CN115113676B - 具有温度补偿功能的参考电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有温度补偿功能的参考电路，其中，设计电流输出电路接收偏压产生电路的参考电压，产生两个温度变异特性相反的参考电流，再合并成为具有补偿温度变异效应的精准电流。另外设计电压输出电路接收偏压产生电路的参考电压，其中包含多个场效晶体管皆操作于饱和区，并且让精准电压随着该多个场效晶体管的阈值电压上升，补偿温度变异效应，还可以加入电阻器或者调整相关场效晶体管的尺寸，以调整输出电流和输出电压的电压值与温度变异特性。

Description

具有温度补偿功能的参考电路

技术领域

本发明关于一种参考电路，且特别是一种具有温度补偿功能的参考电路，在温度产生变化时输出稳定的电压值与电流值。

背景技术

参考电路广泛应用在各种电子元件之中，用来提供精准的电压或电流，例如比较器需要精准的参考电压做为比较基准，或者在高速输入输出的电路的设计、USB接口、SATA接口，都需要利用精准的参考电压与参考电流来做阻抗匹配。理想的参考电压与参考电流是稳定、不会随着制程、温度、电源电压改变，另外参考电路的功率消耗越小越好。

中国台湾专利第I367412号发明专利中，公开了一种同时提供精准电压与精准电流的参考电路，利用带差电压参考电路、正温度系数校正电路、临限电压迭加电路以及精准电流产生电路补偿温度变异效应。然而该带差电压参考电路需要用到双极性接面晶体管(BJT)，比场效晶体管消耗更多功率，另外该正温度系数校正电路包含一运算放大器，需要更大的电路面积才能实现。

中国台湾专利第I485546号发明专利中，公开了一种提供精准电压的参考电路，仅利用多个场效晶体管与两个电阻器组合而成。然而并未提供精准电流，另外有个电阻器直接连接于输出电压和地之间，需要很大的电阻值或电流值才能输出电压值较高的精准电压，这样会增加电路面积或功率消耗，同时引入更多噪声干扰。

中国台湾专利第I521325号发明专利中，公开了一种提供精准电压与精准电流的参考电路，仅利用多个场效晶体管与三个电阻器组合而成。然而该精准电压和该精准电流并不能分开调整。另外和中国台湾专利第I485546号发明专利相同的缺点是，有个电阻器直接连接于输出电压和地之间，需要很大的电阻值或电流值才能输出电压值较高的精准电压，因此会增加电路面积或功率消耗，同时引入更多噪声干扰。基于上述问题，本发明提供一种同时产生精准电压与精准电流的参考电路，又能分别调整该精准电压与精准电流的数值与温度变异特性，又能兼顾节省电路面积与低功率等优点。

发明内容

本发明公开了一种具有温度补偿功能的精准电流参考电路，连接至一电源，包含一偏压产生电路以及一电流输出电路。该偏压产生电路用来产生一第一参考电压以及一第二参考电压，该电流输出电路，利用一场效晶体管接收该第一参考电压，产生温度变异特性和该偏压产生电路的电流一致的一第一参考电流，并且利用多个场效晶体管与一电阻器接收该第二参考电压，其中该多个场效晶体管皆操作在饱和区，并且产生一第二参考电流，使得该第二参考电流的电流值和场效晶体管的阈值电压呈正相关，并且温度变异特性和该偏压产生电路的电流相反。该第一参考电流和该第二参考电流合并成为该精准电流，并且具有补偿温度变异效应的效果。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中该偏压产生电路包含：一第一电阻器，其中一端接地；一第一N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一电阻器的另一端；一第二N型场效晶体管，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的闸极；一第三N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一N型场效晶体管的汲极；一第四N型场效晶体管，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的闸极；一第一P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的汲极；一第二P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极连接至该第四N型场效晶体管的汲极；其中该第一P型场效晶体管的闸极的电压即为该第一参考电压，该第三N型场效晶体管的闸极的电压即为该第二参考电压。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中该电流输出电路包含：一第五P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压，以及具有一汲极产生一第一参考电流；一第六N型场效晶体管，具有一闸极连接至该第二参考电压；一第二电阻器，一端接地，另一端连接至该第六N型场效晶体管的源极；一第六P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第六N型场效晶体管的汲极；一第七P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第六P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极产生一第二参考电流，并且连接至该第五P型场效晶体管的汲极。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中可以改变该第五P型场效晶体管、该第六P型场效晶体管或者该第七P型场效晶体管的尺寸，以调整第一参考电流或第二参考电流的大小，并且调整该精准电流的大小以及温度变异特性。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，更包含用来输出精准电压的一电压输出电路，包含多个场效晶体管，接收该第一参考电压或该第二参考电压，产生该精准电压；其中该多个场效晶体管皆操作于饱和区，并且该精准电压随着该多个场效晶体管的阈值电压上升，以补偿温度变异效应。

上述的具有温度补偿功能的精准电流与精准电压参考电路，该电压输出电路包含：一第八P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压；一第八N型场效晶体管，具有一源极接地，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第八P型场效晶体管的汲极，并且以该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管之间的接点做为该精准电压；其中该第八N型场效晶体管可以用一第九P型场效晶体管替代，具有一源极连接至该第八P型场效晶体管的汲极，具有一闸极以及一汲极皆接地。

上述的具有温度补偿功能的精准电流与精准电压参考电路，其中该电压输出电路更包含一第三电阻器，连接于该第八P型场效晶体管与该第八N型场效晶体管之间，或者连接于该第八P型场效晶体管与该第九P型场效晶体管之间，或者连接于该第八N型场效晶体管的闸极与汲极之间，并且可以调整该第三电阻器的电阻值、该第八N型场效晶体管的尺寸或者该第九P型场效晶体管的尺寸，以改变该精准电压的电压值。

本发明揭露一种具有温度补偿功能的精准电压参考电路，包含一偏压产生电路，产生一第一参考电压；一电压输出电路，包含多个场效晶体管，接收该第一参考电压，产生该精准电压；其中该多个场效晶体管皆操作于饱和区，并且该精准电压随着该多个场效晶体管的阈值电压上升，以补偿温度变异效应。

上述具有温度补偿功能的精准电压参考电路，其中该偏压产生电路包含：一第一电阻器，其中一端接地；一第一N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一电阻器的另一端，以及具有一闸极与一汲极；一第二N型场效晶体管，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的闸极；一第一P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的汲极；一第二P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极连接至该第二N型场效晶体管的汲极，其中该多个场效晶体管其中的一的闸极电压，即为该第一参考电压。

上述具有温度补偿功能的精准电压参考电路，其中该偏压产生电路更包含：一第三N型场效晶体管，具有一源极以及一汲极，连接于该第一N型场效晶体管以及该第一P型场效晶体管之间；一第四N型场效晶体管，具有一源极以及一汲极，连接于该第二N型场效晶体管以及该第二P型场效晶体管之间，以及具有一闸极连接至该第二P型场效晶体管的汲极以及该第三N型场效晶体管的闸极。

上述的具有温度补偿功能的精准电压参考电路，该电压输出电路包含：一第八P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压；一第八N型场效晶体管，具有一源极接地，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第八P型场效晶体管的汲极，并且以该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管之间的接点做为该精准电压；其中该第八N型场效晶体管可以用一第九P型场效晶体管替代，具有一源极连接至该第八P型场效晶体管的汲极，具有一闸极以及一汲极皆接地。

上述的具有温度补偿功能的精准电压参考电路，其中该电压输出电路更包含一第三电阻器，连接于该第八P型场效晶体管与该第八N型场效晶体管之间，或者连接于该第八P型场效晶体管与该第九P型场效晶体管之间，或者连接于该第八N型场效晶体管的闸极与汲极之间，并且可以调整该第三电阻器的电阻值、该第八N型场效晶体管的尺寸或者该第九P型场效晶体管的尺寸，改变该精准电压的电压值。

上述的具有温度补偿功能的参考电路，和前案相比的优势在于具有良好的电源电压抑制比(PSRR)，意即当电源受到噪声干扰时，输出的参考电压变异也比较小；另外具有广泛的电源电压操作范围，在一般常用的1.8V至5.5V的范围内都可以操作，并且输出的参考电压与参考电流都可做调整，例如一般常用的参考电压为1.2V，也可以把输出的参考电压调整在场效晶体管的阈值电压(Vth)附近。此外，本架构只需要场效晶体管即可实现，和需要双极性接面晶体管(BJT)的前案相比，制程更简单，又可以节省电路面积与功率消耗。

本段文字提取和编译本发明的部分特色；其他特色将被描述于后续段落里。它的目的是涵盖包含于其后专利范围的精神与范围中，不同的润饰与相似的安排方式。

附图说明

图1依据本发明第一实施例，绘示一具有温度补偿功能的精准电流参考电路的架构。

图2绘示一具有温度补偿功能的精准电流与精准电压参考电路的架构。

图3绘示一具有温度补偿功能的精准电压参考电路的架构。

图4绘示图3的电压输出电路的另一样态。

图5绘示图3的电压输出电路的另一样态。

图6绘示图4的电压输出电路的另一样态。

图7绘示图3的偏压产生电路的另一样态。

附图标记说明：10-偏压产生电路；20-电流输出电路；30-电压输出电路；Mn1-第一N型场效晶体管；Mn2-第二N型场效晶体管；Mn3-第三N型场效晶体管；Mn4-第四N型场效晶体管；Mn5-第五N型场效晶体管；Mn6-第六N型场效晶体管；Mn7-第七N型场效晶体管；Mn8-第八N型场效晶体管；Mp1-第一P型场效晶体管；Mp2-第二P型场效晶体管；Mp3-第三P型场效晶体管；Mp4-第四P型场效晶体管；Mp5-第五P型场效晶体管；Mp6-第六P型场效晶体管；Mp7-第七P型场效晶体管；Mp8-第八P型场效晶体管；Mp9-第九P型场效晶体管；R1-第一电阻器；R2-第二电阻器；R3-第三电阻器。

具体实施方式

本发明将参照下述实施例而更明确地描述。请注意本发明的实施例的以下描述，仅止于描述用途；这不意味为本发明已详尽的描述或限制于该揭露的形式。

本发明的第一实施例请参阅图1，其显示一种具有温度补偿功能的精准电流参考电路，包含一偏压产生电路10以及一电流输出电路20。该偏压产生电路10用来产生一第一参考电压Vref1以及一第二参考电压Vref2。该电流输出电路20利用一场效晶体管(第五P型场效晶体管Mp5)接收该第一参考电压Vref1，产生温度变异特性和该偏压产生电路10的电流一致的一第一参考电流Iref1，并且利用多个场效晶体管(第六P型场效晶体管Mp6、第七P型场效晶体管Mp7、第六N型场效晶体管Mn6)与一第二电阻器R2接收该第二参考电压Vref1。其中该多个场效晶体管皆操作在饱和区，并且产生一第二参考电流Iref2，使得该第二参考电流Iref2的电流值和场效晶体管的阈值电压(Vth)呈正相关，并且温度变异特性和该偏压产生电路10的电流相反。该第一参考电流Iref1和该第二参考电流Iref2合并成为该精准电流Icomp，并且具有补偿温度变异效应的效果。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中该偏压产生电路10包含：一第一电阻器R1，其中一端接地；一第一N型场效晶体管Mn1，具有一源极连接至该第一电阻器R1的另一端；一第二N型场效晶体管Mn2，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管Mn1的闸极；一第三N型场效晶体管Mn3，具有一源极连接至该第一N型场效晶体管Mn1的汲极；一第四N型场效晶体管Mn4，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管Mn3的闸极；一第一P型场效晶体管Mp1，具有一源极连接至该电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管Mn3的汲极；一第二P型场效晶体管Mp2，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管Mp1的闸极，以及具有一汲极连接至该第四N型场效晶体管Mn4的汲极。其中该第一P型场效晶体管Mp1的闸极的电压即为该第一参考电压Vref1，该第三N型场效晶体管Mn3的闸极的电压即为该第二参考电压。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中该电流输出电路20包含：一第五P型场效晶体管Mp5，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压Vref1，以及具有一汲极产生一第一参考电流Iref1；一第六N型场效晶体管Mn6，具有一闸极连接至该第二参考电压Vref2；一第二电阻器R2，一端接地，另一端连接至该第六N型场效晶体管Mn6的源极；一第六P型场效晶体管Mp6，具有一源极连接至该电源，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第六N型场效晶体管Mn6的汲极；一第七P型场效晶体管Mp7，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第六P型场效晶体管Mp6的闸极，以及具有一汲极产生一第二参考电流Iref2，并且连接至该第五P型场效晶体管Mp5的汲极。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中该第五P型场效晶体管Mp5的电流即为该第一参考电流Iref1，和该偏压产生电路10的电流都有随温度上升而增加电流值的温度变异特性；该第六N型场效晶体管Mn6的电流和该第二电阻器R2的电流相同，标记为IR2，关系式为：「VGSN1+VGSN3＝VGSN6+(IR2*R2)」，其中VGSN1为该第一N型场效晶体管Mn1中闸极与源极之间的电压，其余类推。上述的关系式可整理为：「IR2＝(VGSN1+VGSN3-VGSN6)/R2」，在其他参数固定不变的状况下，VGSN1、VGSN3以及VGSN6都会随着场效晶体管的阈值电压(Vth)呈正相关，然而阈值电压(Vth)具有随着温度上升而降低的温度变异特性，因此该第六N型场效晶体管Mn6和该第二电阻器R2的电流IR2也是具有随着温度上升而降低的温度变异特性，使得该第六P型场效晶体管Mp6和该第七P型场效晶体管Mp7的电流(即为第二参考电流Iref2)也是具有随着温度上升而降低的温度变异特性。综上所述，该第一参考电流Iref1和该第二参考电流Iref2具有相反的温度变异特性，使得加总产生的该精准电流Icomp具有补偿温度变异的效果。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，其中可以改变该第五P型场效晶体管Mp5、该第六P型场效晶体管Mp6或者该第七P型场效晶体管Mp7的尺寸，调整第一参考电流Iref1或第二参考电流Iref2的大小，并且调整该精准电流Icomp的大小以及温度变异特性。

上述的具有温度补偿功能的精准电流参考电路，更包含用来输出精准电压Vcomp的一电压输出电路30，请参阅图2。该电压输出电路30包含多个场效晶体管(第八P型场效晶体管Mp8以及第八N型场效晶体管Mn8)，接收该第一参考电压Vref1产生该精准电压Vcomp；其中该多个场效晶体管皆操作于饱和区，并且该精准电压Vcomp随着该多个场效晶体管的阈值电压(Vth)上升，补偿温度变异效应。

上述的电压输出电路30，先不考虑加上第三电阻器R3的状况(R3＝0)，该精准电压Vcomp即为该第八N型场效晶体管Mn8的闸极与源极之间的电压差VGSN8，其电压值和该偏压产生电路10的电流以及场效晶体管的阈值电压(Vth)呈正相关。由于该偏压产生电路10的电流具有随着温度上升而增加的温度变异特性，而场效晶体管的阈值电压(Vth)具有随着温度上升而减少的温度变异特性，两个温度变异特性相反的物理量相加后，就能补偿温度变异特性。加上该第三电阻器R3可以用来调整该精准电压Vcomp的电压值。

本发明的第三实施例请参阅图3，其显示一种具有温度补偿功能的精准电压参考电路，包含一偏压产生电路10以及一电压输出电路30。该偏压产生电路10以及该电压输出电路30的架构和图2相同，本图用来说明该精准电压Vcomp和该精准电流Icomp可以分别设计调整，并且以本图的架构为基础，说明该电压输出电路30的多种变化样态。

图4绘示图3的电压输出电路30的另一样态，本图和图3的差别在于该第八N型场效晶体管Mn8和该第三电阻器R3的位置互相交换，该精准电压Vcomp也具有补偿温度变异特性的效果。

图5绘示图3的电压输出电路30的另一样态，本图和图3的差别在于该第八N型场效晶体管Mn8和该第三电阻器R3的调整连接方法，该第八N型场效晶体管Mn8的源极接地，闸极连接至该第八P型场效晶体管Mp8的汲极，以及汲极连接至该第三电阻器R3的一端，该第三电阻器R3的另一端连接至该第八N型场效晶体管Mn8的闸极，该精准电压Vcomp从该第八N型场效晶体管Mn8的汲极接出来，此连接方法也具有补偿温度变异特性的效果。

图6绘示图4的电压输出电路30的另一样态，本图和图4的差别在于该第八N型场效晶体管Mn8替换为一第九P型场效晶体管Mp9，该第九P型场效晶体管Mp9的源极连接至该第八P型场效晶体管Mp8的汲极，闸极与汲极连接至该第三电阻器R3的一端，另外该第九P型场效晶体管Mp9也可以和该第三电阻器R3互相交换位置，以上连接方法都能让该精准电压Vcomp具有补偿温度变异特性的效果。

图7绘示图3的偏压产生电路10的另一样态。其中该偏压产生电路10包含：一第一电阻器R1，其中一端接地；一第一N型场效晶体管Mn1，具有一源极连接至该第一电阻器R1的另一端，以及具有一闸极与一汲极；一第二N型场效晶体管Mn2，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管Mn1的闸极；一第一P型场效晶体管Mp1，具有一源极连接至一电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管Mn1的汲极；一第二P型场效晶体管Mp2，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管Mp1的闸极，以及具有一汲极连接至该第二N型场效晶体管Mn2的汲极，其中该第一P型场效晶体管Mp1的闸极电压，即为该第一参考电压Vref1。

上述的电压输出电路30，可以调整该第三电阻器R3的电阻值、该第八N型场效晶体管Mn8的尺寸或者该第九P型场效晶体管Mp9的尺寸，以改变该精准电压Vcomp的电压值。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (11)

1.一种具有温度补偿功能的参考电路，连接至一电源，其特征在于，包含：

一偏压产生电路，产生一第一参考电压以及一第二参考电压；

一电流输出电路，利用一场效晶体管接收该第一参考电压，产生温度变异特性和该偏压产生电路的电流一致的一第一参考电流，并且利用多个场效晶体管与一电阻器接收该第二参考电压，其中该多个场效晶体管皆操作在饱和区，并且产生一第二参考电流，使得该第二参考电流的电流值和场效晶体管的阈值电压呈正相关，并且温度变异特性和该偏压产生电路的电流相反；该第一参考电流和该第二参考电流合并成为一精准电流，并且具有补偿温度变异效应的效果，

其中该偏压产生电路包含：

一第一电阻器，其中一端接地；

一第一N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一电阻器的另一端；

一第二N型场效晶体管，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的闸极；

一第三N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一N型场效晶体管的汲极；

一第四N型场效晶体管，具有一源极连接至该第二N型场效晶体管的汲极，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的闸极；

一第一P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的汲极；以及

一第二P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极连接至该第四N型场效晶体管的汲极；其中该第一P型场效晶体管的闸极的电压即为该第一参考电压，该第三N型场效晶体管的闸极的电压即为该第二参考电压。

2.如权利要求1所述的参考电路，其特征在于，该电流输出电路包含：

一第五P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压，以及具有一汲极产生一第一参考电流；

一第六N型场效晶体管，具有一闸极连接至该第二参考电压；

一第二电阻器，一端接地，另一端连接至该第六N型场效晶体管的源极；

一第六P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第六N型场效晶体管的汲极；以及

一第七P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第六P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极产生一第二参考电流，并且连接至该第五P型场效晶体管的汲极。

3.如权利要求2所述的参考电路，其特征在于，能够改变该第五P型场效晶体管、该第六P型场效晶体管或者该第七P型场效晶体管的尺寸，调整第一参考电流或第二参考电流的大小，并且调整该精准电流的大小以及温度变异特性。

4.如权利要求1所述的参考电路，其特征在于，更包含一电压输出电路，包含多个场效晶体管，接收该第一参考电压或该第二参考电压，产生一精准电压；其中该多个场效晶体管皆操作于饱和区，并且该精准电压随着该多个场效晶体管的阈值电压上升，补偿温度变异效应。

5.如权利要求4所述的参考电路，其特征在于，该电压输出电路包含：

一第八P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压；以及

一第八N型场效晶体管，具有一源极接地，具有一闸极以及一汲极皆连接至该第八P型场效晶体管的汲极，并且以该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管之间的接点做为该精准电压。

6.如权利要求5所述的参考电路，其特征在于，该电压输出电路更包含一第三电阻器，连接于该第八P型场效晶体管与该第八N型场效晶体管之间，或者连接于该第八N型场效晶体管的闸极与汲极之间，并且能够调整该第三电阻器的电阻值、该第八N型场效晶体管的尺寸，以改变该精准电压的电压值。

7.如权利要求4所述的参考电路，其特征在于，该电压输出电路包含：

一第八P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压；以及

一第九P型场效晶体管，具有一源极连接至该第八P型场效晶体管的汲极，具有一闸极以及一汲极皆接地。

8.如权利要求7所述的参考电路，其特征在于，该电压输出电路更包含一第三电阻器，连接于该第八P型场效晶体管与该第九P型场效晶体管之间，并且能够调整该第三电阻器的电阻值、该第九P型场效晶体管的尺寸，以改变该精准电压的电压值。

9.一种具有温度补偿功能的参考电路，连接至一电源，其特征在于，包含：

一偏压产生电路，产生一第一参考电压；以及

一电压输出电路，接收该第一参考电压，产生一精准电压，该电压输出电路包含：

一第八P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一参考电压；

一第八N型场效晶体管，具有一源极接地，具有一闸极连接至该第八P型场效晶体管的汲极；以及

一第三电阻器，连接于该第八N型场效晶体管的闸极与汲极之间，并且以该第八P型场效晶体管的汲极做为该精准电压，并且调整该第三电阻器的电阻值、该第八N型场效晶体管的尺寸，以改变该精准电压的电压值，其中该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管皆操作于饱和区，并且该精准电压随着该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管的阈值电压上升，补偿温度变异效应。

10.如权利要求9所述的参考电路，其特征在于，该偏压产生电路包含：

一第一电阻器，其中一端接地；

一第一N型场效晶体管，具有一源极连接至该第一电阻器的另一端，以及具有一闸极与一汲极；

一第二N型场效晶体管，具有一源极接地，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的闸极；

一第一P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的汲极；以及

一第二P型场效晶体管，具有一源极连接至该电源，具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管的闸极，以及具有一汲极连接至该第二N型场效晶体管的汲极，其中该第一N型场效晶体管、该第二N型场效晶体管、该第一P型场效晶体管以及该第二P型场效晶体管其中之一的闸极电压，即为该第一参考电压。

11.如权利要求10所述的参考电路，其特征在于，该偏压产生电路更包含：

一第三N型场效晶体管，具有一源极以及一汲极，连接于该第一N型场效晶体管以及该第一P型场效晶体管之间；以及

一第四N型场效晶体管，具有一源极以及一汲极，连接于该第二N型场效晶体管以及该第二P型场效晶体管之间，以及具有一闸极连接至该第二P型场效晶体管的汲极以及该第三N型场效晶体管的闸极。