CN1159212C - 一种纳米级金属碲化物的制备方法 - Google Patents

一种纳米级金属碲化物的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1159212C
CN1159212C CNB02121431XA CN02121431A CN1159212C CN 1159212 C CN1159212 C CN 1159212C CN B02121431X A CNB02121431X A CN B02121431XA CN 02121431 A CN02121431 A CN 02121431A CN 1159212 C CN1159212 C CN 1159212C
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano level
hot pressure
pressure reaction
reaction still
nitric acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB02121431XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1384048A (zh
Inventor
南策文
邓元
周西松
韦国丹
刘静
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CNB02121431XA priority Critical patent/CN1159212C/zh
Publication of CN1384048A publication Critical patent/CN1384048A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1159212C publication Critical patent/CN1159212C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料MxTey(M=Bi、Sn、Pb)及以Bi2Te3或PbTe为基的掺杂Pb或Sn化合物。通过反应条件的控制,可方便地获得球形、方形及棒状纳米晶体粒子,其粒径小于100纳米。本方法具有操作简单(一次进料),能耗低(100℃~180℃合成),结晶度高,粒径小(平均50纳米左右),晶形可控(可得棒、球、片状产品)等特点;所制备的Bi2Te3、PbTe为基的化合物经烧结后分别是室温、中温区热电转换效率最高的热电材料。

Description

一种纳米级金属碲化物的制备方法
技术领域
本发明涉及一种热电材料的制备方法,尤其涉及一种纳米级碲化物的合成技术。可用于温差发电(废热利用)、热电致冷和微电子器件(芯片)的冷却等技术领域。
背景技术
Rowe在其编著的《CRC Handbook of Thermoelectrics》(由CRC Press1995年出版)一书中对热电材料进行了详细的介绍。在目前所有热电材料中,碲化铋(Bi2Te3)系和碲化铅(PbTe)系半导体材料分别是目前公认最好的室温、中温区热电材料。它们的热电转换效率用热电品质因子ZT来表示,其中Bi2Te3的ZT约为0.6(纯Bi2Te3)和1.0(掺杂Bi2Te3),它们已是当前商用热电器件的工业标准。由材料科学基础理论知:通过最优掺杂等手段控制半导体中载流子浓度,以达到增强半导体的电传输性能、同时增强对声子的散射作用,仍是提高热电材料性能的重要途径。故合成Bi2Te3或PbTe的固溶体或其掺杂化合物可改善材料的热电性能。
而制备工艺是热电材料技术的基础。目前碲化物热电材料有数种制备方法,大致可分固相法、液相法和气相法三大类。
固相法是最直接的合成方法,它是单质高温直接合成。Rowe在其书中详细介绍了碲化物热电材料的各种固相合成方法。包括熔融法,粉末冶金法,机械合金法,粉碎混合单质烧结法等。
由于固相法合成需较高的反应温度、相对长的反应时间及惰性气体的保护,材料的化学均匀性不好,且难以得到纳米级化合物。而化学成分均匀性与材料的热电性能密切相关,而纳米级前驱化合物也有利于降低材料的烧结温度。
Ritter报道了用有机金属配合物法合成碲化铋的方法(Inorg.Chem.1995,34,4278)。原料为Bi2O3、Te、酒石酸和硝酸等,但它也需要较高的反应温度及氢气的还原,产物中含有杂质,且反应物成本较高。
Warren等(J.Alloys Compd.1995,229,175)用金属盐溶液与H2Te反应合成了碲化铋。该方法使用了毒性大的气态H2Te,操作相对危险、毒性大,且H2Te室温下不稳定,易分解为氢气和单质碲,导致产物不纯。
气相法主要采用化学气相沉积。Boulouz等人(J.Cryst.Growth 1998,194,336)报道了以二甲基碲和二甲基铋为原料,气相沉积得到碲化物薄膜。但它也需要较高的反应温度(大于400℃),且反应物成本较高。
发明内容
本发明的目的是为了解决传统方法中合成碲化物热电材料存在的诸多问题,采用溶液化学方法(溶剂热法),在低温下直接合成碲化铋、碲化铅或碲化锡以及掺杂重原子的碲化铋、碲化铅,以降低反应温度、缩短反应时间,得到化学成分均匀的纳米级晶体材料,从而降低材料的烧结温度,节省能源。
本发明采用如下技术方案:一种纳米级二元金属碲化物化合物的制备方法,该方法按如下步骤进行:
(1)按化学计量比将可溶性金属铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐与碲粉相互混合,再称取相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾,将上述原料加入热压反应釜中;
(2).在热压反应釜中加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺至反应釜容量的80~90%,再加入一定量的氢氧化钾使碱浓度为1~2mol/L,在100℃~180℃反应15~40小时;然后自然冷却至室温,过滤,用水或乙醇充分洗涤,真空干燥,即得不同形貌的纳米级Bi2Te3或SnTe或PbTe化合物。
本发明还提供了一种纳米级三元金属碲化物化合物的制备方法,按如下步骤进行:
(1)将可溶性硝酸或氯化锡或铅盐与硝酸或氯化铋盐和碲粉相互混合,其摩尔比为:可溶性硝酸或氯化锡或铅盐∶硝酸或氯化铋盐∶碲粉=(0.02~0.5)∶1∶(1.52~2),再加入相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾,将上述原料加入热压反应釜中;
(2).在热压反应釜中加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺至其容量的80~90%,再称取一定量的氢氧化钾使碱浓度为1~2mol/L,在100℃~180℃反应15小时~40小时,然后自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空干燥,得黑色纳米级掺杂Pb或Sn的Bi2Te3或PbTe化合物。
本方法具有操作简单(一次进料),能耗低(100~180℃合成),结晶度高(产品为晶体),粒径小(平均50纳米左右),晶形可控等特点;通过反应条件的控制,可方便地获得球形、方形及棒状纳米晶体粒子。所制备的Bi2Te3、PbTe为基的化合物经烧结后分别是室温、中温区热电转换效率最高的热电材料。
附图说明
图1不同温度合成的Bi2Te3XRD谱;
图2Bi2Te3纳米棒TEM照片;
图3Bi2Te3纳米球TEM照片;
图4Bi2Te3纳米球TEM照片;
图5Bi2Te3纳米片TEM照片;
图6合成的SnTe的XRD谱;
图7合成的SnTe的TEM照片;
图8合成的SnBi2Te4的XRD谱;
图9合成的SnBi2Te4的TEM照片;
图10合成的Sn0.2Bi2Te3.2的XRD谱
图11合成的Sn0.2Bi2Te3.2的TEM照片
图11合成的Sn0.2Bi2Te3.2的TEM照片
图12合成的Pb0.02Bi2Te3.02的XRD谱
图13合成的Pb0.02Bi2Te3.02的TEM照片
具体实施方式
所有化学品均为市售分析纯,未经进一步纯化。
实施例1
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(90mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,100℃反应24小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空干燥,得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1a;形貌为棒状颗粒,棒径10纳米,长大于100纳米(见图2)。(图1已更改)
实施例2
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(120mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,130℃反应24小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1b;形貌为球形颗粒,平均粒径20纳米(见图3)。
实施例3
Bi(NO3)3·5H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(160mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的80%,100℃反应24小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空80℃干燥,得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1c;形貌为球形颗粒,平均粒径20纳米(见图4)。
实施例4
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(150mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,180℃反应15小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1d;形貌为片状颗粒,平均长度400纳米(见图5)。
实施例5
SnCl2·2H2O(20mmol)、Te粉(20mmol)、KOH(90mmol)和KBH4(20mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,180℃反应40小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色SnTe粉末。化合物XRD谱见图6;形貌为球形颗粒,平均粒径30纳米(见图7)。
实施例6
SnCl2·2H2O(10mmol)、BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(40mmol)、KOH(140mmol)和KBH4(40mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,100℃反应40小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色SnBi2Te4粉末。化合物XRD谱见图8;形貌为球形颗粒,平均粒径20纳米(见图9)。
实施例7
SnCl2·2H2O(2mmol)、BiCl3 2H2O(20mmol)、Te粉(32mmol)、KOH(150mmol)和KBH4(32mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的80%,180℃反应15小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色Sn0.2Bi2Te3.2粉末。化合物XRD谱见图10;形貌为球形颗粒,平均粒径50纳米(见图11)。
实施例8
Pb(NO3)2(1mmol)、BiCl3·2H2O(100mmol),Te粉(150mmol),KOH(150mmol)和KBH4(150mmol)加入到100ml热压反应釜中,加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90%,180℃反应30小时。自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空60℃干燥,得黑色Pb0.02Bi2Te3.02粉末。化合物XRD谱见图12;形貌为球形颗粒,平均粒径30纳米(见图13)。

Claims (2)

1.一种纳米级二元金属碲化物的制备方法,该方法按如下步骤进行:
(1)按化学计量比将可溶性金属铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐与碲粉相互混合,再称取相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾,将上述原料加入热压反应釜中;
(2)在热压反应釜中加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺至反应釜容量的80~90%,再加入一定量的氢氧化钾使碱浓度为1~2mol/L,在100℃~180℃反应15~40小时;然后自然冷却至室温,过滤,用水或乙醇充分洗涤,真空干燥,即得不同形貌的纳米级Bi2Te3或SnTe或PbTe化合物。
2.一种纳米级三元金属碲化物的制备方法,该方法按如下步骤进行:
(1)将可溶性硝酸或氯化锡或铅盐与硝酸或氯化铋盐和碲粉相互混合,其摩尔比为:可溶性硝酸或氯化锡或铅盐∶硝酸或氯化铋盐∶碲粉=(0.02~0.5)∶1∶(1.52~2),再加入相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾,将上述原料加入热压反应釜中;
(2)在热压反应釜中加入溶剂N,N-二甲基甲酰胺至其容量的80~90%,再称取一定量的氢氧化钾使碱浓度为1~2mol/L,在100℃~180℃反应15小时~40小时,然后自然冷却至室温,过滤,水、乙醇充分洗涤,真空干燥,得黑色纳米级掺杂Pb或Sn的Bi2Te3或PbTe化合物。
CNB02121431XA 2002-06-21 2002-06-21 一种纳米级金属碲化物的制备方法 Expired - Fee Related CN1159212C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB02121431XA CN1159212C (zh) 2002-06-21 2002-06-21 一种纳米级金属碲化物的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB02121431XA CN1159212C (zh) 2002-06-21 2002-06-21 一种纳米级金属碲化物的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1384048A CN1384048A (zh) 2002-12-11
CN1159212C true CN1159212C (zh) 2004-07-28

Family

ID=4744964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB02121431XA Expired - Fee Related CN1159212C (zh) 2002-06-21 2002-06-21 一种纳米级金属碲化物的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1159212C (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004105144A1 (ja) * 2003-05-20 2004-12-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 熱電変換材料及びその製法
CN100348755C (zh) * 2003-12-25 2007-11-14 同济大学 方钴矿系热电材料的合成方法
CN100419130C (zh) * 2004-11-03 2008-09-17 中国科学技术大学 Sb2Te3单晶纳米线有序阵列及其制备方法
US7309830B2 (en) * 2005-05-03 2007-12-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Nanostructured bulk thermoelectric material
CN100355645C (zh) * 2004-12-24 2007-12-19 同济大学 纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法
CN1333093C (zh) * 2005-11-17 2007-08-22 钢铁研究总院 铋-碲基热电合金的制备方法
CN100585032C (zh) * 2007-10-23 2010-01-27 南京航空航天大学 一种碲化铅纳米线制备方法
CN101311384B (zh) * 2008-02-27 2010-07-14 中国科学院理化技术研究所 CuTe单晶纳米带及其制备方法
CN101327915B (zh) * 2008-07-17 2010-04-07 武汉理工大学 Sb2Te3热电化合物的制备方法
CN101602496B (zh) * 2009-07-07 2011-05-25 同济大学 碲化铅薄膜和纳米粉体的同步制备方法
CN103058151B (zh) * 2013-01-16 2015-02-04 吉林大学 一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法
CN103274371B (zh) * 2013-06-07 2015-01-07 吉林大学 以烷基酰胺为溶剂制备油溶性碲化物半导体纳米晶的方法
CN103569975B (zh) * 2013-11-22 2015-09-09 北方民族大学 一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法
CN108367922A (zh) * 2015-06-01 2018-08-03 宝山钢铁股份有限公司 制造金属硫属元素化物纳米材料的水基方法
CN105200520B (zh) * 2015-10-09 2017-07-21 广东工业大学 一种制备Bi2(SexTe1‑x)3单晶纳米片的方法
CN105819411B (zh) * 2016-03-04 2018-01-23 山东科技大学 一种以三角形为基本单元的八面体SnTe纳米晶的制备方法
CN112723322A (zh) * 2021-01-29 2021-04-30 河南科技大学 一种利用水热法制备层状碲化铋纳米颗粒的方法
CN113582143A (zh) * 2021-07-29 2021-11-02 西安石油大学 一种金属碲化物纳米管及其普适性的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1384048A (zh) 2002-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1159212C (zh) 一种纳米级金属碲化物的制备方法
Yu et al. A new low temperature one-step route to metal chalcogenide semiconductors: PbE, Bi 2 E 3 (E= S, Se, Te)
Mamur et al. A review on bismuth telluride (Bi2Te3) nanostructure for thermoelectric applications
US7847179B2 (en) Thermoelectric compositions and process
Guin et al. High thermoelectric performance in tellurium free p-type AgSbSe 2
Yu et al. A solvothermal decomposition process for fabrication and particle sizes control of Bi 2 S 3 nanowires
US20110100409A1 (en) Thermoelectric nano-composite, and thermoelectric module and thermoelectric apparatus including the thermoelectric nano-composite
CN101219779B (zh) 复合碱金属氢氧化物溶剂制备硒化物或碲化物纳米材料的方法
CN102760830B (zh) CoSb3/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
Sulaiman et al. Review on grain size effects on thermal conductivity in ZnO thermoelectric materials
EP1174933B1 (en) Complex oxide having high thermoelectric conversion efficiency
CN101486450B (zh) 一种碲化铅基块体热电材料的制备方法
CN107400917A (zh) 一种SnSe2晶体化合物及其制备方法和应用
CN111252802A (zh) 一种银基硫族化合物Ag2X热电材料的制备方法
Wudil et al. The multi-dimensional approach to synergistically improve the performance of inorganic thermoelectric materials: A critical review
Tang et al. BiCuSeO based thermoelectric materials: Innovations and challenges
Yuan et al. Preparation of zinc and cerium or both doped Cu2O photoelectric material via hydrothermal method
Thakur et al. Investigating phase transition and morphology of Bi-Te thermoelectric system
Ullah et al. Growth and characterization of Ag–Al2O3 composites thin films for thermoelectric power generation applications
CN1182070C (zh) 一种钴酸钙基氧化物热电材料及其制备方法
Bai et al. Synthesis of various metal selenide nanostructures using the novel selenium precursor 1, 5-bis (3-methylimidazole-2-selone) pentane
CN101074463A (zh) 一种填充型锑基方钴矿化合物及其制备方法
Zhang et al. A Study on N-Type Bismuth Sulphochloride (BiSCl): Efficient Synthesis and Characterization
Burkov et al. Silicide Thermoelectrics
CN1526638A (zh) 含稀土元素的Bi2Te3基热电材料纳米粉的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040728

Termination date: 20110621