CN113287199A - 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源层，具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；第一栅极电极，设置在所述第一有源层上；第一源极电极，设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；牺牲层结构，设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；保护绝缘层，设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电极，设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及子像素结构，设置在所述第一晶体管上。

Description

有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
技术领域
实施例一般地涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。更具体地，本发明构思的实施例涉及包括彼此不同类型的晶体管的有机发光显示装置以及制造包括彼此不同类型的晶体管的有机发光显示装置的方法。
背景技术
平板显示装置由于其轻质且薄的特性而用作用于替代阴极射线管显示装置的显示装置。作为这种平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置和有机发光显示装置。
近来，已经开发了包括基于硅的半导体元件和基于金属氧化物的半导体元件的有机发光显示装置。为了以高分辨率驱动有机发光显示装置，有机发光显示装置可以包括相对大量的信号布线。当有机发光显示装置包括相对大量的信号布线时，信号布线的宽度会相对地减小，以将信号布线布置在受限的空间中，并且信号布线的比电阻会增大。另外，当有机发光显示装置包括柔性基底和薄膜封装结构时，有机发光显示装置的一部分(例如，弯曲区域)可以弯曲或折叠。在制造有机发光显示装置的方法中，可以在弯曲区域中执行去除无机绝缘层的蚀刻工艺。然而，由于加入了蚀刻工艺，因此会相对地提高制造有机发光显示装置的成本。
发明内容
待解决的问题
本发明的一个目的是提供包括彼此不同类型的晶体管的有机发光显示装置。
本发明的另一目的是提供制造包括彼此不同类型的晶体管的有机发光显示装置的方法。
然而，本发明构思的目的不限于此。因而，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以扩展本发明构思的目的。
解决问题的方式
为了实现上述本发明的目的，根据本发明的实施例的有机发光显示装置包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；第一有源层，所述第一有源层具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；第一栅极电极，所述第一栅极电极设置在所述第一有源层上；第一源极电极，所述第一源极电极设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；牺牲层结构，所述牺牲层结构设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；保护绝缘层，所述保护绝缘层设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电极，所述第一漏极电极设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及子像素结构，所述子像素结构设置在所述第一晶体管上。
在实施例中，所述牺牲层结构可以定位为与所述漏极区域重叠，并且所述牺牲层结构和所述第一源极电极可以定位在同一层处。
在实施例中，所述第一漏极电极可以通过所述开口与所述牺牲层结构直接接触。
在实施例中，所述牺牲层结构的厚度可以与所述第一源极电极的厚度相同。
在实施例中，所述有机发光显示装置可以还包括：第二栅极电极，所述第二栅极电极在所述第二区域中设置在所述基底上；第二有源层，所述第二有源层设置在所述第二栅极电极上；以及第二源极电极和第二漏极电极，所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述第二有源层的两个侧部中，所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极和所述第二有源层一起被限定为第二晶体管。
在实施例中，所述牺牲层结构可以包括：下部牺牲层图案，所述下部牺牲层图案与所述第二有源层定位在同一层处，所述下部牺牲层图案具有第一开口；以及上部牺牲层图案，所述上部牺牲层图案设置在所述下部牺牲层图案上，所述上部牺牲层图案具有与所述第一开口重叠的第二开口，并且所述第一开口和所述第二开口可以对应于所述牺牲层结构的所述开口。
在实施例中，所述下部牺牲层图案的厚度可以与所述第二有源层的厚度相同，并且所述上部牺牲层图案的厚度可以与所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个的厚度相同。
在实施例中，所述下部牺牲层图案的厚度可以与所述第二有源层的厚度相同，并且所述上部牺牲层图案的厚度可以小于所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个的厚度。
在实施例中，所述牺牲层结构可以与所述第二有源层定位在同一层处，并且所述牺牲层结构的厚度可以与所述第二有源层的厚度相同。
在实施例中，所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个可以具有第一厚度，并且所述第一漏极电极可以具有第二厚度。所述第二厚度可以大于所述第一厚度。
在实施例中，所述第一晶体管可以具有顶栅结构，并且所述第一有源层可以包括基于硅的半导体。所述第二晶体管可以具有底栅结构，并且所述第二有源层可以包括基于金属氧化物的半导体。
在实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括：栅极电极图案，所述栅极电极图案设置在所述第一栅极电极上，并且所述栅极电极图案可以与所述第二栅极电极定位在同一层处。
在实施例中，所述基底还可以包括：***区域，所述***区域围绕所述显示区域；和弯曲区域，所述弯曲区域定位在所述***区域的一侧中。
在实施例中，所述基底可以在所述弯曲区域中具有凹槽。
为了实现上述本发明的另一目的，根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法包括：形成基底，所述基底具有包括第一区域和第二区域的发光区域、围绕所述发光区域的***区域、以及定位在所述***区域的一侧中的弯曲区域；在所述第一区域中在所述基底上形成具有源极区域和漏极区域的第一有源层；在所述第一有源层上形成第一栅极电极；形成暴露所述源极区域的第一接触孔；形成通过所述第一接触孔连接到所述源极区域的第一源极电极；在所述第一有源层上形成与所述漏极区域重叠的牺牲层结构；在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上形成保护绝缘层；同时形成i)暴露所述第一有源层的所述漏极区域的第二接触孔使得在所述牺牲层结构中形成开口以及ii)暴露所述基底的所述弯曲区域的第三接触孔；形成通过所述第二接触孔和所述开口连接到所述漏极区域的第一漏极电极；以及在所述第一漏极电极上形成子像素结构。
在实施例中，所述第二接触孔的高度可以小于所述第三接触孔的高度。
在实施例中，所述方法还可以包括：在所述基底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一绝缘中间层；以及在所述第一绝缘中间层上形成第二绝缘中间层。所述保护绝缘层可以形成在所述第二绝缘中间层上，并且所述牺牲层结构可以形成在所述第二绝缘中间层与所述保护绝缘中间层之间。
在实施例中，所述第二接触孔可以通过去除被定位为与所述第一有源层的所述漏极区域重叠的所述栅极绝缘层、所述第一绝缘中间层、所述第二绝缘中间层、所述牺牲层结构、以及所述保护绝缘层而形成。
在实施例中，所述第三接触孔可以通过去除被定位为与所述基底的所述弯曲区域重叠的所述栅极绝缘层、所述第一绝缘中间层、所述第二绝缘中间层、以及所述保护绝缘层而形成。
在实施例中，当形成所述第三接触孔时，可以去除所述基底的一部分。
本发明的效果
由于根据本发明的实施例的有机发光显示装置包括牺牲层结构，因此可以同时形成第二接触孔和第三接触孔。因此，在用于形成第三接触孔的工艺中，不会损坏第一有源层的漏极区域。
另外，由于有机发光显示装置包括第一晶体管，所述第一晶体管包括设置在彼此不同的层处的第一漏极电极和第一源极电极，因此第一漏极电极可以用作具有相对大的厚度的布线。因此，可以以高分辨率驱动有机发光显示装置。
在根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法中，牺牲层结构可以相对地延迟用于形成第二接触孔的时间，并且可以同时形成暴露第一有源层的漏极区域的第二接触孔以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层的上表面的第三接触孔。因此，不会损坏第一有源层的漏极区域。另外，因为同时形成第二接触孔和第三接触孔，因此可以相对地降低制造成本，并且不会损坏第一漏极电极。
然而，本发明的效果不限于此。因而，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以扩展本发明的效果。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图。
图2是示出图1的有机发光显示装置的示例的平面图。
图3是用于描述图1的有机发光显示装置被弯曲的形状的透视图。
图4是示出电连接到图1的有机发光显示装置的外部装置的框图。
图5是示出被设置在图1的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图。
图6是沿着图1的有机发光显示装置的线I-I'截取的截面图。
图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。
图18是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的截面图。
图19是示出图18的有机发光显示装置的示例的截面图。
图20、图21、图22、图23、图24、图25、图26、图27和图28是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。
图29、图30和图31是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。
图32是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图对根据本发明的实施例的有机发光显示装置以及根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法进行详细地说明。在附图中，相同或相似的附图标记用于相同或相似的组件。
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图，并且图2是示出图1的有机发光显示装置的示例的平面图。图3是用于描述图1的有机发光显示装置被弯曲的形状的透视图，并且图4是示出电连接到图1的有机发光显示装置的外部装置的框图。
参照图1、图3和图4，有机发光显示装置100(例如，图6的基底110)可以包括显示区域10和焊盘区域60。显示区域10可以包括发光区域30以及围绕发光区域30的***区域40，发光区域30包括多个子像素电路区域20，并且子像素电路区域20可以完全布置在发光区域30中。例如，图5的子像素电路SPC(例如，图6的第一晶体管250和图6的第二晶体管255)可以设置在每个子像素电路区域20中，并且图5的有机发光二极管OLED(例如，图6的子像素结构200)可以设置在子像素电路SPC上。在显示区域10中，可以通过子像素电路SPC和有机发光二极管OLED显示图像。
例如，第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路可以设置在子像素电路区域20中。第一子像素电路可以连接到用于发射红光的第一有机发光二极管，第二子像素电路可以连接到用于发射绿光的第二有机发光二极管，并且第三子像素电路可以连接到用于发射蓝光的第三有机发光二极管。
在实施例中，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路重叠，并且第二有机发光二极管可以与第二子像素电路重叠。另外，第三有机发光二极管可以与第三子像素电路重叠。可替代地，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路的一部分以及与第一子像素电路不同的其它子像素电路的一部分重叠，并且第二有机发光二极管可以与第二子像素电路的一部分以及与第二子像素电路不同的其它子像素电路的一部分重叠。另外，第三有机发光二极管可以与第三子像素电路的一部分以及与第三子像素电路不同的其它子像素电路的一部分重叠。例如，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管可以通过使用其中依次布置有具有相同尺寸的矩形的RGB条纹方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管的S条纹方案、还包括白色有机发光二极管的WRGB方案、其中重复地布置有RG-GB图案的PenTile方案等来布置。
另外，可以在每个子像素电路区域20中设置至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管和至少一个电容器等。在实施例中，可以在每个子像素电路区域20中设置一个驱动晶体管(例如，图5的第一晶体管TR1)和六个开关晶体管(例如，图5的第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7)和一个存储电容器(例如，图5的存储电容器CST)等。
尽管已经将本发明的显示区域10、***区域40以及子像素电路区域20中的每一个描述为具有矩形平面形状，但是该形状不限于此。例如，显示区域10、***区域40和子像素电路区域20中的每一个可以具有三角形平面形状、菱形平面形状、多边形平面形状、圆形平面形状、轨道(track)平面形状或椭圆形平面形状。
此外，可以在***区域40中设置多条布线。例如，这些布线可以包括数据信号布线、栅极信号布线、发光控制信号布线、栅极初始化信号布线、初始化电压布线、电源电压布线等。这些布线可以从***区域40延伸到发光区域30，并且可以电连接到子像素电路和有机发光二极管。此外，可以在***区域40中设置栅极驱动器和数据驱动器等。
焊盘区域60可以定位在显示区域10的一侧中，并且焊盘区域60可以包括弯曲区域50和焊盘电极区域70。在这里，弯曲区域50可以定位在***区域40的一侧中。电连接到外部装置101的焊盘电极470可以设置在焊盘电极区域70中。另外，弯曲区域50可以定位在显示区域10与焊盘电极区域70之间，并且连接电极可以设置在弯曲区域50中。例如，连接电极可以将焊盘电极470和子像素电路SPC电连接。在实施例中，有机发光显示装置100可以在水平方向(例如，与有机发光显示装置100的上表面平行的第一方向D1)上具有相同的宽度。
在其它实施例中，如图2中所示，焊盘区域60的宽度可以小于显示区域10的宽度。例如，在有机发光显示装置100的平面图中，显示区域10可以具有在与有机发光显示装置100的上表面平行的方向(例如，第一方向D1)上延伸的第一宽度，并且焊盘区域60可以具有在第一方向D1上延伸的小于第一宽度的第二宽度。
尽管围绕发光区域30的***区域40在图1中被示出为具有相同的宽度，但是本发明的配置不限于此。例如，***区域40可以包括在第一方向D1上延伸的第一***区域以及在垂直于第一方向D1的第二方向D2上延伸的第二***区域。换句话说，***区域40的第一***区域可以与发光区域30和弯曲区域50的顶部相邻，并且***区域40的第二***区域可以定位在发光区域30的两个侧部(例如，发光区域30的左部和右部)中。在这里，第二***区域的在第一方向D1上延伸的宽度可以相对小于第一***区域的在第二方向D2上延伸的宽度。当弯曲区域50在第一方向D1的轴上弯曲时，焊盘电极区域70可以定位在有机发光显示装置100的下表面上(参照图3)。换句话说，当焊盘电极区域70定位在有机发光显示装置100的下表面上时，弯曲区域50可以具有弯曲形状。
外部装置101可以通过柔性印刷电路板或印刷电路板电连接到有机发光显示装置100。例如，柔性印刷电路板的一侧可以与焊盘电极470直接接触，并且柔性印刷电路板的相对侧可以与外部装置101直接接触。外部装置101可以向有机发光显示装置100提供数据信号、栅极信号、发光控制信号、栅极初始化信号、初始化电压和电源电压等。另外，驱动器集成电路可以安装在柔性印刷电路板中。在其它实施例中，驱动器集成电路可以安装在与焊盘电极470相邻的有机发光显示装置100中。
图5是示出被设置在图1的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图。
参照图5，可以在有机发光显示装置100的子像素电路区域20中的每一个中设置子像素电路SPC和有机发光二极管OLED(例如，图6的子像素结构200)，并且一个子像素电路SPC可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7、存储电容器CST、用于高电源电压ELVDD的布线、用于低电源电压ELVSS的布线、用于初始化电压VINT的布线、用于数据信号DATA的布线、用于栅极信号GW的布线、用于栅极初始化信号GI的布线、用于发光控制信号EM的布线、用于二极管初始化信号GB的布线等。如上所述，第一晶体管TR1可以对应于驱动晶体管，并且第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7中的每一个可以包括第一端子、第二端子、沟道以及栅极端子。在实施例中，第一端子可以是源极端子，并且第二端子可以是漏极端子。可替代地，第一端子可以是漏极端子，并且第二端子可以是源极端子。
有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以被供应有低电源电压ELVSS。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。可替代地，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。在实施例中，有机发光二极管OLED的阳极端子可以对应于图6的下部电极290，并且有机发光二极管OLED的阴极端子可以对应于图6的上部电极340。
第一晶体管TR1(例如，对应于图6的第一晶体管250)可以产生驱动电流ID。在实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差产生驱动电流ID。另外，可以基于供应给有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小呈现色阶。可替代地，第一晶体管TR1可以在线性区域中操作。在这种情况下，可以基于一帧内的向有机发光二极管OLED供应驱动电流的时间的总和呈现色阶。
第二晶体管TR2的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以被供应有数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号GW，并且可以通过用于栅极信号GW的布线将栅极信号GW施加到第二晶体管TR2的栅极端子。第二晶体管TR2可以在栅极信号GW的激活时段期间向第一晶体管TR1的第一端子供应数据信号DATA。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区域中操作。
第三晶体管TR3的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号GW，并且可以通过用于栅极信号GW的布线将栅极信号GW施加到第三晶体管TR3的栅极端子。第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区域中操作。也就是说，第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间以二极管方式连接第一晶体管TR1。因为第一晶体管TR1是以二极管方式连接的，所以第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅极端子之间的电压差可以与第一晶体管TR1的阈值电压一样大。因此，在栅极信号GW的激活时段期间，可以将通过将电压差(即，阈值电压)相加到被供应给第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压所获得的电压供应给第一晶体管TR1的栅极端子。也就是说，数据信号DATA可以被补偿与第一晶体管TR1的阈值电压一样大，并且可以将补偿后的数据信号DATA供应给第一晶体管TR1的栅极端子。由于执行阈值电压补偿，因此可以解决由第一晶体管TR1的阈值电压偏差所引起的不均匀的驱动电流的问题。
提供有初始化电压VINT的用于初始化电压VINT的布线的输入端子可以连接到第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子，并且用于初始化电压VINT的布线的输出端子可以连接到第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4的栅极端子可以被供应有栅极初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。
第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间向第一晶体管TR1的栅极端子供应初始化电压VINT。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区域中操作。也就是说，第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子初始化为初始化电压VINT。在实施例中，初始化电压VINT可以具有比存储电容器CST在前一帧中所保持的数据信号DATA的电压电平足够低的电压电平，并且可以将初始化电压VINT供应给第一晶体管TR1的栅极端子。在其它实施例中，初始化电压VINT可以具有比存储电容器CST在前一帧中所保持的数据信号DATA的电压电平足够高的电压电平，并且可以将初始化电压VINT供应给第一晶体管TR1的栅极端子。
在实施例中，栅极初始化信号GI可以是与在一个水平时间之前传送的栅极信号GW基本上相同的信号。例如，供应给被包含在有机发光显示装置100中的子像素电路之中的第n行(其中，n是2或更大的整数)中的子像素电路的栅极初始化信号GI可以是与供应给子像素电路之中的第(n-1)行中的子像素电路的栅极信号GW基本上相同的信号。也就是说，通过将激活的栅极信号GW供应给子像素电路SPC之中的第(n-1)行中的第一子像素电路，可以将激活的栅极初始化信号GI供应给子像素电路SPC之中的第n行中的第一子像素电路。因此，在被包含在子像素电路SPC之中的第n行中的子像素电路中的第一晶体管TR1的栅极端子被初始化为初始化电压VINT的同时，可以将数据信号DATA供应给子像素电路SPC之中的第(n-1)行中的子像素电路。
第五晶体管TR5的栅极端子可以被供应有发光控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以连接到用于高电源电压ELVDD的布线。第五晶体管TR5的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从发光控制驱动器提供发光控制信号EM，并且可以通过用于发光控制信号EM的布线将发光控制信号EM施加到第五晶体管TR5的栅极端子。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的激活时段期间向第一晶体管TR1的第一端子供应高电源电压ELVDD。相反，第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的禁用(deactivation)时段期间切断对高电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域中操作。第五晶体管TR5在发光控制信号EM的激活时段期间向第一晶体管TR1的第一端子供应高电源电压ELVDD，使得第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。另外，第五晶体管TR5在发光控制信号EM的禁用时段期间切断对高电源电压ELVDD的供应，使得可以将供应给第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA供应给第一晶体管TR1的栅极端子。
第六晶体管TR6的栅极端子可以被供应有发光控制信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域中操作。也就是说，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED，使得有机发光二极管OLED可以输出光。另外，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的禁用时段期间将第一晶体管TR1与有机发光二极管OLED电隔离，使得可以将供应给第一晶体管TR1的第二端子的数据信号DATA(更准确地讲，已经受到阈值电压补偿的数据信号)供应给第一晶体管TR1的栅极端子。
第七晶体管TR7的栅极端子可以被供应有二极管初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间向有机发光二极管OLED的第一端子供应初始化电压VINT。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域中操作。也就是说，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。
可替代地，栅极初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是基本上彼此相同的信号。将第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和将有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作可以彼此不影响。也就是说，将第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和将有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作可以彼此独立。因此，不单独地产生二极管初始化信号GB，以便可以改善工艺的经济效率。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在用于高电源电压ELVDD的布线与第一晶体管TR1的栅极端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到用于高电源电压ELVDD的布线。存储电容器CST可以在栅极信号GW的禁用时段期间保持第一晶体管TR1的栅极端子的电压电平。栅极信号GW的禁用时段可以包括发光控制信号EM的激活时段，并且在发光控制信号EM的激活时段期间，可以将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED。因此，可以基于由存储电容器CST保持的电压电平将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED。
尽管已经将本发明的子像素电路SPC描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的配置不限于此。例如，子像素电路SPC可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的配置。
图6是沿着图1的有机发光显示装置的线I-I'截取的截面图。
参照图6，有机发光显示装置100可以包括基底110、缓冲层115、第一晶体管250、第二晶体管255、栅极电极图案180、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构500、保护绝缘层400、第一平坦化层270、信号布线350、连接图案370、第二平坦化层275、子像素结构200、像素限定层310、薄膜封装结构450等。在这里，基底110可以包括第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114。因为有机发光显示装置100包括显示区域10和焊盘区域60，显示区域10包括发光区域30和***区域40，焊盘区域60弯曲区域50和焊盘电极区域70，所以还可以将基底110划分为显示区域10和焊盘区域60。第一晶体管250可以包括第一有源层130、第一栅极电极170、第一源极电极210和第一漏极电极230，并且第二晶体管255可以包括第二有源层135、第二栅极电极175、第二源极电极215和第二漏极电极235。另外，子像素结构200可以包括下部电极290、发光层330和上部电极340，并且薄膜封装结构450可以包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453。此外，牺牲层结构500可以包括下部牺牲层图案510和上部牺牲层图案520。
因为有机发光显示装置100包括柔性基底110和薄膜封装结构450，所以有机发光显示装置100可以用作柔性有机发光显示装置。
可以提供第一有机层111。第一有机层111可以包括柔性有机材料。在实施例中，第一有机层111可以包括聚酰亚胺等。
第一屏障层112可以设置在整个第一有机层111上。第一屏障层112可以阻挡湿气渗透通过第一有机层111。第一屏障层112可以包括柔性无机材料。在实施例中，第一屏障层112可以包括氧化硅、氮化硅等。
第二有机层113可以设置在第一屏障层112上。第二有机层113可以设置在整个第一屏障层112上。第二有机层113可以包括柔性有机材料。在实施例中，第二有机层115可以包括聚酰亚胺等。
第二屏障层114可以设置在第二有机层113上。在实施例中，第二屏障层114可以具有暴露第二有机层113的上表面的开口，第二有机层113定位在弯曲区域50中。第二屏障层114可以阻挡湿气渗透通过第二有机层113。第二屏障层114可以包括柔性无机材料。在实施例中，第二屏障层114可以包括氧化硅、氮化硅等。可替代地，在定位在弯曲区域50中的第二屏障层114中不形成开口，或者在定位在弯曲区域50中的第二有机层113和第二屏障层114中形成开口。
因此，可以设置基底110，基底110包括第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114。在实施例中，基底110可以具有第一区域11和第二区域12，并且第一区域11可以定位为与第二区域12相邻。例如，第一区域11可以是设置有驱动晶体管的区域，并且第二区域12可以是设置有开关晶体管的区域。在实施例中，由于在第二屏障层114中形成开口，因此基底110可以在弯曲区域50中具有凹槽。
尽管基底110被描述为具有第四层，但是本发明的配置不限于此。例如，在其它实施例中，基底110可以包括单层或至少两层。
在其它实施例中，基底110可以包括透明或不透明的材料。例如，基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂石英基底(例如，F掺杂石英基底)、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
缓冲层115可以设置在基底110上。在实施例中，缓冲层115可以在第一区域11和第二区域12中设置在基底110上，并且延伸到弯曲区域50中，并且缓冲层115可以具有被定位在弯曲区域50中的暴露基底110的上表面(例如，第二有机层113的上表面)的第一开口。缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基底110扩散到第一晶体管250、第二晶体管255和子像素结构200中，并且可以在用于形成第一有源层130的结晶工艺期间控制传热速率，以获得基本上均匀的第一有源层130。另外，当基底110的表面不均匀时，缓冲层115可以用于改善基底110的表面的平坦度。根据基底110的类型，在基底110上可以提供至少两个缓冲层115，或者在基底110上可以不提供缓冲层115。例如，缓冲层115可以包括有机材料或无机材料。
第一有源层130可以在第一区域11中设置在缓冲层115上。例如，第一有源层130可以包括金属氧化物半导体、非晶硅、多晶硅、有机半导体等。在实施例中，第一有源层130可以包括基于硅的半导体，并且可以由非晶硅或多晶硅形成。在实施例中，第一有源层130可以具有源极区域和漏极区域。
栅极绝缘层150可以在第一区域11和第二区域12中设置在缓冲层115和第一有源层130上。在实施例中，栅极绝缘层150可以在第一区域11中在基底110上覆盖第一有源层130并延伸到弯曲区域50中，并且可以具有与第一开口重叠的第二开口。例如，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上充分覆盖第一有源层130，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一有源层130周围造成台阶。可替代地，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖第一有源层130，并且可以沿着第一有源层130的轮廓设置为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。可替代地，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一栅极电极170可以在栅极绝缘层150上设置在第一区域11中。例如，第一栅极电极170可以设置在栅极绝缘层150的其下方定位有第一有源层130的部分(例如，与第一有源层130的沟道区域重叠的部分)上。第一栅极电极170可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。可替代地，第一栅极电极170可以具有包括多个层的多层结构。
第一绝缘中间层190可以在第一区域11和第二区域12中设置在栅极绝缘层150和第一栅极电极170上。在实施例中，第一绝缘中间层190可以在第一区域11中在栅极绝缘层150上覆盖第一栅极电极170并延伸到弯曲区域50中，并且可以具有与第一开口和第二开口重叠的第三开口。例如，第一绝缘中间层190可以在栅极绝缘层150上充分覆盖第一栅极电极170，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一栅极电极170周围造成台阶。可替代地，第一绝缘中间层190可以在栅极绝缘层150上覆盖第一栅极电极170，并且可以沿着第一栅极电极170的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第一绝缘中间层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。可替代地，第一绝缘中间层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
栅极电极图案180可以在第一区域11中设置在第一绝缘中间层190上。栅极电极图案180可以设置在第一绝缘中间层190的其下方定位有第一栅极电极170的部分上。在有机发光显示装置100的另一截面图中，第一栅极电极170和栅极电极图案180可以用作图5的存储电容器CST。栅极电极图案180可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可替代地，栅极电极图案180可以具有包括多个层的多层结构。
第二栅极电极175可以在第二区域12中设置在第一绝缘中间层190上。换句话说，第二栅极电极175可以与栅极电极图案180间隔开。在实施例中，第二栅极电极175和栅极电极图案180可以定位在同一层处，并且可以使用相同的材料同时形成。第二栅极电极175可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
第二绝缘中间层195可以在第一区域11和第二区域12中设置在栅极电极图案180和第二栅极电极175上。在实施例中，第二绝缘中间层195可以在第一区域11中在第一绝缘中间层190上覆盖栅极电极图案180并且在第二区域12中在第一绝缘中间层190上覆盖第二栅极电极175，并且延伸到弯曲区域50中，并且第二绝缘中间层195可以具有与第一开口、第二开口和第三开口重叠的第四开口。例如，第二绝缘中间层195可以在第一绝缘中间层190上充分覆盖栅极电极图案180和第二栅极电极175，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在栅极电极图案180和第二栅极电极175周围造成台阶。可替代地，第二绝缘中间层195可以在第一绝缘中间层190上覆盖栅极电极图案180和第二栅极电极175，并且可以沿着栅极电极图案180和第二栅极电极175的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可以包括硅化合物、金属氧化物等。可替代地，第二绝缘中间层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一源极电极210可以在第一区域11中设置在第二绝缘中间层195上。第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源极区域，第一接触孔212通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的第一部分而形成。第一源极电极210可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一源极电极210可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
在实施例中，第一源极电极210可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第一源极电极210可以包括Mo。另外，第一源极电极210可以用作电极。换句话说，因为第一源极电极210用作电极，所以第一源极电极210可以具有比用作布线的第一漏极电极230、信号布线350和连接图案370相对更高的比电阻。在其它实施例中，第一源极电极210可以具有包括多个层的多层结构。
第二有源层135可以在第二区域12中设置在第二绝缘中间层195上。第二有源层135可以设置在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分上。第二有源层135可以包括金属氧化物半导体。换句话说，第二有源层135可以是半导体氧化物层，该半导体氧化物层包括包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)等。例如，第二有源层135可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZnZrxOy)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)、氧化铟镓锡(IGTO)等。
第二源极电极215和第二漏极电极235可以在第二区域12中设置在第二绝缘中间层195上。第二源极电极215可以覆盖第二有源层135的第一侧部，并且第二漏极电极235可以覆盖第二有源层135的与第一侧部不同的第二侧部。换句话说，第二源极电极215和第二漏极电极235可以设置在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上表面的一部分。第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
在实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以包括Mo。另外，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以用作电极。换句话说，因为第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个用作电极，所以第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有比用作布线的第一漏极电极230、信号布线350和连接图案370相对更高的比电阻。在其它实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235可以一体地形成。
在实施例中，第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定位在同一层处，并且可以使用相同的材料同时形成。在其它实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以设置第二晶体管255，第二晶体管255包括第二有源层135、第二栅极电极175、第二源极电极215和第二漏极电极235。在这里，第二晶体管255可以用作包括基于氧化物的半导体的开关晶体管。另外，第二晶体管255可以用作具有底栅结构的晶体管。例如，第二晶体管255可以是图5中所示的第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7中的一个。
牺牲层结构500可以设置在第二绝缘中间层195上，同时与第一源极电极210间隔开。在实施例中，牺牲层结构500可以与第一有源层130的漏极区域重叠，并且牺牲层结构500可以与第一源极电极210、第二有源层135、第二源极电极215和第二漏极电极235定位在同一层(例如，第二绝缘中间层195)处。
另外，牺牲层结构500可以具有开口501(参照图14)。第一有源层130的漏极区域可以通过开口501被暴露。例如，开口501可以是在用于形成第二接触孔232的工艺中形成，使得第一漏极电极230连接到第一有源层130的漏极区域。牺牲层结构500可以在第二绝缘中间层195上具有中空矩形平面形状。可替代地，牺牲层结构500的形状可以具有中空三角形平面形状、中空菱形平面形状、中空多边形平面形状、中空圆形平面形状、中空轨道型平面形状或中空椭圆形平面形状。
如上所述，牺牲层结构500可以包括下部牺牲层图案510以及设置在下部牺牲层图案510上的上部牺牲层图案520，在第二绝缘中间层195上，下部牺牲层图案510与第二有源层135定位在同一层处。另外，下部牺牲层图案510可以具有第一开口，并且上部牺牲层图案520可以具有与第一开口重叠的第二开口。在这里，第一开口和第二开口可以对应于牺牲层结构500的开口501。
此外，下部牺牲层图案510的厚度可以与第二有源层135的厚度基本上相同，并且上部牺牲层图案520的厚度可以与第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个的第一厚度T1基本上相同。也就是说，上部牺牲层图案520可以具有第一厚度T1。
因此，定位在第二绝缘中间层195上的具有开口501的牺牲层结构500可以设置为与第一有源层130的漏极区域重叠。
例如，在制造有机发光显示装置的传统方法中，在形成第二接触孔232之后，可以在弯曲区域50中形成第三接触孔102。在这种情况下，在形成第三接触孔102的工艺中，可以去除设置在第一漏极电极230上的所有光致抗蚀剂，使得可能损坏第一漏极电极230。否则，当同时形成第二接触孔232和第三接触孔102时，因为第二接触孔232的厚度(或高度)和第三接触孔102的厚度不同，所以可能损坏第一有源层130的漏极区域。例如，虽然去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400以形成第二接触孔232，但是可以去除第二屏障层114、缓冲层115、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400以形成第三接触孔102。也就是说，在去除被定位在弯曲区域50中的缓冲层115和第二屏障层114的同时，可能去除第一有源层130的漏极区域。
在本发明的实施例中，由于有机发光显示装置100包括牺牲层结构500，因此在制造有机发光显示装置100的方法中可以同时形成第二接触孔232和第三接触孔102。例如，牺牲层结构500可以延迟用于形成第二接触孔232的时间，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232和被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。因此，可以不损坏第一有源层130的漏极区域。
保护绝缘层400可以在第一区域11和第二区域12中设置在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、牺牲层结构500、第二源极电极215和第二漏极电极235上。在实施例中，保护绝缘层400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且延伸到弯曲区域50中，并且保护绝缘层400可以具有与第一开口至第四开口重叠的第五开口。在这里，第一开口至第五开口可以对应于在基底110上形成在弯曲区域50中的第三接触孔102(参照图13)。例如，保护绝缘层400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构500、第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235周围造成台阶。可替代地，保护绝缘层400可以在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓设置为基本上均匀的厚度。保护绝缘层400可以包括硅化合物、金属氧化物等。可替代地，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一漏极电极230可以在第一区域11中设置在保护绝缘层400上。换句话说，第一源极电极210和第一漏极电极230可以设置在彼此不同的层处。第一漏极电极230可以通过第二接触孔232连接到第一有源层130的漏极区域，第二接触孔232通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400中的每一个的第二部分而形成。在实施例中，第二接触孔232可以穿过牺牲层结构500的开口501。也就是说，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232与牺牲层结构500直接接触。另外，第一漏极电极230可以具有大于第一厚度T1的第二厚度T2，并且可以形成为多个层。
第一漏极电极230可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，第一漏极电极230可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。另外，第一漏极电极230可以用作布线。换句话说，因为第一漏极电极230用作布线，所以第一漏极电极230可以具有比用作电极的第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235相对更低的比电阻。可以将(例如，对应于图5的高电源电压ELVDD的)高电源电压施加到第一漏极电极230。
例如，为了以高分辨率驱动传统的有机发光显示装置，传统的有机发光显示装置必须包括相对大量的信号布线。在这种情况下，信号布线可以设置在第二绝缘中间层195上。当传统的有机发光显示装置包括相对大量的信号布线时，每个信号布线的宽度会相对地减小，以将信号布线布置在受限的空间中，并且信号布线的比电阻会增大。也就是说，具有高分辨率的有机发光显示装置可以不按照传统的方式来制造。
在本发明的实施例中，被包含在有机发光显示装置100中的第一晶体管250的第一漏极电极230设置在与第一源极电极210不同的层中，使得第一漏极电极230可以形成为具有相对大的宽度和相对大的厚度的布线。也就是说，第一漏极电极230可以具有相对低的比电阻，并且有机发光显示装置100可以在保护绝缘层400上形成信号布线。因此，有机发光显示装置100具有第一晶体管250，第一晶体管250包括其具有相对大的宽度和相对大的厚度的第一漏极电极230，使得可以以高分辨率驱动有机发光显示装置100。
因此，可以设置包括第一有源层130、第一栅极电极170、第一源极电极210和第一漏极电极230的第一晶体管250。在这里，第一晶体管250可以用作包括基于硅的半导体的驱动晶体管。另外，第一晶体管250可以用作具有顶栅结构的晶体管。例如，第一晶体管250可以对应于图5中所示的第一晶体管TR1。
虽然有机发光显示装置100被描述为具有包括两个晶体管(例如，第一晶体管250和第二晶体管255)的配置，但是本发明的配置不限于此。例如，有机发光显示装置100可以具有包括至少两个晶体管和至少一个电容器的配置。
第一平坦化层270可以设置在保护绝缘层400和第一漏极电极230上。第一平坦化层270可以设置在整个保护绝缘层400上。例如，第一平坦化层270可以设置为相对厚的厚度，以充分覆盖第一漏极电极230，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面。另外，可以向第一平坦化层270加入平坦化工艺，以实现第一平坦化层270的平坦上表面。在实施例中，第一平坦化层270可以填充被定位在弯曲区域50中的第一开口至第五开口。换句话说，第一平坦化层270可以与被定位在弯曲区域50中的第二有机层113的上表面直接接触。可替代地，第一平坦化层270可以仅设置在发光区域30中，并且可以不设置在焊盘区域60中。第一平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在实施例中，第一平坦化层270可以包括有机材料。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂或环氧基树脂等。
信号布线350和连接图案370可以设置在第一平坦化层270上。可以将数据信号(例如，图5中所示的数据信号DATA)施加到信号布线350，并且可以将高电源电压(例如，图5中所示的高电源电压ELVDD)施加到连接图案370。换句话说，信号布线350可以对应于图5中所示的用于数据信号DATA的布线，并且连接图案370可以对应于图5中所示的第六晶体管TR6的第二端子。例如，信号布线350可以将数据信号DATA传送到第二晶体管255，并且传送到第二晶体管255(例如，第二晶体管255的第二漏极电极235)的数据信号DATA可以被施加到第一晶体管250(例如，第一晶体管250的第一栅极电极170)。另外，第一晶体管250的第一漏极电极230可以将高电源电压ELVDD传送到连接图案370(例如，图5中所示的第六晶体管TR6的第二端子)，并且传送到连接图案370的高电源电压ELVDD可以被施加到下部电极290。
信号布线350和连接图案370中的每一个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，信号布线350和连接图案370中的每一个可以用作布线，并且可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
第二平坦化层275可以设置在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370上。第二平坦化层275可以设置在整个第一平坦化层270上。例如，第二平坦化层275可以设置为相对厚的厚度，以充分覆盖信号布线350和连接图案370，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以是基本上平坦的上表面。另外，可以向第二平坦化层275加入平坦化工艺以便实现第二平坦化层275的这种平坦的上表面。可替代地，第二平坦化层275可以仅设置在发光区域30中，并且可以不设置在焊盘区域60中。第二平坦化层275可以包括有机材料或无机材料。在实施例中，第二平坦化层275可以包括有机材料。
下部电极290可以设置在第二平坦化层275上。下部电极290可以通过接触孔连接到连接图案370，该接触孔通过去除第二平坦化层275的一部分而形成。下部电极290可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可替代地，下部电极290可以具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可以设置在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上。像素限定层310可以覆盖下部电极290的两个侧部，并且可以暴露下部电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。可替代地，像素限定层310可以仅设置在发光区域30中，并且可以不设置在焊盘区域60中。
发光层330可以设置在由像素限定层310暴露的下部电极290上。发光层330可以使用用于根据子像素发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种而形成。可替代地，发光层330可以通过层叠用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色的光的多种发光材料以在整体上发射白光而形成。在这种情况下，可以在发光层330上设置滤色器(例如，以在薄膜封装结构450的上表面上与发光层330重叠)。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一个。可替代地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等。
上部电极340可以设置在像素限定层310和发光层330上。上部电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且可以完全设置在发光层330和像素限定层310上。在实施例中，可以将低电源电压(例如，图5中所示的低电源电压ELVSS)施加到上部电极340。上部电极340可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。可替代地，上部电极340可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以设置包括下部电极290、发光层330和上部电极340的子像素结构200。
第一薄膜封装层451可以在发光区域30中设置在上部电极340上。在发光区域30中，第一薄膜封装层451可以覆盖上部电极340，并且可以沿着上部电极340的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第一薄膜封装层451可以防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而被劣化。另外，第一薄膜封装层451可以用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。第一薄膜封装层451可以包括柔性无机材料。
第二薄膜封装层452可以在发光区域30中设置在第一薄膜封装层451上。第二薄膜封装层452可以改善有机发光显示装置100的平坦度，并且可以保护子像素结构200。第二薄膜封装层452可以包括柔性有机材料。
第三薄膜封装层453可以在发光区域30中设置在第二薄膜封装层452上。在发光区域30中，第三薄膜封装层453可以覆盖第二薄膜封装层452，并且可以沿第二薄膜封装层452的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第三薄膜封装层453与第一薄膜封装层451一起可以防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而被劣化。另外，第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451和第二薄膜封装层452一起用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。第三薄膜封装层453可以包括柔性无机材料。可替代地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层所形成的五层结构或者通过层叠第一薄膜封装层至第七薄膜封装层所形成的七层结构。
因此，可以设置包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450。
由于根据本发明的实施例的有机发光显示装置100包括牺牲层结构500，因此可以同时形成第二接触孔232和第三接触孔102。因此，在用于形成第三接触孔102的工艺中，不会损坏第一有源层130的漏极区域。
另外，由于有机发光显示装置100包括第一晶体管250，第一晶体管250包括设置在彼此不同的层处的第一漏极电极230和第一源极电极210，因此第一漏极电极230可以用作具有相对大的厚度的布线。因此，可以以高分辨率驱动有机发光显示装置100。
图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。例如，图7、图8、图10、图11、图13、图15、图16和图17是示出有机发光显示装置的方法的截面图，并且图9是示出图8的下部牺牲层图案的平面图。另外，图12是示出图11的下部牺牲层图案和上部牺牲层图案的平面图，并且图14是示出图13的牺牲层结构的平面图。
参照图7，可以提供刚性玻璃基底105。可以在玻璃基底105上形成第一有机层111。第一有机层111可以形成在整个玻璃基底105上，并且可以使用诸如聚酰亚胺的柔性有机材料形成。
可以在整个第一有机层111上形成第一屏障层112。第一屏障层112可以阻挡湿气渗透通过第一有机层111。第一屏障层112可以使用诸如氧化硅、氮化硅等的柔性无机材料形成。
可以在第一屏障层112上形成第二有机层113。第二有机层113可以形成在整个第一屏障层112上，并且可以使用诸如聚酰亚胺的柔性有机材料形成。
可以在整个第二有机层113上形成第二屏障层114。第二屏障层114可以阻挡湿气渗透通过第二有机层113。第二屏障层114可以使用诸如氧化硅、氮化硅等的柔性无机材料形成。
因此，可以形成包括第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114的基底110。
因为基底110是薄的且柔性的，所以基底110可以形成在刚性玻璃基底105上，以支撑上部结构(例如，第一晶体管、第二晶体管、子像素结构、薄膜封装结构等)的形成。例如，在基底110上形成上部结构之后，可以去除玻璃基底105。换句话说，由于第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114的柔性物理特性，可能难以在第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113以及第二屏障层114上直接形成上部结构。考虑到上述点，使用玻璃基底105形成上部结构，并且然后去除玻璃基底105，使得第一有机层111、第一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114可以用作基底110。
可以在基底110上形成缓冲层115。在实施例中，缓冲层115可以在第一区域11和第二区域12中形成在基底110上，并且可以延伸到弯曲区域50中。也就是说，缓冲层115可以形成在整个基底110上。缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基底110扩散，并且可以在用于形成有源层的结晶工艺期间控制传热速率，以获得基本上均匀的有源层。另外，当基底110的表面不均匀时，缓冲层115可以用于改善基底110的表面的平坦度。根据基底110的类型，在基底110上可以提供至少两个缓冲层115，或者在基底110上可以不形成缓冲层115。例如，缓冲层115可以使用有机材料或无机材料形成。
在第一区域11中，可以在缓冲层115上形成第一有源层130。例如，第一有源层130可以包括金属氧化物半导体、非晶硅、多晶硅、有机半导体等。在实施例中，第一有源层130可以包括基于硅的半导体，并且可以使用非晶硅或多晶硅形成。在实施例中，第一有源层130可以具有源极区域和漏极区域。
在第一区域11和第二区域12中，可以在缓冲层115和第一有源层130上形成栅极绝缘层150。例如，栅极绝缘层150可以在第一区域11中在基底110上覆盖第一有源层130，并且可以延伸到弯曲区域50中。也就是说，栅极绝缘层150可以形成在整个缓冲层115上。例如，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上充分覆盖第一有源层130，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一有源层130周围造成台阶。可替代地，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖第一有源层130，并且可以沿着第一有源层130的轮廓形成为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层150可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。可替代地，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括此不同的材料的多个绝缘层。
在第一区域11中，可以在栅极绝缘层150上形成第一栅极电极170。例如，第一栅极电极170可以形成在栅极绝缘层150的其下方定位有第一有源层130的部分(例如，与第一有源层130的沟道区域重叠的部分)上。第一栅极电极170可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。可替代地，第一栅极电极170可以具有包括多个层的多层结构。
在第一区域11和第二区域12中，可以在栅极绝缘层150和第一栅极电极170上形成第一绝缘中间层190。例如，第一绝缘中间层190可以在第一区域11中在栅极绝缘层150上覆盖第一栅极电极170，并且可以延伸到弯曲区域50中。也就是说，第一绝缘中间层190可以形成在整个栅极绝缘层150上。例如，第一绝缘中间层190可以在栅极绝缘层150上充分覆盖第一栅极电极170，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一栅极电极170周围造成台阶。可替代地，第一绝缘中间层190可以在栅极绝缘层150上覆盖第一栅极电极170，并且可以沿着第一栅极电极170的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第一绝缘中间层190可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。可替代地，第一绝缘中间层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
在第一区域11中，可以在第一绝缘中间层190上形成栅极电极图案180。栅极电极图案180可以形成在第一绝缘中间层190的其下定位有第一栅极电极170的部分上。栅极电极图案180可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。可替代地，栅极电极图案180可以具有包括多个层的多层结构。
在第二区域12中，可以在第一绝缘中间层190上形成第二栅极电极175。在实施例中，第二栅极电极175和栅极电极图案180可以定位在同一层处，并且可以使用相同的材料同时形成。第二栅极电极175可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
在第一区域11和第二区域12中，可以在栅极电极图案180和第二栅极电极175上形成第二绝缘中间层195。例如，第二绝缘中间层195可以在第一区域11中在第一绝缘中间层190上覆盖栅极电极图案180并且在第二区域12中在第一绝缘中间层190上覆盖第二栅极电极175，并且可以延伸到弯曲区域50中。也就是说，第二绝缘中间层195可以形成在整个第一绝缘中间层190上。例如，第二绝缘中间层195可以在第一绝缘中间层190上充分覆盖栅极电极图案180和第二栅极电极175，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在栅极电极图案180和第二栅极电极175周围造成台阶。可替代地，第二绝缘中间层195可以在第一绝缘中间层190上覆盖栅极电极图案180和第二栅极电极175，并且可以沿着栅极电极图案180和第二栅极电极175的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。可替代地，第二绝缘中间层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参照图8和图9，在第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195上形成第二有源层135。第二有源层135可以形成在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分上。第二有源层135可以使用金属氧化物半导体形成。换句话说，第二有源层135可以是半导体氧化物层，该半导体氧化物层包括包含In、Zn、Ga、Sn、Ti、Al、Hf、Zr、Mg等的二元化合物、三元化合物或四元化合物等等。例如，第二有源层135可以包括ZnOx、GaOx、TiOx、SnOx、InOx、IGO、IZO、ITO、GZO、ZMO、ZTO、ZnZrxOy、IGZO、IZTO、IGHO、TAZO、IGTO等。
下部牺牲层图案510可以形成为与第二有源层135间隔开。下部牺牲层图案510和第二有源层135可以定位在同一层处，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，在整个第二绝缘中间层195上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将下部牺牲层图案510和第二有源层135形成为相同的厚度。
参照图10，在形成第二有源层135和下部牺牲层图案510之后，可以通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第一有源层130的源极区域的第一接触孔212。
参照图11和图12，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源极区域。第一源极电极210可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，第一源极电极210可以包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。
在实施例中，第一源极电极210可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第一源极电极210可以使用Mo形成。在其它实施例中，第一源极电极210可以具有包括多个层的多层结构。
在第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195上形成第二源极电极215和第二漏极电极235。第二源极电极215可以覆盖第二有源层135的第一侧部，并且第二漏极电极235可以覆盖第二有源层135的与第一侧部不同的第二侧部。换句话说，第二源极电极215和第二漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上表面的一部分。第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。
在实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以包括Mo。在其它实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括第二有源层135、第二栅极电极175、第二源极电极215和第二漏极电极235的第二晶体管255。
可以在下部牺牲层图案510上形成上部牺牲层图案520。上部牺牲层图案520、第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以使用相同的材料在同一层上同时形成。例如，在第二绝缘中间层195、第二有源层135和下部牺牲层图案510上形成初步电极层之后，可以通过选择性地蚀刻初步电极层将上部牺牲层图案520、第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同的厚度。
因此，可以形成包括下部牺牲层图案510和上部牺牲层图案520的牺牲层结构500。
在第一区域11和第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235上形成保护绝缘层400。例如，保护绝缘层400可以在第一区域11中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210和牺牲层结构500并且在第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以延伸到弯曲区域50中。也就是说，保护绝缘层400可以形成在整个第二绝缘中间层195上。例如，保护绝缘层400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235周围造成台阶。可替代地，保护绝缘层400可以在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓形成为基本上均匀的厚度。保护绝缘层400可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。可替代地，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参照图13和14，在形成保护绝缘层400之后，可以通过去除被定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构500和保护绝缘层400来形成暴露出第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232，并且可以通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400来形成第三接触孔102，第三接触孔102暴露被定位在弯曲区域50中的第二有机层113的上表面。在用于形成第二接触孔232的工艺中可以形成位于牺牲层结构500中的开口501，并且在用于形成第三接触孔102的工艺中可以形成去除了基底110的一部分的凹槽。
可以去除被定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构500和保护绝缘层400，以形成第二接触孔232，并且可以去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400，以形成第三接触孔102。用于形成第二接触孔232的工艺与用于形成第三接触孔102的工艺可以被同时执行。例如，在保护绝缘层400上局部地形成光致抗蚀剂(例如，在除了将要形成有第二接触孔232和第三接触孔102的部分之外的其余部分中形成光致抗蚀剂)之后，可以通过使用四氟化碳(“CF4”)气体、六氟化硫(“SF6”)气体和三氟化氮(NF3)气体对整个保护绝缘层400执行干法蚀刻工艺。在这里，第二接触孔232的高度可以小于第三接触孔102的高度。换句话说，蚀刻为干法蚀刻工艺的厚度可以在第二接触孔232和第三接触孔102中不同。然而，由于牺牲层结构500，用于形成第二接触孔232的时间会相对地延迟，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。因此，不会损坏第一有源层130的漏极区域。另外，因为第二接触孔232和第三接触孔102是同时形成的，所以可以相对地降低制造成本。
参照图15，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232和牺牲层结构500的开口501连接到第一有源层130的漏极区域。在实施例中，第二接触孔232可以穿过牺牲层结构500的开口501。也就是说，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232与牺牲层结构500直接接触。另外，第一漏极电极230可以具有大于第一厚度T1的第二厚度T2，并且可以形成为多个层。第一漏极电极230可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。在实施例中，第一漏极电极230可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
因此，可以形成包括第一有源层130、第一栅极电极170、第一源极电极210和第一漏极电极230的第一晶体管250。
例如，在制造有机发光显示装置的传统方法中，在形成第二接触孔232之后，可以在弯曲区域50中形成第三接触孔102。在这种情况下，在形成第三接触孔102的工艺中，会去除形成在第一漏极电极230上的所有光致抗蚀剂，使得可能损坏第一漏极电极230。
在实施例中，第二接触孔232和第三接触孔102是同时形成的，使得不会损坏第一漏极电极230。
可以在保护绝缘层400和第一漏极电极230上形成第一平坦化层270。第一平坦化层270可以形成在整个保护绝缘层400上。例如，第一平坦化层270可以形成为相对厚的厚度，以充分覆盖第一漏极电极230，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面。另外，可以向第一平坦化层270加入平坦化工艺，以便实现第一平坦化层270的平坦上表面。在实施例中，第一平坦化层270可以填充被定位在弯曲区域50中的第三接触孔102。换句话说，第一平坦化层270可以与被定位在弯曲区域50中的第二有机层113的上表面直接接触。可替代地，第一平坦化层270可以仅形成在发光区域30中，并且可以不形成在焊盘区域60中。第一平坦化层270可以使用有机材料形成。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂或环氧基树脂等。
参照图16，可以在第一平坦化层270上形成信号布线350和连接图案370。信号布线350和连接图案370中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。在实施例中，信号布线350和连接图案370中的每一个可以使用相同的材料同时形成，并且可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
可以在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370上形成第二平坦化层275。第二平坦化层275可以形成在整个第一平坦化层270上。例如，第二平坦化层275可以形成为相对厚的厚度，以充分覆盖信号布线350和连接图案370，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以是基本上平坦的上表面。另外，可以向第二平坦化层275加入平坦化工艺，以实现第二平坦化层275的这种平坦的上表面。可替代地，第二平坦化层275可以仅形成在发光区域30中，并且可以不形成在焊盘区域60中。第二平坦化层275可以使用有机材料形成。
可以在第二平坦化层275上形成下部电极290。下部电极290可以通过接触孔连接到连接图案370，该接触孔通过去除第二平坦化层275的一部分而形成。下部电极290可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。可替代地，下部电极290可以具有包括多个层的多层结构。
可以在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上形成像素限定层310。像素限定层310可以覆盖下部电极290的两个侧部，并且可以暴露下部电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以使用有机材料形成。可替代地，像素限定层310可以仅形成在发光区域30中，并且可以不形成在焊盘区域60中。
参照图17，可以在由像素限定层310暴露的下部电极290上形成发光层330。发光层330可以使用用于根据子像素发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种而形成。可替代地，发光层330可以通过层叠用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色的光的多种发光材料以在整体上发射白光而形成。在这种情况下，可以在发光层330上形成滤色器。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一个。可替代地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以使用光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等形成。
可以在像素限定层310和发光层330上形成上部电极340。上部电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且可以完全形成在发光层330和像素限定层310上。上部电极340可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。可替代地，上部电极340可以具有其包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括下部电极290、发光层330和上部电极340的子像素结构200。
在发光区域30中，可以在上部电极340上形成第一薄膜封装层451。第一薄膜封装层451可以在发光区域30中覆盖上部电极340，并且可以沿着上部电极340的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第一薄膜封装层451可以防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而被劣化。另外，第一薄膜封装层451可以用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。第一薄膜封装层451可以使用柔性无机材料形成。
在发光区域30中，可以在第一薄膜封装层451上形成第二薄膜封装层452。第二薄膜封装层452可以改善有机发光显示装置的平坦度，并且可以保护子像素结构200。第二薄膜封装层452可以使用柔性有机材料形成。
在发光区域30中，可以在第二薄膜封装层452上形成第三薄膜封装层453。第三薄膜封装层453可以在发光区域30中覆盖第二薄膜封装层452，并且可以沿着第二薄膜封装层452的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第三薄膜封装层453与第一薄膜封装层451一起可以防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而被劣化。另外，第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451和第二薄膜封装层452一起用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。第三薄膜封装层453可以使用柔性无机材料形成。可替代地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层所形成的五层结构，或者通过层叠第一薄膜封装层至第七薄膜封装层所形成的七层结构。
因此，可以形成包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450。
在形成薄膜封装结构450之后，可以从基底110去除玻璃基底105。因此，可以制造图6中所示的有机发光显示装置100。
在根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法中，牺牲层结构500可以相对延迟用于形成第二接触孔232的时间，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。因此，不会损坏第一有源层130的漏极区域。另外，因为同时形成第二接触孔232和第三接触孔102，所以可以相对降低制造成本，并且不会损坏第一漏极电极230。
图18是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的截面图，并且图19是示出图18的有机发光显示装置的示例的截面图。除了牺牲层结构1500之外，图18中所示的有机发光显示装置700可以具有与参照图1至图6描述的有机发光显示装置100基本上相同或相似的配置。在图18中，将省略与参照图1至图6描述的元件基本上相同或相似的元件的冗余描述。
参照图18，有机发光显示装置700可以包括基底110、缓冲层115、第一晶体管250、第二晶体管255、栅极电极图案180、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构1500、保护绝缘层1400、第一平坦化层270、信号布线350、连接图案370、第二平坦化层275、子像素结构200、像素限定层310、薄膜封装结构450等。
牺牲层结构1500可以设置在第二绝缘中间层195上，同时与第一源极电极210间隔开。在实施例中，牺牲层结构1500可以与第一有源层130的漏极区域重叠，并且牺牲层结构1500可以与第一源极电极210、第二有源层135、第二源极电极215和第二漏极电极235定位在同一层(例如，第二绝缘中间层195)上。
另外，牺牲层结构1500可以具有开口1501(参照图26)。第一有源层130的漏极区域可以通过开口1501被暴露。例如，开口1501可以在用于形成第二接触孔232的工艺中形成，使得第一漏极电极230连接到第一有源层130的漏极区域。牺牲层结构1500可以在第二绝缘中间层195上具有中空矩形平面形状。可替代地，牺牲层结构1500的形状可以具有中空三角形平面形状、中空菱形平面形状、中空多边形平面形状、中空圆形平面形状、中空轨道型平面形状或中空椭圆形平面形状。
此外，牺牲层结构1500的厚度可以与第二有源层135的厚度基本上相同。
保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中设置在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、牺牲层结构1500、第二源极电极215和第二漏极电极235上。在实施例中，保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且延伸到弯曲区域50中，并且保护绝缘层1400可以具有与第一开口至第四开口重叠的第五开口。在这里，第一开口至第五开口可以对应于在弯曲区域50中形成在基底110上的第三接触孔102(参照图25)。
例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构1500、第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓设置为基本上均匀的厚度。保护绝缘层1400可以包括硅化合物、金属氧化物等。可替代地，保护绝缘层1400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
在其它实施例中，如图19中所示，牺牲层结构1600可以设置在第二绝缘中间层195上，同时在第二方向D2上与第一源极电极210间隔开。在实施例中，牺牲层结构1600可以定位为与第一有源层130的漏极区域重叠，并且可以与第一源极电极210、第二有源层135、第二源极电极215和第二漏极电极235定位在同一层(例如，第二绝缘中间层195)处。
另外，牺牲层结构1600可以具有开口。第一有源层130的漏极区域可以通过开口被暴露。例如，开口可以在用于形成第二接触孔232的工艺中形成，使得第一漏极电极230连接到第一有源层130的漏极区域。牺牲层结构1600可以在第二绝缘中间层195上具有中空矩形平面形状。可替代地，牺牲层结构1600的形状可以具有中空三角形平面形状、中空菱形平面形状、中空多边形平面形状、中空圆形平面形状、中空轨道型平面形状或中空椭圆形平面形状。
此外，牺牲层结构1600的厚度可以与第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个的厚度基本上相同。也就是说，牺牲层结构1600的厚度可以具有第一厚度T1。
保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中设置在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、牺牲层结构1600、第二源极电极215和第二漏极电极235上。在实施例中，保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1600以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且延伸到弯曲区域50中，并且保护绝缘层1400可以具有与第一开口至第四开口重叠的第五开口。在这里，第一开口至第五开口可以对应于在弯曲区域50中形成在基底110上的第三接触孔102。
例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1600以及第二源极电极215和第二漏极电极235，可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构1600以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓设置为基本上均匀的厚度。
图20、图21、图22、图23、图24、图25、图26、图27和图28是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。例如，图20、图21、图23、图24、图25、图27和图28是示出有机发光显示装置的方法的截面图，并且图22是示出图22的牺牲层结构1500的平面图。另外，图26是示出其中形成有图25的开口1501的牺牲层结构1500的平面图。
参照图7和图20，在基底110上形成缓冲层115、第一有源层130、栅极绝缘层150、第一栅极电极170、第一绝缘中间层190、栅极电极图案180、第二栅极电极175以及第二绝缘中间层195(参照图7)之后，通过去除被定位为与第一有源层130的源极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第一有源层130的源极区域的第一接触孔212，并且通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195来形成被定位在基底110的弯曲区域50中的暴露缓冲层115的上表面的初步第三接触孔103。
参照图21和图22，第二有源层135可以在第二区域12中形成在第二绝缘中间层195上。第二有源层135可以形成在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分上。第二有源层135可以使用金属氧化物半导体形成。
牺牲层结构1500可以在与第二有源层135间隔开的同时被形成。牺牲层结构1500和第二有源层135可以定位在同一层处，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，在整个第二绝缘中间层195上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将牺牲层结构1500和第二有源层135形成为相同的厚度。
参照图23，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源极区域。第一源极电极210可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。在实施例中，第一源极电极210可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第一源极电极210可以使用Mo形成。在其它实施例中，第一源极电极210可以具有包括多个层的多层结构。
在第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195上形成第二源极电极215和第二漏极电极235。第二源极电极215可以覆盖第二有源层135的第一侧部，并且第二漏极电极235可以覆盖第二有源层135的与第一侧部不同的第二侧部。换句话说，第二源极电极215和第二漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上表面的一部分。第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以包括Mo。在其它实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定位在同一层中，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，在第二绝缘中间层195、第二有源层135和牺牲层结构1500上完全形成初步电极层之后，可以通过选择性地蚀刻初步电极层将第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同的厚度。
因此，可以形成包括第二有源层135、第二栅极电极175、第二源极电极215和第二漏极电极235的第二晶体管255。
参照图24，在第一区域11和第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、牺牲层结构1500、第二源极电极215和第二漏极电极235上设置保护绝缘层1400。例如，保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且延伸到弯曲区域50中，并且保护绝缘层1400可以填充位于基底110的弯曲区域50中的初步第三接触孔103。也就是说，保护绝缘层1400可以形成在整个基底110上。
例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓形成为基本上均匀的厚度。保护绝缘层1400可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。可替代地，保护绝缘层1400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参照图25和图26，在形成保护绝缘层1400之后，可以通过去除被定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构1500和保护绝缘层1400来形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232，并且可以通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115和保护绝缘层1400来形成被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。可以在用于形成第二接触孔232的工艺中形成位于牺牲层结构1500中的开口501，并且可以在用于形成第三接触孔102的工艺中形成去除了基底110的一部分的凹槽。
可以去除被定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构1500和保护绝缘层1400以形成第二接触孔232，并且可以去除被定位为在基底110上与弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115和保护绝缘层1400以形成第三接触孔102。可以同时执行用于形成第二接触孔232的工艺以及用于形成第三接触孔102的工艺。例如，在保护绝缘层1400上局部地形成光致抗蚀剂之后，可以通过使用CF4气体、SF6气体和NF3气体对整个保护绝缘层1400执行干法蚀刻工艺。在这里，第二接触孔232的高度可以不同于第三接触孔102的高度。换句话说，蚀刻为干法蚀刻工艺的厚度可以在第二接触孔232和第三接触孔102中不同。然而，由于牺牲层结构1500，用于形成第二接触孔232的时间可以相对延迟，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。因此，不会损坏第一有源层130的漏极区域。另外，因为同时形成第二接触孔232和第三接触孔102，所以可以相对降低制造成本。
与图13中所示的干法蚀刻工艺相比，因为在图25中，相对减小了在基底110的弯曲区域50中将要干法蚀刻的绝缘层的厚度，所以具有相对减小的厚度的牺牲层结构1500可以形成在第二绝缘中间层195上。
参照图27，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232和牺牲层结构1500的开口1501连接到第一有源层130的漏极区域。在实施例中，第二接触孔232可以穿过牺牲层结构1500的开口1501。也就是说，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232与牺牲层结构1500直接接触。另外，第一漏极电极230可以具有大于第一厚度T1的第二厚度T2，并且可以形成为多个层。第一漏极电极230可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，第一漏极电极230可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
因此，可以形成包括第一有源层130、第一栅极电极170、第一源极电极210和第一漏极电极230的第一晶体管250。
可以在保护绝缘层1400和第一漏极电极230上形成第一平坦化层270。第一平坦化层270可以形成在整个保护绝缘层1400上。例如，第一平坦化层270可以形成为相对厚的厚度，以充分覆盖第一漏极电极230，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面。另外，可以向第一平坦化层270中加入平坦化工艺，以便实现第一平坦化层270的平坦的上表面。在实施例中，第一平坦化层270可以填充被定位在弯曲区域50中的第三接触孔102。换句话说，第一平坦化层270可以与定位在弯曲区域50中的第二有机层113的上表面直接接触。可替代地，第一平坦化层270可以仅形成于发光区域30中，并且可以不形成于焊盘区域60中。第一平坦化层270可以使用有机材料形成。
参照图28，可以在第一平坦化层270上形成信号布线350和连接图案370。信号布线350和连接图案370中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。在实施例中，信号布线350和连接图案370中的每一个可以使用相同的材料同时形成，并且可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
可以在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370上形成第二平坦化层275。第二平坦化层275可以形成在整个第一平坦化层270上。例如，第二平坦化层275可以形成为相对厚的厚度，以充分覆盖信号布线350和连接图案370，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以是基本上平坦的上表面。另外，可以向第二平坦化层275加入平坦化工艺，以实现第二平坦化层275的这种平坦的上表面。可替代地，第二平坦化层275可以仅形成在发光区域30中，并且可以不形成在焊盘区域60中。第二平坦化层275可以使用有机材料形成。
可以在第二平坦化层275上形成下部电极290。下部电极290可以通过经由去除第二平坦化层275的一部分所形成的接触孔连接到连接图案370。下部电极290可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。可替代地，下部电极290可以具有包括多个层的多层结构。
可以在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上形成像素限定层310。像素限定层310可以覆盖下部电极290的两个侧部，并且可以暴露下部电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以使用有机材料形成。可替代地，像素限定层310可以仅形成在发光区域30中，并且可以不形成在焊盘区域60中。
可以在由像素限定层310暴露的下部电极290上形成发光层330。发光层330可以使用用于根据子像素发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种而形成。可替代地，发光层330可以通过层叠用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色的光的多种发光材料以在整体上发射白光而形成。在这种情况下，可以在发光层330上形成滤色器。
可以在像素限定层310和发光层330上形成上部电极340。上部电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且可以完全形成在发光层330和像素限定层310上。上部电极340可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可替代地，上部电极340可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括下部电极290、发光层330和上部电极340的子像素结构200。
在发光区域30中，可以在上部电极340上形成第一薄膜封装层451。第一薄膜封装层451可以在发光区域30中覆盖上部电极340，并且可以沿着上部电极340的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第一薄膜封装层451可以使用柔性无机材料形成。
在发光区域30中，可以在第一薄膜封装层451上形成第二薄膜封装层452。第二薄膜封装层452可以使用柔性有机材料形成。
在发光区域30中，可以在第二薄膜封装层452上形成第三薄膜封装层453。第三薄膜封装层453可以在发光区域30中覆盖第二薄膜封装层452，并且可以沿着第二薄膜封装层452的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第三薄膜封装层453可以使用柔性无机材料形成。可替代地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层所形成的五层结构，或者通过层叠第一薄膜封装层至第七薄膜封装层所形成的七层结构。
因此，可以形成包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450。
在形成薄膜封装结构450之后，可以从基底110去除玻璃基底105。因此，可以制造图18中所示的有机发光显示装置700。
图29、图30和图31是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法的截面图。
参照图7、图20和图29，在基底110上形成缓冲层115、第一有源层130、栅极绝缘层150、第一栅极电极170、第一绝缘中间层190、栅极电极图案180、第二栅极电极175和第二绝缘中间层195(参照图7)之后，通过去除被定位为与第一有源层130的源极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第一有源层130的源极区域的第一接触孔212，并且可以通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195来形成被定位在基底110的弯曲区域50中的暴露缓冲层115的上表面的初步第三接触孔103(参照图20)。
在形成第一接触孔212和初步第三接触孔103之后，第二有源层135可以在第二区域12中形成在第二绝缘中间层195上。第二有源层135可以形成在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分上。第二有源层135可以使用金属氧化物半导体形成。
可以在形成于基底110的弯曲区域50中的初步第三接触孔103中形成牺牲层结构1700。牺牲层结构1700和第二有源层135可以使用相同的材料同时形成。例如，在整个基底110上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将牺牲层结构1700和第二有源层135形成为相同的厚度。
参照图30，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源极区域。第一源极电极210可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者彼此组合使用。在实施例中，第一源极电极210可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第一源极电极210可以使用Mo形成。在其它实施例中，第一源极电极210可以具有包括多个层的多层结构。
在第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195上形成第二源极电极215和第二漏极电极235。第二源极电极215可以覆盖第二有源层135的第一侧部，并且第二漏极电极235可以覆盖第二有源层135的与第一侧部不同的第二侧部。换句话说，第二源极电极215和第二漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上表面的一部分。第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有第一厚度T1，并且可以形成为单层。例如，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以包括Mo。在其它实施例中，第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定位在同一层中，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，在第二绝缘中间层195、第二有源层135和牺牲层结构1700上完全形成初步电极层之后，可以通过选择性地蚀刻初步电极层将第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同的厚度。
因此，可以形成包括第二有源层135、第二栅极电极175、第二源极电极215和第二漏极电极235的第二晶体管255。
在第一区域11和第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195、第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235上设置保护绝缘层2400。例如，保护绝缘层2400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且延伸到弯曲区域50中，并且保护绝缘层2400可以覆盖位于基底110的弯曲区域50中的保护绝缘层2400，并且填充位于基底110的弯曲区域50中的初步第三接触孔103。也就是说，保护绝缘层2400可以形成在整个基底110上。
例如，保护绝缘层2400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235以及牺牲层结构1700，并且可以沿着第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235以及牺牲层结构1700的轮廓形成为基本上均匀的厚度。保护绝缘层2400可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。可替代地，保护绝缘层2400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
在实施例中，与图24的保护绝缘层1400相比，图30的保护绝缘层2400可以具有相对薄的厚度。
参照图31，在形成保护绝缘层2400之后，通过去除被定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195以及保护绝缘层2400可以形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232，并且通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115、牺牲层结构1700以及保护绝缘层2400可以形成被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。在用于形成第三接触孔102的工艺中可以去除牺牲层结构1700，并且可以形成去除了基底110的一部分的凹槽。可替代地，牺牲层结构1700不被完全地去除，牺牲层结构1700的一部分可以保留在第三接触孔102中。
定位为与第一有源层130的漏极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195以及保护绝缘层2400可以被去除，以形成第二接触孔232，并且定位为在基底110上与弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115、牺牲层结构1700以及保护绝缘层2400可以被去除以形成第三接触孔102。可以同时执行用于形成第二接触孔232的工艺与用于形成第三接触孔102的工艺。在这里，第二接触孔232的高度可以与第三接触孔102的高度不同。换句话说，蚀刻为干法蚀刻工艺的厚度可以在第二接触孔232和第三接触孔102中不同。然而，由于牺牲层结构1700，用于形成第三接触孔102的时间可以相对延迟，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔102。因此，不会将定位在弯曲区域50中的基底110过蚀刻。另外，因为同时形成第二接触孔232和第三接触孔102，所以可以相对降低制造成本。
与图25中所示的干法蚀刻工艺相比，因为在图31中，保护绝缘层2400的厚度相对地减小，所以牺牲层结构1700形成在基底110的初步第三接触孔103中。
图32是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的截面图。除了牺牲层结构1800之外，图32中所示的有机发光显示装置800可以具有与参照图1至图6描述的有机发光显示装置100基本上相同或相似的配置。在图32中，将省略与参照图1至图6描述的元件基本上相同或相似的元件的冗余描述。
参照图32，有机发光显示装置800可以包括基底110、缓冲层115、第一晶体管250、第二晶体管255、栅极电极图案180、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构1800、保护绝缘层400、第一平坦化层270、信号布线350、连接图案370、第二平坦化层275、子像素结构200、像素限定层310、薄膜封装结构450等。在这里，牺牲层结构1800可以包括下部牺牲层图案1510和上部牺牲层图案1520。
牺牲层结构1800可以在与第一源极电极210间隔开的同时设置在第二绝缘中间层195上。在实施例中，牺牲层结构1800可以与第一有源层130的漏极区域重叠，并且牺牲层结构1800可以与第一源极电极210、第二有源层135、第二源极电极215和第二漏极电极235定位在同一层(例如，第二绝缘中间层195)处。
另外，牺牲层结构1800可以具有开口。第一有源层130的漏极区域可以通过开口被暴露。例如，开口可以在用于形成第二接触孔232的工艺中形成，使得第一漏极电极230连接到第一有源层130的漏极区域。牺牲层结构1800可以在第二绝缘中间层195上具有中空矩形平面形状。可替代地，牺牲层结构1800的形状可以具有中空三角形平面形状、中空菱形平面形状、中空多边形平面形状、中空圆形平面形状、中空轨道型平面形状或中空椭圆形平面形状。
如上所述，牺牲层结构1800可以在第二绝缘中间层195上与第二有源层135定位在同一层处，并且可以包括具有第一开口的下部牺牲层图案1510以及具有与第一开口重叠的第二开口的设置在下部牺牲层图案1510上的上部牺牲层图案1520。在这里，第一开口和第二开口可以对应于牺牲层结构1800的开口。
此外，下部牺牲层图案1510的厚度可以与第二有源层135的厚度基本上相同，并且上部牺牲层图案1520的厚度可以小于第一源极电极210、第二源极电极215和第二源极电极215中的每一个的第一厚度T1。例如，在制造有机发光显示装置800的方法中，在第二绝缘中间层195、第二有源层135和下部牺牲层图案1510上完全形成初步电极层之后，可以使用图案化的光致抗蚀剂选择性地蚀刻初步电极层，并且上部牺牲层图案1520、第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以形成为不同的厚度。换句话说，当在将要形成有上部牺牲层图案1520的部分上形成具有相对小的厚度的光致抗蚀剂之后执行蚀刻工艺时，下部牺牲层图案1510可以形成为小于第一厚度T1。也就是说，即使缓冲层115和第二屏障层114的厚度改变并且第三接触孔102的形成时间改变，也可以通过调节下部牺牲层图案1510的厚度容易地调节第二接触孔232的形成时间。因此，第二接触孔232和第三接触孔102可以同时形成，而不损坏第一有源层130的漏极区域。
前述是对实施例的说明，并且将不被解释为限制实施例。尽管已经描述了若干实施例，但是本领域技术人员将易于理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖性教导和优点的情况下，可以在实施例中进行许多修改。因此，所有这些修改旨在被包含在如在权利要求中限定的本发明构思的范围内。因此，将理解，前述是对各种实施例的说明，并且不被解释为局限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其它实施例旨在被包含在所附权利要求的范围内。
工业实用性
本发明可以应用于包括有机发光显示装置的各种电子装置。例如，本发明可以应用于许多电子装置，诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
附图标记的说明
10：显示区域 11：第一区域
12：第二区域 20：子像素电路区域
30：发光区域 40：***区域
50：弯曲区域 60：焊盘区域
70：焊盘电极区域
100、700、800：有机发光显示装置
101：外部装置 110：基底
102：第三接触孔 103：初步第三接触孔
111：第一有机层 112：第一屏障层
113：第二有机层 114：第二屏障层
115：缓冲层 130：第一有源层
135：第二有源层 150：栅极绝缘层
170：第一栅极电极 175：第二栅极电极
180：栅极电极图案 190：第一绝缘中间层
195：第二绝缘中间层 200：子像素结构
210：第一源极电极 212：第一接触孔
232：第二接触孔 215：第二源极电极
230：第一漏极电极 235：第二漏极电极
250：第一晶体管 255：第二晶体管
270：第一平坦化层 275：第二平坦化层
290：下部电极 310：像素限定层
330：发光层 340：上部电极
350：信号布线 370：连接图案
400、1400、2400：保护绝缘层 450：薄膜封装结构
451：第一薄膜封装层 452：第二薄膜封装层
453：第三薄膜封装层 470：焊盘电极
500、1500、1600、1700：牺牲层结构
501、1501：开口 510、1510：下部牺牲图案
520、1520：上部牺牲图案

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基底，所述基底包括第一区域和第二区域；
第一有源层，所述第一有源层具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；
第一栅极电极，所述第一栅极电极设置在所述第一有源层上；
第一源极电极，所述第一源极电极设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；
牺牲层结构，所述牺牲层结构设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；
保护绝缘层，所述保护绝缘层设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；
第一漏极电极，所述第一漏极电极设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及
子像素结构，所述子像素结构设置在所述第一晶体管上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述牺牲层结构定位为与所述漏极区域重叠，并且所述牺牲层结构和所述第一源极电极定位在同一层处。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一漏极电极通过所述开口与所述牺牲层结构直接接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述牺牲层结构的厚度与所述第一源极电极的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
第二栅极电极，所述第二栅极电极在所述第二区域中设置在所述基底上；
第二有源层，所述第二有源层设置在所述第二栅极电极上；以及
第二源极电极和第二漏极电极，所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述第二有源层的两个侧部中，所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极和所述第二有源层一起被限定为第二晶体管。
6.根据权利要求5所述有机发光显示装置，其中，所述牺牲层结构包括：
下部牺牲层图案，所述下部牺牲层图案与所述第二有源层定位在同一层处，所述下部牺牲层图案具有第一开口；以及
上部牺牲层图案，所述上部牺牲层图案设置在所述下部牺牲层图案上，所述上部牺牲层图案具有与所述第一开口重叠的第二开口，并且
其中，所述第一开口和所述第二开口对应于所述牺牲层结构的所述开口。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述下部牺牲层图案的厚度与所述第二有源层的厚度相同，并且所述上部牺牲层图案的厚度与所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个的厚度相同。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述下部牺牲层图案的厚度与所述第二有源层的厚度相同，并且所述上部牺牲层图案的厚度小于所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个的厚度。
9.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述牺牲层结构与所述第二有源层定位在同一层处，并且所述牺牲层结构的厚度与所述第二有源层的厚度相同。
10.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极中的每一个具有第一厚度，并且所述第一漏极电极具有第二厚度，并且
其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。
11.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第一晶体管具有顶栅结构，并且所述第一有源层包括基于硅的半导体，并且
其中，所述第二晶体管具有底栅结构，并且所述第二有源层包括基于金属氧化物的半导体。
12.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，还包括：
栅极电极图案，所述栅极电极图案设置在所述第一栅极电极上，
其中，所述栅极电极图案与所述第二栅极电极定位在同一层处。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基底还包括：
***区域，所述***区域围绕所述显示区域；和
弯曲区域，所述弯曲区域定位在所述***区域的一侧中。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述基底在所述弯曲区域中具有凹槽。
15.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
形成基底，所述基底具有包括第一区域和第二区域的发光区域、围绕所述发光区域的***区域、以及定位在所述***区域的一侧中的弯曲区域；
在所述第一区域中在所述基底上形成具有源极区域和漏极区域的第一有源层；
在所述第一有源层上形成第一栅极电极；
形成暴露所述源极区域的第一接触孔；
形成通过所述第一接触孔连接到所述源极区域的第一源极电极；
在所述第一有源层上形成与所述漏极区域重叠的牺牲层结构；
在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上形成保护绝缘层；
同时形成i)暴露所述第一有源层的所述漏极区域的第二接触孔使得在所述牺牲层结构中形成开口以及ii)暴露所述基底的所述弯曲区域的第三接触孔；
形成通过所述第二接触孔和所述开口连接到所述漏极区域的第一漏极电极；以及
在所述第一漏极电极上形成子像素结构。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二接触孔的高度小于所述第三接触孔的高度。
17.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述基底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成第一绝缘中间层；以及
在所述第一绝缘中间层上形成第二绝缘中间层，
其中，所述保护绝缘层形成在所述第二绝缘中间层上，并且所述牺牲层结构形成在所述第二绝缘中间层与所述保护绝缘中间层之间。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二接触孔通过去除被定位为与所述第一有源层的所述漏极区域重叠的所述栅极绝缘层、所述第一绝缘中间层、所述第二绝缘中间层、所述牺牲层结构、以及所述保护绝缘层而形成。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第三接触孔通过去除被定位为与所述基底的所述弯曲区域重叠的所述栅极绝缘层、所述第一绝缘中间层、所述第二绝缘中间层、以及所述保护绝缘层而形成。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，当形成所述第三接触孔时，去除所述基底的一部分。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110504282B (zh) * 2019-08-27 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220022519A (ko) * 2020-08-18 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN112563290A (zh) * 2020-12-02 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素结构及其制备方法、显示装置
CN112768470A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848342B1 (ko) * 2007-08-22 2008-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 제조방법
KR20120075109A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
US20160247865A1 (en) * 2015-02-23 2016-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device
US20170125500A1 (en) * 2015-11-03 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and organic light-emitting display
US20180061921A1 (en) * 2016-08-30 2018-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide thin film transistor
US20180151654A1 (en) * 2016-11-30 2018-05-31 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device Comprising Multi-Type Thin Film Transistor
US20190012031A1 (en) * 2017-07-10 2019-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001318627A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
KR101310917B1 (ko) * 2008-07-17 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
TWI419336B (zh) * 2011-08-26 2013-12-11 Au Optronics Corp 半導體元件及其製作方法
WO2013080247A1 (ja) * 2011-11-29 2013-06-06 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
KR101990554B1 (ko) * 2012-11-15 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20150046963A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
TWI569423B (zh) * 2014-10-15 2017-02-01 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板與顯示器
KR102367215B1 (ko) * 2015-08-31 2022-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102514411B1 (ko) * 2016-03-31 2023-03-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10141387B2 (en) * 2016-04-08 2018-11-27 Innolux Corporation Display device
KR102675912B1 (ko) * 2016-06-30 2024-06-17 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판과 이의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR102565380B1 (ko) * 2016-12-07 2023-08-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
CN106952928B (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft背板的制作方法及tft背板
KR102333671B1 (ko) * 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US11177293B2 (en) * 2017-12-15 2021-11-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and fabricating method thereof, and display device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848342B1 (ko) * 2007-08-22 2008-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 제조방법
KR20120075109A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
US20160247865A1 (en) * 2015-02-23 2016-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device
US20170125500A1 (en) * 2015-11-03 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and organic light-emitting display
US20180061921A1 (en) * 2016-08-30 2018-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide thin film transistor
US20180151654A1 (en) * 2016-11-30 2018-05-31 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device Comprising Multi-Type Thin Film Transistor
US20190012031A1 (en) * 2017-07-10 2019-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same

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