JPH03196041A - パターン形成方法及びマスク修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、半導体素子、超伝導体素子、磁性体素子、０
ＥＩＣ等の各種固体素子の微細パタン形成に用いられる
投影露光用マスク、その修正方法及びマスクを作製する
ためのマスクブランクスに関するものである。

【従来の技＃ｉ】

従来、ＶＬＳＩ等の固体素子における微細パタンの形成
は、主に縮小投影露光法により行なわれてきた。上記方
法を用いて、解像力を飛躍的に向上することができる方
法の一つに、マスク上の隣合った透光部を通過した光の
間に位相差を導入する方法（以下、位相シフト法と呼ぶ
）がある。この方法は、例えば細長い透過領域と不透明
領域の繰返しパタンの場合、マスク上の互いに隣合った
透過領域を通過した光の位相差がほぼ１８０度になるよ
うに、上記透過領域の一つおきに位相差を導入するため
の透明材料（以下、位相シフタと呼ぶ）を設けるもので
ある。 位相シフト法で用いるマスクは、従来用いられてきたク
ロムマスクの所定の透過領域上に位相シフタを設けるこ
とにより作製することができる。 これについては、例えば、アイ・イー・イー・イー　ト
ランザクション　オン　エレクトロン　デバイスイズ、
イー　デイ−２９、ナンバー１２（１９８２年）第１８
２８頁から第１８３６頁（ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ、ＥＤ２９．Ｎｏ、１２　
（１９８２）ｐｐ１８２８−１８３６）に記載されてい
る。

【発明が解決しようとする課題】

上記従来技術は、位相シフトマスクで位相シフタが所定
の領域に形成されずに欠損となった場合、位相シフタが
所定の領域外に形成されて残った場合、あるいは所定の
場所に形成されているものの膜厚等が所望の値から異な
った場合、基板上に焼き付けられたパタンには欠陥が残
ることについて配慮されていなかった１位相シフタの修
正は非常に困難であり、欠陥が発生した場合位相シフタ
を全て除去し、改めて位相シフタを作り直すか、あるい
はマスクを最初から新たに作り直さなければならないと
いう問題があった。 本発明の目的は、位相シフタ欠陥を容易に修正するマス
ク修正方法を提供することにある。本発明の第２の目的
は、上記修正方法を容易に適用できる又は上記修正方法
で修正されたマスクを提供することにある。本発明の第
３の目的は、上記のマスクを作製するに適したマスクブ
ランクスを提供することにある。 【課題を解決するための手段１ 上記目的は、（１）基板上に設けられた。所定のパタン
の位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域の該位相シフ
タを除去する工程、該位相シフタを通過した所望の波長
の光、透明膜、所望の領域を通過した該所望の波長の光
とが同位相になるように、該領域に透明な材料の膜を形
成する工程を含むことを特徴とする投影光学系用のマス
ク修正方法。 （２）上記透明な材料の膜は、その厚さが、λを上記所
望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折率と
するとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）　／　（
４（ｎ−１）　）の範囲になるように形成されることを
特徴とする上記１記載の投影光学系用のマスク修正方法
、 （３）基板上に設けられた。所定のパタンの位相シフタ
の欠陥部分を含む所望の領域の該位相シフタを除去する
工程、該位相シフタを通過した所望の波長の光、透明膜
、所望の領域を通過した該所望の波長の光とが同位相に
なるように、該領域の該位相シフタより下層の透明な材
料を除去する工程を含むことを特徴とする投影光学系用
のマスク修正方法。 （４）上記下層の透明な材料は、その深さが、λを上記
所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折率
とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）　／　
（４（ｎ−１）　）の範囲になるように除去されること
を特徴とする上記３記載の投影光学系用のマスク修正方
法、 （５）透過光に位相差を与えるため、基板上に。 所定のパタンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜
を形成する工程、該位相シフタの欠陥部分を含む所望の
領域上の該レジストを除去する工程、残りの該レジスト
をマスクとして露出した該位相シフタを除去し、さらに
該領域の位相シフタより下層の透明材料を所望の厚さ除
去し、該位相シフタを通過した所望の波長の光、透明膜
、所望の領域を通過した該所望の波長の光とが同位相に
なるようにする工程を含むことを特徴とする投影光学系
用のマスク修正方法、 （６）上記所望の厚さは、λを上記所望の波長。 ｎを該波長における上記透明な材料の屈折率とするとき
、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）／（４（ｎ−１）
）の範囲にあることを特徴とする上記５記載の投影光学
系用のマスク修正方法、（７）透過光に位相差を与える
ため、基板上に、所定のパタンに形成された位相シフタ
の少なくとも欠陥部分に、所望の透過光に対して透明な
材料の膜を形成する工程、該位相シフタを通過した所望
の波長の光、透明膜、透明な材料の膜を通過した該所望
の波長の光とが同位相になるように該透明な材料の膜の
厚みを制御する工程を含むことを特徴とする投影光学系
用のマスク修正方法、（８）上記透明な材料の膜の厚み
の制御は、その厚みを、λを上記所望の波長、ｎを該波
長における該透明な材料の屈折率とするとき、λ／（４
（ｎ−１））から（３λ）　／　（４（ｎ−１）　）の
範囲に制御することを特徴とする上記７記載の投影光学
系用のマスク修正方法、 （９）上記位相シフタの少なくとも欠陥部分に上記透明
な材料の膜を形成する工程は、光又は荷電粒子線に対し
感応する材料の膜を形成し、該膜に光又は荷電粒子線を
照射し、現像することにより所望の形状にすることによ
り行なうことを特徴とする上記７記載の投影光学系用の
マスク修正方法、（１０）上記透明な材料の膜の厚みを
制御する工程は、該透明な材料の膜を加熱し流動させる
ことにより行なうことを特徴とする上記７記載の投影光
学系用のマスク修正方法、 （１１）透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定
のパタンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜を形
成する工程、該位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域
上の該レジストを除去する工程、残りの該レジストをマ
スクとして露出した該位相シフタを除去する工程、該領
域上に、所望の透過光に対して透明な材料の膜を、該位
相シフタを通過した所望の波長の光、透明膜、透明な材
料の膜を通過した該所望の波長の光とが同位相になるよ
うに、その厚みを制御して形成する工程、該領域以外の
部分に形成された該透明な材料の膜を除去する工程を含
むことを特徴とする投影光学系用のマスク修正方法、 （１２）上記透明な材料の膜の形成は、その厚みを、λ
を上記所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の
屈折率とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）
／　（４（ｎ−１）　）の範囲になるように形成するこ
とを特徴とする上記１１記載の投影光学系用のマスク修
正方法。 （１３）上記位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域は
、その形状が矩形であることを特徴とする上記１，３．
５．１１記載の投影光学系用のマスク修正方法、 （１４）透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定
のパタンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜を形
成する工程、欠陥部分を有する一つの位相シフタのパタ
ン上の該レジストを除去する工程、残りの該レジストを
マスクとして露出した該−つの位相シフタを除去する工
程、該レジストのマスク上に所望の光に対して透明な材
料を、上記位相シフタを通過した所望の波長の光、透明
膜、透明な材料を通過した該所望の波長の光とが同位相
になるような厚さに形成する工程、該透明な材料を、上
記除去した一つの位相シフタのパタンと実質的に同じパ
タンとする工程、上記レジストのマスクを除去する工程
を含むことを特徴とする投影光学系用のマスク修正方法
、 （１５）上記透明な材料の形成は、その厚みを、λを上
記所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折
率とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）　／
　（４（ｎ−１）　）の範囲になるように形成すること
を特徴とする上記１４記載の投影光学系用のマスク修正
方法、 （１６）所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基
板上に有するマスクの該位相シフタの欠陥部分の最大寸
法を測定し、該測定した最大寸法を遮光パタンの解像限
界に対応する値と比較し、該最大寸法が該値より小さい
とき、該欠陥部分上に露光光に対して不透明な材料を選
択的に付着させることを特徴とする投影光学系用のマス
ク修正方法、 （１７）所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基
板上に有するマスクの該位相シフタの欠陥部分の最大寸
法を測定し、該測定した最大寸法を遮光パタンの解像限
界に対応する値と比較し、該最大寸法が該値以上のとき
、上記１から１５までのいずれかに記載のマスク修正方
法を行なうことを特徴とする投影光学系用のマスク修正
方法。 （１８）上記測定した最大寸法を遮光パタンの解像限界
に対応する値と比較し、該最大寸法が該値より小さいと
き、さらに該値を位相シフタパタンの解像限界に対応す
る値と比較し、該最大寸法が該値より大きいとき、該欠
陥部分−ヒに露光光に対して不透明な材料を選択的に付
着させることを特徴とする上記１７に記載の投影光学系
用のマスク修正方法、 （１９）所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基
板上に有するマスクの該所定のパタン以外の位相シフタ
を粒子線又はレーザ光により除去することを特徴とする
投影光学系用のマスク修正方法により達成される。 上記第２の目的は、（２０）透明基板上に、所定のパタ
ーンの遮光膜と、所望の透過光に位相差を与えるための
上記と異なるパターンの位相シフタを有する投影光学系
用マスクにおいて、上記位相シフタの欠陥部分を含む所
望の領域は、該位相シフタが除去され、該領域の下部は
、該位相シフタを透過した所望の波長の光と、該領域を
透過した該波長の光とがほぼ同位相となるように、所定
の厚み除去されていることを特徴とする投影光学系用マ
スク、 （２１）透明基板上に、所定のパターンの遮光膜と、所
望の透過光に位相差を与えるための上記と異なるパター
ンの位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、
上記位相シフタの所望の一部の領域は、該位相シフタと
異なる材質の透明な層からなり、該位相シフタを透過し
た所望の波長の光と、該透明な暦を透過した該波長の光
とがほぼ同位相となるように、該透明な層の厚みを定め
たことを特徴とする投影光学系用マスク、（２２）透明
基板上に、所定のパターンの遮光膜、所望の透過光に位
相差を与えるための上記と異なるパターンの位相シフタ
を有する投影光学系用マスクにおいて、上記位相シフタ
は、遮光パタンの解像限界未満の大きさの欠陥を有し、
該欠陥は不透明材料で埋められていることを特徴とする
投影光学系用マスク、 （２３）透明基板上に、所定のパターンの遮光膜と、所
望の透過光に位相差を与えるためのと記と異なるパター
ンの位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、
上記基板上に、その下の暦と異なる材質の薄膜を有し、
該薄膜と上記位相シフタとはそれぞれ所望の波長の透過
光に対して実質的に同じ位相差を与える膜厚であること
を特徴とする投影光学系用マスク、 （２４）透明基板上に、所定のパターンの所望の遮光膜
と、所望の透過光に位相差を与えるための上記と異なる
パターンの位相シフタを有する投影光学系用マスクにお
いて、上記基板上、上記位相シフタの下層に、少なくと
も一層の露光光に対して透明な材料の膜を有し、該位相
シフタ側から数えて１層目の該膜の厚さｄｉ及び屈折率
ｎｉが、鵬 （ただしΦは、１／４≦Φ≦３／４の範囲の数、λは上
記所望の透過光の波長である）の関係を満たしたことを
特徴とする投影光学系用マスクにより達成される。 上記第３の目的は、（２５）透明基板上に、少なくとも
透明導電膜、透明膜、透明基板上に、少なくとも透明導
電膜、透明膜、導電性遮光膜は電気的に接触しているこ
とを特徴とするマスクブランクスにより達成される。 本発明において、位相シフタの欠陥とは、位相シフタが
所定の領域に形成されずに欠損となった場合、位相シフ
タが欠けて薄くなった場合、位相シフタの膜厚が所望の
値から異なっている場合等を含む。 また、本発明において、解像限界に対応する値とは、解
像限界そのものの値でもよく、余裕を考慮して解像限界
よりある程度小さい又は大きい値でもよいことをことを
示す。 上記（２１）項における位相シフタと異なる材質とは、
ごくわずかな違いの材質も含まれる。例えば、塗布型ガ
ラス（ＳＯＧ）より形成された膜は、主成分は酸化シリ
コンであるが微量の他の成分を含む。この膜は、スパッ
タ法により作成した酸化シリコンと異なる材質であると
される。 【作用１ 位相シフトマスクの場合、マスク不良は■クロムパタン
欠損、■クロム膜残り、■位相シフタ欠陥、■位相シフ
タ残り、■開ロパタン上異物、■位相シフタ上異物があ
る。■■は従来のマスク修正方法でも十分に対応できる
。■■はマスクの洗浄により除去できる。■■は位相シ
フトマスク特有の不良である。ここで、■については、
位相シフタを再度選択的にエツチングすることにより除
去できる。また１位相シフタ残りがパタン解像限界以下
の寸法であれば特に除去する必要はない。 一方、■の位相シフタ欠陥は簡単には修正できない。 第１図は本発明の一実施例であるマスク欠陥検査・修正
方法の工程ブロック図を示したものである。位相シフト
マスクを所定の検査方法により検査し、位相シフタ欠陥
が存在した場合、その位置及び大きさの情報を記憶する
（第１図工程１）。 次に、欠陥があったマスク上にレジストを塗布し、上記
情報を用いて上記欠陥部分が露出するように選択的に露
光、ＴＩｔ像し、所定のレジストパタンを形成する（第
１図工程２）、露光とは、電子線描画装置等を用いた荷
電粒子線照射を含み、特に電子線照射が好ましい、ここ
で、理想的には上記欠陥部分がちょうど露出するような
レジストパタンか形成できればよい。しかし実際には、
露光時にずれが発生するため、この様に理想的にパタン
形成するのは極めて難しい。そこで、ずれが発生しても
欠陥部分全体が露出するように露光、現像し、レジスト
パタンを形成する。このレジストパタンをマスクとして
、レジストパタンから露出した部分の位相シフタをエツ
チングして選択的に除去すれば、実質的に位相シフタ欠
陥部分だけがレジストパタンから露出していることと同
等になる（第１図工程３）。しかる後、該領域に露出し
た位相シフタより下層の透明材料を、ここを通過した光
と位相シフタを設けた領域を通過した光との位相差が３
６０度になるように、所定の深さだけエツチングする（
第１図工程４）、ここで、位相シフタより下層の透明材
料として上記所定の深さとほぼ同じ厚さの透明材料膜を
予め設けておき、この膜を選択的にエツチングしてもよ
い０以上のようにすれば、欠陥を修正した透過領域を通
過した光と、本来の位相シフタ領域を通過した光とは、
同位相の光として扱うことができるようになる。従って
、位相シフタ欠陥を修正することができる。 ここで、欠陥部分と非欠陥部分の位相差を３６０度急峻
に変化させるために、上記エツチングは異方性ドライエ
ツチングによることが好ましい。 第２図は、マスク検査を行なった後に、第２の位相シフ
タ膜を位相シフタの欠損している欠陥部分に選択的に付
着するようにしたものである（第２図工程５）。位相シ
フタ膜を付着するには、例えば真空蒸着法により付着物
質が蒸発してビーム状に位相シフタ欠陥上に入射するよ
うにすればよい、この他にも、収束イオンビーム、レー
ザービーム等を用いたビーム励起ＣＶＤ法等により選択
的堆積を行なうことができる。第２図の場合、位相シフ
タ欠陥検出後、連続して位相シフタ付着工程を行なえば
、作業工程、作業時間をより短縮することができる。 第３図では、第２の位相シフタ膜を検査後の位相シフト
マスク上に形成し、この上に所定のレジストパタンを形
成しく第３図工程６）、前記パタンをマスクとして第２
の位相シフタ膜を選択的にエツチングして欠損している
欠陥部分上に第２の位相シフタパタンが形成されるよう
にようにしたものである（第３図工程７）。 第４図は、第３図のように第２の位相シフタ膜を用いる
かわりに、レジスト自体を位相シフタとして用いるもの
である（第４図工程９）。この場合、上述の方法と比較
して作業工程をより簡単にすることができる。 第２図、第３図、第４図の場合、欠陥部分上に位相シフ
タパタンを正確に一致して形成することは困離である。 そこで、欠陥修正用位相シフタパタンを形成した後、上
記第２の位相シフタ膜が流動性を持つような温度におい
て上記欠陥修正用位相シフタパタンを若干熱流動させる
ようにする（第３図工程８、第４図工程８）。これによ
り。 欠陥部分に上記第２の位相シフタ膜材料を隙間なく埋め
込ませると共に、位相シフタ表面を平滑化する。従って
、欠陥部分上に形成した第２の位相シフタパタンのずれ
を容易に修正し、位相シフタ欠陥を修正することができ
る。 第５図は検出した位相シフタ欠陥を含む位相シフタパタ
ン全体を選択的に除去した後、上記除去した位相シフタ
パタンを再度形成するようにしたものである。この場合
、上記のような位相シフタパタンずれの問題はおこらな
い。 なお、位相シフタ欠陥の寸法が非常に小さい場合には次
のような方法を用いることができる。第６図（ａ）にマ
スク断面を示すように、位相シフタの欠損している欠陥
部分１６が非常に小さい場合、マスクを通した基板上の
光強度は、第６図（ｂ）のように欠陥部分１６と対応す
る位置の光強度が減少する。第６図（Ｃ）に示すように
、この部分に位相シフタ修正を行なう代りに露光光に対
して不透明な膜１５を付着させるだけで、第６図（ｄ）
に示すように光強度が減少はほとんどなくなり、欠陥の
影響は格段に減少する。 第７図は、マスク上の位相シフタ残り欠陥に対する修正
方法の工程ブロック図を示したものである。マスクを所
定の検査方法により検査し１位相シフタ残りが存在した
場合、その位置及び大きさの情報を記憶する（第７図工
程１）。次に、上記情報を用いて粒子線又はレーザ光を
上記残り部分に選択的に照射して１位相シフタを蒸発さ
せる。 位相シフタ残りがほぼ全部蒸発するまで照射することに
より、位相シフタ残りを除去することができる（第７図
工程１０）。従って、位相シフタ欠陥を修正することが
できる。第７図の場合、位相シフタ残りを検出した後、
連続して位相シフタ残りを除去すれば、作業工程、作業
時間を短縮できる。また、第２図に示した欠陥修正工程
を併用することにより、欠損欠陥及び残り欠陥の修正を
平行して行なうことができ、作業工程、作業時間を一層
短縮することができる。 以上のように、本発明を用いることにより１位相シフタ
欠陥の検査、修正を効率よく行なうことができる。 （実施例］ 第１実施例 以下、本発明の一実施例を第８図、第９図及び第１０図
を用いて述べる。 １ｍ１ｏ：１縮小投影露光用位相シフトマスクを作製し
、マスクパタン欠陥検査装置を用いて上記マスクの検査
を行なった。本実施例で用いた位相シフトマスクの断面
構造は第１０図ａに示すように１位相シフタ領域では合
成石英基板１７上に窒化シリコン膜１８（厚さ１０１０
０ｎ及び位相シフタ膜として酸化シリコン膜１９（厚さ
３８８ｎｍ）を積層した構造になっている。窒化シリコ
ン膜１８は酸化シリコン膜１９加工時のエツチングスト
ッパの役割をする。遮光パタン２０はクロム膜を用いた
。検査の結果、マスクの中心を原点とし、各辺に平行な
方向にＸ軸及びｙ軸を垂直に設けたとして、座標（−１
２５８，３μｍ。 ５５２６．７μｍ）の位置をほぼ中心として第１０図ａ
に示したような位相シフタの欠陥２１が見つかった。欠
陥２１の部分の平面図を第８図に示す。形状はほぼ楕円
形で、Ｘ方向２μｍ、ｙ方向３μｍの長方形内に十分含
まれる大きさであった。上記マスクを用いて、パタン転
写実験を行なったところ、上記欠陥部分の光強度が著し
く減少し、パタン異常を生じた。以下、この欠陥の修正
方法を述べる。 まず、第１０図すに示すように上記基板上にポジ型レジ
スト０ＥＢＲ−２０００（東京応化工業■、製品名）を
厚さ１μｍに塗布し、電子線描画装置を用いて、２μｍ
　Ｘ　３μｍの長方形図形２３を座標（−１２５８，３
μｍ、５５２６．７μｍ）を中心に描画した。このとき
のその部分の平面図を第９図に示す。本実施例ではレジ
ストとして、０ＥＢＲ−２０００を用いたが、別のレジ
ストを用いてもよい。また、描画図形も上記方法に限ら
ない。また、光、放射線、荷電粒子線等を用いて、上記
長方形図形２３を露光してもかまわない。しかる後、所
定の現像処理を行ないレジストパタン２２を形成した。 しかる後、第１０図Ｃに示すように、上記レジストパタ
ン２２をマスクとして異方性ドライエツチングにより酸
化シリコン膜１９を選択的に除去した。次に第１０図ｄ
に示すように、異方性ドライエツチング法により酸化シ
リコン膜１９より下層の窒化シリコン膜１８と合成石英
基板１７を選択的に除去した。 一般に、位相シフタの膜厚ｄの最適値、すなわち１８０
度位相をずらす膜厚は、次式で決定される。 ｄ＝λ／２（ｎ−１）　　　　　　　　　（１）ただし
、λは露光波長で、本実施例においては３６５ｎｍ、ｎ
はその露光波長における材料（本実施例では酸化シリコ
ン）の屈折率である。同様に１８０度位相をずらすのに
必要なエツチングする窒化シリコンの厚みｄも（１）式
で表わされ。 ｎとして上記波長における窒化シリコン膜の屈折率２．
０３を用い、（１）式より約１７７ｎｍとなる。しかし
、本実施例で上記窒化シリコン膜１８の厚みは１１００
ｎであり、エツチング量が不足する。この窒化シリコン
膜をすべてエツチングすると１次の計算より約１０１．
６度位相差が導入される。 １８０度Ｘ　（ｔｏｏ／１７７）４１０１．６度位相差
を１８０度にするには、さらに７８．４度位相差を導入
しなければならない。そこで次に、窒化シリコン膜１８
より下層の合成石英基板１７（酸化シリコン）をドライ
エツチングする。ここで、酸化シリコンのみを用いて位
相差を１８０度導入するには、（１）式で酸化シリコン
の屈折率ｎ＝１．４４、波長λ＝３６５ｎｍを用いて、
次の計算より約４１４．８ｎｍとなる。 ３６５／２　（１，４４−１）斗４１４．８ｎｍ本実施
例の場合、７８．４度位相差を導入すればよいので１合
成石英基板１７のエツチング深さは、次式から約１８１
ｎｍとなる。 ４１４、ｓｘ　（７８，４／１８０）−４１８１ｎｍそ
こで、まずドライエツチング法により窒化シリコン膜１
８を厚さ１１００ｎ除去し、つぎに深さ１８１ｎｍだけ
選択的に合成石英基板１７をドライエツチングした。し
かる後、上記レジストパタン２２を除去し、位相シフタ
が形成されている領域を通過した光の位相と、上記エツ
チングを行なった領域を通過した光の位相が同位相にな
るようにした（第１０図ｄ）。 以上のようにして、欠陥を修正した位相シフトマスクを
用いてパタン転写を行なったところ、前記位相シフタ欠
陥部分に対する部分にも何ら異常を生じることなくパタ
ン転写できた。なお１本実施例では位相シフタ膜加工時
のエツチングストッパ暦として窒化シリコン膜１８があ
る場合を示したが１位相シフタ膜と合成石英基板とのエ
ツチング選択比が十分とれる場合はなくてもよい。この
場合、式（１）に従って合成石英基板をエツチングすれ
ばよいことはいうまでもない。 本実施例では欠陥を含む領域に矩形のパタンを形成して
欠陥修正を行なっていった。成形しやすいように位相シ
フタ層を加工してから欠陥修正を行なうこの方法は、欠
陥形状にそって修正を行なうより装置的に対応しやすく
、結果的に欠陥修正時間が短かかった。 なお、上記エツチングするに最適な厚さｄは上記（１）
式で表わされるが、ｄがλ／４（ｎ−１）から３λ／４
（ｎ−１）の範囲であれば効果が認められる。 第２実施例 第２の実施例を第１１図、第１２図を用いて説明する。 第１２図はマスクの断面構造図、第１１図は欠陥部分の
平面図である。用いた位相シフトマスクは第１実施例と
同じ断面構造である。マスク欠陥検査の結果、マスクの
中心を原点とし、各辺に平行な方向にｙ軸及びｙ軸を垂
直に設けたとして、座標（−１３２，８μｍ、８６９．
４μｍ）の位置をほぼ中心として、第１１図、第１２図
ａに示すような位相シフタ１９の欠陥２４が見っがった
。形状はほぼ楕円形で、大きさはＸ方向６μｍ、ｙ方３
μｍの長方形内に十分台まれる程度であった。 次に、第１２図を用いて位相シフタ欠陥修正工程につい
て説明する。第１２図ａに示す上記基板上に、ネガ型レ
ジストＲＤ−２０００（日立化成工業■、製品名）を塗
布した。ここで、波長λ＝３６５ｎｍ、上記波長におけ
る屈折率ｎ＝１．７より、位相シフタ膜となる所望の膜
厚は２６０ｎｍとなる。ここでは、現像および熱処理に
より、膜厚が合わせて５０ｎｍ程度減少するため、塗布
膜厚は３１０ｎｍとしたが、必ずしもこの値に限らない
、しかる後、＠子線描画装置を用いて、６μｍ　Ｘ　３
μｍの長方形図形を座標（−１３２，８μｍ、８６９．
４μｍ）を中心に描画した。本実施例ではＲＤ−２００
０（日立化成、製品名）を用いたが、別のレジストを用
いてもよい。ただし、レジストの屈折率により最適な塗
布膜厚は異なる。 しかる後、所定の現像処理を行ない第１２図すに示すレ
ジストパタン２２を形成した。なお、レジストパタン２
２は位相シフタ膜１９の欠陥２４よりやや小さく形成す
ることが好ましい。作製の誤差によりレジストパタン２
２と位相シフタ膜１９とが重なるのを防止できる。この
隙間は次の熱流動工程で埋められる。 次に、第１２図Ｃに示すように、上記マスクを温度１４
０度で３０分間熱処理し、レジストパタン２２を熱流動
させた０以上のようにして、欠陥を修正した位相シフト
マスクを用いてパタン転写を行なったところ、前記位相
シフタ欠陥部分に対する部分にも何ら異常を生じること
なくパタン転写できた。 第３実施例 第３の実施例を第１３図を用いて説明する。 ＫｒＦエキシマレーザ５：１縮小投影露光用位相シフト
マスクを作製し、マスクパタン欠陥検査装置を用いて上
記マスクの検査を行なった。本実施例で用いた位相シフ
トマスクの断面構造は、第１３図ａに示すように、位相
シフタが形成されている領域では合成石英基板上１７に
フッ化マグネシウム膜２５　（２０ｎｍ）及び位相シフ
タとして酸化シリコン膜１９（厚さ２４８ｎｍ）を積層
した構造になっている。検査の結果、マスクの中心を原
点とし、各辺に平行な方向にｙ軸及びｙ軸を垂直に設け
たとして、座標（−２０１０，１μｍ、−２００１，２
μｍ）の位置をほぼ中心として。 位相シフタの欠損している欠陥２１が見つかった。 形状はほぼ楕円形で、大きさはＸ方向３μｍ、　Ｘ方向
５μｍの長方形内に十分台まれる程度であった。また、
座標（２０６１，５μｍ、１９８８．７μｍ）の位置を
ほぼ中心として位相シフタの第２の欠陥２６が見つかっ
た。第２の欠陥２６の大きさはＸ方向０．２μｍ、ｙ方
向０．３μｍの長方形内に十分台まれる程度であった。 この欠陥の大きさは解像限界以下であったので、以下の
工程による修正は行なわないことにした。 まず、上記基板上にポジ型レジスト○ＥＢＲ−２０００
（東京応化工業■、製品名）を厚さ１μｍに塗布し、電
子線描画装置を用いて、３μｍ×５μｍの長方形図形を
座標（−２０１０，１μｍ、−２００１，２μｍ）を中
心に描画した１本実施例では０ＥＢＲ−２０００を用い
たが、別のレジストを用いてもよい。また、描画手段及
び方法も上記に限らない。しかる後、所定のレジスト現
像処理を行ない、第１３図すに示すようにレジストパタ
ン２２を形成し１次にこれをマスクとして異方性ドライ
エツチングにより位相シフタである酸化シリコン膜１９
を選択的に除去した。その後。 上記レジストパタン２２を除去した。次に、第１３図Ｃ
に示すように、上記基板上にＳＯＧ　（塗布型ガラス；
スピンオングラス）膜２７を塗布した。 ここで、上記ＳＯＧ膜２７の膜厚は、（１）式でλ＝２
４８ｎｍ、ｎに上記波長におけるＳＯＧ膜の屈折率１．
５を代入して、膜厚を２４８ｎｍとしたが、必ずしも上
記値に限らない。しかる後。 ネガ型レジスト２８　（ＲＤ−２０００、日立化成工業
■、製品名）を厚さ１μｍに塗布し、ｆ！１子線描画装
置を用いて、３μｍ　Ｘ　５μｍの長方形図形を座標（
−２０１０，１μｍ、−２００１，２μｍ）を中心に描
画した。本実施例ではＲＤ−２０００（日立化成、製品
名）を用いたが、別のレジスｌ〜を用いてもよい。しか
る後、所定のレジスト現像処理を行ないレジストパタン
２８′を形成した。しかる後、第１３図ｄに示すように
、ドライエツチング法によりＳＯＧ膜２７を選択的に除
去した後、上記レジストパタンを除去した。以上のよう
にして、欠陥を修正した位相シフトマスクを用いてパタ
ン転写を行なったところ、前記位相シフタ欠陥部分に対
する部分にも何ら異常を生じることなくパタン転写でき
た。 なお、ＳＯＧ膜２７の厚みｄの最適値は前記（１）式で
表わされるが、効果が認められるのは、λを露光波長、
ｎをその露光波長における材料の屈折率として、ｄがλ
／４（ｎ−１）から３λ／４（ｎ−１）の範囲である。 第４実施例 第３の実施例と同様の位相シフトマスクにおける、他の
欠陥修正方法を述べる。マスク欠陥検査の結果、マスク
の中心を原点とし、各辺に平行な方向にＸ軸及びｙ軸を
垂直に設けたとして、座標（２００１，６μｍ、−２０
１０，８μｍ）の位置をほぼ中心として、位相シフタの
欠損している欠陥２１が見つかった。形状はほぼ長方形
で、大きさはＸ方向１μｍ、Ｘ方向１．５μｍ程度であ
った。又、欠陥が含まれている位相シフタパタン４１は
、座標（２００１，１μｍ、−２００８，８μｍ）を中
心として、Ｘ方向２．０μｍ、Ｘ方向１０．０μｍの長
方形状であった。 次に、ポジ型レジスト４２を塗布し、第１４図に示すよ
うに、座標（−２００１，１μｍ。 −２００８，８μｍ）を中心に、ｘ、７両方向に０．３
μｍだけ上記位相シフタパタン４１よりも大きい、２．
３μｍＸ１０．３μｍの長方形状開口パタン４３を、通
常の方法で形成した。しかる後、これをマスクとしてド
ライエツチング法により上記位相シフタパタンを選択的
に除去した。次に上記レジストパタンを除去した後、上
記基板上にＳＯＧ膜を塗布した。ここで、上記ＳＯＧ膜
の膜厚は、（１）式でλ＝２４８ｎｍ、ｎに上記波長に
おけるＳＯＧ膜の屈折率１．５を代入して。 膜厚を２４８　ｎｍとしたが、この値に限らない。 ネガ型レジストを塗布し、通常の露光、現像により、２
．０μｍＸ１０．０μｍの長方形パタンを座標（２００
１，１μｍ、−２００８，８μｍ）を中心に形成した。 しかる後、これをマスクとしてエツチングによりＳＯＧ
膜を選択的に除去し、さらに上記レジストパタンを除去
した。以上のようにして、欠陥を修正した位相シフトマ
スクを用いてパタン転写を行なったところ、前記位相シ
フタ欠陥部分に対する部分にも何ら異常を生じることな
くパタン転写できた。 第５実施例 開口数ＮＡ＝０．４５のｉ線１０：１縮小投影露光装置
用の位相シフトマスクを作製し、マスクパタン欠陥検査
修正装置を用いて上記マスクの検査を行なった。本実施
例で用いた位相シフトマスクの断面構造は、位相シフタ
が形成されている領域では合成石英基板上に窒化シリコ
ン膜（厚さ１０１００ｎｉ酸化シリコン膜（厚さ３８８
ｎｍ）を積層した構造になっている。まず、位相シフタ
の欠陥を修正する方法を第１７図を用いて説明する。位
相シフタの欠陥として欠損が存在し、その最大寸法が遮
光パタンの解像限界以上、すなわち下記の式（２）の値
以上のときはその欠陥部分を酸化シリコン蒸着により修
正する にλ／ＮＡｘ１０＝３．（３５μｍ　　　（２）ただし
ｋは０．４５、λは露光波長（ｉ線）である。この場合
１位相シフタが形成されている領域を通過した露光光と
、欠陥修正後の領域を通過した露光光と同位相になるよ
うに所定の厚さに酸化シリコンを蒸着する。 一方、欠陥の最大寸法が３．６５μｍより小さく、かつ
位相シフタの解像限界以上、すなわち下記の式（３）の
値以上のときは、その欠陥部分にクロム膜を蒸着するよ
うにした。ここで、ｋは０゜２である。 ｋλ／ＮＡＸＩＯ＝１．６２μｍ　　　（３）さらに、
欠陥の最大寸法が１．６２μｍより小さいときは、位相
シフタの欠陥は転写されないため欠陥修正は行なわない
。なお、ｋの値、遮光パタンの解像限界、位相シフタの
解像限界等は投影露光装置等により異なる。 次に上記方法でマスクの検査と修正を行なう工程を第１
８図を用いて説明する。マスク５２をＸＹステージ５１
に載置し、制御部５４によりＸＹステージ５１を移動さ
せなから、光源５８からのマスク５２を通過した光をレ
ンズ５９を介して光検出部５３で検出し、制御部５４に
記憶されているパタンと比較し、マスク検査を行なった
。マスクの中心を原点とし、各辺に平行な方向にＸ軸及
びｙ軸を垂直に設けたとして、座［（１３６８，９μｍ
、−１３８０，９μｍ）の位置をほぼ中心として位相シ
フタの欠損した欠陥が検出された。形状はほぼ円形で、
大きさは直径４．２μｍ程度であった。欠陥の大きさが
３．６５μｍより大きかったので、上記座ＪｆＡ（１３
６８，９μｍ、−１３８０，９μｍ）を中心として、可
変アパーチャ付酸化シリコン蒸着装置５５より直径４．
２μｍの酸化シリコン蒸気のビームを照射して、酸化シ
リコン膜を厚さ３９０ｎｍに蒸着した。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったところ
、座標（１３６８，９μｍ、３７０．９μｍ）をほぼ中
心として位相シフタの欠損した第２の欠陥が検出された
。形状はほぼ長方形で、大きさはＸ方向１．０μｍ、ｙ
方向２．３μｍ程度であった。欠陥の大きさが３．６５
μｍより小さく、１．６２μｍより大きかったので、上
記欠陥領域にはクロム膜を蒸着するようにした。そこで
、座標（１３６８，９μｍ、３７０．９μｍ）を中心に
、可変アパーチャ付クロム蒸着装置５６より縦１μｍ横
２．３μｍの長方形状にクロム蒸気を照射して、クロム
膜を蒸着した。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったところ
、座１（１３６８，９μｍ、４５０．６μｍ）をほぼ中
心として位相シフタの欠損している第３の欠陥が検出さ
れた。形状はほぼ長方形で、大きさはＸ方向０．５μｍ
、ｙ方向０．８μｍ程度であった。欠陥の大きさが１．
６２μｍより小さかったので、欠陥修正を行なわなかっ
た。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったところ
、座標（１３６８，９μｍ、４６８．６μｍ）をほぼ中
心としてクロムパタンの欠損した欠陥が検出された。欠
陥は、＠４μｍの線状クロムパタンの端部において、−
辺の長さが１μｍの三角形状に欠損しているものであっ
た。そこで。 可変アパーチャ付クロム蒸着装置５６よりクロム蒸気ビ
ームを２μｍＸ２μｍの正方形状にして、上記クロムパ
タンが幅４μｍの線状になるように、クロム膜を蒸着し
た。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったところ
、座標（１３６８，９μｍ、５０１．８μｍ）をほぼ中
心として位相シフタ残り欠陥が検出された。欠陥は直径
０．６μｍ程度の円形状であり、大きさが解像限界以下
であったので、欠陥修正は行なねなかった。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったところ
、座標（−２５８，１μｍ、３５８．６μｍ）をほぼ中
心として位相シフタ残り欠陥が検出された。形状はほぼ
円形で、大きさは直径３゜７μｍ程度であった。そこで
、収束イオンビーム装置５７より上記座標を中心として
、直径３．７μｍの収束イオンビームを照射して、位相
シフタ残りを除去した。 しかる後、上記マスクの検査を引き続き行なったが、マ
スク上の他の領域に、欠陥は検出されなかった。 以上のようにして、欠陥を修正した位相シフトマスクを
用いてパタン転写を行なったところ、前記位相シフタ欠
陥部分に対する部分にも何ら異常を生じることなくパタ
ン転写できた。 第６実施例 第６の実施例を第１５図を用いて説明する。本実施例で
用いた位相シフトマスクの断面構造は。 合成石英基板１７上に窒化シリコン膜１８及び位相シフ
タ膜として酸化シリコン膜１９を積層した構造になって
いる。ここに、窒化シリコン膜１８は位相シフタ欠損欠
陥修正を容易にするために、あらかじめマスク全面につ
くり込まれたものである。酸化シリコン膜１９の膜厚は
（１）式で露光波長λ＝３６５ｎｍ、ｎ＝１．４４を代
入して４１５ｎｍとした。一方、窒化シリコン１８膜の
膜厚は、これによりやはり１８０度の位相差が導入され
る様に（１）式でλ＝＝３６５ｎｍ、ｎ＝２゜０３を代
入して、１７７ｎｍとした。 マスク製作後、検査の結果、マスクの中心を原点とし、
各辺に平行な方向にｙ軸及びｙ軸を垂直に設けたとして
、座標（−９１４，３μｍ、８２４．７μｍ）の位置を
ほぼ中心として位相シフタの欠損欠陥２１が検出された
。形状はほぼ楕円形で、大きさはＸ方向３μｍ、ｙ方向
２μｍの長方形内に十分含まれる程度であった。また、
座標（８２１，３μｍ、−８，２μｍ）の位置をほぼ中
心として位相シフタの欠損している第２の欠陥（図示せ
ず）が検出された。形状はほぼ長方形で、大きさはＸ方
向１μｍ、ｙ方向３μｍの長方形内に十分含まれる程度
であった。そこで、以下のようにして上記欠陥を修正し
た。 まず、上記基板上にポジ型レジスト０ＥＢＲ−２０００
（東京応化工業■、製品名）を塗布し、電子線描画装置
を用いて、３μｍＸ３μｍの長方形図形を座標（−９１
４，３μｍ、８２４．７μｍ）及び座標（８２１，３μ
ｍ、−８，２μｍ）を中心に描画し、所定の現像処理を
行ない、第１５図すに示すような、レジストパタン２２
を形成した（後者の描画図形は図示せず）。本実施例で
はポジ型レジスト０ＥＢＲ−２０００を用いたが、別の
レジストを用いてもよい。次に、第１５図Ｃに示すよう
に、上記レジストパタンをマスクとして異方性ドライエ
ツチングにより酸化シリコン膜１９を選択的に除去した
。次に、異方性ドライエツチング法により酸化シリコン
膜１９より下層の窒化シリコン膜１８を選択的に除去し
た。その後、レジストを通常の方法で除去し、第１５図
ｄに示すように、欠陥修正を施した位相シフトマスクを
作製した。窒化シリコン膜１８における位相変化と酸化
シリコン膜１９における位相変化を考慮すると、窒化シ
リコン膜の除去された開口部１７′と位相シフタである
酸化シリコン膜１９の形成されている部分とは位相的に
は同相となり、窒化シリコン膜のみが堆積されている部
分１８′とは逆相になる。このため、何ら問題なく位相
シフトマスクとして機能する。実際このマスクを用いて
焼き付けたパタンには全く欠陥は認められなかった。 以上本実施例では、窒化シリコン膜１層を上記所定の膜
厚としたが、複数層を合わせて位相シフタと同様な位相
変化を与える膜厚としてもよい。 例えば、第１６図ａに示すように、位相シフトマスクの
断面構造を１位相シフタ領域では合成石英基板１７上に
順に窒化シリコン膜（１００ｎｍ）２９、酸化シリコン
膜３０、窒化シリコン膜（１００ｎｍ）１８、酸化シリ
コン膜（厚さ４１５ｎｍ）１９を積層した構造にしても
よい。酸化シリコン膜３０と窒化シリコン膜１８の２層
ありせて位相シフタとして機能するように、 １００　Ｘ　（２，０３−１）＋ｄ　Ｘ　（１，４４−
１）＝１／２　Ｘ　３６５より、酸化シリコン膜３０の
膜厚をｄ＝１８１ｎｍとすればよい。また、窒化シリコ
ン膜２９．１８はそれぞれその上の酸化シリコン膜３０
．１９をエツチングする際のストッパ膜として作用する
。 この場合、マスクの欠陥修正を行なうと、第１６図すに
示すようになる。このようにして、欠陥を修正した位相
シフトマスクを用いてパタン転写を行なったところ、前
記位相シフタ欠陥部分に対する部分にも何ら異常を生じ
ることなくパタン転写できた。 なお、層間材料として本実施例では窒化シリコンと酸化
シリコンを用いたが、これに限らず酸化タンタル、酸化
チタンなど露光光に対して透明な材料を用いることもで
きる。従って、この他にも露光波長が４３６ｎｍ　（ｇ
線）の場合ポリイミドとすることもできる。また、導電
性透明膜も用いることができる。 また、上記のように酸化シリコン膜１９のエツチングの
ストッパ膜として窒化シリコン膜１８を用いているが、
酸化シリコン膜１９は塗布型ガラスにより作成し、酸化
シリコン膜３ｏをスパッタ法により作成すれば窒化シリ
コン膜１８なくてもよい。フッ酸、フッ化アンモニウム
１：２０の溶液に対するエツチング速度はスパッタ法に
よる膜は３０ｎｍ／ｍｉｎであり、塗布型ガラスによる
膜は６００ｎｍ／ｍｉｎであるので塗布型ガラスによる
膜を選択的に加工することができた。 第７実施例 第１６図に示したと同様な構造のマスクブランクスを用
いて位相シフトマスクを作成した。ただし窒化シリコン
膜１８．２９に変えて導電性透明膜（ＩＴ○；インジウ
ム　スズ　酸化物）を用いた。このマスクブランクスの
上記導電性透明膜と遮光パタンを形成するためのクロム
膜とをマスクブランクスの周辺部で接触させ、これらの
膜を電気的に接地し、電子線感応性組成物を用いたりソ
グラフィにより位相シフタのパタンを形成した。 電子線描画装置により電子線を照射する際に、照射され
た部分が電気的に接地されていないとチャージアップし
、パタンの位置ずれが発生する。本実施例においてはこ
のような位置ずれは認められなかった。 なお、導電性透明膜は、窒化シリコン膜１８．２９の一
方のみを変えてもよい。さらに、酸化シリコン膜３０に
対し、酸化シリコン膜１９のエツチング速度が十分速い
場合いは、窒化シリコン膜１８歯なくてもよい。 【発明の効果１ 以上本発明によれば、位相シフタパタンの欠陥部分を含
む位相シフタ領域及び下層の透明材料を選択的に除去す
るか、又は位相シフタ欠陥部分を含む領域上に、露光光
に対して透明な材料を、選択的に形成し、上記位相シフ
タ欠陥部分を含む領域を透過した露光光と上記欠陥部分
周辺の正常な位相シフタを透過した露光光の位相をほぼ
等しくすることができる。従って、容易に位相シフタの
欠陥を修正することができる。 また、本発明によれば４粒子線又はレーザ光を、位相シ
フタパタンの不要な残り部分に選択的に照射して、上記
残り部分を選択的に除去することにより、容易に位相シ
フタ欠陥を修正することができる。 また、以上本発明によれば、位相シフタの欠陥部分を検
出し、上記欠陥部分の位置及び大きさを記憶し、上記検
出した欠陥部分の位置及び大きさに関する情報を用いて
マスクの修正を行なうことにより、容易に欠陥修正を行
ない、マスク作製工程での歩留を向上することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図及び第７図は
、本発明の一実施例のマスク修正の工程の流れを示した
ブロック図、第６図は、本発明の一実施例である、位相
シフタ欠陥を不透明膜を用いて修正した場合を示した模
式図及び基板上の光強度を示す図、第８図及び第１１図
は、それぞれ、第１実施例及び第２実施例で検出された
位相シフタ欠陥をマスク上面より見た模式図、第９図及
び第１０図は、第１実施例における欠陥修正工程を示し
た模式図、第１２図及び第１３図は、それぞれ第２実施
例及び第３実施例における欠陥修正工程を示した模式図
、第１４図は、第４実施例における欠陥修正工程の一部
を示した模式図、第１５図及び第１６図は、第６実施例
における欠陥修正工程を示した模式図、第１７図は、第
５実施例における欠陥修正方法を示した流れ図、第１８
図は、第５実施例を行なう装置を示す模式図である。 １５・・・不透明な膜　　　１６・・・欠陥部分１７・
・・合成石英基板 １７′・・・窒化シリコン膜の除去された開口部１８．
２９・・・窒化シリコン膜 １８′・・・窒化シリコン膜のみが堆積されている部分 １９．３０・・・酸化シリコン膜 ２０・・・遮光パタン　　　２１．２４．２６・・・欠
陥２２・・・レジストパタン　２３・・・図形２５・・
・弗化マグネシウム膜 ２７・・・ＳＯＧ膜　　　　２８・・・ネガ型レジスト
８′・・・レジストパタン ト・・位相シフタパタン ２・・・ポジ型レジスト　４３・・・開ロパタント・・
ＸＹステージ　　５２・・・マスク３・・・光検出部　
　　　５４・・・制御部５・・・可変アパーチャ付酸化
シリコン蒸着装置６・・・可変アパーチャ付クロム蒸着
装置７・・・収束イオンビーム装置

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に設けられた、所定のパタンの位相シフタの
   欠陥部分を含む所望の領域の該位相シフタを除去する工
   程、該位相シフタを通過した所望の波長の光と該所望の
   領域を通過した該所望の波長の光とが同位相になるよう
   に、該領域に透明な材料の膜を形成する工程を含むこと
   を特徴とする投影光学系用のマスク修正方法。 ２、上記透明な材料の膜は、その厚さが、λを上記所望
   の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折率とす
   るとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）／（４（ｎ
   −１））の範囲になるように形成されることを特徴とす
   る請求項１記載の投影光学系用のマスク修正方法。 ３、基板上に設けられた、所定のパタンの位相シフタの
   欠陥部分を含む所望の領域の該位相シフタを除去する工
   程、該位相シフタを通過した所望の波長の光と該所望の
   領域を通過した該所望の波長の光とが同位相になるよう
   に、該領域の該位相シフタより下層の透明な材料を除去
   する工程を含むことを特徴とする投影光学系用のマスク
   修正方法。 ４、上記下層の透明な材料は、その深さが、λを上記所
   望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折率と
   するとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）／（４（
   ｎ−１））の範囲になるように除去されることを特徴と
   する請求項３記載の投影光学系用のマスク修正方法。 ５、透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定のパ
   タンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜を形成す
   る工程、該位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域上の
   該レジストを除去する工程、残りの該レジストをマスク
   として露出した該位相シフタを除去し、さらに該領域の
   位相シフタより下層の透明材料を所望の厚さ除去し、該
   位相シフタを通過した所望の波長の光と該所望の領域を
   通過した該所望の波長の光とが同位相になるようにする
   工程を含むことを特徴とする投影光学系用のマスク修正
   方法。 ６、上記所望の厚さは、λを上記所望の波長、ｎを該波
   長における上記透明な材料の屈折率とするとき、λ／（
   ４（ｎ−１））から（３λ）／（４（ｎ−１））の範囲
   にあることを特徴とする請求項５記載の投影光学系用の
   マスク修正方法。 ７、透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定のパ
   タンに形成された位相シフタの少なくとも欠陥部分に、
   所望の透過光に対して透明な材料の膜を形成する工程、
   該位相シフタを通過した所望の波長の光と該透明な材料
   の膜を通過した該所望の波長の光とが同位相になるよう
   に該透明な材料の膜の厚みを制御する工程を含むことを
   特徴とする投影光学系用のマスク修正方法。 ８、上記透明な材料の膜の厚みの制御は、その厚みを、
   λを上記所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料
   の屈折率とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ
   ）／（４（ｎ−１））の範囲に制御することを特徴とす
   る請求項７記載の投影光学系用のマスク修正方法。 ９、上記位相シフタの少なくとも欠陥部分に上記透明な
   材料の膜を形成する工程は、光又は荷電粒子線に対し感
   応する材料の膜を形成し、該膜に光又は荷電粒子線を照
   射し、現像することにより所望の形状にすることにより
   行なうことを特徴とする請求項７記載の投影光学系用の
   マスク修正方法。 １０、上記透明な材料の膜の厚みを制御する工程は、該
   透明な材料の膜を加熱し流動させることにより行なうこ
   とを特徴とする請求項７記載の投影光学系用のマスク修
   正方法。 １１、透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定の
   パタンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜を形成
   する工程、該位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域上
   の該レジストを除去する工程、残りの該レジストをマス
   クとして露出した該位相シフタを除去する工程、該領域
   上に、所望の透過光に対して透明な材料の膜を、該位相
   シフタを通過した所望の波長の光と該透明な材料の膜を
   通過した該所望の波長の光とが同位相になるように、そ
   の厚みを制御して形成する工程、該領域以外の部分に形
   成された該透明な材料の膜を除去する工程を含むことを
   特徴とする投影光学系用のマスク修正方法。 １２、上記透明な材料の膜の形成は、その厚みを、λを
   上記所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈
   折率とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）／
   （４（ｎ−１））の範囲になるように形成することを特
   徴とする請求項１１記載の投影光学系用のマスク修正方
   法。 １３、上記位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域は、
   その形状が矩形であることを特徴とする請求項１、３、
   ５、１１記載の投影光学系用のマスク修正方法。 １４、透過光に位相差を与えるため、基板上に、所定の
   パタンに形成された位相シフタ上にレジスト塗膜を形成
   する工程、欠陥部分を有する一つの位相シフタのパタン
   上の該レジストを除去する工程、残りの該レジストをマ
   スクとして露出した該一つの位相シフタを除去する工程
   、該レジストのマスク上に所望の光に対して透明な材料
   を、上記位相シフタを通過した所望の波長の光と該透明
   な材料を通過した該所望の波長の光とが同位相になるよ
   うな厚さに形成する工程、該透明な材料を、上記除去し
   た一つの位相シフタのパタンと実質的に同じパタンとす
   る工程、上記レジストのマスクを除去する工程を含むこ
   とを特徴とする投影光学系用のマスク修正方法。 １５、上記透明な材料の形成は、その厚みを、λを上記
   所望の波長、ｎを該波長における該透明な材料の屈折率
   とするとき、λ／（４（ｎ−１））から（３λ）／（４
   （ｎ−１））の範囲になるように形成することを特徴と
   する請求項１４記載の投影光学系用のマスク修正方法。 １６、所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基板
   上に有するマスクの該位相シフタの欠陥部分の最大寸法
   を測定し、該測定した最大寸法を遮光パタンの解像限界
   に対応する値と比較し、該最大寸法が該値より小さいと
   き、該欠陥部分上に露光光に対して不透明な材料を選択
   的に付着させることを特徴とする投影光学系用のマスク
   修正方法。 １７、所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基板
   上に有するマスクの該位相シフタの欠陥部分の最大寸法
   を測定し、該測定した最大寸法を遮光パタンの解像限界
   に対応する値と比較し、該最大寸法が該値以上のとき、
   請求項１から１５までのいずれかに記載のマスク修正方
   法を行なうことを特徴とする投影光学系用のマスク修正
   方法。 １８、上記測定した最大寸法を遮光パタンの解像限界に
   対応する値と比較し、該最大寸法が該値より小さいとき
   、さらに該値を位相シフタパタンの解像限界に対応する
   値と比較し、該最大寸法が該値より大きいとき、該欠陥
   部分上に露光光に対して不透明な材料を選択的に付着さ
   せることを特徴とする請求項１７に記載の投影光学系用
   のマスク修正方法。 １９、所定のパタンの遮光パタンと位相シフタとを基板
   上に有するマスクの該所定のパタン以外の位相シフタを
   粒子線又はレーザ光により除去することを特徴とする投
   影光学系用のマスク修正方法。 ２０、透明基板上に、所定のパターンの遮光膜と、所望
   の透過光に位相差を与えるための上記と異なるパターン
   の位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、上
   記位相シフタの欠陥部分を含む所望の領域は、該位相シ
   フタが除去され、該領域の下部は、該位相シフタを透過
   した所望の波長の光と、該領域を透過した該波長の光と
   がほぼ同位相となるように、所定の厚み除去されている
   ことを特徴とする投影光学系用マスク。 ２１、透明基板上に、所定のパターンの遮光膜と、所望
   の透過光に位相差を与えるための上記と異なるパターン
   の位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、上
   記位相シフタの所望の一部の領域は、該位相シフタと異
   なる材質の透明な層からなり、該位相シフタを透過した
   所望の波長の光と、該透明な層を透過した該波長の光と
   がほぼ同位相となるように、該透明な層の厚みを定めた
   ことを特徴とする投影光学系用マスク。 ２２、透明基板上に、所定のパターンの遮光膜、所望の
   透過光に位相差を与えるための上記と異なるパターンの
   位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、上記
   位相シフタは、遮光パタンの解像限界未満の大きさの欠
   陥を有し、該欠陥は不透明材料で埋められていることを
   特徴とする投影光学系用マスク。 ２３、透明基板上に、所定のパターンの遮光膜と、所望
   の透過光に位相差を与えるための上記と異なるパターン
   の位相シフタを有する投影光学系用マスクにおいて、上
   記基板上に、その下の層と異なる材質の薄膜を有し、該
   薄膜と上記位相シフタとはそれぞれ所望の波長の透過光
   に対して実質的に同じ位相差を与える膜厚であることを
   特徴とする投影光学系用マスク。 ２４、透明基板上に、所定のパターンの所望の遮光膜と
   、所望の透過光に位相差を与えるための上記と異なるパ
   ターンの位相シフタを有する投影光学系用マスクにおい
   て、上記基板上、上記位相シフタの下層に、少なくとも
   一層の露光光に対して透明な材料の膜を有し、該位相シ
   フタ側から数えてｉ層目の該膜の厚さｄ＿ｉ及び屈折率
   ｎｉが、 Σ（（ｎ＿ｉ−１）ｄ＿ｉ）＝Φλ ｉ＝１ （ただしΦは、１／４≦Φ≦３／４の範囲の数、λは上
   記所望の透過光の波長である）の関係を満たしたことを
   特徴とする投影光学系用マスク。 ２５、透明基板上に、少なくとも透明導電膜、透明膜、
   導電性遮光膜を有し、該透明導電膜と該導電性遮光膜は
   電気的に接触していることを特徴とするマスクブランク
   ス。