CN111028881B - 一种Open Block测试装置、方法及*** - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种Open Block测试装置、方法及***,包括测试主机和至少一个测试板卡;测试板卡上设置有测试控制器、Nand Flash芯片、温控部件;所述Nand Flash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;测试控制器与测试主机通信。通过测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片进行读写,写入时,对Block的部分page进行读写,使Block处于Open状态,即Open Block。间隔一定时间再进行读取,计算Block的每个page的BER,最后分析出BER随时间的变化。提供Block在不同温度Open状态下BER随时间的变化趋势及规律,为Nand Flash控制器的实现及优化提供参考。
Description
技术领域
本发明涉及Nand Flash芯片测试领域,具体涉及Nand Flash芯片的Open Block测试装置、方法及***。
背景技术
Nand Flash具有容量大,读写速度快,价格相对低廉等优点,在一些嵌入式产品、U盘、特别是SSD中得到大量应用。但是Nand Flash由于自身原理、制作工艺等存在一些固有的特性,如位反转、读干扰、写干扰等,所以写入Nand Flash的数据,再读出来时会和写入的数据有一定差异,即BER(Bi t Error Rate,误码率)。BER在一定范围之内是可以接受的,实际使用中Nand控制程序会有一套完整的纠错校验机制,但是如果BER太高,超出了纠错模块的纠错能力,则保存的数据很有可能会失效,造成数据丢失。另外,在实际使用中一些使用场景会加速Nand一些特性的表现,造成BER升高,比如open block,block在open状态下在很短的时间内可能BER就会升到很高,以至于校验失败,所以为了数据的安全,很有必要对open block状态下BER的变化情况及规律进行测试。
目前,在Nand Flash应用中,对open block的测试比较少;为了避免open block的出现,大部分厂商会一次性写满一个block,当数据不足时会填充dummy data,但是这种使用不是很灵活,有时候会造成存储空间的浪费。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种Open Block测试装置、方法及***,提供Block在Open状态下BER随时间的变化趋势及规律。
本发明的技术方案是:一种Open Block测试装置,包括测试主机和至少一个测试板卡;
测试板卡上设置有测试控制器、Nand Flash芯片、温控部件;所述Nand Flash芯片、温控部件分别与测试控制器电连接;
测试控制器与测试主机通信。
进一步地,所述温控部件包括温度控制器、测温探头、加热片、风扇和外壳,所述测温探头、加热片、风扇设置在外壳内,外壳扣合在Nand Flash芯片处;
测温探头、加热片、风扇分别与温度控制器电连接;温度控制器与测试控制器电连接。
进一步地,Nand Flash芯片通过插接座插接在测试板卡上。
进一步地,测试板卡上还设置有网口,测试控制器通过网线与测试主机通信。
本发明的技术方案还包括一种Open Block测试方法,包括以下步骤:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果。
进一步地,测试主机端具体执行以下步骤:
S101,与测试控制器建立连接;
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
S103,下发温控命令至测试控制器;
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
S112,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
进一步地,测试控制器端具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
S202,接收温控命令;
S203,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
S205,接收待测样本Block编号并保存;
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
本发明的技术方案还包括一种Open Block测试***,
测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
进一步地,测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
本发明提供的Open Block测试装置、方法及***,提供Block在Open状态下BER随时间的变化趋势及规律,为Nand Flash控制器的实现及优化提供参考;并且测试过程完全由程序控制,人力投入很小;并可具有自动调温***,可在不同的温度下进行测试,测试Nand Flash芯片在不同温度下的性能变化;Nand Flash芯片的固定采用接插座的方式,方便不同批次及不同厂家Nand Flash芯片的更换测试。
附图说明
图1是实施例一结构示意图。
图2是实施例二方法流程示意图。
图3是实施例二测试主机端方法流程示意图。
图4是实施例二测试控制器端方法流程示意图。
图5是一具体实施方式测试主机端方法流程示意图。
图6是一具体实施方式测试控制端方法流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施例对本发明进行详细阐述,以下实施例是对本发明的解释,而本发明并不局限于以下实施方式。
本发明提供的Open Block测试方法,通过测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片进行读写,写入时,对Block(闪存芯片中存储数据的模块,闪存芯片擦除操作的基本单位)的部分page(闪存中读和写的最小单元)进行读写,使Block处于Open状态,即OpenBlock(只写入部分Page数据,未完全写入数据的Block)。间隔一定时间再进行读取,计算Block的每个page的BER,最后分析出BER随时间的变化。
实施例一
如图1所示,本实施例提供的一种Open Block测试装置,包括测试主机1和至少一个测试板卡3,需要说明的是,为了增加测试样本数量及测试效率,测试主机1可以同时连接多个测试板卡3同时测试。
测试板卡3上设置有测试控制器4和Nand Flash芯片7,Nand Flash芯片7与测试控制器3电连接。Nand Flash芯片7通过插接座socket插接在测试板卡3上,方便Nand Flash芯片7更换。
测试板卡3上还设置有网口,测试控制器4通过网线与测试主机1通信,网络上设置有交换机2,实现测试主机1与多个测试板卡3的连接。
本实施例测试板卡上还设置有温控部件,温控部件包括温度控制器5、测温探头、加热片、风扇和外壳6,测温探头、加热片、风扇设置在外壳6内,外壳6扣合在Nand Flash芯片7处;测温探头、加热片、风扇分别与温度控制器5电连接;温度控制器5与测试控制器4电连接。通过温控部件可设置Nand Flash芯片7所处环境的温度,测试不同温度下Block在Open状态下BER随时间的变化,找到不同温度下Block的Open时间。
另外,需要说明的是,本实施例的测试控制器4可以是MCU,且MCU连接有DDR,以保存相关数据。测试控制器4可通过485总线与温度控制器5电连接。
实施例二
本实施例提供的一种Open Block测试方法,可由实施例一所述装置实现,测试主机运行Host端程序,给测试板卡通电并与测试控制器通信,控制整个测试流程,完成运行Log的记录,测试数据的生成、下发,操作结果的记录以及对采集到的BER数据进行分析等。测试控制器执行测试主机命令,对Nand Flash芯片进行相关操作。测试最终可实现绘制不同温度下Block在Open状态下BER随时间的变化关系,并找到不同温度下Block的Open时间。
如图2所示,本方法执行以下步骤实现Block Open时间的确定:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果。
如图3所示,本实施例中,测试主机端具体执行以下步骤实现测试:
S101,与测试控制器建立连接;
测试主机给测试板卡通电,且通过网线与测试控制器连接,两端通过交互协议握手确认之后,测试主机与测试板卡建立socket连接。
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
生成的Random数据作为原始数据。
S103,下发温控命令至测试控制器;
需要说明的是,可预先设置多个需测试温度值,每次下发一个温度值指令,执行一次后续步骤,测试该温度值下的BER情况,循环测试最终将所有待测温度测试完。
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试控制器接收到温控命令后,会控制温控部件将Nand Flash芯片所处环境设置到该命令中所需测试温度,待温度稳定后,将温度信号返回测试主机,测试主机在温度稳定后再下发开始测试命令,可提高测试准确度。
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
设置最大测试时间,可限制测试中读取测试Block的次数。
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
预先选定一些Block作为测试样本,待测样本Block为测试Block,对测试Block的page进行读写操作。
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
准备程序完成之后,向测试控制器下发指令开始测试。
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
需要说明的是预先设置有最大测试时间和获取BER时间间隔,每间隔所设时段,向测试控制器下发一次获取BER命令,测试控制器读取一次数据并计算BER,直到到达最大测试时间。这样可保证获取多个时间处的BER数据,从而分析出BER随时间的变化,进而获取Block的Open时间。
另外,每一温度下,均测试多个时间的BER,从而可获取不同温度下,BER随时间的变化。
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
测试控制器会将相关数据发送至测试主机,供测试主机保存,并分析测试结果。
BER数据与page的对应关系是指每个page对应的BER数据。
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
各数据信息写到CSV文件中,为后续数据分析做准备。
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
全部测完之后,对获取到的数据进行分析,按照时间为X轴,BER为Y轴,绘制不同测试温度下各Block在Open状态下BER随时间的变化关系,且可在曲线上显示对应Block的写入数据量。
S112,根据步骤S111测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出不同温度下对应测试Block的Open时间;
Open时间是指在此Open时间之内Block的数据是可靠的,当然不同的温度下有不同的Open时间。在写block时可以以此时间为参考,不用在刚开始写数据不足时,使用dummy数据一次性填充整个Block,造成空间的浪费;Block中可以只先填入部分Page数据,在Open时间允许范围内,可以随时填入需要写的数据。如果到了Open时间的最大限制时仍写不满block,此时再使用dummy数据填充剩余的Page。
另外,需要说明的是,测试Open时间相当于是为以后做产品做准备,实际做产品时,比如做SSD,里边会用到Nand控制器,它会有一个最大可纠错的BER,因此,本方法此步骤找最大Open时间即根据后续做产品时使用的控制器的实际纠错能力来找。
Open时间查找原理是:Block Open时间越长,BER就会越大,是随时间增长的一个函数关系;Nand控制器的最大纠错能力是一个定值,就相当于已知y值,找对应的x,即最大Open时间。
如图4所示,测试控制器接收测试主机的指令,根据指令具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
将Random数据保存在DDR作为原始数据,用于对Block的写入数据。
S202,接收温控命令;
即接收需设置的温度值。
S203,控制温度控制器调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
接收温控命令后,温度控制器控制加热片或风扇工作,将Nand Flash芯片所处环境调至所需测试温度。
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
测温探头检测Nand Flash芯片所处环境温度,并经温度信号经温度控制器发送测试控制器,温度稳定后,测试控制器将温度稳定信号发送至测试主机。
S205,接收待测样本Block编号并保存;
同样将待测样本Block编号保存在DDR,在测试时,对对应Block进行读写和BER计算。
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
需要说明的是,在对测试Block进行写入前,可对测试Block擦除一遍,以免影响后续测试结果。然后根据测试策略对不同的测试Block写入不同量的数据,比如一部分Block只写入该Block 1/4的wordl ine,一部分Block写入该block 2/4的wordl ine,一部分Block写入该block 3/4的wordl ine。
记录所写入数据信息以便后续进行数据比较计算BER。
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据。
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
原始写入对应page的数据及步骤S203中所记录的写入数据信息。
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、测试Block写入数据量发送至测试主机,
将相关信息发送至测试主机,以便测试主机进行分析和显示结果。
需要说明的是,每间隔一段时间测试主机向测试控制器发送一次获取BER命令,测试控制器每接收一次该命令,重复一次上述步骤S207-S209。且每接收一次温控信号重复一次后续步骤,从而测试处不同温度下BER随时间的变化。本方法在所有测试完成后,可绘制出不同温度下测试Block在Open状态下BER随时间的变化关系,并根据测试控制器BER的最大纠错能力找到不同温度下对应Block的Open时间,即在此温度下此Open时间内,Block的数据是可靠的。
为更清楚地描述本方法测试过程,本实施例提供一具体实施方式,如图5所示,测试主机端具体执行以下步骤:
SZ1,测试开始;
SZ2,与测试板卡建立连接;
SZ3,生成Random数据并下发到测试控制器;
SZ4,判断是否所有待测温度全部测试完,若未测试完,进入步骤SZ5,若测试完,进入步骤SZ12;
SZ5,下发温控命令并等温度稳定;
SZ6,下发待测试样本Block编号;
SZ7,下发开始测试命令;
SZ8,等待N Minute(可预先设置N的数值);
SZ9,判断是否到达最大测试时间(可预先设置最大测试时间),若未到达,进入步骤SZ10,若到达,返回步骤SZ4;
SZ10,下发获取BER命令;
SZ11,获取测试控制器返回的BER数据及相关数据并记录文件(记录文件中包含BER数据、BER数据与page对应关系、对比Block写入数据量以及该次测试温度);
SZ12,对所记录文件内的内容进行分析,得到并显示测试结果;
SZ13,结束。
如图6所示,测试控制端具体执行以下步骤:
SK1,测试开始;
SK2,与测试主机建立连接;
SK3,接收测试主机发送的Random数据并保存至DDR中;
SK4,判断是否接收到测试主机下发的温控命令,若未接收到,则继续等待直到接收到温控命令,否则进入下一步;
SK5,设置温控部件温度;
SK6,判断温度是否温度,若未温度,则等待M Minute后重新判断,否则进入下一步;
SK7,返回温度稳定命令给测试主机;
SK8,接收测试主机下发的Block编号;
SK9,判断是否接收测试主机下发的开始测试命令,若未接收到,则继续等待直到接收到开始测试命令;否则进入下一步;
SK10,写部分数据到测试Block中,并记录每个Block数据写入量;
SK11,判断是否接收到测试主机下发的获取BER命令,若未接收到,则继续等待直到接收到获取BER命令;否则进入下一步;
SK12,读取测试Block内所有page,并计算每个page的BER,BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量返回给测试主机;
SK13,判断本次测试是否完成,若未完成,则返回步骤SK11,否则进入下一步;
SK14,判断是否收到测试主机所有待测温度都测试完成命令,若未接收到,则返回步骤SK4,否则结束测试。
实施例三
本实施例提供基于实施例二所述方法的一种Open Block测试***。
该***中测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器BER的最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
本***中测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度控制器调节Nand Flash芯片处的温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
以上公开的仅为本发明的优选实施方式,但本发明并非局限于此,任何本领域的技术人员能思之的没有创造性的变化,以及在不脱离本发明原理前提下所作的若干改进和润饰,都应落在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种Open Block测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S0,测试主机控制测试控制器通过温控部件调节Nand Flash芯片所处环境温度,并等待温度稳定;
S1,测试主机控制测试控制器对Nand Flash芯片的测试Block进行部分写入数据;
S2,测试主机定时控制测试控制器对测试Block进行读取数据;
S3,测试控制器根据读取数据计算测试Block每个page的BER数据,并将所计算的BER数据和对应Block信息返回测试主机;
S4,测试主机根据返回BER数据、对应Block信息分析并显示测试结果;
测试主机端具体执行以下步骤:
S101,与测试控制器建立连接;
S102,生成Random数据并下发至测试控制器;
S103,下发温控命令至测试控制器;
S104,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
S105,设置在该温度下的最大测试时间;
S106,下发待测样本Block编号至测试控制器;
S107,下发开始测试命令至测试控制器;
S108,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
S109,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
S110,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、此次测试的温度保存;
S111,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
S112,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
2.根据权利要求1所述的Open Block测试方法,其特征在于,测试控制器端具体执行以下步骤:
S201,接收Random数据并保存;
S202,接收温控命令;
S203,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境的温度至所需测试的温度;
S204,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
S205,接收待测样本Block编号并保存;
S206,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
S207,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
S208,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
S209,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
3.一种Open Block测试***,其特征在于,
测试主机端包括:
连接模块,与测试控制器建立连接;
Random数据生成模块,生成Random数据并下发至测试控制器;
温控命令下发模块,下发温控命令至测试控制器;
温度稳定信号接收模块,接收测试控制器返回的温度稳定信号;
测试时间设置模块,设置在该温度下的最大测试时间;
样本编号下发模块,下发待测样本Block编号至测试控制器;
测试命令下发模块,下发开始测试命令至测试控制器;
获取BER命令下发模块,定时下发获取BER命令至测试控制器直到最大测试时间;
接收数据模块,接收测试控制器返回的BER数据、BER数据与page的对应关系以及对应Block写入数据量;
数据保存模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量、对应测试温度保存;
结果分析显示模块,待所有测试完成后,对所保存数据进行分析并显示测试结果;
Open时间查找模块,根据测试结果结合后续使用的Nand控制器的BER最大纠错能力找出对应测试Block的Open时间。
4.根据权利要求3所述的Open Block测试***,其特征在于,测试控制器端包括:
Random数据接收模块,接收Random数据并保存;
温控命令接收模块,接收温控命令;
温度调节控制模块,控制温度部件调节Nand Flash芯片所处环境温度至所需测试的温度;
温度稳定信号发送模块,待测温探头检测到温度稳定后,将温度稳定信号发送至测试主机;
样本编号接收模块,接收待测样本Block编号并保存;
数据写入模块,接收到测试命令后,对测试Block的部分page写入Random数据,使测试Block处于Open状态,且记录所写入数据信息;
数据读取模块,接收到获取BER命令后,读取测试Block中的所有page的数据;
BER计算模块,将读取的所有page的数据与原始写入对应page的数据进行比较,计算出每个page的BER数据;
数据发送模块,将BER数据、BER数据与page的对应关系、对应Block写入数据量发送至测试主机。
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CN201911018608.6A CN111028881B (zh) | 2019-10-24 | 2019-10-24 | 一种Open Block测试装置、方法及*** |
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