CN113659053A - 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺,先将金属基材和绝缘基材贴合,然后在金属基材上制作出预设金属基材图案,再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔,接着在开孔中排列LED芯片,并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距,再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装,使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露,最后切割成单个CSP灯珠封装结构,本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层,通过金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘,增大了CSP的可焊接面积,且本申请没有固晶焊料,可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题,解放后端产品的温度局限,适用于多次回流焊的复杂工艺。
Description
技术领域
本申请属LED封装技术领域,具体涉及一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。
背景技术
CSP(Chip Scale Package)LED以其可靠性高、体积小而备受关注及青睐。常见的CSP结构一般有两种结构,如图1所示的结构一:包括LED芯片1、荧光胶4;如图2所示的结构二:包括支架5、固晶焊料、LED芯片1和荧光胶4。
图1结构一的CSP比较明显的缺点是焊盘较小,CSP的有效焊接面积较小、附着力较小,后端产品的可靠性及生产良率较低。图2结构二的CSP的有效焊接面积较大,但其使用固晶焊料将LED芯片1的电极和支架5进行电连,比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度,否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。因此,亟需对现有CSP结构进行进一步改进。
发明内容
本申请为了解决上述技术问题,提供了一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。
本申请采用如下方案,一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,包括以下步骤:
S1、提供金属基材和绝缘基材,并将两者贴合;
S2、在金属基材上制作出预设金属图案,在绝缘基材上开孔;
S3、在开孔中排列LED芯片,并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距;
S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装,荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充,并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露;
S5、切割成单个CSP灯珠封装结构,即得。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,步骤S2具体包括以下步骤:
S201、制作电路:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S202、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层;
S203、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S204、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,步骤S2具体包括以下步骤:
S211、制作电路一:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S212、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S213、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔;
S214、制作电路二:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S215、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡,厚度为0.001微米至5微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,步骤S2中,开孔尺寸的长宽比LED芯片尺寸的长宽各大0.5微米至80微米;
LED芯片的电极与金属基材之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,步骤S2中,所述的金属基材的材质为单材质材料或合金材料,所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡,厚度为1微米至100微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构,厚度为8微米至25微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,步骤S4中,荧光胶为混有荧光粉的封装胶,所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂,所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料,所述的荧光粉在荧光胶内的重量占比为20%至75%。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极;
预设金属图案包括间隔设置的第一金属层和第二金属层,且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧,所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
一种CSP灯珠封装结构,包括:
LED芯片,其底部设有电极,所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极;
绝缘载体层,其设于所述LED芯片周侧;
金属层,其设于所述绝缘载体层底部,包括间隔设置的第一金属层和第二金属层,且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧,所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧;
荧光胶,其封装所述LED芯片、所述绝缘载体层和所述金属层,并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露,所述绝缘载体层与所述荧光胶的接触面设有反射层,所述反射层为白色油墨。
与现有技术相比,本申请的有益效果如下:
本申请提供一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,先将金属基材和绝缘基材贴合,然后在金属基材上制作出预设金属图案,再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔,接着在开孔中排列LED芯片,并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距,再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装,使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露,最后切割成单个CSP灯珠封装结构,本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层,可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘,增大了CSP的可焊接面积,可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题,提升CSP的焊接附着力和后端产品的可靠性及生产良率,同时相比于现有CSP封装结构二,本申请的CSP封装结构没有固晶焊料,可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题,解放后端产品的温度局限,适用于多次回流焊的复杂工艺。
本申请提供一种CSP灯珠封装结构,通过在LED芯片周侧设置绝缘载体层,绝缘载体层底部设置有与LED芯片电极具有间距的金属层,通过荧光胶将LED芯片、绝缘载体层和所述金属层封装,本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层,可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘,增大了CSP的可焊接面积,可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题,提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率,同时相比于现有CSP封装结构二,本申请的CSP封装结构没有固晶焊料,可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题,解放后端产品的温度局限,适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是现有CSP结构一的结构示意图。
图2是现有CSP结构二的结构示意图。
图3是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构的结构示意图。
图4是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构仰视角的结构示意图。
图5是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构的立体结构示意图。
图6是本申请实施例中金属层的结构示意图。
图7是本申请实施例中绝缘载体层的结构示意图。
图8是本申请实施例中绝缘载体层和金属层贴合的结构示意图。
图9是本申请实施例中在金属基材上制作出预设金属图案的示意图。
图10是本申请实施例中在绝缘基材上开孔的示意图。
图11是本申请实施例中在开孔中排列LED芯片的示意图。
图12是本申请实施例中荧光胶进行封装的示意图。
图13是本申请实施例中切割成单个CSP灯珠封装结构的示意图。
具体实施方式
实施例1:
如图3-13所示,一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,包括以下步骤:
S1、开料及贴合:准备尺寸合适的金属层3的金属基材31及绝缘载体层2的绝缘基材21,并将金属基材31及绝缘基材21的材料贴合在一起;
S2、制作电路及开孔:在金属基材31上制作出预设金属图案,并在绝缘基材上开孔;
S3、排晶:在开孔中排列LED芯片1,并使LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距;
S4、压膜:把制作好的荧光胶膜压从芯片的正上方压下,对LED芯片1、绝缘基材21和金属基材31进行封装,形成荧光胶层,荧光胶4对LED芯片1与金属基材31之间的间距进行填充,并使LED芯片1的电极10底部表面和金属基材31底部表面裸露;
S5、切割:把整片CSP灯珠切割成单个CSP灯珠封装结构,即得。
本申请提供一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,先将金属基材31和绝缘基材21贴合,然后在金属基材31上制作出预设金属图案,以及在绝缘基材上开设用于装载LED芯片1的开孔,接着在开孔中排列LED芯片1,并使LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距,再使用荧光胶膜将LED芯片1、绝缘基材21和金属基材31进行封装,使得LED芯片1的电极10底部表面和金属基材31底部表面裸露,最后切割成单个CSP灯珠封装结构,本申请通过在LED芯片1电极10侧间隔设置金属层3,通过金属层3充当LED芯片1电极10的扩展焊盘,增大了CSP的可焊接面积,可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题,提升CSP的焊接附着力和后端产品的可靠性及生产良率,同时相比于现有CSP封装结构二,本申请的CSP封装结构没有固晶焊料,可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题,解放后端产品的温度局限,适用于多次回流焊的复杂工艺。
优选的,步骤S2具体包括以下步骤:
S201、制作电路:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案;
S202、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材31表面进行表面处理以形成焊接薄膜层32;
S203、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S204、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔20。
上述实施方式,先将金属基材31制作成预设的金属图案,再将金属基材31表面处理加工焊接良好的材料以形成焊接薄膜层32,绝缘基材的表面印刷白色油墨以形成反射层22,所述白色油墨用于提高光源反射率,再在绝缘基材上开孔20用于装配LED芯片1。
另一实施方式,步骤S2具体包括以下步骤:
S211、制作电路一:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案;
S212、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S213、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔;
S214、制作电路二:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案;
S215、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材31表面进行表面处理以形成焊接薄膜层32。
上述实施方式,先将金属基材31分隔成间隔的金属图案电路一,使其形成预成型金属层,然后在绝缘基材的表面印刷白色油墨以形成反射成,所述白色油墨用于提高光源反射率,再在绝缘基材上开孔20用于装配LED芯片1,接着将金属基材31制作成预设的金属图案电路二,以在预成型金属层上再次加工开孔形成间隔的第一金属层301和第二金属层302,第二次制作电路的目的是加工孔位要基于步骤S213的切割孔位而定,使得制作的金属图案更精确跟LED电极能形成预定的间距,最后在金属基材31表面处理加工焊接良好的材料以形成焊接薄膜层32。
优选的,所述焊接薄膜层32的材料为金、银、铜或锡等焊接良好的材料,厚度为0.001微米至5微米,采用化学镀、电镀、喷锡、沉金、溅射等工艺设于金属层3表面所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面处于同一水平线上。所述的金属层的焊接面与LED芯片1电极10的焊接面在同一水平线上,在金属层作为扩展焊盘时,便于将LED芯片1电极10和金属层之间进行焊接,相比于现有结构二采用支架作为扩展焊盘,本申请的优势是结构简单、体积小,不需使用固晶焊料。
优选的,步骤S2中,开孔20尺寸的长宽比LED芯片1尺寸的长宽各大0.5微米至80微米,LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距大于0.5微米、小于80微米,当距离小于0.5微米时容易造成电迁移,影响产品性能,当距离大于80微米时,会提高LED芯片1电极10和金属基材31之间焊接难度,所述金属基材31与所述电极10之间的间距由所述荧光胶4填充,通过荧光胶4封装,使得金属基材31与LED芯片1电极10之间有间距。
优选的,步骤S2中,所述的金属基材31的材质为单材质材料或合金材料,所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡,厚度为的厚度为1微米至100微米,当厚度小于1微米时会导致厚度过薄焊接效果差,当厚度超过100微米时导致厚度过厚增大结构了体积,更优选10微米至40微米,通过金属层3充当LED芯片1电极10的扩展焊盘。
优选的,所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构,厚度为8微米至25微米,用于充当金属层3加工载体,同时绝缘载体层2上开设有开孔20,LED芯片1装配在开孔内,且LED芯片1和金属层3之间具有间距。
优选的,步骤S4中,荧光胶4为混有荧光粉的封装胶,所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂,所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料,所述的荧光粉在荧光胶4内的重量占比为20%至75%。
优选的,LED芯片1的电极10包括间隔设置的第一电极101和第二电极102;预设金属图案包括间隔设置的第一金属层301和第二金属层302,且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧,所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧,第一金属层301和第二金属层302用于分别充当第一电极101和第二电极102的扩展焊盘,第一电极101和第二电极102对称设置,均层相对的“匚”型。
所述的LED芯片1为倒装LED芯片,至少包含电极层及非电极层。所述的电极层为含有金、银、铬、铝、铂、钯等一种或多种金属的单一金属或合金,所述的电极层可以为单一金属或合金结构,也可以为多层金属或合金层的组合。所述的电极层用于焊接,使LED芯片1与整个电路形成电气连接。所述的非电极层至少包含发光层,优选的非电极层包含绝缘层、反射层、发光层、衬底。所述的绝缘层一般为二氧化硅、二氧化钛的单层或多层结构。所述的反射层一般为金层、银层或二氧化硅与二氧化钛的交替多层结构。所述的发光层为掺杂的外延层,优选的,所述的外延层为氮化镓。所述的衬底一般为蓝宝石、硅或碳化硅。
实施例2:
如图3-13所示,一种CSP灯珠封装结构,包括LED芯片1、绝缘载体层2、金属层3和荧光胶4;LED芯片1底部设有电极10;绝缘载体层2设于所述LED芯片1周侧;金属层3设于所述绝缘载体层2底部,并与所述电极10具有间距;荧光胶4封装所述LED芯片1、绝缘载体层2和所述金属层3,并使所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面裸露,通过在LED芯片周侧设置绝缘载体层,绝缘载体层底部设置有与LED芯片电极具有间距的金属层,通过荧光胶将LED芯片、绝缘载体层和金属层进行封装,本申请通过在LED芯片电极侧间隔设置金属层,可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘,增大了CSP的可焊接面积,可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题,提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率,同时相比于现有CSP封装结构二,本申请的CSP封装结构没有固晶焊料,可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题,解放后端产品的温度局限,适用于多次回流焊的复杂工艺。
优选的,所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面处于同一水平线上。所述的金属层的焊接面与LED芯片电极的焊接面在同一水平线上,在金属层作为扩展焊盘时,便于将LED芯片电极和金属层之间进行焊接,相比于现有结构二采用支架作为扩展焊盘,本申请的优势是结构简单、体积小,不需使用固晶焊料。
优选的,所述电极10与所述金属层3之间的间距大于0.5微米、小于80微米;当距离小于0.5微米时容易造成电迁移,影响产品性能,当距离大于80微米时,会提高LED芯片电极和金属层之间焊接难度。
优选的,所述金属层3与所述电极10之间的间距由所述荧光胶4填充,通过荧光胶封装,使得金属层与LED芯片电极层之间有间距。
优选的,所述的金属层3包含一层或多层金属基材31,所述的金属基材31为单材质材料或合金材料,所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡,所述的金属层3的厚度为的厚度为1微米至100微米,当厚度小于1微米时会导致厚度过薄焊接效果差,当厚度超过100微米时导致厚度过厚增大结构了体积,更优选10微米至40微米,可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘。
优选的,所述金属基材31的底部表面还设有焊接薄膜层32,所述焊接薄膜层32的材料为金、银、铜或锡等焊接良好的材料,所述焊接薄膜层32的厚度为0.001微米至5微米,采用化学镀、电镀、喷锡、沉金、溅射等工艺设于金属层表面,用于焊接。
优选的,所述绝缘载体层2包含一层或多层绝缘基材21,所述绝缘基材21为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构,所述绝缘载体层2的厚度为8微米至25微米,用于充当金属层加工载体,同时绝缘载体层上开设有开孔20,LED芯片装配在开孔内,且LED芯片和金属层之间具有间距。
优选的,所述绝缘载体层2与所述荧光胶4的接触面设有反射层22,所述反射层22为白色油墨,所述反射层22的厚度为0.05微米至15微米,所述白色油墨用于提高光源反射率。
优选的,所述电极10包括间隔设置的第一电极101和第二电极102;所述金属层3包括间隔设置的第一金属层301和第二金属层302,且所述第一金属层301间隔设于所述第一电极101周侧,所述第二金属层302间隔设于所述第二电极102周侧。第一金属层301和第二金属层302用于分别充当第一电极101和第二电极102的扩展焊盘,第一电极101和第二电极102对称设置,均呈相对的“匚”型。
所述的LED芯片为倒装LED芯片,至少包含电极层及非电极层。所述的电极层为含有金、银、铬、铝、铂、钯等一种或多种金属的单一金属或合金,所述的电极层可以为单一金属或合金结构,也可以为多层金属或合金层的组合。所述的电极层用于焊接,使LED芯片与整个电路形成电气连接。所述的非电极层至少包含发光层,优选的非电极层包含绝缘层、反射层、发光层、衬底。所述的绝缘层一般为二氧化硅、二氧化钛的单层或多层结构。所述的反射层一般为金层、银层或二氧化硅与二氧化钛的交替多层结构。所述的发光层为掺杂的外延层,优选的,所述的外延层为氮化镓。所述的衬底一般为蓝宝石、硅或碳化硅。
所述的荧光胶为混有荧光粉的封装胶。所述的封装胶一般为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料,优选的材料为硅胶。所述的荧光粉一般为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物等一种或多种材料。所述的荧光粉一般在荧光胶内的重量占比为0%至90%,优选的比例为20%至75%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供金属基材和绝缘基材,并将两者贴合;
S2、在金属基材上制作出预设金属图案,在绝缘基材上开孔;
S3、在开孔中排列LED芯片,并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距;
S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装,荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充,并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露;
S5、切割成单个CSP灯珠封装结构,即得。
2.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:步骤S2具体包括以下步骤:
S201、制作电路:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S202、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层;
S203、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S204、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔。
3.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:步骤S2具体包括以下步骤:
S211、制作电路一:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S212、印刷:通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨;
S213、开孔:采用激光切割在绝缘基材上开孔;
S214、制作电路二:通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案;
S215、表面处理:采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。
4.根据权利要求2或3所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡,厚度为0.001微米至5微米。
5.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:步骤S2中,开孔尺寸的长宽比LED芯片尺寸的长宽各大0.5微米至80微米;
LED芯片的电极与金属基材之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
6.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:步骤S2中,所述的金属基材的材质为单材质材料或合金材料,所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡,厚度为1微米至100微米。
7.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构,厚度为8微米至25微米。
8.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:步骤S4中,荧光胶为混有荧光粉的封装胶,所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂,所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料,所述的荧光粉在荧光胶内的重量占比为20%至75%。
9.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺,其特征在于:LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极;
预设金属图案包括间隔设置的第一金属层和第二金属层,且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧,所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
10.一种CSP灯珠封装结构,其特征在于:包括:
LED芯片,其底部设有电极,所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极;
绝缘载体层,其设于所述LED芯片周侧;
金属层,其设于所述绝缘载体层底部,包括间隔设置的第一金属层和第二金属层,且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧,所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧,所述电极底部表面和所述金属层底部表面处于同一水平线上;
荧光胶,其封装所述LED芯片、所述绝缘载体层和所述金属层,并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露。
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