CN115505914A - 一种镓合金液体存储方法 - Google Patents

一种镓合金液体存储方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115505914A
CN115505914A CN202110630241.4A CN202110630241A CN115505914A CN 115505914 A CN115505914 A CN 115505914A CN 202110630241 A CN202110630241 A CN 202110630241A CN 115505914 A CN115505914 A CN 115505914A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium alloy
alloy liquid
antioxidant
hydrochloric acid
pure water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110630241.4A
Other languages
English (en)
Inventor
韩明清
崔希林
崔昌江
王鹏
赵言胜
杨云
姜建璞
马克
刘淋淋
尹春丽
王皎
史琳琳
王敬敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dong'e Ehua Medical Technology Co ltd
Original Assignee
Dong'e Ehua Medical Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dong'e Ehua Medical Technology Co ltd filed Critical Dong'e Ehua Medical Technology Co ltd
Priority to CN202110630241.4A priority Critical patent/CN115505914A/zh
Publication of CN115505914A publication Critical patent/CN115505914A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
    • C23C22/48—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 not containing phosphates, hexavalent chromium compounds, fluorides or complex fluorides, molybdates, tungstates, vanadates or oxalates
    • C23C22/58—Treatment of other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种镓合金液体存储方法，包含以下步骤：（1）配制防氧化剂，用纯水将36‑38%的盐酸溶液稀释，稀释，稀释过程中纯水与36‑38%的盐酸溶液的体积比为1：18‑1：22，得到防氧化剂；（2）装有镓合金液体的容器，注入经过步骤（1）配置好的防氧化剂在镓合金溶液表面形成厚度为1‑3cm的覆盖层。本技术方案的防氧化剂，使镓合金液体可以存储在敞口容器中，方便生产取用。在加入防氧化剂前，即使镓合金液体表面与空气中的氧发生反应生成氧化膜，氧化膜也可以与本防氧化剂还生反应，重新还原为镓合金液体。本发明与现有技术相比较，在生产制备过程中操作更加简易，方便生产，是镓合金液体生产制备过程中配制比较方便，防氧化效果较好。

Description

一种镓合金液体存储方法
技术领域
本发明涉及镓合金液体存放技术领域，确切地说是一种镓合金液体存储方法。
背景技术
目前镓合金普遍应用于工业生产和医疗生产中，在大气环境下镓合金在液体状态下表面非常容易产生氧化，镓合金液在生产制备过程、存放过程中存在很大的困难。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种镓合金液体存储方法，该方法存储较容易，使镓合金在液体状态下不易产生氧化，以方便工业生产和医疗生产使用。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术手段：
一种镓合金液体存储方法，其特征在于包含以下步骤：
（1）配制覆盖的防氧化剂，取浓度为36-38%的盐酸溶液，用纯水将36-38%的盐酸溶液稀释，稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：18-1：22，得到防氧化剂；
（2）装有镓合金液体的容器，注入经过步骤（1）配置好的防氧化剂，防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为1-3cm的覆盖层。
与现有技术相比，其突出的特点是：
本技术方案的防氧化剂，使镓合金液体可以存储在敞口容器中，方便生产取用。在加入防氧化剂前，即使镓合金液体表面与空气中的氧发生反应生成氧化膜，氧化膜也可以与本防氧化剂还生反应，重新还原为镓合金液体。本发明与现有技术相比较，在生产制备过程中操作更加简易，方便生产，是镓合金液体生产制备过程中配制比较方便，防氧化效果较好。
进一步的优选技术方案如下：
所述的纯水的电导率为3.5µΩ/cm以下。
所述的稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：20。
所述的防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为2cm的覆盖层。
具体实施方式
下面结合实施例，进一步说明本发明。
一种镓合金液体存储方法，其特征在于包含以下步骤：
（1）配制覆盖的防氧化剂，取浓度为36-38%的盐酸溶液，用纯水将36-38%的盐酸溶液稀释，稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：18-1：22，得到防氧化剂；
（2）装有镓合金液体的容器，注入经过步骤（1）配置好的防氧化剂，防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为1-3cm的覆盖层。
所述的纯水的电导率为3.5µΩ/cm以下。
所述的稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：20。
所述的防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为2cm的覆盖层。
本发明采用稀酸覆盖的方法对在大气环境中的镓合金液体防氧化。本发明使用稀酸为稀盐酸，由高纯盐酸稀释而成，高纯盐酸的含量为36%-38%。本发明采用的稀释剂为纯水，电导率为3.5µΩ/cm以下，使用纯水配置的防氧化剂生产出的镓合金纯度高，产品性能好。本发明在实验的过程中分别采用盐酸和纯水的比例为1:10、1:15、1:20、1:25的配方进行试验，其中盐酸和纯水比例为1:10、1:15的稀酸混合物覆盖镓合金液体，镓合金液体的表面亮泽，有大量气泡产生，有大量气泡，说明稀释剂与液体反应严重，会造成物料损耗；使用盐酸和纯水比例为1:20的稀酸混合物覆盖镓合金液体，镓合金液体的表面颜色发亮，说明合金液体没有氧化，防氧化的效果很好；使用盐酸和纯水比例为1:25的稀酸混合物覆盖镓合金液体，镓合金液体的表面颜色较暗，说明稀酸混合物没有起到防氧化较好的作用。
不同酸浓度对合金液体的影响表：
Figure 476574DEST_PATH_IMAGE002
根据实验结果，确定盐酸和纯水的比例为1:20的稀盐酸对镓合金液体进行覆盖，起到的防氧化的效果较好。
本实施例的防氧化剂，使镓合金液体可以存储在敞口容器中，方便生产取用。在加入防氧化剂前，即使镓合金液体表面与空气中的氧发生反应生成氧化膜，氧化膜也可以与本防氧化剂还生反应，重新还原为镓合金液体。本发明与现有技术相比较，在生产制备过程中操作更加简易，方便生产，是镓合金液体生产制备过程中配制比较方便，防氧化效果较好。
以上所述仅为本发明较佳可行的实施例而已，并非因此局限本发明的权利范围，凡运用本发明说明书内容所作的等效结构变化，均包含于本发明的权利范围之内。

Claims (4)

1.一种镓合金液体存储方法，其特征在于包含以下步骤：
（1）配制覆盖的防氧化剂，取浓度为36-38%的盐酸溶液，用纯水将36-38%的盐酸溶液稀释，稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：18-1：22，得到防氧化剂；
（2）装有镓合金液体的容器，注入经过步骤（1）配置好的防氧化剂，防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为1-3cm的覆盖层。
2.根据权利要求1所述的镓合金液体存储方法，其特征在于：所述的纯水的电导率为3.5µΩ/cm以下。
3.根据权利要求1所述的镓合金液体存储方法，其特征在于：所述的稀释过程中纯水与36-38%的盐酸溶液的体积比为1：20。
4.根据权利要求1所述的镓合金液体存储方法，其特征在于：所述的防氧化剂在器内的镓合金溶液表面形成厚度为2cm的覆盖层。
CN202110630241.4A 2021-06-07 2021-06-07 一种镓合金液体存储方法 Pending CN115505914A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110630241.4A CN115505914A (zh) 2021-06-07 2021-06-07 一种镓合金液体存储方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110630241.4A CN115505914A (zh) 2021-06-07 2021-06-07 一种镓合金液体存储方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115505914A true CN115505914A (zh) 2022-12-23

Family

ID=84499054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110630241.4A Pending CN115505914A (zh) 2021-06-07 2021-06-07 一种镓合金液体存储方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115505914A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09118596A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体結晶の製造方法、液体ガリウム保管・運搬方法、及び液体ガリウム収納容器
CN1311430A (zh) * 2001-04-13 2001-09-05 黄元伟 一种经改进的体温计及制作方法
US20020062883A1 (en) * 2000-11-20 2002-05-30 Laurent Bonneviot Surface chemical treatment for liquid gallium or gallium alloy mirrors
US20090184788A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Hernandez Marcos Encapsulated switches employing mercury substitute and methods of manufacture thereof
CN109518055A (zh) * 2018-11-02 2019-03-26 上海交通大学 一种基于无汞液态合金的矿物黄金提取方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09118596A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体結晶の製造方法、液体ガリウム保管・運搬方法、及び液体ガリウム収納容器
US20020062883A1 (en) * 2000-11-20 2002-05-30 Laurent Bonneviot Surface chemical treatment for liquid gallium or gallium alloy mirrors
CN1311430A (zh) * 2001-04-13 2001-09-05 黄元伟 一种经改进的体温计及制作方法
US20090184788A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Hernandez Marcos Encapsulated switches employing mercury substitute and methods of manufacture thereof
CN109518055A (zh) * 2018-11-02 2019-03-26 上海交通大学 一种基于无汞液态合金的矿物黄金提取方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109244449B (zh) 一种高导电性三元正极材料及其制备方法
CN108232144B (zh) 一种改性硅碳复合电极材料及其制备方法
CN110355382B (zh) 一种含有空心结构的微晶银粉的制备方法
WO2017107247A1 (zh) 一种提高烧结钕铁硼薄片磁体磁性能的方法
CN115505914A (zh) 一种镓合金液体存储方法
CN103613097A (zh) 一种绿色环保的制备磺化石墨烯的方法
CN106495137B (zh) 一种石墨烯的制备方法
US20220037058A1 (en) Manufacturing method for graphene film and display panel
CN111617645A (zh) 一种基于中空MOFs材料的低阻高选择性混合基质膜的制备方法
CN109100405B (zh) 一种氧空位浓度可调的氮掺杂多孔C@CeO2-x纳米复合材料的制备方法及应用
CN104528700B (zh) 一种制备稳定掺杂的石墨烯的方法
CN114210989A (zh) 一种微米级金粉及其制备方法
CN113604804A (zh) 一种面板铜制程中稳定线宽损失和蚀刻锥角的蚀刻液
CN102125053A (zh) 高稳定非离子n-乙烯基丁内酰胺碘溶液及相关配制方法
CN102351571B (zh) 一种纳米银掺杂钇钡铜氧膜的制备方法
CN109593545A (zh) 一种适用于高含油率油井的复配脱硫剂及其制备方法
CN108127112B (zh) 一种铜基复合粉体及其制备方法和用途
CN115386115A (zh) 一种高机械强度大豆分离蛋白复合膜制备工艺
CN111850561B (zh) 一种硫酸双氧水体系的蚀铜加速剂及蚀刻药水
CN104064364B (zh) 用于铅炭电池的超电容石墨烯的制备方法
CN109852969A (zh) 一种高蚀刻速率的三元组分蚀刻液
CN113500202A (zh) 一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法
US6294145B1 (en) Piranha etch preparation having long shelf life and method of making same
CN113077954A (zh) 一种硬磁性液态金属膏体复合材料及其制备方法
CN111908500A (zh) 一种银掺杂二氧化锡纳米片自组装花状材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination