KR20220156513A - 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법 Download PDF

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KR20220156513A
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peeling
sheet
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잇세이 아다치
와타루 이와야
요스케 사토
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법으로서, 상기 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 제2 박리 필름을 이 순서로 적층하여 구비하고, 중간층, 필름형 접착제, 및 제1 박리 필름을 구비하는 제2 중간 적층체에 대해, 중간층 및 필름형 접착제의 적어도 일부를 제거하여, 제2 중간 적층체 가공물을 얻는 제1 가공 공정과, 기재 및 점착제층을 구비하는 제1 중간 적층체와, 제2 중간 적층체 가공물을 첩합하여 제1 적층물을 얻는 적층 공정과, 제1 적층물의 제1 박리 필름을 박리하고, 제2 박리 필름으로 교체 첩부하여 제2 적층물을 얻는 교체 첩부 공정과, 제2 적층물에 대해, 기재 및 점착제층의 적어도 일부를 제거하여, 반도체 장치 제조용 시트를 얻는 제2 가공 공정을 포함하고, 제1 박리 필름과 필름형 접착제 사이의 박리력이, 제2 박리 필름과 필름형 접착제 사이의 박리력보다 높은, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.

Description

반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법
본 발명은 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2020년 3월 27일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2020-058734호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 장치의 제조시에는, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 사용된다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예로는, 예를 들면, 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.
우선, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이 본딩 시트를 첩부한다.
다이싱 다이 본딩 시트로는, 예를 들면, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 면 상에 형성된 필름형 접착제를 구비한 것을 들 수 있다. 지지 시트는 다이싱 시트로서 이용 가능하게 되어 있다. 지지 시트로는, 예를 들면, 기재와, 상기 기재의 면 상에 형성된 점착제층을 구비한 것; 기재만으로 이루어지는 것 등, 구성이 상이한 것이 복수종 존재한다. 점착제층을 구비한 지지 시트는, 그 점착제층측의 최표면이, 필름형 접착제가 형성되는 면이 된다. 다이싱 다이 본딩 시트는 그 중의 필름형 접착제에 의해, 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부된다.
이어서, 블레이드 다이싱에 의해, 지지 시트 상의 반도체 웨이퍼와 필름형 접착제를 함께 절단한다. 반도체 웨이퍼의 「절단」은 「분할」로도 칭해지며, 이에 의해 반도체 웨이퍼는 목적으로 하는 반도체 칩으로 개편화된다. 필름형 접착제는 반도체 칩의 외주를 따라 절단된다. 이에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어짐과 함께, 지지 시트 상에서, 복수개의 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 정렬된 상태로 유지된, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군이 얻어진다.
이어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여 픽업한다. 경화성 점착제층을 구비한 지지 시트를 사용한 경우에는, 이 때, 점착제층을 경화시켜 점착성을 저하시킴으로써, 픽업이 용이해진다.
이상에 의해, 반도체 장치의 제조에 사용하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 다른 예로는, 예를 들면, 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.
우선, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 백 그라인드 테이프(「표면 보호 테이프」로 칭하기도 한다)를 첩부한다.
이어서, 반도체 웨이퍼의 내부에 있어서, 분할 예정 개소를 설정하고, 이 개소에 포함되는 영역을 초점으로 하여, 이 초점에 집속하도록 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 이어서, 그라인더를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절한다. 이 때의 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할(개편화)하여, 복수개의 반도체 칩을 제작한다. 이와 같이 개질층의 형성을 수반하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법은, 스텔스 다이싱(등록상표)으로 칭해지고 있으며, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사함으로써, 조사 부위의 반도체 웨이퍼를 삭제하면서, 반도체 웨이퍼를 그 표면으로부터 절단해가는 레이저 다이싱과는, 본질적으로 완전히 상이하다.
이어서, 백 그라인드 테이프 상에서 고정화되어 있는 이들 모든 반도체 칩의, 상술한 연삭을 행한 이면(다시 말하면, 연삭면)에, 1장의 다이 본딩 시트를 첩부한다. 다이 본딩 시트로는, 상기 다이싱 다이 본딩 시트와 동일한 것을 들 수 있다. 다이 본딩 시트는 이와 같이, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는 사용하지 않을 뿐, 다이싱 다이 본딩 시트와 동일한 구성을 갖도록 설계하는 것이 가능한 경우가 있다. 다이 본딩 시트도, 그 중의 필름형 접착제에 의해, 반도체 칩의 이면에 첩부된다.
이어서, 반도체 칩으로부터 백 그라인드 테이프를 제거한 후, 다이 본딩 시트를 냉각하면서 그 표면(예를 들면, 필름형 접착제의 반도체 칩에 대한 첩부면)에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드(쿨 익스팬드)를 행함으로써, 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단한다.
이상에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.
이어서, 상기 블레이드 다이싱을 채용했을 경우와 동일하게, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여 픽업함으로써, 반도체 장치의 제조에 사용하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.
다이싱 다이 본딩 시트 및 다이 본딩 시트는, 모두, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조를 위해 사용할 수 있고, 최종적으로는, 목적으로 하는 반도체 장치의 제조를 가능하게 한다. 본 명세서에 있어서는, 다이싱 다이 본딩 시트 및 다이 본딩 시트를 포괄하여, 「반도체 장치 제조용 시트」로 칭한다.
반도체 장치 제조용 시트로는, 예를 들면, 기재층(상기 지지 시트에 상당)과 접착제층(상기 필름형 접착제에 상당)이 직접 접촉하여 적층된 구성을 갖는 다이싱 다이 본딩 테이프(상기 다이싱 다이 본딩 시트에 상당)가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 이 다이싱 다이 본딩 테이프에 있어서는, 기재층 및 접착제층의 -15℃에서의 90도 박리력이 특정 범위로 조절되어 있기 때문에, 익스팬드에 의해 접착제층을 정밀도 높게 분단할 수 있다고 되어 있다. 또한, 기재층 및 접착제층의 23℃에서의 90도 박리력이 특정 범위로 조절되어 있기 때문에, 이 다이싱 다이 본딩 테이프를 사용한 경우에, 접착제층이 형성된 반도체 칩(상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩에 상당)을 어려움 없이 픽업할 수 있고, 또한 픽업까지의 과정에서, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 접착제층으로부터의 박리를 억제할 수 있다고 되어 있다.
일본 공개특허공보 2018-56289호
그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 것과 같은 다이싱 다이 본딩 테이프의 제조에 있어서, 접착제층(필름형 접착제에 상당)의 조막성에 대해서는 검토되지 않았다.
본 발명은 필름형 접착제의 조막이 용이하고, 사용시에는 마운트 프로세스 적성이 우수한 반도체 장치 제조용 시트를 제조 가능한, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다.
(1) 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법으로서,
상기 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 제2 박리 필름을 구비하며, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제2 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성되고,
상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 제1 박리 필름을 구비하는 제2 중간 적층체의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C)를 형성하고, 당해 절입부(C)를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 적어도 일부를 제거하여, 제2 중간 적층체 가공물을 얻는 제1 가공 공정과,
상기 기재 및 상기 점착제층을 구비하는 제1 중간 적층체와, 상기 제2 중간 적층체 가공물을 첩합하여, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제1 박리 필름을 구비하는 제1 적층물을 얻는 적층 공정과,
상기 제1 적층물의 상기 제1 박리 필름을 박리하고, 제2 박리 필름으로 교체 첩부하여 제2 적층물을 얻는 교체 첩부 공정과,
상기 제2 적층물의 상기 기재 및 상기 점착제층에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 기재 및 상기 점착제층의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C')를 형성하고, 당해 절입부(C')를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 기재 및 상기 점착제층의 적어도 일부를 제거하여, 반도체 장치 제조용 시트를 얻는 제2 가공 공정을 포함하고,
상기 제1 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력이, 상기 제2 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력보다 높은, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
(2) 상기 제1 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제1 시험편에 있어서,
박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제1 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제1 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제1 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제1 박리 필름 사이의 박리력(mN/50㎜)이 180mN/50㎜ 초과이며,
상기 제2 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제2 시험편에 있어서,
박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제2 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제2 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제2 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제2 박리 필름 사이의 박리력(mN/50㎜)이 180mN/50㎜ 이하인, 상기 (1)에 기재된 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
(3) 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
본 양태에 의하면, 필름형 접착제의 조막이 용이하고, 사용시에는 마운트 프로세스 적성이 우수한 반도체 장치 제조용 시트를 제조 가능한, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3e는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5b는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5c는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 6c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
◇반도체 장치 제조용 시트
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 박리 필름을 구비하고, 상기 기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 상기 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성되어 있다. 상기 중간층은, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용하여 블레이드 다이싱을 행한 경우에는, 상기 반도체 장치 제조용 시트가 상기 중간층을 구비하고 있음으로써, 블레이드가 기재에 도달하는 것을 용이하게 회피할 수 있어, 기재로부터의 수염 형상의 절삭 부스러기(별명: 위스커(Whisker), 이하, 기재에서 유래하는 것에 한정하지 않고, 단순히 「절삭 부스러기」로 칭하는 경우가 있다)의 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 블레이드에 의해 절단되는 상기 중간층의 주성분이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지인 것, 특히, 중량 평균 분자량이 100000 이하임으로써, 중간층으로부터의 상기 절삭 부스러기의 발생도 억제할 수 있다.
한편, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 다이 본딩 시트로서 사용하여 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱(스텔스 다이싱(등록상표))을 행한 경우에는, 상기 반도체 장치 제조용 시트가 상기 중간층을 구비하고 있음으로써, 계속하여 반도체 장치 제조용 시트를, 그 표면(예를 들면, 필름형 접착제의 반도체 칩에 대한 첩부면)에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드를 행함으로써, 필름형 접착제가 목적으로 하는 개소에서 정밀도 높게 절단되어, 절단 불량을 억제할 수 있다. 이는, 중간층을 구비함으로써, 익스팬드의 응력을 칩간 거리 확장에 효율적으로 이용할 수 있기 때문으로 생각된다.
이와 같이, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는, 블레이드 다이싱시에는, 기재 및 중간층으로부터의 절삭 부스러기의 발생을 억제하고, 상기 익스팬드시에는, 필름형 접착제의 절단 불량을 억제하는 것이며, 반도체 웨이퍼의 분할시 문제의 발생을 억제하는 특성을 갖고 있어, 반도체 웨이퍼의 분할 적성이 우수하다.
본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법 및 사용 방법에 대해서는, 추후 자세하게 설명한다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트에 대해 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 실시형태의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있으며, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 2는 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트의 평면도이다.
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 기재(11)를 구비하고, 기재(11) 상에, 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로 적층되어 구성되어 있다. 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 추가로 필름형 접착제(14)의 중간층(13)이 형성되어 있는 측과는 반대측 면(이하, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(14a) 상에, 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a) 상에, 점착제층(12)이 형성된다. 점착제층(12)의 기재(11)가 형성되어 있는 측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a) 상에, 중간층(13)이 형성된다. 중간층(13)의 점착제층(12)이 형성되어 있는 측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에, 필름형 접착제(14)가 형성된다. 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a) 상에, 박리 필름(15)이 형성되어 있다. 이와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 기재(11), 점착제층(12), 중간층(13), 필름형 접착제(14), 및 박리 필름(15)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
반도체 장치 제조용 시트(101)는, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 그 중의 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)이, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 또는, 완전히는 분할되지 않은 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면에 첩부되어 사용된다.
본 명세서에 있어서는, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 어느 경우에도, 그 회로가 형성되어 있는 측의 면을 「회로 형성면」으로 칭하고, 회로 형성면과는 반대측 면을 「이면」으로 칭한다.
본 명세서에 있어서는, 기재 및 점착제층이, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되고, 또한 중간층이 적층되지 않은 구성을 갖는 적층물을 「지지 시트」로 칭하는 경우가 있다. 도 1에 있어서는, 부호 1을 부여하여 지지 시트를 나타내고 있다.
또한, 기재, 점착제층, 및 중간층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 구성을 갖는 적층물을, 「적층 시트」로 칭하는 경우가 있다. 도 1에 있어서는, 부호 10을 부여하여 적층 시트를 나타내고 있다. 상기 지지 시트 및 중간층의 적층물은 상기 적층 시트에 포함된다.
중간층(13) 및 필름형 접착제(14)를, 이들의 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때의 평면 형상은, 모두 원 형상이며, 중간층(13)의 직경과 필름형 접착제(14)의 직경은 동일하다.
그리고, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)는, 이들의 중심이 일치하도록, 다시 말하면, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 외주의 위치가 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치하도록 배치되어 있다.
중간층(13)의 제1 면(13a)과, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)은 모두, 점착제층(12)의 제1 면(12a)보다 면적이 작게 되어 있다. 그리고, 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값(즉, 직경)과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값(즉, 직경)은 모두, 점착제층(12)의 폭의 최대값과, 기재(11)의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다. 따라서, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부는, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮이지 않는다. 이러한, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되지 않은 영역에는, 박리 필름(15)이 직접 접촉하여 적층되어 있고, 박리 필름(15)이 제거된 상태에서는, 이 영역은 노출되어 있다(이하, 본 명세서에 있어서는, 이 영역을 「비적층 영역」으로 칭하는 경우가 있다).
한편, 박리 필름(15)을 구비한 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮이지 않은 영역에는, 여기에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)이 적층되지 않은 영역이 있어도 되고, 없어도 된다.
필름형 접착제(14)가 미절단이며, 또한 필름형 접착제(14)에 의해 상술한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 등에 첩부된 상태의 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 그 중의 점착제층(12)에 있어서의 상기 비적층 영역의 일부를, 반도체 웨이퍼 고정용 링 프레임 등의 지그에 첩부함으로써 고정할 수 있다. 따라서, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 상기 지그에 고정하기 위한 지그용 접착제층을, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 별도 형성할 필요가 없다. 그리고, 지그용 접착제층을 형성할 필요가 없기 때문에, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 저가이면서 효율적으로 제조할 수 있다.
이와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 지그용 접착제층을 구비하지 않음으로써, 유리한 효과를 나타내지만, 지그용 접착제층을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 지그용 접착제층은 반도체 장치 제조용 시트(101)를 구성하는 어느 층의 표면 중, 주연부 근방의 영역에 형성된다. 이러한 영역으로는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의 상기 비적층 영역 등을 들 수 있다.
지그용 접착제층은 공지의 것이어도 되며, 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조여도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조여도 된다.
또한, 후술하는 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드를 행할 때에는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 상기 비적층 영역이 존재함으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 용이하게 익스팬드할 수 있다. 그리고, 필름형 접착제(14)를 용이하게 절단 가능할 뿐만 아니라, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 점착제층(12)으로부터의 박리가 억제되기도 한다.
지지 시트(1)의 점착제층(12)의 제1 면(12a)과, 기재(11)의 제1 면(11a)은 모두, 박리 필름(15)의 제1 면(15a)보다 면적이 작게 되어 있다. 그리고, 점착제층(12)의 폭의 최대값(즉, 직경)과, 기재(11)의 최대값(즉, 직경)은 모두, 박리 필름(15)의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다. 따라서, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 박리 필름(15)의 일부는, 점착제층(12) 및 기재(11)에 의해 덮이지 않는다.
점착제층(12) 및 기재(11)를, 이들의 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때의 평면 형상은, 모두 원 형상이며, 점착제층(12) 및 기재(11)의 직경은 동일하다.
그리고, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 점착제층(12) 및 기재(11)는 이들의 중심이 일치하도록, 다시 말하면, 점착제층(12) 및 기재(11)의 외주의 위치가 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치하도록 배치되어 있다.
반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 중간층(13)이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는, 도 1 및 도 2에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1 및 도 2에 나타내는 것에 있어서 일부의 구성이 변경, 삭제, 또는 추가된 것이어도 된다.
예를 들면, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 박리 필름과, 지그용 접착제층의 어느 것에도 해당하지 않는, 다른 층을 구비하고 있어도 된다. 단, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층을 기재에 직접 접촉한 상태로 구비하고, 중간층을 점착제층에 직접 접촉한 상태로 구비하며, 필름형 접착제를 중간층에 직접 접촉한 상태로 구비하고, 박리 필름을 필름형 접착제에 직접 접촉한 상태로 구비하고 있는 것이 바람직하다.
예를 들면, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 원 형상 이외의 형상이어도 되고, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적은 모두, 이들보다 기재측 층의 면(예를 들면, 점착제층의 제1 면)의 면적보다 작은 것이 바람직하고, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다. 그리고, 중간층 및 필름형 접착제의 외주의 위치는, 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치해도 되고, 일치하지 않아도 된다.
이어서, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 구성하는 각 층에 대해, 보다 상세하게 설명한다.
○기재
상기 기재는 시트형 또는 필름형이다.
상기 기재의 구성 재료는, 각종 수지인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE 등)), 폴리프로필렌(PP), 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 스티렌·에틸렌부틸렌·스티렌 블록 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드(PI), 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 및 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 이외의 에틸렌 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물, 또는 공중합물 등을 들 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 기재가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서는, 기재의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께 중 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
기재의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으나, 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼150㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 기재의 구조가 보다 안정화된다. 기재의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「두께」는, 특별히 언급이 없는 한, 무작위로 선출된 5개소에서 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값으로서, JIS K7130에 준거하여, 정압 두께 측정기를 이용하여 취득할 수 있다.
기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리, 엠보싱 가공 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다.
또한, 기재의 표면은 프라이머 처리되어 있어도 된다.
또한, 기재는 대전 방지 코트층; 다이 본딩 시트를 중첩하여 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착되는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착되는 것을 방지하는 층; 등을 갖고 있어도 된다.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
기재의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 기재는 예를 들면, 레이저광 또는 에너지선을 투과시키는 것이어도 된다.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는(수지를 구성 재료로 하는) 기재는, 상기 수지 또는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.
○점착제층
상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다.
점착제층은 상기 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다.
점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되며, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
상기 점착제로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」에는, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지 양쪽이 포함된다. 예를 들면, 상기 점착성 수지에는, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함된다.
점착제층은 경화성 및 비경화성의 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성의 어느 것이어도 된다. 경화성 점착제층은 그 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙라이트, 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
기재 및 점착제층은 동일한 형상이어도 되고, 기재 및 점착제층이 이들 평면에서 본 형상의 외주가 일치하도록 적층되어 있는 것이 바람직하다.
점착제층의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이어도 된다.
이어서, 상기 점착제 조성물에 대해 설명한다.
하기 점착제 조성물은 예를 들면, 하기의 1종 이상의 성분을 함유량(질량％)의 합계가 100질량％를 초과하지 않도록 함유할 수 있다.
＜＜점착제 조성물＞＞
점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」로 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」로 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.
＜점착제 조성물(I-1)＞
상기 점착제 조성물(I-1)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.
[점착성 수지(I-1a)]
상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 수지로는, 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는, 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물은, 분자량이 비교적 크고, 점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리를 가교한다.
가교제로는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점, 및 입수가 용이한 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 가교제의 함유량은, 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-1)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
또한, 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 외의 첨가제]
점착제 조성물(I-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 그 외의 첨가제로는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.
한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하기 위한 성분이다. 반응 지연제로는, 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 외의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)의 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하다.
＜점착제 조성물(I-2)＞
상기 점착제 조성물(I-2)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)를 함유한다.
[점착성 수지(I-2a)]
상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에, 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.
상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다.
상기 에너지선 중합성 불포화기로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.
점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는, 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 점착제 조성물(I-2)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-2a)로서, 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 가교제의 함유량은, 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-2)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-2)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은, 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 외의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-2)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-2)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 그 외의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 외의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 그 외의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2)의 그 외의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜점착제 조성물(I-3)＞
상기 점착제 조성물(I-3)은 상술한 바와 같이, 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 점착제 조성물(I-3)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있고, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼300질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼100질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-3)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은, 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 외의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-3)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-3)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 그 외의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 외의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-3)이 함유하는 그 외의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-3)의 그 외의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물＞
지금까지는, 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 및 점착제 조성물(I-3)에 대해 주로 설명했으나, 이들의 함유 성분으로서 설명한 것은, 이들 3종의 점착제 조성물 이외의 전반적인 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물」로 칭한다)에서도, 동일하게 사용할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성 점착제 조성물도 들 수 있다.
비에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있고, 아크릴 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 상술한 점착제 조성물(I-1) 등의 경우와 동일하게 할 수 있다.
＜점착제 조성물(I-4)＞
점착제 조성물(I-4)로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)와, 가교제를 함유하는 것을 들 수 있다.
[점착성 수지(I-1a)]
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서, 점착제 조성물(I-4)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-4)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은, 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼25질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼10질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 외의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-4)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-4)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 상기 그 외의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 외의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-4)이 함유하는 그 외의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-4)의 그 외의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜점착제 조성물의 제조 방법＞＞
점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이나, 점착제 조성물(I-4) 등의 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의, 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
배합시 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여라고 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
○중간층, 중간층 형성용 조성물
상기 중간층은 시트형 또는 필름형이며, 상기 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다.
중간층은 비규소계 수지만을 함유하는 것(비규소계 수지로 이루어지는 것)이어도 되고, 비규소계 수지와 그 이외의 성분을 함유하는 것이어도 된다.
중간층은 예를 들면, 상기 비규소계 수지를 함유하는 중간층 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 중간층은 중간층의 형성 대상면에 상기 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은 100000 이하이다.
상기 반도체 장치 제조용 시트의 상술한 반도체 웨이퍼의 분할 적성이, 더욱 향상되는 점에서는, 상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들면, 80000 이하, 60000 이하, 및 40000 이하 중 어느 하나여도 된다.
상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 상기 비규소계 수지는, 입수가 보다 용이하다.
상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은, 상술한 하한값과, 어느 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 중량 평균 분자량은 예를 들면, 5000∼100000, 5000∼80000, 5000∼60000, 및 5000∼40000 중 어느 하나여도 된다.
본 실시형태에 있어서, 「중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다」란, 「중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 함유하고 있는 것에 의한 효과를 충분히 발휘할 수 있는 정도의 양으로, 상기 비규소계 수지를 함유하고 있다」는 것을 의미한다. 이러한 관점에서, 중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율)은, 50질량％ 이상인 것이 바람직하고, 80질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 90질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 95질량％ 이상, 97질량％ 이상, 및 99질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다.
한편, 상기 비율은 100질량％ 이하이다.
중량 평균 분자량이 100000 이하인 상기 비규소계 수지는, 구성 원자로서 규소 원자를 갖지 않는, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 수지 성분이면, 특별히 한정되지 않는다.
상기 비규소계 수지는 예를 들면, 극성기를 갖는 극성 수지, 및 극성기를 갖지 않는 비극성 수지의 어느 것이어도 된다.
예를 들면, 상기 비규소계 수지는 상기 중간층 형성용 조성물에서의 용해성이 높고, 상기 중간층 형성용 조성물의 도공 적성이 보다 높다는 점에서는, 극성 수지인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「비규소계 수지」란, 상술한 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 의미한다.
상기 비규소계 수지는 예를 들면, 1종의 모노머의 중합체인(다시 말하면, 구성 단위를 1종만 갖는) 단독 중합체여도 되고, 2종 이상의 모노머의 중합체인(다시 말하면, 구성 단위를 2종 이상 갖는) 공중합체여도 된다.
상기 극성기로는, 예를 들면, 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기(-O-C(=O)-) 등을 들 수 있다.
상기 극성 수지는 극성기를 갖는 구성 단위만을 가져도 되고, 극성기를 갖는 구성 단위와, 극성기를 갖지 않는 구성 단위의 양쪽을 갖고 있어도 된다.
상기 극성기를 갖는 구성 단위로는, 예를 들면, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위 등을 들 수 있다.
상기 극성기를 갖지 않는 구성 단위로는, 예를 들면, 에틸렌으로부터 유도된 구성 단위 등을 들 수 있다.
여기서 말하는 「유도된」이란, 상기 모노머가 중합하는데 필요한 구조의 변화를 받았음을 의미한다.
상기 극성 수지에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 극성기를 갖는 구성 단위의 질량 비율은, 5∼70질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 7.5∼55질량％, 10∼40질량％, 및 10∼30질량％ 중 어느 하나여도 된다. 다시 말하면, 상기 극성 수지에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 극성기를 갖지 않는 구성 단위의 질량 비율은, 30∼95질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 45∼92.5질량％, 60∼90질량％, 및 70∼90질량％ 중 어느 하나여도 된다. 극성기를 갖는 구성 단위의 질량 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 상기 극성 수지는 극성기를 갖는 것의 특성을 보다 현저히 갖는다. 극성기를 갖는 구성 단위의 질량 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 상기 극성 수지는 극성기를 갖지 않는 것의 특성을 보다 적절히 갖는다.
상기 극성 수지로는, 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 중간층에 함유되는 상기 비규소계 수지의 총 질량에 대한 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율은, 예를 들면, 50∼100질량％여도 되고, 80∼100질량％여도 되며, 90∼100질량％여도 된다.
그 중에서도, 바람직한 상기 극성 수지로는, 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 질량 비율(본 명세서에 있어서는, 「초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량」으로 칭하는 경우가 있다)이, 40질량％ 이하인 것, 30질량％ 이하인 것, 10∼40질량％인 것, 10∼30질량％인 것을 들 수 있다. 다시 말하면, 바람직한 상기 극성 수지로는, 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 에틸렌으로부터 유도된 구성 단위의 질량 비율이, 60질량％ 이상인 것, 70질량％ 이상인 것, 70∼90질량％인 것, 60∼90질량％인 것을 들 수 있다.
초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량의 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 필름형 접착제의 절단시 중간층으로부터 절삭 부스러기가 발생해도, 발생한 절삭 부스러기의 점착력이 적절히 저하하여, 세정 등에 의해, 절삭 부스러기를 칩 상에서 용이하게 제거 가능하다.
상기 비극성 수지로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 메탈로센 촉매 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(메탈로센 LLDPE), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌(PE); 폴리프로필렌(PP) 등을 들 수 있다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층이 함유하는 상기 비규소계 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
예를 들면, 중간층 형성용 조성물 및 중간층은, 극성 수지인 비규소계 수지를 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 비극성 수지인 비규소계 수지를 함유하지 않아도 되며, 비극성 수지인 비규소계 수지를 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 극성 수지인 비규소계 수지를 함유하지 않아도 되며, 극성 수지인 비규소계 수지와, 비극성 수지인 비규소계 수지를 함께 1종 또는 2종 이상 함유해도 된다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층은 적어도 극성 수지인 비규소계 수지를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한, 극성 수지인 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율은, 50질량％ 이상인 것이 바람직하며, 80질량％ 이상인 것이 바람직하고, 90질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 95질량％ 이상, 97질량％ 이상, 및 99질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 상기 극성 수지를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.
한편, 상기 비율은 100질량％ 이하이다.
즉, 중간층 형성용 조성물 및 중간층에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한, 비극성 수지인 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율은, 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 5질량％ 이하, 3질량％ 이하, 및 1질량％ 이하 중 어느 하나여도 된다.
한편, 상기 비율은 0질량％ 이상이다.
중간층 형성용 조성물은 그 취급성이 양호한 점에서는, 상기 비규소계 수지 이외에, 용매를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 상기 비규소계 수지와, 용매의 어느 것에도 해당하지 않는 성분(본 명세서에 있어서는, 「첨가제」로 칭하는 경우가 있다)을 함유하고 있어도 된다.
중간층은 상기 비규소계 수지만을 함유하고 있어도 되고, 상기 비규소계 수지와, 상기 첨가제를 함께 함유하고 있어도 된다.
상기 첨가제는 수지 성분(본 명세서에 있어서는, 「다른 수지 성분」으로 칭하는 경우가 있다)과 비수지 성분의 어느 것이어도 된다.
상기 다른 수지 성분으로는, 예를 들면, 중량 평균 분자량(Mw)이 100000 초과인 비규소계 수지와, 규소계 수지를 들 수 있다.
중량 평균 분자량이 100000 초과인 비규소계 수지는, 이러한 조건을 만족하면, 특별히 한정되지 않는다.
상기 규소계 수지를 함유하는 중간층은, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 픽업을 보다 용이하게 한다.
상기 규소계 수지는 구성 원자로서 규소 원자를 갖는 수지 성분이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 규소계 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않는다.
바람직한 규소계 수지로는, 예를 들면, 점착제 성분에 대해 이형 작용을 나타내는 수지 성분을 들 수 있고, 실록산계 수지(실록산 결합(-Si-O-Si-)을 갖는 수지 성분, 실록산계 화합물이라고도 한다)인 것이 보다 바람직하다.
상기 실록산계 수지로는, 예를 들면, 폴리디알킬실록산 등을 들 수 있다.
상기 폴리디알킬실록산이 갖는 알킬기의 탄소수는, 1∼20인 것이 바람직하다.
상기 폴리디알킬실록산으로는, 폴리디메틸실록산 등을 들 수 있다.
상기 비수지 성분은 예를 들면, 유기 화합물 및 무기 화합물의 어느 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않는다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층이 함유하는 상기 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
예를 들면, 중간층 형성용 조성물 및 중간층은, 상기 첨가제로서, 수지 성분을 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 비수지 성분을 함유하지 않아도 되며, 비수지 성분을 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 수지 성분을 함유하지 않아도 되며, 수지 성분 및 비수지 성분을 함께, 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층이 상기 첨가제를 함유하는 경우, 중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율)은, 90∼99.99질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 90∼97.5질량％, 90∼95질량％, 및 90∼92.5질량％ 중 어느 하나여도 되며, 92.5∼99.99질량％, 95∼99.99질량％, 및 97.5∼99.99질량％ 중 어느 하나여도 되고, 92.5∼97.5질량％이어도 된다.
중간층 형성용 조성물 및 중간층이 상기 첨가제를 함유하는 경우, 중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 첨가제의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 첨가제의 함유량의 비율)은, 0.01∼10질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 2.5∼10질량％, 5∼10질량％, 및 7.5∼10질량％ 중 어느 하나여도 되며, 0.01∼7.5질량％, 0.01∼5질량％, 및 0.01∼2.5질량％ 중 어느 하나여도 되고, 2.5∼7.5질량％이어도 된다.
중간층 형성용 조성물이 함유하는 상기 용매는, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
중간층 형성용 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중간층 형성용 조성물이 함유하는 용매는 중간층 형성용 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 테트라히드로푸란 등인 것이 바람직하다.
중간층 형성용 조성물의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있는 점에서는, 바람직한 중간층으로는, 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체(상기 비규소계 수지)의 함유량의 비율이, 상술한 어느 수치 범위이며, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물(상기 첨가제)의 함유량의 비율이, 상술한 어느 수치 범위인 것을 들 수 있다.
예를 들면, 이러한 중간층으로는, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이, 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이, 0.01∼10질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 바람직한 중간층의 일 예이다.
보다 바람직한 중간층으로는, 예를 들면, 상기 중간층이, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 질량 비율(다시 말하면, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량)이, 10∼40질량％이고, 상기 중간층에 있어서, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이, 90∼99.99질량％이며, 상기 중간층에 있어서, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이, 0.01∼10질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 보다 바람직한 중간층의 일 예이다.
반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층의 필름형 접착제측의 면(예를 들면, 도 1에 있어서는, 중간층(13)의 제1 면(13a))에 대해, X선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, 본 명세서에 있어서는 「XPS」로 칭하는 경우가 있다)에 따라 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 질소, 및 규소의 합계 농도에 대한 규소 농도의 비율(본 명세서에 있어서는, 「규소 농도의 비율」로 약기하는 경우가 있다)은, 원소의 몰 기준으로, 1∼20％인 것이 바람직하다. 이러한 중간층을 구비한 반도체 장치 제조용 시트를 사용함으로써, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
상기 규소 농도의 비율은, 하기 식:
[XPS 분석에서의 규소 농도의 측정값(atomic％)]／｛[XPS 분석에서의 탄소 농도의 측정값(atomic％)]＋[XPS 분석에서의 산소 농도의 측정값(atomic％)]＋[XPS 분석에서의 질소 농도의 측정값(atomic％)]＋[XPS 분석에서의 규소 농도의 측정값(atomic％)]｝×100
에 의해 산출할 수 있다.
XPS 분석은 필름형 접착제측의 중간층의 표면에 대해, X선 광전자 분광 분석 장치(예를 들면, 알박사 제조 「Quantra SXM」)를 이용하여, 조사 각도 45°, X선 빔 직경 20㎛φ, 출력 4.5W의 조건에서 행할 수 있다.
이러한 효과가 보다 현저해지는 점에서는, 상기 규소 농도의 비율은 예를 들면, 원소의 몰 기준으로, 4∼20％, 8∼20％, 및 12∼20％ 중 어느 하나여도 되고, 1∼16％, 1∼12％, 및 1∼8％ 중 어느 하나여도 되며, 4∼16％ 및 8∼12％ 중 어느 하나여도 된다.
상술한 바와 같이 XPS 분석을 행했을 때에는, 중간층의 상기 면(XPS의 분석 대칭면)에 있어서, 탄소와, 산소와, 질소와, 규소의 어느 것에도 해당하지 않는 다른 원소가 검출될 가능성이 있다. 그러나 통상은, 상기 다른 원소가 검출되었다고 해도, 그 농도는 미량이기 때문에, 상기 규소 농도의 비율을 산출할 경우에는, 탄소, 산소, 질소, 및 규소 농도의 측정값을 사용하면, 상기 규소 농도의 비율을 고정밀도로 산출할 수 있다.
중간층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
앞서 설명한 바와 같이, 중간층의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다.
중간층의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 중간층의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이, 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응하고 있다. 단, 앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱을 행한 후, 반도체 장치 제조용 시트를 익스팬드함으로써, 필름형 접착제를 절단하는 경우에는, 후술하는 바와 같이, 다이싱 후의 다수의 반도체 칩(반도체 칩군)을 하나로 하여, 이들 반도체 칩에 반도체 장치 제조용 시트를 첩부한다.
본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「중간층의 폭」이란, 예를 들면, 「중간층의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 중간층의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 중간층의 경우, 상술한 중간층의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
이는 반도체 웨이퍼의 경우도 동일하다. 즉, 「반도체 웨이퍼의 폭」이란, 「반도체 웨이퍼의 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 반도체 웨이퍼의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 반도체 웨이퍼의 경우, 상술한 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
150∼160㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
마찬가지로, 200∼210㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
마찬가지로, 300∼310㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜의 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.
중간층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으나, 5∼150㎛인 것이 바람직하고, 5∼120㎛인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 10∼90㎛ 및 10∼60㎛ 중 어느 하나여도 되고, 30∼120㎛ 및 60∼120㎛ 중 어느 하나여도 된다. 중간층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 중간층의 구조가 보다 안정화된다. 중간층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.
여기서, 「중간층의 두께」란, 중간층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 중간층의 두께란, 중간층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
중간층이 상기 규소계 수지를 함유하는 경우, 특히, 규소계 수지와, 주성분인 상기 비규소계 수지의 상용성이 낮은 경우에는, 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층 중의 규소계 수지는, 중간층의 양면(제1 면과 그 반대측 면)과 그 근방 영역에 편재하기 쉽다. 그리고, 이러한 경향이 강할수록, 중간층에 인접하고 있는(직접 접촉하고 있는) 필름형 접착제는, 중간층으로부터 박리하기 쉽고, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
예를 들면, 두께만이 서로 상이하고, 조성, 상기 양면의 면적 등, 두께 이외의 점이 서로 동일한 중간층끼리를 비교했을 경우, 이들 중간층에 있어서는, 중간층의 총 질량에 대한 규소계 수지의 함유량의 비율(질량％)은 서로 동일하다. 그러나, 중간층의 규소계 수지의 함유량(질량부)은, 두께가 두꺼운 중간층이, 두께가 얇은 중간층보다 많다. 따라서, 규소계 수지가 중간층 중에서 상기와 같이 편재하기 쉬운 경우에는, 두께가 두꺼운 중간층이, 두께가 얇은 중간층보다, 양면(제1 면과 그 반대측 면)과 그 근방 영역에 편재하는 규소계 수지의 양이 많아진다. 이 때문에, 상기 비율을 변경하지 않아도, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층의 두께를 조절함으로써, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 픽업 적성을 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층의 두께를 두껍게 함으로써, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
중간층은 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름형 접착제를 형성할 수 있다.
중간층 형성용 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
중간층 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 중간층 형성용 조성물은 상기 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 60∼130℃에서 1∼6분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
○필름형 접착제
상기 필름형 접착제는 경화성을 갖고, 열경화성을 갖는 것이 바람직하며, 감압 접착성을 갖는 것이 바람직하다. 열경화성 및 감압 접착성을 함께 갖는 필름형 접착제는, 미경화 상태에서는 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다. 또한, 필름형 접착제는 가열하여 연화시킴으로써 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다. 필름형 접착제는 경화에 의해 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물이 되며, 이 경화물은 혹독한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
반도체 장치 제조용 시트를 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때, 필름형 접착제의 면적(즉, 제1 면의 면적)은, 분할 전의 반도체 웨이퍼의 면적에 가까워지도록, 기재의 면적(즉, 제1 면의 면적) 및 점착제층의 면적(즉, 제1 면의 면적)보다 작게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 반도체 장치 제조용 시트에서는, 점착제층의 제1 면의 일부에, 중간층 및 필름형 접착제와 접촉되지 않은 영역(즉, 상기 비적층 영역)이 존재한다. 이에 의해, 반도체 장치 제조용 시트의 익스팬드가 보다 용이해짐과 함께, 익스팬드시 필름형 접착제에 가해지는 힘이 분산되지 않기 때문에, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.
필름형 접착제는 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름형 접착제를 형성할 수 있다.
접착제 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
접착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 접착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
필름형 접착제는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
앞서 설명한 바와 같이, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다.
필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기에 대해, 앞서 설명한 중간층의 폭의 최대값과 동일해도 된다.
즉, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이, 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응하고 있다.
본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 예를 들면, 「필름형 접착제의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 필름형 접착제의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 필름형 접착제의 경우, 상술한 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
또한, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 후술하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 과정에 있어서의 절단 후의 필름형 접착제의 폭이 아니고, 「절단 전(미절단)의 필름형 접착제의 폭」을 의미한다.
150∼160㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
마찬가지로, 200∼210㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
마찬가지로, 300∼310㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 필름형 접착제의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜의 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.
본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 모두, 상술한 수치 범위 중 어느 하나여도 된다.
즉, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 일 예로는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값이 함께, 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인 것을 들 수 있다.
필름형 접착제의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼30㎛인 것이 바람직하고, 2∼20㎛인 것이 보다 바람직하며, 3∼10㎛인 것이 특히 바람직하다. 필름형 접착제의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 피착체(반도체 칩)에 대해 보다 높은 접착력이 얻어진다. 필름형 접착제의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.
여기서, 「필름형 접착제의 두께」란, 필름형 접착제 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름형 접착제의 두께란, 필름형 접착제를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
중간층 및 필름형 접착제는, 중간층의 제1 면이 필름형 접착제의 제1 면과 동등 이상의 크기의 면적을 갖는 것이 바람직하며, 서로 동일한 형상이어도 되고, 중간층 및 필름형 접착제가, 이들의 평면에서 본 형상의 외주가 일치하도록 적층되어 있는 것이 바람직하다.
하기 접착제 조성물은 예를 들면, 하기의 1종 이상의 성분을, 함유량(질량％)의 합계가 100질량％를 초과하지 않도록 함유할 수 있다.
이어서, 상기 접착제 조성물에 대해 설명한다.
＜＜접착제 조성물＞＞
바람직한 접착제 조성물로는, 예를 들면, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)을 함유하는 것을 들 수 있다. 이하, 각 성분에 대해 설명한다.
한편, 이하에 나타내는 접착제 조성물은 바람직한 일 예이며, 본 실시형태에 있어서의 접착제 조성물은 이하에 나타내는 것에 한정되지 않는다.
[중합체 성분(a)]
중합체 성분(a)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 볼 수 있는 성분이며, 필름형 접착제에 조막성이나 가요성 등을 부여함과 함께, 반도체 칩 등의 접착 대상에 대한 접착성(다시 말하면, 첩부성)을 향상시키기 위한 중합체 화합물이다. 중합체 성분(a)은 열가소성을 갖고, 열경화성을 갖지 않는다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 중합체 성분(a)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중합체 성분(a)으로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 중합체 성분(a)은 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의, 필름형 접착제의 총 질량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율)은, 20∼75질량％인 것이 바람직하고, 30∼65질량％인 것이 보다 바람직하다.
[열경화성 성분(b)]
열경화성 성분(b)은 열경화성을 갖고, 필름형 접착제를 열경화시키기 위한 성분이다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화성 성분(b)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
열경화성 성분(b)으로는, 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 폴리이미드수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 열경화성 성분(b)은 에폭시계 열경화성 수지인 것이 바람직하다.
○에폭시계 열경화성 수지
에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어진다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·에폭시 수지(b1)
에폭시 수지(b1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지(b1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는, 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 에폭시 수지(b1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·열경화제(b2)
열경화제(b2)는 에폭시 수지(b1)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제(b2)로는, 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
열경화제(b2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
열경화제(b2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들면, 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.
열경화제(b2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화제(b2)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화제(b2)의 함유량은, 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1∼100질량부, 1∼50질량부, 및 1∼25질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 필름형 접착제의 흡습률이 저감되어, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화성 성분(b)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)의 총 함유량)는, 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 5∼100질량부인 것이 바람직하고, 5∼75질량부인 것이 보다 바람직하며, 5∼50질량부인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 5∼35질량부 및 5∼20질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 중간층과 필름형 접착제 사이의 박리력이 보다 안정된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제는 필름형 접착제의 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b) 이외에, 추가로 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 다른 성분으로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다.
[경화 촉진제(c)]
경화 촉진제(c)는 접착제 조성물의 경화 속도를 조절하기 위한 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(c)로는, 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 경화 촉진제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(c)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 경화 촉진제(c)의 함유량은, 열경화성 성분(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(c)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(c)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(c)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성의 경화 촉진제(c)가, 고온·고습도 조건하에서 필름형 접착제 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아져, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
[충전재(d)]
필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 익스팬드에 의한 그 절단성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 그 열팽창 계수의 조정이 용이해져, 이 열팽창 계수를 필름형 접착제의 첩부 대상물에 대해 최적화함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 충전재(d)를 함유함으로써, 경화 후의 필름형 접착제의 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.
충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재의 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
충전재(d)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의, 필름형 접착제의 총 질량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율)은, 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 10∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 20∼60질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 충전재(d)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.
[커플링제(e)]
필름형 접착제는 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 피착체에 대한 접착성 및 밀착성이 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. 커플링제(e)는 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는다.
커플링제(e)는 중합체 성분(a), 열경화성 성분(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 필름형 접착제의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
[가교제(f)]
중합체 성분(a)으로서, 상술한 아크릴 수지 등의, 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제는 가교제(f)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(f)는 중합체 성분(a) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 필름형 접착제의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(f)로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(a)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(a)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 중합체 성분(a)의 반응에 의해, 필름형 접착제에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제(f)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 가교제(f)의 함유량은, 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(f)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(f)의 과잉 사용이 억제된다.
[에너지선 경화성 수지(g)]
접착제 조성물 및 필름형 접착제가, 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하고 있음으로써, 필름형 접착제는 에너지선의 조사에 의해, 그 특성을 변화시킬 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)는 에너지선 경화성 화합물로부터 얻어진 것이다.
상기 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.
접착제 조성물이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 접착제 조성물의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제(h)]
접착제 조성물 및 필름형 접착제는 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(g)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(h)를 함유하고 있어도 된다.
접착제 조성물에 있어서의 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 광중합 개시제(h)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제(h)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 광중합 개시제(h)의 함유량은, 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[범용 첨가제(i)]
범용 첨가제(i)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제(염료, 안료), 게터링제 등을 들 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 범용 첨가제(i)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
접착제 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 접착제 조성물은 취급성이 양호해진다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 용매는 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
접착제 조성물의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜접착제 조성물의 제조 방법＞＞
접착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
접착제 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
○박리 필름
박리 필름의 구성 재료는 각종 수지인 것이 바람직하며, 상기 기재로 예시한 것을 들 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)가 바람직하다.
박리 필름의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 10㎛ 이상 200㎛ 이하여도 되고, 20㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되며, 30㎛ 이상 80㎛ 이하여도 된다.
여기서, 「박리 필름의 두께」란, 박리 필름 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 박리 필름의 두께란, 박리 필름을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
박리 필름은 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
박리 필름의 필름형 접착제와의 접합면은 박리제로 처리된 박리 처리면인 것이 바람직하다. 상기 박리 처리면은 박리제를 함유할 수 있다. 박리제로는, 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등을 들 수 있고, 실리콘을 함유하는 실리콘계 박리제가 바람직하다.
상기 박리제를 사용하여 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀션화하고, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하여, 박리제가 도포된 필름을 상온하 또는 가열하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시키거나, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열 용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등으로 적층체를 형성하는 방법을 들 수 있다.
상기 반도체 장치 제조용 시트(101)에서 설명한 박리 필름(15)은, 후술하는 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 있어서의 제2 박리 필름(15)으로 대체하여 적용할 수 있다.
◇반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법
상기 반도체 장치 제조용 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
예를 들면, 상기 반도체 장치 제조용 시트는 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를, 각각 미리 준비해 두고, 이들을 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제의 순서가 되도록 첩합하여 적층함으로써 제조할 수 있다.
단, 이는 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법의 일 예이다.
상기 반도체 장치 제조용 시트는 예를 들면, 이를 구성하기 위한, 복수의 층이 적층되어 구성된, 2종 이상의 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 이들 중간 적층체끼리를 첩합함으로써도 제조할 수 있다. 중간 적층체의 구성은 적절히 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 기재 및 점착제층이 적층된 구성을 갖는 제1 중간 적층체(상기 지지 시트에 상당)와, 중간층 및 필름형 접착제가 적층된 구성을 갖는 제2 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 제1 중간 적층체 중의 점착제층과, 제2 중간 적층체 중의 중간층을 첩합함으로써, 반도체 장치 제조용 시트를 제조할 수 있다.
단, 이것도, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법의 일 예이다.
상기 반도체 장치 제조용 시트로서, 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같은, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적이 모두, 점착제층의 제1 면과, 기재의 제1 면의 면적보다 작은 것을 제조하는 경우에는, 상술한 제조 방법에서의 어느 단계에서, 중간층과 필름형 접착제를 목적으로 하는 크기로 가공하는 공정을 추가하여 행해도 된다. 예를 들면, 상기 제2 중간 적층체를 사용하는 제조 방법에 있어서, 제2 중간 적층체 중의 중간층 및 필름형 접착제를 목적으로 하는 크기로 가공하는 공정을 추가하여 행함으로써, 반도체 장치 제조용 시트를 제조해도 된다.
상기 반도체 장치 제조용 시트로서, 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같은, 기재의 제1 면의 면적과, 점착제층의 제1 면의 면적이 모두, 박리 필름의 제1 면의 면적보다 작은 것을 제조하는 경우에는, 상술한 제조 방법에서의 어느 단계에서, 기재와 점착제층을 목적으로 하는 크기로 가공하는 공정을 추가하여 행해도 된다.
필름형 접착제 상에 박리 필름을 구비한 상태의 반도체 장치 제조용 시트를 제조하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 필름형 접착제를 제작하고, 이 상태를 유지한 채로, 나머지 층을 적층하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제작해도 되고, 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 모두 적층한 후, 필름형 접착제 상에 박리 필름을 적층하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제작해도 된다. 박리 필름은 반도체 장치 제조용 시트의 사용시까지, 필요한 단계에서 제거하면 된다.
기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름 이외의 다른 층을 구비하고 있는 반도체 장치 제조용 시트는, 상술한 제조 방법에 있어서, 적절한 타이밍에, 이 다른 층을 형성하고 적층하는 공정을 추가하여 행함으로써 제조할 수 있다.
반도체 장치 제조용 시트의 각 층은 예를 들면, 펀칭 가공에 의해 가공하여, 임의의 형상으로 할 수 있다. 예를 들면, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)를 원형으로 할 경우, 대응하는 형상의 펀칭날을 이용하여, 원형으로 펀칭 가공을 행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법으로서, 이하를 예시할 수 있다.
반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법으로서,
상기 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 제2 박리 필름을 구비하며, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제2 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성되고,
상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 제1 박리 필름을 구비하는 제2 중간 적층체의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C)를 형성하고, 당해 절입부(C)를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 적어도 일부를 제거하여, 제2 중간 적층체 가공물을 얻는 제1 가공 공정과,
상기 기재 및 상기 점착제층을 구비하는 제1 중간 적층체와, 상기 제2 중간 적층체 가공물을 첩합하여, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제1 박리 필름을 구비하는 제1 적층물을 얻는 적층 공정과,
상기 제1 적층물의 상기 제1 박리 필름을 박리하고, 제2 박리 필름으로 교체 첩부하여 제2 적층물을 얻는 교체 첩부 공정과,
상기 제2 적층물의 상기 기재 및 상기 점착제층에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 기재 및 상기 점착제층의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C')를 형성하고, 당해 절입부(C')를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 기재 및 상기 점착제층의 적어도 일부를 제거하여, 반도체 장치 제조용 시트를 얻는 제2 가공 공정을 포함하고,
상기 제1 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력이, 상기 제2 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력보다 큰, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 의하면, 상기 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 제조 가능하다.
도 3은 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 도 3에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트는, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트로부터, 상하를 반전시키고 있다.
(제1 가공 공정)
도 3a에 나타나는 제2 중간 적층체(102)는, 필름형 접착제(14) 및 중간층(13)을 구비하고, 제1 박리 필름(17), 필름형 접착제(14), 중간층(13), 및 제3 박리 필름(16)이 이 순서로 적층된 구성을 갖는다.
제2 중간 적층체(102)의 제3 박리 필름(16), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)에 대해, 제3 박리 필름(16)이 적층된 측의 면으로부터, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C)를 형성하는 제1 펀칭을 행한다. 펀칭에서는, 제1 박리 필름(17)까지 절입되어도 되고, 제1 박리 필름(17)에 절입부(C)가 형성되어도 된다. 이어서, 절입부(C)를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 적어도 일부를 제거하여, 제2 중간 적층체 가공물(103)을 얻는다(도 3b). 여기서의 외측이란, 필름형 접착제의 표면에 대해 평행한 방향에 있어서의, 절입부(C)에 둘러싸인 영역의 외측의 위치이다.
(적층 공정)
상기에서 얻어진 제2 중간 적층체 가공물(103)로부터, 제3 박리 필름(16)을 제거하여, 중간층(13)의 한쪽 면을 노출시킨다.
또한, 기재(11)와, 기재(11)의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층(12)을 구비한 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체로부터, 박리 필름(도시하지 않음)을 제거하여, 점착제층(12)의 한쪽 면을 노출시킨다. 이어서, 제1 중간 적층체(104)의 점착제층(12)의 노출면과, 제2 중간 적층체 가공물(103)의 중간층(13)의 노출면을 첩합하는 적층 공정을 행한다. 제1 중간 적층체(104)는 제2 중간 적층체 가공물(103)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)를 덮도록 적층된다. 이와 같이 하여, 제1 박리 필름(17), 필름형 접착제(14), 중간층(13), 점착제층(12), 및 기재(11)를 구비하는 제1 적층물(105)을 얻는다(도 3c).
(교체 첩부 공정)
상기에서 얻어진 제1 적층물(105)의 제1 박리 필름(17)을 박리하고, 제2 박리 필름(15)으로 교체 첩부하여 제2 적층물(107)을 얻는다. 제2 적층물(107)은 제2 박리 필름(15), 필름형 접착제(14), 중간층(13), 점착제층(12), 및 기재(11)가 이 순서로 적층된 구성을 갖는다(도 3d).
새로 첩부된 제2 박리 필름(15)은 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 외주를 따른 절입부(C)를 갖지 않는다.
(제2 가공 공정)
상기에서 얻어진 제2 적층물(107)의 기재(11), 점착제층(12)에 대해, 기재(11)가 적층된 측의 면으로부터, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 기재(11) 및 점착제층(12)의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C')를 형성하는 제2 펀칭을 행한다. 여기서의 펀칭 개소의 절입부(C')는, 절입부(C)와 동심원 형상으로, 절입부(C)의 외측에 배치된다. 펀칭에서는, 제2 박리 필름(15)까지 절입되어도 되고, 제2 박리 필름(15)에 절입부(C')가 형성되어도 된다. 이어서, 당해 절입부(C')를 기점으로 하여 외측에 위치하는 기재(11) 및 점착제층(12)의 적어도 일부를 제거함으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 얻는다(도 3e). 여기서의 외측이란, 필름형 접착제의 표면에 대해 평행한 방향에 있어서의, 절입부(C')에 둘러싸인 영역의 외측의 위치이다.
상기 절입부(C')의 위치에서의 절입을 행함으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)의, 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값(즉, 직경)과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값(즉, 직경)을 모두, 점착제층(12)의 폭의 최대값과, 기재(11)의 폭의 최대값보다 작게 할 수 있다.
실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법은, 상기 제1 가공 공정에 앞서, 제1 박리 필름의 박리 처리면에 접착제 조성물을 도공하고, 건조시켜 필름형 접착제를 형성하고, 박리 필름의 박리 처리면에 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 건조시켜 중간층을 형성하고, 상기 필름형 접착제의 노출면을 상기 중간층의 노출면과 첩합함으로써, 제1 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체를 얻는, 제2 중간 적층체 제조 공정을 추가로 포함할 수 있다.
실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법은, 상기 적층 공정에 앞서, 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고, 건조시켜 점착제층을 형성하고, 상기 점착제층의 노출면을 기재와 첩합함으로써, 제1 중간 적층체를 얻는, 제1 중간 적층체 제조 공정을 추가로 포함할 수 있다.
실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력이, 상기 제2 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력보다 높다. 즉, 교체 첩부 공정에서, 제1 박리 필름을 보다 박리력이 낮은 제2 박리 필름(15)과 교체 첩부한다.
제1 박리 필름의 상기 박리력을, 제2 박리 필름의 상기 박리력보다 높게 함으로써, 필름형 접착제의 층 형성시에는 필름형 접착제의 조막성이 양호해진다.
일반적으로, 박리 필름에는, 피착체간의 박리력을 저하시켜, 박리를 용이하게 하는 목적으로, 박리 처리제에 의한 박리 처리가 실시되어 있다. 그러나, 발명자들의 검토에 의해, 박리력이 낮은 박리 필름 상에, 상기 접착제 조성물을 도공하여 필름형 접착제를 형성하려고 하면, 필름형 접착제의 조막성이 열악한 경우가 있는 것을 알아내었다. 이는, 박리력이 낮은 박리 필름에서는, 접착제 조성물에 대한 크롤링도 발생하기 쉬워지기 때문으로 생각된다.
이에, 필름형 접착제의 제작시에는, 박리력이 높은 제1 박리 필름을 사용함으로써, 균일한 필름형 접착제의 층을 용이하게 형성할 수 있다.
교체 첩부 공정으로서, 제1 적층물(105)의 박리 필름에 대해 교체 첩부를 행하는 것은, 제1 적층물(105)에서는, 제1 중간 적층체(104)가 제2 중간 적층체 가공물(103)을 덮도록 적층되어 있기 때문에, 교체 첩부를 행할 때 제1 적층물(105)의 층 구조가 붕괴되기 어렵다는 이점이 있다.
한편, 박리력이 높은 제1 박리 필름을 구비하는 반도체 장치 제조용 시트인 상태로는, 사용시에는 필름형 접착제로부터 제1 박리 필름이 박리되기 어려운 경우가 있다. 예를 들면, 박리 필름을 박리하고, 필름형 접착제와 반도체 웨이퍼를 첩합하는 마운트 프로세스에서, 반도체 제조용 시트가 순조롭게 공급되지 않는다는 문제가 발생하는 경우가 있다. 여기서의 박리 필름의 박리는 통상, 자동화되어 있으므로, 마운트 프로세스에 사용되는 장치 내에서 박리 필름을 박리하는 조건(마운터에 있어서의 박리 각도나 박리 속도 등)을 조절하는 것이 어렵고, 문제가 발생하기 쉽다고 생각된다.
이에, 상기 교체 첩부 공정에서, 제1 박리 필름을 박리하고, 보다 박리력이 낮은 제2 박리 필름(15)으로 교체 첩부를 행함으로써, 박리력이 낮은 제2 박리 필름을 구비하는 반도체 장치 제조용 시트를 제공할 수 있다. 이와 같이 교체 첩부 공정을 거쳐 제조된 반도체 제조용 시트는, 반도체 장치 제조용 시트의 사용시에는 마운트 프로세스 적성이 우수하다.
제1 박리 필름 및 제2 박리 필름의 박리력의 지표로서, 하기 박리 시험에서 구해진 점착제층과의 사이의 박리력을 채용할 수 있다.
(박리 시험)
상기 제1 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제1 시험편에 있어서,
박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제1 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제1 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제1 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제1 박리 필름 사이의 박리력(mN/50㎜)을 구한다.
제1 시험편에 있어서의, 상기 점착제층과 상기 제1 박리 필름 사이의 박리력은, 180mN/50㎜ 초과인 것이 바람직하고, 180mN/50㎜ 초과 300mN/50㎜ 이하인 것이 바람직하고, 200mN/50㎜ 이상 280mN/50㎜ 이하인 것이 보다 바람직하며, 230mN/50㎜ 이상 270mN/50㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
제1 시험편에 있어서의 상기 제1 박리 필름의 박리력이 상기 하한값 초과 또는 이상임으로써, 제1 박리 필름 상에 형성되는 필름형 접착제의 층의 품질을 보다 더욱 향상 가능하다. 제1 시험편에 있어서의 상기 제1 박리 필름의 박리력이 상기 상한값 이하임으로써, 교체 첩부 공정에서의 제1 박리 필름의 교체 첩부가 용이해진다.
상기 제2 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제2 시험편에 있어서,
박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제2 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제2 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제2 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제2 박리 필름 사이의 박리력을 구한다.
제2 시험편에 있어서의, 상기 점착제층과 상기 제2 박리 필름 사이의 박리력은, 180mN/50㎜ 이하인 것이 바람직하며, 100mN/50㎜ 이상 180mN/50㎜ 이하인 것이 바람직하고, 120mN/50㎜ 이상 170mN/50㎜ 이하인 것이 보다 바람직하며, 130mN/50㎜ 이상 160mN/50㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
제2 시험편에 있어서의 상기 제2 박리 필름의 박리력이 상기 하한값 이상임으로써, 제2 박리 필름의 의도하지 않는 박리가 방지된다. 제1 시험편에 있어서의 상기 제1 박리 필름의 박리력이 상기 상한값 이하임으로써, 마운트 프로세스 적성이 보다 더욱 향상된 반도체 제조용 시트가 얻어진다.
측정에 제공하는 상기 시험편의 길이는, 박리력을 안정적으로 측정할 수 있는 범위이면, 특별히 한정되지 않으나, 100㎜∼300㎜인 것이 바람직하다.
상기 제1 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력, 및 상기 제2 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력에 대해서도, 상기 박리 시험과 동일한 방법으로 측정 가능하다. 상기 박리 시험에 있어서, 시험편의 점착제 조성물을 접착제 조성물로 대체하고, 점착제층을 필름형 접착제로 대체하여, 박리 필름과 필름형 접착제 사이의 박리력을 구할 수 있다.
제1 박리 필름 및 제2 박리 필름으로는, 상기 실시형태의 박리 필름의 설명에서 예시한 구성을 채용할 수 있고, 구성 및 구성 재료에 대한 상세한 설명을 생략한다.
제1 박리 필름 및 제2 박리 필름은 시판의 박리 필름을 사용할 수 있고, 원하는 박리력을 갖는 박리 필름을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 박리 처리면의 박리제의 종류 및 함유량(예를 들면, 실리콘 함유량)을 적절히 조정함으로써, 원하는 박리력을 구비하는 제1 박리 필름 및 제2 박리 필름을 제조 가능하다.
실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 의하면, 고품질인 필름형 접착제를 구비하고, 또한 마운트 프로세스 적성이 우수한 반도체 장치 제조용 시트를 제공할 수 있다.
◇반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)
상기 반도체 장치 제조용 시트는 반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조시에 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 상기 필름형 접착제의 측에 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 적층하여 적층체를 얻는 공정과,
상기 필름형 접착제, 또는 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 필름형 접착제를, 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 얻는 공정을 갖는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다.
이하, 도면을 참조하면서, 상기 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)에 대해, 상세하게 설명한다.
실시형태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 필름형 접착제의 노출면에 반도체 웨이퍼의 이면을 첩부하여, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 반도체 웨이퍼가 이 순서로 적층되어 구성된 적층물을 얻는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 분할함과 함께, 상기 필름형 접착제를 절단하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 얻는 공정과,
상기 기재, 상기 점착제층, 및 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 포함한다.
도 4는 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이며, 반도체 장치 제조용 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 사용하는 경우에 대해 나타내고 있다. 이 방법에서는, 반도체 장치 제조용 시트를 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용한다. 여기서는, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명한다.
우선, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 상태의 반도체 장치 제조용 시트(101)를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제(14)를 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')에 첩부한다.
부호 9a'는 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면을 나타내고 있다.
반도체 장치 제조용 시트(101)의 첩부시의 가열 온도는 특별히 한정되지 않으나, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 가열 첩부 안정성이 보다 향상되는 점에서, 40∼70℃인 것이 바람직하다.
반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값은 모두, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값과 완전히 동일하거나, 또는, 동일하지 않으나, 오차가 경미하여, 거의 동등하게 되어 있다.
이어서, 상기에서 얻어진, 반도체 장치 제조용 시트(101)와 반도체 웨이퍼(9')의 적층물을, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')측으로부터 블레이드로 절입함(블레이드 다이싱을 행함)으로써, 반도체 웨이퍼(9')를 분할함과 함께, 필름형 접착제(14)를 절단한다.
블레이드 다이싱은 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을, 링 프레임 등의 지그(도시 생략)에 고정한 후, 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9')의 분할과, 필름형 접착제(14)의 절단을 행할 수 있다.
본 공정에 의해, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9)과, 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제(140)를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)이 얻어진다. 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은, 적층 시트(10) 중의 중간층(13) 상에서 정렬되어 고정된 상태로 되어 있어, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)을 구성하고 있다.
반도체 칩(9)의 이면(9b)은 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')에 대응하고 있다. 또한, 도 4 중, 부호 9a는 반도체 칩(9)의 회로 형성면을 나타내고 있고, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')에 대응하고 있다.
블레이드 다이싱시에는, 블레이드에 의해, 반도체 웨이퍼(9')에 대해서는, 그 두께 방향의 전체 영역을 절입함으로써 분할함과 함께, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 대해서는, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)으로부터 중간층(13)의 도중의 영역까지를 절입함으로써, 필름형 접착제(14)를 그 두께 방향의 전체 영역에서 절단하고, 또한 점착제층(12)까지는 절입하지 않는 것이 바람직하다.
즉, 블레이드 다이싱시에는, 블레이드에 의해, 반도체 장치 제조용 시트(101)와 반도체 웨이퍼(9')의 적층물을, 이들의 적층 방향에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')으로부터, 적어도 중간층(13)의 제1 면(13a)까지 절입하고, 또한, 중간층(13)의 제1 면(13a)과는 반대측 면(즉, 점착제층(12)과의 접촉 면)까지는 절입하지 않는 것이 바람직하다.
본 공정에 있어서는, 이와 같이 블레이드가 기재(11)에 도달하는 것을 용이하게 회피할 수 있고, 이에 의해, 기재(11)로부터의 절삭 부스러기의 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 블레이드에 의해 절단되는 중간층(13)의 주성분이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지인 것, 특히, 중량 평균 분자량이 100000 이하임으로써, 중간층(13)으로부터의 절삭 부스러기의 발생도 억제할 수 있다.
블레이드 다이싱의 조건은, 목적에 따라 적절히 조절하면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
통상, 블레이드의 회전 속도는 15000∼50000rpm인 것이 바람직하고, 블레이드의 이동 속도는 5∼75㎜/sec인 것이 바람직하다.
블레이드 다이싱 후에는 도 4c에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을, 적층 시트(10) 중의 중간층(13)으로부터 분리하여 픽업한다. 여기서는, 진공 콜렛 등의 분리 수단(7)을 이용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 화살표 P 방향으로 분리하는 경우를 나타내고 있다. 한편, 여기서는, 분리 수단(7)을 단면 표시하지 않았다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은 공지의 방법으로 픽업할 수 있다.
중간층(13)의 제1 면(13a)에 있어서, 상기 규소 농도의 비율이 1∼20％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
중간층(13)이 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
지금까지 설명한 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서, 바람직한 실시형태로는, 예를 들면, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,
상기 반도체 장치 제조용 시트는, 상기 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 구비하고 있고,
상기 제조 방법은, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 필름형 접착제가 첩부된 상기 반도체 웨이퍼를 그 회로 형성면측으로부터, 그 두께 방향의 전체 영역을 절입하여 분할함으로써, 반도체 칩을 제작함과 함께, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 그 두께 방향에 있어서, 그 상기 필름형 접착제측으로부터, 상기 중간층의 도중의 영역까지를 절입하여, 상기 필름형 접착제를 절단하고, 또한 상기 점착제층까지는 절입하지 않음으로써, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는 것(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 1」로 칭하는 경우가 있다)을 들 수 있다.
다른 실시형태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 필름형 접착제의 노출면에, 복수개의 상기 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군의 이면을 첩부하여, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 반도체 칩군이 이 순서로 적층되어 구성된 적층물을 얻는 공정과,
상기 필름형 접착제를 절단하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 얻는 공정과,
상기 기재, 상기 점착제층, 및 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 포함한다.
도 5는 반도체 장치 제조용 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이며, 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱을 행함으로써, 반도체 칩을 제조하는 경우에 대해 나타내고 있다.
도 6은 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이며, 반도체 장치 제조용 시트를 반도체 칩에 첩부한 후 사용하는 경우에 대해 나타내고 있다. 이 방법에서는, 반도체 장치 제조용 시트를 다이 본딩 시트로서 사용한다. 여기서는, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명한다.
우선, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 사용에 앞서, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')를 준비하고, 그 회로 형성면(9a')에 백 그라인드 테이프(「표면 보호 테이프」로 칭하기도 한다)(8)를 첩부한다.
도 5 중, 부호 W9'는 반도체 웨이퍼(9')의 폭을 나타내고 있다.
이어서, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광(도시 생략)을 조사함으로써, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 개질층(90')을 형성한다.
상기 레이저광은 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')측으로부터, 반도체 웨이퍼(9')에 조사하는 것이 바람직하다.
이 때의 초점의 위치는, 반도체 웨이퍼(9')의 분할(다이싱) 예정 위치이며, 반도체 웨이퍼(9')로부터 목적으로 하는 크기, 형상, 및 개수의 반도체 칩이 얻어지도록 설정된다.
이어서, 그라인더(도시 생략)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')을 연삭한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(9')의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼(9')에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층(90')의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')를 분할하여, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9)을 제작한다.
반도체 웨이퍼(9')의 개질층(90')은 반도체 웨이퍼(9')의 다른 개소와는 달리, 레이저광의 조사에 의해 변질되어 있어, 강도가 약하게 되어 있다. 이 때문에, 개질층(90')이 형성된 반도체 웨이퍼(9')에 힘을 가함으로써, 개질층(90')에 힘이 가해져, 이 개질층(90')의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9')가 분할되어, 복수개의 반도체 칩(9)이 얻어진다.
이상에 의해, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 사용 대상인 반도체 칩(9)이 얻어진다. 보다 구체적으로는, 본 공정에 의해, 백 그라인드 테이프(8) 상에서 복수개의 반도체 칩(9)이 정렬되어 고정된 상태의 반도체 칩군(901)이 얻어진다.
반도체 칩군(901)을 그 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때, 반도체 칩군(901)의 가장 외측의 부위를 이어 형성되는 평면 형상(본 명세서에 있어서는, 이러한 평면 형상을 단순히 「반도체 칩군의 평면 형상」으로 칭하는 경우가 있다)은, 반도체 웨이퍼(9')를 동일하게 평면으로 보았을 때의 평면 형상과 완전히 동일하거나, 또는, 이들 평면 형상끼리의 차이점은 무시할 수 있을 정도로 경미하여, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상은, 반도체 웨이퍼(9')의 상기 평면 형상과 대체로 동일하다고 할 수 있다.
따라서, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭은, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')과 동일하다고 볼 수 있다. 그리고, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭의 최대값은, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값과 동일하다고 볼 수 있다.
한편, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9')로부터 반도체 칩(9)을 목적과 같이 제작할 수 있던 경우에 대해 나타내고 있으나, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')의 연삭시의 조건에 따라서는, 반도체 웨이퍼(9')의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할을 행하지 않는 경우도 있다.
이어서, 상기에서 얻어진 반도체 칩(9)(반도체 칩군(901))을 사용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조한다.
우선, 도 6a에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 상태의 1장의 반도체 장치 제조용 시트(101)를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제(14)를, 반도체 칩군(901) 중의 모든 반도체 칩(9)의 이면(9b)에 첩부한다. 이 때의 필름형 접착제(14)의 첩부 대상은, 완전히는 분할되지 않은 반도체 웨이퍼여도 된다.
반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값은 모두, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')(다시 말하면, 반도체 칩군(901)의 폭)의 최대값과 완전히 동일하거나, 또는, 동일하지 않으나, 오차가 경미하여, 거의 동등하게 되어 있다.
이 때의 반도체 칩군(901)에 대한 필름형 접착제(14)(반도체 장치 제조용 시트(101))의 첩부는, 반도체 웨이퍼(9') 대신에 반도체 칩군(901)을 사용하는 점을 제외하면, 상기 제조 방법 1에 있어서의, 반도체 웨이퍼(9')에 대한 필름형 접착제(14)(반도체 장치 제조용 시트(101))의 첩부의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
이어서, 이 고정된 상태의 반도체 칩군(901)으로부터 백 그라인드 테이프(8)를 제거한다. 그리고, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 냉각하면서, 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써 익스팬드한다. 여기서는, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 익스팬드의 방향을 화살표 E1으로 나타내고 있다. 이와 같이 익스팬드함으로써, 필름형 접착제(14)를 반도체 칩(9)의 외주를 따라 절단한다.
본 공정에 의해, 반도체 칩(9)과, 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제(140)를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)이 얻어진다. 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은, 적층 시트(10) 중의 중간층(13) 상에서 정렬되어 고정된 상태로 되어 있어, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)을 구성하고 있다.
여기서 얻어지는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914) 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)은 모두, 앞서 설명한 제조 방법 1에서 얻어지는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914) 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)과 실질적으로 동일하다.
앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 분할시, 반도체 웨이퍼(9')의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할을 행하지 않았을 경우에는, 본 공정을 행함으로써, 이 영역은 반도체 칩으로 분할된다.
반도체 장치 제조용 시트(101)는 그 온도를 -5∼5℃로 하여 익스팬드하는 것이 바람직하다. 반도체 장치 제조용 시트(101)를, 이와 같이 냉각하여 익스팬드함(쿨 익스팬드를 행함)으로써, 필름형 접착제(14)를 보다 용이하게 또한 고정밀도로 절단할 수 있다.
반도체 장치 제조용 시트(101)의 익스팬드는 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을, 링 프레임 등의 지그(도시 생략)에 고정한 후, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있는 영역 전체를, 기재(11)로부터 점착제층(12)을 향하는 방향으로, 기재(11)측으로부터 밀어올림으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 익스팬드할 수 있다.
도 6b에서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되지 않은 상기 비적층 영역은, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 대해 거의 평행으로 되어 있으나, 상술한 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 밀어올림에 의해 익스팬드되어 있는 상태에서는, 상기 비적층 영역은 점착제층(12)의 외주에 가까워짐에 따라, 상기 밀어올림의 방향과는 역방향으로 높이가 하강하는 경사면을 포함한다.
본 공정에서는, 반도체 장치 제조용 시트(101)가 중간층(13)을 구비하고 있음(다시 말하면, 절단 전의 필름형 접착제(14)가 중간층(13) 상에 형성되어 있음) 으로써, 필름형 접착제(14)가 목적으로 하는 개소에서(다시 말하면, 반도체 칩(9)의 외주를 따라) 정밀도 높게 절단되어, 절단 불량을 억제할 수 있다.
익스팬드 후에는, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을, 적층 시트(10) 중의 중간층(13)으로부터 분리하여 픽업한다.
이 때의 픽업은, 앞서 설명한 제조 방법 1에 있어서의 픽업과 동일한 방법으로 행할 수 있고, 픽업 적성도 제조 방법 1에 있어서의 픽업 적성과 동일하다.
예를 들면, 본 공정에 있어서도, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 있어서, 상기 규소 농도의 비율이 1∼20％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
또한, 중간층(13)이, 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의, 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
지금까지 설명한 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서, 바람직한 실시형태로는, 예를 들면, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,
상기 반도체 장치 제조용 시트는, 상기 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 구비하고 있고,
상기 제조 방법은, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 칩에 첩부한 후의 상기 반도체 장치 제조용 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하여, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는 것(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 2」로 칭하는 경우가 있다)을 들 수 있다.
지금까지는, 제조 방법 1 및 제조 방법 2의 어느 경우도, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명했으나, 그 이외의 본 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트도, 동일하게 사용할 수 있다. 그 경우, 필요에 따라, 이 반도체 장치 제조용 시트와, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 구성의 차이점에 기초하여, 다른 공정을 적절히 추가하여, 반도체 장치 제조용 시트를 사용해도 된다.
제조 방법 1 및 제조 방법 2의 경우에 한정하지 않고, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻은 후에는, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 픽업하기 전에, 상기 적층 시트를 상기 점착제층의 상기 중간층측의 면(제1 면)에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군)이 재치되지 않은 주연부를 가열해도 된다.
이와 같이 함으로써, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 반도체 칩간의 거리, 즉 커프 폭을, 충분히 넓게 또한 높은 균일성으로 유지할 수 있다. 그리고, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜＜접착제 조성물의 제조 원료＞＞
접착제 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
[중합체 성분(a)]
(a)-1: 아크릴산메틸(95질량부) 및 아크릴산-2-히드록시에틸(5질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴 수지(중량 평균 분자량 800000, 유리 전이 온도 9℃).
[에폭시 수지(b1)]
(b1)-1: 아크릴로일기가 부가된 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「CNA147」, 에폭시 당량 518g/eq, 수평균 분자량 2100, 불포화기 함유량은 에폭시기와 등량).
[열경화제(b2)]
(b2)-1: 아랄킬형 페놀 수지(미츠이 카가쿠사 제조 「밀렉스 XLC-4L」, 수평균 분자량 1100, 연화점 63℃)
[충전재(d)]
(d)-1: 구형 실리카(아드마텍스사 제조 「YA050C-MJE」, 평균 입경 50㎚, 메타크릴실란 처리품)
[커플링제(e)]
(e)-1: 실란 커플링제, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란(신에츠 실리콘사 제조 「KBE-402」)
[가교제(f)]
(f)-1: 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제(토소사 제조 「코로네이트 L」)
[실시예 1]
＜＜반도체 장치 제조용 시트의 제조＞＞
＜기재의 제조＞
압출기를 이용하여, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 스미토모 카가쿠사 제조 「스미카센 L705」)을 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤을 이용하여 압출물을 2축으로 연신함으로써, LDPE제 기재(두께 110㎛)를 얻었다.
＜박리 필름＞
[경박리 필름]
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 박리제로 박리 처리된 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「SP-PET381031」)을 사용했다.
[중박리 필름]
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 박리제로 박리 처리된 PET 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「SP-PET382150」)을 사용했다.
[중간박리 필름]
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 박리제로 박리 처리된 PET 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「SP-PET382051」)을 사용했다.
＜점착제층의 제작＞
점착성 수지(I-1a)로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」)(100질량부)와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」)(1질량부)를 함유하는 비에너지선 경화성 점착제 조성물을 제조했다.
이어서, 상기 경박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 비에너지선 경화성 점착제층(두께 20㎛)을 제작했다.
＜중간층의 제작＞
상온하에서, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 30000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 25질량％)(15g)를 테트라히드로푸란 85g에 용해시키고, 얻어진 용액에 실록산계 화합물(폴리디메틸실록산, 빅케미·재팬사 제조 「BYK-333」, 1분자 중의 식 「-Si(-CH3)2-O-」로 나타내는 구성 단위의 수가 45∼230)(1.5g)을 첨가하고, 교반함으로써, 중간층 형성용 조성물을 제작했다.
상기 경박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 70℃에서 5분 가열 건조시킴으로써, 중간층(두께 20㎛)을 제작했다.
＜필름형 접착제의 제작＞
중합체 성분(a)-1(100질량부), 에폭시 수지(b1)-1(10질량부), 열경화제(b2)-1(1.5질량부), 충전재(d)-1(75질량부), 커플링제(e)-1(0.5질량부), 및 가교제(f)-1(0.5질량부)를 함유하는 열경화성 접착제 조성물을 제조했다.
이어서, 상기 중박리 필름(제1 박리 필름)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 접착제 조성물을 도공하고, 80℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 열경화성 필름형 접착제(두께 7㎛)를 제작했다.
＜반도체 장치 제조용 시트의 제조＞
상기에서 얻어진 점착제층의, 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체(다시 말하면, 박리 필름이 형성된 지지 시트)를 제작했다.
상기에서 얻어진 필름형 접착제의, 중박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 중간층의, 경박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체(경박리 필름, 중간층, 필름형 접착제, 및 중박리 필름의 적층물)를 제작했다.
이어서, 이 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체에 대해, 중간층측의 경박리 필름으로부터 필름형 접착제까지, 절단날을 이용하여 펀칭 가공을 행하여, 불요 부분을 제거함으로써, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에, 평면 형상이 원형(직경 305㎜)인 필름형 접착제(두께 7㎛), 중간층(두께 20㎛), 및 중박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 중박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작했다.
이어서, 상기에서 얻어진, 경박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체로부터, 경박리 필름을 제거하여, 점착제층의 한쪽 면을 노출시켰다.
또한, 상기에서 얻어진, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물로부터, 원형의 경박리 필름을 제거하여, 중간층의 한쪽 면을 노출시켰다.
이어서, 제1 중간 적층체 중의 점착제층의 새로 생긴 노출면과, 제2 중간 적층체 가공물 중의 중간층의 새로 생긴 노출면을 첩합했다. 그리고, 제1 중간 적층체와 제2 중간 적층체 가공물의 적층물로부터 중박리 필름(제1 박리 필름)을 제거하고, 대신에 경박리 필름(제2 박리 필름)을 첩합하는 교체 첩부를 행했다.
이에 의해 얻어진 적층물 중의 기재 및 점착제층(즉, 지지 시트)에 대해, 이들(지지 시트)의 평면 형상이 원형(직경 370㎜)이 되고, 또한, 원형의 필름형 접착제 및 중간층(직경 305㎜)과 동심원 형상이 되도록, 절단날(직경 370㎜)을 이용하여 기재측으로부터 펀칭 가공을 행하여, 불요 부분을 제거했다.
이상에 의해, 기재(두께 110㎛), 점착제층(두께 10㎛), 중간층(두께 20㎛), 필름형 접착제(두께 7㎛), 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 형성된 반도체 장치 제조용 시트를 얻었다.
[참고예 1]
제1 중간 적층체와 제2 중간 적층체 가공물의 적층물에 있어서, 중박리 필름으로부터 경박리 필름으로의 교체 첩부를 행하지 않는 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조했다.
[참고예 2]
상기 필름형 접착제의 제작에 있어서, 박리 필름에 접착제 조성물을 도공할 때, 중박리 필름 대신에 경박리 필름을 사용하여, 제1 중간 적층체와 제2 중간 적층체 가공물의 적층물에 있어서, 경박리 필름의 교체 첩부를 행하지 않는 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조했다.
[참고예 3]
상기 필름형 접착제의 제작에 있어서, 박리 필름에 접착제 조성물을 도공할 때, 중박리 필름 대신에 경박리 필름을 사용하여, 제1 중간 적층체와 제2 중간 적층체 가공물의 적층물에 있어서, 경박리 필름을 제거하고, 대신에 중박리 필름을 첩합하는 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조했다.
[참고예 4]
상기 필름형 접착제의 제작에 있어서, 박리 필름에 접착제 조성물을 도공할 때, 중박리 필름 대신에 중간박리 필름을 사용하여, 제1 중간 적층체와 제2 중간 적층체 가공물의 적층물에 있어서, 중간박리 필름의 교체 첩부를 행하지 않는 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조했다.
＜＜평가＞＞
＜박리 필름의 점착제층과의 사이의 박리력＞
상기 제1 중간 적층체의 제작과 동일한 방법(단, 가열 건조 후의 점착제층의 두께는 10㎛가 되도록 변경)으로, 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체(박리 필름이 형성된 지지 시트)를 제작했다. 제작 후의 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체를 즉시, 23℃, 50％RH의 환경하에서 30분 정치한 후, 이 제1 중간 적층체를 폭 50㎜로 잘라내어, 이를 시험편으로 했다.
이 때의 시험편의 박리 필름을, 점착제층과의 사이의 박리력의 측정 대상인 각 박리 필름(경박리 필름, 중박리 필름, 또는 중간박리 필름)으로 했다.
지지 시트측을 고정하여, 점착제층 및 박리 필름의 서로 접촉하고 있던 면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 지지 시트로부터 박리 필름을 박리하는, 이른바 180°박리를 행하여, 박리력(mN/50㎜)을 측정했다. 측정 조건은 박리 속도: 1000mm/min, 23℃, 습도 50％RH 조건하로 했다.
한편, 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트에서는, 점착제층과 해당하는 박리 필름이 직접 접하는 구성을 가질 필요는 없다. 여기서의 박리력의 평가는, 박리 필름의 성질을 특정하기 위한 평가이다.
＜필름형 접착제의 조막성＞
상술한 필름형 접착제의 제작과 동일한 방법으로, 필름형 접착제를 제작하고, 필름형 접착제의 조막성을 평가했다. 이 때, 접착제 조성물의 고형분 농도를 15질량％로 하고, 어플리케이터를 이용하여 가열 건조 후의 필름형 접착제의 두께가 7㎛가 되도록, 접착제 조성물을 도공했다.
접착제 조성물의 도공 건조 후, 얻어진 필름형 접착제의, 접착제 조성물의 박리 필름에 접촉하고 있던 부위의 표면에 대해, 외관을 육안으로 관찰하여, 필름형 접착제의 조막성을 하기 기준에 따라 평가했다.
A: 박리 필름 상에, 직경 3㎜ 이상의 접착제 조성물의 크롤링이 확인되지 않고, 표면 상태가 양호했다.
B: 박리 필름 상에, 직경 3㎜ 이상의 접착제 조성물의 크롤링이 1∼5개 확인되었다.
C: 박리 필름 상에, 직경 3㎜ 이상의 접착제 조성물의 크롤링이 5개 초과 확인되었다.
＜마운트 프로세스 적성＞
상기 실시예 및 참고예에서 얻은 반도체 장치 제조용 시트에 대해, 테이프 마운터(린텍제 RAD-2700)를 이용하여, 그 필름형 접착제를, 12인치의 반도체 웨이퍼 이면 및 링 프레임(DISCO사 제조)에 첩부하는 공정을, 연속하여 30장분 행했다. 이 공정은 반도체 장치 제조용 시트의 박리 필름을 당해 시트로부터 박리하면서 행했다.
필름형 접착제로부터 박리 필름을 박리한 후의 박리 필름의 상황에 대해 확인했다.
A: 30장 전부에서, 박리 필름으로부터 필름형 접착제의 전체면을 박리할 수 있었다.
B: 30장 중에, 박리 필름으로부터 필름형 접착제의 전체면을 박리하지 못하고, 박리 필름에 필름형 접착제의 일부가 부착되어 있던 것이 확인되었다.
상기 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 필름형 접착제의 제작시에는 상기 박리력이 높은 중박리 필름을 사용하고, 그 후, 당해 중박리 필름으로부터 상기 박리력이 낮은 경박리 필름으로의 교체 첩부를 실시한 실시예 1에서는, 필름형 접착제의 층 형성시에는 필름형 접착제의 조막성이 양호하고, 반도체 장치 제조용 시트의 사용시에는 마운트 프로세스 적성이 양호했다.
각 실시형태에 있어서의 각 구성 및 이들의 조합 등은 일 예이며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경이 가능하다. 또한, 본 발명은 각 실시형태에 의해 한정되지 않으며, 청구항(클레임)의 범위에 의해서만 한정된다.
본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다.
101…반도체 장치 제조용 시트,
1…지지 시트,
10…적층 시트,
11…기재,
12…점착제층,
13…중간층,
13a…중간층의 제1 면,
14…필름형 접착제,
15…박리 필름(제2 박리 필름),
16…제3 박리 필름,
17…제1 박리 필름,
W13…중간층의 폭
W14…필름형 접착제의 폭
102…제2 중간 적층체,
103…제2 중간 적층체 가공물,
104…제1 중간 적층체,
105…제1 적층물,
107…제2 적층물,
C, C'…절입부,
8…백 그라인드 테이프,
9'…반도체 웨이퍼,
90'…개질층,
9a'…반도체 웨이퍼의 회로 형성면,
9b'…반도체 웨이퍼의 이면,
901…반도체 칩군,
9…반도체 칩,
9a…반도체 칩의 회로 형성면
9b…반도체 칩의 이면,
140…절단 후의 필름형 접착제
910…필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군,
914…필름형 접착제가 형성된 반도체 칩,
E1…익스팬드의 방향

Claims (3)

  1. 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 제2 박리 필름을 구비하며, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제2 박리 필름이 이 순서로 적층되어 구성되고,
    상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 제1 박리 필름을 구비하는 제2 중간 적층체의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C)를 형성하고, 당해 절입부(C)를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제의 적어도 일부를 제거하여, 제2 중간 적층체 가공물을 얻는 제1 가공 공정과,
    상기 기재 및 상기 점착제층을 구비하는 제1 중간 적층체와, 상기 제2 중간 적층체 가공물을 첩합하여, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 상기 필름형 접착제, 및 상기 제1 박리 필름을 구비하는 제1 적층물을 얻는 적층 공정과,
    상기 제1 적층물의 상기 제1 박리 필름을 박리하고, 제2 박리 필름으로 교체 첩부하여 제2 적층물을 얻는 교체 첩부 공정과,
    상기 제2 적층물의 상기 기재 및 상기 점착제층에 대해, 반도체 장치 제조용 시트의 상기 기재 및 상기 점착제층의 외주에 대응하는 위치에 절입부(C')를 형성하고, 당해 절입부(C')를 기점으로 하여 외측에 위치하는 상기 기재 및 상기 점착제층의 적어도 일부를 제거하여, 반도체 장치 제조용 시트를 얻는 제2 가공 공정을 포함하고,
    상기 제1 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력이, 상기 제2 박리 필름과 상기 필름형 접착제 사이의 박리력보다 높은, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제1 시험편에 있어서,
    박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제1 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제1 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제1 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제1 박리 필름 사이의 박리력(mN/50㎜)이 180mN/50㎜ 초과이며,
    상기 제2 박리 필름의 박리 처리면에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써, 두께가 10㎛인 단층의 점착제층을 형성하여 얻어지고, 상기 점착제 조성물이, 고형분으로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」) 100질량부와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」) 1질량부로 이루어지는 제2 시험편에 있어서,
    박리 속도 1000㎜/min, 23℃, 습도 50％RH에서, 상기 제2 시험편의 상기 점착제층 및 상기 제2 박리 필름의 박리 처리면끼리가 180°의 각도를 이루도록 하여, 상기 점착제층으로부터 상기 제2 박리 필름을 박리하는 180°박리에 의해 측정되는, 상기 점착제층과 상기 제2 박리 필름 사이의 박리력(mN/50㎜)이 180mN/50㎜ 이하인, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하는, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법.
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