CN114951006B - 一种硅片分选机的组件调整方法、装置和设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种硅片分选机的组件调整方法、装置和设备。在硅片分选机中增设可以驱动待调整部件运动的电机装置，所述方法包括：响应于预设的组件调整指令，计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值，并根据所述尺寸差值，计算质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，以确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数，通过控制所述电机装置按照动作，以驱动所述待调整部件运动至符合当前设定的硅片尺寸的检测要求的安设位置或照射角度。采用本发明实施例的技术手段，能够自动实现对硅片分选机的组件调整，提高了对硅片分选机的组件调整的便捷性和精准性，提高了对硅片的质量检测结果的准确性。

Description

一种硅片分选机的组件调整方法、装置和设备

技术领域

本发明涉及硅片分选技术领域，尤其涉及一种硅片分选机的组件调整方法、装置和设备。

背景技术

硅片作为重要的工业原材料，被广泛用于太阳能电池、电路板等产品的生产制造中。因此，在硅片生产出厂之前需要对其质量进行严格的把控，以保证由硅片制造的太阳能电池、电路板等产品的质量。现有技术中，通过硅片分选机来实现对硅片的质量检测，硅片分选机包括多个检测装置，从而综合多个检测项目完成硅片的质量检测。

不同类型的硅片可能存在不同的尺寸，当需要检测不同尺寸的硅片时，为了使硅片分选机的各个检测装置能够适应不同尺寸的硅片的放置，通常需要人工手动调整硅片分选机的各个检测装置中相关部件的安设位置和角度，来达到符合标准的成像。然而，发明人发现现有技术至少存在如下问题：通过手动调整检测装置的相关部件来适应不同尺寸的硅片的检测，在调整过程中，可能需要拆卸许多螺丝，耗时较长；并且，调整成像光源角度时由于经验和技能原因，每个人或者同一个人在不同的时间调整的值是有差异的，这些差异值就会导致硅片在传输过程中偏移到一定角度时出现硅片误判、直流等现象，无法保证对硅片的质量检测结果的准确性。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种硅片分选机的组件调整方法、装置和设备，其能够根据调整前后设定的硅片尺寸自动实现对硅片分选机的组件调整，有效减少了组件调整所需的时间，且提高了组件调整精度，提高对硅片质量检测的准确性。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种硅片分选机的组件调整方法，所述硅片分选机包括基准平台、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置；

所述方法包括：

响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动。

作为上述方案的改进，所述质量检测装置包括整合装置；所述整合装置用于对硅片的前后边缘、上下表面和四个倒角进行质量检测；

所述整合装置的待调整组件包括侧光源、倒角光源和反射镜，所述侧光源包括前侧光源和后侧光源，分别用于照射所述硅片的前后边缘；所述倒角光源包括左前倒角光源、左后倒角光源、右前倒角光源和右后倒角光源，分别用于照射所述硅片的四个倒角；所述反射镜包括前侧反射镜和后侧反射镜，用于将所述侧光源和所述倒角光源照射的光线沿预定路径反射至检测相机。

作为上述方案的改进，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向；

根据所述尺寸差值，计算所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离O'：

当所述理论移动距离小于等于预设的侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离O'；

当所述理论移动距离大于所述侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述侧光源极限移动距离，且所述侧光源的照射角度的调整度数β为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，O_s为侧光源极限移动距离，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁为所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离。

作为上述方案的改进，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向；

根据所述尺寸差值，计算所述侧光源的照射角度的理论调整度数β'：

当所述理论调整度数小于等于预设的侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述理论调整度数；

当所述理论调整度数大于所述侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述侧光源极限调整度数，且所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离O为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离。

作为上述方案的改进，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上远离硅片中心点的方向，每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上靠近硅片中心点的方向，每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的靠近硅片中心点的方向；其中，所述预定直线方向为硅片中心点与所述倒角光源照射的倒角的连线方向；

根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离X'：

当所述理论移动距离小于等于预设的倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离X'；

当所述理论移动距离大于所述倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述倒角光源极限移动距离，且所述倒角光源的照射角度的调整度数α为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，X_s为倒角光源极限移动距离，H₂为倒角光源到基准平台的垂直高度，L₂为所述倒角光源在所述基准平面上的垂直投影点到预定侧边的直线距离；所述预定侧边为当前设定的硅片尺寸对应的硅片上交于所述倒角光源所照射的倒角的侧边。

作为上述方案的改进，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的靠近硅片中心点的方向；其中，所述预定直线方向为硅片中心点与所述倒角光源照射的倒角的连线方向；

根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源的照射角度的调整度数α：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，X_s为倒角光源极限移动距离，H₂为倒角光源到基准平台的垂直高度，L₂为所述倒角光源在所述基准平面上的垂直投影点到预定侧边的直线距离；所述预定侧边为当前设定的硅片尺寸对应的硅片上交于所述倒角光源所照射的倒角的侧边。

作为上述方案的改进，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

作为上述方案的改进，所述质量检测装置还包括预导正装置、规整装置、左右崩边装置和厚度检测装置；

所述预导正装置用于对所述硅片进行预导正；所述预导正装置的待调整组件为可相向或相背运动的左侧导正单元和右侧导正单元；

所述规整装置用于对所述硅片进行精导正，所述规整装置的待调整组件为左侧限位单元和右侧限位单元；

所述左右崩边装置用于对所述硅片的左右边缘进行质量检测，所述左右崩边装置的待调整组件为左侧光源、右侧光源、左侧检测相机和右侧检测相机；

所述厚度检测装置用于检测所述硅片的厚度，以判断所述厚度是否符合厚度标准；所述厚度检测装置的待调整组件为左侧测厚仪和右侧测厚仪；

则，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半；

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

本发明实施例还提出了一种硅片分选机的组件调整装置，所述硅片分选机包括基准平台、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置；

所述组件调整装置包括：

硅片尺寸获取模块，用于响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

尺寸差值计算模块，用于计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

调整值计算模块，用于根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

驱动值计算模块，用于根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

电机装置控制模块，用于控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动。

本发明实施例还提出了一种硅片分选机的组件调整设备，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述任意一项所述的硅片分选机的组件调整方法。

与现有技术相比，本发明实施例公开的硅片分选机的组件调整方法、装置和设备，通过在硅片分选机中增设可以驱动待调整部件运动的电机装置，在接收到预设的组件调整指令时，计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值，并根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，以确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数，通过控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动至符合当前设定的硅片尺寸的检测要求的安设位置或照射角度。采用本发明实施例的技术手段，能够自动实现对硅片分选机的组件调整，解决了现有技术中通过手动调整检测装置的相关部件来适应不同尺寸的硅片的检测，导致拆卸耗时较长、对部件的反复拆卸导致其磨损严重，以及手动调整的差异性导致硅片在传输过程中偏移到一定角度时出现硅片误判和直流等现象，有效地提高了对硅片分选机的组件调整的便捷性和精准性，减少了组件调整所需的时间，在一定程度上延长了硅片分选机的使用寿命，进一步提高了对硅片的质量检测结果的准确性。

附图说明

图1是本发明实施例中一种硅片分选机的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整方法的流程示意图；

图3是本发明实施例中整合装置的结构示意图；

图4是本发明实施例中侧光源和倒角光源与硅片的位置关系图；

图5是发明实施例中侧光源的调整原理示意图；

图6是发明实施例中倒角光源的调整原理示意图；

图7是发明实施例中反射镜的工作原理示意图；

图8是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整装置的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整设备的结构示意图；

图中，1、基准平台；2、预导正装置；3、外形尺寸检测装置；4、规整装置；5、左右崩边装置；6、厚度检测装置；7、整合装置；71、侧光源；711、前侧光源；712、后侧光源；72、倒角光源；721、左前倒角光源；722、右前倒角光源；723、左后倒角光源；724、右前倒角光源；73、检测相机；74、第一电机装置；75、第二电机装置。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

首先，需要说明的是，在本文中所提到的顶部、底部、朝上、朝下等方位是相对于各个附图中的方向来定义的，它们是相对的概念，并且因此能够根据其所处于的不同位置和不同的实用状态而改变。所以，不应将这些或其他方位用于理解为限制性用语。

应注意，术语“包括”并不排除其他要素或步骤，并且“一”或“一个”并不排除复数。

此外，还应当指出的是，对于本文的实施例中描述或隐含的任意单个技术特征，或在附图中示出或隐含的任意单个技术特征，仍能够在这些技术特征(或其等同物)之间继续进行组合，从而获得未在本文中直接提及的本申请的其他实施例。

另外还应当理解的是，本文中采用术语“第一”、“第二”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语，这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，“第一”信息也可以被称为“第二”信息，类似的，“第二”信息也可以被称为“第一”信息。

应当注意的是，在不同的附图中，相同的参考标号表示相同或大致相同的组件。

本发明实施例提出了一种硅片分选机的组件调整方法，应用于硅片分选机，参见图1，是本发明实施例中一种硅片分选机的结构示意图，所述硅片分选机包括基准平台1、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置。

优选地，所述质量检测装置包括预导正装置2、外形尺寸检测装置3、规整装置4、左右崩边装置5、厚度检测装置6和整合装置7。所述预导正装置2设于所述基准平台1上，用于对硅片进行预导正，以使所述硅片的中心线与所述基准平台的中心线重合。所述外形尺寸检测装置3用于接收所述预导正装置2输出的硅片并检测该硅片的外形尺寸是否符合当前设定的硅片尺寸大小，从而判定所述硅片的外形尺寸是否合格。所述规整装置4设置在所述基准平台1上，并用于接收所述外形尺寸检测装置3输出的硅片并对该硅片进行规整和精导正。左右崩边装置5设置在所述基准平台1上，并用于接收所述规整装置4输出的硅片并对该硅片的左右边缘进行质量检测。厚度检测装置6设置在所述基准平台1上，并用于接收所述左右崩边装置5输出的硅片并检测所述硅片的厚度，以判断所述厚度是否符合厚度标准。整合装置7设置在所述基准平台1上，并用于接收所述厚度检测装置6输出的硅片并对硅片的前后边缘、上下表面和四个倒角进行质量检测。

需要说明的是，所述若干个质量检测装置的结构组成和工作原理不限于上述所提及的装置，在此不做赘述。

参见图2，是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整方法的流程示意图。所述硅片分选机的组件调整方法具体通过步骤S11至S15执行：

S11、响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

S12、计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

S13、根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

S14、根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

S15、控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动。

具体地，在所述硅片分选机的工作过程中，用户会预先设定好当前的硅片尺寸，并且每次放入预导正的硅片均同属当前设定的硅片尺寸的规格，后续均是对硅片是否的外形尺寸是否有误差和质量是否合格进行检测。当用户需要检测其他尺寸规格的硅片时，需要对硅片分选机中待调整的质量检测装置中相关的部件进行安设位置或照射角度的调整，来适应新的硅片尺寸的检测。

需要说明的是，在本发明实施例中，待调整的质量检测装置包括预导正装置2、规整装置4、左右崩边装置5、厚度检测装置6和整合装置7，因此，这些装置中相关待调整的部件对应连接有电机装置和移动导轨等，从而可以通过控制所述电机装置工作，驱动待调整部件往特定的方向运动，直到达到合适的安设位置或照射角度。

当用户需要更换当前设定的硅片尺寸的规格时，通过预先设置的人机交互模块，例如语音模块、触摸屏模块或按键等，向所述硅片分选机的主控中心输入预设的组件调整指令，所述组件调整指令包括用户当前设定的硅片尺寸。

进而，主控中心响应于预设的组件调整指令，获取调整前已设定的硅片尺寸A1和用户当前重新设定的硅片尺寸A2，计算硅片尺寸A1和硅片尺寸A2的尺寸差值ΔA。根据所述尺寸差值ΔA，可以分别计算得到预导正装置2、规整装置4、左右崩边装置5、厚度检测装置6和整合装置7中的待调整部件的待调整参数的调整值，包括照射角度的转动方向和调整度数，或者安设位置的移动方向和移动距离，或者两者共同调整。当确定了每一待调整部件的待调整参数及其调整值，即可确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数，所述驱动方向为正转方向或反转方向，其与待调整部件的安设位置的移动方向或照射角度的转动方向有关，所述驱动步数与待调整部件的安设位置的移动距离或照射角度的调整度数有关。进而，通过控制每一所述电机装置按照对应的所述驱动方向和所述驱动步数动作，来驱动所述待调整部件运动，实现对安设位置和/或照射角度的调整。

本发明实施例提供了一种硅片分选机的组件调整方法，通过在硅片分选机中增设可以驱动待调整部件运动的电机装置，在接收到预设的组件调整指令时，计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值，并根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，以确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数，通过控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动至符合当前设定的硅片尺寸的检测要求的安设位置或照射角度。采用本发明实施例的技术手段，能够自动实现对硅片分选机的组件调整，解决了现有技术中通过手动调整检测装置的相关部件来适应不同尺寸的硅片的检测，导致拆卸耗时较长、对部件的反复拆卸导致其磨损严重，以及手动调整的差异性导致硅片在传输过程中偏移到一定角度时出现硅片误判和直流等现象，有效地提高了对硅片分选机的组件调整的便捷性和精准性，减少了组件调整所需的时间，在一定程度上延长了硅片分选机的使用寿命，进一步提高了对硅片的质量检测结果的准确性。

作为优选的实施方式，参见图3，是本发明实施例中整合装置的结构示意图。所述整合装置7若干侧光源71、倒角光源72、反射镜、检测相机73、传输装置、转动架、支架等部件。参见图4，是本发明实施例中侧光源和倒角光源与硅片的位置关系图，所述侧光源71包括前侧光源711和后侧光源712，分别用于照射所述硅片的前后边缘；所述倒角光源72包括左前倒角光源721、右前倒角光源722、左后倒角光源723和右后倒角光源724，分别用于照射所述硅片的相应的四个倒角。所述反射镜包括前侧反射镜和后侧反射镜，用于将所述侧光源和所述倒角光源照射的光线沿预定路径反射至检测相机。其中，待调整组件包括侧光源、倒角光源和反射镜，每一侧光源、倒角光源和反射镜分别连接有电机装置，例如，与每一侧光源71连接的第一电机装置74、与每一倒角光源72连接的第二电机装置75。并且，所述第一电机装置74还包括分别用于驱动所述侧光源的安设位置的移动的伺服电机，以及用于驱动所述侧光源的照射角度的转动的伺服电机，同理，所述第二电机装置75还包括分别用于驱动所述倒角光源的安设位置的移动的伺服电机，以及用于驱动所述倒角光源的照射角度的转动的伺服电机。

则，步骤S13，也即所述根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

S131、根据所述尺寸差值，计算所述整合装置7中的每一侧光源71的待调整参数的调整值。

具体地，参见图5，是发明实施例中侧光源的调整原理示意图。步骤S131通过以下步骤执行：

首先，通过硅片尺寸A1和硅片尺寸A2的尺寸差值ΔA，判断当前设定的硅片尺寸和调整前设定的硅片尺寸的大小，进而确定所述侧光源71的安设位置的移动方向，和/或照射角度的转动方向。

在第一种情况下，若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，也即A2＞A1，则确定每一所述侧光源71在所述基准平台1上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，每一所述侧光源71的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向。

以图5所示的后侧光源712为例，也即后侧光源712的安设位置的移动方向与硅片前进方向的反方向一致，照射角度的转动方向为图5所示的顺时针方向；可以理解地，后侧光源712的安设位置的移动方向与硅片前进方向的一致，照射角度的转动方向为图5所示的逆时针方向。

在第二种情况下，若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，也即A2＜A1，确定每一所述侧光源71在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，每一所述侧光源71的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向。

以图5所示的后侧光源712为例，也即后侧光源712的安设位置的移动方向与硅片前进方向的一致，照射角度的转动方向为图5所示的逆时针方向；可以理解地，后侧光源712的安设位置的移动方向与硅片前进方向的反方向一致，照射角度的转动方向为图5所示的顺时针方向。

接着，根据所述尺寸差值ΔA，确定待调整参数为安设位置或是照射角度，或是两者共同调整。

在第一种实施方式下，根据所述尺寸差值，计算所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离O'：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸。

在第一种情况下，当所述理论移动距离小于等于预设的侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离O'。

此时只需要调整每一侧光源71的安设位置，并且若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，则确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向。

需要说明的是，所述侧光源极限移动距离是根据当前所述侧光源所在的位置以及其所能移动到的极限位置之间的距离计算得到的。

在第二种情况下，当所述理论移动距离大于所述侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述侧光源极限移动距离，且所述侧光源的照射角度的调整度数β为：

其中，O_s为侧光源极限移动距离，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁为所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离。

此时，由于侧光源的安设位置移动到极限时，也无法满足当前设定的硅片尺寸的检测要求，因此，需要同时对每一侧光源71的安设位置和照射角度进行调整，当安设位置移动至极限位置时，通过转动照射角度进行补偿。并且若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，则每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向。若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，则每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向；每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向。

在第二种实施方式下，根据所述尺寸差值，计算所述侧光源的照射角度的理论调整度数β'：

在第一种情况下，当所述理论调整度数小于等于预设的侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述理论调整度数。

需要说明的是，所述侧光源极限调整度数是根据当前所述侧光源所照射角度以及其所能转动到的极限角度计算得到的。

此时只需要调整每一侧光源71的照射角度，并且若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，则确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向。

在第二种情况下，当所述理论调整度数大于所述侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述侧光源极限调整度数，且所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离O为：

此时，由于侧光源的照射角度移动到极限时，也无法满足当前设定的硅片尺寸的检测要求，因此，需要同时对每一侧光源71的安设位置和照射角度进行调整，当照射角度转动至极限位置时，通过调整安设位置进行补偿。并且若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，则确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向。

进而，在确定了对侧光源的调整方式后，进一步确定第一电机装置74的驱动方向和驱动步数，并控制其运行，实现对侧光源的调整。

采用本发明实施例的技术手段，从安设位置和照射角度两个层面进行考虑，对侧光源进行自动调整，从而使得整合装置能够满足当前设定的硅片尺寸的检测，减少了对侧光源的调整时间，且提高了侧光源的调整精度，提高对硅片的质量检测结果的准确性。

进一步地，步骤S13，也即所述根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

S132、根据所述尺寸差值，计算所述整合装置7中的每一倒角光源72的待调整参数的调整值。

具体地，参见图6，是发明实施例中倒角光源的调整原理示意图。步骤S132通过以下步骤执行：

首先，通过硅片尺寸A1和硅片尺寸A2的尺寸差值ΔA，判断当前设定的硅片尺寸和调整前设定的硅片尺寸的大小，进而确定所述倒角光源72的安设位置的移动方向，和/或照射角度的转动方向。

在第一种情况下，若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，也即A2＞A1，确定每一所述倒角光源72在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上远离硅片中心点的方向，每一所述倒角光源72的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的远离硅片中心点的方向；其中，所述预定直线方向为硅片中心点与所述倒角光源照射的倒角的连线方向。

图6所示的右后倒角光源724为例，也即右后倒角光源724的安设位置的移动方向为N-M直线方向，照射角度的转动方向为图6所示的顺时针方向，左前倒角光源721、右前倒角光源722和左后倒角光源723的安设位置的移动方向和照射角度的转动方向以此类推。

在第二种情况下，若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，也即A2＜A1，确定每一所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上靠近硅片中心点的方向，每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的靠近硅片中心点的方向。

图6所示的右后倒角光源724为例，也即右后倒角光源724的安设位置的移动方向为M-N直线方向，照射角度的转动方向为图6所示的逆时针方向，左前倒角光源721、右前倒角光源722和左后倒角光源723的安设位置的移动方向和照射角度的转动方向以此类推。

接着，根据所述尺寸差值ΔA，确定待调整参数为安设位置或是照射角度，或是两者共同调整。

在第一种实施方式下，根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离X'：

在第一种情况下，当所述理论移动距离小于等于预设的倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离X'。

此时只需要调整每一倒角光源72的安设位置，并且，安设位置的移动方向根据尺寸差值的大小进行确定。需要说明的是，所述倒角光源极限移动距离是根据当前所述倒角光源所在的位置以及其所能移动到的极限位置之间的距离计算得到的。

在第二种情况下，当所述理论移动距离大于所述倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述倒角光源极限移动距离，且所述倒角光源的照射角度的调整度数α为：

其中，X_s为倒角光源极限移动距离，H₂为倒角光源到基准平台的垂直高度，L₂为所述倒角光源在所述基准平面上的垂直投影点到预定侧边的直线距离；所述预定侧边为当前设定的硅片尺寸对应的硅片上交于所述倒角光源所照射的倒角的侧边。

此时，由于倒角光源的安设位置移动到极限时，也无法满足当前设定的硅片尺寸的检测要求，因此，需要同时对每一倒角光源72的安设位置和照射角度进行调整，当安设位置移动至极限位置时，通过转动照射角度进行补偿。并且，安设位置的移动方向根据尺寸差值的大小进行确定。

在第二种实施方式下，根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源的照射角度的调整度数α：

此时，根据计算得到的倒角光源的照射角度的理论调整度数来实现对倒角光源的照射角度的调整。可以理解地，预先设置有倒角极限调整度数，如果倒角光源的理论调整度数大于倒角光源极限调整度数，同样可以根据倒角光源的安设位置的调整进行补偿，在此不再赘述。

进而，在确定了对侧光源的调整方式后，进一步确定第二电机装置75的驱动方向和驱动步数，并控制其运行，实现对倒角光源的调整。

采用本发明实施例的技术手段，从安设位置和照射角度两个层面进行考虑，对倒角光源进行自动调整，从而使得整合装置能够满足当前设定的硅片尺寸的检测，减少了对倒角光源的调整时间，且提高了倒角光源的调整精度，提高对硅片的质量检测结果的准确性。

进一步地，步骤S13，也即所述根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

S133、根据所述尺寸差值，计算所述整合装置7中的反射镜的待调整参数的调整值。

具体地，参见图7，是发明实施例中反射镜的工作原理示意图。在本发明实施例中，通过对反射镜的安设位置进行调整，来满足当前设定的硅片尺寸的检测要求。

在第一种情况下，若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半，也即(A2-A1)/2。

在第二种情况下，若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

在本发明实施例中，因为硅片的水平平面上的中心平面几乎与平行于基准平台的水平平面且与反射镜的几何中心相交形成的平面在垂直方向上重合，所以当倒角光源自动调整至光源中心与倒角中心重合时，倒角光源的光源中心经过硅片倒角的中心面以90度直角反射至反射镜上。

所以，只要调整反射镜在的移动量，既能保证倒角在反射镜的成像在规定区域范围内，且在此范围内能保证此倒角成像能与侧边成像能被相机捕捉，通过图像处理软件处理后能出现在同一区域的成像平面上。

当硅片在前进过程中有些许的偏移(硅片的前进方向中心线与输送装置，例如皮带的运动方向不平行)，因为在进入检测模组前已经过了预导正、规整装置的校正后，偏移量可以控制在1mm内。另外，两皮带的运动速度由伺服电机控制，且皮带的同步性经常被校正，所以在经过整合装置时，正常情况下硅片的偏移量极小，对硅片倒角、侧边成像的影响极小，可忽略不计。

进一步地，所述预导正装置2包括左侧导正单元、右侧导正单元、驱动装置和沿第一预定直线方向输送硅片的输送装置等，其中，左侧导正单元和右侧导正单元分设在所述输送装置的相对两侧。所述驱动装置控制，左侧导正单元和右侧导正单元沿第二预定直线方向相向移动或相背移动，所述第一预定直线方向与所述第二预定直线方向相垂直，也即是，左侧导正单元和右侧导正单元的延伸方向与第一预定直线方向相平行，并且，左侧导正单元和右侧导正单元能够同时朝向硅片方向移动和同时背向硅片方向进行移动，对硅片进行导正。

所述规整装置4包括左侧限位单元、右侧限位单元，以及沿第一预定直线方向输送硅片的输送装置。左侧限位单元和右侧限位单元分设在所述输送装置的相对两侧。经过外形尺寸检测装置3后的硅片由于没有限位从而会发生移位，因此在输送装置的输送方向上，左侧限位单元和右侧限位单元之间的距离逐渐变小，以通过左侧限位单元和右侧限位单元相对的两个侧面与所述硅片相接触，使调整所述硅片在输送装置上的姿态和方向，其中，左侧限位单元和右侧限位单元设置为皮带，并且为软性连接，能够对硅片进行规整情况下有效防止硅片碰撞受损。

所述左右崩边装置5包括左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机和输送装置等。左侧光源用于照射所述硅片的左侧边缘，并通过反射镜等反射进行左侧检测相机进行成像检测；右侧光源用于照射所述硅片的右侧边缘，并通过反射镜等反射进行右侧检测相机进行成像检测。

所述厚度检测装置6包括左侧测厚仪、中部测厚仪、右侧测厚仪和输送装置等。左侧测厚仪、中部测厚仪和右侧测厚仪被设置为线激光发射器，经过线激光发射器采集硅片上下表面的高度信息，进而计算硅片的厚度、线痕和粗糙度等。

则，在本发明实施例中，所述预导正装置2的待调整组件为可相向或相背运动的左侧导正单元和右侧导正单元；所述规整装置4的待调整组件为左侧限位单元和右侧限位单元；所述左右崩边装置5的待调整组件为左侧光源、右侧光源、左侧检测相机和右侧检测相机；所述厚度检测装置6的待调整组件为左侧测厚仪和右侧测厚仪。

则，步骤S13，也即所述根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

S134、根据所述尺寸差值，计算预导正装置2、规整装置4、左右崩边装置5和厚度检测装置6中相应的待调整部件的待调整参数的调整值。

具体地，通过对上述质量检测装置中待调整部件的安设位置进行调整，来满足当前设定的硅片尺寸的检测要求。

在第一种情况下，若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半；

在第二种情况下，若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

参见图8，是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整装置的结构示意图。本发明实施例提供了一种硅片分选机的组件调整装置20，所述硅片分选机包括基准平台、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置；所述组件调整装置20与所述硅片分选机连接。

所述硅片分选机的组件调整20包括：

硅片尺寸获取模块21，用于响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

尺寸差值计算模块22，用于计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

调整值计算模块23，用于根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

驱动值计算模块24，用于根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

电机装置控制模块25，用于控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动。

需要说明的是，本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件装置用于执行上述实施例的一种硅片分选机的组件方法的所有流程步骤，两者的工作原理和有益效果一一对应，因而不再赘述。

采用本发明实施例的技术手段，能够自动实现对硅片分选机的组件调整，解决了现有技术中通过手动调整检测装置的相关部件来适应不同尺寸的硅片的检测，导致拆卸耗时较长、对部件的反复拆卸导致其磨损严重，以及手动调整的差异性导致硅片在传输过程中偏移到一定角度时出现硅片误判和直流等现象，有效地提高了对硅片分选机的组件调整的便捷性和精准性，减少了组件调整所需的时间，在一定程度上延长了硅片分选机的使用寿命，进一步提高了对硅片的质量检测结果的准确性。

参见图9，是本发明实施例提供的一种硅片分选机的组件调整设备的结构示意图。本发明实施例提供了一种硅片分选机的组件调整设备30，包括处理器31、存储器32以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述实施例中任意一项所述的硅片分选机的组件调整方法。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(RandomAccessMemory，RAM)等。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述硅片分选机包括基准平台、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置；

所述方法包括：

响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动；

所述质量检测装置包括整合装置；所述整合装置用于对硅片的前后边缘、上下表面和四个倒角进行质量检测；所述整合装置的待调整组件包括侧光源，所述侧光源包括前侧光源和后侧光源，分别用于照射所述硅片的前后边缘；

所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向；

根据所述尺寸差值，计算所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离O'：

当所述理论移动距离小于等于预设的侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离O'；

当所述理论移动距离大于所述侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述侧光源极限移动距离，且所述侧光源的照射角度的调整度数β为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，O_s为侧光源极限移动距离，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁为所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离；

或者，根据所述尺寸差值，计算所述侧光源的照射角度的理论调整度数β'：

当所述理论调整度数小于等于预设的侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述理论调整度数；

当所述理论调整度数大于所述侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述侧光源极限调整度数，且所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离O为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离。

2.如权利要求1所述的硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述整合装置的待调整组件还包括倒角光源和反射镜，所述倒角光源包括左前倒角光源、左后倒角光源、右前倒角光源和右后倒角光源，分别用于照射所述硅片的四个倒角；所述反射镜包括前侧反射镜和后侧反射镜，用于将所述侧光源和所述倒角光源照射的光线沿预定路径反射至检测相机。

3.如权利要求2所述的硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上远离硅片中心点的方向，每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为预定直线方向上靠近硅片中心点的方向，每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的靠近硅片中心点的方向；其中，所述预定直线方向为硅片中心点与所述倒角光源照射的倒角的连线方向；

根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离X'：

当所述理论移动距离小于等于预设的倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离X'；

当所述理论移动距离大于所述倒角光源极限移动距离时，确定所述倒角光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述倒角光源极限移动距离，且所述倒角光源的照射角度的调整度数α为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，X_s为倒角光源极限移动距离，H₂为倒角光源到基准平台的垂直高度，L₂为所述倒角光源在所述基准平面上的垂直投影点到预定侧边的直线距离；所述预定侧边为当前设定的硅片尺寸对应的硅片上交于所述倒角光源所照射的倒角的侧边。

4.如权利要求2所述的硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着预定直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述倒角光源的照射角度的转动方向为沿着所述预定直线方向的靠近硅片中心点的方向；其中，所述预定直线方向为硅片中心点与所述倒角光源照射的倒角的连线方向；

根据所述尺寸差值，计算所述倒角光源的照射角度的调整度数α：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，X_s为倒角光源极限移动距离，H₂为倒角光源到基准平台的垂直高度，L₂为所述倒角光源在所述基准平面上的垂直投影点到预定侧边的直线距离；所述预定侧边为当前设定的硅片尺寸对应的硅片上交于所述倒角光源所照射的倒角的侧边。

5.如权利要求3所述的硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，还包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，计算得到每一所述反射镜在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

6.如权利要求2所述的硅片分选机的组件调整方法，其特征在于，所述质量检测装置还包括预导正装置、规整装置、左右崩边装置和厚度检测装置；

所述预导正装置用于对所述硅片进行预导正；所述预导正装置的待调整组件为可相向或相背运动的左侧导正单元和右侧导正单元；

所述规整装置用于对所述硅片进行精导正，所述规整装置的待调整组件为左侧限位单元和右侧限位单元；

所述左右崩边装置用于对所述硅片的左右边缘进行质量检测，所述左右崩边装置的待调整组件为左侧光源、右侧光源、左侧检测相机和右侧检测相机；

所述厚度检测装置用于检测所述硅片的厚度，以判断所述厚度是否符合厚度标准；所述厚度检测装置的待调整组件为左侧测厚仪和右侧测厚仪；

则，所述根据所述尺寸差值，计算每一所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值，具体包括：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半；

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，计算得到左侧导正单元、右侧导正单元、左侧限位单元、右侧限位单元、左侧光源、右侧光源、左侧检测相机、右侧检测相机、左侧测厚仪和右侧测厚仪在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着垂直于硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，且移动距离为所述尺寸差值的一半。

7.一种硅片分选机的组件调整装置，其特征在于，所述硅片分选机包括基准平台、设于所述基准平台上的若干个质量检测装置以及与所述质量检测装置中的待调整部件连接的电机装置；

所述组件调整装置包括：

硅片尺寸获取模块，用于响应于预设的组件调整指令，获取调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸；

尺寸差值计算模块，用于计算调整前设定的硅片尺寸和当前设定的硅片尺寸的尺寸差值；

调整值计算模块，用于根据所述尺寸差值，计算所述质量检测装置中的待调整部件的待调整参数的调整值；其中，所述待调整参数包括照射角度和/或安设位置；照射角度的调整值包括转动方向和调整度数，安设位置的调整值包括移动方向和移动距离；

驱动值计算模块，用于根据所述待调整参数的调整值，确定与所述待调整部件连接的电机装置的驱动方向和驱动步数；

电机装置控制模块，用于控制所述电机装置按照所述驱动方向和所述驱动步数动作，以驱动所述待调整部件运动；

所述质量检测装置包括整合装置；所述整合装置用于对硅片的前后边缘、上下表面和四个倒角进行质量检测；所述整合装置的待调整组件包括侧光源，所述侧光源包括前侧光源和后侧光源，分别用于照射所述硅片的前后边缘；

所述调整值计算模块具体用于：

若当前设定的硅片尺寸大于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的远离硅片中心点的方向；

若当前设定的硅片尺寸小于调整前设定的硅片尺寸，确定每一所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向，每一所述侧光源的照射角度的转动方向为沿着硅片移动直线方向的靠近硅片中心点的方向；

根据所述尺寸差值，计算所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的理论移动距离O'：

当所述理论移动距离小于等于预设的侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述理论移动距离O'；

当所述理论移动距离大于所述侧光源极限移动距离时，确定所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离为所述侧光源极限移动距离，且所述侧光源的照射角度的调整度数β为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，O_s为侧光源极限移动距离，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁为所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离；

或者，根据所述尺寸差值，计算所述侧光源的照射角度的理论调整度数β'：

当所述理论调整度数小于等于预设的侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述理论调整度数；

当所述理论调整度数大于所述侧光源极限调整度数时，确定所述侧光源的照射角度的调整度数为所述侧光源极限调整度数，且所述侧光源在所述基准平台上的安设位置的移动距离O为：

其中，A₂为当前设定的硅片尺寸，A₁为调整前设定的硅片尺寸，H₁为侧光源到基准平台的垂直高度，L₁所述侧光源在所述基准平面上的垂直投影点到当前设定的硅片尺寸对应的硅片上所述侧光源照射的侧边的直线距离。

8.一种硅片分选机的组件调整设备，其特征在于，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任意一项所述的硅片分选机的组件调整方法。

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