CN113985696A - 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 184
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 133
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 148
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical compound [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- WMVRXDZNYVJBAH-UHFFFAOYSA-N dioxoiron Chemical compound O=[Fe]=O WMVRXDZNYVJBAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本申请提供一种掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到存在相移材料残留物的目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值后，会在检测到特征尺寸线宽数值小于合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，确定需要执行单次蚀刻修补作业的目标修补次数，而后重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标相位移掩模版的与相移材料残留物对应的目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制蚀刻修补处理过程中单次蚀刻修补作业的具体修补力度，确保修补后的掩模版所映射出的特征尺寸线宽符合预期规格，并尽量降低蚀刻修补处理造成的额外损伤。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制程技术领域，具体而言，涉及一种掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质。
背景技术
随着科学技术的不断发展，为满足各行业对半导体器件的不同需求，需要保证半导体制程工艺具有更高的光刻分辨率，由此各种光刻分辨率增强技术便应运而生。其中，相位移掩模(Phase Shift Mask，PSM)技术便是一种常用的光刻分辨率增强技术，其能够通过使掩模版上掩膜图案的相邻透光区域的光束产生180度相位差，确保硅片表面上相邻图形之间因相消干涉而造成暗区光强减弱，从而提高观测对比度及光刻分辨率。
目前，常规的相位移掩模版通常需要在透明基板上形成相移层，在相移层上形成遮光层，而后通过使用光刻胶对遮光层及相移层进行蚀刻来形成最终的掩模图案。而在相位移掩模版制备过程中，往往会因工艺流程差异等因素在相移层的用于形成掩模图案区域的侧壁表面上残留一定量的相移材料，导致相位移掩模版在实际使用时形成的曝光图形的特征尺寸线宽不符合预期规格。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质，能够对具有相移材料残留物的相位移掩模版进行蚀刻修补处理，并有效控制蚀刻修补处理的具体修补力度，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请提供一种掩模版修补方法，所述方法包括：
获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中所述目标相位移掩模版的相移层在所述目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物；
检测所述特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内；
在检测到所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数；
针对所述目标相位移掩模版的与所述相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使所述目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
在可选的实施方式中，所述线宽拓展数值小于所述合格器件线宽范围的线宽区间长度，所述期望器件线宽数值处于所述合格器件线宽范围的中间位置，所述根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数的步骤，包括：
计算所述期望器件线宽数值与所述特征尺寸线宽数值之间的差值，得到线宽差异数值；
对所述线宽差异数值与所述线宽拓展数值进行除法运算，得到对应的期望扩展倍数；
将所述期望扩展倍数的小数部分进行四舍五入取整后与所述期望扩展倍数的整数部分进行加法运算，得到所述目标修补次数。
在可选的实施方式中，所述采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业的步骤，包括：
向所述目标相位移掩模版所在的真空腔室注入蚀刻气体及缓冲气体；
按照单次蚀刻修补作业所对应的蚀刻作业时长控制电子束发生器朝向所述目标修补区域发射电子束，使发射出的所述电子束在所述缓冲气体的缓冲作用下将所述蚀刻气体轰击到所述目标修补区域内进行蚀刻。
在可选的实施方式中，所述电子束的发射方向相对于目标相位移掩模版的透明基板的板面法线方向倾斜，所述电子束在出射后不与所述透明基板直接接触。
在可选的实施方式中，所述电子束的能量电压为0.6KV，所述蚀刻气体的蚀刻作业温度处于-30℃～-15℃，所述缓冲气体的注入流速为1sccm。
在可选的实施方式中，所述方法还包括：
针对所述期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比；
以所述期望器件线宽数值为基准采用所述规格波动百分比进行上下波动计算，得到所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中所述期望器件线宽数值处于所述线宽下限值与所述线宽上限值的中间位置。
第二方面，本申请提供一种掩模版修补装置，所述装置包括：
掩模版线宽获取模块，用于获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中所述目标相位移掩模版的相移层在所述目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物；
掩模版线宽检测模块，用于检测所述特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内；
蚀刻修补次数确定模块，用于在检测到所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数；
掩模版蚀刻修补模块，用于针对所述目标相位移掩模版的与所述相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使所述目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
在可选的实施方式中，所述装置还包括：
线宽波动配置模块，用于针对所述期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比；
器件线宽波动模块，用于以所述期望器件线宽数值为基准采用所述规格波动百分比进行上下波动计算，得到所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中所述期望器件线宽数值处于所述线宽下限值与所述线宽上限值的中间位置。
第三方面，本申请提供一种掩模版修补控制设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序，以实现前述实施方式中任意一项所述的掩模版修补方法。
第四方面，本申请提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现前述实施方式中任意一项所述的掩模版修补方法。
在此情况下，本申请实施例的有益效果包括以下内容：
本申请在获取到对应掩模图案区域内存在有相移材料残留物的目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值后，会在检测到特征尺寸线宽数值小于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据特征尺寸线宽数值、期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数，而后针对目标相位移掩模版的与相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制单次蚀刻修补作业的具体修补力度，并通过对相位移掩模版进行目标修补次数地单次蚀刻修补作业，确保修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽稳稳地符合预期规格，并尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的掩模版修补控制设备的组成示意图；
图2为本申请实施例提供的未曾蚀刻修补的目标相位移掩模版的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之一；
图4为图3中的步骤S330包括的子步骤的流程示意图；
图5为图3中的步骤S340包括的子步骤的流程示意图；
图6为本申请实施例提供的完成蚀刻修补处理的目标相位移掩模版的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之二；
图8为本申请实施例提供的掩模版修补装置的组成示意图之一；
图9为本申请实施例提供的掩模版修补装置的组成示意图之二。
图标：10-掩模版修补控制设备；11-存储器；12-处理器；13-通信单元；100-掩模版修补装置；20-目标相位移掩模版；21-透明基板；22-相移层；23-遮光层；24-相移材料残留物；25-图案沟槽；301-掩模图案区域；302-目标修补区域；110-掩模版线宽获取模块；120-掩模版线宽检测模块；130-蚀刻修补次数确定模块；140-掩模版蚀刻修补模块；150-线宽波动配置模块；160-器件线宽波动模块。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，还需要说明的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
申请人通过辛苦调研发现，为使对应掩模图案区域内残留有的一定量的相移材料(例如，硅化钼材料)的相位移掩模版在具体曝光时所对应的曝光图形的特征尺寸线宽达到预期规格，目前业界主流所采用的处理方案思路是直接利用电子束搭配着蚀刻气体(例如，二氟化氙(XeF2)气体)正对着残留的相移材料进行蚀刻，来调整对应曝光图形的特征尺寸线宽以期满足预期规格。但值得注意的是，这种蚀刻方式往往存在修补力度不可控的特点，直接基于蚀刻气体的单次蚀刻作业往往无法使相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽满足预期规格，但继续执行单次蚀刻作业即使让对应的曝光图形的特征尺寸线宽满足预期规格，也会导致相位移掩模版的透明基板被过度蚀刻，出现额外损伤，致使修补后的相位移掩模版的良品率不高。
在此情况下，为对具有相移材料残留物的相位移掩模版进行修补力度有效可控的蚀刻修补处理，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，提高修补后的相位移掩模版的良品率，本申请实施例通过提供一种掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质实现前述功能。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
请参照图1，图1是本申请实施例提供的掩模版修补控制设备10的组成示意图。在本申请实施例中，所述掩模版修补控制设备10能够与掩模版蚀刻***进行交互，从而控制所述掩模版蚀刻***对存在相移材料残留物的目标相位移掩模版进行蚀刻修补处理，并有效控制蚀刻修补处理的具体修补力度，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，以提升修补后的相位移掩模版的良品率。其中，所述目标相位移掩模版可以是未曾蚀刻修补的残存有相移材料的相位移掩模版，也可以是执行过至少一轮蚀刻修补操作的残存有相移材料的相位移掩模版。
在本实施例中，所述掩模版修补控制设备10可以是，但不限于，计算机设备、笔记本电脑等。所述掩模版修补控制设备10可以包括存储器11、处理器12、通信单元13及掩模版修补装置100。所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13各个元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
在本实施例中，所述存储器11可以是，但不限于，随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)，只读存储器(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器(ProgrammableRead-Only Memory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EEPROM)等。其中，所述存储器11用于存储计算机程序，所述处理器12在接收到执行指令后，可相应地执行所述计算机程序。
在本实施例中，所述存储器11还用于存储针对目标相位移掩模版配置的期望器件线宽数值，以及所述期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围。其中，所述期望器件线宽数值用于表示经目标相位移掩模版制造的半导体器件所能达到的最佳特征尺寸线宽，所述合格器件线宽范围用于表示经目标相位移掩模版制造的半导体器件在合格时所能表现出的特征尺寸线宽范围。
在本实施例中，所述处理器12可以是一种具有信号的处理能力的集成电路芯片。所述处理器12可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)及网络处理器(Network Processor，NP)、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件中的至少一种。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。
在本实施例中，所述通信单元13用于通过网络建立所述掩模版修补控制设备10与掩模效果验证***及掩模版蚀刻***之间的通信连接，并通过所述网络收发数据，其中所述网络包括有线通信网络及无线通信网络。例如，所述掩模版修补控制设备10可通过所述通信单元13从掩模效果验证***处获取某个相位移掩模版在实际曝光/模拟曝光时所能表现出的曝光图形的特征尺寸线宽数值，所述掩模版修补控制设备10也可通过所述通信单元13控制所述掩模版蚀刻***对相位移掩模版进行蚀刻修补处理，并有效控制蚀刻修补处理的具体修补力度，从而在确保修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，以提升修补后的相位移掩模版的良品率。
在本实施例中，所述掩模版修补装置100包括至少一个能够以软件或固件的形式存储于所述存储器11中或者固化在所述掩模版修补控制设备10的操作***中的软件功能模块。所述处理器12可用于执行所述存储器11存储的可执行模块，例如所述掩模版修补装置100所包括的软件功能模块及计算机程序等。所述掩模版修补控制设备10可通过所述掩模版修补装置100对具有相移材料残留物的相位移掩模版进行蚀刻修补处理，并有效控制蚀刻修补处理的具体修补力度，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，以提升修补后的相位移掩模版的良品率。
可以理解的是，图1所示的框图仅为所述掩模版修补控制设备10的一种组成示意图，所述掩模版修补控制设备10还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
请参照图2，图2是本申请实施例提供的未曾蚀刻修补的目标相位移掩模版20的结构示意图。在本申请实施例中，所述目标相位移掩模版20可以包括透明基板21以及层叠设置在所述透明基板21上的相移层22和遮光层23，其中所述遮光层23与所述相移层22上开设有用于表示掩模图案的图案沟槽25，以通过所述遮光层23上的图案沟槽25及所述相移层22上的图案沟槽25相互配合形成所述目标相位移掩模版20的掩模图案区域301。其中，所述遮光层23上形成的图案沟槽25用于表征该掩模图案区域301的有效范围，所述相移层22上形成的图案沟槽25开设在所述遮光层23上形成的图案沟槽25范围内，用于表征具体掩模图案的分布状况。所述相移层22的形成所述图案沟槽25的侧壁表面上残留一定量的相移材料，以在所述相移层22上形成的图案沟槽25内形成贴合沟槽侧壁的相移材料残留物24，导致所述掩模图案区域301范围内的相移层22无法相应地产生预期的相位移效应及相消干涉现象，使当前目标相位移掩模版20所对应的曝光图形的特征尺寸线宽不符合预期规格。
此时，所述目标相位移掩模版20的需要进行蚀刻修补处理的目标修补区域302即为涵盖所述相移材料残留物24的相移层区域，其中所述相移材料残留物24在所述透明基板21的板面所在平面上的投影区域处于所述目标修补区域302在所述透明基板21的板面所在平面上的投影区域内，以确保修补后的目标相位移掩模版20在通过掩模效果验证***映射出的曝光图形的特征尺寸线宽数值处于合格器件线宽范围内。在本实施例的一种实施方式中，所述遮光层23采用铬金属、二氧化铁、铬钼化合物中的任意一种材料制备形成，所述透明基板21采用石英材料制备形成。
在本申请中，为确保所述掩模版修补控制设备10能够对具有相移材料残留物24的目标相位移掩模版20进行修补力度有效可控的蚀刻修补处理，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，提高修补后的相位移掩模版的良品率，本申请实施例通过提供一种掩模版修补方法实现前述功能，下面对本申请提供的掩模版修补方法进行详细阐述。
请参照图3，图3是本申请实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之一。在本申请实施例中，图2所示的掩模版修补方法可以包括步骤S310～步骤S340。
步骤S310，获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中目标相位移掩模版的相移层在目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物。
在本实施例中，所述掩模版修补控制设备10可通过所述通信单元13从掩模效果验证***处获取目标相位移掩模版20在当前状态下真实曝光或模拟曝光后所映射出的曝光图形的特征尺寸线宽数值。
步骤S320，检测特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内。
在本实施例中，所述掩模版修补控制设备10在得到所述目标相位移掩模版20当前所对应的特征尺寸线宽数值后，会将其与存储的所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值分别进行比较，以确定所述特征尺寸线宽数值是否处于所述合格器件线宽范围内。其中，若所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值，或者所述特征尺寸线宽数值大于所述合格器件线宽范围的线宽上限值，则可判定所述特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围之外。若所述特征尺寸线宽数值大于或等于所述线宽下限值，并且所述特征尺寸线宽数值小于或等于所述线宽上限值，则可判定所述特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
步骤S330，在检测到特征尺寸线宽数值小于合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据特征尺寸线宽数值、期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数。
在本实施例中，所述单次蚀刻修补作业需要利用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体实现，在此过程中所述缓冲气体不会在电子束作用下实现蚀刻效果，反而可以与所述蚀刻气体相互混杂，并在电子束作用下对蚀刻气体所对应的蚀刻力度进行缓冲调节，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制单次蚀刻修补作业的具体修补力度，此时所述具体修补力度在所述目标相位移掩模版20的修补效果可通过所述目标相位移掩模版20在单次蚀刻修补作业前后各自对应的特征尺寸线宽数值之间的线宽差值进行表达，可采用所述线宽拓展数值表征所述目标相位移掩模版20在单次蚀刻修补作业前后各自对应的特征尺寸线宽数值之间的线宽差值。
可以理解的是，所述期望器件线宽数值处于所述合格器件线宽范围的中间位置，所述单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值需小于所述合格器件线宽范围的线宽区间长度，所述线宽区间长度即为所述合格器件线宽范围的线宽上限值及线宽下限值之间的线宽差值，以便于所述掩模版修补控制设备10在所述目标相位移掩模版20当前的特征尺寸线宽数值小于所述线宽下限值的情况下对应确定出的单次蚀刻修补作业所需执行的目标修补次数，可以使所述目标相位移掩模版20在蚀刻修补处理后对应的曝光图形的特征尺寸线宽不会超过所述合格器件线宽范围的线宽上限值，确保修补后的目标相位移掩模版20所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，能够尽量降低蚀刻修补处理对目标相位移掩模版20造成的额外损伤，确保的目标相位移掩模版20在修补后具有很高的良品率。
可选地，请参照图4，图4是图3中的步骤S330包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，步骤S330中根据特征尺寸线宽数值、期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数的步骤可以包括子步骤S331～子步骤S333，以针对所述目标相位移掩模版20当前相移层状况求解出合适的单次蚀刻修补作业所需执行的目标修补次数，使所述目标相位移掩模版20在蚀刻修补处理后对应的曝光图形的特征尺寸线宽不会超过所述合格器件线宽范围的线宽上限值。
子步骤S331，计算期望器件线宽数值与特征尺寸线宽数值之间的差值，得到线宽差异数值。
子步骤S332，对线宽差异数值与线宽拓展数值进行除法运算，得到对应的期望扩展倍数。
子步骤S333，将期望扩展倍数的小数部分进行四舍五入取整后与期望扩展倍数的整数部分进行加法运算，得到目标修补次数。
在本实施例中，当所述目标相位移掩模版20当前映射出的特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值时，所述期望器件线宽数值与所述特征尺寸线宽数值之间的线宽差异差值必定大于0.5倍线宽拓展数值，此时可执行至少一次单次蚀刻修补作业来确保修补后的目标相位移掩模版20所对应的特征尺寸线宽数值平稳地过渡到所述合格器件线宽范围内而不会超过该合格器件线宽范围，从而使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤。
步骤S340，针对目标相位移掩模版的与相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于合格器件线宽范围内。
在本实施例中，当确定出针对所述目标相位移掩模版20当前相移层状况求解出合适的单次蚀刻修补作业所需执行的目标修补次数后，可相应地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标相位移掩模版20的目标修补区域302处循环所述目标修补次数地执行单次蚀刻修补作业，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制单次蚀刻修补作业的具体修补力度，实现对具有相移材料残留物24的相位移掩模版进行修补力度有效可控的蚀刻修补处理，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，提高修补后的相位移掩模版的良品率。
可选地，请参照图5，图5是图3中的步骤S340包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤S340中采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标修补区域302处执行单次蚀刻修补作业的步骤可以包括子步骤S341及子步骤S342，以确保单次蚀刻修补作业在实现掩模版修补效果的同时，尽量避免所述目标相位移掩模版20的透明基板21出现破损现象。
子步骤S341，向目标相位移掩模版所在的真空腔室注入蚀刻气体及缓冲气体。
子步骤S342，按照单次蚀刻修补作业所对应的蚀刻作业时长控制电子束发生器朝向目标修补区域发射电子束，使发射出的电子束在缓冲气体的缓冲作用下将蚀刻气体轰击到目标修补区域内进行蚀刻。
在本实施例中，所述电子束的发射方向相对于目标相位移掩模版20的透明基板21的板面法线方向倾斜，所述电子束在出射后不与所述透明基板21直接接触，从而确保所述蚀刻气体在所述电子束的轰击作用下不直接地作用在所述透明基板21上，有效控制单次蚀刻修补作业的修补力度，避免所述透明基板21出现过度蚀刻的现象。由此，执行完目标修补次数的单次蚀刻修补作业的目标相位移掩模版20中的目标修补区域302将如图6所示的形状结构。
在此过程中，所述电子束的能量电压需维持在0.6KV，所述蚀刻气体的蚀刻作业温度需处于-30℃～-15℃之间，并确保所述缓冲气体的注入流速为1sccm，以维持单次蚀刻修补作业的线宽拓展数值的稳定。在本实施例的一种实施方式中，所述蚀刻气体的蚀刻作业温度为-23℃。
由此，本申请可通过执行上述步骤S310～步骤S340，对具有相移材料残留物的目标相位移掩模版进行修补力度有效可控的蚀刻修补处理，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽在稳稳地符合预期规格的同时，尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤，提高修补后的相位移掩模版的良品率。
可以理解的是，当所述目标相位移掩模版20当前映射出的特征尺寸线宽数值大于所述合格器件线宽范围的线宽上限值时，可通过在所述相移层22被过度蚀刻修补的区域进行相移材料沉积生长修补的方式，缩短所述目标相位移掩模版20当前映射出的特征尺寸线宽数值，使修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽稳稳地步入到符合预期规格的合格器件线宽范围内。
可选地，请参照图7，图7是本申请实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之二。在本申请实施例中，图7所示的掩模版修补方法可以包括步骤S308及步骤S309，以确定出目标相位移掩模版20的特征尺寸预期规格范围。
步骤S308，针对期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比。
步骤S309，以期望器件线宽数值为基准采用规格波动百分比进行上下波动计算，得到合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中期望器件线宽数值处于线宽下限值与线宽上限值的中间位置。
在本实施例中，所述规格波动百分比可以是1％，还可以是1.5％，还可以是2％。所述线宽上限值与所述期望器件线宽数值之间的线宽差值即可采用所述期望器件线宽数值与所述规格波动百分比之间的乘积进行表达，所述期望器件线宽数值与所述线宽下限值之间的线宽差值即可采用所述期望器件线宽数值与所述规格波动百分比之间的乘积进行表达。
由此，本申请可通过执行上述步骤S308及步骤S309，确定出目标相位移掩模版20的特征尺寸预期规格范围。
在本申请中，为确保所述掩模版修补控制设备10能够通过所述掩模版修补装置100执行上述掩模版修补方法，本申请通过对所述掩模版修补装置100进行功能模块划分的方式实现前述功能。下面对本申请提供的掩模版修补装置100的具体组成进行相应描述。
请参照图8，图8是本申请实施例提供的掩模版修补装置100的组成示意图之一。在本申请实施例中，所述掩模版修补装置100可以包括掩模版线宽获取模块110、掩模版线宽检测模块120、蚀刻修补次数确定模块130及掩模版蚀刻修补模块140。
掩模版线宽获取模块110，用于获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中所述目标相位移掩模版的相移层在所述目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物。
掩模版线宽检测模块120，用于检测所述特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内。
蚀刻修补次数确定模块130，用于在检测到所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数。
掩模版蚀刻修补模块140，用于针对所述目标相位移掩模版的与所述相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使所述目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
可选地，请参照图9，图9是本申请实施例提供的掩模版修补装置100的组成示意图之二。在本申请实施例中，所述掩模版修补装置100还可以包括线宽波动配置模块150及器件线宽波动模块160。
线宽波动配置模块150，用于针对所述期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比。
器件线宽波动模块160，用于以所述期望器件线宽数值为基准采用所述规格波动百分比进行上下波动计算，得到所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中所述期望器件线宽数值处于所述线宽下限值与所述线宽上限值的中间位置。
需要说明的是，本申请实施例所提供的掩模版修补装置100，其基本原理及产生的技术效果与前述的掩模版修补方法相同。为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的针对掩模版修补方法的描述内容。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的***来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
综上所述，在本申请提供的掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质中，本申请在获取到对应掩模图案区域内存在有相移材料残留物的目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值后，会在检测到特征尺寸线宽数值小于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据特征尺寸线宽数值、期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数，而后针对目标相位移掩模版的与相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制单次蚀刻修补作业的具体修补力度，并通过对相位移掩模版进行目标修补次数地单次蚀刻修补作业，确保修补后的相位移掩模版所对应的曝光图形的特征尺寸线宽稳稳地符合预期规格，并尽量降低蚀刻修补处理对相位移掩模版造成的额外损伤。
以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应当以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种掩模版修补方法，其特征在于，所述方法包括：
获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中所述目标相位移掩模版的相移层在所述目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物；
检测所述特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内；
在检测到所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数；
针对所述目标相位移掩模版的与所述相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使所述目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线宽拓展数值小于所述合格器件线宽范围的线宽区间长度，所述期望器件线宽数值处于所述合格器件线宽范围的中间位置，所述根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数的步骤，包括：
计算所述期望器件线宽数值与所述特征尺寸线宽数值之间的差值，得到线宽差异数值；
对所述线宽差异数值与所述线宽拓展数值进行除法运算，得到对应的期望扩展倍数；
将所述期望扩展倍数的小数部分进行四舍五入取整后与所述期望扩展倍数的整数部分进行加法运算，得到所述目标修补次数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业的步骤，包括：
向所述目标相位移掩模版所在的真空腔室注入蚀刻气体及缓冲气体；
按照单次蚀刻修补作业所对应的蚀刻作业时长控制电子束发生器朝向所述目标修补区域发射电子束，使发射出的所述电子束在所述缓冲气体的缓冲作用下将所述蚀刻气体轰击到所述目标修补区域内进行蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电子束的发射方向相对于目标相位移掩模版的透明基板的板面法线方向倾斜，所述电子束在出射后不与所述透明基板直接接触。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电子束的能量电压为0.6KV，所述蚀刻气体的蚀刻作业温度处于-30℃～-15℃，所述缓冲气体的注入流速为1sccm。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
针对所述期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比；
以所述期望器件线宽数值为基准采用所述规格波动百分比进行上下波动计算，得到所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中所述期望器件线宽数值处于所述线宽下限值与所述线宽上限值的中间位置。
7.一种掩模版修补装置，其特征在于，所述装置包括：
掩模版线宽获取模块，用于获取目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值，其中所述目标相位移掩模版的相移层在所述目标相位移掩模版的掩模图案区域内存在有相移材料残留物；
掩模版线宽检测模块，用于检测所述特征尺寸线宽数值是否处于期望器件线宽数值所在的合格器件线宽范围内；
蚀刻修补次数确定模块，用于在检测到所述特征尺寸线宽数值小于所述合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，根据所述特征尺寸线宽数值、所述期望器件线宽数值以及单次蚀刻修补作业所对应的线宽拓展数值，确定对应的目标修补次数；
掩模版蚀刻修补模块，用于针对所述目标相位移掩模版的与所述相移材料残留物对应的目标修补区域，重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在所述目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，使所述目标相位移掩模版在修补后的特征尺寸线宽数值处于所述合格器件线宽范围内。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
线宽波动配置模块，用于针对所述期望器件线宽数值配置对应的规格波动百分比；
器件线宽波动模块，用于以所述期望器件线宽数值为基准采用所述规格波动百分比进行上下波动计算，得到所述合格器件线宽范围的线宽下限值及线宽上限值，其中所述期望器件线宽数值处于所述线宽下限值与所述线宽上限值的中间位置。
9.一种掩模版修补控制设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序，以实现权利要求1-6中任意一项所述的掩模版修补方法。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-6中任意一项所述的掩模版修补方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111326898.8A CN113985696B (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111326898.8A CN113985696B (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113985696A true CN113985696A (zh) | 2022-01-28 |
| CN113985696B CN113985696B (zh) | 2024-07-19 |
Family
ID=79747649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111326898.8A Active CN113985696B (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113985696B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117289544A (zh) * | 2023-11-21 | 2023-12-26 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | Psm掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862827A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその修正方法 |
| JP2000029201A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスクの修正装置 |
| US6562248B1 (en) * | 2001-03-26 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Active control of phase shift mask etching process |
| CN101989036A (zh) * | 2009-08-04 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相移掩模遮光层残留物修复方法 |
| CN112099308A (zh) * | 2020-10-22 | 2020-12-18 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 衰减相移掩模版及其制程方法 |
| CN112433442A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-02 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质 |
| CN113467180A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-01 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移掩模版、掩模版修补方法及设备 |
-
2021
- 2021-11-10 CN CN202111326898.8A patent/CN113985696B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862827A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその修正方法 |
| JP2000029201A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスクの修正装置 |
| US6562248B1 (en) * | 2001-03-26 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Active control of phase shift mask etching process |
| CN101989036A (zh) * | 2009-08-04 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相移掩模遮光层残留物修复方法 |
| CN112099308A (zh) * | 2020-10-22 | 2020-12-18 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 衰减相移掩模版及其制程方法 |
| CN112433442A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-02 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质 |
| CN113467180A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-01 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移掩模版、掩模版修补方法及设备 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117289544A (zh) * | 2023-11-21 | 2023-12-26 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | Psm掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质 |
| CN117289544B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-20 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | Psm掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113985696B (zh) | 2024-07-19 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Gao Yi Inventor after: Zhang Zhewei Inventor after: Lin Jinhong Inventor after: Wang Meixia Inventor after: Zhu Jianan Inventor before: Gao Yi Inventor before: Zhang Zhewei Inventor before: Lin Jinhong Inventor before: Wang Meixia Inventor before: Zhu Jianan |
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| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| GR01 | Patent grant |