表示为先向待测存储器顺序写入数据，后向待测存储器随机写入数据。即，先执行随机写操作，后执行顺序写操作。或者，先执行顺序写操作，后执行随机写操作。随机写操作与顺序写操作的顺序可根据实际需求进行设定。顺序写数据的数据量与随机写数据的数据量的比例也可根据实际需求进行设定。

在本发明的一个实施例中，随机写与顺序写的数据可以来自于主机，处理器200可通过数据传输模块400将数据写入到待测存储器中。在本实施例中，以顺序写数据的数据量与顺序写数据的数据量的比值为4:1为例进行说明，即，写入到待测存储器中的顺序写数据占存储空间的80%，写入到待测存储器中的随机写数据占存储空间的20%。其中，顺序写数据的数据块的大小可不加限制，例如，数据块大小可以包括4KB（seq-4k）、8KB（seq-8k）、12KB（seq-12k）、16KB（seq-16k）、32KB（seq-32k）、64KB（seq-64k）、128KB（seq-128k）、256KB（seq-256k）、512KB（seq-512k）。通过改变数据块大小，能够分别测试出存储器在处理不同大小数据请求时的性能状况，这样可以更全面地了解存储器的写性能。例如，部分存储器在处理较大的数据块时比较出色，但处理较小的数据块时性能可能下降，反之亦然。不同大小的数据块的比例可不加限制。例如，在本实施例中，4KB的数据块可占存储空间的52%，8KB的数据块可占存储空间的15%，12KB的数据块可占存储空间的15%，16KB的数据块可占存储空间的11%，32KB的数据块可占存储空间的2%，64KB的数据块可占存储空间的2%，128KB的数据块可占存储空间的2%，256KB的数据块可占存储空间的0.5%，512KB的数据块可占存储空间的0.5%。随机写数据的数据块的大小和对应的比例可以与顺序写数据相同。

在本发明的一个实施例中，处理器200还可被配置为在数据写入完成后，获取待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对待测存储器内的数据进行擦除。具体地，处理器200可以判断数据是否完成写入。若数据写入未完成，则继续写入数据，直至写入完成为止。若写入完成，则处理器200可以获取待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对待测存储器内的数据进行擦除。

请参阅图2，在主机的UI界面700上，可以分别显示eMMC Vendor1、eMMC Vendor2、eMMC Vendor3以及eMMC Vendor4的测试结果。测试结果可以包括写入数据量（HOSTWrite）。其中，测试结果包括写入数据量（HOST Write）、顺序写测试阶段（TYPE-A）、随机写测试阶段（TYPE-B）、单层存储平均擦除次数（AVG ECT SLC）、三层存储平均擦除次数（AVGECT TLC）、三层存储放大指数（WAI TLC）、三层存储总写入字节数（TLC TBW）。

在本发明的一个实施例中，写入数据量可以表示为向待测存储器内写入的随机写数据的数据量与顺序写数据的数据量之和。

在本发明的一个实施例中，待测存储器的使用寿命可以表示为总擦除次数。通过将总擦除次数设置为连续的多个区间，当擦除次数在某个区间时，可以表示为待测存储器的测试阶段在当前区间内。例如，总擦除次数为5000。1~500可以表示为第一区间，即第一阶段。501~1000可以表示为第二区间，即第二阶段。依此类推，4501~5000可以表示为第十区间，即第十阶段。若顺序写擦除次数为1300，则表示为顺序写测试阶段为第三阶段，即TYPE-A=3。若随机写擦除次数为1300，则表示为随机写测试阶段为第三阶段，即TYPE-B=3。

在本发明的一个实施例中，平均擦除次数（AVG ECT）与存储介质的寿命息息相关。在闪存中，每个内存单元都有最大擦除次数限制，当达到这个次数时，单元可能无法保证数据存储的完整性。因此，擦除次数可以用来预估在实际使用情况下存储器的预期使用寿命。单层存储平均擦除次数（AVG ECT SLC）可以表示为在SLC模式的擦除次数。三层存储平均擦除次数（AVG ECT TLC）可以表示为在TLC模式的擦除次数。

在本发明的一个实施例中，三层存储放大指数（WAI TLC）可以表示为存储器在进行数据写入时，实际写入的数据量与应用程序写入的数据量之间的比例。WAI越大，表示磨损情况越严重，这可能会对存储器的寿命产生影响。

在本发明的一个实施例中，三层存储总写入字节数（TLC TBW）可以用以度量存储器使用情况和使用寿命，其可以表示为存储器在其生命周期内可以执行的总写入数据量。TBW的值越大，表示存储器的使用寿命越长。

在本发明的一个实施例中，当完成待测存储器的数据写入后，处理器200可以被配置为触发待测存储器的垃圾回收流程（Garbage Collection GC），或者，待测存储器也可自动触发垃圾回收流程，以对写入的数据进行清除，便于后续重复对待测存储器进行使用寿命测试。

在本发明的一个实施例中，当完成待测存储器的垃圾回收流程后，处理器200还可被配置为重复向待测存储器写入数据，直至触发的垃圾回收流程的次数达到预设次数为止，即，擦除次数达到预设次数为止。在本实施例中，对于不同类型的待测存储器，预设次数可以不同。预设次数的具体大小可不加限制，可根据实际需求进行设定。在完成待测存储器的使用寿命测试后，可以根据测试结果同步生成相应的寿命变化曲线，以在主机的UI界面700上进行显示，同时，还可将测试结果以固定格式存储于主机的数据库中，便于历史数据的追溯与查询。

可见，在上述方案中，能够对不同类型的存储器同时进行寿命压力测试，测试效率较高。同时，能够精确模拟分析出不同存储器在各种复杂场景下的使用寿命及各种状态，能够直观地显示出测试结果。

请参阅图3，本发明还提供了存储器的测试方法，该测试方法可以应用于上述测试***中，以对不同类型的待测存储器进行使用寿命测试。该测试方法可以包括如下步骤：

步骤S10、获取至少一个待测存储器，以搭建测试环境；

步骤S20、根据待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对待测存储器进行写入测试；

步骤S30、在数据写入完成后，获取待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对待测存储器内的数据进行擦除；

步骤S40、重复向待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止。

请参阅图4，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S10时，具体地，步骤S10可包括如下步骤：

步骤S11、对测试板进行供电，根据存储芯片的类型选择对应的***镜像文件烧录至存储芯片中；

步骤S12、获取至少一个待测存储器，将待测存储器连接到对应的测试板上，以搭建对应的测试环境。

请参阅图5，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S20时，具体地，步骤S20可包括如下步骤：

步骤S21、根据待测存储器的类型，配置测试模型的参数，其中，测试模型的参数包括冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的写入速率的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器；

步骤S22、根据测试模型，获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例，数据写入包括顺序写数据、随机写数据，以对待测存储器进行写入测试。

请参阅图6，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S30时，具体地，步骤S30可包括如下步骤：

步骤S31、判断数据是否完成写入；

步骤S32、若写入未完成，则继续写入数据，直至写入完成为止；

步骤S33、若写入完成，则获取待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对待测存储器内的数据进行擦除，其中，测试结果包括写入数据量（HOST Write）、顺序写测试阶段（TYPE-A）、随机写测试阶段（TYPE-B）、单层存储平均擦除次数（AVG ECT SLC）、三层存储平均擦除次数（AVG ECT TLC）、三层存储放大指数（WAI TLC）、三层存储总写入字节数（TLC TBW）。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (4)

1.一种存储器的测试***，其特征在于，包括：

至少一个测试板，被配置为其上通信连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及

处理器，通信连接于所述测试板，且被配置为根据所述待测存储器的类型，设定对应的数据写入比例，以对所述待测存储器进行写入测试；

所述处理器还被配置为获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并重复向所述待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止；

所述处理器还被配置为：根据所述待测存储器的类型，配置测试模型的参数，根据所述测试模型，获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例，所述数据写入的顺序包括依次进行顺序写操作、随机写操作，或者，依次进行随机写操作、顺序写操作；

所述测试模型的参数包括冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的数据块的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器的功能；

所述处理器确定数据写入完成时，执行的动作为获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对所述待测存储器内的数据进行擦除，其中，所述测试结果包括写入数据量、顺序写测试阶段、随机写测试阶段、单层存储平均擦除次数、三层存储平均擦除次数、三层存储放大指数、三层存储总写入字节数。

2.根据权利要求1所述的存储器的测试***，其特征在于，不同所述测试板上的待测存储器的类型不同。

3.根据权利要求1所述的存储器的测试***，其特征在于，所述处理器被配置为：根据存储芯片的类型选择对应的***镜像文件烧录至所述存储芯片中，以搭建对应的测试环境。

4.一种存储器的测试方法，其特征在于，包括：

获取至少一个待测存储器，以搭建测试环境；

根据所述待测存储器的类型，配置测试模型的参数，其中，所述测试模型的参数包括冷数据与热数据的比例、顺序写数据与随机写数据的比例、顺序写与随机写的地址范围的比例、顺序写与随机写的数据块的大小及比例、顺序写与随机写的地址4K对齐方式、顺序写与随机写的地址空间是否固定、顺序写与随机写用到的存储器的功能；

根据所述测试模型，获取数据写入的顺序，并设定顺序写数据与随机写数据的数据写入比例，其中，所述数据写入的顺序包括依次进行顺序写操作、随机写操作，或者，依次进行随机写操作、顺序写操作；

判断数据是否完成写入；

若数据写入未完成，则继续写入数据，直至数据写入完成为止；

若数据写入完成，则获取所述待测存储器的测试结果，上传至主机进行汇总，并对所述待测存储器内的数据进行擦除，其中，所述测试结果包括写入数据量、顺序写测试阶段、随机写测试阶段、单层存储平均擦除次数、三层存储平均擦除次数、三层存储放大指数、三层存储总写入字节数；

重复向所述待测存储器写入数据，直至擦除次数达到预设次数为止。