CN115380363A - 半导体装置制造用片 - Google Patents

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semiconductor device
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Abstract

本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述基材、所述粘着剂层、所述中间层及膜状粘合剂以同心圆状配置，所述中间层的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述膜状粘合剂的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由所述基材及所述粘着剂层构成的支撑片的总透光率。

Description

半导体装置制造用片
技术领域
本发明涉及半导体装置制造用片。本申请基于2020年3月27日于日本提出申请的日本特愿2020-058734号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片与设置在半导体芯片背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个实例，例如可列举出如下方法。
即，首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicing die bonding sheet)。
作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂的切割固晶片，支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最外侧表面为设置膜状粘合剂的面。切割固晶片通过其中的膜状粘合剂贴附于半导体晶圆的背面。
接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化(singulation)为目标半导体芯片。膜状粘合剂沿半导体芯片外周被切断。由此，可得到具备半导体芯片与设置在该半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上而构成的带膜状粘合剂的半导体芯片组。
接着，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取。在使用具备固化性的粘着剂层的支撑片的情况下，此时，通过预先使粘着剂层固化而使粘着性降低，变得容易拾取。
由此，可得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个实例，例如可列举出如下方法。
即，首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(有时也称为“表面保护胶带”)。
接着，在半导体晶圆的内部设定预定分割的位置，以该位置所包含的区域为焦点，并以激光聚焦于该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。接着，使用研磨机(grinder)，对半导体晶圆的背面进行研磨，由此将半导体晶圆的厚度调节至目标值，且同时通过利用此时施加于半导体晶圆的研磨时的力，在改质层的形成部位分割半导体晶圆(单颗化)，制作多个半导体芯片。这种伴有改质层的形成的半导体晶圆的分割方法被称作Stealth Dicing(隐形切割)(注册商标)，其与通过对半导体晶圆照射激光从而一边切削照射部位的半导体晶圆一边自半导体晶圆的表面切断半导体晶圆的激光切割在本质上完全不同。
接着，在固定于背磨胶带上的这些所有半导体芯片的进行了上述研磨的背面(换言之研磨面)贴附一片固晶片。作为固晶片，可列举出与上述切割固晶片相同的片材。如上所述，固晶片有时可以设计成与切割固晶片具有相同的结构，只是不会在切割半导体晶圆时使用。固晶片也可以通过固晶片中的膜状粘合剂贴附在半导体芯片的背面。
接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，一边冷却固晶片一边进行沿与固晶片的表面(例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的贴附面)平行的方向进行拉伸的所谓的扩展(冷扩展)，由此沿半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。
由此，可得到具备半导体芯片与设置在该半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
接着，以与上述采用刀片切割的情况相同的方式，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取，由此得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
切割固晶片及固晶片均可用于制造带膜状粘合剂的半导体芯片，且最终可制造目标半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。
作为具备可通过扩展而切断的膜状粘合剂的半导体装置制造用片，例如公开了一种基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂依次层叠而构成的半导体装置制造用片(参照专利文献1)。
专利文献1中记载的半导体装置制造用片例如可通过如下所示的工序制造。
首先，预先制作第一中间层叠体与第二中间层叠体，所述第一中间层叠体具有基材及粘着剂层层叠而成的构成，所述第二中间层叠体具有中间层及膜状粘合剂层叠而成的构成。
接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，制造半导体装置制造用片。
专利文献1所记载的半导体装置制造用片的制造方法中，要求用传感器等光学识别半导体装置制造用片的各个层。
对此，专利文献2中公开了一种半导体装置制造用的粘合片，其特征在于，含有吸收或反射波长范围在290～450nm的范围内的光的颜料。
认为通过使用该粘合片，在半导体装置的制造方法中，在各制造工序间搬运半导体晶圆时，能够检测到是否存在贴附于半导体晶圆的粘合片。
此外，专利文献3中记载了如下所示的半导体装置制造用片的制造方法。
首先，在由脱模膜与粘合剂层构成的粘合膜的粘合剂层中形成规定形状(例如圆形)的第一切口，从脱模膜上剥离第一切口的外侧的不需要的粘合剂层部分，得到在脱模膜上形成有规定形状的粘合剂层的粘合膜。
接着，将该粘合膜和由粘着剂层与基材膜构成的粘着膜以粘合剂层与粘着剂层接触的方式进行贴合。
接着，识别形成于粘合膜的脱模膜的第一切口的位置并进行对齐后，在粘着膜中形成如包围粘合剂层的形状这种规定形状(例如圆形)的第二切口，从粘合膜(脱模膜)上剥离第二切口的外侧的不需要的粘着膜部分并对其进行卷绕，在粘合膜(脱模膜)上形成规定形状的粘着膜。
专利文献3中记载的半导体装置制造用片的制造方法中，对形成于粘合膜的脱模膜的第一切口的深度进行调整。
认为由此，可利用传感器检测出有切口部的位置的透射率与无切口部的位置的透射率之差(即，可识别第一切口的位置)。
其结果，认为可在粘合膜(脱模膜)上形成规定形状的粘着膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2020/179897号
专利文献2：日本特开2009-059917号公报
专利文献3：日本特开2012-080023号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，由于专利文献2中记载的粘合片含有颜料，因此粘合片的可靠性、剪切强度有时会降低。
此外，专利文献3中记载的半导体装置制造用片的制造方法中，有时无法利用传感器检测出有切口部的位置的透射率与无切口部的位置的透射率之差。
因此，本发明的目的在于提供一种可利用传感器光学识别中间层或膜状粘合剂的半导体装置制造用片。
解决技术问题的技术手段
本发明具有以下的方案。
(1)一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，
所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述基材、所述粘着剂层、所述中间层及膜状粘合剂以同心圆状配置，所述中间层的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述膜状粘合剂的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，
选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由所述基材及所述粘着剂层构成的支撑片的总透光率。
(2)根据(1)所述的半导体装置制造用片，其中，所述支撑片的总透光率为70％以上。
(3)根据(1)或(2)所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的宽度的最大值及所述膜状粘合剂的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。
(4)一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其具有：以聚焦于设定在半导体晶圆的内部的焦点的方式照射激光，由此在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；对形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，在所述改质层的形成部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列的状态的半导体芯片组的工序；一边加热(1)～(3)中任一项所述的半导体装置制造用片，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；一边冷却贴附于所述半导体芯片后的所述半导体装置制造用片，一边沿与其表面平行的方向进行拉伸，由此将所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周切断，得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及从所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片从而对其进行拾取的工序。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的截面图。
图2为图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。
图3A为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图3B为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图3C为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图4A为用于对半导体芯片的制造方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图4B为用于对半导体芯片的制造方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图4C为用于对半导体芯片的制造方法的一个实例进行示意性说明的截面图。
图5A为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个实例进行示意性说明的截面图。
图5B为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个实例进行示意性说明的截面图。
图5C为用于对本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个实例进行示意性说明的截面图。
具体实施方式
◇半导体装置制造用片
本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，该半导体装置制造用片具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层、中间层及膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
将本实施方案的半导体装置制造用片用作切割固晶片，进行刀片切割时，由于所述半导体装置制造用片具备所述中间层，因此能够容易地避免刀片到达基材，能够抑制来自基材的须状切削屑(别名：似须物(Whisker)，以下，不限于来自基材的切削屑，有时将其简称为“切削屑”)的产生。并且，通过使被刀片切断的所述中间层的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层的所述切削屑的产生。
另一方面，将本实施方案的半导体装置制造用片用作固晶片，进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割(Stealth Dicing(注册商标))时，由于所述半导体装置制造用片具备所述中间层，因此能够通过接着进行将半导体装置制造用片沿与其表面(例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的贴附面)平行的方向进行拉伸的、所谓的扩展，能够在目标位置以良好的精度切断膜状粘合剂，能够抑制切断不良。
如上所述，本实施方案的半导体装置制造用片在进行刀片切割时，抑制来自基材及中间层的切削屑的产生，在进行所述扩展时，抑制膜状粘合剂的切断不良，具有在分割半导体晶圆时抑制不良情况产生的特性，半导体晶圆的分割适性优异。
在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
在后文中会对本实施方案的半导体装置制造用片的使用方法进行详细说明。
以下，参照附图，对本实施方案的半导体装置制造用片详细地进行说明。另外，为了易于理解本发明的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图的重要部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际情况相同。
图1为示意性地示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的截面图，图2为图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。
另外，在图2之后的图中，对于与已进行了说明的图中所示的构成要素相同的构成要素，标记与该已进行了说明的图相同的附图标记，并省略其详细说明。
此处所示的半导体装置制造用片101具备基材11，并通过在基材11上依次层叠粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14而构成。半导体装置制造用片101进一步在膜状粘合剂14的与设置有中间层13的一侧为相反侧的面(以下，有时称为“第一面”)14a上具备剥离膜15。
在半导体装置制造用片101中，在基材11的一个面(在本说明书中，有时称为“第一面”)11a上设置有粘着剂层12，在粘着剂层12的与设置有基材11的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)12a上设置有中间层13，在中间层13的与设置有粘着剂层12的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)13a上设置有膜状粘合剂14，在膜状粘合剂14的第一面14a上设置有剥离膜15。如此，半导体装置制造用片101通过基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14沿它们的厚度方向依次层叠而构成。
半导体装置制造用片101以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体装置制造用片101中的膜状粘合剂14的第一面14a贴附于半导体晶圆、半导体芯片、或者未被完全分割的半导体晶圆(省略图示)的背面。
在本说明书中，不论在半导体晶圆及半导体芯片中的哪一种情况下，均将其形成有电路的一侧的面称为“电路形成面”，将与电路形成面为相反侧的面称为“背面”。
在本说明书中，有时将具有基材及粘着剂层沿它们的厚度方向层叠、且未层叠中间层的构成的层叠物称为“支撑片”。在图1中，标记附图标记1来表示支撑片。
此外，将具有基材、粘着剂层及中间层沿它们的厚度方向依次层叠的构成的层叠物称为“层叠片”。图1中标记附图标记10来表示层叠片。所述支撑片及中间层的层叠物包含在所述层叠片中。
从中间层13及膜状粘合剂14的上方向下俯视中间层13及膜状粘合剂14时，中间层13及膜状粘合剂14的平面形状均为圆形，中间层13的直径与膜状粘合剂14的直径相同。
并且，在半导体装置制造用片101中，中间层13及膜状粘合剂14以两者中心保持一致的方式进行配置，换言之，以中间层13及膜状粘合剂14的外周的位置在它们的径向上均保持一致的方式进行配置。
中间层13的第一面13a与膜状粘合剂14的第一面14a的面积均比粘着剂层12的第一面12a小。并且，中间层13的宽度W13的最大值(即直径)与膜状粘合剂14的宽度W14的最大值(即直径)均比粘着剂层12的宽度的最大值与基材11的宽度的最大值小。因此，在半导体装置制造用片101中，粘着剂层12的第一面12a的一部分未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖。剥离膜15与粘着剂层12的第一面12a中的这种未层叠中间层13及膜状粘合剂14的区域直接接触并层叠于其之上，在去除了剥离膜15的状态下，该区域露出(以下，在本说明书中，有时将该区域称为“非层叠区域”)。
另外，在具备剥离膜15的半导体装置制造用片101中，可如此处所示地在粘着剂层12的未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖的区域上存在未层叠剥离膜15的区域，也可以不存在未层叠剥离膜15的区域。
如后文所述，半导体装置制造用片例如可如下所述地制造。首先，在剥离膜上分别形成粘着剂层、中间层、膜状粘合剂。
接着，将粘着剂层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面和基材的一个表面贴合，由此制作带剥离膜的第一中间层叠体(换言之，带剥离膜的支撑片)。
接着，将膜状粘合剂的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面和上述得到的中间层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面贴合，由此制作带剥离膜的第二中间层叠体(剥离膜、中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠物)。
接着，进行首次冲压加工。
具体而言，使用切断刀片对该带剥离膜的第二中间层叠体的中间层侧的剥离膜至膜状粘合剂进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，制作带剥离膜的第二中间层叠体加工物，所述带剥离膜的第二中间层叠体加工物通过在膜状粘合剂侧的剥离膜上将膜状粘合剂、中间层及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形。
接着，从上述得到的带剥离膜的第一中间层叠体中去除剥离膜，使粘着剂层的一个面露出。
进一步，从上述得到的带剥离膜的第二中间层叠体加工物中去除圆形的剥离膜，使中间层的一个面露出。
接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层的新产生的露出面与第二中间层叠体加工物中的中间层的新产生的露出面贴合，得到第三中间层叠体。
接着，对该第三中间层叠体进行二次冲压加工。
具体而言，使用切断刀片从基材侧对第三中间层叠体进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，得到支撑片的平面形状为圆形、且支撑片与圆形的膜状粘合剂及中间层呈同心状的半导体装置制造用片。
在上述二次冲压加工中，需要利用传感器识别圆形的膜状粘合剂及中间层，以不将膜状粘合剂及中间层切断的方式从基材侧进行冲孔。
由中间层及膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，优选为50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为30％以下。
由此，可利用传感器光学识别中间层或膜状粘合剂。
中间层的总透光率优选为60％以下，优选为50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为30％以下。
由此，可更确切地利用传感器光学识别中间层。
中间层的总透光率的下限值没有特别限定，例如可以设为10％。
膜状粘合剂的总透光率优选为60％以上，更优选为70％以上，进一步优选为75％以上。
如后文所述，通过使粘合剂组合物含有着色剂来调节膜状粘合剂的总透光率时，通过使膜状粘合剂的总透光率为上述下限值以上，可提升膜状粘合剂与半导体芯片的剪切强度等可靠性。
膜状粘合剂的总透光率的上限值没有特别限定，例如可以设为100％。
由基材及粘着剂层构成的支撑片的总透光率优选为70％以上，更优选为75％以上，进一步优选为80％以上，特别优选为85％以上。
由此，在二次冲压加工中，可利用传感器更确切地识别圆形的膜状粘合剂及中间层。
支撑片的总透光率的上限值没有特别限定，例如可以设为100％。
处于膜状粘合剂14未被切断且通过膜状粘合剂14而贴附于上述半导体晶圆或半导体芯片等的状态的半导体装置制造用片101，能够通过将其中的粘着剂层12中的所述非层叠区域的一部分贴附于用于固定半导体晶圆的环形框架等夹具而进行固定。因此，不需要在半导体装置制造用片101上另外设置用于将半导体装置制造用片101固定于所述夹具的夹具用粘合剂层。并且，由于不需要设置夹具用粘合剂层，因此能够廉价且高效地制造半导体装置制造用片101。
半导体装置制造用片101虽然如上所述通过不具备夹具用粘合剂层而发挥有益效果，但也可以具备夹具用粘合剂层。此时，夹具用粘合剂层设置于构成半导体装置制造用片101的任意层的表面的周缘部附近的区域。作为这样的区域，可列举出粘着剂层12的第一面12a上的所述非层叠区域等。
夹具用粘合剂层可以为公知的夹具用粘合剂层，例如可以为含有粘合剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片材的两个面上层叠有含有粘合剂成分的层的多层结构。
此外，以后述方式进行将半导体装置制造用片101沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向拉伸的所谓扩展时，由于在粘着剂层12的第一面12a上存在所述非层叠区域，可容易地扩展半导体装置制造用片101。并且，不仅可容易地切断膜状粘合剂14，有时还可抑制中间层13及膜状粘合剂14从粘着剂层12上剥离。
在半导体装置制造用片101中，中间层13含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
本实施方案的半导体装置制造用片并不限定于图1及图2所示的半导体装置制造用片，可以在不损害本发明的效果的范围内，对图1及图2所示的半导体装置制造用片的部分构成进行变更、删除或追加。
例如，本实施方案的半导体装置制造用片也可以具备不属于基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜及夹具用粘合剂层中的任意一种的其他层。然而，本实施方案的半导体装置制造用片优选如图1所示，以粘着剂层与基材直接接触的状态具备粘着剂层，以中间层与粘着剂层直接接触的状态具备中间层，以膜状粘合剂与中间层直接接触的状态具备膜状粘合剂。
例如，在本实施方案的半导体装置制造用片中，中间层及膜状粘合剂的平面形状可以为除圆形以外的形状，中间层及膜状粘合剂的平面形状可彼此相同，也可彼此不同。此外，优选中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积均小于比它们更靠近基材侧的层的面(例如，粘着剂层的第一面)的面积，中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积可彼此相同，也可彼此不同。并且，中间层及膜状粘合剂的外周的位置可以在它们的径向上均一致，也可以不一致。
接着，对构成本实施方案的半导体装置制造用片的各个层更详细地进行说明。
○基材
所述基材为片状或膜状。
所述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可列举出聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等)、聚丙烯(PP)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、除乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、上述树脂中的任一树脂的氢化物、改质物、交联物或共聚物等。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如，“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”的概念。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。在基材由多个层构成的情况下，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，只要不损害本发明的效果，则对这些多个层的组合没有特别限定。
在本说明书中，不仅限于基材，“多个层可彼此相同，也可彼此不同”是指“可以所有层相同，也可以所有层均不同，还可以仅一部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一者彼此不同”。
基材的厚度可根据目的进行适当选择，优选为50～300μm，更优选为60～150μm。通过使基材的厚度为所述下限值以上，基材的结构更加稳定。通过使基材的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时、及进行半导体装置制造用片的所述扩展时，可更加容易地将膜状粘合剂切断。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的合计厚度。
在本说明书中，除非另有说明，则将“厚度”设为在随机选择的5个位置测定的厚度的平均值所表示的值，“厚度”可按照JIS K7130，使用恒压测厚仪获得。
为了提高基材与设置于其之上的粘着剂层等其他层的密合性，可以对基材的表面实施基于喷砂处理、溶剂处理、压花加工处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。
此外，基材的表面还可以经底涂处理。
此外，基材也可以具有：抗静电涂层；叠合固晶片并进行保存时，防止基材与其他片材粘合、或者防止基材与吸附工作台粘合的层等。
基材除了含有所述树脂等主要的构成材料以外，还可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
只要基材的光学特性在不损害本发明的效果的范围内，则对其没有特别限定。基材例如可以为使激光或能量射线透射的基材。
基材可利用公知的方法制造。例如，含有树脂的(以树脂为构成材料的)基材可通过将所述树脂或含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
○粘着剂层
所述粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。
粘着剂层可使用含有所述粘着剂的粘着剂组合物而形成。例如，将粘着剂组合物涂布在欲形成粘着剂层的对象面上，并根据所需对其进行干燥，由此能够在目标部位形成粘着剂层。
在粘着剂层中，粘着剂层的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于粘着剂层的总质量的比例不大于100质量％。
同样地，在粘着剂组合物中，粘着剂组合物的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于粘着剂组合物的总质量的比例不大于100质量％。
利用公知的方法进行粘着剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。
粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但在粘着剂组合物含有后述溶剂的情况下，优选使其加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件使其干燥。
作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂(urethane resin)、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘着性树脂，优选丙烯酸树脂。
另外，在本说明书中，“粘着性树脂”包含具有粘着性的树脂与具有粘合性的树脂。例如，所述粘着性树脂不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包括通过与添加剂等其他成分的同时使用而表现出粘着性的树脂、或者由于热或水等诱因(trigger)的存在而表现出粘合性的树脂等。
粘着剂层可以为固化性及非固化性中的任意一种，例如可以为能量射线固化性及非能量射线固化性中的任意一种。固化性的粘着剂层能够容易地调节其固化前及固化后的物性。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如，作为紫外线，可通过使用高压汞灯、熔融灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。对于电子束，能够照射利用电子束加速器等而产生的电子束。
此外，在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。
此处，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的合计厚度。
只要粘着剂层的光学特性在不损害本发明的效果的范围内，则对其没有特别限定。例如，粘着剂层可以为使能量射线透射的粘着剂层。
接着，对所述粘着剂组合物进行说明。
＜＜粘着剂组合物＞＞
当粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的粘着剂组合物、即能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出：含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-1a)”)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-2a)”)的粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-3)等。
＜粘着剂组合物(I-1)＞
如上所述，所述粘着剂组合物(I-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)与能量射线固化性化合物。
[粘着性树脂(I-1a)]
优选所述粘着性树脂(I-1a)为丙烯酸树脂。
作为所述丙烯酸树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸聚合物。
所述丙烯酸树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘着剂组合物(I-1)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-1)中，粘着性树脂(I-1a)的含量相对于粘着剂组合物(I-1)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物。
作为能量射线固化性化合物中的单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。
作为能量射线固化性化合物中的低聚物，例如可列举出上文中例示的单体聚合而成的低聚物等。
就分子量较大、不易使粘着剂层的储能模量降低这一点而言，优选能量射线固化性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-1)中，所述能量射线固化性化合物的含量相对于粘着剂组合物(I-1)的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
[交联剂]
将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外、进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(I-1a)时，优选粘着剂组合物(I-1)进一步含有交联剂。
所述交联剂例如通过与所述官能团反应从而使粘着性树脂(I-1a)彼此交联。
作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等的金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘着剂的内聚力从而提高粘着剂层的粘着力这一点、及易于获得等几点出发，优选交联剂为异氰酸酯类交联剂。
粘着剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-1)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
粘着剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂]
粘着剂组合物(I-1)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
反应延迟剂是指，例如用于抑制因混入粘着剂组合物(I-1)中的催化剂的作用而在保存中的粘着剂组合物(I-1)中进行非目的性的交联反应的成分。作为反应延迟剂，例如可列举出利用与催化剂相应的螯合物形成螯合物配位化合物(chelate complex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出在1分子中具有两个以上羰基(-C(＝O)-)的反应延迟剂。
粘着剂组合物(I-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘着剂组合物(I-1)的其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。
[溶剂]
粘着剂组合物(I-1)可以含有溶剂。通过含有溶剂，粘着剂组合物(I-1)对涂布对象面的涂布适性升高。
所述溶剂优选为有机溶剂。
＜粘着剂组合物(I-2)＞
如上所述，所述粘着剂组合物(I-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
[粘着性树脂(I-2a)]
所述粘着性树脂(I-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而得到。
所述含不饱和基团化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团以外，还进一步具有能够通过与粘着性树脂(I-1a)中的官能团反应而与粘着性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。
作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。
作为可与粘着性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出能够与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及能够与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。
作为所述含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
粘着剂组合物(I-2)所含有的粘着性树脂(I-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-2)中，粘着性树脂(I-2a)的含量相对于粘着剂组合物(I-2)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。
[交联剂]
例如，将与粘着性树脂(I-1a)中相同的、具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(I-2a)时，粘着剂组合物(I-2)可进一步含有交联剂。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。
粘着剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-2)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
粘着剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂、溶剂]
粘着剂组合物(I-2)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述其他添加剂及溶剂，可分别列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(I-2)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘着剂组合物(I-2)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。
＜粘着剂组合物(I-3)＞
如上所述，所述粘着剂组合物(I-3)含有所述粘着性树脂(I-2a)与能量射线固化性化合物。
在粘着剂组合物(I-3)中，粘着性树脂(I-2a)的含量相对于粘着剂组合物(I-3)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物，可列举出与粘着剂组合物(I-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。
粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在所述粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-3)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为粘着剂组合物(I-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
粘着剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)及所述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂、溶剂]
粘着剂组合物(I-3)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-3)中的所述其他添加剂及溶剂，可分别列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(I-3)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘着剂组合物(I-3)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。
＜除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物＞
至此，主要对粘着剂组合物(I-1)、粘着剂组合物(I-2)及粘着剂组合物(I-3)进行了说明，但作为它们的含有成分而进行了说明的成分同样也可用于除这三种粘着剂组合物以外的所有的粘着剂组合物(在本说明书中，称为“除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物”)中。
作为除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物，除了能量射线固化性的粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的粘着剂组合物。
作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的粘着剂组合物(I-4)，优选含有丙烯酸树脂的非能量射线固化性的粘着剂组合物。
优选除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设定为与上述的粘着剂组合物(I-1)等相同。
＜粘着剂组合物(I-4)＞
作为优选的粘着剂组合物(I-4)，例如可列举出含有所述粘着性树脂(I-1a)与交联剂的粘着剂组合物。
[粘着性树脂(I-1a)]
作为粘着剂组合物(I-4)中的粘着性树脂(I-1a)，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的粘着性树脂(I-1a)相同的粘着性树脂。
粘着剂组合物(I-4)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-4)中，粘着性树脂(I-1a)的含量相对于粘着剂组合物(I-4)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[交联剂]
将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(I-1a)时，优选粘着剂组合物(I-4)进一步含有交联剂。
作为粘着剂组合物(I-4)中的交联剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。
粘着剂组合物(I-4)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在所述粘着剂组合物(I-4)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～25质量份，特别优选为0.1～10质量份。
[其他添加剂、溶剂]
粘着剂组合物(I-4)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-4)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-4)中的所述其他添加剂及溶剂，可分别列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(I-4)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘着剂组合物(I-4)的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。
＜＜粘着剂组合物的制备方法＞＞
粘着剂组合物(I-1)～(I-3)、或粘着剂组合物(I-4)等除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物可通过掺合用于构成粘着剂组合物的各成分，即通过掺合所述粘着剂与根据需要的除所述粘着剂以外的成分等而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
进行掺合时，混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，适当调整即可，但优选温度为15～30℃。
○中间层、中间层形成用组合物
所述中间层为片状或膜状，并含有所述非硅类树脂作为主要成分。
中间层可以为仅含有非硅类树脂的层(由非硅类树脂形成的层)，也可以为含有非硅类树脂与除非硅类树脂以外的成分的层。
中间层例如可使用含有所述非硅类树脂的中间层形成用组合物而形成。例如，中间层可通过在欲形成中间层的对象面上涂布所述中间层形成用组合物并根据需要进行干燥而形成在目标部位上。
在中间层中，中间层的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于中间层的总质量的比例不大于100质量％。
同样地，在中间层形成用组合物中，中间层形成用组合物的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于中间层形成用组合物的总质量的比例不大于100质量％。
中间层形成用组合物的涂布可通过与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。
中间层形成用组合物的干燥条件没有特别限定。当中间层形成用组合物含有后述溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选于60～130℃以1～6分钟的条件进行干燥。
所述非硅类树脂的重均分子量为100000以下。
从进一步提高所述半导体装置制造用片的上述半导体晶圆的分割适性这一点出发，所述非硅类树脂的重均分子量例如可以为80000以下、60000以下及40000以下中的任一范围。
所述非硅类树脂的重均分子量的下限值没有特别限定，例如重均分子量为5000以上的所述非硅类树脂更容易获得。
所述非硅类树脂的重均分子量可在任意组合上述下限值与任意上限值而设定的范围内进行适当调节。例如，在一个实施方案中，所述重均分子量例如可以为5000～100000、5000～80000、5000～60000及5000～40000中的任一范围。
在本实施方案中，“中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分”是指，“以能够充分发挥因中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂所产生的效果的程度的量含有所述非硅类树脂”。从上述角度出发，在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，例如可以为95质量％以上、97质量％以上及99质量％以上中的任一范围。
另一方面，所述比例为100质量％以下。
重均分子量为100000以下的所述非硅类树脂只要为不具有硅原子作为构成原子的、重均分子量为100000以下的树脂成分，则没有特别限定。
所述非硅类树脂例如可以为具有极性基团的极性树脂、及不具有极性基团的非极性树脂中的任意一种。
例如，从在所述中间层形成用组合物中的溶解性高、所述中间层形成用组合物的涂布适性更高这几点出发，所述非硅类树脂优选为极性树脂。
在本说明书中，只要没有特别说明，则“非硅类树脂”是指上述重均分子量为100000以下的非硅类树脂。
所述非硅类树脂例如可以为作为1种单体的聚合物(换言之，仅具有1种结构单元)的均聚物，也可以为作为2种以上的单体的聚合物(换言之，具有2种以上的结构单元)的共聚合物。
作为所述极性基团，例如可列举出羰基氧基(-C(＝O)-O-)、氧基羰基(-O-C(＝O)-)等。
所述极性树脂可以仅具有具有极性基团的结构单元，也可以具有具有极性基团的结构单元与不具有极性基团的结构单元这两者。
作为所述具有极性基团的结构单元，例如可列举出衍生自乙酸乙烯酯的结构单元等。
作为所述不具有极性基团的结构单元，例如可列举出衍生自乙烯的结构单元等。
此处所谓的“衍生”是指所述单体发生了聚合所需的结构变化。
在所述极性树脂中，具有极性基团的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例优选为5～70质量％，例如，可以为7.5～55质量％及10～40质量％中的任一范围。换言之，在所述极性树脂中，不具有极性基团的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例优选为30～95质量％，例如，可以为45～92.5质量％及60～90质量％中的任一范围。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述下限值以上，所述极性树脂更显著地具有具有极性基团的这一特性。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述上限值以下，所述极性树脂更适度地具有不具有极性基团的这一特性。
作为所述极性树脂，例如可列举出乙烯乙酸乙烯酯共聚物等。
其中，作为优选的所述极性树脂，例如可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例(在本说明书中，有时称为“衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量”)为10～40质量％的极性树脂。换言之，作为优选的所述极性树脂，例如可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙烯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例为60～90质量％的极性树脂。
作为所述非极性树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、茂金属催化剂线性低密度聚乙烯(茂金属LLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯(PE)；聚丙烯(PP)等。
中间层形成用组合物及中间层所含有的所述非硅类树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂、且不含有作为非极性树脂的非硅类树脂，可以含有1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂、且不含有作为极性树脂的非硅类树脂，还可以同时含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂与1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂。
中间层形成用组合物及中间层优选至少含有作为极性树脂的非硅类树脂。
在中间层形成用组合物及中间层中，作为极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，例如，可以为95质量％以上、97质量％以上及99质量％以上中的任一范围。通过使所述比例为所述下限值以上，可更显著地获得使用所述极性树脂所带来的效果。
另一方面，所述比例为100质量％以下。
即，在中间层形成用组合物及中间层中，作为非极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为20质量％以下，更优选为10质量％以下，例如，可以为5质量％以下、3质量％以下及1质量％以下中的任一范围。
另一方面，所述比例为0质量％以上。
从中间层形成用组合物的操作性良好这一点出发，中间层形成用组合物优选除了所述非硅类树脂以外，还含有溶剂，也可以含有不属于所述非硅类树脂与溶剂中的任一种成分的成分(在本说明书中，有时称为“添加剂”)。
中间层可以仅含有所述非硅类树脂，也可以同时含有所述非硅类树脂与所述添加剂。
所述添加剂可以为树脂成分(在本说明书中，有时称为“其他树脂成分”)与非树脂成分中的任一种成分。
作为所述其他树脂成分，例如可列举出重均分子量(Mw)大于100000的非硅类树脂与硅类树脂。
重均分子量大于100000的非硅类树脂只要满足这种条件则没有特别限定。
如后文所述，含有所述硅类树脂的中间层更容易进行带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取。
所述硅类树脂只要为具有硅原子作为构成原子的树脂成分，则没有特别限定。例如，硅类树脂的重均分子量没有特别限定。
作为优选的硅类树脂，例如可列举出对粘着剂成分表现出脱模作用的树脂成分，更优选为硅氧烷类树脂(也称为具有硅氧烷键(-Si-O-Si-)的树脂成分、硅氧烷类化合物)。
作为所述硅氧烷类树脂，例如可列举出聚二烷基硅氧烷等。所述聚二烷基硅氧烷所具有的烷基的碳原子数优选为1～20。
作为所述聚二烷基硅氧烷，可列举出聚二甲基硅氧烷等。
在所述聚二烷基硅氧烷中，键合于一个硅原子的两个烷基可以彼此相同，也可以彼此不同。当键合于一个硅原子的两个烷基彼此不同时，对这两个烷基的组合没有特别限定。
作为所述聚二烷基硅氧烷，可列举出聚二甲基硅氧烷等。
所述非树脂成分例如可以为有机化合物及无机化合物中的任意一种，没有特别限定。
中间层形成用组合物及中间层所含有的所述添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的树脂成分作为所述添加剂、且不含有非树脂成分，也可以含有1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂、且不含有树脂成分，还可以同时含有1种或2种以上的树脂成分及1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂。
中间层形成用组合物优选含有着色剂作为添加剂。
由此，能够将中间层的总透光率调节为期望的值。
作为着色剂，例如可列举出无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。作为着色剂，优选使用无机类颜料。
作为所述有机类颜料及有机类染料，例如可列举出胺鎓(aminium)类色素、花青类色素、部花青类色素、克酮酸(croconium)类色素、方酸菁(squarylium)类色素、甘菊蓝鎓(azulenium)类色素、聚甲炔类色素、萘醌类色素、吡喃鎓类色素、酞菁类色素、萘菁类色素、萘内酰亚胺(naphtholactam)类色素、偶氮类色素、缩合偶氮类色素、靛蓝类色素、紫环酮(perinone)类色素、苝类色素、二噁嗪类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、喹酞酮类色素、吡咯类色素、硫靛蓝类色素、金属络合物类色素(金属络合盐染料)、二硫醇金属络合物类色素、吲哚酚类色素、三芳基甲烷类色素、蒽醌类色素、二噁嗪类色素、萘酚类色素、偶氮甲碱类色素、苯并咪唑酮类色素、皮蒽酮类色素及士林(threne)类色素等。
作为所述无机类颜料，例如可列举出炭黑、钴类色素、铁类色素、铬类色素、钛类色素、钒类色素、锆类色素、钼类色素、钌类色素、铂类色素、ITO(氧化铟锡)类色素、ATO(氧化锑锡)类色素等。其中，优选炭黑。
中间层形成用组合物及中间层可含有的着色剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
当中间层形成用组合物及中间层含有着色剂时，在中间层中，着色剂的质量相对于中间层的总质量100质量％的比例(换言之，中间层形成用组合物中的着色剂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为0.2～50质量％，更优选为0.3～20质量％，特别优选为0.5～15质量％。
当中间层形成用组合物及中间层含有所述添加剂，且所述添加剂不含有着色剂时，中间层形成用组合物的各成分的含量可以为如下所示的含量。
在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为90～99.99质量％，例如，可以为90～97.5质量％、90～95质量％及90～92.5质量％中的任一范围，也可以为92.5～99.99质量％、95～99.99质量％及97.5～99.99质量％中的任一范围，还可以为92.5～97.5质量％。
在中间层中，所述添加剂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述添加剂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为0.01～10质量％，例如，可以为2.5～10质量％、5～10质量％及7.5～10质量％中的任一范围，也可以为0.01～7.5质量％、0.01～5质量％及0.01～2.5质量％中的任一范围，还可以为2.5～7.5质量％。
当中间层形成用组合物及中间层含有所述其他树脂成分时，在中间层中，所述其他树脂成分的总含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述其他树脂成分的总含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例)优选为0～10质量％，更优选为3～10质量％，进一步优选为6～10质量％。
中间层形成用组合物所含有的所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
中间层形成用组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
从能够更均匀地混合中间层形成用组合物中的含有成分这一点出发，中间层形成用组合物所含有的溶剂优选为四氢呋喃等。
中间层形成用组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。
如后文所述，从能够更容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片这一点出发，作为优选的中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(所述非硅类树脂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物(所述添加剂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内的中间层。
作为这种中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％的中间层。然而，这只是中间层的一个优选实例。
作为更优选的中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例(换言之，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量)为10～40质量％的中间层，并且在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，且在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。然而，这只是中间层的一个更优选的实例。
从更确切地识别带膜状粘合剂的半导体芯片的中间层这一点出发，作为优选的中间层，可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的着色剂，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为85～99.5质量％，并且中间层中的着色剂的含量相对于中间层的总质量的比例为0.5～15质量％的中间层。然而，这只是中间层的一个优选实例。
作为更优选的中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的着色剂，且在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例(换言之，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量)为10～40质量％的中间层，并且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为85～99.5质量％，且中间层中的着色剂的含量相对于中间层的总质量的比例为0.5～15质量％。然而，这只是中间层的一个优选实例。
对于半导体装置制造用片，利用X射线光电子能谱法(X-ray PhotoelectronSpectroscopy，在本说明书中，有时称为“XPS”)对中间层的膜状粘合剂侧的面(例如，在图1中为中间层13的第一面13a)进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(在本说明书中，有时简称为“硅浓度的比例”)以元素的摩尔基准计优选为1～20％。如下所述，通过使用具备这种中间层的半导体装置制造用片，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。
所述硅浓度的比例能够利用下述公式进行计算：
[基于XPS分析的硅浓度的测定值(atomic％)]/{[基于XPS分析的碳浓度的测定值(atomic％)]+[基于XPS分析的氧浓度的测定值(atomic％)]+[基于XPS分析的氮浓度的测定值(atomic％)]+[基于XPS分析的硅浓度的测定值(atomic％)]}×100。
对于XPS分析，能够使用X射线光电子能谱分析装置(例如，ULVAC,Inc.制造的“Quantra SXM”)，以照射角度为45°、X射线光束直径为
Figure BDA0003863791200000341
输出为4.5W的条件，对中间层的膜状粘合剂侧的表面进行XPS分析。
从上述效果更显著这一点出发，所述硅浓度的比例以元素的摩尔基准计，例如可以为4～20％、8～20％及12～20％中的任一范围，也可以为1～16％、1～12％及1～8％中的任一范围，还可以为4～16％及8～12％中的任一范围。
以上述方式进行XPS分析时，在中间层的所述面(XPS的分析对象面)中，有时可能会检测出不属于碳、氧、氮及硅中的任一种元素的其他元素。然而，即使检测出所述其他元素，通常其浓度也为微量，因此在计算所述硅浓度的比例时，只要使用碳、氧、氮及硅的浓度的测定值，就能够以高精度计算出所述硅浓度的比例。
中间层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
与在上文中说明的相同，中间层的宽度的最大值优选比粘着剂层的宽度的最大值及基材的宽度的最大值小。
中间层的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的尺寸而适当选择。例如，中间层的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这3个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的贴附面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。然而，如在上文中说明所示，在进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割后，通过将半导体装置制造用片扩展而将膜状粘合剂切断时，如后文所述，将切割后的多个半导体芯片(半导体芯片组)总括到一起，在这些半导体芯片上贴附半导体装置制造用片。
在本说明书中，除非另有说明，则“中间层的宽度”例如是指“中间层在与中间层的第一面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的中间层的情况下，上述中间层的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。
这在半导体晶圆的情况下也相同。即，“半导体晶圆的宽度”是指，“半导体晶圆在与半导体晶圆的贴附于半导体装置制造用片的贴附面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的半导体晶圆的情况下，上述半导体晶圆的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。
150～160mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
同样地，200～210mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
同样地，300～310mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，中间层的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。
中间层的厚度可根据目的进行适当选择，优选为5～150μm，更优选为5～120μm，例如，可以为10～90μm及10～60μm中的任一范围，也可以为30～120μm及60～120μm中的任一范围。通过使中间层的厚度为所述下限值以上，中间层的结构更加稳定。通过使中间层的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时及在进行半导体装置制造用片的所述扩展时，可更加容易地将膜状粘合剂切断。
此处，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如由多个层构成的中间层的厚度是指构成中间层的所有层的合计厚度。
当中间层含有所述硅类树脂时，尤其是当硅类树脂与作为主要成分的所述非硅类树脂的相容性较低时，在半导体装置制造用片中，中间层中的硅类树脂容易不均匀地存在于中间层的两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域。并且，这种倾向越强，则与中间层相邻的(与中间层直接接触的)膜状粘合剂越容易从中间层上剥离，越能够更加容易地以后述方式拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。
例如，对仅厚度彼此不同但在组成、所述两面的面积等除厚度以外的方面彼此相同的中间层彼此进行比较时，在这些中间层中，硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)彼此相同。然而，对于中间层的硅类树脂的含量(质量份)，厚度较厚的中间层要多于厚度较薄的中间层。因此，当硅类树脂如上所述地容易不均匀地存在于中间层中时，与厚度较薄的中间层相比，厚度较厚的中间层的不均匀地存在于两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域的硅类树脂的量更多。因此，即使不变更所述比例，也可通过调节半导体装置制造用片中的中间层的厚度来调节带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取适性。例如，通过增厚半导体装置制造用片中的中间层的厚度，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。
中间层能够使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，可通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物并根据需要进行干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。
中间层形成用组合物的涂布可通过与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。
中间层形成用组合物的干燥条件没有特别限定。当中间层形成用组合物含有所述溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选于60～130℃以1～6分钟的条件进行干燥。
○膜状粘合剂
所述膜状粘合剂具有固化性，优选具有热固性，优选具有压敏粘合性。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂可在未固化状态下通过轻轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂也可以为能够通过加热软化而贴附在各种被粘物上的粘合剂。膜状粘合剂通过固化而最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严苛的高温高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。
从上方向下俯视半导体装置制造用片时，膜状粘合剂的面积(即第一面的面积)优选以接近分割前的半导体晶圆的面积的方式，设定为比基材的面积(即第一面的面积)及粘着剂层的面积(即第一面的面积)小。在这种半导体装置制造用片中，在粘着剂层的第一面的一部分存在未与中间层及膜状粘合剂接触的区域(即，所述非层叠区域)。由此，半导体装置制造用片的扩展变得更加容易，同时扩展时施加于膜状粘合剂的力不会分散，因此可更加容易地切断膜状粘合剂。
膜状粘合剂可使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，可通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物并根据需要进行干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。
在膜状粘合剂中，膜状粘合剂的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例不大于100质量％。
同样地，在粘合剂组合物中，粘合剂组合物的1种或2种以上的后述含有成分的合计含量相对于粘合剂组合物的总质量的比例不大于100质量％。
粘合剂组合物的涂布能够利用与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定。当粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件进行干燥。
膜状粘合剂可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
如上所述，膜状粘合剂的宽度的最大值优选小于粘着剂层的宽度的最大值与基材的宽度的最大值。
相对于半导体晶圆的大小，膜状粘合剂的宽度的最大值可与上文中说明的中间层的宽度的最大值相同。
即，膜状粘合剂的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的大小进行适当选择。例如，膜状粘合剂的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这3个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的贴附面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。
在本说明书中，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”例如是指“膜状粘合剂在与膜状粘合剂的第一面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的膜状粘合剂的情况下，上述膜状粘合剂的宽度的最大值为作为所述平面形状的圆的直径。
此外，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指“切断前(未切断)的膜状粘合剂的宽度”，而并非后述的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造过程中的、切断后的膜状粘合剂的宽度。
150～160mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
同样地，200～210mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
同样地，300～310mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。
即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。
在本实施方案中，中间层的宽度的最大值与膜状粘合剂的宽度的最大值均可以为上述数值范围中的任一范围。
即，作为本实施方案的半导体装置制造用片的一个实例，可列举出中间层的宽度的最大值与膜状粘合剂的宽度的最大值均为150～160mm、200～210mm或300～310mm的半导体装置制造用片。
膜状粘合剂的厚度没有特别限定，但优选为1～30μm，更优选为2～20μm，特别优选为3～10μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，可得到更高的对被粘物(半导体芯片)的粘合力。通过使膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时及在进行半导体装置制造用片的所述扩展时，可更加容易地将膜状粘合剂切断。
此处，“膜状粘合剂的厚度”是指膜状粘合剂整体的厚度，例如由多个层构成的膜状粘合剂的厚度是指构成膜状粘合剂的所有层的合计厚度。
接着，对所述粘合剂组合物进行说明。
下述粘合剂组合物例如能够以含量(质量％)的合计不大于100质量％的方式含有下述一种以上的成分。
＜＜粘合剂组合物＞＞
作为优选的粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)的粘合剂组合物。以下，对各成分进行说明。
另外，以下所示的粘合剂组合物仅为一个优选实例，本实施方案的粘合剂组合物并不限于以下所示的粘合剂组合物。
[聚合物成分(a)]
聚合物成分(a)为被视为聚合性化合物进行聚合反应而形成的成分，其为对膜状粘合剂赋予成膜性、可挠性等，且提高对半导体芯片等粘合对象的粘合性(换言之，贴附性)的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有热塑性，但不具有热固性。在本说明书中，聚合物化合物中还含有缩聚反应的产物。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等。
其中，聚合物成分(a)优选为丙烯酸树脂。
在粘合剂组合物中，聚合物成分(a)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的聚合物成分(a)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为20～75质量％，更优选为30～65质量％。
[热固性成分(b)]
热固性成分(b)为具有热固性的、用于使膜状粘合剂热固化的成分。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固性成分(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为热固性成分(b)，例如可列举出环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等。
其中，热固性成分(b)优选为环氧类热固性树脂。
〇环氧类热固性树脂
环氧类热固性树脂由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)形成。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
·环氧树脂(b1)
作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆(novolak)环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能度以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(b1)，也可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性大于不具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性升高。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
·热固化剂(b2)
热固化剂(b2)作为针对环氧树脂(b1)的固化剂而发挥作用。
作为热固化剂(b2)，例如可列举出在1分子中具有两个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基或酸基酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。
作为热固化剂(b2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚醛树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等。
作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(DICY)等。
热固化剂(b2)可具有不饱和烃基。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份，例如可以为1～100质量份、1～50质量份及1～25质量份中的任一范围。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，膜状粘合剂的固化更加容易进行。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，膜状粘合剂的吸湿率降低，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，热固性成分(b)的含量(例如，环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为5～100质量份，更优选为5～75质量份，特别优选为5～50质量份，例如可以为5～35质量份及5～20质量份中的任一范围。通过使热固性成分(b)的所述含量在上述范围内，中间层与膜状粘合剂之间的剥离力更加稳定。
为了改善膜状粘合剂的各种物性，除了含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)以外，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可根据需要进一步含有不属于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的其他成分。
作为所述粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的其他成分中的优选成分，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。
[固化促进剂(c)]
固化促进剂(c)为用于调节粘合剂组合物的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(一个以上的氢原子被除氢原子以外的基团取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(一个以上的氢原子被有机基团取代的膦)；四苯基硼四苯基磷(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphine tetraphenylborate)等四苯基硼盐等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用固化促进剂(c)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于热固性成分(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用固化促进剂(c)所带来的效果。通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如，抑制高极性的固化促进剂(c)在高温高湿度条件下在膜状粘合剂中移动至与被粘物的粘合界面侧而发生偏析的效果变高，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。
[填充材料(d)]
通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，基于扩展的膜状粘合剂的切断性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，膜状粘合剂的热膨胀系数的调整变得容易，通过针对膜状粘合剂的贴附对象优化该热膨胀系数，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，可降低固化后的膜状粘合剂的吸湿率、或者提高散热性。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任意一种，优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、红氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的球珠；这些无机填充材料的表面改质物；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用填充材料(d)时，在粘合剂组合物中，填充材料(d)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的填充材料(d)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为5～80质量％，更优选为10～70质量％，特别优选为20～60质量％。通过使所述比例在上述范围内，可更显著地获得使用上述填充材料(d)所带来的效果。
[偶联剂(e)]
通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，其对被粘物的粘合性及密合性升高。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，膜状粘合剂的固化物的耐水性升高且不会损害耐热性。偶联剂(e)具有可与无机化合物或有机化合物反应的官能团。
偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、热固性成分(b)等所具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用偶联剂(e)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用偶联剂(e)所带来的效果，即提高填充材料(d)在树脂中的分散性、或提高膜状粘合剂与被粘物的粘合性等。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气(outgas)的产生。
[交联剂(f)]
当使用上述丙烯酸树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的物质作为聚合物成分(a)时，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可以含有交联剂(f)。交联剂(f)为用于使聚合物成分(a)中的所述官能团与其他化合物键合并交联的成分，通过以此方式进行交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及内聚力。
作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯(polyisocyanate)化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
将有机多异氰酸酯化合物用作交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、且聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，能够简便地将交联结构引入膜状粘合剂中。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(f)所带来的效果。通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。
[能量射线固化性树脂(g)]
通过使粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)，膜状粘合剂能够通过照射能量射线而使其特性发生改变。
能量射线固化性树脂(g)为由能量射线固化性化合物得到的树脂。
作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出分子内至少具有一个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
粘合剂组合物所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用能量射线固化性树脂(g)时，在粘合剂组合物中，能量射线固化性树脂(g)的含量相对于粘合剂组合物的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
[光聚合引发剂(h)]
当粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)时，为了效率良好地推进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可以含有光聚合引发剂(h)。
作为粘合剂组合物中的光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
此外，作为光聚合引发剂(h)，例如还可列举出胺等光敏剂等。
粘合剂组合物所含有的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂(h)时，在粘合剂组合物中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。
[通用添加剂(i)]
通用添加剂(i)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，但作为优选的添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、着色剂(染料、颜料)、吸杂剂(gettering agent)等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物及膜状粘合剂的含量没有特别限定，根据目的进行适当选择即可。
作为着色剂，可列举出在中间层形成用组合物中例示的着色剂。
粘合剂组合物可含有的着色剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物中的着色剂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总质量100质量％的比例(即，膜状粘合剂中的着色剂的质量相对于膜状粘合剂总质量的比例)优选为0.2～50质量％，更优选为0.3～20质量％，特别优选为0.5～15质量％。
通过使着色剂的含量的比例为所述下限值以上，可更确切地利用传感器光学识别膜状粘合剂。
通过使着色剂的含量的比例为所述上限值以下，可提高膜状粘合剂与半导体芯片的剪切强度等的可靠性。
[溶剂]
粘合剂组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的粘合剂组合物的操作性变得良好。
所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
从能够更均匀地混合粘合剂组合物中的含有成分这一点出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
粘合剂组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。
＜＜粘合剂组合物的制备方法＞＞
粘合剂组合物可通过掺合用于构成该组合物的各成分而得到。
例如，除了掺合成分的种类不同这一点以外，能够通过与上文中说明的粘着剂组合物相同的方法制备粘合剂组合物。
◇半导体装置制造用片的制造方法
所述半导体装置制造用片能够通过以使上述各个层成为对应位置关系的方式层叠上述各个层而制造。各个层的形成方法与在上文中说明的相同。
例如，所述半导体装置制造用片可通过下述方式制造：分别预先准备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，将它们以基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的顺序进行贴合并层叠。
然而，这只是半导体装置制造用片的制造方法的一个实例。
所述半导体装置制造用片例如还可通过下述方式制造：预先制作用于构成半导体装置制造用片的将多个层进行层叠而构成的2种以上的中间层叠体，将这些中间层叠体彼此贴合。中间层叠体的构成可适当地任意选择。例如，可预先制作具有基材及粘着剂层层叠而成的构成的第一中间层叠体(相当于所述支撑片)、与具有中间层及膜状粘合剂层叠而成的构成的第二中间层叠体，将第一中间层叠体中的粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，由此制造半导体装置制造用片。
然而，这也只是半导体装置制造用片的制造方法的一个实例。
作为所述半导体装置制造用片，例如在制造如图1所示的中间层的第一面的面积及膜状粘合剂的第一面的面积均比粘着剂层的第一面及基材的第一面的面积小的半导体装置制造用片时，可在上述的制造方法中的任意阶段追加进行将中间层与膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序(有时将该工程称为冲压加工)。
例如，在使用所述第二中间层叠体的制造方法中，可追加进行将第二中间层叠体中的中间层及膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序，由此制造半导体装置制造用片。
上述冲压加工例如可以包括以下所述的首次冲压加工、二次冲压加工。
在首次冲压加工中，使用切断刀片对该带剥离膜的第二中间层叠体的中间层侧的剥离膜至膜状粘合剂进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，制作带剥离膜的第二中间层叠体加工物，所述带剥离膜的第二中间层叠体加工物通过在膜状粘合剂侧的剥离膜上将膜状粘合剂、中间层及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形。
接着，从上述得到的带剥离膜的第一中间层叠体中去除剥离膜，使粘着剂层的一个面露出。
进一步，从上述得到的带剥离膜的第二中间层叠体加工物中去除圆形的剥离膜，使中间层的一个面露出。
接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层的新产生的露出面与第二中间层叠体加工物中的中间层的新产生的露出面贴合，得到第三中间层叠体。
接着，对该第三中间层叠体进行二次冲压加工。
具体而言，使用切断刀片从基材侧对第三中间层叠体进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，得到支撑片的平面形状为圆形、且支撑片与圆形的膜状粘合剂及中间层呈同心状的半导体装置制造用片。
通过上述冲压加工，可制造中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积均比粘着剂层的第一面与基材的第一面的面积小的半导体装置制造用片。
另外，在制造处于在膜状粘合剂上具备剥离膜的状态的半导体装置制造用片时，例如可以在剥离膜上制作膜状粘合剂，并维持该状态，层叠剩余的层，从而制作半导体装置制造用片；也可以在将基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂全部层叠后，在膜状粘合剂上层叠剥离膜，从而制作半导体装置制造用片。剥离膜在使用半导体装置制造用片时之前、在必要阶段去除即可。
具备除基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜以外的其他层的半导体装置制造用片可通过在上述制造方法中，在适当的时机追加形成该其他层并进行层叠的工序而进行制造。
◇半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)
所述半导体装置制造用片可在半导体装置的制造过程中，在制造带膜状粘合剂的半导体芯片时使用。
以下，参照附图对所述半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)进行详细说明。
图3A、图3B、图3C为用于对半导体装置制造用片的使用方法的一个实例进行示意性说明的截面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体晶圆后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作切割固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。
首先，如图3A所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体晶圆9’的背面9b’。
附图标记9a’表示半导体晶圆9’的电路形成面。
贴附半导体装置制造用片101时的加热温度没有特别限定，但从进一步提高半导体装置制造用片101的加热贴附稳定性这一点出发，优选为40～70℃。
半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度W13的最大值与膜状粘合剂14的宽度W14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度W9’的最大值完全相同、或者虽然不同但误差轻微至几乎等同。
接着，自半导体晶圆9’的电路形成面9a’侧将刀片切入(进行刀片切割)上述得到的半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物，由此将半导体晶圆9’分割，同时将膜状粘合剂14切断。
刀片切割能够利用公知的方法进行。例如，能够在将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)后，使用刀片，进行半导体晶圆9’的分割与膜状粘合剂14的切断。
如图3B所示，通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。
半导体芯片9的背面9b对应于半导体晶圆9’的背面9b’。此外，图3中，附图标记9a表示半导体芯片9的电路形成面，其对应于半导体晶圆9’的电路形成面9a’。
在进行刀片切割时，优选：将刀片切入至半导体晶圆9’的厚度方向的整个区域从而将其分割，同时自膜状粘合剂14的第一面14a将刀片切入至半导体装置制造用片101的中间层13的中途区域，由此将膜状粘合剂14在其厚度方向的整个区域切断，且不切入至粘着剂层12。
即，在进行刀片切割时，优选：自半导体晶圆9’的电路形成面9a’将刀片沿半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物的层叠方向至少切入至中间层13的第一面13a，且不切入至中间层13的与第一面13a为相反侧的面(即，与粘着剂层12的接触面)。
在本工序中，通过上述方式能够容易地避免刀片到达基材11，由此能够抑制来自基材11的切削屑的产生。并且，通过使被刀片切断的中间层13的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使该重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层13的切削屑的产生。
刀片切割的条件根据目的进行适当调节即可，没有特别限定。通常，刀片的转速优选为15000～50000rpm，刀片的移动速度优选为5～75mm/秒。
如图3C所示，在进行刀片切割后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。此处，示出了使用真空吸嘴(vacuum collet)等拉离工具7，将带膜状粘合剂的半导体芯片914沿箭头P方向拉离的情况。另外，此处，未对拉离工具7进行截面显示。
带膜状粘合剂的半导体芯片914可利用公知的方法而拾取。
当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。
作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：
一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，
所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，
所述制造方法具有：一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体晶圆的背面的工序；通过将贴附有所述膜状粘合剂的所述半导体晶圆自其电路形成面侧切入其厚度方向的整个区域而进行分割，从而制作半导体芯片，并同时将所述半导体装置制造用片在其厚度方向上自其所述膜状粘合剂侧切入至所述中间层的中途区域，将所述膜状粘合剂切断且不切入至所述粘着剂层，由此得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中，有时称为“制造方法1”)。
图4A、图4B及图4C为用于对作为半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的一个实例进行示意性说明的截面图，其示出了通过进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割来制造半导体芯片的情况。
图5A、图5B及图5C为用于对半导体装置制造用片的使用方法的另一个实例进行示意性说明的截面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体芯片后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。
首先，在使用半导体装置制造用片101之前，如图4A所示，准备半导体晶圆9’，并在其电路形成面9a’上贴附背磨胶带(有时也称为“表面保护胶带”)8。
在图4A中，附图标记W9’表示半导体晶圆9’的宽度。
接着，如图4B所示，通过以聚焦于设定在半导体晶圆9’内部的焦点的方式照射激光(省略图示)，在半导体晶圆9’的内部形成改质层90’。
优选自半导体晶圆9’的背面9b’侧对半导体晶圆9’照射所述激光。
此时的焦点的位置为半导体晶圆9’的预定分割(切割)的位置，该位置以可由半导体晶圆9’得到目标大小、形状及个数的半导体芯片的方式进行设定。
接着，使用研磨机(省略图示)研磨半导体晶圆9’的背面9b’。由此，将半导体晶圆9’的厚度调节为目标值，同时通过利用此时施加于半导体晶圆9’的研磨时的力，在改质层90’的形成部位分割半导体晶圆9’，如图4C所示，制作多个半导体芯片9。
与半导体晶圆9’的其他位置不同，半导体晶圆9’的改质层90’通过照射激光而改质，其强度变弱。因此，通过对形成有改质层90’的半导体晶圆9’施加力，改质层90’上施加有力，半导体晶圆9’在该改质层90’的部位开裂，可得到多个半导体芯片9。
通过上述方式，可得到作为半导体装置制造用片101的使用对象的半导体芯片9。更具体而言，通过本工序，可得到多个半导体芯片9处于整齐排列并固定在背磨胶带8上的状态的半导体芯片组901。
从半导体芯片组901的上方向下俯视半导体芯片组901时，连接半导体芯片组901的最外侧的部位而形成的平面形状(在本说明书中，有时将这种平面形状简称为“半导体芯片组的平面形状”)，与以相同的方式俯视半导体晶圆9’时的半导体晶圆9’的平面形状完全相同，或者两者的平面形状之间的差异轻微至可以忽视，可以说半导体芯片组901的所述平面形状与半导体晶圆9’的所述平面形状大致相同。
因此，如图4C所示，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度可视为与半导体晶圆9’的宽度W9’相同。并且，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度的最大值可视为与半导体晶圆9’的宽度W9’的最大值相同。
另外，此处虽示出了能够符合目标地由半导体晶圆9’制成了半导体芯片9的情况，但根据研磨半导体晶圆9’的背面9b’时的条件，半导体晶圆9’的一部分区域有时也不会被分割为半导体芯片9。
接着，使用上述得到的半导体芯片9(半导体芯片组901)，制造带膜状粘合剂的半导体芯片。
首先，如图5A所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的一片半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体芯片组901中的所有半导体芯片9的背面9b。此时的膜状粘合剂14的贴附对象可以为未完全分割的半导体晶圆。
半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度W13的最大值与膜状粘合剂14的宽度W14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度W9’(换言之，半导体芯片组901的宽度)的最大值完全相同，或者虽然不同但误差轻微至几乎等同。
对于此时的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体芯片组901的贴附，除了使用半导体芯片组901代替半导体晶圆9’这一点以外，可利用与所述制造方法1中的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体晶圆9’的贴附相同的方法进行。
接着，从该处于固定状态的半导体芯片组901上去除背磨胶带8。接着，如图5B所示，一边冷却半导体装置制造用片101，一边沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向对其进行拉伸，由此进行扩展。此处，用箭头E1表示半导体装置制造用片101的扩展的方向。通过以此方式进行扩展，沿半导体芯片9的外周切断膜状粘合剂14。
通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。
此处得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910均与上文中说明的制造方法1中得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910基本相同。
在如上所述地分割半导体晶圆9’时半导体晶圆9’的一部分区域未被分割为半导体芯片9的情况下，通过进行本工序，可将该区域分割为半导体芯片。
优选将半导体装置制造用片101的温度设为-5～5℃来进行扩展。通过将半导体装置制造用片101以上述方式进行冷却并进行扩展(进行冷扩展)，可更加容易地以高精度切断膜状粘合剂14。
半导体装置制造用片101的扩展能够利用公知的方法进行。例如，可将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)后，将半导体装置制造用片101的层叠有中间层13及膜状粘合剂14的区域整个沿自基材11至粘着剂层12的方向自基材11侧上推，由此对半导体装置制造用片101进行扩展。
图5B中，虽然粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的所述非层叠区域与中间层13的第一面13a几乎平行，但如上所述，在通过半导体装置制造用片101的上推而进行了扩展的状态下，所述非层叠区域包括倾斜面，所述倾斜面的高度沿与上述上推方向相反的方向随着靠近粘着剂层12的外周而逐渐降低。
在本工序中，通过使半导体装置制造用片101具备中间层13(换言之，通过将切断前的膜状粘合剂14设置在中间层13上)，膜状粘合剂14能够在目标位置(换言之，沿半导体芯片9的外周)以良好的精度被切断，可抑制切断不良。
如图5C所示，在进行扩展后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。
此时的拾取能够利用与上文中说明的制造方法1中的拾取相同的方法进行，拾取适性也与制造方法1中的拾取适性相同。
例如，本工序中，当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。
此外，当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。
作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：
一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，
所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，
所述制造方法具有：通过以聚焦于设定在半导体晶圆内部的焦点的方式照射激光，在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；通过对形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，在所述改质层的形成部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列状态的半导体芯片组的工序；一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；一边冷却贴附于所述半导体芯片后的所述半导体装置制造用片，一边沿与其表面平行的方向进行拉伸，由此沿所述半导体芯片的外周切断所述膜状粘合剂，得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中，有时称为“制造方法2”)。
至此，制造方法1及制造方法2中的任意一种制造方法均以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行了说明，但除此以外的本实施方案涉及的半导体装置制造用片同样也可使用。此时，也可根据需要，基于该半导体装置制造用片与半导体装置制造用片101的构成的差异，适当追加其他工序，从而使用半导体装置制造用片。
不仅限于制造方法1及制造方法2，得到所述带膜状粘合剂的半导体芯片组后，可在拾取所述带膜状粘合剂的半导体芯片前，将所述层叠片沿与所述粘着剂层的所述中间层侧的面(第一面)平行的方向进行扩展，进一步以维持该状态的方式，对所述层叠片中的未载置所述带膜状粘合剂的半导体芯片(带膜状粘合剂的半导体芯片组)的周缘部进行加热。
通过以此方式进行，能够使所述周缘部收缩，同时能够使所述层叠片中相邻的半导体芯片之间的距离、即切口宽度足够宽并以较高的均匀性保持该切口宽度。并且，能够更加容易地拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。
在上述制造方法2中，膜状粘合剂的宽度的最大值优选为150～160mm、200～210mm或300～310mm。
这3个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的贴附面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。
在实施例中，如后文所述，通过使膜状粘合剂的宽度的最大值在上述范围内，在扩展半导体装置制造用片时，能够抑制膜状粘合剂的飞散。
实施例
以下，利用具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。
＜＜粘合剂组合物的制备原料＞＞
以下示出用于制备粘合剂组合物的原料。
[聚合物成分(a)]
(a)-1：将丙烯酸甲酯(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)共聚而成的丙烯酸树脂(重均分子量为800000，玻璃化转变温度为9℃)。
[环氧树脂(b1)]
(b1)-1：加成有丙烯酰基的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“CNA147”，环氧当量为518g/eq，数均分子量为2100，不饱和基团含量与环氧基为等量)
[热固化剂(b2)]
(b2)-1：芳烷基型酚醛树脂(Mitsui Chemicals,Inc.制造的“Milex XLC-4L”，数均分子量为1100，软化点为63℃)
[填充材料(d)]
(d)-1：球形二氧化硅(Admatechs公司制造的“YA050C-MJE”，平均粒径为50nm，甲基丙烯酸硅烷处理品)
[偶联剂(e)]
(e)-1：硅烷偶联剂、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(信越有机硅公司制造的“KBE-402”)
[交联剂(f)]
(f)-1：甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造的“CORONATE L”)
[参考例1]
＜＜半导体装置制造用片的制造及评价(1)＞＞
＜基材的制造＞
使用挤出机，使低密度聚乙烯(LDPE，Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造的“SUMIKATHENE L705”)熔融，利用T模法将熔融物挤出，并使用冷却辊对挤出物进行双轴拉伸，由此得到LDPE制的基材(厚度110μm)。
＜粘着剂层的制作＞
制备含有作为粘着性树脂(I-1a)的丙烯酸树脂(TOYOCHEM CO.,LTD.制造的“ORIBAIN BPS 6367X”)(100质量份)与交联剂(TOYOCHEM CO.,LTD.制造的“BXX 5640”)(1质量份)的非能量射线固化性的粘着剂组合物。
接着，使用通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘着剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于100℃加热干燥2分钟，由此制作非能量射线固化性的粘着剂层(厚度10μm)。
＜中间层的制作＞
在常温下，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重均分子量为30000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)(15g)溶解于85g的四氢呋喃，向所得到的溶液中添加硅氧烷类化合物(聚二甲基硅氧烷，BYK Japan KK.制造的“BYK-333”，1分子中的化学式“-Si(-CH3)2-O-”所表示的结构单元的数量为45～230)(1.5g)并进行搅拌，由此制作中间层形成用组合物。
使用通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的中间层形成用组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于70℃加热干燥5分钟，由此制作中间层(厚度20μm)。
＜膜状粘合剂的制作＞
制备含有聚合物成分(a)-1(100质量份)、环氧树脂(b1)-1(10质量份)、热固化剂(b2)-1(1.5质量份)、填充材料(d)-1(75质量份)、偶联剂(e)-1(0.5质量份)及交联剂(f)-1(0.5质量份)的热固性的粘合剂组合物。
接着，使用通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘合剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于80℃加热干燥2分钟，由此制作热固性的膜状粘合剂(厚度为7μm)。
＜半导体装置制造用片的制造＞
将上述得到的粘着剂层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的基材的一个表面贴合，由此制作带剥离膜的第一中间层叠体(换言之，带剥离膜的支撑片)。
将上述得到的膜状粘合剂的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的中间层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面贴合，由此制作带剥离膜的第二中间层叠体(剥离膜、中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠物)。
接着，进行首次冲压加工。
具体而言，使用切断刀片对该带剥离膜的第二中间层叠体的中间层侧的剥离膜至膜状粘合剂进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，制作带剥离膜的第二中间层叠体加工物，所述带剥离膜的第二中间层叠体加工物通过在膜状粘合剂侧的剥离膜上将膜状粘合剂(厚度为7μm)、中间层(厚度为20μm)及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形(直径为305mm)。
接着，从上述得到的带剥离膜的第一中间层叠体中去除剥离膜，使粘着剂层的一个面露出。
进一步，从上述得到的带剥离膜的第二中间层叠体加工物中去除圆形的剥离膜，使中间层的一个面露出。
接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层的新产生的露出面与第二中间层叠体加工物中的中间层的新产生的露出面贴合，得到第三中间层叠体。
接着，对该第三中间层叠体进行二次冲压加工。
具体而言，使用切断刀片(370mm)从基材侧对第三中间层叠体进行冲孔加工，去除不需要的部分。
由此，得到支撑片的平面形状为圆形(直径为370mm)、且支撑片与圆形的膜状粘合剂及中间层(直径为305mm)呈同心状的半导体装置制造用片。
通过上述方式，得到基材(厚度为110μm)、粘着剂层(厚度为10μm)、中间层(厚度为20μm)、膜状粘合剂(厚度为7μm)及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成的带剥离膜的半导体装置制造用片。
＜中间层的膜状粘合剂侧的面的硅浓度的比例的计算＞
在上述半导体装置制造用片的制造过程中，针对与粘着剂层进行贴合前的阶段的中间层的露出面，利用XPS进行分析，测定碳(C)、氧(O)、氮(N)及硅(Si)的浓度(atomic％)，并根据该测定值求出硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(％)。
XPS分析使用X射线光电子能谱分析装置(ULVAC,Inc.制造的“Quantra SXM”)，并以照射角度为45°、X射线光束直径为
Figure BDA0003863791200000601
输出为4.5W的条件进行。将结果与其他元素的浓度的比例(％)一同示于表1中的“中间层的元素浓度的比例(％)”一栏。
＜进行刀片切割时抑制产生切削屑的效果的评价＞
[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]
将上述得到的半导体装置制造用片上的剥离膜去除。
使用以干式抛光加工对背面进行了抛光的硅晶圆(直径为300mm，厚度为75μm)，使用贴膜机(LINTEC Corporation制造的“Adwill RAD2500”)，将上述半导体装置制造用片一边加热至60℃，一边通过其膜状粘合剂贴附于硅晶圆的背面(抛光面)。由此，得到基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物(所述层叠片、膜状粘合剂及硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物)。
接着，将所述层叠物中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。
接着，使用切割装置(DISCO Corporation制造的“DFD6361”)进行切割，由此将硅晶圆分割，同时也将膜状粘合剂切断，得到大小为8mm×8mm的硅芯片。此时的切割通过下述方式进行：将刀片的转速设为30000rpm、并将刀片的移动速度设为30mm/秒，针对半导体装置制造用片，将刀片自膜状粘合剂的贴附于硅晶圆的贴附面切入至中间层的中途区域(即，膜状粘合剂的厚度方向的整个区域与中间层的自其膜状粘合剂侧的面至中途的区域)。作为刀片，使用DISCO Corporation制造的“Z05-SD2000-D1-90 CC”。
通过上述方式，得到具备硅芯片与设置在其背面的切断后的膜状粘合剂的多个带膜状粘合剂的硅芯片处于通过其中的膜状粘合剂整齐排列并固定在所述层叠片中的中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。
[抑制产生切削屑的效果的评价]
使用数字显微镜(KEYENCE CORPORATION制造的“VH-Z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对其进行观察，确认是否产生切削屑。并且，将完全没有产生切削屑的情况判定为“A”，将即使为少量但产生了切削屑的情况判定为“B”。将结果示于表1。
＜进行扩展时的膜状粘合剂的切断性的评价＞
[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]
使用平面形状为圆形且该圆形的直径为300mm、厚度为775μm的硅晶圆，在硅晶圆的一个面上贴附背磨胶带(LINTEC Corporation制造的“Adwill E-3100TN”)。
接着，使用激光照射装置(DISCO Corporation制造的“DFL73161”)，以聚焦于设定在该硅晶圆内部的焦点的方式照射激光，由此在硅晶圆的内部形成改质层。此时，所述焦点以可由该硅晶圆得到多个大小为8mm×8mm的硅芯片的方式进行设定。此外，自硅晶圆的另一个面(未贴附背磨胶带的面)侧对硅晶圆照射激光。
接着，使用研磨机研磨硅晶圆的所述另一个面，由此将硅晶圆的厚度制成30μm，同时通过利用此时施加于硅晶圆的研磨时的力，在改质层的形成部位分割硅晶圆，形成多个硅芯片。由此，得到多个硅芯片处于整齐排列并固定在背磨胶带上的状态的硅芯片组。
接着，使用贴膜机(LINTEC Corporation制造的“Adwill RAD2500”)，一边将上述得到的一片半导体装置制造用片加热至60℃，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所有的所述硅芯片(硅芯片组)的所述另一个面(换言之研磨面)。
接着，将该贴附于硅芯片组后的半导体装置制造用片中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。
接着，从该处于固定状态的硅芯片组上去除背磨胶带。接着，使用全自动芯片分割机(DISCO Corporation制造的“DDS2300”)，在0℃的环境下，一边冷却半导体装置制造用片，一边沿与其表面平行的方向对其进行扩展，由此沿硅芯片的外周切断膜状粘合剂。此时，固定半导体装置制造用片的周缘部，自半导体装置制造用片的基材侧，将半导体装置制造用片的层叠有中间层及膜状粘合剂的区域整体仅上推15mm的高度，由此进行扩展。
通过上述方式，得到具备硅芯片与设置在所述硅芯片的另一个面(研磨面)的切断后的膜状粘合剂的多个带膜状粘合剂的硅芯片处于整齐排列并固定在中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。
接着，暂时解除上述半导体装置制造用片的扩展后，在常温下，将基材、粘着剂层及中间层层叠而构成的层叠物(即，所述层叠片)沿与粘着剂层的第一面平行的方向进行扩展。进一步，维持该经扩展的状态，对所述层叠片中未载置带膜状粘合剂的硅芯片的周缘部进行加热。由此，使所述周缘部收缩，同时使所述层叠片上相邻的硅芯片之间的切口宽度保持为一定值以上。
[膜状粘合剂的切断性的评价]
在制造上述带膜状粘合剂的硅芯片组时，使用数字显微镜(KEYENCE CORPORATION制造的“VH-Z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对其进行观察。接着，确认在假设膜状粘合剂通过半导体装置制造用片的扩展而被正常切断时，应当形成的沿一个方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线、及沿与该方向正交的方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线中，实际上未形成的切断线及形成不完整的切断线的条数，并按照下述评价基准，评价膜状粘合剂的切断性。将结果示于表1。
(评价基准)
A：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为5条以下。
B：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为6条以上。
＜扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价＞
在进行上述膜状粘合剂的切断性的评价后，接着使用带膜状粘合剂的硅芯片组与固晶装置(FASFORD TECHNOLOGY CO.,LTD.制造的“PU100”)，在上推高度为250μm、上推速度为5mm/s、上推时间为500ms的条件下，从所述层叠片中的中间层上拾取带膜状粘合剂的硅芯片。并且，将能够正常拾取所有带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“A”，将无法正常拾取1个以上的带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“B”。将结果示于表1。
＜中间层与膜状粘合剂之间的T型剥离强度的测定＞
将上述得到的半导体装置制造用片上的剥离膜去除。
将由此产生的半导体装置制造用片中的膜状粘合剂的露出面的整个面贴合于具有聚对苯二甲酸乙二醇酯层的粘着胶带(LINTEC Corporation制造的“PET50(A)PLシン8LK”)的粘着面，将由此得到的层叠物裁切成50mm×100mm的大小，由此制作试验片。
对于该试验片，按照JIS K6854-3，将基材、粘着剂层及中间层的层叠物(即所述层叠片)、与膜状粘合剂及粘着胶带的层叠物拉离，由此使试验片以T字状剥离，将此时所测定的剥离力(mN/50mm)的最大值用作T型剥离强度。此时，将剥离速度设为50mm/分钟。将结果示于表1。
＜＜半导体装置制造用片的制造及评价(1)的后续＞＞
[参考例2]
除了增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成80μm以代替20μm这一点以外，利用与参考例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表1。
[参考例3]
除了在制备中间层形成用组合物时，不添加所述硅氧烷类化合物，并将所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的用量设为16.5g以代替15g(换言之，用相同质量的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物代替所述硅氧烷类化合物，从而仅使所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物溶解于四氢呋喃)这一点以外，利用与参考例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表1。表1中的添加剂一栏中的“-”的记载是指未使用该添加剂。
[比较例1]
除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重均分子量为200000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点、及增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成80μm以代替20μm这一点以外，利用与参考例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表1。
[比较例2]
除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重均分子量为200000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点以外，利用与参考例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0003863791200000651
根据上述结果可知，对于参考例1～3，在进行刀片切割时，切削屑的产生得以抑制，在进行扩展时，膜状粘合剂的切断不良得以抑制，硅晶圆的分割适性优异。
对于参考例1～3，半导体装置制造用片中的中间层所含有的作为主要成分的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量为30000。
另外，对于参考例1～3，所述中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90.9质量％以上，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为9.1质量％以下。
此外，对于参考例1～2，扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性优异。
对于参考例1～2，中间层与膜状粘合剂之间的T型剥离强度为100mN/50mm以下，适度变低，并且，中间层的所述硅浓度的比例为9％，适度变高。这些评价结果与上述带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价结果一致。
对于参考例3，半导体装置制造用片中的中间层不含有所述硅氧烷类化合物。
参考例1～2的半导体装置制造用片的差异虽然仅在于中间层的厚度，但相较于参考例1的半导体装置制造用片，参考例2的半导体装置制造用片的中间层与膜状粘合剂之间的T型剥离强度更小，相较于参考例1，参考例2的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取更加容易。推测这是由于，即使中间层中的硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)在参考例1～2的半导体装置制造用片中是相同的，但由于参考例2的中间层的硅氧烷类化合物的含量(质量份)比参考例1多，进而使得硅氧烷类化合物更容易在中间层中不均匀地存在于中间层的两面及其附近区域，因此参考例2的不均匀地存在于中间层的两面及其附近区域的硅氧烷类化合物的量也比参考例1多。
另外，对于参考例1～3，针对中间层的露出面进行XPS分析时，未检测出氮。
然而，对于比较例1～2，在进行刀片切割时，切削屑的产生未得以抑制，硅晶圆的分割适性差。
对于比较例1～2，半导体装置制造用片中的中间层所含有的作为主要成分的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量为200000。
另外，比较例1～2的半导体装置制造用片的差异仅在于中间层的厚度，比较例1～2中的中间层与膜状粘合剂之间的T型剥离强度的关系显示出与参考例1～2相同的倾向。
此外，对于比较例1～2，针对中间层的露出面进行XPS分析时，也未检测出氮。
[实施例1]
＜＜半导体装置制造用片的制造及评价(2)＞＞
向中间层形成用组合物中进一步添加作为着色剂的炭黑(Mitsubishi ChemicalCorporation制造的“MA600B”)，而不添加硅氧烷类化合物。中间层形成用组合物中的炭黑的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量100质量％的比例为0.5质量％。
此外，制备中间层形成用组合物时，使用乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重均分子量为30000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为20质量％)代替乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重均分子量为30000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)。
此外，增大粘着剂组合物的涂布量从而将粘着剂层的厚度变更为20μm。
除了这几点以外，利用与参考例3相同的方式制作半导体装置制造用片。
＜总透光率的测定＞
在上述膜状粘合剂的制作过程中，使用雾度计(NIPPON DENSHOKU INDUSTRIESCo.,Ltd.制造，NDH7000)，按照JIS K7361-1:1997分别对带剥离膜的膜状粘合剂(厚度为7μm)、带剥离膜的中间层(厚度为20μm)及第一中间层叠体(带剥离膜的支撑片)测定总透光率(％)。将结果示于表2。
＜中间层或膜状粘合剂的识别＞
在上述半导体装置制造用片的制造的二次冲压加工中，利用传感器识别第三中间层叠体中的中间层或膜状粘合剂，由此对是否正常地进行了二次冲压加工进行评价。将结果示于表2。
(评价基准)
A：正常地进行了二次冲压加工。
B：未能正常进行二次冲压加工。
＜进行扩展时的膜状粘合剂的飞散抑制性的评价＞
利用＜＜半导体装置制造用片的制造及评价(1)＞＞的＜进行刀片切割时抑制产生切削屑的效果的评价＞中记载的方法制造带膜状粘合剂的硅芯片组。
在上述带膜状粘合剂的硅芯片组的制造中，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对其进行肉眼观察。接着，确认在硅芯片的电路形成面上是否附着了飞散的切断后的膜状粘合剂，并按照下述评价基准，评价膜状粘合剂的飞散抑制性。将结果示于表2。
(评价基准)
A：在电路形成面中，观察到膜状粘合剂的附着的硅芯片的个数为0个。
B：在电路形成面中，观察到膜状粘合剂的附着的硅芯片的个数为1个以上。
＜带膜状粘合剂的硅芯片的剪切粘合强度的评价＞
首先，使用贴膜机(LINTEC Corporation制造的“Adwill RAD2500”)，一边将上述半导体装置制造用片加热至60℃，一边将其介由其膜状粘合剂贴附于实施了干式抛光(#2000)的硅晶圆(直径为150mm，厚度为350μm)的研磨面。
接着，使用切割装置(DISCO Corporation制造的“DFD651”)，将该硅晶圆切割(50mm/秒，30000rpm)为2mm×2mm的尺寸，得到芯片。
接着，将贴附有半导体装置制造用片的上述芯片以150℃、0.98N(100gf)、1秒时间的条件压接于铜板。
接着，使用加热烘箱以175℃、5小时的条件对该晶圆进行加热，由此使半导体装置制造用片的膜状粘合剂热固化，然后使用焊接强度测试仪(Dage公司制造的“焊接强度测试仪dage 4000系列”)于常温测定剪切粘合强度(N/2mm□)。进行9次测定，并记录其最低值。将结果示于表2。
[实施例2]
未向粘合剂组合物中添加炭黑，而是向粘合剂组合物中进一步添加炭黑。粘合剂组合物中的炭黑的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总质量100质量％的比例为0.5质量％。除了这几点以外，利用与实施例1相同的方式，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
[实施例3]
在上述半导体装置制造用片的制造工序的首次冲压加工中，制作膜状粘合剂(厚度为7μm)、中间层(厚度为20μm)及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形(直径为330mm)的带剥离膜的第二中间层叠体加工物，除了这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
[实施例4]
在上述半导体装置制造用片的制造工序的首次冲压加工中，制作在膜状粘合剂侧的剥离膜上将膜状粘合剂、中间层及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形(直径为155mm)的带剥离膜的第二中间层叠体加工物。
此外，在上述半导体装置制造用片的制造工序的二次冲压加工中，使用切断刀片(207mm)，以使支撑片的平面形状为圆形(直径为207mm)的方式进行冲孔加工。
此外，在上述带膜状粘合剂的硅芯片组的制造中，使用平面形状为圆形且其直径为150mm、厚度为775μm的硅晶圆。
除了上述这3点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
[实施例5]
在上述半导体装置制造用片的制造工序的首次冲压加工中，制作在膜状粘合剂侧的剥离膜上将膜状粘合剂、中间层及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，且平面形状为圆形(直径为205mm)的带剥离膜的第二中间层叠体加工物。
此外，在上述半导体装置制造用片的制造工序的二次冲压加工中，使用切断刀片(270mm)，以使支撑片的平面形状为圆形(直径为270mm)的方式进行冲孔加工。
此外，在上述带膜状粘合剂的硅芯片组的制造中，使用平面形状为圆形且其直径为200mm、厚度为775μm的硅晶圆。
除了上述这3点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
[比较例3]
进一步向粘着剂组合物中添加炭黑。粘着剂组合物中的炭黑的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总质量100质量％的比例为1.0质量％。
除上述这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
[比较例4]
减少添加于中间层形成用组合物中的炭黑的量。中间层形成用组合物中的炭黑的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量100质量％的比例为0.1质量％。
除上述这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片并对其进行评价。将结果示于表2。
Figure BDA0003863791200000711
对于实施例1～5，选自由中间层及膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下。此外，对于实施例1～5，选自由中间层及膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由基材及粘着剂层构成的支撑片的总透光率。
对于实施例1～5，在二次冲压加工中，可利用传感器识别中间层或膜状粘合剂，正常地进行了二次冲压。
然而，对于比较例3，中间层及膜状粘合剂的总透光率为支撑片的总透光率以上。
此外，对于比较例4，中间层及膜状粘合剂的总透光率大于60％。
对于比较例3～4，在二次冲压加工中，无法利用传感器识别中间层或膜状粘合剂，未能正常地进行二次冲压。
对于比较例3～4，通过肉眼进行位置对齐，并手动进行冲压加工。将所得到的半导体装置制造用片贴附于硅晶圆，接着对膜状粘合剂的飞散抑制、及带膜状粘合剂的硅芯片的剪切粘合强度进行评价。
对于实施例1～2、比较例3～4，半导体装置制造用片的平面形状为圆形(直径为305mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性的评价为A。
对于实施例4，半导体装置制造用片的平面形状为圆形(直径为155mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性的评价为A。
对于实施例5，半导体装置制造用片的平面形状为圆形(直径为205mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性的评价为A。
然而，对于实施例3，半导体装置制造用片的平面形状为圆形(直径为330mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性的评价为B。
对于实施例1～2、实施例4～5、比较例3～4，认为由于半导体装置制造用片中未载置硅芯片的区域狭窄，因此进行扩展时膜状粘合剂的飞散得以抑制。
然而，对于实施例3，认为由于半导体装置制造用片中未载置硅芯片的区域大，因此进行扩展时膜状粘合剂容易飞散。
对于实施例1、实施例3～5、比较例3～4，粘合剂组合物不含有炭黑，剪切粘合强度的最低值为40N/2mm□。
然而，对于实施例2，粘合剂组合物含有炭黑，剪切强度的最低值为30N/2mm□。
工业实用性
本发明可用于半导体装置的制造。
附图标记说明
101：半导体装置制造用片；11：基材；12：粘着剂层；13：中间层；13a：中间层的第一面；14：膜状粘合剂。

Claims (4)

1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，
所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，
所述基材、所述粘着剂层、所述中间层及膜状粘合剂以同心圆状配置，
所述中间层的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，
所述膜状粘合剂的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，
所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，
选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，
选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由所述基材及所述粘着剂层构成的支撑片的总透光率。
2.一种半导体装置制造用片，其中，所述支撑片的总透光率为70％以上。
3.一种半导体装置制造用片，其中，所述中间层的宽度的最大值及所述膜状粘合剂的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。
4.一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其具有：
以聚焦于设定在半导体晶圆的内部的焦点的方式照射激光，由此在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；
对形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，在所述改质层的形成部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列的状态的半导体芯片组的工序；
一边加热权利要求1～3中任一项所述的半导体装置制造用片，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；
一边冷却贴附于所述半导体芯片后的所述半导体装置制造用片，一边沿与其表面平行的方向进行拉伸，由此将所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周切断，得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及
从所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片从而对其进行拾取的工序。
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