CN115241065A - 一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 - Google Patents
一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115241065A CN115241065A CN202211161177.0A CN202211161177A CN115241065A CN 115241065 A CN115241065 A CN 115241065A CN 202211161177 A CN202211161177 A CN 202211161177A CN 115241065 A CN115241065 A CN 115241065A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- chip
- steps
- annealing
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，S1：在N型单晶圆片蚀刻沟槽；S2：在整个芯片表面生长一层栅氧化层；S3：沉积N型多晶硅并蚀刻；S4：做P阱注入并退火；S5：做N+阱注入并退火；S6：沉积一层绝缘层；S7：芯片表面开接触孔、镀金属层做电极；S8：芯片正面栅pad开接触孔区域做P阱注入、退火，制作双向TVS二极管；S9：背面做减薄，离子注入，镀金属层作为集电极。本发明通过在门极区域集成双向TVS二极管，钳制高出阈值的门极电压，从而保护门极；且流片过程中，不用额外增加光罩，制作简单，可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法。
背景技术
传统的功率器件芯片，比如IGBT、MOS，门（栅）极抗电压冲击能力比较弱，几十伏的电压就可以使其击穿，导致芯片失效。TVS二极管能抑制超过其崩溃电压的过高电压，从而保护与其并联的电子器件。本发明提供了一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，解决了门极抗电压冲击能力弱的缺点，使功率器件芯片在封装、运输、使用过程中，得到有效保护。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，以解决上述背景技术中提出的门极抗电压冲击能力较弱的缺点问题，且流片过程中，不用增加光罩，制作简单，可靠性高。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，以IGBT为例，包括如下步骤：
S1：在N型单晶圆片蚀刻沟槽；
S2：在整个芯片表面生长一层栅氧化层；
S3：沉积N型多晶硅并蚀刻；
S4：做P阱注入并退火；
S5：做N+阱注入并退火；
S6：沉积一层绝缘层；
S7：芯片表面开接触孔、镀金属层做电极；
S8：芯片正面栅pad开接触孔区域做P阱注入、退火，制作双向TVS二极管；
S9：背面做减薄，离子注入，镀金属层作为集电极。
优选的，S1中，在N型单晶圆片的硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽；掩膜为氮化硅层或二氧化硅层；对于氮化硅层为掩膜时，湿法腐蚀使用的腐蚀液为磷酸；二氧化硅层为掩膜时，所述湿法腐蚀使用的腐蚀液为氢氟酸的水溶液；所选N型单晶硅片厚度300~600μm，掺杂浓度1013~1014个/cm3；刻蚀单胞沟槽的深度5μm，直径1μm。
优选的，S2中，在沟槽内壁、底部及整个芯片表面生长一层栅氧化层，栅氧化层氧化温度为1000~1200摄氏度，栅氧化层的厚度为800~1000埃。
优选的，S3中，在沟槽内沉积N型多晶硅层，沉积温度800~1000摄氏度。沉积的N型多晶硅层作为双向TVS二极管的衬底。之后刻蚀去掉多余的多晶硅层。
优选的，S4中，在芯片内注入P型杂质并推结形成半导体的P阱区；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
优选的，S5中，对形成有P阱的衬底上进行N型杂质源注入并光刻后推结形成N+阱；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
优选的，S6中，低压淀积氧化硅(LPTEOS)沉积：在硅片表面沉积一层绝缘层（ILD）。
优选的，S7中，表面开接触孔、镀金属层做电极，金属层包括电镀金属层和溅射金属层。
优选的，S8中，在芯片正面栅pad区域开接触孔，未开孔区域作为金属掩膜，进行离子注入，并采用氟气进行退火，形成P阱区，之后制作SiN钝化层。
优选的，S9中，在芯片背面做减薄，减薄后芯片厚度110~130μm；注入N型杂质制作场截止FS层，离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1015个/cm2；注入P型杂质制作P+集电极，离子注入能量50~150kev，注入剂量1012~1015个/cm2；淀积金属制作集电极，金属层材料为Al/Ti/Ni/Ag。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过在芯片流片过程中，在门极集成双向TVS二极管，双向TVS二极管可以钳制高出设定值的门极电压，从而保护门极；流片过程中，不用增加光罩，制作简单，可靠性高。
附图说明
图1为本发明S1中沟槽示意图；
图2为本发明S2中栅氧化层示意图；
图3为本发明S3中多晶硅示意图；
图4为本发明S4中P阱示意图；
图5为本发明S5中N+阱示意图；
图6为本发明S6中绝缘层示意图
图7为本发明S7中金属层示意图；
图8为本发明S8中双向TVS示意图；
图9为本发明S9中集电极示意图；
图10为本发明制作完成后，芯片电路示意图；
图11为本发明工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1-图4，本发明提供一种技术方案：一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，解决了门极抗电压冲击能力较弱的缺点，具有可靠性高、制作简单等优点，可用于IGBT、MOS等芯片的制作，本专利以IGBT为例说明。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：芯片流片过程中，在门极集成双向TVS二极管，双向TVS二极管可以钳制高出设定值的门极电压，从而保护门极。
包括如下步骤：
S1中，在N型单晶圆片的硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽；掩膜为氮化硅层或二氧化硅层；对于氮化硅层为掩膜时，湿法腐蚀使用的腐蚀液为磷酸；二氧化硅层为掩膜时，所述湿法腐蚀使用的腐蚀液为氢氟酸的水溶液；所选N型单晶硅片厚度300~600μm，掺杂浓度1013~1014个/cm3；刻蚀单胞沟槽的深度5μm，直径1μm。
S2中，在沟槽内壁、底部及整个芯片表面生长一层栅氧化层，栅氧化层氧化温度为1000~1200摄氏度，栅氧化层的厚度为800~1000埃。
S3中，在沟槽内沉积N型多晶硅层，沉积温度800~1000摄氏度。沉积的N型多晶硅层作为双向TVS二极管的衬底。之后刻蚀去掉多余的多晶硅层。
S4中，在芯片内注入P型杂质并推结形成半导体的P阱区；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
S5中，对形成有P阱的衬底上进行N型杂质源注入并光刻后推结形成N+阱；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
S6中，低压淀积氧化硅(LPTEOS)沉积：在硅片表面沉积一层绝缘层（ILD）。
S7中，表面开接触孔、镀金属层做电极，金属层包括电镀金属层和溅射金属层。
S8中，在芯片正面栅pad区域开接触孔，未开孔区域作为金属掩膜，进行离子注入，并采用氟气进行退火，形成P阱区，之后制作SiN钝化层。
S9中，在芯片背面做减薄，减薄后芯片厚度110~130μm；注入N型杂质制作场截止FS层，离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1015个/cm2；注入P型杂质制作P+集电极，离子注入能量50~150kev，注入剂量1012~1015个/cm2；淀积金属制作集电极，金属层材料为Al/Ti/Ni/Ag。
本发明亦适用于其它IGBT，MOS芯片相类似的架构。
本发明不局限硅类的材料，像碳化硅、氮化镓等半导体材料同样适用。
基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：在N型单晶圆片蚀刻沟槽；
S2：在整个芯片表面生长一层栅氧化层；
S3：沉积N型多晶硅并蚀刻；
S4：做P阱注入并退火；
S5：做N+阱注入并退火；
S6：沉积一层绝缘层；
S7：芯片表面开接触孔、镀金属层做电极；
S8：芯片正面栅pad开接触孔区域做P阱注入，制作双向TVS二极管；
S9：背面做减薄，离子注入，镀金属层作为集电极。
2.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S1中，在N型单晶圆片的硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽；掩膜为氮化硅层或二氧化硅层；对于氮化硅层为掩膜时，湿法腐蚀使用的腐蚀液为磷酸；二氧化硅层为掩膜时，所述湿法腐蚀使用的腐蚀液为氢氟酸的水溶液；所选N型单晶硅片厚度300~600μm，掺杂浓度1013~1014个/cm3；刻蚀单胞沟槽的深度5μm，直径1μm。
3.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S2中，在沟槽内壁、底部及整个芯片表面生长一层栅氧化层，栅氧化层氧化温度为1000~1200摄氏度，栅氧化层的厚度为800~1000埃。
4.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S3中，在沟槽内沉积N型多晶硅层，沉积温度800~1000摄氏度，沉积的N型多晶硅层作为双向TVS二极管的衬底，之后刻蚀去掉多余的多晶硅层。
5.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S4中，在芯片内注入P型杂质并推结形成半导体的P阱区；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
6.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S5中，对形成有P阱的衬底上进行N型杂质源注入并光刻后推结形成N+阱；离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1014个/cm2，退火温度为950~1200摄氏度，退火时间40~60分钟。
7.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S6中，低压淀积氧化硅(LPTEOS)沉积：在硅片表面沉积一层绝缘层。
8.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S7中，表面开接触孔、镀金属层做电极，金属层包括电镀金属层和溅射金属层，金属层材料为Al/Cu。
9.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S8中，在芯片正面栅pad区域开接触孔，未开孔区域作为金属掩膜，进行离子注入，并采用氟气进行退火，形成P阱区，之后制作SiN钝化层。
10.根据权利要求1所述的一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，其特征在于：S9中，在芯片背面做减薄，减薄后芯片厚度110~130μm；注入N型杂质制作场截止FS层，离子注入能量300~600kev，注入剂量1012~1015个/cm2；注入P型杂质制作P+集电极，离子注入能量50~150kev，注入剂量1012~1015个/cm2；淀积金属制作集电极，金属层材料为Al/Ti/Ni/Ag。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211161177.0A CN115241065A (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211161177.0A CN115241065A (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115241065A true CN115241065A (zh) | 2022-10-25 |
Family
ID=83667582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211161177.0A Pending CN115241065A (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115241065A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120326207A1 (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method |
| US20150187877A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Power semiconductor device |
| CN109192774A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-11 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 栅极双箝位的igbt器件 |
-
2022
- 2022-09-23 CN CN202211161177.0A patent/CN115241065A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120326207A1 (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method |
| US20150187877A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Power semiconductor device |
| CN109192774A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-11 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 栅极双箝位的igbt器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111081759B (zh) | 一种增强型碳化硅mosfet器件及其制造方法 | |
| CN111463283B (zh) | 集成启动管、采样管和二极管的dmos结构及其制备方法 | |
| US9443926B2 (en) | Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor | |
| US20230282713A1 (en) | Trench type power device and manufacturing method thereof | |
| CN106252244A (zh) | 一种终端钝化方法及半导体功率器件 | |
| US10096699B2 (en) | Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor | |
| CN114975602A (zh) | 一种高可靠性的igbt芯片及其制作方法 | |
| WO2024037276A1 (zh) | 一种深缓冲层高密度沟槽的igbt器件及其制备方法 | |
| CN106611797A (zh) | 一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法 | |
| CN115241065A (zh) | 一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法 | |
| CN105280493A (zh) | 一种沟槽igbt器件的制造方法 | |
| CN106024635B (zh) | 功率半导体器件有源区的制造方法 | |
| CN115497945A (zh) | 一种基于双抗辐照机制的sram及其制备方法 | |
| CN115117151A (zh) | 一种具复合元胞结构的igbt芯片及其制作方法 | |
| CN104347403A (zh) | 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 | |
| CN112259599B (zh) | 一种硅片键合式igbt器件及其制作方法 | |
| CN105762198A (zh) | 沟槽式快恢复二极管及其制备方法 | |
| CN107578998B (zh) | Igbt芯片制造方法及igbt芯片 | |
| CN116779666B (zh) | 一种带esd结构的igbt芯片及其制作方法 | |
| CN111354632A (zh) | 一种碳化硅元器件的掺杂方法及其制备方式 | |
| CN110931548A (zh) | 一种半导体器件结构及其制造方法 | |
| CN115732564B (zh) | 具有栅保护功能的SiC MOSFET及制备方法 | |
| CN104425246A (zh) | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | |
| JP2014082519A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN116779650B (zh) | 一种具大面积有源区的igbt芯片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20221025 |