CN115612981A - 双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台 - Google Patents

双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件，其中部分的双层式遮蔽构件及承载盘位于反应腔体内。双层式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第一保护板、一第二遮蔽板、一第二保护板及一驱动装置，其中驱动装置连接第一及第二遮蔽板，并驱动第一及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行清洁制程时，驱动装置会带动第一及第二遮蔽板相互靠近。第一及第二保护板分别设置在第一及第二遮蔽板的表面，其中第一及第二保护板与第一及第二遮蔽板之间存在一间隔，可防止第一及第二遮蔽板发生高温变形，以提高遮蔽的效果。

Description

双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台
技术领域
本发明有关于一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要通过双层式遮蔽构件遮挡承载盘，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。
背景技术
化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。
腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
在经过一段时间的使用后，腔体的内表面会形成沉积薄膜，因此需要周期性的清洁腔体，以避免沉积薄膜在制程中掉落，进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物，因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言，通常会通过预烧(burn-in)制程，以电浆离子撞击腔体内的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。
在进行上述清洁腔体及靶材时，需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出，或者隔离晶圆承载盘，以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。
发明内容
一般而言，薄膜沉积机台在经过一段时间的使用后，通常需要进行清洁，以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘，因此需要隔离承载盘及污染物。本发明提出一种双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要通过驱动装置带动两个遮蔽板朝相反方向摆动，使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。两个遮蔽板朝向靶材的表面上分别设置一保护板，其中保护板用以保护遮蔽板以避免清洁过程中产生的高温或高温物质损害遮蔽板。
本发明的一目的，在于提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件。双层式遮蔽构件包括一驱动装置、两个遮蔽板及两个保护板，其中驱动装置连接两个遮蔽板，而保护板则设置在遮蔽板朝向靶材的表面上。
在清洁反应腔体时，两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互靠近，并通过两个遮蔽板遮挡容置空间内的承载盘，以避免清洁过程中使用的电浆或产生的污染接触承载盘。在进行沉积制程时，两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互远离，并可对反应腔体内的基板进行薄膜沉积。
当两个遮蔽板操作在遮蔽状态时，设置在遮蔽板上两个保护板亦会相互靠近，并用遮挡两个遮蔽板。此外，保护板与遮蔽板之间具有一间隔，可有效隔离遮蔽板与清洁过程中产生的高温或高温物质，以降低遮蔽板受热变形的机会。
本发明的一目的，在于提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其中操作在遮蔽状态的两个遮蔽板之间具有一第一间隙，而设置在遮蔽板上的两个保护板之间则具有一第二间隙。两个遮蔽板之间的第一间隙与两个保护板之间的第二间隙彼此错开，使得操作在遮蔽状态的保护板及遮蔽板可有效阻隔靶材及承载盘，以避免清洁过程中产生的污染物接触承载盘。
本发明的一目的，在于提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要通过两个遮蔽板构成一个完整的遮蔽件，可缩小收纳遮蔽板需要的空间。在本发明一实施例中，两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内进行相反方向的摆动，其中两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内操作在开启状态或遮蔽状态，可简化反应腔体的构造及缩小反应腔体的体积。此外亦可进一步使用厚度较大的遮蔽板，以防止遮蔽板在清洁薄膜沉积机台时发生高温变形，并有利于提高遮蔽板遮挡承载盘的效果。
为了达到上述的目的，本发明提出一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于容置空间内，并用以承载至少一基板；及一双层式遮蔽构件，包括：一第一遮蔽板，位于容置空间内；一第一保护板，设置于第一遮蔽板的一表面；一第二遮蔽板，位于容置空间内；一第二保护板，设置于第二遮蔽板的一表面；及一驱动装置，连接第一遮蔽板及第二遮蔽板，并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向摆动，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板会相互靠近，并用以遮挡承载盘，而第一保护板及第二保护板亦会相互靠近，并用以遮挡第一遮蔽板及第二遮蔽板。
本发明提出一种双层式遮蔽构件，适用于一薄膜沉积机台，包括：一第一遮蔽板；一第一保护板，设置于第一遮蔽板的一表面；一第二遮蔽板；一第二保护板，设置于第二遮蔽板的一表面；及一驱动装置，连接第一遮蔽板及第二遮蔽板，并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向摆动，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板会相互靠近，而第一保护板及第二保护板亦会相互靠近，并用以遮挡第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台及双层式遮蔽构件，其中驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达，驱动马达通过轴封装置连接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台及双层式遮蔽构件，包括一靶材位于反应腔体的容置空间内并面对承载盘，操作在遮蔽状态的第一遮蔽板与及第二遮蔽板位于靶材与承载盘之间，而第一保护板及第二保护板则位于靶材与第一遮蔽板及第二遮蔽板之间。
所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台及双层式遮蔽构件，其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板之间具有一第一间隙，而第一保护板及第二保护板之间则具有一第二间隙，第一间隙与第二间隙不重叠。
所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台及双层式遮蔽构件，其中第一保护板的面积大于第二保护板的面积，或是第一遮蔽板的面积大于第二遮蔽板的面积。
所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，包括两个感测区连接反应腔体，两个感测区分别包括一感测空间流体连接容置空间，两个感测区的厚度小于反应腔体，其中两个感测区分别设置至少一位置感测单元，用以感测进入感测空间的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
本发明的有益效果是：提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，在清洁反应腔体时，驱动装置则会带动第一及第二遮蔽板相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘，避免在清洁薄膜沉积机台的过程中污染承载盘。
附图说明
图1为本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。
图2为本发明薄膜沉积机台的双层式遮蔽构件操作在开启状态一实施例的立体示意图。
图3为本发明薄膜沉积机台的双层式遮蔽构件操作在遮蔽状态一实施例的立体示意图。
图4为本发明薄膜沉积机台的双层式遮蔽构件操作在开启状态又一实施例的立体示意图。
图5为本发明薄膜沉积机台的双层式遮蔽构件操作在遮蔽状态又一实施例的立体示意图。
图6为本发明双层式遮蔽构件操作在遮蔽状态一实施例的部分放大剖面示意图。
图7为本发明双层式遮蔽构件操作在遮蔽状态又一实施例的部分放大剖面示意图。
图8为本发明双层式遮蔽构件的驱动装置一实施例的立体剖面示意图。
图9为本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台操作在开启状态一实施例的俯视图。
图10为本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台操作在遮蔽状态一实施例的俯视图。
图11为本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台操作在开启状态又一实施例的俯视图。
附图标记说明：10-具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台；100-双层式遮蔽构件；11-反应腔体；111-挡件；112-开口；113-感测区；12-容置空间；120-感测空间；121-清洁空间；13-承载盘；141-第一连接臂；143-第二连接臂；15-遮蔽件；151-第一遮蔽板；152-间隔空间；153-第二遮蔽板；154-第一间隙；161-靶材；163-基板；17-驱动装置；171-驱动马达；173-轴封装置；1731-外管体；1732-空间；1733-轴体；181-第一保护板；182-间隔；183-第二保护板；184-第二间隙；185-支撑单元；19-位置感测单元。
具体实施方式
请参阅图1，为本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。如图所示，具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台10主要包括一反应腔体11、一承载盘13及一双层式遮蔽构件100，其中反应腔体11包括一容置空间12用以容置承载盘13及部分的双层式遮蔽构件100。
承载盘13位于反应腔体11的容置空间12内，并用以承载至少一基板163。以具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台10为物理气相沉积腔体为例，反应腔体11的容置空间12内设置一靶材161，其中靶材161面对及承载盘13。例如靶材161可设置在反应腔体11的上方，并朝向位于容置空间12内的承载盘13及/或基板163。
请配合参阅图2及图3，双层式遮蔽构件100包括一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153、一第一保护板181、一第二保护板183及一驱动装置17，其中第一遮蔽板151、第二遮蔽板153、第一保护板181及第二保护板183位于容置空间12内，而部分驱动装置17位于容置空间12内。
驱动装置17连接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，并分别驱动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向摆动，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在开启状态及遮蔽状态之间切换，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153以驱动装置17为轴心同步摆动。
在本发明一实施例中，驱动装置17连接一第一连接臂141及一第二连接臂143，并通过第一连接臂141及一第二连接臂143分别连接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，其中驱动装置17分别通过第一连接臂141及第二连接臂143带动第一及第二遮蔽板151/153及第一及第二保护板181/183朝相反方向摆动或转动。
在本发明一实施例中，第一遮蔽板151、第二遮蔽板153、第一保护板181及第二保护板183可为板体，例如为半圆形或部分圆形的板体。当驱动装置17带动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽状态时，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153会相靠近形成一圆板状的遮蔽件15，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153构成的遮蔽件15会位于承载盘13与靶材161之间，并用以遮挡承载盘13及/或基板163。
具体而言，操作在遮蔽状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的一表面(如上表面)朝向靶材161，而另一表面(如下表面)则朝向承载盘13。第一保护板181及第二保护板183分别设置在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝向靶材161的表面(如上表面)，其中操作在遮蔽状态的第一及第二保护板181/183位于第一及第二遮蔽板151/153与靶材161之间。
第一及第二保护板181/183主要用以隔离清洁反应腔体11及靶材161时产生的高温或高温物质直接接触第一及第二遮蔽板151/153，以避免第一及第二遮蔽板151/153发生高温变形，进而影响遮蔽承载盘13的效果。
此外当驱动装置17驱动第一及第二遮蔽板151/153相互靠近，并操作在遮蔽状态时，第一及第二保护板181/183亦会相互靠近，并操作在遮蔽状态以遮挡第一及第二遮蔽板151/153。
本发明实施例所述的第一及第二遮蔽板151/153操作在遮蔽状态或相连接，可被定义为第一及第二遮蔽板151/153相互靠近，直到两者之间的间距小于一门坎值，例如小于1mm。此外操作在遮蔽状态的第一及第二保护板181/183之间的间距亦可小于一门坎值。具体而言，第一及第二遮蔽板151/153并不会直接接触，而第一及第二保护板181/183亦不会直接接触，以防止在接触过程中产生微粒，污染反应腔体11的容置空间12及/或承载盘13。
在本发明一实施例中，如图2、图3及图6所示，第一及第二遮蔽板151/153的面积约略相同，而第一及第二保护板181/183亦约略相同。第一及第二保护板181/183可通过复数个支撑单元185连接第一及第二遮蔽板151/153，其中第一及第二保护板181/183与第一及第二遮蔽板151/153之间具有一间隔182。间隔182可阻隔热量由第一及第二保护板181/183传导至第一及第二遮蔽板151/153，以降低第一及第二遮蔽板151/153受热变形的机率。
第一及第二遮蔽板151/153操作在遮蔽状态时，第一及第二遮蔽板151/153之间具有一第一间隙154，而第一及第二保护板181/183之间则具有一第二间隙184。在本发明一实施例中，如图3及图6所示，第一间隙154约略与第二间隙184重叠，其中第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183可以是面积相近的半圆形的盘体。
在本发明另一实施例中，如图5及图7所示，第一间隙154与第二间隙184不相互重叠，其中第一及第二遮蔽板151/153的面积约略相同，而第一及第二保护板181/183的面积则不相同，例如第一保护板181的面积大于第二保护板183。在实际应用时亦可使得第一及第二保护板181/183的面积约略相同，而第一及第二遮蔽板151/153的面积则不相同，例如第一遮蔽板151的面积大于第二遮蔽板153的面积，皆可使得第一间隙154与第二间隙184的位置错开。
当第一间隙154不与第二间隙184重叠时，可避免清洁时的热量或高温物质通过第二间隙184，进而经由第一间隙154传递至承载盘13，以提高双层式遮蔽构件100对承载盘13的遮蔽效果。
在本发明一实施例中，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可设置在不同的高度，而第一保护板181及第二保护板183亦可设置在不同高度，例如第一遮蔽板151高于第二遮蔽板153，而第一保护板181高于第二保护板183。当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽状态时，部分的第一遮蔽板151会与部分的第二遮蔽板153重叠，而部分的第一保护板181则会与部分的第二保护板183重叠，可进一步提高对承载盘13的遮挡效果。
上述第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183为半圆形的盘状仅为本发明一实施例，在不同实施例中第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183可为任意的几何形状。
在本发明一实施例中，如图8所示，驱动装置17包括至少一驱动马达171及一轴封装置173，其中驱动马达171通过轴封装置173连接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驱动马达171位于反应腔体11的容置空间12外，而轴封装置173则穿过并设置在反应腔体11，其中部分的轴封装置173位于反应腔体11的容置空间12内。
轴封装置173包括一外管体1731及一轴体1733。外管体1731包括一空间1732用以容置轴体1733，其中外管体1731及轴体1733同轴设置，外管体1731固定在反应腔体11上，且外管体1731及轴体1733可相对转动。外管体1731连接第一连接臂141，并经由第一连接臂141连接并带动第一遮蔽板151摆动。轴体1733连接第二连接臂143，并经由第二连接臂143连接并带动第二遮蔽板153摆动。轴封装置173可以是一般常见的轴封或磁流体轴封，主要用以隔离反应腔体11的容置空间12与外部的空间，以维持容置空间12的真空。
在本发明一实施例中，如图8所示，驱动马达171的数量可为两个，两个驱动马达171分别连接轴封装置173的外管体1731及轴体1733，并分别驱动外管体1731及轴体1733朝相反方向同步转动，以通过外管体1731及轴体1733分别带动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝不同方向摆动。
在本发明另一实施例中，驱动马达171的数量可为一个，并通过一连动机构分别经由外管体1731及轴体1733分别连接及驱动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向同步摆动。此外在本发明上述实施例中，以单一个驱动装置17做为说明，但在实际应用时驱动装置17亦可为两个，并分别连接并驱动第一及第二遮蔽板151/153。
具体而言，本发明具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台10及/或双层式遮蔽构件100可操作在两种状态，分别是开启状态及遮蔽状态。如图2、图4、图9及图11所示，驱动装置17可驱动第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183朝相反方向摆动，使得第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183相互远离，并操作在开启状态。操作在开启状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之间会形成一间隔空间152，使得靶材161与承载盘13及基板163之间不存在第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183，其中靶材161经由间隔空间152面对承载盘13。
在本发明一实施例中，如图1所示，反应腔体11的容置空间12可设置一挡件111，其中挡件111的一端连接反应腔体11，而挡件111的另一端则形成一开口112。承载盘13朝靶材161靠近时，会进入或接触挡件111形成的开口112。反应腔体11、承载盘13及挡件111会在容置空间12内区隔出一反应空间，并在反应空间内的基板163表面沉积薄膜，可防止在反应空间外的反应腔体11及承载盘13的表面形成沉积薄膜。
此外，如图3、图5及图10所示，驱动装置17可驱动第一及第二遮蔽板151/153与第一及第二保护板181/183朝相反方向摆动，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，并形成遮蔽件15。
遮蔽件15可在容置空间12内区隔一清洁空间121，其中清洁空间121与反应空间的区域部分重叠或相近。可在清洁空间121内进行预烧(burn-in)制程，以清洁靶材161及清洁空间121内的反应腔体11及/或挡件111，并去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他污染物，及反应腔体11及/或挡件111表面沉积的薄膜。
在清洁具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台10的过程中，承载盘13及/或基板163会被遮蔽件15遮挡或隔离，以避免清洁过程中产生的物质污染或沉积在承载盘13及/或基板163的表面。
在本发明一实施例中，如图9及图10所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以在反应腔体11的容置空间12内操作在开启状态及遮蔽状态，而不需要额外设置一个或多个储存腔体来储存开启状态的遮蔽板。例如可使得反应腔体11及/容置空间12的体积略大于原本的体积。
在本发明一实施例中，可进一步在反应腔体11上设置复数个位置感测单元19，例如位置感测单元19可以是光感测单元，并用以感测第一及第二遮蔽板151/153及/或第一及第二保护板181/183的位置，以判断第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否处在开启状态，可避免承载盘13、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153发生不正常的碰撞。
此外可依据具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台10上其他机构或动线的配置，调整双层式遮蔽构件100在反应腔体11的位置。以反应腔体11的容置空间12为立方体为例，如图9及图10所示，双层式遮蔽构件100的驱动装置17可设置在反应腔体11及/或容置空间12的侧边。如图11所示，双层式遮蔽构件100的驱动装置17亦可设置在反应腔体11/或容置空间12的角落或顶角，以利于在反应腔体11的侧边设置基板进料口及抽气管线等机构。
在本发明一实施例中，反应腔体11可连接两个感测区113，其中感测区113凸出反应腔体11的侧表面，且感测区113的厚度小于反应腔体11。两个感测区113分别包括一感测空间120，且感测区113的感测空间120流体连接反应腔体11的容置空间12，其中感测空间120的厚度或高度小于容置空间12。当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在开启状态时，部分的第一及第二遮蔽板151/153与部分的第一及第二保护板181/183会分别进入流体连接容置空间12的两个感测空间120，其中位于感测空间120内的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面积小于位于容置空间12内的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面积。
如图11所示，两个感测区113分别设置在反应腔体11相邻的两个侧边，并于两个感测区113上分别设置至少一位置感测单元19，分别用以感测进入感测空间120的第一及第二遮蔽板151/153及/或第一及第二保护板181/183。
本发明优点：
提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，在清洁反应腔体时，驱动装置会带动第一及第二遮蔽板相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘，避免在清洁薄膜沉积机台的过程中污染承载盘。
以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，即凡依本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，包括：
一反应腔体，包括一容置空间；
一承载盘，位于该容置空间内，并用以承载至少一基板；及
一双层式遮蔽构件，包括：
一第一遮蔽板，位于该容置空间内；
一第一保护板，设置于该第一遮蔽板的一表面；
一第二遮蔽板，位于该容置空间内；
一第二保护板，设置于该第二遮蔽板的一表面；及
一驱动装置，连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板，并分别驱动该第一遮蔽板及该第二遮蔽板朝相反方向摆动，使得该第一遮蔽板及该第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板会相互靠近，并用以遮挡该承载盘，而该第一保护板及该第二保护板亦会相互靠近，并用以遮挡该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
2.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达，该驱动马达通过该轴封装置连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
3.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，包括一靶材位于该反应腔体的该容置空间内并面对该承载盘，操作在该遮蔽状态的该第一遮蔽板与及该第二遮蔽板位于该靶材与该承载盘之间，而该第一保护板及该第二保护板则位于该靶材与该第一遮蔽板及该第二遮蔽板之间。
4.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板之间具有一第一间隙，而该第一保护板及该第二保护板之间则具有一第二间隙，该第一间隙与该第二间隙不重叠。
5.根据权利要求4所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该第一保护板的面积大于该第二保护板的面积，或是该第一遮蔽板的面积大于该第二遮蔽板的面积。
6.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其特征在于，包括两个感测区连接该反应腔体，该两个感测区分别包括一感测空间流体连接该容置空间，该两个感测区的厚度小于该反应腔体，其中该两个感测区分别设置至少一位置感测单元，用以感测进入该感测空间的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
7.一种双层式遮蔽构件，适用于一薄膜沉积机台，其特征在于，包括：
一第一遮蔽板；
一第一保护板，设置于该第一遮蔽板的一表面；
一第二遮蔽板；
一第二保护板，设置于该第二遮蔽板的一表面；及
一驱动装置，连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板，并分别驱动该第一遮蔽板及该第二遮蔽板朝相反方向摆动，使得该第一遮蔽板及该第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板会相互靠近，而该第一保护板及该第二保护板亦会相互靠近，并用以遮挡该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
8.根据权利要求7所述的双层式遮蔽构件，其特征在于，其中该驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达，该驱动马达通过该轴封装置连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
9.根据权利要求7所述的双层式遮蔽构件，其特征在于，其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板之间具有一第一间隙，而该第一保护板及该第二保护板之间则具有一第二间隙，该第一间隙与该第二间隙不重叠。
10.根据权利要求9所述的双层式遮蔽构件，其特征在于，其中该第一保护板的面积大于该第二保护板的面积，或是该第一遮蔽板的面积大于该第二遮蔽板的面积。
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