CN111490073A - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括基底、发光层、第一电源布线、第二电源布线、连接图案和上电极。基底具有显示区域、***区域和垫区域，***区域围绕显示区域并且包括第一***区域、第二***区域和第三***区域，垫区域设置在***区域的一侧上。发光层在基底上设置在显示区域中。第一电源布线在基底上设置在第一***区域的一部分、第二***区域和第三***区域中。第二电源布线在基底上设置在显示区域、第一***区域和第三***区域中且未设置在第二***区域中，并且定位于第一电源布线的内侧。

Description

有机发光二极管显示装置
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及一种有机发光二极管显示装置，更具体地，涉及一种包括低电源布线和高电源布线的有机发光二极管显示装置。
背景技术
平板显示装置由于其重量轻和纤薄的特性而代替阴极射线管显示装置被用作显示显示装置。作为这种平板显示装置的代表示例，有液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
有机发光二极管显示装置可以包括显示区域、围绕显示区域的***区域以及位于***区域的一侧上的垫区域。多个像素电路和多个有机发光二极管可以设置在显示区域中，并且第一电源布线和第二电源布线可以设置在***区域中。另外，多个垫电极可以设置在垫区域中。例如，可以从外部装置产生低电源电压和高电源电压，并且电压可以通过垫电极分别提供给第一电源布线和第二电源布线。另外，施加到第一电源布线的低电源电压可以提供到有机发光二极管的阴极电极，施加到第二电源布线的高电源电压可以提供到有机发光二极管的阳极电极。换言之，第一电源布线和第二电源布线一起被设置在***区域中，使得第一电源布线的宽度可能是相对小的。在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于对发明构思的背景的理解，因此，该信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现，当以高亮度驱动具有第一电源布线和第二电源布线的有机发光二极管显示装置时，电流会集中在设置在邻近于垫区域的***区域(例如，***区域的两个下侧端)中的第一电源布线中，从而使温度增加。在这种情况下，第一电源布线可能短路，或者定位于第一电源布线周围的绝缘层可能由于热产生而变形。
根据发明的示例性实施方式构造的显示装置通过减少在***区域的一部分中的电源布线中产生的热来避免短路和热损坏。
例如，显示器的第一电源布线和连接图案可以具有相对宽的宽度，使得在定位于显示器的***区域的一部分中的第一电源布线中产生的热相对于传统显示器可以减少。
另外，可以设置相对更大量的开口以使得连接图案与设置在***区域的一部分中的第一电源布线直接接触。换言之，在显示装置中，可以进一步减少在***区域中的第一电源布线中产生的热。因此，相比于传统设计，可以使由于第一电源布线在***区域中发生的热产生导致的显示装置中的缺陷减少。
发明构思的附加特征将在下面的描述中进行阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据一些示例性实施例，有机发光二极管显示装置包括包括基底、发光层、第一电源布线、第二电源布线、连接图案和上电极。基底具有显示区域、***区域和垫区域，***区域至少部分地围绕显示区域并且包括第一***区域、第二***区域和第三***区域，垫区域设置在***区域的一侧上。发光层在显示区域中设置在基底上。第一电源布线在基底上设置在第一***区域的一部分、第二***区域和第三***区域中。第二电源布线在基底上设置在显示区域、第一***区域和第三***区域中且未设置在第二***区域中，并且被第一电源布线至少部分地围绕。导电图案在第一电源布线上与第一电源布线在第一***区域的一部分、第二***区域和第三***区域中叠置，并且电连接到第一电源布线。上电极在导电图案和发光层上设置在***区域的一部分和显示区域中，并且与第一电源布线和导电图案部分地叠置。上电极电连接到导电图案。
有机发光二极管显示装置还可以包括设置在垫区域的第一部分中的多个垫电极。第一***区域可以与垫区域的设置有垫电极的第一部分相邻，第二***区域可以定位于第一***区域的相对侧上，同时与垫区域的未设置有垫电极的第二部分相邻。
第一电源布线包括可以在第一***区域中电连接到垫电极的布线。
导电图案和上电极中的至少一者可以在第一***区域中具有波浪的形状。
低电源电压可以被施加到第一电源布线，并且高电源电压可以被施加到第二电源布线。
第二电源布线包括可以包含第一部分、第二部分和第三部分的布线，第一部分设置在第一***区域中，第二部分设置在显示区域中并且具有栅格形状，并且第三部分设置在第三***区域的一部分中以至少部分地围绕第二部分。第二电源布线的第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。
第二电源布线的第一部分和第二部分可以相邻于显示区域与***区域之间的边界的一部分在第一***区域中彼此连接，第二电源布线的第二部分和第三部分可以相邻于显示区域与***区域之间的边界的另一部分在第三***区域中彼此连接。
第二电源布线的第三部分可以与第一电源布线的内侧分隔开。
第二电源布线的第三部分可以不设置在第二***区域中。
第二电源布线的第二部分可以在显示区域的一部分中具有格状形状，并且可以在显示区域的另一部分中具有条形状。
显示区域可以呈具有弯曲拐角的矩形形状。显示区域的弯曲拐角可以包括：第一拐角，与垫区域相邻；以及第二拐角，面对第一拐角。
第一拐角可以与第二***区域相邻，第二拐角可以与第三***区域相邻。
第一电源布线可以在第二***区域中具有第一宽度，并且可以在第三***区域中具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
有机发光二极管显示装置还可以包括保护绝缘层、第一平坦化层和第二平坦化层。保护绝缘层可以在基底与发光层之间设置在显示区域和***区域中，并且可以在第二***区域中限定开口。第一平坦化层可以在保护绝缘层上设置在***区域的一部分和显示区域中，以暴露保护绝缘层的开口。第二平坦化层可以在第一平坦化层上设置在***区域的一部分和显示区域中，并且可以在第二***区域中具有暴露第一电源布线的多个开口。
定位于第一***区域中的第二平坦化层可以不形成暴露第一电源布线的多个开口。
定位于第一***区域中的第二平坦化层可以具有波浪的形状。
有机发光二极管显示装置还可以包括设置在第一平坦化层与第二平坦化层之间的多个凹凸图案。
发光层可以从显示区域延伸到***区域，定位于***区域中的发光层可以在第二***区域中不与第二平坦化层的多个开口叠置。
有机发光二极管显示装置还可以包括在第二平坦化层上设置在显示区域中的下电极。上电极可以设置在下电极上，并且上电极从显示区域延伸到***区域。
上电极可以在第二***区域中与导电图案直接接触。
上电极可以在第一***区域中具有波浪的形状，并且上电极可以在第一***区域中与导电图案直接接触。
下电极可以与导电图案定位在同一层上。
第一电源布线可以包括第一子电源布线和第二子电源布线。第一子电源布线可以设置在基底与保护绝缘层之间，并且可以被保护绝缘层的开口暴露。第二子电源布线可以设置在第一平坦化层与第二平坦化层之间，并且可以通过保护绝缘层的开口与第一子电源布线直接接触。第二子电源布线可以被第二平坦化层的开口暴露。
导电图案包括可以通过第二平坦化层的多个开口与第二子电源布线直接接触的连接图案。
有机发光二极管显示装置还可以包括：半导体元件，在基底与保护绝缘层之间设置在显示区域中；以及布线图案和连接电极，在第一平坦化层与第二平坦化层之间设置在显示区域中。
布线图案和连接电极可以与第二子电源布线定位于同一层上。
半导体元件可以包括：有源层，在基底上设置在显示区域中；栅极绝缘层，设置在有源层上；栅电极，设置在栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在栅电极上；以及源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上。
源电极和漏电极可以与第一子电源布线定位于同一层上。
根据一些示例性实施例，有机发光二极管显示装置包括基底、发光层、第一电源布线、第二电源布线、平坦化层、连接图案和上电极。基底具有显示区域、***区域和垫区域，***区域至少部分地围绕显示区域并且包括第一***区域、第二***区域和第三***区域，垫区域设置在***区域的一侧上。发光层在显示区域中设置在基底上。第一电源布线在基底上设置在第一***区域的一部分、第二***区域和第三***区域中。第二电源布线在基底上设置在显示区域、第一***区域和第三***区域中且未设置在第二***区域中，并且被第一电源布线至少部分地围绕。平坦化层在第一电源布线和第二电源布线上设置在***区域的一部分和显示区域中，并且在第一***区域、第二***区域和第三***区域中的至少一个中具有波浪的形状。连接图案在平坦化层上与第一电源布线在第一***区域的一部分、第二***区域和第三***区域中部分地叠置，并且电连接到第一电源布线。连接图案在第一***区域、第二***区域和第三***区域中的至少一个中具有波浪的形状。上电极在连接图案和发光层上设置在***区域的一部分和显示区域中，并且与第一电源布线和连接图案部分地叠置。上电极电连接到连接图案，并且在第一***区域、第二***区域和第三***区域中的至少一个中具有波浪的形状。
有机发光二极管显示装置还可以包括设置在平坦化层与第一电源布线之间的多个凹凸图案。
第二电源布线包括可以包含第一部分、第二部分和第三部分的布线，第一部分设置在第一***区域中，第二部分设置在显示区域中并且具有栅格形状，并且第三部分设置在第三***区域的一部分中以至少部分地围绕第二部分。第二电源布线的第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。
第二电源布线的第二部分可以在显示区域的一部分中具有格状形状，并且可以在显示区域的另一部分中具有条形状。
根据一些示例性实施例，提供了一种驱动显示装置的方法，显示装置具有：基底，包括显示区域、***区域和垫区域，***区域至少部分地围绕显示区域并且包括第一***区域、第二***区域和第三***区域；发光层，在显示区域中设置在基底上；第一电源布线，设置在第一***区域、第二***区域和第三***区域中的至少两个区域中；以及第二电源布线，设置在第一***区域、第二***区域和第三***区域中的仅两个区域和显示区域中，所述方法包括以下步骤：将低电源电压施加到第一电源布线，并且将高电源电压施加到第二电源布线。
将理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且意在提供对如要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，其中，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被并入该说明书中且构成该说明书的一部分，在附图中：
图1是示出根据发明的示例性实施例构造的有机发光二极管显示装置的平面图；
图2A是示出包括在图1的有机发光二极管显示装置中的第一电源布线和第二电源布线的平面图；
图2B是示出具有包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的一个示例性实施例的平面图；
图2C是示出具有包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的另一示例性实施例的平面图；
图2D是示出具有包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的又一示例性实施例的平面图；
图3A是示出设置在图2A的第一电源布线上的连接图案的平面图；
图3B是示出传统有机发光二极管显示装置的平面图；
图4是示出电连接到图1的有机发光二极管显示装置的外部装置的示意性框图；
图5是示出设置在图1的子像素电路区域中的代表性子像素电路和设置在子像素电路上的有机发光二极管OLED的示例性实施例的电路图；
图6是沿图3A的线I-I'截取的剖视图；
图7是沿图3A的线II-II'截取的剖视图；
图8至图26是示出根据发明的示例性实施例的制造有机发光二极管显示装置的方法的剖视图；
图27和图28是示出根据发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的剖视图；以及
图29和图30是示出根据发明的示例性实施例构造的有机发光二极管显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如这里所使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词，并且是采用这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种示例性实施例。在其它情况下，为了避免使各种示例性实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特征可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供实际上可以实现发明构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以对各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地称为“元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的含义进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。
虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用来将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件而不脱离公开的教导。
为了描述性目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语除了包括附图中描绘的方位之外还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里所使用的，术语“基本”、“大约”和其它相似的术语被用作近似的术语而不是用作程度的术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的在测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图示来描述各种示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例应不必被解释为局限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域可以在本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图进行限制。
除非另外定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
在下文中，将参照附图详细解释示例性实施例。
图1是示出根据发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的平面图，图2A是用于说明包括在图1的有机发光二极管显示装置中的可以是布线的形式的第一电源布线和第二电源布线的平面图，图2B是用于说明包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的一个示例的平面图，图2C是示出包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的另一示例的平面图，图2D是示出包括在图2A的有机发光二极管显示装置中的第二电源布线的又一示例的平面图，图3A是用于说明设置在图2A的第一电源布线上的连接图案的平面图，图3B是示出传统有机发光二极管显示装置的平面图，并且图4是用于说明电连接到图1的有机发光二极管显示装置的外部装置的框图。
参照图1、图2A、图3A和图4，有机发光二极管(“OLED”)显示装置100可以包括第一电源布线350、第二电源布线390、导电图案(其可以是连接图案295的形式)、垫(pad，或称为“焊盘”)电极470等，并且可以包括显示区域10、***区域20和垫区域60。在这种情况下，***区域20可以基本上围绕显示区域10，并且垫区域60可以定位于***区域20的一侧上。另外，显示区域10可以包括多个子像素电路区域30。在一些示例性实施例中，显示区域10在从顶部观看时可以呈具有弯曲拐角的矩形形状，OLED显示装置100(或图6和图7的基底110)在平面中观看时也可以呈具有弯曲拐角的矩形形状。例如，显示区域10可以包括与垫区域60相邻的第一拐角11和面对第一拐角11的第二相对拐角12。
***区域20可以包括第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23。例如，***区域20的第一***区域21可以与设置在垫区域60中的垫电极470相邻(或者可以定位为与垫区域60的设置有垫电极470的第一部分对应)，第二***区域22可以定位于第一***区域21的两侧(或***区域20的两个下侧端)上，并且第三***区域23可以对应于***区域20的除了第一***区域21和第二***区域22之外的其余部分。换言之，第二***区域22可以定位为与垫区域60的未设置垫电极470的第二部分对应。在这种情况下，第二部分可以定位于垫区域60的第一部分的两侧上。另外，第二***区域22可以与显示区域10的第一拐角11相邻。换言之，第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23可以彼此不同，并且可以不彼此叠置。在一些示例性实施例中，第二***区域22可以在OLED显示装置100的平面图中在纵向方向(例如，第一方向D1或与第一方向D1相反的第二方向D2)上不与垫电极470叠置，并且可以定位于***区域20的两个下侧端处。例如，***区域20在平面中观看时可以呈与具有空心中心的跑道类似的圈形或环形形状。
子像素电路区域30可以布置在显示区域10中。例如，图5的代表性的子像素电路SPC(例如，图6和图7的半导体元件250)可以设置在每个子像素电路区域30中，有机发光二极管OLED(例如，图6和图7的子像素结构200)可以设置在子像素电路SPC上。图像可以通过子像素电路SPC和有机发光二极管OLED显示在显示区域10中。
例如，第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路可以设置在子像素电路区域30中。第一子像素电路可以连接到用于发射红光的第一有机发光二极管，第二子像素电路可以连接到用于发射绿光的第二有机发光二极管，并且第三子像素电路可以连接到用于发射蓝光的第三有机发光二极管。
在一些示例性实施例中，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路叠置，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路叠置，并且第三有机发光二极管可以与第三子像素电路叠置。可选地，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路的一部分和不同于第一子像素电路的其它子像素电路的一部分叠置，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路的一部分和不同于第二子像素电路的其它子像素电路的一部分叠置，并且第三有机发光二极管可以与第三子像素电路的一部分和不同于第三子像素电路的其它子像素电路的一部分叠置。例如，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管可以通过使用以下方案等来布置：RGB条纹方案，在RGB条纹方案中按顺序布置具有相同尺寸的矩形；S条纹方案，S条纹方案包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管；WRGB方案，WRGB方案还包括白色有机发光二极管；PenTile方案，在PenTile方案中重复地布置RG-GB图案。
另外，至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管和至少一个电容器等可以设置在每个子像素电路区域30中。在一些示例性实施例中，一个驱动晶体管(例如，图5的第一晶体管TR1)和六个开关晶体管(例如，图5的第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7)以及一个存储电容器(例如，图5的存储电容器CST)等可以设置在每个子像素电路区域30中。
虽然发明的OLED显示装置100已经被描述为在平面中观看时具有倒圆的矩形形状，但是该形状不限于此。例如，当在平面中观看时，OLED显示装置100可以具有矩形形状、三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或本领域中已知的其它形状。
多条布线可以设置在***区域20中。例如，布线可以包括数据信号布线、栅极信号布线、发光控制信号布线、栅极初始化信号布线、初始化电压布线、电源布线等。布线可以从***区域20延伸到显示区域10，并且可以电连接到子像素电路SPC和有机发光二极管OLED。此外，栅极驱动器和数据驱动器等可以设置在***区域20中。
如图2A和图3A中所示，第一电源布线350可以设置在***区域20的一部分中。换言之，第一电源布线350可以设置在第一***区域21的一部分、第二***区域22和第三***区域23中。第一电源布线350可以具有大体上钩形形状(具有下开口的环形形状)。在一些示例性实施例中，第一电源布线350可以在第二***区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三***区域23中具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。第一电源布线350可以在第一***区域21中电连接到垫电极470。例如，第一电源布线350可以电连接到垫电极470之中的最外部的垫电极470。低电源电压可以施加到第一电源布线350，并且低电源电压可以通过连接图案295提供到阴极电极(例如，图6和图7的上电极340)。
虽然为了方便而在图2A中将第一电源布线350示出为单条布线，但是第一电源布线350可以是彼此叠置的至少两条布线。换言之，第一电源布线350可以具有其中堆叠有至少两条布线(例如，图6和图7中的第一子电源布线351和第二子电源布线352)的结构。
另外，第二电源布线390可以设置在***区域20的一部分和显示区域10中。换言之，第二电源布线390可以设置在第三***区域23的一部分、显示区域10和第一***区域21中。第二电源布线390可以在第一***区域21中设置在第一电源布线350的端部之间以电连接到垫电极470，可以在显示区域10中具有格状形状，并且可以在第三***区域23中与第一电源布线350的内侧分隔开。在这种情况下，第二电源布线390的设置在第一***区域21中的部分被定义为第一部分，第二电源布线390的设置在显示区域10中的部分被定义为第二部分，并且第二电源布线390的围绕所述第二部分的部分被定义为第三部分。第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。第二电源布线390的第一部分和第二部分可以相邻于显示区域10与***区域20之间的边界在第一***区域21中彼此连接，第二电源布线390的第二部分和第三部分可以相邻于显示区域10与***区域20之间的边界在第三***区域23中彼此连接。在一些示例性实施例中，第二电源布线390的第三部分可以不设置在第二***区域22中。换言之，第二电源布线390的第三部分未设置在第二***区域22中，使得第二电源布线390的定位于显示区域10的下端处的第二部分可以不连接到第二电源布线390的第三部分。因此，第二电源布线390未设置在第二***区域22中，使得第一电源布线350可以以相对宽的第一宽度W1设置在第二***区域22中。第二电源布线390可以在第一***区域21中电连接到垫电极470。例如，第二电源布线390可以电连接到垫电极470之中的定位于连接到第一电源布线350的垫电极470的内侧的垫电极470。高电源电压可以施加到第二电源布线390，并且高电源电压可以提供到阳极电极(例如，图6和图7的下电极290)。
虽然为了方便而在图2A中将第二电源布线390示出为单条布线，但是第二电源布线390可以是彼此叠置的至少两条布线。换言之，第二电源布线390可以具有其中堆叠有至少两条布线的结构。
在另一示例性实施例中，如图2B中所示，第二电源布线390可以设置在***区域20的一部分和显示区域10中。换言之，第二电源布线390可以设置在第三***区域23的一部分、第一***区域21和显示区域10中。第二电源布线390可以在第一***区域21中设置在第一电源布线350的端部之间以电连接到垫电极470，可以在显示区域10的一部分中具有格状形状，并且可以在第三***区域23中与第一电源布线350的内侧分隔开。在这种情况下，第二电源布线390的设置在第一***区域21中的部分被定义为第一部分，第二电源布线390的设置在显示区域10中的部分被定义为第二部分，并且第二电源布线390的围绕第二部分的部分被定义为第三部分。第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。在一些示例性实施例中，定位于显示区域10的一个部分(例如，显示区域10的下端)处的第二部分可以具有格状形状，并且定位于显示区域10的剩余部分(显示区域10的中心和上端)处的第二部分可以具有以在平面中观看时在第一方向D1上彼此分隔开且沿第三方向D3延伸的纵向条为特征的形状。第二电源布线390的第一部分和第二部分可以在第一***区域21中相邻于显示区域10与***区域20之间的边界彼此连接，第二电源布线390的第二部分和第三部分可以在第三***区域23中相邻于显示区域10与***区域20之间的边界彼此连接。在一些示例性实施例中，第二电源布线390的第三部分可以不设置在第二***区域22中。换言之，第二电源布线390的第三部分未设置在第二***区域22中，使得第二电源布线390的定位于显示区域10的下端处的第二部分可以不连接到第二电源布线390的第三部分。
虽然为了方便而在图2B中将第二电源布线390示出为单条布线，但是第二电源布线390可以是彼此叠置的至少两条布线。换言之，第二电源布线390可以具有其中堆叠有至少两条布线的结构。
在又一示例性实施例中，如图2C中所示，与图2A相比，图2C的第二电源布线390可以设置在第一拐角11处。定位于第一拐角11处的第二电源布线390可以沿显示区域10与第二***区域22之间的边界设置。换言之，第二电源布线390可以设置在显示区域10的一部分和第二***区域22的一部分中。例如，在相邻于第一拐角11定位的显示区域10中，因为第一拐角11具有弯曲形状，所以子像素电路区域30(或子像素)可以布置为台阶形状，并且空的空间可以形成在显示区域10和第二***区域22之间的边界与子像素电路区域30之间。换言之，第二电源布线390可以设置在该空的空间中，并且可以在第二***区域22中向内(例如，在从***区域20到显示区域10的方向上)与第一电源布线350分隔开。
在再一示例性实施例中，如图2D中所示，与图2B相比，图2D的第二电源布线390可以设置在第一拐角11处。定位在第一拐角11处的第二电源布线390可以沿显示区域10与第二***区域22之间的边界设置。换言之，第二电源布线390可以设置在显示区域10的一部分和第二***区域22的一部分中。例如，在相邻于第一拐角11定位的显示区域10中，因为第一拐角11具有弯曲形状，所以子像素电路区域30(或子像素)可以布置为台阶形状，并且空的空间可以形成在显示区域10和第二***区域22之间的边界与子像素电路区域30之间。换言之，第二电源布线390可以设置在该空的空间中，并且可以在第二***区域22中向内(例如，在从***区域20到显示区域10的方向上)与第一电源布线350分隔开。
再次参照图2A和图3A，连接图案295可以在第一电源布线350上设置在第一***区域21的一部分、第二***区域22和第三***区域23中。在一些示例性实施例中，连接图案295可以与设置在第一***区域21中的第一电源布线350叠置。连接图案295可以呈具有下开口的环形形状。换言之，第一电源布线350的端部可以与连接图案295的端部对齐。另外，连接图案295可以在第二***区域22中与第一电源布线350叠置且具有比第一电源布线350的宽度小的宽度，并且可以在第三***区域23中与第二电源布线390的第三部分和第一电源布线350叠置。可选地，连接图案295的宽度可以在第二***区域22中等于或大于第一电源布线350的宽度，并且连接图案295可以在第三***区域23中不与第二电源布线390的第三部分叠置且具有等于或大于第一电源布线350的宽度的宽度。低电源电压可以从第一电源布线350施加到连接图案295，并且低电源电压可以提供到阴极电极(例如，图6和图7的上电极340)。
例如，在图3B中所示的传统有机发光二极管显示装置中，第一电源布线1350和第二电源布线1390会一起设置在***区域20中。换言之，第二电源布线1390的第三部分除了设置在第二***区域22中还会设置在第一***区域21的一部分中。因此，第一电源布线1350会在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有相对减小的宽度。换言之，第一电源布线1350会在***区域20中具有基本相同的宽度(例如，第二宽度W2)。当传统有机发光二极管显示装置以高亮度驱动时，电流会集中在设置在第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线1350上，从而使温度(例如，热产生)增加。在这种情况下，由于热产生，第一电源布线1350可能短路，或者定位于第一电源布线1350周围的绝缘层可能变形。换言之，由于第一电源布线1350在第一***区域21的一部分和第二***区域22中发生的热产生，传统OLED显示装置会变得有缺陷。
在发明的一些示例性实施例中，第一电源布线350和连接图案295在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有相对宽的宽度，使得在OLED显示装置100中，在定位于第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线350中产生的热可以相对减少。例如，当产生热的部分的面积增加时，产生的热的温度可以由于产生的热遍布于较大的面积扩散而相对降低。
再次参照图1、图2A至图2D、图3A和图4，电连接到外部装置101的垫电极470可以设置在垫区域60中。另外，连接电极可以设置在垫电极470与第一电源布线350之间以及垫电极470与第二电源布线390之间。例如，连接电极可以将垫电极470电连接到第一电源布线350和第二电源布线390中的每条。可选地，第一电源布线350和第二电源布线390中的每条的端部可以直接连接到垫电极470。
如图4中示意性示出的，外部装置101可以通过柔性印刷电路板或印刷电路板电连接到OLED显示装置100。例如，柔性印刷电路板的一侧可以与垫电极470直接接触，柔性印刷电路板的相对侧可以与外部装置101直接接触。外部装置101可以将数据信号、栅极信号、发光控制信号、栅极初始化信号、初始化电压、高电源电压和低电源电压等提供到OLED显示装置100。在一些示例性实施例中，低电源电压(例如，图5的低电源电压ELVSS)可以从外部装置101产生，并且低电源电压可以通过柔性印刷电路板、垫电极470和连接电极被提供到第一电源布线350。另外，高电源电压(例如，图5的高电源电压ELVDD)可以从外部装置101产生，并且高电源电压可以通过柔性印刷电路板、垫电极470和连接电极被提供到第二电源布线390。此外，驱动集成电路可以安装在柔性印刷电路板上。在其它示例性实施例中，驱动集成电路可以相邻于垫电极470安装在OLED显示装置100上。
图5是示出设置在图1的子像素电路区域中的子像素电路和设置在子像素电路上的有机发光二极管OLED的电路图。
参照图5，子像素电路SPC和有机发光二极管OLED(例如，图6和图7的子像素结构200)可以设置在OLED显示装置100的每个子像素电路区域30中，一个子像素电路SPC可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7(例如，图6和图7的半导体元件250)、存储电容器CST、用于高电源电压ELVDD的布线(例如，图2A至图2D和图3A的第二电源布线390)、用于低电源电压ELVSS的布线(例如，图2A至图2D和图3A的第一电源布线350)、用于初始化电压VINT的布线、用于数据信号DATA的布线、用于栅极信号GW的布线、用于栅极初始化信号GI的布线、用于发光控制信号EM的布线、用于二极管初始化信号GB的布线等。如上所述，第一晶体管TR1可以对应于驱动晶体管，并且第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7可以对应于开关晶体管。第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7中的每个可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅极端子。在一些示例性实施例中，第一端子可以是源极端子，并且第二端子可以是漏极端子。可选地，第一端子可以是漏极端子，并且第二端子可以是源极端子。
有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在一些示例性实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以被供应有低电源电压ELVSS，并且有机发光二极管OLED的第一端子可以被供应有高电源电压ELVDD。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。可选地，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。在一些示例性实施例中，有机发光二极管OLED的阳极端子可以对应于图6的下电极290，并且有机发光二极管OLED的阴极端子可以对应于图6的上电极340。
第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。在一些示例性实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差来产生驱动电流ID。另外，可以基于供应到有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小来表现灰度。可选地，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。在这种情况下，可以基于在一帧内向有机发光二极管OLED供应驱动电流期间的时间总和来表现灰度。
第二晶体管TR2的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以被供应有数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号GW，并且栅极信号GW可以通过用于栅极信号GW的布线被施加到第二晶体管TR2的栅极端子。第二晶体管TR2可以在栅极信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供应到第一晶体管TR1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区中操作。
第三晶体管TR3的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号GW，并且栅极信号GW可以通过用于栅极信号GW的布线被施加到第三晶体管TR3的栅极端子。第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区中操作。换言之，第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间使第一晶体管TR1二极管连接。因为第一晶体管TR1被二极管连接，所以第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅极端子之间的电压差可以与第一晶体管TR1的阈值电压差不多一样大。结果，通过将电压差(即，阈值电压)与供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压相加而获得的电压可以在栅极信号GW的激活时段期间被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。换言之，数据信号DATA可以被补偿为与第一晶体管TR1的阈值电压差不多一样大，并且被补偿的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。由于执行了阈值电压补偿，因此可以解决由第一晶体管TR1的阈值电压偏差引起非均匀驱动电流的问题。
提供有初始化电压VINT的初始化电压布线的输出端子可以连接到第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子，并且初始化电压布线的输入端子可以提供有初始化电压VINT，第四晶体管TR4的第二端子可以连接到存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4的栅极端子可以被供应有栅极初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。
第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一晶体管TR1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区中操作。换言之，第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子初始化为初始化电压VINT。在一些示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有比在前一帧中由存储电容器CST保持的数据信号DATA的电压电平足够低的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。在其它示例性实施例中，初始化电压可以具有比在前一帧中由存储电容器保持的数据信号的电压电平足够高的电压电平，并且初始化电压可以被供应到第一晶体管的栅极端子。
在一些示例性实施例中，栅极初始化信号GI可以是与在一个水平时间之前发送的栅极信号GW基本相同的信号。例如，被供应到包括在OLED显示装置100中的子像素电路SPC之中的第n行(其中，n是2或更大的整数)中的子像素电路的栅极初始化信号GI可以是与被供应到子像素电路SPC之中的第(n-1)行中的子像素电路的栅极信号GW基本相同的信号。换言之，激活的栅极初始化信号GI可以通过将激活的栅极信号GW供应到子像素电路SPC之中的第(n-1)行中的子像素电路而被供应到子像素电路SPC之中的第n行中的子像素电路。结果，当包括在子像素电路SPC之中的第n行中的子像素电路中的第一晶体管TR1的栅极端子被初始化为初始化电压VINT时，数据信号DATA可以被供应到子像素电路SPC之中的第(n-1)行中的子像素电路。
第五晶体管TR5的栅极端子可以被供应有发光控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以连接到用于高电源电压ELVDD的布线。第五晶体管TR5的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从发光控制驱动器提供发光控制信号EM，发光控制信号EM可以通过用于发光控制信号EM的布线被施加到第五晶体管TR5的栅极端子。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的去激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区中操作。第五晶体管TR5在发光控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子，使得第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。另外，第五晶体管TR5在发光控制信号EM的去激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应，使得供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。
第六晶体管TR6(例如，图6的半导体元件250)的栅极端子可以被供应有发光控制信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区中操作。换言之，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED，使得有机发光二极管OLED可以输出光。另外，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的去激活时段期间使第一晶体管TR1与有机发光二极管OLED电分离，使得供应到第一晶体管TR1的第二端子的数据信号DATA(更准确地，已经经受阈值电压补偿的数据信号)可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。
第七晶体管TR7的栅极端子可以被供应有二极管初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到有机发光二极管OLED的第一端子。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区中操作。换言之，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。
可选地，栅极初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是基本上彼此相同的信号。使第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和使有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作不会彼此影响。换言之，使第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和使有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作可以彼此独立。因此，二极管初始化信号GB不单独产生，使得可以改善过程的经济效率。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在用于高电源电压ELVDD的布线与第一晶体管TR1的栅极端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子，存储电容器CST的第二端子可以连接到用于高电源电压ELVDD的布线。存储电容器CST可以在栅极信号GW的去激活时段期间保持第一晶体管TR1的栅极端子的电压电平。栅极信号GW的去激活时段可以包括发光控制信号EM的激活时段，并且由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以在发光控制信号EM的激活时段期间被供应到有机发光二极管OLED。因此，基于由存储电容器CST保持的电压电平，由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以被供应到有机发光二极管OLED。
虽然子像素电路SPC已经被描述为包括七个晶体管和一个电容器，但是发明的示例性实施例的构造不限于此。例如，子像素电路SPC可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的构造。
图6是沿图3A的线I-I'截取的剖视图，并且图7是沿图3A的线II-II'截取的剖视图。
参照图6和图7，OLED显示装置100可以包括基底110、缓冲层115、半导体元件250、保护绝缘层400、第一电源布线350、第一平坦化层270、布线图案215、连接电极235、第二平坦化层275、像素限定层310、子像素结构200、盖层345、阻挡结构370、薄膜封装结构450等。在这种情况下，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、第一栅电极170、第一层间绝缘层190、第二栅电极175、第二层间绝缘层195、源电极210和漏电极230，并且第一电源布线350可以包括第一子电源布线351和第二子电源布线352。另外，阻挡结构370可以包括第一阻挡图案371和第二阻挡图案372，并且子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。此外，薄膜封装结构450可以包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453。
可以设置包括透明材料或不透明材料的基底110。基底110可以通过使用柔性透明树脂基底来形成。在一些示例性实施例中，基底110可以具有其中顺序层叠有第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层的构造。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括诸如氧化硅的无机材料，并且可以阻挡湿气和/或水分渗透过第一有机层和第二有机层。另外，第一有机层和第二有机层可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机材料，并且可以具有柔性。
因为基底110是薄的和柔性的，所以基底110可以形成在刚性玻璃基底上以支撑半导体元件250和子像素结构200的形成。例如，在将缓冲层115设置在第二阻挡层上之后，可以在缓冲层115上形成半导体元件250和子像素结构200。在形成半导体元件250和子像素结构200之后，可以去除玻璃基底。换言之，由于基底110的柔性物理性质，可能难以在基底110上直接形成半导体元件250和子像素结构200。考虑到以上观点，在使用刚性玻璃基底形成半导体元件250和子像素结构200之后去除玻璃基底，使得第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层可以用作基底110。
如图6和图7中所示，因为OLED显示装置100包括显示区域10、具有第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23的***区域20以及垫区域60，所以基底110也可以被划分为显示区域10、第一***区域21和第二***区域22(见图1)。
可选地，基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底(掺F石英基底)、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
虽然基底110被描述为具有四层，但示例性实施例的构造不限于此。例如，在其它示例性实施例中，基底110可以包括单层或多层。
缓冲层115可以设置在基底110上。在一些示例性实施例中，缓冲层115可以在整个基底110上设置在显示区域10和***区域20(例如，第二***区域22)中。缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基底110扩散到半导体元件250中，并且可以在用于形成有源层130的结晶化工艺期间控制热传递速率以获得基本均匀的有源层130。另外，当基底110的表面不均匀时，缓冲层115可以用于改善基底110的表面的平坦度。根据基底110的类型，至少两个缓冲层115可以设置在基底110上，或者可以不在基底110上设置缓冲层115。缓冲层115可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，缓冲层115可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
有源层130可以在缓冲层115上设置在显示区域10中。有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体等。有源层130可以具有源区、漏区和定位于源区与漏区之间的沟道区。
栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖显示区域10中的有源层130，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，栅极绝缘层150可以充分地覆盖缓冲层115上的有源层130，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在有源层130周围造成台阶。可选地，栅极绝缘层150可以在沿有源层130的轮廓以均匀的厚度设置的同时覆盖缓冲层115上的有源层130，或者可以在整个缓冲层115上设置在显示区域10和第二***区域22中。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一栅电极170可以在栅极绝缘层150上设置在显示区域10中。第一栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上(例如，以与有源层130的沟道区叠置)。第一栅电极170可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第一栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
第一层间绝缘层190可以设置在第一栅电极170上。第一层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖显示区域10中的第一栅电极170，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，第一层间绝缘层190可以充分地覆盖栅极绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在第一栅电极170周围造成台阶。可选地，第一层间绝缘层190可以覆盖栅极绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以沿第一栅电极170的轮廓以均匀的厚度设置。第一层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，第一层间绝缘层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第二栅电极175可以在第一层间绝缘层190上设置在显示区域10中。第二栅电极175可以设置在第一层间绝缘层190的其下定位有第一栅电极170的部分上。可选地，第一栅电极170和第二栅电极175可以用作图5的存储电容器CST。第二栅电极175可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第二栅电极175可以具有包括多个层的多层结构。
第二层间绝缘层195可以设置在第二栅电极175上。第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上覆盖显示区域10中的第二栅电极175，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，第二层间绝缘层195可以充分地覆盖第一层间绝缘层190上的第二栅电极175，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在第二栅电极175周围造成台阶。可选地，第二层间绝缘层195可以覆盖第一层间绝缘层190上的第二栅电极175，并且可以沿第二栅电极175的轮廓以均匀的厚度设置。第二层间绝缘层195可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，第二层间绝缘层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
源电极210和漏电极230可以在第二层间绝缘层195上设置在显示区域10中。源电极210可以通过由去除栅极绝缘层150的第一部分、第一层间绝缘层190的第一部分和第二层间绝缘层195的第一部分形成的接触孔而连接到有源层130的源区，漏电极230可以通过由去除栅极绝缘层150的第二部分、第一层间绝缘层190的第二部分和第二层间绝缘层195的第二部分形成的接触孔而连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以按以上构造设置包括有源层130、栅极绝缘层150、第一栅电极170、第一层间绝缘层190、第二栅电极175、第二层间绝缘层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
虽然半导体元件250已经被描述为具有顶栅结构，但是示例性实施例的构造不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构。
另外，虽然OLED显示装置100已经被描述为包括一个半导体元件，但是示例性实施例的构造不限于此。例如，OLED显示装置100可以包括至少一个半导体元件和至少一个存储电容器。
虽然图6的半导体元件250和图7的半导体元件250为了便于解释而被假定为具有相同的附图标记，但是图6的半导体元件250和图7的半导体元件250可以是彼此不同的半导体元件。换言之，图6的半导体元件250可以是设置在相邻于第二***区域22的显示区域10中的半导体元件，并且图7的半导体元件250可以是设置在相邻于第一***区域21的显示区域10中的半导体元件。
第一子电源布线351可以在第二层间绝缘层195上设置在第一***区域21的一部分、第二***区域22和第三***区域23中(例如，见图2A至图2D中的第一电源布线350)。第一子电源布线351可以具有大体上环形形状且具有下开口。在一些示例性实施例中，第一子电源布线351可以在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三***区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换言之，第一子电源布线351可以在第一***区域21和第二***区域22与第三***区域23中具有不同的宽度。
第一子电源布线351可以在第一***区域21中电连接到图2A至图2D的垫电极470。例如，第一子电源布线351可以电连接到垫电极470之中的最外部的垫电极470。图5的低电源电压ELVSS可以被施加到第一子电源布线351，并且低电源电压ELVSS可以通过连接图案295被提供到上电极340。第一子电源布线351可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一子电源布线351可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选地，第一子电源布线351可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，源电极210、漏电极230和第一子电源布线351可以彼此定位在同一层上。
保护绝缘层400可以设置在第二层间绝缘层195、源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351上。保护绝缘层400可以在第二层间绝缘层195上覆盖显示区域10中的源电极210和漏电极230，并且可以在第二层间绝缘层195上覆盖第二***区域22中的第一子电源布线351。在一些示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有用于暴露***区域20(或者第一***区域21和第二***区域22)中的第一子电源布线351的一部分的第一开口401和第二开口402。第二子电源布线352可以通过第一开口401和第二开口402连接到第一子电源布线351。另外，保护绝缘层400可以具有用于暴露显示区域10中的漏电极230的一部分的开口。连接电极235可以通过定位在显示区域10中的开口连接到漏电极230。例如，保护绝缘层400可以充分地覆盖第二层间绝缘层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351周围造成台阶。可选地，保护绝缘层400可以覆盖第二层间绝缘层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351，并且可以沿源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351的轮廓设置为基本均匀的厚度。保护绝缘层400可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一平坦化层270可以设置在保护绝缘层400上。第一平坦化层270可以在保护绝缘层400上设置在***区域20的一部分(例如，第一***区域21的一部分和第二***区域22的一部分)和显示区域10中。换言之，第一平坦化层270可以在沿从显示区域10到***区域20的方向延伸的同时在显示区域10中覆盖保护绝缘层400，并且可以在***区域20中暴露保护绝缘层400的第一开口401和第二开口402。换言之，第一平坦化层270可以从显示区域10延伸到***区域20以覆盖第一开口401的至少一部分。例如，第一平坦化层270可以具有相对厚的厚度，在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现第一平坦化层270的这样的平坦顶表面，可以对第一平坦化层270另外执行平坦化工艺。可选地，第一平坦化层270可以在保护绝缘层400上沿保护绝缘层400的轮廓以均匀的厚度设置。第一平坦化层270可以由有机材料或无机材料形成。在一些示例性实施例中，第一平坦化层270可以包括有机材料。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。
布线图案215和连接电极235可以在第一平坦化层270上设置在显示区域10中。布线图案215可以传输栅极信号、数据信号、发光信号、初始化信号、电源电压等。连接电极235可以在第一平坦化层270上在显示区域10中与布线图案215分隔开。连接电极235可以通过由去除定位于显示区域10中的第一平坦化层270的一部分形成的接触孔而连接到漏电极230，并且连接电极235可以将下电极290电连接到漏电极230。可选地，连接电极235可以不连接到漏电极230，而是可以在OLED显示装置100的另一剖视图中通过接触孔将半导体元件250电连接到另一半导体元件。布线图案215和连接电极235中的每个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，布线图案215和连接电极235中的每个可以具有包括多个层的多层结构。
第二子电源布线352可以在第一平坦化层270上设置在***区域20中。第二子电源布线352可以具有下开口环的形状。在一些示例性实施例中，第二子电源布线352可以在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有第一宽度W1，并可以在第三***区域23中具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。换言之，第二子电源布线352可以在第一***区域21和第二***区域22与第三***区域23中具有不同的宽度。
第二子电源布线352可以通过第一***区域21和第二***区域22中的第一开口401与第一子电源布线351直接接触，并且可以通过第二开口402与第一子电源布线351直接接触。另外，第二子电源布线352可以具有用于暴露第一***区域21和第二***区域22中的第一开口401与第二开口402之间的保护绝缘层400的顶表面的开口(见图12)。可选地，第二子电源布线352可以连续地设置而在第一***区域21和第二***区域22中没有开口。
第二子电源布线352可以在第一***区域21中电连接到图2A至图2D的垫电极470。例如，第二子电源布线352可以电连接到垫电极470之中的最外部的垫电极470。低电源电压ELVSS可以通过第一子电源布线351被施加到第二子电源布线352，并且低电源电压ELVSS可以通过连接图案295被提供到上电极340。第二子电源布线352可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选地，第二子电源布线352可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352可以彼此定位在同一层上。
因此，可以按以上构造设置包括第一子电源布线351和第二子电源布线352的第一电源布线350。
虽然第一电源布线350已经被描述为包括第一子电源布线351和第二子电源布线352，但是示例性实施例的构造不限于此。例如，第一电源布线350可以具有仅包括第一子电源布线351的构造、仅包括第二子电源布线352的构造或者包括第一子电源布线351、第二子电源布线352和另外的布线的构造。
另外，虽然第一子电源布线351和第二子电源布线352已经被描述为在第一***区域21和第二***区域22中具有第一宽度W1并且在第三***区域23中具有第二宽度W2，但是示例性实施例的构造不限于此。例如，在其它示例性实施例中，仅第一子电源布线351和第二子电源布线352中的一条可以在第二***区域22中具有第一宽度W1。
第二平坦化层275可以设置在布线图案215、连接电极235、第二子电源布线352和第一平坦化层270上。第二平坦化层275可以在沿从显示区域10到***区域20的方向延伸的同时在第一平坦化层270上覆盖显示区域10中的布线图案215和连接电极235，并且可以覆盖***区域20中的第二子电源布线352。在一些示例性实施例中，如图6中所示，第二平坦化层275可以具有用于暴露第二***区域22中的第二子电源布线352的顶表面的多个开口490。连接图案295可以通过第二平坦化层275的开口490与第二子电源布线352直接接触。另外，开口490可以形成在其中第一电源布线350和连接图案295在第三***区域23中彼此叠置的部分中。换言之，开口490可以形成在第二平坦化层275中，以在第一平坦化层270上不与第二***区域22和第三***区域23中的发光层330叠置。可选地，如图7中所示，第二平坦化层275被构造为没有用于暴露第一***区域21中的第二子电源布线352的顶表面的开口。换言之，定位在第一***区域21中的第二平坦化层275可以覆盖与显示区域10相邻的第二子电源布线352。
此外，第二平坦化层275可以覆盖第二子电源布线352的设置在***区域20中的第一开口401中的端部。
例如，在图3B中示出的传统有机发光二极管显示装置中，第一电源布线1350和第二电源布线1390可以一起设置在***区域20中。换言之，第二电源布线1390的第三部分会设置在第一***区域21的一部分和第二***区域22中。因此，第一电源布线1350会在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有相对减小的宽度。换言之，第一电源布线1350会在***区域20中具有基本相同的宽度。在这种情况下，其中第一电源布线1350和连接图案1295彼此叠置的部分的宽度会在第一***区域21的一部分和第二***区域22中相对减小。结果，形成在第二***区域22中的第二平坦化层275中的开口的数量会相对少。当传统有机发光二极管显示装置以高亮度驱动时，电流会集中在设置在第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线1350上，从而使温度(例如，热产生)增加。在这种情况下，由于热产生，第一电源布线1350可能短路，或者定位于第一电源布线1350周围的绝缘层可能变形。换言之，由于第一电源布线1350在第一***区域21的一部分和第二***区域22中发生的热产生，传统OLED显示装置会变得有缺陷。
在发明的一些示例性实施例中，第一电源布线350和连接图案295在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有相对宽的宽度，使得可以形成用于在第二***区域22中使连接图案295与第一电源布线350直接接触的相对更大量的开口490。因此，在OLED显示装置100中，在定位于第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线350中产生的热可以相对减少。例如，开口490可以引起连接图案295具有连接到第二子电源布线352的台阶部分，并且连接图案295的表面面积可以相对增加。
再次参照图6，第二平坦化层275可以具有相对厚的厚度以充分地覆盖布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以具有基本平坦的顶表面。为了实现第二平坦化层275的这样的平坦顶表面，可以对第二平坦化层275另外执行平坦化工艺。可选地，第二平坦化层275可以覆盖布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352，并且可以沿布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352的轮廓以均匀的厚度设置。第二平坦化层275可以由有机材料或无机材料形成。在一些示例性实施例中，第二平坦化层275可以包括有机材料。
第一阻挡图案371可以在保护绝缘层400和第二子电源布线352上设置在***区域20中。第一阻挡图案371可以在从显示区域10到***区域20的方向上与第二平坦化层275分隔开，并且可以覆盖第二子电源布线352的设置在第二开口402中的第一端。例如，第一阻挡图案371可以沿显示区域10的***边缘的轮廓设置。换言之，第一阻挡图案371可以在第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23中围绕显示区域10。在一些示例性实施例中，第一阻挡图案371可以用于阻挡第二薄膜封装层452的泄露。第一阻挡图案371可以包括有机材料或无机材料。在一些示例性实施例中，第一阻挡图案371可以包括有机材料。另外，第二平坦化层275的顶表面和第一阻挡图案371的顶表面可以在同一水平处。
下电极290可以在第二平坦化层275上设置在显示区域10中。下电极290可以通过由去除第二平坦化层275的一部分形成的接触孔而连接到连接电极235，并且下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
连接图案295可以在第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻挡图案371和第二子电源布线352上设置在***区域20中。连接图案295可以具有下开口环的形状。连接图案295可以设置在第二平坦化层275、图6中所示的第二平坦化层275的开口490的内侧、保护绝缘层400、第一阻挡图案371以及第二开口402中设置的第二子电源布线352上，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。换言之，连接图案295可以设置在也位于保护绝缘层400上方的第二平坦化层275、第一阻挡图案371和第二子电源布线352上方。在一些示例性实施例中，连接图案295可以在第一***区域21的一部分中与第一电源布线350叠置，第一电源布线350的端部可以与连接图案295的端部对齐。连接图案295可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，下电极290的顶表面和连接图案295的最上表面可以在同一水平处。
像素限定层310可以在第二平坦化层275上设置在显示区域10和***区域20中。在一些示例性实施例中，如图6中所示，像素限定层310可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时使显示区域10中的下电极290的一部分暴露，并且像素限定层310可以设置在连接图案295上同时暴露设置在第二***区域22中的开口490中的连接图案295。可选地，如图7中所示，像素限定层310可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时使显示区域10中的下电极290的一部分暴露，并且像素限定层310可以设置在连接图案295上同时暴露设置在第一***区域21中的第二平坦化层275上的连接图案295。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在一些示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
第二阻挡图案372可以在连接图案295上设置在***区域20中。第二阻挡图案372可以在从显示区域10到***区域20的方向上与像素限定层310分隔开，并且可以覆盖设置在第一阻挡图案371上的连接图案295。例如，第二阻挡图案372可以沿显示区域10的轮廓设置。换言之，第二阻挡图案372可以在第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23中围绕显示区域10。在一些示例性实施例中，第二阻挡图案372可以与第一阻挡图案371一起用于阻挡第二薄膜封装层452的泄露。第二阻挡图案372可以包括有机材料或无机材料。在一些示例性实施例中，第二阻挡图案372可以包括有机材料。另外，像素限定层310的顶表面和第二阻挡图案372的顶表面可以在同一水平处。
因此，可以按以上构造设置包括第一阻挡图案371和第二阻挡图案372的阻挡结构370。
虽然OLED显示装置100已经被描述为包括一个阻挡结构370，但是示例性实施例的构造不限于此。例如，在其它示例性实施例中，至少一个阻挡结构可以被进一步地设置，同时在从显示区域10到***区域20的方向上与阻挡结构370分隔开。换言之，OLED显示装置100可以包括至少两个阻挡结构。
像素限定层310与阻挡结构370之间形成的部分可以被定义为第一阻挡区域。第一阻挡区域可以定位为与阻挡结构370平行，第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310可以不设置在第一阻挡区域中。例如，为了防止湿气和/或水分通过设置在***区域20中的第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310渗透到显示区域10中，第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310可以不设置在第一阻挡区域中。在其它示例性实施例中，当OLED显示装置100还包括另外的阻挡结构时，第二阻挡区域可以另外地形成在阻挡结构370与另外的阻挡结构之间。
发光层330可以在基底110上设置在***区域20的一部分和显示区域10中(见图21)。例如，发光层330可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中设置在像素限定层310和下电极290上，并且可以在***区域20中设置在像素限定层310的一部分上。换言之，发光层330可以设置在像素限定层310和下电极290上方。在一些示例性实施例中，发光层330可以不与定位在第二***区域22中的开口490中的连接图案295和由定位在第一***区域21中的像素限定层310暴露的连接图案295叠置。
发光层330可以具有包括有机发光层(“EML”)、空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等的多层结构。在一些示例性实施例中，EML、HIL、HTL、ETL和EIL可以设置在***区域20中。在其它示例性实施例中，除了EML之外，HIL、HTL、ETL和EIL可以设置在***区域20中。
发光层330的EML可以根据子像素使用用于发射不同颜色光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。可选地，发光层330的EML可以通过将用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色光的多种发光材料层叠以作为整体发射白光来形成。在这种情况下，滤色器可以设置在下电极290上设置的发光层330上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。可选地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂或彩色光致抗蚀剂。
上电极340可以在基底110上设置在***区域20的一部分和显示区域10中(见图23)。例如，上电极340可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中设置在发光层330上，并且可以在***区域20中设置在发光层330、像素限定层310的一部分、图6中所示的开口490中设置的连接图案295以及图7中所示由像素限定层310暴露的连接图案295上。换言之，上电极340可以设置在发光层330、像素限定层310和连接图案295上方。在一些示例性实施例中，上电极340可以与在图6中所示的开口490中设置的连接图案295和图7中所示由像素限定层310暴露的连接图案295直接接触，并且可以从连接图案295接收低电源电压ELVSS。上电极340可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以设置包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。
虽然图6的子像素结构200和图7的子像素结构200为了便于解释而被假定为具有相同的附图标记，但是图6的子像素结构200和图7的子像素结构200可以是彼此不同的子像素结构。换言之，图6的子像素结构200可以是设置在相邻于第二***区域22的显示区域10中的子像素结构，图7的子像素结构200可以是设置在相邻于第一***区域21的显示区域10中的子像素结构。
盖层345可以在基底110上设置在第一***区域21的一部分、第二***区域22的一部分和显示区域10中。例如，盖层345可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中设置在上电极340上，并且可以在***区域20中设置在上电极340上。换言之，盖层345可以在显示区域10和***区域20中设置在上电极340上方。在一些示例性实施例中，盖层345可以在***区域20中与上电极340叠置。盖层345可以保护子像素结构200，并且可以包括有机材料或无机材料。在一些示例性实施例中，盖层345可以包括三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物(arylenediamine derivative)、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)(CBP)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。
第一薄膜封装层451可以在基底110上设置在显示区域10和***区域20中。例如，第一薄膜封装层451可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中设置在盖层345上，并且可以在***区域20中设置在盖层345、像素限定层310、阻挡结构370和连接图案295上。换言之，第一薄膜封装层451可以设置在盖层345、像素限定层310、阻挡结构370和连接图案295上方。在一些示例性实施例中，第一薄膜封装层451可以在开口490中与盖层345直接接触，并且可以在阻挡区域(例如，在第二***区域22中定位在像素限定层310与阻挡结构370之间的部分)中与连接图案295直接接触。第一薄膜封装层451可以防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而劣化。另外，第一薄膜封装层451可以用于保护子像素结构200免受外部冲击影响。第一薄膜封装层451可以包括柔性无机材料。
第二薄膜封装层452可以在第一薄膜封装层451上设置在***区域20的一部分和显示区域10中。第二薄膜封装层452可以与阻挡结构370的侧壁的一部分叠置。可选地，第二薄膜封装层452可以不与阻挡结构370叠置，或者可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时覆盖阻挡结构370。第二薄膜封装层452可以改善OLED显示装置100的平坦度，并且可以保护子像素结构200。第二薄膜封装层452可以包括柔性有机材料。
第三薄膜封装层453可以设置在第二薄膜封装层452和第一薄膜封装层451上。第三薄膜封装层453可以在沿第二薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度设置的同时覆盖显示区域10中的第二薄膜封装层452，并且可以延伸到***区域20。第三薄膜封装层453可以在***区域20中沿第二薄膜封装层452的一部分和第一薄膜封装层451的轮廓设置。第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451一起防止子像素结构200由于湿气、氧等的渗透而劣化。另外，第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451和第二薄膜封装层452一起用于保护子像素结构200免受外部冲击影响。第三薄膜封装层453可以包括柔性无机材料。
因此，可以设置包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450。可选地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层形成的五层结构或者通过层叠第一薄膜封装层至第七薄膜封装层形成的七层结构。
如上所述，可以按以上构造设置图6和图7中所示的OLED显示装置100。
根据发明的一些示例性实施例的OLED显示装置100包括具有相对宽的宽度的第一电源布线350和连接图案295，使得在OLED显示装置100中，可以使在定位于第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线350中产生的热相对减少。
另外，OLED显示装置100包括具有相对宽的宽度的第一电源布线350和连接图案295，使得在OLED显示装置100中，可以形成用于在第二***区域22中使连接图案295与第一电源布线350直接接触的相对更大量的开口490。换言之，在OLED显示装置100中，可以进一步减少定位于第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线350中产生的热。因此，可以相对减少由于第一电源布线350在第一***区域21的一部分和第二***区域22中发生的热产生而导致的OLED显示装置100的缺陷。
图8至图26是示出根据发明的示例性实施例的制造有机发光二极管显示装置的方法的剖视图。例如，图8至图20、图22、图23、图25和图26是示出制造有机发光二极管显示装置的方法的剖视图，图21是示出包括在有机发光二极管显示装置中的发光层的平面图，并且图24是示出包括在有机发光二极管显示装置中的上电极的平面图。
参照图8，可以设置刚性玻璃基底105。可以在刚性玻璃基底105上形成包括透明材料或不透明材料的基底110。可以通过使用柔性透明树脂基底来形成基底110。在一些示例性实施例中，基底110可以具有其中第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层顺序层叠的构造。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括诸如氧化硅的无机材料。另外，第一有机层和第二有机层可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机材料。在这种情况下，第一阻挡层和第二阻挡层中的每个可以阻挡渗透过第一有机层和第二有机层的湿气。
可以在基底110上形成缓冲层115。在一些示例性实施例中，可以在整个基底110上在显示区域10和第二***区域22中形成缓冲层115。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层115，或者可以不在基底110上设置缓冲层115。可以使用硅化合物、金属氧化物等形成缓冲层115。例如，缓冲层115可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。
可以在缓冲层115上在显示区域10中形成有源层130。可以使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等来形成有源层130。有源层130可以具有源区、漏区和定位于源区与漏区之间的沟道区。
可以在有源层130上形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖显示区域10中的有源层130，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，栅极绝缘层150可以充分地覆盖缓冲层115上的有源层130，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在有源层130周围造成台阶。可选地，栅极绝缘层150可以在沿有源层130的轮廓以均匀的厚度形成的同时覆盖缓冲层115上的有源层130，或者可以在整个缓冲层115上形成在显示区域10和第二***区域22中。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成栅极绝缘层150。在其它示例性实施例中，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
可以在栅极绝缘层150上在显示区域10中形成第一栅电极170。可以在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上形成第一栅电极170。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第一栅电极170。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第一栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
可以在第一栅电极170上形成第一层间绝缘层190。第一层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖显示区域10中的第一栅电极170，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，第一层间绝缘层190可以充分地覆盖栅极绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在第一栅电极170周围造成台阶。可选地，第一层间绝缘层190可以覆盖栅极绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以沿第一栅电极170的轮廓以均匀的厚度形成。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成第一层间绝缘层190。在其它示例性实施例中，第一层间绝缘层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
可以在第一层间绝缘层190上在显示区域10中形成第二栅电极175。可以在第一层间绝缘层190的其下定位有第一栅电极170的部分上形成第二栅电极175。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第二栅电极175。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第二栅电极175可以具有包括多个层的多层结构。
可以在第二栅电极175上形成第二层间绝缘层195。第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上覆盖显示区域10中的第二栅电极175，并且可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。例如，第二层间绝缘层195可以充分地覆盖第一层间绝缘层190上的第二栅电极175，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在第二栅电极175周围造成台阶。可选地，第二层间绝缘层195可以覆盖第一层间绝缘层190上的第二栅电极175，并且可以沿第二栅电极175的轮廓以均匀的厚度形成。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成第二层间绝缘层195。在其它示例性实施例中，第二层间绝缘层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参照图9，可以在第二层间绝缘层195上在显示区域10中形成源电极210和漏电极230。可以通过由去除栅极绝缘层150的第一部分、第一层间绝缘层190的第一部分和第二层间绝缘层195的第一部分形成的接触孔来使源电极210连接到有源层130的源区，并且可以通过由去除栅极绝缘层150的第二部分、第一层间绝缘层190的第二部分和第二层间绝缘层195的第二部分形成的接触孔来使漏电极230连接到有源层130的漏区。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成源电极210和漏电极230中的每个。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括有源层130、栅极绝缘层150、第一栅电极170、第一层间绝缘层190、第二栅电极175、第二层间绝缘层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
可以在第二层间绝缘层195上在第一***区域21的一部分、第二***区域22和第三***区域23中形成第一子电源布线351(例如，见图2A至图2D中的第一电源布线350)。在一些示例性实施例中，第一子电源布线351可以在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三***区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换言之，第一子电源布线351可以在第一***区域21和第二***区域22与第三***区域23中具有不同的宽度。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第一子电源布线351。例如，可以使用Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等来形成第一子电源布线351。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选地，第一子电源布线351可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，可以使用相同的材料在彼此相同的层上同时形成源电极210、漏电极230和第一子电源布线351。
例如，在第二层间绝缘层195上形成初始第一电极层之后，可以对初始第一电极层进行部分蚀刻以同时形成源电极210、漏电极230和第一子电源布线351。
参照图10，可以在第二层间绝缘层195、源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351上形成保护绝缘层400。保护绝缘层400可以在第二层间绝缘层195上覆盖显示区域10中的源电极210和漏电极230，并且可以在第二层间绝缘层195上覆盖第二***区域22中的第一子电源布线351。在一些示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有用于暴露***区域20(或者第一***区域21和第二***区域22)中的第一子电源布线351的一部分的第一开口401和第二开口402。另外，保护绝缘层400可以具有用于暴露显示区域10中的漏电极230的一部分的开口。例如，保护绝缘层400可以充分地覆盖第二层间绝缘层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351，并且可以具有基本平坦的顶表面且未在源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351周围造成台阶。可选地，保护绝缘层400可以覆盖第二层间绝缘层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351，并且可以沿源电极210和漏电极230以及第一子电源布线351的轮廓形成为基本均匀的厚度。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成保护绝缘层400。在其它示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参照图11，可以在保护绝缘层400上形成第一平坦化层270。可以在保护绝缘层400上在***区域20的一部分(例如，第一***区域21的一部分和第二***区域22的一部分)和显示区域10中形成第一平坦化层270。换言之，第一平坦化层270可以在沿从显示区域10到***区域20的方向延伸的同时在显示区域10中覆盖保护绝缘层400，并且可以在***区域20中暴露保护绝缘层400的第一开口401和第二开口402。换言之，第一平坦化层270可以从显示区域10延伸到***区域20以覆盖第一开口401的至少一部分。另外，第一平坦化层270可以具有用于暴露漏电极230的一部分的接触孔。例如，第一平坦化层270可以具有相对厚的厚度，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现第一平坦化层270的这样的平坦顶表面，可以对第一平坦化层270另外执行平坦化工艺。可选地，可以在保护绝缘层400上沿保护绝缘层400的轮廓以均匀的厚度形成第一平坦化层270。可以使用有机材料来形成第一平坦化层270。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。
参照图12，可以在第一平坦化层270上在显示区域10中形成布线图案215和连接电极235。可以在第一平坦化层270上在显示区域10中使连接电极235与布线图案215分隔开。可以通过定位于显示区域10中的第一平坦化层270的接触孔使连接电极235连接到漏电极230。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成布线图案215和连接电极235中的每个。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，布线图案215和连接电极235中的每个可以具有包括多个层的多层结构。
可以在第一平坦化层270上在***区域20中形成第二子电源布线352(例如，见图2A至图2D中的第一电源布线350)。在一些示例性实施例中，第二子电源布线352可以在第一***区域21的一部分和第二***区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三***区域23中具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。换言之，第二子电源布线352可以在第二***区域22与第三***区域23中具有不同的宽度。第二子电源布线352可以通过第一***区域21和第二***区域22中的第一开口401与第一子电源布线351直接接触，并且可以通过第二开口402与第一子电源布线351直接接触。另外，第二子电源布线352可以具有用于暴露在第一***区域21和第二***区域22中的第一开口401与第二开口402之间的保护绝缘层400的顶表面的开口。可选地，第二子电源布线352可以连续地形成而在第一***区域21和第二***区域22中没有开口。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第二子电源布线352。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。可选地，第二子电源布线352可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，可以使用相同的材料在彼此相同的层上同时形成布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352。
例如，在第一平坦化层270、第一子电源布线351和保护绝缘层400上形成初始第二电极层之后，可以对初始第二电极层进行部分蚀刻以同时形成布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352。
参照图13和图14，可以在布线图案215、连接电极235、第二子电源布线352和第一平坦化层270上形成第二平坦化层275。第二平坦化层275可以在沿从显示区域10到***区域20的方向延伸的同时在第一平坦化层270上覆盖显示区域10中的布线图案215和连接电极235，并且可以覆盖***区域20中的第二子电源布线352。在一些示例性实施例中，如图13中所示，第二平坦化层275可以具有用于暴露第二***区域22中的第二子电源布线352的顶表面的多个开口490。另外，可以在其中第一电源布线350和连接图案295在第三***区域23中彼此叠置的部分中形成开口490。可选地，如图14中所示，将第二平坦化层275构造为没有用于暴露第一***区域21中的第二子电源布线352的顶表面的开口。换言之，定位在第一***区域21中的第二平坦化层275可以覆盖与显示区域10相邻的第二子电源布线352。
此外，第二平坦化层275可以覆盖第二子电源布线352的形成在***区域20中的第一开口401中的端部，并且可以具有用于暴露显示区域10中的连接电极235的接触孔。第二平坦化层275可以具有相对厚的厚度以充分地覆盖布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以具有基本平坦的顶表面。为了实现第二平坦化层275的这样的平坦顶表面，可以对第二平坦化层275另外执行平坦化工艺。可选地，第二平坦化层275可以覆盖布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352，并且可以沿布线图案215、连接电极235和第二子电源布线352的轮廓以均匀的厚度形成。可以使用有机材料来形成第二平坦化层275。
可以在保护绝缘层400和第二子电源布线352上在***区域20中形成第一阻挡图案371。第一阻挡图案371可以在从显示区域10到***区域20的方向上与第二平坦化层275分隔开，并且可以覆盖第二子电源布线352的形成在第二开口402中的第一端。例如，可以沿显示区域10的***边缘的轮廓形成第一阻挡图案371。换言之，第一阻挡图案371可以在第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23中围绕显示区域10。在一些示例性实施例中，可以使用相同的材料来同时形成第二平坦化层275和第一阻挡图案371。
参照图15和图16，可以在第二平坦化层275上在显示区域10中形成下电极290。可以通过由去除第二平坦化层275的一部分形成的接触孔来使下电极290连接到连接电极235。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成下电极290。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
可以在第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻挡图案371和第二子电源布线352上在***区域20中形成连接图案295。可以在第二平坦化层275、图15中所示的第二平坦化层275的开口490的内侧、定位于第二平坦化层275与第一阻挡图案371之间的保护绝缘层400、第一阻挡图案371以及形成在第二开口402中的第二子电源布线352上形成连接图案295，并且可以使连接图案295在从显示区域10到***区域20的方向上延伸。换言之，可以沿第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻挡图案371和第二子电源布线352的轮廓形成连接图案295。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成连接图案295。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。在一些示例性实施例中，可以使用相同材料来同时形成下电极290和连接图案295。
例如，在第二平坦化层275、第二子电源布线352和保护绝缘层400上形成初始第三电极层之后，可以对初始第三电极层进行部分蚀刻以同时形成下电极290和连接图案295。
参照图17和图18，可以在第二平坦化层275上在显示区域10和***区域20中形成像素限定层310。在一些示例性实施例中，如图17中所示，像素限定层310可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时使显示区域10中的下电极290的一部分暴露，并且像素限定层310可以形成在连接图案295上同时暴露形成在第二***区域22中的开口490中的连接图案295。可选地，如图18中所示，像素限定层310可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时使显示区域10中的下电极290的一部分暴露，并且像素限定层310可以形成在连接图案295上同时暴露形成在第一***区域21中的第二平坦化层275上的连接图案295。可以使用有机材料来形成像素限定层310。
可以在连接图案295上在***区域20中形成第二阻挡图案372。第二阻挡图案372可以在从显示区域10到***区域20的方向上与像素限定层310分隔开，并且可以覆盖形成在第一阻挡图案371上的连接图案295。例如，可以沿显示区域10的***边缘的轮廓来形成第二阻挡图案372。换言之，第二阻挡图案372可以在第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23中围绕显示区域10。可以使用有机材料来形成第二阻挡图案372。另外，可以使用相同材料来同时形成像素限定层310和第二阻挡图案372。
因此，可以形成包括第一阻挡图案371和第二阻挡图案372的阻挡结构370。
参照图19、图20和图21，可以在基底110上在***区域20的一部分和显示区域10中形成发光层330。例如，发光层330可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中形成在像素限定层310和下电极290上，并且可以在***区域20中形成在像素限定层310的一部分上。换言之，可以沿像素限定层310和下电极290的轮廓来形成发光层330。在一些示例性实施例中，发光层330可以不与定位在第二***区域22中的开口490中的连接图案295和由定位在第一***区域21中的像素限定层310暴露的连接图案295叠置。发光层330可以具有包括EML、HIL、HTL、ETL、EIL等的多层结构。可以根据子像素使用用于发射不同颜色光的发光材料中的至少一种来形成发光层330的EML。可选地，可以通过将用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色光的多种发光材料层叠以作为整体发射白光来形成发光层330的EML。在这种情况下，可以在下电极290上形成的发光层330上形成滤色器。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。可选地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。可以使用光敏树脂或彩色光致抗蚀剂来形成滤色器。
参照图22、图23和图24，可以在基底110上在***区域20的一部分和显示区域10中形成上电极340。例如，上电极340可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中形成在发光层330上，并且可以在***区域20中形成在发光层330、像素限定层310的一部分、图22中所示的开口490中形成的连接图案295以及图23中所示由像素限定层310暴露的连接图案295上。换言之，可以沿发光层330、像素限定层310和连接图案295的轮廓形成上电极340。在一些示例性实施例中，上电极340可以与在图22中所示的开口490中形成的连接图案295和图23中所示由像素限定层310暴露的连接图案295直接接触。可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成上电极340。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。
如图22、图23和图24中所示，上电极340可以在从显示区域10到***区域20的方向上从发光层330突出第一距离d1。换言之，上电极340的面积可以大于发光层330的面积。另外，当在平面中观看时，显示区域10可以呈具有弯曲拐角的矩形形状，并且当在平面中观看时，发光层330和上电极340也可以呈具有弯曲拐角的矩形形状。
由于在平面中观看时具有弯曲拐角的矩形形状，所以上电极340在从显示区域10到***区域20的方向上从发光层330突出的距离可以在第一***区域21、第二***区域22和第三***区域23中彼此不同。例如，上电极340在区域A中从发光层330突出的第二距离d2可以相对小于上电极340在其它区域中从发光层330突出的距离。在这种情况下，因为第二距离d2在区域A中太小，所以会难以在第二平坦化层275中形成用于暴露第二子电源布线352的开口。因此，开口490未形成在区域A中的第二平坦化层275中(见图23)。
再次参照图22和图23，可以在基底110上在第一***区域21的一部分、第二***区域22的一部分和显示区域10中形成盖层345。例如，盖层345可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中形成在上电极340上，并且可以在***区域20中形成在上电极340上。换言之，可以在显示区域10和***区域20中沿上电极340的轮廓来形成盖层345。在一些示例性实施例中，盖层345可以在***区域20中与上电极340叠置。可以使用三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物(arylenediamine derivative)、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、Alq3等来形成盖层345。
参照图25和图26，可以在基底110上在显示区域10和***区域20中形成第一薄膜封装层451。例如，第一薄膜封装层451可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时在显示区域10中形成在盖层345上，并且可以在***区域20中形成在盖层345、像素限定层310、阻挡结构370和连接图案295上。换言之，可以沿盖层345、像素限定层310、阻挡结构370和连接图案295的轮廓来形成第一薄膜封装层451。在一些示例性实施例中，第一薄膜封装层451可以与开口490中的盖层345直接接触，并且可以在第二***区域22中与定位在像素限定层310与阻挡结构370之间的部分中的连接图案295直接接触。可以使用柔性无机材料来形成第一薄膜封装层451。
可以在第一薄膜封装层451上在***区域20的一部分和显示区域10中形成第二薄膜封装层452。第二薄膜封装层452可以与阻挡结构370的侧壁的一部分叠置。可选地，第二薄膜封装层452可以不与阻挡结构370叠置，或者可以在从显示区域10到***区域20的方向上延伸的同时覆盖阻挡结构370。可以使用柔性有机材料来形成第二薄膜封装层452。
可以在第二薄膜封装层452和第一薄膜封装层451上形成第三薄膜封装层453。第三薄膜封装层453可以在沿第二薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度形成的同时覆盖显示区域10中的第二薄膜封装层452，并且可以延伸到***区域20。可以在***区域20中沿第二薄膜封装层452的一部分和第一薄膜封装层451的轮廓形成第三薄膜封装层453。可以使用柔性无机材料来形成第三薄膜封装层453。
因此，可以形成包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450。可选地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层形成的五层结构或者通过层叠第一薄膜封装层至第七薄膜封装层形成的七层结构。
在形成薄膜封装结构450之后，可以从基底110去除玻璃基底105。因此，可以通过以上工艺步骤来制造图6和图7中所示的OLED显示装置100。
图27和图28是示出根据发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的剖视图。例如，图27是沿图3A的线I-I'截取的剖视图，图28是沿图3A的线II-II'截取的剖视图。除了具有如图中所示的波浪的(例如，起伏的)形状的第二平坦化层1275之外，图27和图28中示出的有机发光二极管显示装置500可以具有与参照图1至图3A以及图4至图7描述的OLED显示装置100基本相同或相似的构造。在图27和图28中，为避免冗余，将省略针对与参照图1至图3A以及图4至图7描述的元件基本相同或相似的元件的冗余描述。
参照图27和图28，OLED显示装置500可以包括基底110、缓冲层115、半导体元件250、保护绝缘层400、第一电源布线350、第一平坦化层270、布线图案215、连接电极235、第二平坦化层1275、像素限定层310、子像素结构200、盖层345、阻挡结构370、薄膜封装结构450等。在这种情况下，第一电源布线350可以包括第一子电源布线351和第二子电源布线352，并且子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，薄膜封装结构450可以包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453。
第二平坦化层1275可以设置在布线图案215、连接电极235、第二子电源布线352和第一平坦化层270上。第二平坦化层1275可以在沿从显示区域10到***区域20的方向延伸的同时在第一平坦化层270上覆盖显示区域10中的布线图案215和连接电极235，并且可以覆盖***区域20中的第二子电源布线352。在一些示例性实施例中，第二平坦化层1275被构造为在第一***区域21和第二***区域22中没有用于暴露第二子电源布线352的顶表面的开口。换言之，定位于第一***区域21和第二***区域22中的第二平坦化层1275可以覆盖与显示区域10相邻的第二子电源布线352。另外，第二平坦化层1275可以在第一***区域21和第二***区域22中具有起伏的形状。第二平坦化层1275在第一***区域21和第二***区域22中具有起伏的形状，使得在第二平坦化层1275上设置在第一***区域21和第二***区域22中的连接图案295、上电极340、盖层345和第一薄膜封装层451也可以具有起伏的形状。在这种情况下，可以相对增加设置在第一***区域21和第二***区域22中的连接图案295的面积以及与连接图案295直接接触的上电极340的面积。可选地，第二平坦化层1275可以在第一***区域21或第二***区域22中具有起伏的形状。在其它示例性实施例中，第一平坦化层270可以具有起伏的形状。另外，设置在第三***区域23中的第二平坦化层1275和/或第一平坦化层270可以具有起伏的形状。
在发明的一些示例性实施例中，第二平坦化层1275在第一***区域21和第二***区域22中具有起伏的形状，使得可以相对增加设置在第一***区域21和第二***区域22中的连接图案295和上电极340的面积。因此，在OLED显示装置500中，可以相对减少定位在第一***区域21的一部分和第二***区域22中的第一电源布线350中产生的热。
图29和图30是示出根据发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的剖视图。例如，图29是沿图3A的线I-I'截取的剖视图，图30是沿图3A的线II-II'截取的剖视图。除了凹凸图案510之外，图29和图30中示出的OLED显示装置600可以具有与参照图27和图28描述的OLED显示装置500基本相同或相似的构造。在图29和图30中，为避免冗余，将省略针对与参照图27和图28描述的元件基本相同或相似的元件的冗余描述。
参照图29和图30，OLED显示装置600可以包括基底110、缓冲层115、半导体元件250、保护绝缘层400、第一电源布线350、第一平坦化层270、布线图案215、连接电极235、凹凸图案510、第二平坦化层1275、像素限定层310、子像素结构200、盖层345、阻挡结构370、薄膜封装结构450等。在这种情况下，第一电源布线350可以包括第一子电源布线351和第二子电源布线352。
多个凹凸图案510可以在第二子电源布线352上设置在第一***区域21和第二***区域22中。凹凸图案510可以有助于第二平坦化层1275容易具有起伏的形状。例如，凹凸图案510可以包括有机材料。可选地，凹凸图案510可以在第二子电源布线352上设置在第一***区域21或第二***区域22中。
在其它示例性实施例中，凹凸图案510可以在第二平坦化层275上设置在第一***区域21和第二***区域22中。在这种情况下，连接图案295可以在第一***区域21和第二***区域22中沿凹凸图案510的轮廓设置，并且连接图案295可以具有起伏的形状。另外，设置在连接图案295上的上电极340可以具有起伏的形状。
发明的原理可以应用于包括OLED显示装置的各种显示装置。例如，发明的实施例可以采用车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传送的显示装置、医疗显示装置等形式。
虽然在这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，如对本领域普通技术人员将明显的是，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及各种明显修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (17)

1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底，具有显示区域、***区域和垫区域，所述***区域至少部分地围绕所述显示区域并且包括第一***区域、第二***区域和第三***区域，所述垫区域设置在所述***区域的一侧上；
发光层，在所述显示区域中设置在所述基底上；
第一电源布线，在所述基底上设置在所述第一***区域的一部分、所述第二***区域和所述第三***区域中；
第二电源布线，在所述基底上设置在所述显示区域、所述第一***区域和所述第三***区域中且未设置在所述第二***区域中，并且被所述第一电源布线至少部分地围绕；
导电图案，在所述第一电源布线上与所述第一电源布线在所述第一***区域的所述一部分、所述第二***区域和所述第三***区域中叠置，并且电连接到所述第一电源布线；以及
上电极，在所述导电图案和所述发光层上设置在所述***区域的一部分和所述显示区域中，与所述第一电源布线和所述导电图案部分地叠置，并且电连接到所述导电图案。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括设置在所述垫区域的第一部分中的多个垫电极，
其中，所述第一***区域与所述垫区域的设置有所述多个垫电极的所述第一部分相邻，并且
所述第二***区域定位于所述第一***区域的相对侧上，同时与所述垫区域的未设置有所述多个垫电极的第二部分相邻，并且
其中，所述第一电源布线包括在所述第一***区域中电连接到所述多个垫电极的布线。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述导电图案和所述上电极中的至少一者在所述第一***区域中具有波浪的形状。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，低电源电压被施加到所述第一电源布线，并且
高电源电压被施加到所述第二电源布线。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二电源布线包括具有第一部分、第二部分和第三部分的布线，所述第一部分设置在所述第一***区域中，所述第二部分设置在所述显示区域中并且具有栅格形状，并且所述第三部分设置在所述第三***区域的一部分中以至少部分地围绕所述第二部分，并且
所述第二电源布线的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分彼此一体地形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二电源布线的所述第一部分和所述第二部分相邻于所述显示区域与所述***区域之间的边界的一部分在所述第一***区域中彼此连接，并且
所述第二电源布线的所述第二部分和所述第三部分相邻于所述显示区域与所述***区域之间的所述边界的另一部分在所述第三***区域中彼此连接，
其中，所述第二电源布线的所述第三部分与所述第一电源布线的内侧分隔开，
其中，所述第二电源布线的所述第三部分未设置在所述第二***区域中，并且
其中，所述第二电源布线的所述第二部分在所述显示区域的一部分中具有格状形状，并且在所述显示区域的另一部分中具有条形状。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述显示区域呈具有弯曲拐角的矩形形状，并且
所述显示区域的所述弯曲拐角包括：
第一拐角，与所述垫区域相邻；以及
第二拐角，面对所述第一拐角，并且
其中，所述第一拐角与所述第二***区域相邻，并且
所述第二拐角与所述第三***区域相邻。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电源布线在所述第二***区域中具有第一宽度，并且在所述第三***区域中具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括：
保护绝缘层，在所述基底与所述发光层之间设置在所述显示区域和所述***区域中，并且在所述第二***区域中限定开口；
第一平坦化层，在所述保护绝缘层上设置在所述***区域的一部分和所述显示区域中，以暴露所述保护绝缘层的所述开口；以及
第二平坦化层，在所述第一平坦化层上设置在所述***区域的一部分和所述显示区域中，并且在所述第二***区域中具有暴露所述第一电源布线的多个开口，
其中，定位于所述第一***区域中的所述第二平坦化层未形成暴露所述第一电源布线的所述多个开口，并且
其中，所述发光层从所述显示区域延伸到所述***区域，并且
定位于所述***区域中的所述发光层不与所述第二***区域中的所述第二平坦化层的所述多个开口叠置。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，定位于所述第一***区域中的所述第二平坦化层具有波浪的形状。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间的多个凹凸图案。
12.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括在所述第二平坦化层上设置在所述显示区域中的下电极，
其中，所述上电极设置在所述下电极上，并且所述上电极从所述显示区域延伸到所述***区域，并且
其中，所述下电极与所述导电图案定位在同一层上。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述上电极在所述第二***区域中与所述导电图案直接接触。
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述上电极在所述第一***区域中具有波浪的形状，并且
所述上电极在所述第一***区域中与所述导电图案直接接触。
15.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电源布线包括：
第一子电源布线，设置在所述基底与所述保护绝缘层之间，并且被所述保护绝缘层的所述开口暴露；以及
第二子电源布线，设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间，通过所述保护绝缘层的所述开口与所述第一子电源布线直接接触，并且被所述第二平坦化层的所述多个开口暴露，并且
其中，所述导电图案包括连接图案，所述连接图案通过所述第二平坦化层的所述多个开口与所述第二子电源布线直接接触。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括：
半导体元件，在所述基底与所述保护绝缘层之间设置在所述显示区域中；以及
布线图案和连接电极，在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间设置在所述显示区域中，
其中，所述布线图案和所述连接电极与所述第二子电源布线定位于同一层上。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述半导体元件包括：
有源层，在所述基底上设置在所述显示区域中；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；
栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置在所述栅电极上；以及
源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上，并且
其中，所述源电极和所述漏电极与所述第一子电源布线定位于同一层上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013356A (zh) * 2021-02-22 2021-06-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
WO2022120633A1 (zh) * 2020-12-09 2022-06-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950677B2 (en) * 2018-12-05 2021-03-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN110767663B (zh) * 2019-10-23 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光背板及其制作方法、触控显示屏及触控显示装置
KR20220109551A (ko) 2021-01-28 2022-08-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN116171655A (zh) * 2021-09-24 2023-05-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576685A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 三星显示有限公司 有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法
CN107230694A (zh) * 2016-03-24 2017-10-03 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备
CN107275364A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 三星显示有限公司 显示装置
CN207303104U (zh) * 2017-10-31 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 显示面板
US20190006442A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-03 Samsung Display Co, Ltd. Display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573149B1 (ko) * 2004-05-29 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100700650B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20150006125A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR102154009B1 (ko) 2014-07-09 2020-09-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102512231B1 (ko) 2015-09-02 2023-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10490122B2 (en) * 2016-02-29 2019-11-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576685A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 三星显示有限公司 有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法
CN107230694A (zh) * 2016-03-24 2017-10-03 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN107275364A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 三星显示有限公司 显示装置
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备
US20190006442A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-03 Samsung Display Co, Ltd. Display device
CN207303104U (zh) * 2017-10-31 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 显示面板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022120633A1 (zh) * 2020-12-09 2022-06-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其显示装置
GB2610955A (en) * 2020-12-09 2023-03-22 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and display apparatus thereof
CN113013356A (zh) * 2021-02-22 2021-06-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
WO2022174614A1 (zh) * 2021-02-22 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法

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