CN115595549A - 腔室内部处理方法及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及腔室内部处理方法及基板处理方法，更详细地说，涉及对腔室及腔室内部结构执行处理的腔室内部处理方法及基板处理方法。本发明公开了一种腔室内部处理方法，处理执行基板处理的腔室内部，其特征在于，包括：增压步骤(S100)，利用增压气体将所述腔室内的压力上升至大于大气压的第一压力(P1)；降压步骤(S200)，在所述增压步骤(S100)之后将所述腔室内的压力从所述第一压力(P1)降低至第二压力(P2)；其中，所述增压步骤(S100)及所述降压步骤(S200)在所述腔室内部清除处理对象基板的状态下执行。

Description

腔室内部处理方法及基板处理方法
技术领域
本发明涉及腔室内部处理方法及基板处理方法，更详细地说，涉及对腔室及腔室内部结构执行处理的腔室内部处理方法及基板处理方法。
背景技术
半导体、LCD基板、OLED基板等的元件通过包括一个以上的沉积工艺及蚀刻工艺的半导体工艺制造而成。
尤其是，半导体元件可通过沉积工艺在基板表面形成薄膜，以形成电路图案。这可通过CVD、PVD、ALD等各种半导体工艺执行。
另一方面，根据上述的沉积工艺，在腔室及腔室内部，即腔室内壁及内部设置结构可沉积在沉积时使用的物质，这些物质存在随着基板处理的执行而持续变厚进而脱落被当成颗粒的问题。
据此，在处理的基板附着杂质，出现降低基板处理的完成度的问题。
为了持续去除这些物质，需要持续执行维护，据此存在增加用于基板处理的时间并且降低效率的问题。
(专利文献1)KR 10-2020-0006422 A1
(专利文献2)KR 10-2020-0029895 A1
(专利文献3)KR 10-2020-0031798 A1
发明内容
要解决的问题
本发明的目的在于，为了解决如上所述的问题，提供一种对腔室及腔室内部清除污染物及可防止沉积的腔室内部处理方法及基板处理方法。
解决问题的手段
本发明是为了达到如上所述的本发明的目的而提出的，本发明公开了一种腔室内部处理方法，包括：增压步骤S100，利用增压气体将所述腔室内的压力上升至大于大气压的第一压力P1；降压步骤S200，在所述增压步骤S100之后将所述腔室内的压力从所述第一压力P1降低至第二压力P2；其中，所述增压步骤S100及所述降压步骤S200在所述腔室内部清除处理对象基板的状态下执行。
所述第二压力P2可以是低于大气压的压力。
将所述增压步骤S100和所述降压步骤S200作为一个单位循环，并且可执行n次(n≥1)。
所述增压气体可以是氢气(H2)。
所述增压步骤S100为，在所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料的表面结合所述增压气体的组成物质中的一部分或者全部，可涂敷所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料的表面。
所述腔室及设置在所述腔室内的内部材料中的至少一种可包含石英材料。
设置在所述腔室内的内部材料可包括基板支撑部，所述基板支撑部设置成移动于所述腔室内外并且支撑至少一个替代基板。
所述增压步骤S100为，在所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料中的至少一处表面或者内部所述增压气体与杂质产生反应形成副产物；所述降压步骤S200向腔室外部排放所述副产物。
在所述增压步骤S100之前还可包括处理与否判断步骤S500，所述处理与否判断步骤S500判断对所述腔室内部的处理必要性。
所述处理与否判断步骤S500对于在所述腔室内完成处理的基板测量面电阻，在测量值在提前设定的值以上的情况下，可决定进行增压步骤S100。
所述增压步骤S100可包括：压力上升步骤，将所述腔室内的压力上升至所述第一压力P1；高压保持步骤，在所述压力上升步骤之后将所述腔室内的压力以所述第一压力P1保持预定时间。
所述腔室内部处理方法可包括：升温步骤，将所述腔室内的温度从第一温度T1上升至高于常温的处理温度T2；高温保持步骤，保持所述处理温度T2；降温步骤，将所述腔室内的温度从处理温度T2下降至第二温度T3；其中，所述增压步骤S100及所述降压步骤S200为一个单位循环，执行n次(n≥1)，并且至少一个单位循环可在所述高温保持步骤期间执行。
所述腔室内部处理方法可包括：升温步骤，将所述腔室内的温度从第一温度T1上升至高于常温的处理温度T2；降温步骤，将所述腔室内的温度从处理温度T2下降至第二温度T3；其中，所述升温步骤或者所述降温步骤可在所述高压保持步骤期间执行。
在将所述增压步骤S100和所述降压步骤S200为一个单位循环时，将单位循环反复执行n次(n≥2)，所述降温步骤可在第n次增压步骤的高压保持步骤期间执行。
另外，本发明公开了一种基板处理方法，包括：腔室内部处理步骤S10，通过权利要求1至14中的任意一项的腔室内部处理方法执行，所述腔室内部处理方法处理执行基板处理的所述腔室内部；基板导入步骤S300，在所述腔室内部处理步骤S10之后将处理对象基板导入所述腔室；基板处理步骤S20，对于导入所述腔室内的基板执行基板处理；基板运出步骤S400，将通过所述基板处理步骤S20完成处理的基板运出；所述基板导入步骤S300、基板处理步骤S20及基板运出步骤S400为一个单位工艺S30，反复执行n次(n≥2)。
所述腔室内部处理步骤S10可在单位工艺S30和单位工艺S30之间或者最初单位工艺S30之前执行。
所述腔室内部处理步骤S10在单位工艺S30和单位工艺S30之间执行，还可包括处理与否判断步骤S500，以在执行所述单位工艺S30之后判断对所述腔室内部的处理必要性。
所述处理与否判断步骤S500可以是对于完成处理的基板测量面电阻，在测量值在提前设定的值以上的情况下进行所述腔室内部处理步骤S10，在测量值不足提前设定的值的情况下进行所述单位工艺S30。
所述基板处理步骤S20可包括：基板处理增压步骤，将所述腔室内的压力上升至高于大气压的压力；基板处理降压步骤，在所述基板处理增压步骤之后降低所述腔室内的压力。
所述基板处理降压步骤将所述腔室内的压力降低至低于大气压的压力；所述基板处理增压步骤及所述基板处理降压步骤反复执行多次。
发明的效果
本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法具有可有效清除腔室内壁及腔室内部材料的污染物质、颗粒等优点。
尤其是，本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法随时及定期清洁腔室内壁及腔室内部材料的污染物质、颗粒，进而延长整体维护的周期，具有提高工艺效率的优点。
不仅如此，本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法为从腔室内壁及腔室内部材料的表面渗透至预定深度的内部来分离污染源之后排放到外部，进而具有可执行高质量清洁的优点。
另外，本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法可具有通过执行腔室内壁及腔室内部材料的陈化可有效防止在基板处理工艺过程中在腔室内壁及腔室内部材料沉积薄膜的优点。
尤其是，本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法利用氢气对于主要由石英材料构成的腔室内部材料执行处理，进而有效防止吸附氧气，具有可有效地用于对氧气敏感的工艺的优点。
结果，本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法具有通过对腔室内部的处理更加有效改善在相同的腔室内处理的基板上形成的薄膜特性(ex.面电阻)的优点。
附图说明
图1是示出在执行本发明的腔室内部处理方法时的压力及温度变化的曲线图。
图2是示出图1的腔室内部处理方法的一实施例的流程图。
图3是示出图1的腔室内部处理方法的另一实施例的流程图。
图4是示出本发明的基板处理方法的一实施例的流程图。
图5是示出图4的基板处理方法的另一实施例的流程图。
图6是示出图1的腔室内部处理方法的效果的曲线图。
附图标记说明
P1：第一压力 P2：第二压力
T1：第一温度 T2：处理温度
T3：第二温度
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的腔室内部处理方法及基板处理方法。
如图4及图5所示，本发明的基板处理方法包括：腔室内部处理步骤S10，处理执行基板处理的所述腔室内部；基板导入步骤S300，在所述腔室内部处理步骤之后将处理对象基板导入所述腔室；基板处理步骤S20，对于导入所述腔室内的基板执行基板处理；基板运出步骤S400，将通过所述基板处理步骤S20完成处理的基板运出；其中，所述基板导入步骤S300、基板处理步骤S20及基板运出步骤S400为一个单位工艺S30反复执行n次。
在此，对于作为处理对象的所述基板可理解为包括在LED、LCD、OLED等的显示装置使用的基板、半导体基板、太阳能电池基板、玻璃基板等的所有基板的含义。
所述腔室作为形成处理空间来处理基板的结构，可具有各种结构。
此时，所述腔室可以是对单一基板执行基板处理的结构；作为另一示例，可以是以垂直方层叠多个基板来批量式执行基板处理的结构。
以下，以能够同时处理多个基板的批量式结构的实施例为准进行说明，并且当然也可适用对单一基板执行基板处理的单晶片结构。
所述腔室可具有单管或者双重管结构，可以是形成有内部的处理空间并且通过下部的歧管供应气体或者排放气体的结构，
此时，所述腔室作为开放下部的结构，可通过帽垫圈等来开关下部，由此形成密封的处理空间，可导入及导出基板。
另一方面，此时所述腔室可由包含铝在内的金属材料构成，作为另一示例可用石英材料构成。
另一方面，所述腔室在处理空间可具有用于处理基板的各种内部材料，举一示例可包括基板支撑部，所述基板支撑部设置成可移动于腔室内外并且支撑至少一个替代基板。
此时，所述基板支撑部可以是在批量式结构中以垂直方向层叠并支撑多个基板并且通过开关的腔室下部可进行上下移动的结构。
据此，所述基板支撑部向腔室内的处理空间升降以在支撑多个基板的状态下执行基板处理，并且通过腔室下部下降向装载空间移动可执行对多个基板的装载及卸载。
在该过程中，所述基板支撑部在装载空间中暴露在多种外部气体下，例如氧气(O2)，并且这些外部气体一同进入处理空间内妨碍工艺过程或者可变质为杂质、污染物质。
结果，需要对于以氧气为代表的外部气体执行吹扫及腔室、腔室内部材料的陈化、清洁工艺。
更进一步地，不仅是上述的外部气体，还因为在基板处理过程本身产生的污染物质堆积在腔室内部等，引起在之后执行的基板处理中作为颗粒造成影响的问题，为了改善这种问题，需要执行腔室内部及腔室内部材料的清洁工艺。
另一方面，此时所述基板支撑部在清除处理对象基板的状态下执行处理，此时通常可一同清除配置在最上端及最下端的替代基板。
更进一步地，所述基板支撑部与上述的腔室相同，可用石英材料构成。
所述腔室内部处理步骤S10可以是处理执行基板处理的腔室内部的步骤，对此的说明将在腔室内部处理方法中进行详细说明。
所述基板导入步骤S300作为在腔室内部处理步骤S10之后向腔室导入处理对象基板的步骤，可通过各种方法执行。
例如，所述基板导入步骤S300在通过腔室内部处理步骤S10对于腔室内部及内部材料完成处理的状态下可将处理对象基板导入腔室内。
此时，所述基板导入步骤S300将完成处理的基板支撑部下降至装载区域，在装载多个基板之后将基板支撑部上升至处理空间，进而可将基板导入腔室内。
所述基板处理步骤S20作为对导入于腔室内的基板执行基板处理的步骤，可通过各种方法执行。
此时，所述基板处理步骤S20可执行沉积工艺、蚀刻工艺、热处理工艺等各种工艺，也可适用以往公开的处理基板的任何一种工艺。
尤其是，所述基板处理步骤S20对于多个基板可执行热处理等退火工艺。
更加具体地说，所述基板处理步骤S20可包括：基板处理增压步骤，将所述腔室内的压力上升至高于大气压的第三压力；基板处理降压步骤，在所述基板处理增压步骤之后将所述腔室内的压力从所述第三压力降低至第四压力。
此时，所述第四压力为低于大气压的压力，基板处理增压步骤及所述基板处理降压步骤可反复执行多次。
另一方面，在所述基板处理步骤S20中执行的基板处理增压步骤及所述基板处理降压步骤能够以与后述的增压步骤S100及降压步骤S200相同或者类似的模式进行，此时可适用不同的压力条件及温度条件。
另一方面，对于所述基板处理步骤S20的详细说明可适用韩国公开公报KR10-2020-0006422A、KR10-2020-0029895A、KR10-2020-0031798A的内容，并且可包括所述公开公报公开的内容。
所述基板运出步骤S400作为将通过基板处理步骤S20完成处理的基板运出的步骤，可通过各种方法执行。
例如，所述基板运出步骤S400可执行将支撑完成处理的基板的基板支撑部从处理空间下降至装载区域，并且可在装载区域卸载完成处理的基板。
另一方面，所述基板导入步骤S300、基板处理步骤S20及基板运出步骤S400作为一个单位工艺S30可反复执行，以对多个基板执行基板处理。
在该过程中，腔室内部处理步骤S10可以是在执行单位工艺S30之前对腔室进行初始设置时执行。
即，如图4所示，所述腔室内部处理步骤S10可以是为了在执行单位工艺S30之前对执行基板处理的腔室进行初始设置时对腔室内部及内部材料进行处理而执行，在完成对腔室内部的处理的状态下可反复执行基板导入步骤S300、基板处理步骤S20及基板运出步骤S400的单位工艺S30。
另一方面，作为另一示例，如图5所示，所述腔室内部处理步骤S10可在单位工艺S30和单位工艺S30之间执行，为此在腔室内部处理步骤S10之前还可包括判断对腔室内部的处理必要性的处理与否判断步骤S500。
此时，所述处理与否判断步骤S500在完成单位工艺S30的执行的状态下判断对腔室内部及内部材料的处理必要性，进而可引导持续反复执行单位工艺S30或者执行腔室内部处理步骤S10。
此时，所述处理与否判断步骤S500在基板运出步骤S400之后通过提前设定的参考值可判断对腔室内部的处理必要性，作为一示例，对于完成处理的基板测量面电阻，在测量值在提前设定的值以上的情况下可执行腔室内部处理步骤S10。
另一方面，作为另一示例，所述处理与否判断步骤S500在达到单位工艺S30的提前设定的反复次数，即根据提前设定的n值达到提前设定的反复次数的情况下可判断执行腔室内部处理步骤S10。
另一方面，当然所述腔室内部处理步骤S10可以在对腔室及内部材料执行整体维护的过程中执行。
以下，参照附图说明与腔室内部处理步骤S10相对应的腔室内部处理方法。
如图1所示，所述腔室内部处理方法包括：增压步骤S100，利用增压气体将所述腔室内的压力上升至高于大气压的第一压力P1；降压步骤S200，在所述增压步骤S100之后从所述第一压力P1下降所述腔室内的压力；其中，所述增压步骤S100及降压步骤S200在腔室内部清除处理对象基板的状态下执行。
另外，本发明的腔室内部处理方法还可包括：升温步骤，将腔室内的温度从第一温度T1上升至高于常温的处理温度T2；高温保持步骤，保持所述处理温度T2；降温步骤，将腔室内的温度从处理温度T2降低至第二温度T3。
另外，所述腔室内部处理方法还可包括将处理对象基板导入所述腔室内的基板导入步骤S300。
另外，所述腔室内部处理方法在所述增压步骤S100之前还可包括：基板运出步骤S400，运出处理对象基板至所述腔室外部；处理与否判断步骤S500，判断对所述腔室内部的处理必要性。
此时，所述基板导入步骤S300、基板运出步骤S400及处理与否判断步骤S500与上述的相同，因此省略重复的说明。
本发明中的所述第一温度T1可以是200℃，处理温度T2可以是600℃，第二温度T3可以是与第一温度T1相同的200℃。
另一方面。第二温度T3当然可具有与第一温度T1不同的温度。
所述第一压力P1可以是2atm，第二压力P2可以是10torr的真空状态的压力值。
所述增压步骤S100利用增压气体可将所述腔室内的压力上升至大于大气压的第一压力P1。
此时，所述增压步骤S100可将腔室内的压力从大气压上升至第一压力P1，或者可从真空上升至第一压力P1。
更加具体地说，所述增压步骤S100与降压步骤S200作为一个单位循环可反复执行n次，在通过降压步骤S200将腔室内的压力降低至第二压力P2的状态下可将腔室内的压力从第二压力P2上升至第一压力P1。
此时，所述第一压力P1可设定为高于大气压的各种压力值，例如，可以是高于大气压的2atm。
另一方面，所述增压气体可以是包含氢(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)、氟(F)中的至少一种元素的气体，更加优选为可以是氢气(H)。
此时，所述增压气体通过氢气可涂敷内部材料的表面，诸如腔室内壁及基板支撑部、替代基板，由此可防止在如上所述的基板支撑部升降的过程中进入的氧气被吸附在腔室内部。
更加具体地说，在腔室内部的表面及腔室内部材料的表面为石英材料的情况下，氢与石英表面结合实现Si-H、Si-OH结构可形成膜，通过如此形成的膜可防止与氧气结合，进而可防止在腔室内部吸附氧气的现象。
另外，所述增压步骤S100通过增压气体将腔室内上升至高压，进而在腔室内壁及内部材料的表面、内部与杂质产生反应可形成副产物，由此可分离化学性结合于腔室内壁及内部材料的表面、内部的污染物质。
之后，执行后述的降压步骤S200，进而向腔室内壁及内部材料的表面、处理空间抽吸与增压气体结合形成的副产物，通过形成真空状态可向外部排放这些副产物。
另一方面，所述增压步骤S100可包括：压力上升步骤，将腔室内的压力上升至第一压力P1；高压保持步骤，在压力上升步骤之后将腔室内的压力以第一压力P1保持预定时间。
所述高压保持步骤可以是将腔室内的压力以通过压力上升步骤达到的第一压力P1保持预定时间的步骤。
此时，所述高压保持步骤持续供应增压气体的同时可将腔室内的压力保持在第一压力P1，据此如上所述渗透于设置在腔室内壁及腔室内的内部材料的表面及内部与污染物质结合形成副产物或者可涂敷表面。
更进一步地，所述高压保持步骤持续供应增压气体的同时将腔室内的压力保持在高压，即第一压力P1，可执行利用物理性气体的压力排放污染物质等的功能。
另外，作为另一功能，所述增压步骤为沉积金属膜或者对金属膜执行热处理，进而破坏在腔室内壁及腔室内部材料中的任意一处沉积的金属物质的结合关系，进而可排放该金属物质。
更加具体地说，通过对金属膜的处理在腔室内壁及腔室内部材料中的至少一处诸如Ti、Li、Cu的金属物质相互结合并沉积，在这些金属物质与腔室内壁及腔室内部材料中的任意的至少一处表面结合情况下，通过利用增压气体形成增压环境破坏这些结合，进而可排放杂质。
另一方面，后述的升温步骤及降温步骤中的任意的至少一个步骤也是在高压保持步骤期间执行，进而可引导顺利执行在腔室内壁及腔室内部材料涂敷氢，对此的说明将在下文中进行说明。
所述降压步骤S200可以是在增压步骤S100之后从所述第一压力P1降低腔室内的压力的步骤。
此时，所述降压步骤S200可通过形成在腔室下部的歧管的排气口和与此连接的排气阀门可降低腔室内的压力，在该过程中可与外部的排气泵连接。
所述第二压力P2为低于第一压力P1的压力值，可高于或者低于大气压，但是更加优选为可以是低于大气压的真空状态的压力值，进而向外部排放杂质。.
另一方面，所述增压步骤S100及所述降压步骤S200作为一个单位循环反复执行n次，至少一个单位循环可在高温保持步骤期间执行。
此时，将增压步骤S100及降压步骤S200在高温状态下反复执行，可去除杂质或者可促进涂敷诸如氢的增压气体组成物质的反应。
更加具体地说，由于在高温状态反复执行增压步骤S100和降压步骤S200，进而增加原子的热振动，据此可促进分解与腔室内部弱结合的杂质的结合，更进一步地可提高诸如氢气的增压气体的组成物质与腔室内部，即腔室内壁及腔室内部材料的表面的结合。
所述升温步骤可以是将腔室内的温度从第一温度T1上升至高于常温的处理温度T2的步骤。
此时，所述升温步骤可将腔室内的温度从第一温度T1上升至高于常温的处理温度T2，以营造用于处理腔室内的温度环境，由此可营造用于处理腔室内的温度条件。
此时，所述升温步骤可在增压步骤S100期间执行，更加具体地说可在压力上升步骤或者高压保持步骤执行。
所述降温步骤可以是将腔室内的温度从用于处理腔室内部的温度，即处理温度T2降低至第二温度T3的步骤。
此时，所述第二温度T3可以是为了在完成腔室内部处理之后执行的工艺而符合与工艺条件的温度，可以与上述的第一温度T1相同或者根据后续工艺可以是不同温度。
此时，所述降温步骤可在高压保持步骤期间执行，更加具体地说，在腔室内的压力保持在高于大气压的高压状态，即第一压力P1的期间可从处理温度T2降温至第二温度T3。
更加具体地说，以往在腔室内部残留O2的状态下压力低于大气压时，腔室内部的温度上升或者腔室内部的温度降温的情况下，随着残留于腔室内部的O2被放气，存在与腔室内部及薄膜产生反应的问题。
为了改善这种问题，所述升温步骤及降温步骤可在增压步骤S100期间，尤其是可在高压保持步骤S120期间执行，更加具体地说可用将腔室内部及薄膜的劣化最小化的时间点指定升温步骤的升温时间点、升温终点、降温步骤的降温时间点及降温终点。
例如，所述升温步骤为在增压步骤S100执行中或者增压步骤S100执行之后从提前设定的升温时间点至升温终点将温度环境从第一温度T1升温至处理温度T2。
此时，在所述升温步骤中的升温时间点及升温终点可设定在增压步骤S100的开始时间点(开始增压至第一压力P1的时间点)及降压步骤S200的开始时间点(开始降压至第二压力P2的时间点)之间。
作为一示例，所述升温步骤可在增压步骤S100执行中从提前设定的升温时间点至升温终点升高温度。
在此，对于所述升温时间点，只要是在所述增压步骤S100的开始时间点之后，则可设定在任意的时间点，优选设定为，在为了能够从O2气体充分保护腔室内部而投放预定量的变压气体增压工艺压力至大气压以上之后的时间点。
与上述的升温步骤相同，所述降温步骤在增压步骤S100执行中或者增压步骤S100执行之后从提前设定的降温时间点至降温终点将可温度环境从处理温度T2降温至第二温度T3。
此时，所述降温步骤中的降温时间点及降温终点可设定在增压步骤S100的开始时间点(开始增压至第一压力P1的时间点)及降压步骤S200的开始时间点(开始降压至第二压力P2的时间点)之间。
作为一示例，所述降温步骤可以在增压步骤S100执行中从提前设定的降温时间点至降温终点降低温度。
在此对于所述降温时间点，只要是述增压步骤S100的开始时间点之后，可以设定在任意的时间点，优选设定为为了能够从O2气体充分保护腔室内部而投入预定量的增压气体以使工艺压力增压至大气压以上之后时间点，作为相同的状况，作为降压步骤S200的终点之前可设定为腔室内部的工艺压力降压至大气压以下之前的时间点。
另一方面，作为一示例，在将增压步骤S100和降压步骤S200作为一个单位循环，反复执行n次时，所述降温步骤可在最后第n次增压步骤的高压保持步骤期间执行。
即，在反复执行从第一次单位循环至n-1次的单位循环的过程中，为了营造用于处理腔室内部的处理温度，腔室内的温度可保持在处理温度T2，为了后续工艺的温度条件，降温步骤可在第n次的高压保持步骤期间执行。
另一方面，在以下参照图6详细说明本发明的腔室内部处理方法的效果。
如图6所示，本发明的腔室内部处理方法通过对执行基板处理的腔室内部的处理，降低被处理的基板的面电阻RS，具有可进行高质量的基板处理的效果。
在图6的曲线图中，实验例1是在反复的单位循环中在最初单位循环的增压步骤S100执行升温步骤，在单位循环中的最终单位循环的增压步骤S100中执行降温步骤，同时在高温保持步骤中执行剩余单位循环的增压步骤S100及降压步骤S200得出的结果。
另外，实验例2是将增压步骤S100及降压步骤S200的单位循环全部在高温保持步骤中反复执行而得出的结果。
首先，在未执行本发明的腔室内部处理的情况下，如图6所示，可确认到实验例1的面电阻提高4.5％，实验例2的面电阻提高3.4％。
然而，在对于执行本发明的腔室内部处理的实验例1反复执行20次单位循环的情况下，可确认到面电阻降低14％，实验例2也是反复执行70次的单位循环的情况下，面电阻降低3％，反复执行160次的情况下，可确认到面电阻降低8.5％。
即，执行本发明的腔室内部的处理的实验例1及实验例2全部根据反复次数存在降低程度的差异，但是相比于未对腔室内部执行处理时，可确认到已处理的基板的面电阻降低。
另外，还可确认到相比于实验例2，实验例1表现出非常优秀的面电阻降低。
以上仅是可由本发明实现的优选实施例的一部分的相关说明，众所周知本发明的范围不得限于上述的实施例，以上说明的本发明的技术思想及其根本的技术思想全部包括在本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种腔室内部处理方法，处理执行基板处理的腔室内部，其特征在于，包括：
增压步骤(S100)，利用增压气体将所述腔室内的压力上升至大于大气压的第一压力(P1)；
降压步骤(S200)，在所述增压步骤(S100)之后将所述腔室内的压力从所述第一压力(P1)降低至第二压力(P2)；
其中，所述增压步骤(S100)及所述降压步骤(S200)在所述腔室内部清除处理对象基板的状态下执行。
2.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述第二压力(P2)为低于大气压的压力。
3.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
将所述增压步骤(S100)和所述降压步骤(S200)作为一个单位循环，并且执行n次(n≥1)。
4.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述增压气体为氢气(H2)。
5.根据权利要求4所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述增压步骤(S100)为，
在所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料的表面结合所述增压气体的组成物质中的一部分或者全部，以涂敷所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料的表面。
6.根据权利要求5所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述腔室及设置在所述腔室内的内部材料中的至少一种包含石英材料。
7.根据权利要求5所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
设置在所述腔室内的内部材料包括基板支撑部，
所述基板支撑部设置成移动于所述腔室内外并且支撑至少一个替代基板。
8.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述增压步骤(S100)为，
在所述腔室内壁及设置在所述腔室内的内部材料中的至少一处表面或者内部所述增压气体与杂质产生反应形成副产物；
所述降压步骤(S200)向腔室外部排放所述副产物。
9.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
在所述增压步骤(S100)之前还包括处理与否判断步骤(S500)，所述处理与否判断步骤(S500)判断对所述腔室内部的处理必要性。
10.根据权利要求9所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述处理与否判断步骤(S500)对于在所述腔室内完成处理的基板测量面电阻，在测量值在提前设定的值以上的情况下，决定进行增压步骤(S100)。
11.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
所述增压步骤(S100)包括：
压力上升步骤，将所述腔室内的压力上升至所述第一压力(P1)；高压保持步骤，在所述压力上升步骤之后将所述腔室内的压力以所述第一压力(P1)保持预定时间。
12.根据权利要求1所述的腔室内部处理方法，其特征在于，包括：
升温步骤，将所述腔室内的温度从第一温度(T1)上升至高于常温的处理温度(T2)；高温保持步骤，保持所述处理温度(T2)；降温步骤，将所述腔室内的温度从处理温度(T2)下降至第二温度(T3)；
其中，所述增压步骤(S100)及所述降压步骤(S200)为一个单位循环，执行n次(n≥1)，并且至少一个单位循环在所述高温保持步骤期间执行。
13.根据权利要求11所述的腔室内部处理方法，其特征在于，包括：
升温步骤，将所述腔室内的温度从第一温度(T1)上升至高于常温的处理温度(T2)；降温步骤，将所述腔室内的温度从处理温度(T2)下降至第二温度(T3)；
其中，所述升温步骤或者所述降温步骤在所述高压保持步骤期间执行。
14.根据权利要求13所述的腔室内部处理方法，其特征在于，
在将所述增压步骤(S100)和所述降压步骤(S200)为一个单位循环时，将单位循环反复执行n次(n≥2)，
所述降温步骤在第n次增压步骤的高压保持步骤期间执行。
15.一种基板处理方法，包括：
腔室内部处理步骤(S10)，通过权利要求1至14中的任意一项的腔室内部处理方法执行，所述腔室内部处理方法处理执行基板处理的所述腔室内部；
基板导入步骤(S300)，在所述腔室内部处理步骤(S10)之后将处理对象基板导入所述腔室；
基板处理步骤(S20)，对于导入所述腔室内的基板执行基板处理；
基板运出步骤(S400)，将通过所述基板处理步骤(S20)完成处理的基板运出；
所述基板导入步骤(S300)、基板处理步骤(S20)及基板运出步骤(S400)为一个单位工艺(S30)，反复执行n次(n≥2)。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
所述腔室内部处理步骤(S10)在单位工艺(S30)和单位工艺(S30)之间或者最初单位工艺(S30)之前执行。
17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
所述腔室内部处理步骤(S10)在单位工艺(S30)和单位工艺(S30)之间执行，还包括处理与否判断步骤(S500)，以在执行所述单位工艺(S30)之后判断对所述腔室内部的处理必要性。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理与否判断步骤(S500)为，
对于完成处理的基板测量面电阻，在测量值在提前设定的值以上的情况下进行所述腔室内部处理步骤(S10)，在测量值不足提前设定的值的情况下进行所述单位工艺(S30)。
19.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理步骤(S20)包括：
基板处理增压步骤，将所述腔室内的压力上升至高于大气压的压力；基板处理降压步骤，在所述基板处理增压步骤之后降低所述腔室内的压力。
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理降压步骤将所述腔室内的压力降低至低于大气压的压力；
所述基板处理增压步骤及所述基板处理降压步骤反复执行多次。
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Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999058739A1 (en) * 1998-05-12 1999-11-18 Applied Materials, Inc. Oxygen-argon gas mixture for precleaning in vacuum processing system
JP2001035801A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Iwatani Internatl Corp 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
US20020153101A1 (en) * 2001-04-21 2002-10-24 Tue Nguyen Semiconductor processing system and method
JP2003277935A (ja) * 2002-03-19 2003-10-02 Seiko Epson Corp プラズマ処理方法、クリーニング判断システム、クリーニングレシピ選択システム、プログラムおよび情報記憶媒体
US20080268644A1 (en) * 2007-02-06 2008-10-30 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus
CN101441995A (zh) * 2005-09-02 2009-05-27 东京毅力科创株式会社 真空处理装置
CN101457338A (zh) * 2003-02-14 2009-06-17 应用材料股份有限公司 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备
US20090302024A1 (en) * 2005-11-29 2009-12-10 Yasushi Aiba Heat Processing Method and Heat Processing Apparatus
US20140087568A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP2014120680A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
CN209039578U (zh) * 2018-07-11 2019-06-28 上海祺登电子有限公司 一种镀膜机真空室
TW201929121A (zh) * 2017-12-21 2019-07-16 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR20200006422A (ko) * 2018-07-10 2020-01-20 주식회사 원익아이피에스 반도체 소자의 제조 방법
KR20200029895A (ko) * 2018-09-11 2020-03-19 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터
KR20200031798A (ko) * 2018-09-17 2020-03-25 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터의 가스 제어 장치
CN112185790A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 东京毅力科创株式会社 清洁方法和等离子体处理装置
CN112670205A (zh) * 2019-10-16 2021-04-16 圆益Ips股份有限公司 基板处理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7053991B2 (ja) * 2017-03-28 2022-04-13 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法及びチャンバークリーニング方法
CN111033680A (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 应用材料公司 集成式外延***高温污染物去除
CN110870050A (zh) * 2017-09-25 2020-03-06 株式会社国际电气 衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序
JP6952595B2 (ja) * 2017-12-20 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2020096079A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の処理方法及び基板処理装置
JP7026086B2 (ja) * 2019-09-25 2022-02-25 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999058739A1 (en) * 1998-05-12 1999-11-18 Applied Materials, Inc. Oxygen-argon gas mixture for precleaning in vacuum processing system
JP2001035801A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Iwatani Internatl Corp 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
US20020153101A1 (en) * 2001-04-21 2002-10-24 Tue Nguyen Semiconductor processing system and method
JP2003277935A (ja) * 2002-03-19 2003-10-02 Seiko Epson Corp プラズマ処理方法、クリーニング判断システム、クリーニングレシピ選択システム、プログラムおよび情報記憶媒体
CN101457338A (zh) * 2003-02-14 2009-06-17 应用材料股份有限公司 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备
CN101441995A (zh) * 2005-09-02 2009-05-27 东京毅力科创株式会社 真空处理装置
US20090302024A1 (en) * 2005-11-29 2009-12-10 Yasushi Aiba Heat Processing Method and Heat Processing Apparatus
US20080268644A1 (en) * 2007-02-06 2008-10-30 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus
US20140087568A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP2014120680A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
TW201929121A (zh) * 2017-12-21 2019-07-16 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR20200006422A (ko) * 2018-07-10 2020-01-20 주식회사 원익아이피에스 반도체 소자의 제조 방법
CN209039578U (zh) * 2018-07-11 2019-06-28 上海祺登电子有限公司 一种镀膜机真空室
KR20200029895A (ko) * 2018-09-11 2020-03-19 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터
KR20200031798A (ko) * 2018-09-17 2020-03-25 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터의 가스 제어 장치
CN112185790A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 东京毅力科创株式会社 清洁方法和等离子体处理装置
CN112670205A (zh) * 2019-10-16 2021-04-16 圆益Ips股份有限公司 基板处理方法

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