JP2021042439A - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 175
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
【課題】蒸着位置精度と生産性を向上した蒸着マスクを提供する。【解決手段】開口311を有するマスクパターン領域315と、マスクパターン315領域を囲み、少なくとも一つのアライメント用の孔部313を有する周辺領域317とを含むマスク本体310と、孔部313とは反対側の面に接続される保持枠330とを有し、孔部313はテーパー構造であり、開口311は孔部313に対して逆テーパ構造である蒸着マスク300。【選択図】図4
Description
本発明の一実施形態は、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。特に、本発明の実施形態の一つは、薄膜状のマスク本体を備えた蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。
表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。例えば発光素子として有機EL素子を用いる有機EL表示装置においては、各画素に有機EL素子が設けられ、有機EL素子は、アノード電極、およびカソード電極から成る一対の電極間に有機EL材料を含む層(以下、「有機EL層」という)を挟んだ構造を有している。有機EL層は、発光層、電子注入層、正孔注入層といった機能層から構成され、これらの有機材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能である。
低分子化合物を材料とする有機EL素子の薄膜の形成には、真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法においては、高真空下において蒸着材料をヒーターによって加熱することで昇華し、これを基板の表面に堆積(蒸着)させることで薄膜を形成する。このとき、多数の微細な開口パターンを備えたマスク(蒸着マスク)を用いることで、マスクの開口を介して高精細な薄膜パターンが形成される。
蒸着マスクにはその製法によって、エッチングでパターニングするファインメタルマスク(FMM)と、電鋳技術を用いるエレクトロファインフォーミングマスク(EFM)と、に分けられる。例えば、特許文献1には、高精細な開口パターンを備えたマスク部分を電鋳技術を用いて形成し、このマスク部分を電鋳技術を用いて枠体部分に固定する方法が開示されている。
特許文献1に開示される蒸着マスクは、枠体の各部分での熱による膨張量の違いを小さくすることで、熱膨張に起因する枠体の歪の発生を抑制することが開示されている。しかし、基板に対する蒸着マスクのアライメント精度が悪ければ製品の歩留まりが低下することとなる。また、蒸着マスクのアライメントに多大な時間を要すると製品の生産性が低下する。
本発明の一実施形態は、蒸着位置精度と生産性を向上した蒸着マスクを提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、開口を有するマスクパターン領域と、マスクパターン領域を囲み、少なくとも一つのアライメント用の孔部を有する周辺領域と、を含むマスク本体と、孔部とは反対側の面に接続される保持枠と、を有する。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、基板上のマスクパターン領域に対応する領域に第1のレジストパターンと、マスクパターン領域を囲む周辺領域に対応する領域に第2のレジストパターンと、を形成し、基板上に、第1のレジストパターンに対応する開口と、第2のレジストパターンに対応する孔部と、を有するマスク本体を形成し、開口を覆い、マスク本体の外周を露出する絶縁層を形成し、マスク本体の外周に保持枠を配置し、マスク本体と保持枠との間に接続部材を形成し、絶縁層を除去し、マスク本体から基板を剥離すること、を含む。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし図面に示す例は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体が配置された態様を表現する際に、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、その構造体の直上に他の構造体が配置される場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体が配置される場合と、の両方を含むものと定義される。
〈第1実施形態〉
[蒸着装置10の構成]
図1から図3を用いて、蒸着装置10の構成について説明する。蒸着装置10は、多様な機能を有する複数のチャンバを備えている。以下に示す例は、複数のチャンバのうち1つの蒸着チャンバ100を示す例である。
[蒸着装置10の構成]
図1から図3を用いて、蒸着装置10の構成について説明する。蒸着装置10は、多様な機能を有する複数のチャンバを備えている。以下に示す例は、複数のチャンバのうち1つの蒸着チャンバ100を示す例である。
図1は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。
図1に示すように、蒸着チャンバ100は、隣接するチャンバとゲートバルブ102で仕切られている。蒸着チャンバ100は、蒸着チャンバ100の内部を高真空の減圧状態、又は窒素やアルゴンなどの不活性ガスで満たされた状態に維持することができる。したがって、図示しない減圧装置やガス吸排気機構などが蒸着チャンバ100に接続される。
蒸着チャンバ100は、蒸着膜が形成される対象物を収納可能な構成を有する。以下、この対象物として板状の基板104が用いられる例について説明する。図1及び図2に示すように、基板104の下方に蒸着源112が配置される。蒸着源112は、概ね長方形の形状を有し、基板104の一つの辺に沿って配置されている。このような蒸着源112をリニアソース型という。リニアソース型の蒸着源112が用いられる場合、蒸着チャンバ100は、蒸着源112に対して基板104が相対的に移動する構成を有する。なお、図1では、蒸着源112が固定され、その上を基板104が移動する例が示されているが、逆の関係であってもよい。
蒸着源112には、蒸着される材料(以下「蒸着材料」という)が充填される。蒸着源112は、蒸着材料を加熱する加熱部122(後述する図3参照)を有する。蒸着源112の加熱部122によって蒸着材料が加熱されると、加熱された蒸着材料は気化(昇華)し、蒸気となって蒸着源112から基板104に向かう。蒸着材料の蒸気が基板104の表面へ到達すると、蒸気は冷却されて固化し、基板104の表面に蒸着材料が堆積する。このようにして基板104の上(図2では基板104の下側の面上)に蒸着材料の薄膜が形成される。
図2に示すように、蒸着チャンバ100は、基板104及び蒸着マスク300を保持するためのホルダ108、ホルダ108を移動させるための移動機構110、及び蒸着源112の上面を遮蔽するシャッタ114をさらに備える。ホルダ108によって基板104及び蒸着マスク300の互いの位置関係が維持される。移動機構110によって基板104及び蒸着マスク300が蒸着源112の上を移動する。シャッタ114は蒸着源112の上に移動可能に設けられている。シャッタ114が蒸着源112と重畳する位置に移動すると、シャッタ114は蒸着源112によって加熱された蒸着材料の蒸気を遮蔽する。シャッタ114が蒸着源112と重畳しない位置に移動すると、蒸着材料の蒸気はシャッタ114によって遮蔽されず、基板104に到達することができる。シャッタ114の開閉は、図示しない制御装置によって制御することができる。
図1および図2に示す例では、リニアソース型の蒸着源112を示したが、蒸着源112は上記の形状に限定されず、任意の形状を有することができる。例えば、蒸着源112の形状は、蒸着に用いられる材料が基板104の重心及びその付近に選択的に配置された、いわゆるポイントソース型と呼ばれる形状であってもよい。ポイントソース型の場合には、基板104と蒸着源112との相対的な位置が固定され、基板104を回転するための機構が蒸着チャンバ100に設けられる。また、図1及び図2に示す例では、基板の主面が水平面に対して平行になるように基板を配置する横型蒸着装置を示したが、基板の主面が水平面に対して垂直になるように基板を配置する縦型蒸着装置に用いることもできる。
図3は、本発明の一実施形態に係る蒸着源の断面図である。蒸着源112は、収納容器120、加熱部122、蒸着ホルダ124、メッシュ状の金属板128、及び一対のガイド板132を有する。
収納容器120は蒸着材料を保持する部材である。収納容器120として、例えば坩堝などの部材を用いることができる。収納容器120は加熱部122の内部において、取り外し可能に保持されている。収納容器120は、例えばタングステン、タンタル、モリブデン、チタン、ニッケルなどの金属、またはそれらの金属で構成される合金を含むことができる。収納容器120は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ジリコニウムなどの無機絶縁物を含むことができる。
加熱部122は蒸着ホルダ124の内部において、取り外し可能に保持されている。加熱部122は、抵抗加熱方式で収納容器120を加熱する構成を有する。具体的には、加熱部122はヒータ126を有する。ヒータ126に通電することで、加熱部122が加熱され、収納容器120内の蒸着材料が加熱されて気化する。気化した蒸着材料は、収納容器120の開口部130から収納容器120の外に放出される。開口部130を覆うように配置されたメッシュ状の金属板128は、突沸した蒸着材料が収納容器120の外に放出されることを抑制する。加熱部122及び蒸着ホルダ124は、収納容器120と同様の材料を含むことができる。
一対のガイド板132は、蒸着源112の上部に設けられる。ガイド板132の少なくとも一部は、収納容器120の側面又は鉛直方向に対して傾いている。ガイド板132の傾きによって、蒸着材料の蒸気の広がる角度(以下、射出角度という。)が制御され、蒸気の飛翔方向に指向性を持たせることができる。射出角度は二つのガイド板132のなす角度θeによって決まる。角度θeは基板104の大きさ及び蒸着源112と基板104との間の距離などによって適宜調整される。角度θeは、例えば40°以上80°以下、好ましくは50°以上70°以下である。本実施形態において、角度θeは60°である。ガイド板132の傾いた表面によって形成される面が臨界面160a、160bである。蒸着材料の蒸気は、ほぼ臨界面160a、160bに挟まれる空間を飛翔する。図示しないが、蒸着源112がポイントソースの場合、ガイド板132は円錐状に設けられてもよい。
蒸着材料はさまざまな材料から選択することができ、有機化合物又は無機化合物のいずれであってもよい。有機化合物としては、例えば発光性の材料又はキャリア輸送性の材料を用いることができる。無機化合物としては、金属、合金、又は金属酸化物などを用いることができる。一つの収納容器120に複数の材料を充填し、気化したときに複数の材料が混合するようにしてもよい。図示しないが、複数の蒸着源を用い、異なる蒸着材料を同時に蒸着できるように構成してもよい。
[蒸着マスク300の構成]
図4から図5用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの構成について説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図5に示す断面図は、図4のA−A’線に沿った断面図である。蒸着マスク300は薄膜状のマスク本体310、保持枠330、接続部材350を有する。
図4から図5用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの構成について説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図5に示す断面図は、図4のA−A’線に沿った断面図である。蒸着マスク300は薄膜状のマスク本体310、保持枠330、接続部材350を有する。
マスク本体310には、複数のマスクパターン領域315と、各マスクパターン領域315の周囲の周辺領域317と、が配置される。基板104に有機EL材料を蒸着する際には、マスク本体310の各マスクパターン領域315が、表示装置の表示領域に対応するように配置される。マスク本体310の周辺領域317は、表示装置の周辺領域に対応するように配置される。マスク本体310は、蒸着時に基板104側に位置する第1面310aと、第1面310aとは反対側の第2面310bとを有する。マスク本体310の第2面310bは、接続部材350を介して保持枠330に固定される。
各マスクパターン領域315には、マスク本体310を貫通する複数の開口311が表示装置の画素ピッチに合わせて設けられている。マスク本体310の開口311以外の領域を非開口部312という。非開口部312は各々の開口311を囲む。非開口部312は、各マスクパターン領域315において、蒸着材料を遮蔽する部分に相当する。
蒸着時には、基板104における蒸着領域(薄膜を形成すべき領域)に開口311が対応し、基板104における非蒸着領域と非開口部312が重なるように、蒸着マスク300と基板104との位置合わせが行われる。蒸着材料の蒸気は、開口311を通過して基板104に到達することにより、蒸着領域に蒸着材料が堆積して薄膜が形成される。
本実施形態において開口311の第1面310a側の開口端は、第2面310b側の開口端より小さい。すなわち、開口311は蒸着方向(第2面310bから第1面310aへのZ方向)にテーパー構造である。開口311が第1面310a(第1面310a側から第2面310b側への逆Z方向)において逆テーパー構造を有することで、蒸着材料のマスク下でのまわり込みを抑制することができる。しかしながらこれに限定されず、開口311は、第1面310a側の開口端と第2面310b側の開口端とが略同一であってもよい。開口311がこのような構造を有することで、より緻密なパターンの薄膜を蒸着することができる。
本実施形態において周辺領域317には、貫通孔である孔部313が設けられている。孔部313は、蒸着時には、後述する基板104のアライメント用スペーサが嵌合し、蒸着マスク300と基板104との位置合わせが行われる。孔部313は、アライメント用スペーサが嵌合することによってふさがれる。このため孔部313は、周辺領域317において蒸着材料を遮蔽する部分に相当する。周辺領域317の孔部313以外の領域も、非開口部312に相当する。
本実施形態において孔部313の第1面310a側の開口端は、第2面310b側の開口端より大きい。すなわち、孔部313はアライメント用スペーサの嵌入方向(第1面310a側から第2面310b側への逆Z方向)にテーパー構造である。孔部313が第1面310a(第1面310a側から第2面310b側への逆Z方向)においてテーパー構造を有することで、孔部313とアライメント用スペーサとが嵌合しやすく、マスク本体310と基板104との位置を整合しやすい。また、アライメント用スペーサが同様の構造を有することで、マスク本体310と基板104との間の距離を整合することができる。孔部313とアライメント用スペーサとの接触面積が大きいことから、アライメント用スペーサにかかる荷重を分散することでアライメント用スペーサの傷からの発塵を抑制することができ、生産性を向上することができる。しかしながらこれに限定されず、孔部313は、第1面310a側の開口端と第2面310b側の開口端とが略同一であってもよい。孔部313がこのような構造を有することで、周辺領域317の狭スペース化を図ることができる。
本実施形態において孔部313は平面視で円形である。すなわち、孔部313は円錐台形状の貫通孔である。孔部313がこのような構造を有することで、孔部313とアライメント用スペーサとが嵌合しやすく、マスク本体310と基板104との位置を整合しやすい。また、孔部313に角部がないことから、アライメント用スペーサにかかる応力を分散することでアライメント用スペーサの傷からの発塵を抑制することができ、生産性を向上することができる。しかしながらこれに限定されず、孔部313は平面視で多角形であってもよい。すなわち、孔部313は角錐台形状の貫通孔であってもよい。孔部313が角部を有することで、マスク本体310と基板104とのY方向を軸としたX−Z面の回転方向における位置ずれを整合することができる。
基板104の蒸着領域とマスク本体310の開口部311との位置は、マスク本体310自体の応力、歪み等に起因してズレが生ずるが、概ねマスク本体310全体で均一に応力、歪みが影響する傾向があるので、マスク本体の中央部を基準としてアライメントすると最もズレを小さくすることができる。本実施形態に係る孔部313は上述する構成を有することから、アライメントの基準点となるマスク本体310の中心付近におけるプレアライメントに適している。このため、本実施形態において孔部313は平面視でマスク本体310の中心付近に設けられている。しかしながらこれに限定されず、孔部313はマスク本体310の中心以外に設けてもよい。本実施形態において孔部313はマスク本体310の周辺領域317に1つ設けられている。しかしながらこれに限定されず、孔部313は、周辺領域317に複数設けてもよく、また、マスクパターン領域315の非開口部312に設けてもよい。孔部313を複数設けることで、蒸着位置精度を向上することができる。
保持枠330および接続部材350は、マスク本体310の外周に配置されている。接続部材350は、平面視で、マスク本体310と重畳し、マスク本体310の複数のマスクパターン領域315、すなわち複数の開口311を囲む。保持枠330は、平面視においてマスク本体310と重畳せず、マスク本体310の第2面310bの延長上に設けられている。つまり、水平方向において、保持枠330の内側面330aはマスク本体310の外縁310cよりも外側に設けられている。マスク本体310の第2面310bは、接続部材350を介して保持枠330の内側面330aに固定される。すなわち、接続部材350は、保持枠330の内側面330aにおよびマスク本体310の第2面310bに接して配置されている。なお、水平方向とは、マスク本体310の主面に平行な方向である。また、保持枠330の内側面330aとは保持枠330の中心側の内縁を示す。
上記の構成において、マスク本体310はめっき層であり、Z方向の厚さは3μm以上10μm以下である。接続部材350はめっき層であり、マスク本体310の第2面310b上の厚さ(Z方向)および保持枠330の内側面330a上の厚さ(X方向)は、50μm以上2000μm以下であることが好ましい。
以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク300によると上述した構造を有する孔部313を含むことで、マグネット等によって蒸着マスク300を基板104に固定する際、蒸着位置精度と生産性を向上することができる。
[蒸着マスク300の製造方法]
図6から図13を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法について説明する。図6から図13は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
図6から図13を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法について説明する。図6から図13は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
図6は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、導電性の剥離層430を形成する工程を示す断面図である。図6に示すように、支持基板410上の略全面に剥離層430を形成する。支持基板410としては、平坦性が高い基板が好ましく、特にガラス基板が好ましい。この場合、支持基板410の厚さは0.5mm以上1mm以下であってもよい。剥離層430の材料としては、ITO(酸化インジウム・スズ)、IZO(酸化インジウム・亜鉛)などの金属酸化物、又はAl(アルミニウム)、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、Cu(銅)、Cr(クロム)等の金属を含む導電性材料が好ましい。剥離層430の厚さは、マスク本体310を電解めっきで形成する場合には、金属層が成長できるように十分な導電性が付与できる厚みが好ましく、例えばITOであれば50nm以上500nm以下程度であることが好ましい。
図7および図8は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、第1絶縁層450を形成する工程を示す断面図である。図7に示すように支持基板410上の略全面に感光性樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィおよびエッチングによって感光性樹脂材料のパターニングを行い、図8に示すようなマスク本体310を形成するための第1絶縁層(レジストパターン)450a、450bを形成する(なお第1絶縁層450a、450bを特に区別しない場合、単に第1絶縁層450という)。ここで第1絶縁層450a(第1のレジストパターン)を形成する領域および形状は開口311を配置する領域および形状に対応する。第1絶縁層450b(第2のレジストパターン)を形成する領域および形状は孔部313を配置する領域および形状に対応する。すなわち、第1絶縁層450aは逆テーパー構造に形成し、第1絶縁層450bはテーパー構造に形成する。第1絶縁層450a、450bそれぞれの形状および高さはレーザの波長および露光量によって制御することができる。
図9は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、マスク本体310を形成する工程を示す断面図である。マスク本体310は、剥離層430に通電する電解めっき法によって、第1絶縁層450から露出された剥離層430の上に選択的に形成することができる。しかしながらこれに限定されず、例えば剥離層430を形成しない場合、無電解めっき法によって第1絶縁層450の露出部及び第1絶縁層450の上にめっき層を形成し、第1絶縁層450の剥離によって、第1絶縁層450の上に形成されためっき層を除去(リフトオフ)することで、マスク本体310を形成してもよい。マスク本体310の材料としては、特に限定しないが、例えばニッケル(Ni)またはニッケル合金などの磁性材料を用いることができる。マスク本体310の厚さは、3μm以上10μm以下の範囲であることが好ましい。
図10は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、第2絶縁層470を形成する工程を示す断面図である。支持基板410上の略全面に感光性樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィおよびエッチングによって感光性樹脂材料のパターニングを行い、図10に示すような、接続部材350を形成するための第2絶縁(レジスト層)層470を形成する。第2絶縁層470を形成する領域は、接続部材350の内側の領域に対応する。接続部材350はマスク本体310の外周に形成する。このため第2絶縁層470は、マスク本体310の外周を露出し、マスク本体310の複数のマスクパターン領域315の上を覆う。
図11は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、マスク本体310の外周に保持枠330を配置し、マスク本体310と保持枠330との間に接続部材350を形成する工程を示す断面図である。本実施形態において、保持枠330は、マスク本体310の複数のマスクパターン領域315を囲む矩形の枠である。保持枠330の材料は、導電性と剛性を有する材料であれば特に限定しない。保持枠330の材料としては、例えば、インバーを用いることが好ましい。保持枠330の厚さは、300μm以上3mm以下、好ましくは500μm以上2mm以下である。
接続部材350は、マスク本体310および保持枠330に通電する電解めっき法によって、第2絶縁層470から露出されたマスク本体310の上および保持枠330の上に選択的に形成することができる。接続部材350の材料としては、特に限定しないが、例えばニッケル(Ni)またはニッケル合金などの磁性材料を用いることができる。接続部材350の、マスク本体310の第2面310b上の厚さ(Z方向)および保持枠330の内側面330a上の厚さ(X方向)は、50μm以上2000μm以下であることが好ましい。
図12は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、第1絶縁層450および第2絶縁層470を除去する工程を示す断面図である。第1絶縁層450および第2絶縁層470を除去することで、接続部材350内側に、マスク本体310の一部が露出される。マスク本体310の各マスクパターン領域315および周辺領域317には、開口311および孔部313が形成される。開口311および孔部313の内側には、剥離層430が露出される。
図13は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法において、マスク本体310から支持基板410を剥離する工程を示す断面図である。図12に示す状態から、剥離層430および支持基板410を剥がすことで、図13に示す蒸着マスク300を形成することができる。
以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法によると、開口311と共に孔部313を形成することで、マグネット等によって蒸着マスク300を基板104に固定する際、蒸着位置精度と生産性を向上することができる。
[蒸着マスク300を用いた蒸着方法]
図14から図18を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いた蒸着方法について説明する。図14から図18は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いた蒸着方法を示す断面図である。
図14から図18を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いた蒸着方法について説明する。図14から図18は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いた蒸着方法を示す断面図である。
図14は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300を用いた蒸着方法において、基板104にスペーサ510とアライメント用スペーサ530とを形成する工程を示す断面図である。スペーサ510とアライメント用スペーサ530とは、同一の材料から同一のプロセスにより形成してもよく、異なる材料から異なるプロセスにより形成してもよい。本実施形態においてアライメント用スペーサ530およびスペーサ510は円錐台形状であり、アライメント用スペーサ530の高さはスペーサ510の高さより大きい。しかしながらこれに限定されず、アライメント用スペーサ530の形状および高さは、蒸着マスク300の孔部313の形状および蒸着マスク300と基板104との間の距離に合わせて適宜選択することができる。また、スペーサ510の高さは、保持枠330と基板104との間の距離に合わせて適宜選択することができる。
図15および図16は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300を用いた蒸着方法において、蒸着マスク300と基板104との位置合わせを行う工程を示す断面図である。蒸着マスク300の孔部313と基板104のアライメント用スペーサ530とは位置を合わせて、嵌合する。
本実施形態において、アライメント用スペーサ530の上端の径d1は孔部313の第1面310a側の開口端の径d2よりも小さく、アライメント用スペーサ530および孔部313は嵌入方向(第1面310a側から第2面310b側への逆Z方向)にテーパー構造を有する。孔部313およびアライメント用スペーサ530がこのような構造を有することで、蒸着マスク300と基板104とが多少ずれていたとしても、孔部313とアライメント用スペーサ530とを嵌合しやすく、マスク本体310と基板104との位置を自己整合(セルフアライン)することができる。また、孔部313およびアライメント用スペーサ530が嵌合することで、蒸着マスク300と基板104との間の距離を整合することができる。孔部313とアライメント用スペーサ530との接触面積が大きいことから、アライメント用スペーサ530にかかる荷重を分散することでアライメント用スペーサ530の傷からの発塵を抑制することができ、生産性を向上することができる。
図17は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300を用いた蒸着方法において、基板104に蒸着により薄膜を形成する工程を示す断面図である。蒸着材料の蒸気は、蒸着マスク300の第2面310b側から第1面310a側へ(矢印、Z方向)開口311を通過して基板104に到達し、蒸着領域に堆積することにより薄膜600を形成する。マスク本体310によって遮蔽される非開口部312においては、蒸着材料はマスク本体310の第2面310b側に堆積することにより薄膜600を形成する。孔部313においては、蒸着材料は嵌合するアライメント用スペーサ530の上に堆積することにより薄膜600を形成する。
図18は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300を用いた蒸着方法において、基板104から蒸着マスク300を外した工程を示す断面図である。蒸着マスク300を基板104から外すことで、基板104の蒸着領域およびアライメント用スペーサ530の上に薄膜600が残る。
以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク300を用いた蒸着方法によると、アライメント用スペーサ530と孔部313とを嵌合することで、蒸着位置精度と生産性を向上することができる。通常の光学的アライメントマーカーに加えて、本実施形態に係るアライメント用スペーサ530と孔部313とによる物理的アライメントマーカーを有することで、さらに蒸着位置精度を向上することができる。
〈第2実施形態〉
[蒸着マスク300Aの構成]
図19を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの構成について説明する。図19は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。図20は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図20に示す断面図は、図19のB−B’線に沿った断面図である。本実施形態においては、孔部313A以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
[蒸着マスク300Aの構成]
図19を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの構成について説明する。図19は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。図20は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図20に示す断面図は、図19のB−B’線に沿った断面図である。本実施形態においては、孔部313A以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
本実施形態において周辺領域317Aには、有底孔である孔部313Aが設けられている。孔部313Aは、蒸着時には、基板104Aのアライメント用スペーサが嵌合し、蒸着マスク300Aと基板104Aとの位置合わせが行われる。孔部313Aは、周辺領域317Aにおいて蒸着材料を遮蔽する部分に相当する。周辺領域317Aの孔部313A以外の領域も、非開口部312Aに相当する。
マスク本体310Aの厚さ方向(逆Z方向)における孔部313Aの深さは、マスク本体310Aの厚さの1/2以上4/5以下の範囲であることが好ましい。孔部313Aの深さがマスク本体310Aの厚さの1/2以上であることで、孔部313Aとアライメント用スペーサの嵌合が安定し、マスク本体310Aと基板104Aとの位置を整合しやすい。孔部313Aの深さがマスク本体310Aの厚さの4/5以下であることで、孔部313Aの底部(マスク本体310Aの第2面310Ab側)が突き抜けることなく安定してアライメント用スペーサからかかる荷重を受けることができる。孔部313Aがこのような構成を有することで、マスク本体310Aと基板104Aとの間の距離を整合することができる。
本実施形態において孔部313Aの第1面310Aa側の開口端は、第2面310Ab側の閉口端より大きい。すなわち、孔部313Aはアライメント用スペーサの嵌入方向(第1面310Aa側から第2面310Ab側への逆Z方向)にテーパー構造である。孔部313Aがこのような構造を有することで、孔部313Aとアライメント用スペーサとが嵌合しやすく、マスク本体310Aと基板104Aとの位置を整合しやすい。孔部313Aとアライメント用スペーサとの接触面積が大きいことから、アライメント用スペーサにかかる荷重を分散することでアライメント用スペーサの傷からの発塵を抑制することができ、生産性を向上することができる。しかしながらこれに限定されず、孔部313Aは、第1面310Aa側の開口端と第2面310Ab側の開口端とが略同一であってもよい。孔部313Aがこのような構造を有することで、周辺領域317Aの狭スペース化を図ることができる。
本実施形態において孔部313Aは平面視で十字型である。すなわち、孔部313Aは十字形の開口端を有する錘台形状の有底孔である。しかしながらこれに限定されず、孔部313Aは平面視でT字型であってもよく、L字型であってもよい。孔部313Aがこのような構造を有することで、孔部313Aとアライメント用スペーサとは嵌合したらずれにくく、マスク本体310Aと基板104Aとの位置を保持しやすい。また、孔部313Aは角部を有することから、マスク本体310Aと基板104AとのY方向を軸としたX−Z面の回転方向における位置ずれを整合することができる。
本実施形態に係る孔部313Aは上述する構成を有することから、プレアライメントを行った後の、マスク本体310Aの周辺付近における本アライメントに適している。このため、本実施形態において孔部313Aは平面視でマスク本体310Aの周辺付近に設けられている。しかしながらこれに限定されず、孔部313Aはマスク本体310Aの中心付近に設けてもよい。本実施形態において孔部313Aはマスク本体310Aの周辺領域317Aに4つ設けられている。しかしながらこれに限定されず、孔部313Aは、周辺領域317Aに1つ以上設ければよく、また、マスクパターン領域315Aの非開口部312Aに設けてもよい。孔部313Aを複数設けることで、蒸着位置精度をさらに向上することができる。
本実施形態に係る孔部313Aは、マスク本体310Aの中心付近におけるプレアライメントに第1実施形態に係る孔部313をさらに組み合わせることが好ましい。平面視において、マスク本体の中心付近に配置される孔部313の径は、周辺付近に配置される孔部313Aの径より大きいことが好ましい。ここで平面視における孔部の径とは、平面視における孔部の開口端の最小径を示す。中心付近に配置される孔部313および周辺付近に配置される孔部313Aが異なる形状および径を有することで、2段階のプレアライメントと本アライメントとを行うことができ、さらに蒸着位置精度を向上することができる。
以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク300Aによると上述した構造を有する孔部313Aを含むことで、マグネット等によって蒸着マスク300Aを基板104Aに固定する際、蒸着位置精度と生産性を向上することができる。
[蒸着マスク300Aの製造方法]
本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aの製造方法については、第1絶縁層450bの高さを第1絶縁層450aの高さより小さく形成すること以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aの製造方法については、第1絶縁層450bの高さを第1絶縁層450aの高さより小さく形成すること以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
図21は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aの製造方法において、マスク本体310Aを形成する工程を示す断面図である。本実施形態に係る蒸着マスク300Aの製造方法においては、孔部313Aに対応する第1絶縁層450Abの高さを、開口311Aに対応する第1絶縁層450Aaの高さより小さく形成する。第1絶縁層450Abの高さは、第1絶縁層450Aaの高さの1/2以上1未満に形成することが好ましい。第1絶縁層450Aa、450Abそれぞれの形状および高さはレーザの波長および露光量によって制御することができる。例えば、第1絶縁層450Abは第1絶縁層450Aaより少ない露光量で形成することで、第1絶縁層450Aaの高さより低く形成することができる。第1絶縁層450Abおよび第1絶縁層450Aaをこのような構造に形成することによって、マスク本体310Aを形成する工程において、マスク本体310Aを第1絶縁層450Abの上に形成することができ、孔部313Aを有底孔に構成することができる。
[蒸着マスク300Aを用いた蒸着方法]
本実施形態に係る蒸着マスク300Aを用いた蒸着方法においては、アライメント用スペーサ530Aの高さ以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aの孔部313Aは有底孔であることから、アライメント用スペーサ530Aの高さはスペーサ510Aの高さより小さく形成する。
本実施形態に係る蒸着マスク300Aを用いた蒸着方法においては、アライメント用スペーサ530Aの高さ以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aの孔部313Aは有底孔であることから、アライメント用スペーサ530Aの高さはスペーサ510Aの高さより小さく形成する。
図22は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300Aを用いた蒸着方法において、基板104Aに蒸着により薄膜を形成する工程を示す断面図である。蒸着マスク300Aの孔部313Aと基板104Aのアライメント用スペーサ530Aとは位置を合わせて、嵌合する。蒸着材料の蒸気は、蒸着マスク300Aの第2面310Ab側から第1面310Aa側へ(矢印、Z方向)開口311Aを通過して基板104Aに到達し、蒸着領域に堆積することにより薄膜600Aを形成する。マスク本体310Aによって遮蔽される非開口部312Aにおいては、蒸着材料はマスク本体310Aの第2面310Ab側に堆積することにより薄膜600Aを形成する。孔部313Aは有底孔であることから、アライメント用スペーサ530Aの上に薄膜600Aは形成されない。
以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク300Aを用いた蒸着方法によると、アライメント用スペーサ530Aと孔部313Aとを嵌合することで、蒸着位置精度と生産性を向上することができる。通常の光学的アライメントマーカーに加えて、本実施形態に係るアライメント用スペーサ530Aと孔部313Aとによる物理的アライメントマーカーを有することで、さらに蒸着位置精度を向上することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態および変形例は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主にEL表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
10:蒸着装置、 100:蒸着チャンバ、 102:ゲートバルブ、 104:基板、 108:ホルダ、 110:移動機構、 112:蒸着源、 114:シャッタ、 120:収納容器、 122:加熱部、 124:蒸着ホルダ、 126:ヒータ、 128:金属板、 130:開口部、 132:ガイド板、 148:下面、 149:第3面、 150:上面、 160a、160b:臨界面、 300:蒸着マスク、 310:マスク本体、 311:開口、 313:孔部、 315:マスクパターン領域、 317:周辺領域、 330:保持枠、 350:接続部材
Claims (20)
- 開口を有するマスクパターン領域と、前記マスクパターン領域を囲み、少なくとも一つのアライメント用の孔部を有する周辺領域と、を含むマスク本体と、
前記孔部とは反対側の面に接続される保持枠と、
を有する、蒸着マスク。 - 前記孔部はテーパー構造である、請求項1に記載の蒸着マスク。
- 前記開口は前記孔部に対して逆テーパー構造である、請求項1または2に記載の蒸着マスク。
- 前記孔部の深さは前記マスク本体の厚さの1/2以上である、請求項1乃至3の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記孔部は有底孔である、請求項1乃至4の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記孔部は平面視において角部を有する、請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記孔部を複数有する、請求項1乃至6の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記孔部は、前記マスク本体の中心部に配置される第1の孔部と、前記中心部の周辺部に配置される第2の孔部と、を含み、
平面視において前記第1の孔部の径は前記第2の孔部の径より大きい、請求項1乃至7の何れか1項に記載の蒸着マスク。 - 前記第2の孔部は前記マスクパターン領域にも配置される、請求項1乃至8の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 基板上のマスクパターン領域に対応する領域に第1のレジストパターンと、前記マスクパターン領域を囲む周辺領域に対応する領域に第2のレジストパターンと、を形成し、
前記基板上に、金属層を成長させて前記第1のレジストパターンに対応する開口と、前記第2のレジストパターンに対応する孔部と、を有するマスク本体を形成し、
前記開口を覆い、前記マスク本体の外周を露出する絶縁層を形成し、
前記マスク本体の外周に保持枠を配置し、
前記マスク本体と前記保持枠との間に接続部材を形成し、
前記絶縁層を除去し、
前記マスク本体から前記基板を剥離すること、を含む蒸着マスクの製造方法。 - 前記第2のレジストパターンはテーパー構造に形成される、請求項10に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第1のレジストパターンは逆テーパー構造に形成される、請求項10または11に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第2のレジストパターンの高さは、前記第1のレジストパターンの高さの1/2以上1未満に形成される、請求項10乃至12の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体は前記第2のレジストパターンの上にも形成される、請求項13に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第2のレジストパターンは平面視で角部を有するように形成される、請求項10乃至14の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第2のレジストパターンは複数形成される、請求項10乃至15の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第2のレジストパターンは前記マスクパターン領域に対応する領域にも配置される、請求項10乃至16の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体は電解めっき法により形成される、請求項10乃至17の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第1のレジストパターンおよび前記第2のレジストパターンはフォトリソグラフィ法により形成される、請求項10乃至18の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記第2のレジストパターンは前記第1のレジストパターンより少ない露光量で形成される、請求項10乃至19の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019165584A JP2021042439A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
US17/014,653 US20210074919A1 (en) | 2019-09-11 | 2020-09-08 | Vapor deposition mask and method for manufacturing vapor deposition mask |
KR1020200114715A KR102443587B1 (ko) | 2019-09-11 | 2020-09-08 | 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법 |
CN202010953570.8A CN112481581A (zh) | 2019-09-11 | 2020-09-11 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019165584A JP2021042439A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021042439A true JP2021042439A (ja) | 2021-03-18 |
Family
ID=74849851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019165584A Pending JP2021042439A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210074919A1 (ja) |
JP (1) | JP2021042439A (ja) |
KR (1) | KR102443587B1 (ja) |
CN (1) | CN112481581A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6852221B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2021-03-31 | 旭化成株式会社 | スルホン酸基含有モノマーの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001326075A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP2006152339A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 蒸着用マスク構造体の製造方法 |
CN107849682B (zh) * | 2016-04-14 | 2019-04-19 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法 |
JP6722512B2 (ja) | 2016-05-23 | 2020-07-15 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
JP7121918B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2022-08-19 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法 |
CN106784373A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled保护膜的封装结构及其封装方法 |
JP6851820B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-03-31 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着用マスク並びにその設置方法及び製造方法 |
KR20180087824A (ko) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 |
KR20180089606A (ko) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-09-11 JP JP2019165584A patent/JP2021042439A/ja active Pending
-
2020
- 2020-09-08 US US17/014,653 patent/US20210074919A1/en not_active Abandoned
- 2020-09-08 KR KR1020200114715A patent/KR102443587B1/ko active IP Right Grant
- 2020-09-11 CN CN202010953570.8A patent/CN112481581A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210074919A1 (en) | 2021-03-11 |
CN112481581A (zh) | 2021-03-12 |
KR20210031398A (ko) | 2021-03-19 |
KR102443587B1 (ko) | 2022-09-16 |
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