CN113336744A - 一种杂环衍生物及其有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种杂环衍生物及其有机电致发光器件,属于有机电致发光技术领域。本发明的杂环衍生物具有较强的空穴阻挡能力及电子传输能力,将其应用于有机电致发光器件的空穴阻挡/电子传输层,能够有效将空穴阻挡在发光层内,避免部分空穴穿过发光层导致效率降低,提高电子和空穴在发光层的复合率,从而提高器件的发光效率和使用寿命,同时该杂环衍生物具备良好的折射率,将其应用于有机电致发光器件的覆盖层中,能够能够有效减少光在器件内部的全反射,提高器件的出光效率。该杂环衍生物及其有机电致发光器件具有良好的应用效果和产业化前景。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域,尤其涉及一种杂环衍生物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-EmittingDiode,OLED)技术既可以用于制造新型显示产品,也可以用于制备新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。在外加偏压的作用下,空穴和电子克服界面的障碍后,由阳极和阴极注入,进入器件中经空穴传输材料和电子传输材料的传输,然后电荷在外界电场驱动下传输并到达发光层,最后电子和空穴在发光层内结合,形成激子,激子并不是一个稳定的状态,之后会以光的形式释放出能量而回到稳定的基态,从而达到发光的目的。
OLED一般为多层结构,除了发光层之外的各种辅助功能层对器件性能同样起着至关重要的作用。合理的器件结构能够有效提高器件的性能,OLED的有机物层可以包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和空穴注入层等。
作为OLED中的电子传输层,其基本作用是提高电子在器件中的传输效率,同时降低电子在注入过程中的能量壁垒,提高电子的注入效率。对于空穴阻挡层而言,其基本作用是将空穴有效地阻挡在发光层内,实现载流子的最大复合,从而实现OLED的有效发光。
目前,应用于OLED中的空穴传输材料的空穴迁移率一般远大于电子传输材料的电子迁移率,导致空穴与电子的传输不能达到有效平衡,部分空穴容易穿过发光层而在发光层与电子传输层界面处或在电子传输层与电子进行复合,导致器件的效率明显降低,具体表现为,驱动电压高、发光效率低、使用寿命短、器件稳定性低等问题,此外,某些具有深HOMO能级及空穴阻挡能力强的材料,如BCP,其玻璃化转变温度(Tg)较低,导致其薄膜稳定性及耐热性不佳,因此,设计出具有高电子迁移率、优异的空穴阻挡能力、良好的薄膜稳定性及优异的耐热性的电子传输材料/空穴阻挡材料具有较强的现实意义。
发明内容
为了解决目前应用于空穴阻挡/电子传输材料的薄膜稳定性不足或者阻挡空穴能力不足进而使得有机电致发光器件效率降低及使用寿命衰减的问题,本发明提供一种性能优异的杂环衍生物及其有机电致发光器件,该杂环衍生物具有较强的空穴阻挡能力及电子传输能力,将其应用于有机电致发光器件的空穴阻挡/电子传输层,能够有效将空穴阻挡在发光层内,避免部分空穴穿过发光层导致效率降低,提高电子和空穴在发光层的复合率,从而提高器件的发光效率和使用寿命,同时该杂环衍生物具备良好的折射率,将其应用于有机电致发光器件的覆盖层中,能够能够有效减少光在器件内部的全反射,提高器件的出光效率。
本发明提供一种杂环衍生物,所述杂环衍生物具有如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示结构,
所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
所述X0选自O、S中的一种;
所述R3选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C25的芳基、取代或未取代的C2~C15的杂芳基中的一种,所述a选自0~4的整数,所述a大于1时,多个R3彼此相同或不同,或者相邻两个R3之间连接成环;
所述Y选自N或C;
所述Het1选自如通式Ⅲ所示结构,所述Het2选自如通式Ⅳ所示结构,
所述X1~X12相同或不同的选自C-R1或N,所述R1选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C3~C15的杂芳基中的一种,或者相邻两个基团之间连接成环;X1~X6中存在一个或两个N;X7~X12中存在一个或两个N;
所述Ar3选自取代或未取代的C14~C18的稠环芳基;
所述Ar4选自取代或未取代的C14~C18的亚稠环芳基;
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6~C25的亚芳基、取代或未取代的C2~C20亚杂芳基中的一种;
所述“取代或未取代的烷基”、“取代或未取代的芳基”、“取代或未取代的杂芳基”、“取代或未取代的稠环芳基”、“取代或未取代的亚稠环芳基”、“取代或未取代的亚芳基”、“取代或未取代的亚杂芳基”中,取代基选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、9-苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑中的至少一种,或者当所述取代基为多个时,相邻的取代基可以键合成环;当所述取代基为多个时,多个取代基彼此相同或不同。
本发明还提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、有机物层、阴极,所述有机物层包括本发明所述的杂环衍生物。
本发明的有益效果:
本发明提供的杂环衍生物具有较高的电子迁移率,能够有效将电子传输到远离阴极的复合区域,使器件内空穴和电子的传输达到平衡,同时该杂环衍生物具有稠环搭配1个或2个氮原子的体系,使得化合物具备更为合适的HOMO能级,有效将空穴阻挡在发光层内,避免部分空穴穿过发光层导致效率降低,提高电子和空穴在发光层的复合率,将其应用于有机电致发光器件的空穴阻挡/电子传输层,能够大幅提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。同时该杂环衍生物的折射率较高,作为覆盖层时,能够有效减少光在器件内部的全反射,提高器件的出光效率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,可为直链烷基、支链烷基,优选具有1至30个碳原子,优选1至12个碳原子,更优选1至10个碳原子,特别优选1至6个碳原子,实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基等,但不限于此。
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,优选具有3至20个碳原子,优选3至12个碳原子,更优选3至10个碳原子,特别优选3至6个碳原子,实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基等,但不限于此。
本发明所述的芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后,剩下一价基团的总称,可为单环芳基、多环芳基或稠环芳基,优选具有6至60个碳原子,优选6至18个碳原子,更优选6至14个碳原子,最优选6至12个碳原子,实例可包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、三亚苯基、苝基等,但不限于此。
本发明所述的杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核原子上去掉一个氢原子,剩下一价基团的总称。所述杂原子可为N、O、S、Si、P中的一个或多个,可为单环杂芳基或稠环杂芳基,优选具有2至60个碳原子,优选2至20个碳原子,更优选2至16个碳原子,特别优选3至12个碳原子,最优选3至8个碳原子,实例可包括吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吩嗪基、喹喔啉基、喹唑啉基、嘌呤基、2-嘌呤基、N-咪唑基等,但不限于此。
本发明所述的亚芳基是指芳烃分子的芳核上去掉二个氢原子后,剩下二价基团的总称,可为单环亚芳基、多环亚芳基或稠环亚芳基,优选具有6至60个碳原子,优选6至25个碳原子,更优选6至20个碳原子,特别优选6至18个碳原子,最优选6至12个碳原子,实例可包括亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、三亚苯基、亚苝基等,但不限于此。
本发明所述的亚杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核碳上去掉二个氢原子,剩下二价基团的总称,所述杂原子可为N、O、S、Si、P中的一个或多个,可为单环杂亚芳基或稠环杂亚芳基,优选具有2至60个碳原子,优选2至20个碳原子,更优选2至16个碳原子,特别优选3至12个碳原子,最优选3至8个碳原子,实例可包括亚吡咯基、亚吡啶基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚吲哚基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚吩嗪基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚嘌呤基等,但不限于此。
本发明所述的“取代”指化合物基团中的氢原子被替换成其他原子或基团,且取代的位置不受限制。
本发明所述的“取代或未取代的”意指不被取代或者被选自由以下组成的组中的一个或一个以上取代基取代:氘、卤素原子、氨基、氰基、硝基、C1~C30的烷基、C3~C20的环烷基、C6~C60的芳基、C6~C60的芳氧基、C6~C60的芳胺基、C2~C60的杂芳基,优选氘、卤素、氰基、C1~C30的烷基、C6~C60的芳基、C2~C60的杂芳基,具体实例可包括氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、9-苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑等,但不限于此,当所述取代基为多个时,相邻的取代基可以键合成环且多个取代基彼此可以相同或不同。
本发明所述的键合起来形成环状结构是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例:
本发明中,连接形成的环可以为五元环或六元环或者稠合环,例如苯基、萘基、环戊烯基、环戊烷基、环己烷并苯基、喹啉基、异喹啉基、二苯并噻吩基、菲基或芘基,但不限于此。
本发明所述的“选自0~M的整数”是指所述值选自0~M的整数中的任意一个,包括0,1,2…M-2,M-1,M。例如,“a选自0~4的整数”是指a选自0,1,2,3,4;“b1选自0~9的整数”是指b1选自0,1,2,3,4,5,6,7,8,9;“b2选自0~7的整数”是指b2选自0,1,2,3,4,5,6,7;“m1选自0~3的整数”是指m1选自0,1,2,3;“m2选自0~2的整数”是指m2选自0,1,2;“m3选自0~4的整数”是指m3选自0,1,2,3,4;“m4选自0~5的整数”是指m4选自0,1,2,3,4,5;“n1选自0~4的整数”是指n1选自0,1,2,3,4;“n2选自0~3的整数”是指n2选自0,1,2,3;“n3选自0~5的整数”是指n3选自0,1,2,3,4,5;“n4选自0~6的整数”是指n4选自0,1,2,3,4,5,6;以此类推。
本发明提供了一种杂环衍生物,所述杂环衍生物具有如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示结构,
所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
所述X0选自O、S中的一种;
所述R3选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C25的芳基、取代或未取代的C2~C15的杂芳基中的一种,所述a选自0~4的整数,所述a大于1时,多个R3彼此相同或不同,或者相邻两个R3之间连接成环;
所述Y选自N或C;
所述Het1选自如通式Ⅲ所示结构,所述Het2选自如通式Ⅳ所示结构,
所述X1~X12相同或不同的选自C-R1或N,所述R1选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C3~C15的杂芳基中的一种,或者相邻两个基团之间连接成环;X1~X6中存在一个或两个N;X7~X12中存在一个或两个N;
所述Ar3选自取代或未取代的C14~C18的稠环芳基;
所述Ar4选自取代或未取代的C14~C18的亚稠环芳基;
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6~C25的亚芳基、取代或未取代的C2~C20亚杂芳基中的一种;
优选的,所述杂环衍生物具有如下所示结构中的一种,
所述R4选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的一种;
所述b1选自0~9的整数;所述b2选自0~7的整数。
优选的,所述Het1选自如下所示结构中的一种,
所述Ra选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基中的一种;
所述m1选自0~3的整数;所述m2选自0~2的整数;所述m3选自0~4的整数;所述m4选自0~5的整数。
优选的,所述Het1选自如下所示结构中的一种,
优选的,所述Het2选自如下所示结构中的一种,
所述Rb选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基中的一种;
所述n1选自0~4的整数;所述n2选自0~3的整数;所述n3选自0~5的整数;所述n4选自0~6的整数。
优选的,所述Het2选自如下所示结构中的一种,
优选的,所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
所述X0选自O、S中的一种;
所述R3选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基中的一种,或者相邻两个基团之间连接成环;
所述a1选自0~4的整数;所述a2选自0或1。
优选的,所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
优选的,所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
优选的,所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基中的一种。
优选的,所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键或如下所示结构中的一种,
q选自0~6的整数。
优选的,所述杂环衍生物选自如下所示结构中的一种,
本发明还提供了一种杂环衍生物的制备方法,
[反应式1]
Ar1~Ar4、X0、R3、L1~L3、Het1、Het2、a限定与上述限定相同,Xa独立的选自I、Br、Cl中的任意一种,Xb独立的选自硼酸基、硼酸频那醇酯基中的任意一种;
本发明所述杂环衍生物涉及的反应类型为Suzuki反应,即在氩气气氛下,加入原料、催化剂、有机碱、配体及溶液,并在相应温度下反应获得相应化合物。
本发明对上述取代基可以经过本领域已知的方法键合,并且取代基的种类和位置或取代基的数量可以根据本领域已知的技术改变。
本发明还提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、有机物层、阴极,所述有机物层包括本发明所述的杂环衍生物。
本发明所述的有机物层可以位于所述阳极与阴极之间,其可以包括空穴传输区域、发光层、电子传输区域等,所述有机物层可以位于阳极及阴极中的一个以上的电极的外侧,其可以包括覆盖层。
所述有机物层可以由单层结构形成,也可以由层叠以上有机物层的多层结构形成;同时,所述的各个有机物层还可包含一层或多层结构。
本发明所述的空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层等,其可以由单层结构形成,也可以由层叠以上的多层结构形成。其中,所述空穴传输区域的各个层可以包含一层或多层结构,例如,所述空穴传输层包含第一空穴传输层及第二空穴传输层。
本发明所述的发光层可以包括主体材料和掺杂材料等,其可以由单层结构形成,也可以由层叠以上的多层结构形成。
本发明所述的电子传输区域可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等,其可以由单层结构形成,也可以由层叠以上的多层结构形成。其中,所述电子传输区域的各个层可以包含一层或多层结构,例如,所述电子传输层包含第一电子传输层及第二电子传输层。
优选的,所述有机物层包括电子传输区域,所述电子传输区域包括本发明所述的杂环衍生物。
优选的,所述电子传输区域包括空穴阻挡层,所述空穴阻挡层包括本发明所述的杂环衍生物。
优选的,所述电子传输区域包括电子传输层,所述电子传输层包括本发明所述的杂环衍生物。
优选的,所述有机物层包括覆盖层,所述覆盖层包括本发明所述的杂环衍生物。
本发明所述的有机电致发光器件其结构优选为:
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层/阴极;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层;
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层;
然而,有机电致发光器件的结构不限于此。本发明所述的有机电致发光器件可根据器件参数要求及材料的特性进行选择及组合,也可增加或省略部分有机物层,还可以将具有相同功能的有机物层制成两层以上的层叠结构。
本发明的有机电致发光器件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可,例如,玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。
本发明所述的有机电致发光器件中,阳极材料优选使用能够促进空穴注入至有机物层中的高功函数材料。在本发明中可使用的阳极材料的具体实例可包括:金属,例如钒、铬、铜、锌和金,或其合金;金属氧化物,例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO);金属和氧化物的结合物,例如ZnO:Al或SnO2:Sb;导电聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)等,但不限于此。
本发明所述的有机电致发光器件中,空穴注入材料优选具有良好接受空穴能力的材料,并且空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选为在阳极材料的功函数和邻近的有机材料层的HOMO之间的数值。在本发明中可使用的空穴注入材料的具体实例可包括:酞菁化合物,联苯胺类化合物,吩嗪类化合物等材料,如酞菁铜,酞菁氧钛、N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基胺)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、二喹喔啉并[2,3-a:2',3'-c]吩嗪(HATNA)等,但不限于此。
本发明所述的有机电致发光器件中,空穴传输材料优选具有优良的空穴传输性能以及与相应的阳极材料相匹配的HOMO能级的材料。一般情况下所用的阳极材料的能级都较高,所以就要选用HOMO能级较高的材料来充当空穴传输材料。在本发明中可使用的空穴传输材料的具体实例可包括二苯胺类化合物,三苯胺类化合物,芴类化合物和咔唑类化合物等材料,如N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)、等,但不限于此。
本发明所述的有机电致发光器件中,发光层材料包括发光层主体材料和发光层掺杂材料,发光层主体材料可以选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、4,4-二(9-咔唑基)联苯(CPB)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,10-二(1-萘基)蒽(α-ADN)、N,N'-二-(1-萘基)-N,N'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺基(4PNPB)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)等,但不限于此。
所述发光层掺杂材料可以选自(6-(4-(二苯基氨基(苯基)-N,N-二苯基芘-1-胺)(DPAP-DPPA)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4'-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4'-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(2-羟基苯基吡啶)合铍(Bepp2)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))、9,10-二[N-(对甲苯基)苯胺基]蒽(TPA)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)(Ir(piq)3)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))等,但不限于此。
作为发光层主体材料和发光层掺杂材料的掺杂比例,其最佳可根据所用的材料而不同,通常发光层掺杂材料掺杂比例为0.01%~20%,优选为0.1%~15%,更优选为1%~10%。
本发明所述的有机电致发光器件中,空穴阻挡材料具有较好的空穴阻挡能力,能够将空穴阻挡在发光层内。所述空穴阻挡材料的具体实例除本发明所述的杂环衍生物外,包括但不限于如下所述的材料:咪唑衍生物、菲啰啉衍生物等具有吸电子性质的共轭芳香化合物,例如1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)等,优选的,空穴阻挡材料选自本发明所述的杂环衍生物。
本发明所述的有机电致发光器件中,电子传输材料优选具有较强吸电子能力及较低的HOMO及LUMO能级的材料,在本发明中可使用的电子传输材料的具体实例除本发明所述的杂环衍生物外,可包括咪唑类,***类,菲罗啉衍生物,喹啉类等材料,如2,9-(二甲基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮菲(BCP)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯基]苯(TmPyPB)、4,4'-二(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)联苯(BTB)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)、2-(萘-2-基)-4,7-(二苯基)-1,10-邻二氮菲(HNBphen)、8-羟基喹啉-锂等(LiQ)等,优选的,电子传输材料选自本发明所述的杂环衍生物。
本发明所述的有机电致发光器件中,电子注入材料优选与临近的有机传输材料或主体材料等的势垒相差较小的材料,同时具有从阴极注入电子的效应。在本发明中可使用的电子注入材料实例包括:碱金属盐(比如LiF、CsF),碱土金属盐(比如MgF2),金属氧化物(比如Al2O3、MoO3),但不限于此。
本发明所述的有机电致发光器件中,阴极材料优选使用能够促进电子注入至有机物层中的低功函数材料。在本发明中可使用的阴极材料的具体实例可包括:金属,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、铝、银、锡、铅,或者它们的合金;以及多层材料,例如LiF/Al或LiO2/Al,但不限于此。
本发明所述的有机电致发光器件中,覆盖层材料优选光取出效果好的材料,在本发明中可使用的覆盖层材料材料的具体实例除本发明所述的杂环衍生物外,可包括咪唑衍生物、恶唑衍生物、噻唑衍生物、芳胺类衍生物等。优选的,覆盖层材料选自本发明所述的杂环衍生物。
本发明对有机电致发光器件的各有机物层的厚度并没有特殊限制,采用本领域所常用的厚度即可。
本发明所述有机电致发光器件,可以采用真空蒸镀法、旋涂法、气相沉积法、刮涂法、激光热转印法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、浸沾式涂布法中的任意一种,在本发明中优选采用真空蒸镀的方法。
本发明所述有机电致发光器件可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。
通过以下实施例,更详尽地解释本发明,但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上,本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下,在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。
化合物的制备及表征
原料、试剂以及表征设备的说明:
本发明对以下实施例中所采用的原料以及试剂来源没有特别的限制,可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
质谱使用英国沃特斯G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪,氯仿为溶剂;
元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪,样品质量为5~10mg;
核磁共振(1H NMR谱)使用Bruker-510型核磁共振谱仪(德国Bruker公司),600MHz,CDCl3为溶剂,TMS为内标。
合成实施例1:中间体A-1的制备
氩气氛下,向三口瓶中依次加入350mL THF、a-1(28.39g,105mmol),b-1(53.33g,210mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.384g,0.525mmol)、醋酸钾(25.76g,262.5mmol),搅拌混合物,将上述反应物的混合溶液在100℃条件下加热回流7小时;反应结束后,冷却并加入525mL水,且将混合物过滤,并在真空烘箱中干燥,将粗品通过硅胶柱分离纯化(石油醚:乙酸乙酯=1:1),得到中间体c-1(33.30g,收率87%);HPLC纯度≥99.8%。
氩气氛下,向三口瓶中依次加入578mLDMF、c-1(30.07g,82.5mmol),d-1(32.67g,165mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.81g,2.475mmol),搅拌,然后加入K3PO4水溶液(17.51g,82.5mmol),加热至150℃,回流反应24小时,取样点板,反应完全。自然冷却,用715mL二氯甲烷萃取,分层,萃取液用无水硫酸钠干燥,过滤,滤液旋蒸,粗品通过硅胶柱分离纯化(DMC:PE=1:4),,得到中间体e-1(24.32g,收率85%);HPLC纯度≥99.7%。
氩气氛下,将化合物e-1(17.33g,50mmol),联硼酸频那醇酯(13.20g,52mmol),醋酸钾(7.36g,75mmol),四三苯基膦钯(1.73g,1.5mmol),60mL乙醇,60mL水依次加入到180mL甲苯中,搅拌升温至回流状态反应6h,搅拌下倒入50mL水中,静置分液,水相用50mL甲苯萃取,合并有机相,用20g无水硫酸钠干燥,过滤,对滤液进行浓缩(70℃,-0.09MPa),直至无溶剂蒸出,滴加至石油醚(300mL)中析出,用乙醇重结晶,得中间体A-1(19.06g,87%);HPLC纯度≥99.4%。
将原料及中间体进行相应的替换,按照合成实施例1的制备方法,即可制备中间体A-2,原料如下表所示:
合成实施例2:中间体C-1的制备
氩气氛下,将化合物A-1(17.53g,40mmol),B-1(7.69g,40mmol),醋酸钾(5.88g,60mmol),四三苯基膦钯(1.38g,1.2mmol),乙醇50ml,水50ml依次加入到150ml甲苯中,搅拌升温至回流状态反应6h,用二氯甲烷萃取,萃取后有机相用20g无水硫酸镁干燥,过滤,蒸发溶剂并使用二氯甲烷/庚烷以4:6的比例通过硅胶柱纯化,得到中间体C-1(15.16g,产率87%),HPLC检测固体纯度≧99.6%。
将原料及中间体进行相应的替换,按照合成实施例2的制备方法,即可制备中间体C-2至C-12,原料如下表所示:
合成实施例3:化合物1的制备
氩气氛下,将化合物C-1(8.47g,20mmol),D-1(5.96g,20mmol),醋酸钾(2.96g,30mmol),四三苯基膦钯(0.69g,0.6mmol),乙醇30ml,水30ml依次加入到90ml甲苯中,搅拌升温至回流状态反应6h,用二氯甲烷萃取,萃取后有机相用10g无水硫酸镁干燥,过滤,蒸发溶剂后通过硅胶柱纯化,洗脱剂为二氯甲烷和乙醇(3:1),得到化合物1(10.65g,产率83%),HPLC检测固体纯度≧99.4%。质谱m/z:641.2162(理论值:641.2103)。理论元素含量(%)C45H27N3O2:C,84.22;H,4.24;N,6.55。实测元素含量(%):C,84.17;H,4.27;N,6.57。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例4:化合物9的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-2,D-1替换替换成等摩尔量的D-6,其他步骤不变,得到化合物9(9.72g),HPLC检测固体纯度≧99.8%。质谱m/z:565.1741(理论值:565.1790)。理论元素含量(%)C39H23N3O2:C,82.82;H,4.10;N,7.43。实测元素含量(%):C,82.84;H,4.11;N,7.40。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例5:化合物17的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-3,D-1替换替换成等摩尔量的D-5,其他步骤不变,得到化合物17(10.33g),HPLC检测固体纯度≧99.5%。质谱m/z:615.1975(理论值:615.1947)。理论元素含量(%)C43H25N3O2:C,83.88;H,4.09;N,6.83。实测元素含量(%):C,83.83;H,4.07;N,6.81。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例6:化合物32的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-4,D-1替换替换成等摩尔量的D-2,其他步骤不变,得到化合物32(11.36g),HPLC检测固体纯度≧99.6%。质谱m/z:692.2259(理论值:692.2212)。理论元素含量(%)C48H28N4O2:C,83.22;H,4.07;N,8.09。实测元素含量(%):C,83.16;H,4.11;N,8.07。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例7:化合物68的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-5,D-1替换替换成等摩尔量的D-7,其他步骤不变,得到化合物68(9.38g),HPLC检测固体纯度≧99.4%。质谱m/z:565.1745(理论值:565.1790)。理论元素含量(%)C39H23N3O2:C,82.82;H,4.10;N,7.43。实测元素含量(%):C,82.86;H,4.09;N,7.39。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例8:化合物84的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-4,D-1替换替换成等摩尔量的D-5,其他步骤不变,得到化合物84(10.11g),HPLC检测固体纯度≧99.8%。质谱m/z:616.1854(理论值:616.1899)。理论元素含量(%)C42H24N4O2:C,81.80;H,3.92;N,9.09。实测元素含量(%):C,81.77;H,3.96;N,9.05。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例9:化合物91的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-6,D-1替换替换成等摩尔量的D-5,其他步骤不变,得到化合物91(10.70g),HPLC检测固体纯度≧99.7%。质谱m/z:615.1986(理论值:615.1947)。理论元素含量(%)C43H25N3O2:C,83.88;H,4.09;N,6.83。实测元素含量(%):C,83.82;H,4.13;N,6.85。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例10:化合物107的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-10,D-1替换替换成等摩尔量的D-4,其他步骤不变,得到化合物107(13.58g),HPLC检测固体纯度≧99.3%。质谱m/z:849.2242(理论值:849.2272)。理论元素含量(%)C59H35N3S2:C,83.36;H,4.15;N,4.94。实测元素含量(%):C,83.39;H,4.14;N,4.90。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例11:化合物113的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-7,D-1替换替换成等摩尔量的D-7,其他步骤不变,得到化合物113(10.36g),HPLC检测固体纯度≧99.5%。质谱m/z:616.1835(理论值:616.1899)。理论元素含量(%)C44H24N4O2:C,81.80;H,3.92;N,9.09。实测元素含量(%):C,81.75;H,3.93;N,9.12。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例12:化合物121的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-8,D-1替换替换成等摩尔量的D-3,其他步骤不变,得到化合物121(13.20g),HPLC检测固体纯度≧99.7%。质谱m/z:767.2521(理论值:767.2573)。理论元素含量(%)C55H33N3O2:C,86.03;H,4.33;N,5.47。实测元素含量(%):C,86.07;H,4.32;N,5.51。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例13:化合物144的制备
Step1:合成中间体D-8
氩气氛下,将化合物(10-溴蒽-9-基)硼酸(12.03g,40mmol),6-碘喹啉(10.20g,40mmol),醋酸钾(5.88g,60mmol),四三苯基膦钯(1.38g,1.2mmol),50ml乙醇,50ml水依次加入到150ml甲苯中,搅拌升温至回流状态反应6h,用氯仿萃取,然后用20g无水硫酸镁干燥,过滤,蒸发溶剂并使用DMC:PE=1:4的比例通过硅胶柱纯化,并重结晶,得到中间体6-(10-溴蒽-9-基)喹啉(13.37g,87%),HPLC检测固体纯度≧99.6%。
将化合物6-(10-溴蒽-9-基)喹啉(11.53g,30mmol),联硼酸频那醇酯(10.15g,40mmol),醋酸钾(4.41g,45mmol),四三苯基膦钯(1.03g,0.9mmol),50ml乙醇,50ml水依次加入到150ml甲苯中,搅拌升温至回流状态反应6h,用二氯甲烷萃取,萃取后有机相用20g无水硫酸镁干燥,过滤,蒸发溶剂并使用石油醚:乙酸乙酯=1:1的比例通过硅胶柱纯化,并重结晶,得到化合物D-8(11.44g,88%),HPLC检测固体纯度≧99.6%。
Step2:合成化合物144
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-9,D-1替换替换成等摩尔量的D-8,其他步骤不变,得到化合物144(11.20g),HPLC检测固体纯度≧99.5%。质谱m/z:691.2231(理论值:691.2260)。理论元素含量(%)C49H29N3O2:C,85.07;H,4.23;N,6.07。实测元素含量(%):C,85.02;H,4.25;N,6.09。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例14:化合物151的制备
将合成实施例1中的C-1替换成等摩尔量的C-9,D-1替换替换成等摩尔量的D-9,其他步骤不变,得到化合物151(10.78g),HPLC检测固体纯度≧99.3%。质谱m/z:641.2152(理论值:641.2103)。理论元素含量(%)C45H27N3O2:C,84.22;H,4.24;N,6.55。实测元素含量(%):C,84.19;H,4.26;N,6.58。上述结果证实获得的产物为目标产品。
合成实施例15:化合物162的制备
将合成实施例1中的D-1替换替换成等摩尔量的D-9,其他步骤不变,得到化合物15(10.54g),HPLC检测固体纯度≧99.6%。质谱m/z:642.2078(理论值:642.2056)。理论元素含量(%)C44H26N4O2:C,82.23;H,4.08;N,8.72。实测元素含量(%):C,82.27;H,4.06;N,8.69。上述结果证实获得的产物为目标产品。
[器件实施例1-13]
器件实施例1:将ITO基板在清洗剂中超声处理,再用去离子水清洗,在丙酮:乙醇的混合溶剂中超声除油,在洁净的环境下烘烤至完全除去水分,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子轰击。
将上述处理好的ITO基板送至蒸镀机内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在ITO基板上蒸镀25nm厚度的2-TNATA作为空穴注入层材料,在空穴注入层上蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层材料,在空穴传输层上蒸镀主体材料AND,掺杂材料料BD1,两者以95:5的掺杂比形成发光层,蒸镀厚度为30nm,在发光层上蒸镀10nm厚度的本发明化合物1作为空穴阻挡层,在空穴阻挡层上蒸镀30nm厚度的Bphen作为电子传输层,在电子传输层上蒸镀1nm厚度的LiF作为电子注入层材料,并在电子注入层上蒸镀120nm厚度的Al作为阴极。
器件实施例2~13:分别用本发明化合物9、化合物17、化合物32、化合物68、化合物84、化合物91、化合物107、化合物113、化合物121、化合物144、化合物151、化合物162替代器件实施例1中的化合物1作为空穴阻挡层,除此之外,应用与器件实施例1相同的步骤制备有机电致发光器件。
对比实施例1~5:分别用对比化合物1、对比化合物2、对比化合物3、对比化合物4、对比化合物5、对比化合物6替代器件实施例1中的化合物1作为空穴阻挡层,除此之外,应用与器件实施例1相同的步骤制备有机电致发光器件。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试***来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试***。测试的环境为大气环境,温度为室温。
所得有机电致发光器件的发光特性测试结果见表2所示。表2为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果。
[表2]有机电致发光器件的发光特性测试
由表2的结果可以看出,本发明的有机电致发光器件,与对比实施例1-6相比,表现出发光效率高的优点。
[器件实施例14-26]
器件实施例14:将ITO基板在清洗剂中超声处理,再用去离子水清洗,在丙酮:乙醇的混合溶剂中超声除油,在洁净的环境下烘烤至完全除去水分,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子轰击。
将上述处理好的ITO基板送至蒸镀机内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在ITO基板上蒸镀25nm厚度的2-TNATA作为空穴注入层材料,在空穴注入层上蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层材料,在空穴传输层上蒸镀主体材料AND,掺杂材料料BD1,两者以95:5的掺杂比形成发光层,蒸镀厚度为30nm,在发光层上蒸镀30nm厚度的本发明化合物1作为电子传输层,在电子传输层上蒸镀1nm厚度的LiF作为电子注入层材料,并在电子注入层上蒸镀120nm厚度的Al作为阴极。
器件实施例14~26:分别用本发明化合物9、化合物17、化合物32、化合物68、化合物84、化合物91、化合物107、化合物113、化合物121、化合物144、化合物151、化合物162替代器件实施例1中的化合物1作为电子传输层,除此之外,应用与器件实施例16相同的步骤制备有机电致发光器件。
对比实施例6~10:分别用对比化合物1、对比化合物2、对比化合物3、对比化合物4、对比化合物5、对比化合物6替代器件实施例1中的化合物1作为电子传输层,除此之外,应用与器件实施例16相同的步骤制备有机电致发光器件。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试***来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试***。测试的环境为大气环境,温度为室温。
所得有机电致发光器件的发光特性测试结果见表3所示。表3为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果。
[表3]有机电致发光器件的发光特性测试
由表3的结果可以看出,本发明的有机电致发光器件,与对比实施例7-12相比,表现出发光效率高的优点。
本发明所述的杂环衍生物作为有机电致发光器件的空穴阻挡层材料和电子传输材料时,衍生物的较高电子迁移率使得器件内的载流子传输得到平衡,进而降低器件的驱动电压,同时该衍生物具有较强的空穴阻挡能力和良好的热稳定性,将其应用到器件中,能够有效提高器件的发光效率并延长其使用寿命。本发明所述杂环衍生物作为空穴阻挡材料和电子传输材料,特别是空穴阻挡材料在有机电致发光器件中具有良好的应用效果,具有良好的产业化前景。
[器件实施例27-39]
器件实施例27:将ITO基板在清洗剂中超声处理,再用去离子水清洗,在丙酮:乙醇的混合溶剂中超声除油,在洁净的环境下烘烤至完全除去水分,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子轰击。
将上述处理好的ITO基板送至蒸镀机内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在ITO基板上蒸镀25nm厚度的2-TNATA作为空穴注入层材料,在空穴注入层上蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层材料,在空穴传输层上蒸镀主体材料AND,掺杂材料料BD1,两者以95:5的掺杂比形成发光层,蒸镀厚度为30nm,在发光层上蒸镀30nm厚度的Bphen作为电子传输层,在电子传输层上蒸镀1nm厚度的LiF作为电子注入层材料,并在电子注入层上蒸镀120nm厚度的Al作为阴极,在阴极上蒸镀70nm厚度的本发明化合物1作为覆盖层材料。
器件实施例28~39:分别用本发明化合物9、化合物17、化合物32、化合物68、化合物84、化合物91、化合物107、化合物113、化合物121、化合物144、化合物151、化合物162替代器件实施例1中的化合物1作为覆盖层层,除此之外,应用与器件实施例31相同的步骤制备有机电致发光器件。
对比实施例6~10:分别用对比化合物1、对比化合物2、对比化合物3、对比化合物4、对比化合物5、对比化合物6替代器件实施例1中的化合物1作为覆盖层,除此之外,应用与器件实施例27相同的步骤制备有机电致发光器件。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试***来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试***。测试的环境为大气环境,温度为室温。
所得有机电致发光器件的发光特性测试结果见表4所示。表4为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果。
[表4]有机电致发光器件的发光特性测试
由表4的结果可以看出,本发明的有机电致发光器件,与对比实施例7-12相比,表现出发光效率高的优点。这是因为本发明提供的杂环衍生物具备良好的折射率,将其作为覆盖层应用于有机电致发光器件中时,在不影响有机电致发光器件的RGB波长基础上,能够有效减少光在器件内部的全反射,提高器件的出光效率,从而提高器件的发光效率。
应当指出,本发明用个别实施方案进行了特别描述,但在不脱离本发明原理的前提下,本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进,这些改进也落入本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种杂环衍生物,其特征在于,所述杂环衍生物具有如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示结构,
所述Ar1、Ar2相同或不同的选自如下所示结构,
所述X0选自O、S中的一种;
所述R3选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C25的芳基、取代或未取代的C2~C15的杂芳基中的一种,所述a选自0~4的整数,所述a大于1时,多个R3彼此相同或不同,或者相邻两个R3之间连接成环;
所述Y选自N或C;
所述Het1选自如通式Ⅲ所示结构,所述Het2选自如通式Ⅳ所示结构,
所述X1~X12相同或不同的选自C-R1或N,所述R1选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C3~C15的杂芳基中的一种,或者相邻两个基团之间连接成环;X1~X6中存在一个或两个N;X7~X12中存在一个或两个N;
所述Ar3选自取代或未取代的C14~C18的稠环芳基;
所述Ar4选自取代或未取代的C14~C18的亚稠环芳基;
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6~C25的亚芳基、取代或未取代的C2~C20亚杂芳基中的一种;
所述“取代或未取代的烷基”、“取代或未取代的芳基”、“取代或未取代的杂芳基”、“取代或未取代的稠环芳基”、“取代或未取代的亚稠环芳基”、“取代或未取代的亚芳基”、“取代或未取代的亚杂芳基”中,取代基选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、9-苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基中的至少一种,或者当所述取代基为多个时,相邻的取代基可以键合成环;当所述取代基为多个时,多个取代基彼此相同或不同。
10.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括阳极、有机物层、阴极,所述有机物层包括权利要求1~9任一项所述的杂环衍生物。
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