CN113373405A - 蒸镀掩模组件的制作方法 - Google Patents

蒸镀掩模组件的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113373405A
CN113373405A CN202110211100.9A CN202110211100A CN113373405A CN 113373405 A CN113373405 A CN 113373405A CN 202110211100 A CN202110211100 A CN 202110211100A CN 113373405 A CN113373405 A CN 113373405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
mask
resist
manufacturing
deposition mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110211100.9A
Other languages
English (en)
Inventor
松本优子
西之原拓磨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Publication of CN113373405A publication Critical patent/CN113373405A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供用于以高效率、高成品率、低成本制作蒸镀掩模组件的制作方法。该蒸镀掩模组件的制作方法包括:在支承基板上形成具有多个第1开口的蒸镀掩模的步骤;形成覆盖多个第1开口的第1抗蚀剂掩模的步骤;将具有第2开口的第2抗蚀剂掩模,以第1抗蚀剂掩模从第2开口露出的方式形成在第1抗蚀剂掩模上的步骤;将具有窗的支承架,以窗与多个第1开口重叠的方式配置在支承基板上的步骤;和使用镀敷法形成将蒸镀掩模和支承架固定在一起的连接部的步骤。

Description

蒸镀掩模组件的制作方法
技术领域
本发明的实施方式之一涉及蒸镀掩模组件的制作方法。
背景技术
作为平板型显示装置的一个例子,可举出液晶显示装置或有机电致发光显示装置。这些显示装置都是包含绝缘体、半导体、导体等各种材料的薄膜被层叠在基板上而成的构造体,这些薄膜通过适当地图案化、连接,能够表现出作为显示装置的功能。
形成薄膜的方法大致分为气相法、液相法、固相法。气相法分为物理气相法和化学气相法,作为前者的代表例,已知一种蒸镀敷法。蒸镀敷法中的最简便的方法是真空蒸镀敷法,通过在高真空下加热材料,使材料升华或蒸发(以下将升华和蒸发统称为气化)而生成材料的蒸气,通过使该蒸气在目的区域(以下称为蒸镀区域)固化、沉积,能够得到材料的薄膜。这时,为了在蒸镀区域有选择地形成薄膜,且在其以外的区域(以下称为非蒸镀区域)不沉积材料,使用物理地将非蒸镀区域遮蔽的掩模(参照专利文献1、2)。该掩模被称为蒸镀掩模等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-87840号公报。
专利文献2:日本特开2013-209710号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明实施方式的一个目的在于,提供一种蒸镀掩模组件的制作方法。例如,本发明实施方式的一个目的在于,提供一种用于以高效率、高成品率、低成本地制造蒸镀掩模组件的方法。
用于解决问题的技术手段
本发明的实施方式的一个是制作蒸镀掩模组件的方法。该方法包括:在支承基板上形成具有多个第1开口的蒸镀掩模的步骤;形成覆盖多个第1开口的第1抗蚀剂掩模的步骤;将具有第2开口的第2抗蚀剂掩模,以第1抗蚀剂掩模从第2开口露出的方式形成在第1抗蚀剂掩模上的步骤;将具有窗的支承架,以窗与多个第1开口重叠的方式配置在支承基板上的步骤;和使用镀敷法形成将蒸镀掩模和支承架固定在一起的连接部的步骤。
本发明的实施方式的一个是制作蒸镀掩模组件的方法。该方法包括:在支承基板上形成具有多个第1开口的蒸镀掩模的步骤;在蒸镀掩模上形成抗蚀剂掩模的步骤;将抗蚀剂掩模加工成具有与多个第1开口重叠的薄膜区域和包围薄膜区域的厚膜区域的步骤;将具有窗的支承架,以窗与薄膜区域和厚膜区域重叠的方式配置在支承基板上的步骤;和使用镀敷法形成将蒸镀掩模和支承架固定在一起的连接部的步骤。
本发明的实施方式的一个是制作蒸镀掩模组件的方法。该方法包括:在支承基板上形成分别具有多个第1开口的多个蒸镀掩模的步骤;以覆盖各自对应的蒸镀掩模的多个第1开口的方式,形成与多个蒸镀掩模分别对应的多个第1抗蚀剂掩模的步骤;将与多个第1抗蚀剂掩模分别对应且各自具有第2开口的多个第2抗蚀剂掩模,以对应的第1抗蚀剂掩模从第2开口露出的方式,形成在分别对应的第1抗蚀剂掩模上的步骤;将具有与多个第1抗蚀剂掩模和多个第2抗蚀剂掩模对应的多个窗的支承架,以窗分别对应的第1抗蚀剂掩模与第2抗蚀剂掩模重叠的方式配置在支承基板上的步骤;和使用镀敷法形成将多个蒸镀掩模和支承架固定在一起的连接部的步骤。
根据本发明,能够以高效率、高成品率、低成本地制造蒸镀掩模组件。
附图说明
图1A是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件能够应用的蒸镀装置的示意俯视图。
图1B是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件能够应用的蒸镀装置的示意侧视图。
图2是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件的示意俯视图。
图3是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件的示意剖视图。
图4A是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件的示意剖视图。
图4B是用本发明的实施方式的一个方法制作的蒸镀掩模组件的示意剖视图。
图5A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图5B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图5C是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图6A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图6B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图和俯视图。
图7A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图7B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意俯视图。
图8是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图9A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图9B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图9C是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图10A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图10B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图11是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意俯视图。
图12A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图12B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图12C是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图13A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图13B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图13C是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图14A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图14B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图15A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图15B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图16A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图16B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图17A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图17B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图18A是表示以往的制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图18B是表示以往的制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图19A是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
图19B是表示本发明的实施方式的一个制作蒸镀掩模组件的方法的示意剖视图。
附图标记的说明
100:蒸镀掩模组件,102:蒸镀掩模,102a:开口,102b:开口组,104-1:第1槽,104-2:第2槽,106:伪图案,106-1:第1伪图案,106-2:第2伪图案,110:支承架,110a:窗,110b:侧面,112:金属板,120:连接部,120a:镀层,130:支承基板,132:剥离层,134:抗蚀剂掩模,136:第1抗蚀剂膜,136a:曝光部,136b:未曝光部,138:第2抗蚀剂膜,140:抗蚀剂,142:粘接剂,144:第1抗蚀剂掩模,146:第2抗蚀剂掩模,146a:开口,148:抗蚀剂掩模,149:保护膜,150:第1光掩模,150a:遮光部,150b:透光部,152:第2光掩模,152a:遮光部,152b:透光部,156:第3光掩模,156a:遮光部,156b:透光部,160:蒸镀腔室,162:负载锁定门,164:蒸镀源,166:开闭件,168:移动机构,170:保持件,180:基板,190:抗蚀剂膜,191:半色调掩模,191a:开口部,191b:遮光部,191c:半色调部,194:薄膜区域,196:厚膜区域,198:抗蚀剂掩模。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。但是,本发明可在不脱离其主旨的范围内以各种方式实施,不限定于以下例示的实施方式记载的内容来解释。
为了更明确地进行说明,附图与实际形态相比,有时示意地表示各部的宽度、厚度、形状等,但这些仅仅是一例,并不限定本发明的解释。在本说明书和各图中,往往在与利用现有图进行了说明的要素具有同样功能的要素上标注相同的符号,省略重复的说明。
在本说明书及权利要求书中,在表达在某构造体上配置其他构造体的形态时,在简单地表述为“在上方”的情况下,只要没有特别说明,就包含以与某构造体接触的方式在正上方配置其他构造体的情况和在某构造体的上方还隔着另外的构造体而配置其他构造体的情况双方。
以下,“某构造体从其他构造体露出”之类的表达是指某构造体的一部分未被其他构造体覆盖的形态,该未被其他构造体覆盖的部分还包含被另外的构造体覆盖的形态。
下面,对本发明的实施方式之一的蒸镀掩模组件100的制作方法进行说明。
1.蒸镀装置
在通过蒸镀敷法来形成有机化合物、无机化合物、或包含有机化合物和无机化合物的膜时,利用本制作方法制作的蒸镀掩模组件100能够用于在目的蒸镀区域有选择地形成膜。图1A和图1B表示基于蒸镀的膜形成时所使用的典型蒸镀装置的示意俯视图和侧视图。蒸镀装置由具有各种功能的多个腔室构成。腔室之一是图1A所示的蒸镀腔室160,蒸镀腔室160通过负载锁定门162与相邻的腔室隔开,构成为内部维持高真空的减压状态、或充满氮气或氩气等不活泼气体的状态。因此,未图示的减压装置或吸排气机构等与蒸镀腔室160连接。
蒸镀腔室160提供可收纳基板等形成膜的对象物的空间。在图1A、图1B所示的例子中,在基板180的下方配置有蒸镀源164,在蒸镀源164中填充有要蒸镀的材料。在蒸镀源164中,材料被加热而气化,当材料的蒸气经由蒸镀掩模组件100的开口102a(后述)到达基板180的表面时就被冷却而固化,材料沉积并在基板180上(在图1B中,基板180的下侧的面上)提供材料的膜。在图1A所示的例子中,具备具有大致长方形的形状且沿着基板180的一个边配置的蒸镀源164(也称为线源),但蒸镀源164可具有任意的形状,也可以是与基板180的重心重叠那样的被称为所谓点源的蒸镀源164。在点源的情况下,基板180和蒸镀源164的相对位置是固定的,也可以设置用于使基板180旋转的机构。
在使用线源型蒸镀源164的情况下,蒸镀腔室160以基板180和蒸镀源164相对移动的方式构成。在图1A中,图示的是蒸镀源164被固定且基板180在其上移动的例子。如图1B所示,在蒸镀腔室160内还具备用于保持基板180和蒸镀掩模组件100的保持件170、用于使保持件170移动的移动机构168、开闭件166等。通过保持件170,能够维持基板180和蒸镀掩模组件100的相互位置关系,通过移动机构168,能够使基板180和蒸镀掩模组件100在蒸镀源164上移动。开闭件166为了屏蔽材料的蒸气或容许其到达基板180而设置在蒸镀源164上,由未图示的控制装置控制开闭。虽然未图示,但在蒸镀腔室160内具备用于监测材料的蒸镀速度的传感器、用于防止材料的污染的防附着板、用于监测蒸镀腔室160内的压力的压力计等。
2.蒸镀掩模组件
图2表示蒸镀掩模组件100的俯视示意图,图3表示沿着图2的点划线A-A′的剖面示意图。蒸镀掩模组件100具有至少一个或多个蒸镀掩模102。在下面的说明中,使用一个蒸镀掩模组件100具有多个蒸镀掩模102的例子进行说明。
各蒸镀掩模102具备贯通蒸镀掩模102的多个开口102a。将各蒸镀掩模102中的开口102a以外的区域称为非开口部。非开口部包围开口102a。蒸镀掩模组件100还具有在非开口部经由连接部120与蒸镀掩模102连接的支承架110。连接部120包围多个开口102a,且在非开口部与支承架110和蒸镀掩模102接触。
在蒸镀时,以蒸镀区域与开口102a重叠且非蒸镀区域与非开口部重叠的方式配置蒸镀掩模组件100和基板180,材料的蒸气穿过开口102a,在蒸镀区域上沉积材料。多个开口102a的配置不受制约,但例如分别在显示装置的设置于显示区域的多个像素形成膜的情况下,多个开口102a设置为与基板180上的设有像素的区域重叠。因此,在多个像素排列成矩阵状的情况下,多个开口102a也排列成矩阵状。在使用一个蒸镀掩模组件100制造多个显示装置的情况下,在被称为母玻璃的大型基板180上形成多个显示装置的显示区域。在这种情况下,多个开口102a以形成分别与多个显示区域对应的多个开口组102b的方式设置。相邻开口组102b间的距离比各开口组102b的相邻开口102a间的距离大。
支承架110具有至少一个窗110a(图3)。在以形成多个开口组102b的方式设置开口102a的情况下,至少一个窗110a也可以包含多个窗110a。各窗110a以与蒸镀掩模102的多个开口102a重叠的方式设置。即,多个开口102a从支承架110经由任一个窗110a而露出。换言之,各开口组102b也从支承架110经由任一个窗110a而露出。支承架110的一部分在相邻的开口组102b之间与连接部120接触。
图4A表示被相邻的窗110a夹着的区域Ra,图4B表示蒸镀掩模组件100的端部的区域Rb的示意剖视图。如图4A所示,支承架110与蒸镀掩模102不直接接触,经连接部120与蒸镀掩模102连接。支承架110也可以与蒸镀掩模102的一部分重叠,但是这里没有图示。区域Rb也同样,如图4B所示,支承架110与蒸镀掩模102不直接接触,经连接部120与蒸镀掩模102连接。在该区域Rb,支承架110也可以与蒸镀掩模102的一部分重叠。
如图4A、图4B所示,优选连接部120与支承架110的上表面不接触。换言之,连接部120优选与支承架110的上表面相隔离。蒸镀掩模组件100的制作方法在后面叙述,通过使连接部120与支承架110的上表面相隔离,能够防止隔着支承架110相邻的连接部120被一体化而对支承架110产生变形,能够使蒸镀掩模组件100的形状稳定化。在图4A、图4B中,连接部120的最上层与支承架110的上表面位于同一平面上,但是连接部120的最上层也可以低于支承架110的上表面。即,连接部120的最上层也可以位于支承架110的上表面与蒸镀掩模102之间。
蒸镀掩模102、连接部120包含镍、铜、钛、铬等零价的金属,优选包含镍。蒸镀掩模102与连接部120的材料的组成可以彼此相同。支承架110也包含零价的金属,作为金属,能够从镍、铁、钴、铬、锰等选择。例如,支承架110可以是包含铁和铬的合金,或铁、镍、锰的合金,或在合金中包含碳。
3.蒸镀掩模组件的制作方法
使用图5A~图17B说明蒸镀掩模组件100的制作方法的一例。
3-1.蒸镀掩模的形成
首先,在设置了剥离层132的支承基板130上,形成抗蚀剂掩模134。支承基板130是具有在形成蒸镀掩模组件100时保持蒸镀掩模102、支承架110的功能的基板,包含玻璃、石英、塑料,或铜、铝、钛、铁、镍、钴、铬、钼、锰等金属,或它们的合金。在蒸镀掩模102包含合金的情况下,合金例如可以是包含铁和铬的合金,也可以是铁、镍和锰的合金,也可以在合金中包含碳。在使用包含玻璃、石英、塑料的基板的情况,也可以使用形成了上述的金属、合金的膜的基板。如后所述,蒸镀掩模102、连接部120使用电解镀敷法或无电解镀敷法(下面将它们总称为镀敷法)形成。在使用电解镀敷法的情况下,作为支承基板130,优选使用能够作为供电时的电极发挥作用的金属基板或合金基板。剥离层132是用于促进形成在支承基板130上的蒸镀掩模组件100从支承基板剥离的功能层,例如能够使用镍、钼、钨等的金属薄膜。剥离层132例如以使得厚度为20μm以上200μm以下、或40μm以上150μm以下的方式,利用镀敷法、溅射法或化学气相沉积(CVD)法形成即可。
抗蚀剂掩模134设置为岛状。即,在形成多个开口102a和后述的伪图案106的区域有选择地形成。例如,以将负型光抗蚀剂涂覆在剥离层132上,有选择地对形成多个开口102a和伪图案106的区域进行曝光的方式,隔着光掩模进行曝光。或者,以将正型的光抗蚀剂涂覆在剥离层132上,有选择地对非开口部进行曝光的方式,隔着光掩模进行曝光。之后,进行显影,得到被图案化后的抗蚀剂掩模134(图5A)。其中,关于抗蚀剂掩模134的形成,优选还形成在剥离层132的外缘部,以使剥离层132能够容易从蒸镀掩模组件100剥离。
接着,利用镀敷法,在没有被抗蚀剂掩模134覆盖的区域形成镀敷图案,以形成蒸镀掩模102(图5B)。镀敷图案的形成可以在一个阶段进行,还可以分多个阶段进行。在多个阶段进行的情况下,也可以按照在不同的阶段形成不同的金属的方式进行镀敷。此外,镀敷也可以按照镀敷图案的上表面比抗蚀剂掩模134的上表面低的方式进行,还可以按照比其高的方式进行。在后者的情况下,也可以通过表面抛光进行镀敷图案上表面的平坦化。之后,通过基于剥离液的蚀刻和/或灰化来去除抗蚀剂掩模134,形成具有多个开口102a的蒸镀掩模102(图5C)。
如图6A的示意剖视图所示,在相邻的窗110a之间的区域Ra,在形成蒸镀掩模102的同时,在剥离层132上形成伪图案(下面称为第1伪图案)106-1。在第1伪图案106-1与蒸镀掩模102之间形成有槽(下面称为第1槽)104-1,利用该第1槽104-1使第1伪图案106-1与蒸镀掩模102相隔离。因此,如图6B的俯视示意图所示,一个第1伪图案106-1以包围一个蒸镀掩模102的方式设置。由于第1伪图案106-1和蒸镀掩模102被同时形成,因此它们彼此能够具有相同的组成和厚度。
蒸镀掩模组件100的端部的区域Rb也同样,如图7A所示,在形成蒸镀掩模102的同时,在剥离层132上形成伪图案(下面称为第2伪图案)106-2。在第2伪图案106-2与蒸镀掩模102之间形成有槽(下面称为第2槽)104-2,利用该第2槽104-2使第2伪图案106-2与蒸镀掩模102相隔离。如图7B的俯视示意图所示,第2伪图案106-2以包围多个蒸镀掩模102的方式设置。由于第2伪图案106-2和蒸镀掩模102也被同时形成,因此它们彼此也能够具有相同的组成和厚度。
3-2.开口的保护
如后所述,在蒸镀掩模102上配置支承架110,之后通过镀敷法形成连接部120,将蒸镀掩模102和支承架110彼此固定在一起。因此,为了防止在形成连接部120时在开口102a镀上金属,使用多个抗蚀剂掩模保护开口102a。
具体而言,如图8所示,首先,以覆盖多个蒸镀掩模102的方式配置膜状的抗蚀剂(下面称为第1抗蚀剂膜)136。第1抗蚀剂膜136以覆盖多个蒸镀掩模102的全部开口102a以及包括第1伪图案106-1和第2伪图案106-2的伪图案106的方式配置。
接着,对第1抗蚀剂膜136进行曝光。使用图9A~图9C对区域Ra中的曝光的详情进行说明。首先,在配置了第1抗蚀剂膜136的支承基板130(参照图9A)上,配置具有遮光部150a和透光部150b的第1光掩模150。第1光掩模150配置成:第1抗蚀剂膜136中的与蒸镀掩模102的开口102a重叠的部分以及蒸镀掩模102的非开口部的一部分被曝光,第1伪图案106-1和蒸镀掩模102的非开口部的另一部分不被曝光。即,配置成透光部150b与蒸镀掩模102的开口102a及非开口部的一部分重叠,遮光部150a与第1伪图案106-1及非开口部的另一部分重叠(图9B)。
第1抗蚀剂膜136为负型的抗蚀剂,包含因光而固化的高分子或低聚物。曝光部136a相对于显影液的溶解性大幅度下降,能够在后述的显影后使曝光部残留。另一方面,未曝光部136b通过显影被去除。第1抗蚀剂膜136的厚度能够任意选择,例如从20μm以上100μm以下、30μm以上100μm以下、和50μm以上70μm以下的范围中选择即可。
接着,在对第1抗蚀剂膜136进行显影前,将第2抗蚀剂膜138配置在曝光了的第1抗蚀剂膜136上(图9C)。接着,在第2抗蚀剂膜138上配置具有与第1光掩模150不同的图案的第2光掩模152,隔着第2光掩模152对第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138进行曝光。这里,第2光掩模152以透光部152b与第1抗蚀剂膜136的曝光部136a重叠、并且与上述的蒸镀掩模102的非开口部的一部分重叠的方式构成。此外,遮光部152a以与多个蒸镀掩模102的开口102a、第1伪图案106-1、及蒸镀掩模102的非开口部的另一部分重叠的方式设置。但是,透光部152b也可以与多个开口102a的一部分重叠。因此,第2抗蚀剂膜138的与开口102a全部或大部分重叠的部分、以及与第1伪图案106-1重叠的部分为未曝光部,与上述蒸镀掩模102的非开口部的一部分重叠的部分为曝光部。
第2抗蚀剂膜138也为负型的抗蚀剂,包含因光而固化的高分子或低聚物。第2抗蚀剂膜138的厚度也能够任意选择,例如从20μm以上100μm以下、30μm以上100μm以下、和50μm以上70μm以下的范围选择即可。
之后,同时对第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138进行显影。由此,第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138分别形成多个第1抗蚀剂掩模144和多个第2抗蚀剂掩模146。多个第1抗蚀剂掩模144分别与对应的一个蒸镀掩模102重叠,覆盖该蒸镀掩模102的开口102a的全部。但是,多个第1抗蚀剂掩模144都不覆盖第1伪图案106-1。即,第1伪图案106-1从第1抗蚀剂掩模144露出。另一方面,第2抗蚀剂掩模146与第1抗蚀剂掩模144接触,以夹着在相邻的2个第1抗蚀剂掩模144间露出的第1伪图案106-1的方式设置。在以透光部152b与多个开口102a的一部分重叠的方式配置第2光掩模152的情况下,第2抗蚀剂掩模146与多个开口102a的一部分重叠(图10B)。
因此,在关注一个蒸镀掩模102的情况下,如图11的俯视示意图所示,第1抗蚀剂掩模144与多个开口102a或多个开口组102b重叠。第2抗蚀剂掩模146具有与多个开口102a或多个开口组102b重叠的开口146a,第1抗蚀剂掩模144在该开口146a露出(参照图10A)。第1伪图案106-1在俯视时包围第1抗蚀剂掩模144、第2抗蚀剂掩模146,第1槽104-1介于之间地与第1抗蚀剂掩模144、第2抗蚀剂掩模146相隔离。如图10A、图10B、图11所示,蒸镀掩模102的一部分从第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146露出。如后所述,通过在该露出部分之上形成连接部120,将支承架110和蒸镀掩模102接合。
关于区域Rb中的曝光,使用图12A~图12C的截面示意图进行说明。在该区域Rb中,第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146的曝光也与区域Ra同样地使用不同的光掩模进行。即,首先,隔着第1光掩模150对第1抗蚀剂膜136进行曝光。第1光掩模150以透光部150b与蒸镀掩模102的开口102a及非开口部的一部分重叠、遮光部150a与第2伪图案106-2及蒸镀掩模102的非开口部的另一部分重叠的方式构成(图12A)。
在第2抗蚀剂膜138的曝光中使用的第2光掩模152,以透光部152b与第1抗蚀剂膜136的曝光部136a重叠,并且与蒸镀掩模102的非开口部的上述一部分重叠的方式构成。此外,遮光部152a以与多个蒸镀掩模102的开口102a、第2伪图案106-2及蒸镀掩模102的非开口部的上述另一部分重叠的方式设置(图12B)。但是,透光部152b也可以与多个开口102a的一部分重叠。因此,第2抗蚀剂膜138中,与开口102a的全部或大部分重叠的部分、与第2伪图案106-2重叠的部分、及与蒸镀掩模102的非开口部的另一部分重叠的部分为未曝光部,与第2伪图案106-2的上述一部分重叠的部分为曝光部。
因此,通过同时对第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138进行显影,如图12C所示,第2伪图案106-2和蒸镀掩模102的非开口部的上述另一部分从第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146露出。第1抗蚀剂掩模144覆盖开口102a和蒸镀掩模102的非开口部的上述一部分。另一方面,第2抗蚀剂掩模146与第1抗蚀剂掩模144及蒸镀掩模102的非开口部的上述一部分重叠。但是,第2抗蚀剂掩模146也可以与开口102a的一部分重叠。如后所述,在蒸镀掩模102从第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146露出的部分形成连接部120,由此将蒸镀掩模102和支承架110。
通过至此为止的工序,能够形成覆盖全部开口102a的第1抗蚀剂掩模144和与第1抗蚀剂掩模144的一部分重叠的第2抗蚀剂掩模146。
3-3.支承架的制作
支承架110能够通过对金属板112进行蚀刻加工而形成。具体而言,在包含镍、铁、钴、铬、锰等金属或合金的金属板112上形成抗蚀剂140,隔着光掩模(下面称为第3光掩模)156进行曝光(图13A),通过接着的显影形成抗蚀剂掩模148(图13B)。抗蚀剂140可以是液体的抗蚀剂,也可以是膜状的抗蚀剂。此外,抗蚀剂140可以是负型也可以正型。在为负型的情况下,如图13A所示,以在形成支承架110的区域重叠透光部156b,在通过蚀刻而去除的区域、即形成窗110a的区域重叠遮光部156a的方式,设计并配置第3光掩模156即可。之后,通过显影去除被抗蚀剂掩模148覆盖的区域以外的部分,由此能够得到支承架110(图13C)。抗蚀剂掩模148在之后通过剥离液和/或灰化而去除。
3-4.支承架的配置和接合部的形成
接着,将支承架110配置在支承基板130上。具体而言,以与第1伪图案106-1及第2伪图案106-2重叠的方式,隔着剥离层132将蒸镀掩模102配置在支承基板130上(图14A,图15A)。即,以一个窗110a不仅与多个开口102a,而且与一个第1抗蚀剂掩模144及一个第2抗蚀剂掩模146重叠的方式配置支承架110。此时,也可以在支承架110设置粘接剂142,利用粘接剂142将支承架110粘接于第1伪图案106-1和第2伪图案106-2上。作为粘接剂142,例如可以是丙烯酸系粘接剂、环氧系粘接剂,或者也可以使用与第1抗蚀剂膜136、第2抗蚀剂膜138相同的抗蚀剂膜。在使用抗蚀剂膜的情况下,其厚度可以比第1抗蚀剂膜136、第2抗蚀剂膜138的厚度小。具体而言,能够从1μm以上20μm以下、以及1μm以上10μm以下的范围选择作为粘接剂142的抗蚀剂膜的厚度。在使用抗蚀剂膜作为粘接剂的情况下,为了维持粘接力,抗蚀剂膜也可以不曝光。
其中,作为任意的结构,也可以在支承架110的上表面形成保护膜149(图14A、图15A)。作为保护膜149,使用与第1抗蚀剂膜136、第2抗蚀剂膜138相同的抗蚀剂膜即可。在此情况下,可以对抗蚀剂膜进行曝光,也可以不曝光。通过形成保护膜149,在通过接着进行的镀敷来形成连接部120时,能够在支承架110的上表面不形成连接部120,防止相邻的蒸镀掩模102被连接部120直接连结。
之后,使用镀敷法来形成连接部120。连接部120主要从支承架110以及蒸镀掩模102的非开口部中的从第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146露出了的部分生长,其结果是,如图14B、图15B所示,形成与蒸镀掩模102的非开口部的上表面、以及构成支承架110的窗110a的侧面110b接触的连接部120。由此,能够将蒸镀掩模102和支承架110固定在一起。
在图15B的状态进行镀敷时,在支承架110的左侧、即最外周也与连接部120同时形成镀层120a。镀层120a由于在使用了蒸镀掩模组件100的蒸镀工序中位于比基板180靠外侧的位置,因此没有什么问题,但是也可以根据需要,在图15A的状态使用第1抗蚀剂掩模144或第2抗蚀剂掩模146,覆盖最外周,以不形成镀层120a。
此时,连接部120以不覆盖第2抗蚀剂掩模146的上表面的方式形成。这是因为,在连接部120覆盖第2抗蚀剂掩模146的上表面的情况下,在接着利用剥离液去除第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146时可能会发生不良。具体而言,当第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146因剥离液而膨润时,体积膨胀,由此使得在第2抗蚀剂掩模146上在连接部120产生应力,其结果是,连接部120可能会破损。通过以不覆盖第2抗蚀剂掩模146的上表面的方式形成连接部120,能够有效地抑制这样的问题不具合。
3-5.支承基板和剥离层的去除
之后,通过使用剥离液的蚀刻去除第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146(图16A、图17A)。此时,保护膜149也被去除。进而,将剥离层132和支承基板130剥离。通过在进行支承基板130和剥离层132的剥离的同时去除粘接剂142,或在支承基板130和剥离层132的剥离之后去除粘接剂142,与粘接剂142一起去除第1伪图案106-1和第2伪图案106-2(图16B、图17B)。
通过以上的工序,能够制作蒸镀掩模组件100。
如上所述,在本实施方式中,以不覆盖第2抗蚀剂掩模146的上表面的方式形成连接部120。为此,为了确保连接部120与支承架110及蒸镀掩模102接触用的充分的面积,以充分的接合强度将蒸镀掩模102固定于支承架110,需要使第1抗蚀剂掩模144和/或第2抗蚀剂掩模146为充分的厚度(例如总膜厚为100μm以上200μm以下)。
但是,在使用具有大的厚度的单个抗蚀剂膜保护开口102a的情况下,曝光时间增加,不能进行充分的曝光,其结果是,可能在生成的抗蚀剂掩模产生针孔。或者,在层叠厚度较小的两个抗蚀剂膜(例如第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138)来保护开口102a的情况下,当利用同一光掩模对这些抗蚀剂膜进行曝光时,即使对各个抗蚀剂膜个别地进行了曝光,也必然是两个抗蚀剂膜覆盖所有的开口102a(图18A)。其结果是,在形成连接部120后的抗蚀剂膜的去除工序中,剥离时间增加,并且剥离液的寿命下降。其结果是,这会引起蒸镀掩模组件100的制造成本增加。
另一方面,在为了缩短剥离时间而使用具有小膜厚的抗蚀剂掩模(例如仅使用第1抗蚀剂掩模144)的情况下,当为了获得充分的接合强度而尝试形成连接部120时,连接部120与支承架110及蒸镀掩模102的接触面积虽然能够确保,但是因较长时间的镀敷而使得连接部120的一部分延伸至第1抗蚀剂掩模144的上表面(参照图18B中的点划线椭圆)。如上所述,这样的连接部120的形成成为不良的产生原因。
但是,在本发明的实施方式的一个中,如上所述,都具有较小厚度的两个抗蚀剂掩模(第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146)为了保护各蒸镀掩模102的开口102a而设置,它们利用不同的光掩模而形成。具体而言,利用第1抗蚀剂掩模144保护开口102a,利用形状与第1抗蚀剂掩模144不同的第2抗蚀剂掩模146防止连接部120在第1抗蚀剂掩模144或第2抗蚀剂掩模146上生长。此外,第2抗蚀剂掩模146与开口102a不重叠,或仅与一部分重叠。因此,由于第2抗蚀剂掩模146的体积与第1抗蚀剂掩模144相比极小,因此能够将这些掩模以短时间一并去除,不会引起制造时间的增加、以及剥离液的寿命下降。因此,通过应用本发明的一个实施方式,能够以高效率、高成品率、低成本地制造蒸镀掩模组件。
在图9A~图9C中,关于第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146的形成,使用各自独立的第1抗蚀剂膜136和第2抗蚀剂膜138,通过两个阶段的曝光工序形成了第1抗蚀剂掩模144和第2抗蚀剂掩模146,但是例如也可以如图19A所示,通过使用了半色调掩模的曝光对具有大厚度的单个抗蚀剂膜190进行加工来形成。抗蚀剂膜190的厚度例如为100μm以上200μm以下,或者也可以为100μm以上150μm以下。
作为抗蚀剂膜190,与前述的第1抗蚀剂膜136、第2抗蚀剂膜138不同,使用正型的抗蚀剂膜。半色调掩模191具有开口部191a、遮光部191b和半色调部191c。半色调掩模191能够形成并配置成:半色调部191c与多个开口102a重叠,开口部191a与第1伪图案106-1重叠,遮光部191b与最靠近第1伪图案106-1的开口102a和第1伪图案106-1之间的区域重叠。通过隔着半色调掩模191进行曝光,在抗蚀剂膜190中,与多个开口部191a重叠的区域被从上表面至下表面地曝光。另一方面,与遮光部191b重叠的区域,保持未曝光的状态而残留,与半色调部191c重叠的区域中,仅靠近上表面一侧的部位被部分地曝光。之后通过对抗蚀剂膜190进行显影,如图19B所示,能够形成具有与多个开口102a重叠的薄膜区域194、和包围薄膜区域194的厚膜区域196的抗蚀剂掩模198。之后接着进行使用图13A说明了的工序。
作为本发明的实施方式,上述的各实施方式在不相互矛盾的范围内,能够适当地组合而实施。此外,以各实施方式的制作方法为基础,本领域技术人员进行适当工序的增加、省略或条件改变而得到的方式,只要具有本发明的主旨,都包含在本发明的范围内。
即使是与通过上述的各实施方式获得的作用效果不同的其他的作用效果,只要是根据本说明书的记载明显可知的作用效果、或本领域技术人员容易预测到的作用效果,当然认为是通过本发明而获得的作用效果。

Claims (16)

1.一种蒸镀掩模组件的制作方法,其特征在于,包括:
在支承基板上形成具有多个第1开口的蒸镀掩模的步骤;
形成覆盖所述多个第1开口的第1抗蚀剂掩模的步骤;
将具有第2开口的第2抗蚀剂掩模,以所述第1抗蚀剂掩模从所述第2开口露出的方式形成在所述第1抗蚀剂掩模上的步骤;
将具有窗的支承架,以所述窗与所述多个第1开口重叠的方式配置在所述支承基板上的步骤;和
使用镀敷法形成将所述蒸镀掩模和所述支承架固定在一起的连接部的步骤。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
所述第2抗蚀剂掩模以覆盖所述多个第1开口的一部分的方式形成。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
所述连接部的所述形成是以所述连接部与所述第2抗蚀剂掩模的上表面相隔离的方式进行的。
4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
所述支承架的上表面被第3抗蚀剂掩模覆盖,以使得所述连接部与所述上表面相隔离。
5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
所述第1抗蚀剂掩模和所述第2抗蚀剂掩模使用不同的光掩模形成。
6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
所述第1抗蚀剂掩模是通过将第1抗蚀剂膜配置在所述多个第1开口上,对所述第1抗蚀剂膜进行曝光,并对曝光后的所述第1抗蚀剂膜进行显影而形成的,
所述第2抗蚀剂掩模是通过将第2抗蚀剂膜配置在所述第1抗蚀剂膜上,对所述第2抗蚀剂膜进行曝光,并对曝光后的所述第2抗蚀剂膜进行显影而形成的,
所述第1抗蚀剂膜和所述第2抗蚀剂膜的所述显影是同时进行的。
7.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:
还包括在进行所述蒸镀掩模的形成的同时,在所述支承基板上形成包围所述蒸镀掩模且与所述蒸镀掩模相隔离的伪图案的步骤。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于:
所述支承架的所述配置是通过用第4抗蚀剂膜将所述支承架粘接在所述伪图案上来进行的。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于:
还包括去除所述第4抗蚀剂膜和所述伪图案的步骤。
10.一种蒸镀掩模组件的制作方法,其特征在于,包括:
在支承基板上形成具有多个第1开口的蒸镀掩模的步骤;
在所述蒸镀掩模上形成抗蚀剂掩模的步骤;
将所述抗蚀剂掩模加工成具有与所述多个第1开口重叠的薄膜区域和包围所述薄膜区域的厚膜区域的步骤;
将具有窗的支承架,以所述窗与所述薄膜区域和所述厚膜区域重叠的方式配置在所述支承基板上的步骤;和
使用镀敷法形成将所述蒸镀掩模和所述支承架固定在一起的连接部的步骤。
11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于:
所述蒸镀掩模在所述支承架与所述厚膜区域之间露出,
所述连接部以与所述支承架和露出的所述蒸镀掩模接触的方式形成。
12.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于:
所述连接部的所述形成是以所述连接部与所述厚膜区域的上表面相隔离的方式进行的。
13.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于:
所述薄膜区域和所述厚膜区域使用半色调掩模来形成。
14.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于:
还包括在进行所述蒸镀掩模的形成的同时,在所述支承基板上形成包围所述蒸镀掩模且与所述蒸镀掩模相隔离的伪图案的步骤。
15.如权利要求14所述的制作方法,其特征在于:
所述支承架的所述配置是通过用抗蚀剂膜将所述支承架粘接在所述伪图案上来进行的。
16.如权利要求15所述的制作方法,其特征在于:
还包括去除所述抗蚀剂膜和所述伪图案的步骤。
CN202110211100.9A 2020-03-10 2021-02-25 蒸镀掩模组件的制作方法 Pending CN113373405A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020041045A JP2021143358A (ja) 2020-03-10 2020-03-10 蒸着マスクユニットの作製方法
JP2020-041045 2020-03-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113373405A true CN113373405A (zh) 2021-09-10

Family

ID=77569623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110211100.9A Pending CN113373405A (zh) 2020-03-10 2021-02-25 蒸镀掩模组件的制作方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2021143358A (zh)
KR (1) KR20210114337A (zh)
CN (1) CN113373405A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165238A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc プラスチックパッケージ及びその製造方法
JP2009229893A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
WO2019049453A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの作製方法、および表示装置の製造方法
JP2020013838A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009087840A (ja) 2007-10-02 2009-04-23 Seiko Epson Corp 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機el素子、電子機器
JP5958804B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165238A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc プラスチックパッケージ及びその製造方法
JP2009229893A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
WO2019049453A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの作製方法、および表示装置の製造方法
JP2020013838A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021143358A (ja) 2021-09-24
KR20210114337A (ko) 2021-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007095324A (ja) 有機el表示パネルの製造方法、及びこの製造方法により製造した有機el表示パネル
JP6869253B2 (ja) マスクパターン、マスク、およびマスクの製造方法
WO2017132908A1 (en) A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming using positive/negative photoresists
CN113373405A (zh) 蒸镀掩模组件的制作方法
WO2021182072A1 (ja) メタル蒸着マスクユニットの作製方法
CN113355634B (zh) 蒸镀掩模单元的制作方法
US20210214834A1 (en) Shadow mask with tapered openings formed by double electroforming with reduced internal stresses
US20140357003A1 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
JP7332301B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN114381686A (zh) 蒸镀掩模单元及其制造方法
KR102661771B1 (ko) 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
JP2021042439A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2023006792A (ja) 蒸着マスク
JP7149196B2 (ja) 蒸着マスク
US20230036369A1 (en) Mask for deposition
CN113493893B (zh) 蒸镀掩模的制作方法
US20220195578A1 (en) Mask assembly and method of manufacturing the same
JP2023163428A (ja) 蒸着マスク
CN113445002A (zh) 蒸镀掩模的制造方法
JP2024060790A (ja) 成膜装置
JP2022157836A (ja) 蒸着マスクユニットの製造方法
JP2021038436A (ja) 蒸着マスク
CN114517282A (zh) 蒸镀掩模的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination