CN1173036A - 阴极构成体的结构及电子发射体的涂布方法 - Google Patents

阴极构成体的结构及电子发射体的涂布方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1173036A
CN1173036A CN96120538A CN96120538A CN1173036A CN 1173036 A CN1173036 A CN 1173036A CN 96120538 A CN96120538 A CN 96120538A CN 96120538 A CN96120538 A CN 96120538A CN 1173036 A CN1173036 A CN 1173036A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electron
cathode
metal
emitting material
electron emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN96120538A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1089478C (zh
Inventor
李庆相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Miller lighting (Korea) Co., Ltd.
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN1173036A publication Critical patent/CN1173036A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1089478C publication Critical patent/CN1089478C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/13—Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment

Landscapes

  • Solid Thermionic Cathode (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明之目的在于,将电子发射物质的涂布密度提高约2倍以上。为达此目的,采用在气体金属表面上,在形成电子发射体时,多次交替地涂布电子发射物质和活性化金属的方法,作成多段积层式以构成电子发射体。在其内插设有阴极加热用的灯丝(104)的圆筒形阴极附属件(103)上段,设置为提供电子发射体(107)的气体金属(102),在上述气体金属(102)上表面上设置多段涂布活性化金属(105)和电子放射物质的电子发射体(107)。

Description

阴极构成体的结构及电子发射体的涂布方法
本发明涉及阴极构成体的结构及电子发射体的涂布方法，特别涉及通过改变涂布在圆筒形阴极附属件上段的气体金属上表面上的电子发射体的结构，来提高阴极电流密度、延长电子发射寿命的阴极构成体。
常规的阴极射线管用的阴极结构，如图1所示，由在其内插设阴极加热用的灯丝的圆筒形阴极附属件(3)上段的含有微量活性化金属(例如Mg，Si)的镍(Ni)合金的气体金属(2)构成，在上述气体金属(2)的上表面上，由以氧化钡(BaO)为主要成份，并含有氧化锶(SrO)、氧化钙(CaO)的电子发射物质构成电子发射体(1)。
图中未说明的标号5表示高阻中间层。
在阴极射线管中的阴极，由于插设在阴极附属件(3)内部的阴极加热用的灯丝(4)的发热，起着从气体金属(2)上表面上所具有的电子发射体生成电子的作用。
而且，阴极电流密度就单位电子发射体表面面积的阴极电流而言，一般位于电子发射中心的电流密度则意味着电子束电流密度。
另外，电子发射寿命是指在正常工作条件下的阴极电流与初始阴极电流相比，劣化到其初始值的40～50％的时间。作为与电子发射寿命相关的主要因素，由于活性化金属的不足而使自由钡不足，随着电子发射物质的蒸发而使自由钡不足，在电子发射体(1)与气体金属(2)之间就有高阻的中间层(5)生成。
常规的阴极射线管用的阴极构成体的电子生成机理如下：
在常规的阴极射线管用的阴极构成体中，电子生成反应是在电子发射体(1)的电子发射物质与气体金属(2)中的活性化金属之间发生的，因此，在电子发射体(1)与气体金属(2)之间就会形成高阻的氧化物层的中间层(5)。上述中间层(5)，当电子从阴极生成放出时，由于高阻而产生热，损伤了电子发射体(1)，一方面不能使电子发射体(1)中的电子发射物质与气体金属(2))中的活性化金属层间发生接触反应，导致电子发射的急剧劣化，从而急剧地缩短了电子发射寿命。
在气体金属(2)上表面上形成这种电子发射体(1)的方法是采取利用了洁净空气压的空气喷射涂布方法，涂布密度约0.8～1.1g/cm3。
这意味着，通过蒸发电子发射物质来提高阴极电流密度和电子发射寿命是有限度的。
再有，常规的阴极射线管用的阴极构成体可工作的峰值阴极电流密度约2.5A/cm2，电子发射寿命约20,000小时。
这种常规的阴极射线管虽然主要使用氧化物阴极，但由于最近的阴极射线管的大形化、高辉度化的趋势，需要更高的阴极电流密度，为了高的阴极电流密度，正在开发使用一种配合(dispenser)阴极。但配合阴极的制作工艺过程极为复杂，其价格与氧化物阴极相比约高20倍左右，存在着难以适用于阴极射线管的问题。
本发明之目的在于，提高电子发射物质的涂布密度，超过常规的氧化物阴极的约2.5A/cm2的阴极电流密度阴度和约20,000小时的电子发射寿命限度，提高约2倍以上。
为达到上述目的，采用在气体金属上表面上，在形成电子发射体时，多次交替地涂布电子发射物质和活性化金属的方法，作成多段积层式以构成电子发射体。
图1是常规的阴极射线管用的阴极构成体的结构图。
图2是本发明的阴极射线管用的阴极构成体的结构图。
图2是表示本发明的阴极构成体的结构图，在其内插设有阴极加 热用的灯丝(104)的圆筒形阴极附属件(103)上段，设置为提供电子发射体(107)的气体金属(102)，在上述气体金属(102)上表面上设置多段涂布活性化金属(105)和电子放射物质的电子发射体(107)。
而且，上述电子发射物质(106)是以氧化钡(BaO)为主要成份并至少含有氧化锶(SrO)、氧化钙(CaO)、氧化钪(Sc2O3)及氧化铝(Al2O3)中之一种的复合氧化物，活性化金属(105)，例如，至少包含镁(Mg)、硅(Si)、锆(Zr)、锰(Mn)、钨(W)及钍(Th)中之一种作为与氧化钡起反应生成自由钡的金属。
这种在气体金属(102)上表面上涂布电子发射体(107)的方法，以多次交替涂布电子发射物质(106)与活性化金属(105)的方法最为有效的，而采用将电子发射物质(106)与活性化金属(105)混合后涂布、喷射等方法，都不能均匀分布。
另外，在涂布电子发射体(107)时，首先在气体金属(102)的上表面上，涂布电子发射物质(106)，在电子发射物质(106)表面上再设置活性化金属(105)，则使活性化金属不脱离，可以有效地构成电子发射体(107)。
涂布电子发射物质(106)的方法，虽然可以使用常规的喷射方法，但为了提高电子发射体(107)的涂布密度，施加一定压力的プリト方法是有效的，当一次涂布厚在20μm以下时，可使活性化金属(105)与电子发射物质(106)间的反应成为可能。这时，以微细粉末涂布活性化金属的方法，若利用采取干燥空气喷射方式的喷射方法，能使活性化金属分布均匀，提高效果。
在本发明的阴极射线管用的阴极构成体中，在含有镁和硅的镍合金的气体金属(102)上表面上设置由以氧化钡、氧化铝为主要成分的电子发射物质(106)和钨粉末的活性化金属(105)构成的电子发射体(107)，电子生成机理如下：
①电子发射物质(106)和气体金属(105)之间的电子生成机理：
②电子发射体(107)内的电子发射物质(106)与活性化金属(105)间的电子生成机理：
本发明的阴极射线管用的阴极构成体与常规的阴极构成体相比生成有大量的自由钡，但电子发射体(107)内的电子发射物质(106)同活性化金属(105)间的反应生成物与上述电子发射物质(106)同气体金属(102)间的反应生成物的中间层不同，而生成在表面宽大的活性化金属(105)粉末表面上。这就构不成电子发射变热的主要原因，相对来讲，象常规那样的电子发射物质与气体金属间的中间层生成得也薄些，构不成电子发射劣化的主要原因，所以可以抑制常规的电子发射物质与气体金属间的中间层的电子发射变热，可以抑制电子发射劣化，可以延长电子发射寿命。
再有，本发明的电子发射体涂布方法是利用给电子发射物质(106)施加压力的プリト方法涂布的，活性化金属(105)是利用空气喷射方式涂布的，因而可以得到均匀的活性化金属(105)的电子发射体(107)。而且，电子发射物质(106)的涂布密度提高至1.2g/cm2以上，可以抑制阴极工作时电子发射物质(106)的蒸发，因而可以提高阴极电流密度，延长发射寿命。
以上，如所说明的，若依本发明，可以得到均匀的活性化金属的电子发射体，将电子发射物质的涂布密度提高至1.2g/cm2以上，可以报制阴极工作时的电子发射物质的蒸发，增大阴极电流密度并延长电子发射寿命。

Claims (8)

1.一种阴极构成体的结构，具备设置了阴极加热用的灯丝的圆筒形阴极附属件，在上述阴极附属件上段涂布了电子发射体的气体金属，
其特征在于，上述气体金属上表面涂布的电子发射体是将活性化金属与电子发射物质多段积层设置的。
2.一种阴极构成体的结构，其特征在于，上述电子发射体是将活性化金属形成在电子放射物质之间的。
3.一种阴极构成体的结构，其特征在于，上述活性化金属至少包含镁、硅、锆、锰、钨及钍中之一种。
4.一种阴极构成体的结构，其特征在于，上述电子发射物质是以氧化钡为主要成分并至少含有氧化锶、氧化钙、氧化钪及氧化铝中之一种。
5.根据权利要求1的阴极构成体的结构，其特征在于，上述电子发射物质一次涂布厚度在20μm以下。
6.一种阴极构成体的制造方法，该构成体由其内插设阴极加热用的灯丝的圆筒形阴极附属件、用于在上述阴极附属件上段设置电子发射体的气体金属、在上述气体金属上表面上涂布以由活性化金属及电子发射物质混合构成的电子发射体而构成的，
其特征在于，上述电子发射体是将电子发射物质与活性化金属多次交替涂布的。
7.根据权利要求6的电子发射体的涂布方法，其特征在于，上述电子发射物质是通过施加一定压力的プリト方式或空气喷射方法涂布的。
8.根据权利要求6的电子发射体的涂布方法，其特征在于，上述活性化金属是通过空气喷射方法涂布的。
CN96120538A 1995-12-20 1996-12-10 阴极构件及其制造方法 Expired - Fee Related CN1089478C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR52917/95 1995-12-20
KR1019950052917A KR100195955B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 음극구조체의 구조 및 전자방사체 도포방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1173036A true CN1173036A (zh) 1998-02-11
CN1089478C CN1089478C (zh) 2002-08-21

Family

ID=19442000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN96120538A Expired - Fee Related CN1089478C (zh) 1995-12-20 1996-12-10 阴极构件及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPH09180622A (zh)
KR (1) KR100195955B1 (zh)
CN (1) CN1089478C (zh)
BR (1) BR9606144A (zh)
GB (1) GB2308495B (zh)
MY (1) MY117904A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105788996A (zh) * 2014-12-22 2016-07-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法
CN111739771A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 西安稀有金属材料研究院有限公司 一种用于热阴材料的含钪锶活性物质

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000010147A (ko) * 1998-07-30 2000-02-15 구자홍 음극선관용 음극
US6290564B1 (en) * 1999-09-30 2001-09-18 Motorola, Inc. Method for fabricating an electron-emissive film
JP3658346B2 (ja) 2000-09-01 2005-06-08 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置、並びに電子放出素子の製造方法
JP3639808B2 (ja) 2000-09-01 2005-04-20 キヤノン株式会社 電子放出素子及び電子源及び画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
JP3634781B2 (ja) 2000-09-22 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子放出装置、電子源、画像形成装置及びテレビジョン放送表示装置
FR2821205A1 (fr) * 2001-02-19 2002-08-23 Thomson Tubes & Displays Canon a electrons a emission parasite reduite
JP3768908B2 (ja) 2001-03-27 2006-04-19 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置
JP3703415B2 (ja) 2001-09-07 2005-10-05 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置、並びに電子放出素子及び電子源の製造方法
JP3605105B2 (ja) * 2001-09-10 2004-12-22 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、発光装置、画像形成装置および基板の各製造方法
KR100490170B1 (ko) * 2003-07-10 2005-05-16 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 음극선관용 음극
KR20190001149U (ko) 2017-11-07 2019-05-15 김성열 가발
KR20190082380A (ko) 2017-12-30 2019-07-10 이성민 가발

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3113236A (en) * 1959-06-23 1963-12-03 Philips Corp Oxide dispenser type cathode
NL113461C (zh) * 1961-03-08
JP2758244B2 (ja) * 1990-03-07 1998-05-28 三菱電機株式会社 電子管用陰極
JP2897938B2 (ja) * 1991-01-25 1999-05-31 三菱電機株式会社 電子管用陰極
DE4207220A1 (de) * 1992-03-07 1993-09-09 Philips Patentverwaltung Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105788996A (zh) * 2014-12-22 2016-07-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法
CN105788996B (zh) * 2014-12-22 2018-02-06 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法
CN111739771A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 西安稀有金属材料研究院有限公司 一种用于热阴材料的含钪锶活性物质

Also Published As

Publication number Publication date
KR100195955B1 (ko) 1999-06-15
GB2308495B (en) 2000-08-30
GB2308495A (en) 1997-06-25
JPH09180622A (ja) 1997-07-11
BR9606144A (pt) 1998-11-03
MY117904A (en) 2004-08-30
CN1089478C (zh) 2002-08-21
GB9626424D0 (en) 1997-02-05
KR970051633A (ko) 1997-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1089478C (zh) 阴极构件及其制造方法
EP0905737B1 (en) Electron-emitting source
EP1037250B1 (en) Electron emission element and image output device
JP2876591B2 (ja) 電子管用陰極
US7026749B2 (en) Cathode for electron tube and method of preparing the same
US6348756B1 (en) Electric discharge tube or discharge lamp and scandate dispenser cathode
KR100355218B1 (ko) 전계방출 소자디바이스의 진공용기
JPH08306301A (ja) 放電管又は放電灯並びに低温陰極及びその製造方法
KR100249714B1 (ko) 전자총용 음극
CN1249773C (zh) 电子枪用阴极的制造方法
JP2004288547A (ja) 電界放出型電子源およびその製造方法および画像表示装置
DE19828729B4 (de) Scandat-Vorratskathode mit Barium-Calcium-Aluminat-Schichtabfolge und korrespondierende elektrische Entladungsröhre
CN1050438C (zh) 阴极射线管的浸渍型阴极
US5977699A (en) Cathode for electron tube
KR100268243B1 (ko) 전자총용 음극
CN1159745C (zh) 阴极射线管用阴极结构体
CN1149753A (zh) 电子管阴极
CN1298008C (zh) 阴极射线管阴极及其合金
CN1327251A (zh) 电子管阴极
KR100280999B1 (ko) 형광표시관용 필라멘트 및 그 제조방법
KR20000042604A (ko) 전자총용 음극 및 그 제조방법
CN1221966A (zh) 电子枪用阴极
US6232708B1 (en) Cathode with an electron emitting layer for a cathode ray tube
JP2891209B2 (ja) 電子管用陰極
EP1282147A2 (en) Long-life electron tube device, electron tube cathode, and manufacturing method for the electron tube device

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: LG PHILIPS MONITORS KOREA CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: LG ELECTRONIC CO., LTD.

Effective date: 20081031

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20081031

Address after: Gyeongbuk, South Korea

Patentee after: LG Philips Displays Korea

Address before: Seoul City, Korea

Patentee before: LG Electronics Inc.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ME LE DI AN GUANG SHI (SOUTH KOREA) CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: LG PHILIPS MONITORS KOREA CO., LTD.

Effective date: 20090828

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090828

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: Miller lighting (Korea) Co., Ltd.

Address before: Gyeongbuk, South Korea

Patentee before: LG Philips Displays Korea

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20020821

Termination date: 20101210