CN114566524A - 显示装置和检查显示装置的缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置和检查显示装置的缺陷的方法，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的测试区域；下电极，在显示区域中设置在基底上；公共层，设置在下电极上；上电极，设置在公共层上；以及测试元件组。测试元件组包括：多个电极图案，与下电极设置在同一层中并且在测试区域中设置在基底上；测试公共层，与公共层设置在同一层中并且设置在多个电极图案上，其中，通过测试公共层限定多个开口以暴露多个电极图案中的每个电极图案的一部分；以及电极层，与上电极设置在同一层中，在测试公共层上并且通过开口与多个电极图案接触。

Description

显示装置和检查显示装置的缺陷的方法
技术领域
实施例总体上涉及一种显示装置和一种用于检查显示装置的缺陷的方法。更具体地，公开的实施例涉及一种包括测试元件组的显示装置和一种用于检查显示装置的缺陷的方法。
背景技术
近年来，通常具有大面积且薄而轻的平板显示器(“FPD”)已被广泛用作显示装置。液晶显示器(“LCD”)、等离子体显示面板(“PDP”)、有机发光显示器(“OLED”)等被用作这样的平板显示器。
OLED可以被制造为顶部发射结构或底部发射结构。在OLED具有顶部发射结构的情况下，由于从有机发射层发射的光穿过作为上电极的阴极电极，所以期望阴极电极是透明的。因此，可以薄地沉积透明材料以使阴极电极透明。随着阴极电极的厚度减小，尽管透射率增大，但是电阻也会增大。
发明内容
在大型显示装置的情况下，由于阴极电极的面积大于小型显示装置的阴极电极的面积，因此电阻会显著增大。在这种情况下，通过形成连接到阴极电极的辅助线，可以在减小阴极电极的厚度的同时降低电阻。在这种情况下，可以执行激光钻孔工艺以将辅助线和阴极电极连接。
通常，已经使用显微镜来检查用于连接辅助线和阴极电极的开口是否被适当地形成。然而，这种方法难以精确地检查显示装置的缺陷。
实施例提供了一种包括测试元件组的显示装置。
实施例提供了一种用于检查显示装置的缺陷的方法。
根据发明的实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的测试区域；下电极，在显示区域中设置在基底上；公共层，设置在下电极上；上电极，设置在公共层上；以及测试元件组。在这样的实施例中，测试元件组包括：多个电极图案，与下电极设置在同一层中并且在测试区域中设置在基底上；测试公共层，与公共层设置在同一层中并且在多个电极图案上，其中通过测试公共层限定多个开口以暴露多个电极图案中的每个的一部分；以及电极层，设置在与上电极同一层中，在测试公共层上，并且通过开口与多个电极图案接触。
在实施例中，测试元件组还可以包括：多个导电图案，在测试区域中设置在基底上。
在实施例中，显示装置还可以包括：过孔层，设置在基底和多个电极图案之间。在这样的实施例中，多个电极图案可以通过在过孔层中限定的接触孔分别电连接到多个导电图案。
在实施例中，多个导电图案可以彼此间隔开，并且多个电极图案可以彼此间隔开。
在实施例中，测试区域可以围绕显示区域的至少一部分。
在实施例中，公共层可以从显示区域延伸到测试区域，并且公共层的在测试区域中的延伸部分可以限定测试公共层。在这样的实施例中，上电极可以从显示区域延伸到测试区域，并且上电极的在测试区域中的延伸部分可以限定电极层。
在实施例中，下电极和多个电极图案可以包括彼此相同的材料。
在实施例中，下电极和多个电极图案中的每个可以具有包括氧化铟锡(“ITO”)/Ag/ITO的堆叠结构。
在实施例中，上电极和电极层可以包括彼此相同的材料。
在实施例中，测试元件组还可以包括：多个导电图案，在测试区域中设置在基底上。在这样的实施例中，显示装置还可以包括在显示区域中在基底上与多个导电图案设置在同一层中的源电极及漏电极。
在实施例中，多个导电图案、源电极和漏电极可以包括彼此相同的材料。
在实施例中，多个电极图案之中的位于测试元件组的第一端处的电极图案的一部分可以限定测试元件组的第一测试焊盘。在这样的实施例中，多个电极图案之中的位于测试元件组的第二端处的电极图案的一部分可以限定测试元件组的第二测试焊盘。
在实施例中，当在平面图中观看时，测试元件组具有一侧敞开的四边形形状。
根据发明的实施例，一种用于检查显示装置的缺陷的方法包括：准备包括显示区域和与显示区域相邻的测试区域的基底，在显示区域中在基底上设置下电极，在测试区域中在基底上设置多个电极图案，在下电极上设置公共层，在多个电极图案上设置测试公共层，通过去除测试公共层的一部分来形成暴露多个电极图案中的每个的一部分的多个开口，在公共层上设置上电极，在测试公共层上设置电极层，以及测量开口的电阻。
在实施例中，所述方法还可以包括：在测试区域中在基底上设置多个导电图案。
在实施例中，多个导电图案、多个电极图案、测试公共层和电极层可以共同限定测试元件组。
在实施例中，所述测量电阻的方法可以包括：通过将电阻测量装置连接到多个导电图案之中的位于测试元件组的端部处的导电图案的一部分来测量开口的电阻。
在实施例中，可以通过激光钻孔工艺来形成开口。
在实施例中，多个电极图案和下电极可以彼此同时形成。在这样的实施例中，测试公共层和公共层可以彼此同时形成，电极层和上电极可以彼此同时形成。
在实施例中，电极层可以通过开口与多个电极图案接触。
在发明的实施例中，显示装置可以包括通过激光钻孔穿过公共电极形成的开口和设置在测试区域中的测试元件组。因此，可以通过测试元件组准确地检查显示装置的缺陷。
在根据发明的用于检查显示装置的缺陷的方法的实施例中，可以通过设置在显示装置的测试区域中的测试元件组来测量开口的电阻。因此，可以尽早检查显示装置的缺陷，并且可以降低工艺成本。
附图说明
通过参照附图更详细地描述发明的实施例，发明的上述和其他特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图；
图2是示出图1的区域“A”的放大平面图；
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图；
图4是沿着图2的线II-II'和线III-III'截取的剖视图；
图5是示出根据实施例的显示装置的测试元件组的平面图；
图6是示出根据可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图；
图7是示出根据另一可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图；
图8是示出根据又一可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图；以及
图9、图10、图11、图12和图13是示出根据实施例的显示装置的缺陷检查方法的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图，对发明进行更充分地描述。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件与所述另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并非意图限制。如在这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则“一个(种/者)”、“所述(该)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，而旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“元件”与“至少一个元件”具有同一含义。“至少一个(种/者)”不应被解释为限制“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，这里可以使用相对术语(诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”)来描述如附图中示出的一个元件与另一(其他)元件的关系。将理解的是，相对术语意图包括除了在附图中描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其他元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里清楚地这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文和本公开中的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义进行解释。
这里参照作为理想化的实施例的示意图的剖视图来描述实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为受限于如这里示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，被示出为或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙特征和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状且不意图限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图详细描述公开的实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。图2是示出图1的区域“A”的放大平面图。
如图1和图2中所示，显示装置100的实施例可以包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的***区域PA。
用于显示图像的多个像素PX可以设置在显示区域DA中。***区域PA可以表示其中不显示图像的区域。
在实施例中，测试区域TA可以限定或布置在***区域PA内部。测试区域TA可以围绕显示区域DA的至少一部分。
在实施例中，测试元件组TEG可以设置在测试区域TA中。在平面图上，测试元件组TEG可以具有旋转的U形形状。在实施例中，例如，当在平面图中观看时，测试元件组TEG可以具有一侧敞开的四边形形状。然而，发明的构造不限于此，并且当在平面图中观看时，测试元件组TEG可以具有不同的形状。在这里，短语“当在平面图中观看时”可以表示当从显示装置100的顶部平面图或在厚度方向上的平面图观看时。
在实施例中，多个开口11可以限定或位于测试元件组TEG中。在这样的实施例中，如稍后将描述的，测试元件组TEG的一部分可以限定与电阻测量装置300连接的测试焊盘部分TP(见图12和图13)。在这样的实施例中，可以通过经由测试焊盘部分TP测量开口11的电阻来检查显示装置100的缺陷。
通常，在大型有机发光装置具有顶部发射结构的情况下，作为阴极电极的上电极的电阻可能较高。在这种情况下，可以形成作为辅助线的金属线以降低上电极的电阻。在这种情况下，可以另外地执行使用激光钻孔工艺等的开口形成工艺，以将辅助线和阴极电极电连接。
在传统的显示装置中，通过用显微镜照片观看通过激光钻孔工艺在显示区域中形成的开口来检查显示装置的缺陷。如果激光钻孔的输出不足，则在激光钻孔工艺要反映到的加工部分中可能存在形成有开口的部分和未形成有开口的部分。在这种情况下，在形成有开口的部分中电流流动并且在未形成有开口的部分中产生暗部的现象，导致显示装置中的缺陷。
在根据发明的显示装置100的实施例中，在其上执行激光钻孔工艺的测试元件组TEG可以限定或设置在测试区域TA中。因此，可以通过测量测试元件组TEG的开口11的电阻来检查显示装置100的缺陷。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图3，显示装置100的实施例可以包括基底110、缓冲层120、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、薄膜晶体管TFT、过孔层150、公共层CL、有机发光元件OLED、像素限定层PDL、薄膜封装层180、金属线161等。薄膜晶体管TFT可以包括有源层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE，有机发光元件OLED可以包括下电极160、发光层EL和上电极170。
基底110可以包括显示区域DA、与显示区域DA相邻的***区域PA、以及布置在***区域PA内部的测试区域TA(图2、图3和图4)。在这样的实施例中，显示区域DA、***区域PA和测试区域TA可以限定在基底110上。基底110可以包括透明或不透明材料。在一个实施例中，例如，基底110可以包括从石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等中选择的至少一种。
缓冲层120可以设置在基底110上。缓冲层120可以整体地设置在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中(见图2、图3和图4)。缓冲层120可以防止金属原子或杂质从基底110扩散到薄膜晶体管TFT。在一个实施例中，例如，缓冲层120可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。
有源层ACT可以在显示区域DA中设置在缓冲层120上。有源层ACT可以包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以布置在沟道区的相对侧上。可以在源区和漏区中掺杂杂质。
有源层ACT可以包括硅半导体层或氧化物半导体层。在一个实施例中，例如，有源层ACT可以包括多晶硅等。可选地，有源层ACT可以包括从铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)的氧化物及其组合中选择的至少一种。
栅极绝缘层130可以设置在缓冲层120上。栅极绝缘层130可以整体地设置在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中(见图2、图3和图4)。栅极绝缘层130可以充分地覆盖有源层ACT。在一个实施例中，例如，栅极绝缘层130可以包括从氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)等中选择的至少一种。
栅电极GE可以在显示区域DA中设置在栅极绝缘层130上。栅电极GE可以与有源层ACT的沟道区叠置。在一个实施例中，例如，栅电极GE可以包括从金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合中选择的至少一种。
层间绝缘层140可以设置在栅极绝缘层130上。层间绝缘层140可以整体地设置在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中(见图2、图3和图4)。层间绝缘层140可以充分地覆盖栅电极GE。在一个实施例中，例如，层间绝缘层140可以包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅等中选择的至少一种。
源电极SE和漏电极DE可以在显示区域DA中设置在层间绝缘层140上。源电极SE和漏电极DE可以通过限定在栅极绝缘层130和层间绝缘层140中的接触孔(例如，通过去除栅极绝缘层130和层间绝缘层140的一部分而形成)分别连接在有源层ACT的源区和漏区中。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括从金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合中选择的至少一种。在一个实施例中，例如，薄膜晶体管TFT可以通过源电极SE接收第一电源电压。
过孔层150可以设置在层间绝缘层140上。过孔层150可以整体地设置在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中(见图2、图3和图4)。过孔层150可以充分地覆盖源电极SE和漏电极DE。过孔层150可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中，例如，过孔层150包括从酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等中选择的至少一种。
下电极160可以在显示区域DA中设置在过孔层150上。下电极160可以通过限定在过孔层150中的接触孔(例如，通过移除过孔层150的一部分而形成)连接到漏电极DE。在一个实施例中，例如，下电极160可以包括从金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合中选择的至少一种。在实施例中，下电极160可以具有包括氧化铟锡(“ITO”)/银(Ag)/ITO的堆叠结构或三层结构。
在实施例中，金属线161可以在显示区域DA中设置在过孔层150上。金属线161可以设置在图1中所示的多个像素PX之间。金属线161可以设置为多条。在一个实施例中，例如，当在平面图中观看时，金属线161可以在显示区域DA中完全布置成网状结构。在一个实施例中，例如，当在平面图中观看时，金属线161可以包括在水平方向上设置的多条第一金属线和在竖直方向上设置的多条第二金属线。在一个实施例中，例如，金属线161可以用作传输第二电源电压的线。在这样的实施例中，第二电源电压可以通过金属线161施加到上电极170。
在实施例中，下电极160和金属线161可以包括彼此相同的材料。在这样的实施例中，下电极160和金属线161可以使用相同的材料设置在同一层中或直接设置在同一层上。在实施例中，下电极160和金属线161可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层PDL可以在显示区域DA中设置在过孔层150上。可以通过像素限定层PDL限定开口以暴露下电极160的至少一部分。显示装置100的发射区域和非发射区域可以由像素限定层PDL的开口限定。在一个实施例中，例如，其中像素限定层PDL的开口所在的部分可以对应于发射区域，并且非发射区域可以对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。在一个实施例中，例如，像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。
发光层EL可以设置在下电极160上。发光层EL可以使用能够发射红光、绿光和蓝光的发光材料中的至少一种形成。在一个实施例中，发光层EL可以使用能够发射蓝光的发光材料形成。在一个实施例中，例如，发光层EL可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
公共层CL可以在显示区域DA中设置在下电极160和金属线161上。公共层CL可以整体地设置在显示区域DA中。公共层CL可以包括从空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等中选择的至少一个。在实施例中，尽管未在图3中详细示出，但是发光层EL可以设置在空穴传输层和电子传输层之间。
在实施例中，开口10可以限定为穿过公共层CL以暴露金属线161的至少一部分。在这样的实施例中，可以通过激光钻孔去除公共层CL的与金属线161叠置的部分以形成开口10。如图1中所示，可以在显示区域DA中将开口10形成为多个。在这种实施例中，如图1中所示，可以在多个像素PX之间将开口10形成为多个。
上电极170可以设置在公共层CL上。上电极170可以整体地设置在显示区域DA中。在一个实施例中，例如，上电极170可以包括从金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合中选择的至少一种。在实施例中，上电极170可以具有包括Mg和Ag的堆叠结构。
在实施例中，上电极170可以通过开口10与金属线161接触。在这样的实施例中，上电极170可以通过开口10电连接到金属线161。
薄膜封装层180可以设置在上电极170上。薄膜封装层180可以整体地设置在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中(见图2、图3和图4)。薄膜封装层180可以具有无机层和有机层的堆叠结构。在一个实施例中，例如，有机层可以包括诸如聚丙烯酸酯(“PAR”)的固化聚合物。在一个实施例中，例如，无机层可以包括从氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝(AlOx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等中选择的至少一种。
参照图3和图4，显示装置100的实施例可以包括基底110、缓冲层120、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、薄膜晶体管TFT、过孔层150、像素限定层PDL、有机发光元件OLED、公共层CL、金属线161、薄膜封装层180、测试元件组TEG等。测试元件组TEG可以包括导电图案141、电极图案162、测试公共层171和电极层172。在这样的实施例中，除了测试元件组TEG之外，图4中所示的显示装置100的元件可以与上面参照图3所描述的显示装置100的元件基本上相同。在下文中，将主要描述测试元件组TEG。
在实施例中，多个导电图案141可以在测试区域TA中设置在层间绝缘层140上。导电图案141可以彼此间隔开。导电图案141可以包括与图3中所示的源电极SE和漏电极DE相同的材料。在这样的实施例中，导电图案141可以使用与源电极SE和漏电极DE相同的材料设置在同一层中或直接设置在同一层上。在一个实施例中，例如，导电图案141、源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括从金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合中选择的至少一种。
过孔层150可以设置在层间绝缘层140上。过孔层150可以充分地覆盖导电图案141。多个电极图案162可以在测试区域TA中设置在过孔层150上。电极图案162可以彼此间隔开。电极图案162可以包括与图3中所示的下电极160相同的材料。在这样的实施例中，电极图案162可以使用与下电极160相同的材料设置在同一层中或直接设置在同一层上。电极图案162中的每个可以通过限定在过孔层150中的接触孔(例如，通过移除过孔层150的一部分而形成)电连接到导电图案141。
在实施例中，电极图案162之中的位于测试元件组TEG的端部处的电极图案162的一部分以及导电图案141之中的位于测试元件组TEG的端部处的导电图案141的一部分可以限定测试元件组TEG的测试焊盘部分TP。
在一个实施例中，例如，电极图案162之中的位于测试元件组TEG的第一端处的电极图案162的一部分以及导电图案141之中的位于测试元件组TEG的第一端处的导电图案141的一部分可以限定测试元件组TEG的第一测试焊盘部分。电极图案162之中的位于测试元件组TEG的第二端处的电极图案162的一部分以及导电图案141之中的位于测试元件组TEG的第二端处的导电图案141的一部分可以限定测试元件组TEG的第二测试焊盘部分(见图2和图4)。
像素限定层PDL可以在测试区域TA中设置在过孔层150上。测试公共层171可以设置在像素限定层PDL和电极图案162上。测试公共层171可以整体地设置在除了测试焊盘部分TP之外的测试区域TA中。测试公共层171可以包括与图3中所示的公共层CL相同的材料。在这样的实施例中，测试公共层171可以使用与公共层CL相同的材料设置在同一层中或直接设置在同一层上。可选地，公共层CL可以从显示区域DA延伸到测试区域TA，并且公共层CL的位于测试区域TA中的延伸部分可以限定测试公共层171。
在实施例中，可以通过测试公共层171限定多个开口11，以暴露每个电极图案162的一部分。在这样的实施例中，开口11可以通过激光钻孔去除测试公共层171的一部分来形成。
在实施例中，显示区域DA的开口10和测试区域TA的开口11可以彼此同时形成。在这样的实施例中，可以在显示区域DA和测试区域TA中同时执行激光钻孔工艺(见图3和图4)。
电极层172可以设置在测试公共层171和像素限定层PDL上。电极层172可以整体地设置在除了测试焊盘部分TP之外的测试区域TA中。电极层172可以包括与图3中所示的上电极170相同的材料。在这样的实施例中，电极层172可以使用与上电极170相同的材料设置在同一层中或直接设置在同一层上。可选地，上电极170可以从显示区域DA延伸到测试区域TA，并且上电极170的位于测试区域TA中的延伸部分可以限定电极层172。
在实施例中，电极层172可以通过开口11与电极图案162接触。在这样的实施例中，电极层172可以通过开口11电连接到电极图案162。
图5是示出根据实施例的显示装置的测试元件组的平面图。图6是示出根据可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图。图7是示出根据另一可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图。图8是示出根据另一可选实施例的显示装置的测试元件组的平面图。
在图5、图6、图7和图8中，显示装置101、显示装置102、显示装置103和显示装置104的实施例可以包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的***区域PA。***区域PA可以被划分为第一***区域PA1、第二***区域PA2、第三***区域PA3和第四***区域PA4。第一***区域PA1可以布置在显示区域DA的左侧。第二***区域PA2可以布置在与第一***区域PA1相反的方向上或者在显示区域DA的右侧。第三***区域PA3可以布置在显示区域DA上方。第四***区域PA4可以布置在与第三***区域PA3相反的方向上或在显示区域DA下方。
参照图5，在显示装置101的实施例中，两个测试元件组TEG1中的每个可以设置在第一***区域PA1和第二***区域PA2中。在这样的实施例中，两个测试元件组TEG1可设置在彼此相反的方向上。
参照图6，在显示装置102的可选实施例中，两个测试元件组TEG2中的每个可以设置在第三***区域PA3和第四***区域PA4中。在这样的实施例中，两个测试元件组TEG2可以设置在彼此相反的方向上。
参照图7，在另一可选实施例中，三个测试元件组TEG3中的每个可以设置在第一***区域PA1、第三***区域PA3和第四***区域PA4中。可选地，三个测试元件组TEG3中的每个可以设置在第二***区域PA2、第三***区域PA3和第四***区域PA4中。在这样的实施例中，在平面图中，三个测试元件组TEG3可以设置为旋转的U形形状。在一个实施例中，例如，当在平面图中观看时，三个测试元件组TEG3可被布置成一侧敞开的四边形的形状。
参照图8，在又一可选实施例中，两个测试元件组TEG4中的每个可以设置在第一***区域PA1和第三***区域PA3中。可选地，两个测试元件组TEG4中的每个可以设置在第二***区域PA2和第三***区域PA3中。在这样的实施例中，在平面图中，两个测试元件组TEG4可以设置为旋转的L形形状。在一个实施例中，例如，两个测试元件组TEG4可以设置为其中两个直条在竖直方向上连接的形状。
尽管未在图5、图6、图7和图8中详细示出，但是测试元件组TEG1、TEG2、TEG3和TEG4中的每个可以包括具有矩形形状的多个条或由具有矩形形状的多个条形成。
图9、图10、图11、图12和图13是示出根据实施例的显示装置的缺陷检查方法的剖视图。
参照图2、图3和图9，在显示装置的缺陷检查方法的实施例中，可以设置或准备包括显示区域DA、与显示区域DA相邻的***区域PA以及布置在***区域PA内部的测试区域TA的基底110。基底110可以包括透明材料或不透明材料。
可以在基底110上设置或形成缓冲层120。可以在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中整体地形成缓冲层120。在一个实施例中，例如，缓冲层120可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。
可以在缓冲层120上设置或形成栅极绝缘层130。可以在栅极绝缘层130上设置或形成层间绝缘层140。可以在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中整体地形成栅极绝缘层130和层间绝缘层140。在一个实施例中，例如，栅极绝缘层130和层间绝缘层140中的每个可以包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等中选择的至少一种。
可以在测试区域TA中的层间绝缘层140上形成多个导电图案141。导电图案141可以包括与图3中所示的源电极SE和漏电极DE相同的材料。在这样的实施例中，可以使用与源电极SE和漏电极DE相同的材料同时形成(或通过相同的工艺形成)导电图案141。
可以在层间绝缘层140上设置或形成过孔层150。可以在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中整体地形成过孔层150。过孔层150可以充分地覆盖源电极SE、漏电极DE和导电图案141。在一个实施例中，例如，过孔层150可以包括有机绝缘材料。
可以在测试区域TA中的过孔层150上设置或形成多个电极图案162。电极图案162可以包括与图3中示出的下电极160相同的材料。在这样的实施例中，可以使用与下电极160相同的材料同时形成电极图案162。可以通过经由去除过孔层150的一部分而形成的接触孔使电极图案162中的每个电连接到导电图案141。
可以在过孔层150、下电极160和电极图案162上设置或形成像素限定层PDL。在这样的实施例中，可以在显示区域DA和测试区域TA中形成像素限定层PDL。在一个实施例中，例如，像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。
可以在电极图案162和像素限定层PDL上设置或形成测试公共层171。可以在除了测试焊盘部分TP之外的测试区域TA中整体地形成测试公共层171。在这样的实施例中，可以在测试焊盘部分TP中不形成测试公共层171。测试公共层171可以包括与图3中所示的公共层CL相同的材料。在这样的实施例中，可以使用与公共层CL相同的材料同时形成测试公共层171。可选地，可以通过经由延伸公共层CL的一部分而形成的部分来限定测试公共层171。
参照图3和图10，可以穿过测试公共层171形成多个开口11，以暴露电极图案162中的每个的一部分。在这样的实施例中，可以通过经由激光钻孔去除测试公共层171的一部分来形成开口11。
在实施例中，可以彼此同时形成显示区域DA的开口10(见图3)和测试区域TA的开口11。在这样的实施例中，可以通过激光钻孔去除公共层CL的在显示区域DA中的一部分，以形成暴露金属线161的一部分的开口10。同时，可以通过激光钻孔去除测试公共层171的在测试区域TA中的一部分，以形成暴露电极图案162的一部分的开口11。
参照图3和图11，可以在测试区域TA中的测试公共层171上设置或形成电极层172。可以在除了测试焊盘部分TP之外的测试区域TA中整体地形成电极层172。在这样的实施例中，可以不在测试焊盘部分TP中形成电极层172。电极层172可以包括与上电极170相同的材料。在这样的实施例中，可以使用与上电极170相同的材料同时形成电极层172。可选地，可以通过由延伸上电极170的一部分而形成的部分来限定电极层172。
在实施例中，可以通过开口11与电极图案162接触电极层172。在这样的实施例中，可以分别通过开口11将电极层172电连接到电极图案162。
参照图2、图4和图12，在实施例中，可以将电阻测量装置300连接到测试焊盘部分TP。在这样的实施例中，可以将电阻测量装置300连接到导电图案141之中的位于测试元件组TEG的端部处的导电图案141的一部分。可以通过电阻测量装置300测量开口11的电阻。在一个实施例中，例如，当电流通过电阻测量装置300通过测试焊盘部分TP的导电图案141时，电流沿着导电图案141、电极图案162和电极层172流动，可以测量开口11的电阻。
参照图2、图3、图4和图13，可以在电极层172上设置或形成薄膜封装层180。可以在显示区域DA、***区域PA和测试区域TA中整体地形成薄膜封装层180。
在实施例中，在电极层172上设置或形成薄膜封装层180之后，可以通过将电阻测量装置300连接到测试焊盘部分TP来测量开口11的电阻。
在实施例中，测试区域TA中要执行激光钻孔工艺的部分可以被定义为加工部分。如果激光钻孔的输出不足并且存在加工部分的其中未形成有开口11的部分，则该部分的电阻会高于形成有开口11的部分的电阻。在这样的实施例中，如果电极图案162的下层的厚度改变，则激光钻孔的输出会不足。在这种情况下，可以确定显示装置100有缺陷，并且可以再次制造显示装置100。可选地，可以在加工部分的未形成有开口11的部分中再次执行激光钻孔工艺。
发明的实施例可以应用于各种显示装置，例如，包括诸如用于车辆、船舶和飞机的显示装置、便携式通信装置、用于展示或信息传输的显示装置以及医疗显示装置的显示装置。
发明不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
虽然已经参考发明的实施例具体地示出和描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的测试区域；
下电极，在所述显示区域中设置在所述基底上；
公共层，设置在所述下电极上；
上电极，设置在所述公共层上；以及
测试元件组，所述测试元件组包括：
多个电极图案，与所述下电极设置在同一层中并且在所述测试区域中设置在所述基底上；
测试公共层，与所述公共层设置在同一层中并且设置在所述多个电极图案上，其中，通过所述测试公共层限定多个开口以暴露所述多个电极图案中的每个电极图案的一部分；以及
电极层，与所述上电极设置在同一层中，在所述测试公共层上，并且通过所述开口与所述多个电极图案接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述测试元件组还包括：
多个导电图案，在所述测试区域中设置在所述基底上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
过孔层，设置在所述基底与所述多个电极图案之间，
其中，所述多个电极图案通过限定在所述过孔层中的接触孔分别电连接到所述多个导电图案。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述多个导电图案彼此间隔开，并且
所述多个电极图案彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述测试区域围绕所述显示区域的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述公共层从所述显示区域延伸到所述测试区域，
所述公共层的在所述测试区域中的延伸部分限定所述测试公共层，
所述上电极从所述显示区域延伸到所述测试区域，并且
所述上电极的在所述测试区域中的延伸部分限定所述电极层。
7.一种用于检查显示装置的缺陷的方法，所述方法包括：
准备包括显示区域和与所述显示区域相邻的测试区域的基底；
在所述显示区域中在所述基底上设置下电极；
在所述测试区域中在所述基底上设置多个电极图案；
在所述下电极上设置公共层；
在所述多个电极图案上设置测试公共层；
通过去除所述测试公共层的一部分来形成暴露所述多个电极图案中的每个电极图案的一部分的多个开口；
在所述公共层上设置上电极；
在所述测试公共层上设置电极层；以及
测量所述开口的电阻。
8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：
在所述测试区域中在所述基底上设置多个导电图案。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个导电图案、所述多个电极图案、所述测试公共层和所述电极层共同限定测试元件组。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，测量所述电阻的步骤包括：
通过将电阻测量装置连接到所述多个导电图案之中的位于所述测试元件组的端部处的导电图案的一部分来测量所述开口的所述电阻。
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