CN112582105B - 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法 - Google Patents

一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112582105B
CN112582105B CN202011329617.XA CN202011329617A CN112582105B CN 112582105 B CN112582105 B CN 112582105B CN 202011329617 A CN202011329617 A CN 202011329617A CN 112582105 B CN112582105 B CN 112582105B
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene oxide
graphene
hybrid
solution
hybrid film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011329617.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112582105A (zh
Inventor
王奔
朱彦松
段玉岗
肖鸿
明越科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN202011329617.XA priority Critical patent/CN112582105B/zh
Publication of CN112582105A publication Critical patent/CN112582105A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112582105B publication Critical patent/CN112582105B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation

Abstract

一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，先通过氧化石墨烯与金属纳米颗粒的杂化，将相邻的氧化石墨烯片通过金属纳米颗粒包裹交联起来，减小氧化石墨烯片之间的界面电阻；再利用化学还原或低温热处理对杂化膜进行预还原，使其具有导电性能；最后通过电加热对杂化膜进行800℃‑2000℃的热还原，还原后的石墨烯杂化膜电导率与超高温石墨化处理后的石墨烯膜在同一个数量级105S/m；本发明减少了时间成本，同时也解决了高温炉的尺寸对杂化膜大小的限制。

Description

一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法
技术领域
本发明涉及石墨烯杂化膜制备技术领域，具体涉及一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法。
背景技术
石墨烯是一种以SP2杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料，具有优异的导电、导热性能；而石墨烯膜是由石墨烯片层层组装而成的宏观薄膜，导电导热能力强，同时具有优异的柔韧性，可应用在新一代柔性器件散热、航空航天中的电磁屏蔽、吸波、雷击防护中。
绝大多数的石墨烯膜是由氧化石墨烯膜作为前驱体，经过低温化学还原或是高温物理还原制备，氧化石墨烯中的含氧官能团和其他缺陷往往会散射或捕捉SP2杂化形成的大π键中的电荷载流子，严重影响石墨烯膜的电导率与热导率。低温化学还原可以去除氧化石墨烯中大部分的含氧官能团，将氧化石墨烯膜还原为石墨烯膜；但是目前低温化学还原得到的石墨烯膜其电导率很难超过2×104S/m，主要是由于石墨烯中的很多缺陷尚未被修复。为了进一步提高石墨烯膜的导电率，修复石墨烯中的缺陷，需要将石墨烯膜置于真空气氛炉中，在真空或惰性气氛保护下进行高温还原，当还原温度达到2000℃-3000℃时，石墨烯中的含氧官能团被完全去除，而且石墨烯中的缺陷被修复，石墨烯膜的电导率可提升至105S/m数量级。
但是进行高温热还原时，石墨烯膜的大小往往会受到炉腔尺寸的限制，而且传统的高温炉升温降温速率有限，制备石墨烯膜需要大量的时间成本。
发明内容
为了克服上述的技术缺点，本发明的目的在于提供了一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，并利用电加热还原氧化石墨烯，减少了时间成本，同时也解决了高温炉的尺寸对杂化膜大小的限制。
为了达到上述目的，本发明采取如下的技术方案：
一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，首先将氧化石墨烯与金属纳米颗粒杂化，将相邻的氧化石墨烯片通过金属纳米颗粒包裹交联起来，减小氧化石墨烯片之间的界面电阻；再利用化学还原或低温热处理对杂化膜进行预还原，使其具有导电性能；最后通过电加热对杂化膜进行800℃-2000℃的热还原，还原后的杂化膜电导率与超高温石墨化处理后的石墨烯膜在同一个数量级105S/m。
一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，包括以下步骤：
(1)采用顺序抽滤的方法，首先将氧化石墨烯溶液与金属盐溶液按照比例混合均匀，将混合溶液倒入真空抽滤装置进行抽滤，得到含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜；
(2)再将具有还原性的溶液倒入步骤(1)中真空抽滤装置进行二次抽滤，将金属离子原位还原成金属纳米颗粒；
(3)将步骤(2)制备好的杂化膜进行预还原，赋予导电性；再利用电加热将杂化膜进行800℃-2000℃的高温热还原，将氧化石墨烯还原为石墨烯。
所述步骤(1)的具体步骤为：首先将氧化石墨烯溶液与金属盐溶液按比例混合，通过磁力搅拌、超声分散，使两者混合均匀，之后将混合溶液倒入真空抽滤装置，当混合溶液抽干后，便在滤纸表面形成了一层含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜，此时杂化膜由氧化石墨烯片层层堆叠组装而成，金属离子通过强静电力吸附在氧化石墨烯片上。
所述的含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜的厚度可以根据需求，通过调整混合溶液的体积控制。
所述步骤(2)的具体步骤为：向真空抽滤装置中倒入具有还原性的溶液，由于步骤(1)的杂化膜中相邻的氧化石墨烯片之间会存在纳米通道，对于还原性的溶液阻力小，因此，具有还原性的溶液会优先流过相邻氧化石墨烯片之间存在的纳米通道；当还原性的溶液流过纳米通道时，金属离子首先被原位还原成金属原子，再形成团簇，最后成核长大，成为金属纳米颗粒，并将相邻的氧化石墨烯片包裹交联起来，改善了氧化石墨烯片之间的界面电阻。
所述步骤(3)的具体步骤为：将步骤(2)得到的杂化膜通过化学还原或是采用300-500℃的低温热还原对杂化膜进行预还原，预还原后的杂化膜具有导电性；最后在真空操作箱中将杂化膜置于石墨电极之间，采用可编程直流电源在石墨电极两端加载脉冲电流，使杂化膜在焦耳热的作用下快速升温至800℃-2000℃，去除氧化石墨烯中的含氧官能团，将氧化石墨烯还原为石墨烯。
所述的金属离子采用银离子、铜离子、铝离子或铁离子等。
所述步骤(2)中还原性的溶液采用抗坏血酸溶液或柠檬酸溶液等。
所述的氧化石墨烯溶液能够采用表面改性的碳纳米管溶液代替，对碳纳米管进行羧基化，使其带负电。
所述的含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜能够通过旋涂法或涂布法制备。
与现有技术相比较，本发明的有益效果有：
所制备的石墨烯杂化膜由石墨烯片层层组装堆叠而成，具有良好的分层结构；金属纳米颗粒将相邻的石墨烯片包裹交联起来，改善了石墨烯片之间的界面电阻，在杂化膜内部形成了导电通路。
通过将石墨烯与金属纳米颗粒杂化，制备出杂化膜的电导率能够在800℃-2000℃的电加热还原后与高温石墨化处理的石墨烯膜电导率在同一个数量级(105S/m)。
采用电加热对杂化膜进行高温还原，升温降温速率快，减少了时间成本，同时也解决了高温炉的尺寸对杂化膜大小的限制。
附图说明
图1是本发明实施例1的工艺路线示意图。
图2是本发明实施例1中含有银离子的氧化石墨烯杂化膜结构示意图。
图3是本发明实施例1中还原性溶液流过纳米通道的示意图。
图4是本发明实施例1中银离子被原位还原成银原子团簇及银纳米颗粒的示意图。
图5是本发明实施例1中预还原后的杂化膜电加热示意图。
图6(a)是本发明实施例1中银纳米颗粒包裹石墨烯片的扫描电镜图片；图6(b)是本发明实施例1中银原子团簇的扫描电镜图片。
图7是本发明实施例1中杂化膜截面的扫描电镜图片。
图8是本发明实施例3中银纳米颗粒熔化交联后的扫描电镜图片。
其中：1为氧化石墨烯/硝酸银的混合溶液；2为真空抽滤装置；3为含有银离子的氧化石墨烯杂化膜；4为抗坏血酸溶液；5为银离子；6为氧化石墨烯片；7为银原子团簇；8为银纳米颗粒；9为上石墨板；10为下石墨板；11为预还原后的杂化膜；12为螺栓。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
实施例1，一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，包括以下步骤：
(1)量取10ml的氧化石墨烯溶液(8mg/ml)与1ml的硝酸银溶液(0.1mol/L)按体积比10:1混合，混合时将硝酸银溶液逐滴缓慢地加入正在磁力搅拌的氧化石墨烯溶液中，之后继续磁力搅拌1h；将混合均匀的混合溶液继续置于超声浴中超声30min做一步分散；由于氧化石墨烯表面的大量含氧官能团使得氧化石墨烯带负电性，银离子通过强静电作用均匀地负载在氧化石墨烯片表面及边缘上；首先将分散完成后的氧化石墨烯/硝酸银的混合溶液1倒入真空抽滤装置2中，滤纸采用直径为50mm，孔径0.22um的醋酸纤维素滤纸，真空抽滤装置2外接真空泵，抽滤时真空泵的负压为0.09MPa；
(2)如图2所示，当步骤(1)中氧化石墨烯/硝酸银的混合溶液1抽干、将会在滤纸表面形成一层含有银离子的氧化石墨烯杂化膜3，此时含有银离子的氧化石墨烯杂化膜3具有良好的层级结构，银离子5均匀地吸附在氧化石墨烯片6上；称取5g的抗坏血酸粉末，溶于50ml的去离子水中制成抗坏血酸溶液；再将抗坏血酸溶液倒入真空抽滤装置2中继续抽滤，如图3所示，由于相邻的氧化石墨烯片6之间存在纳米通道，对于抗坏血酸溶液4的阻力较小，抗坏血酸溶液4会优先流过纳米通道；如图4所示，由于抗坏血酸分子中的二烯醇基具有极强的还原性，当抗坏血酸溶液4流过纳米通道时，抗坏血酸脱氢被氧化，银离子首先被原位还原成银原子，再形成银原子团簇7，最后成核长大，成为银纳米颗粒8，并将相邻的氧化石墨烯片包裹交联起来；抽滤5h后，将多余抗坏血酸溶液4从真空抽滤装置2倒出，之后将杂化膜连同滤纸放入高压釜内；
(3)由于此时抗坏血酸溶液4已经充分浸润杂化膜，因此将高压釜放置于烘箱中加热至90℃，通过化学方法对杂化膜进行预还原，赋予杂化膜一定的导电性；反应完成后，将杂化膜从滤纸上取下并自然晾干；如图5所示，之后在真空操作箱中，将预还原后的杂化膜11放置于两组石墨电极之间，每组石墨电极由上石墨板9和下石墨板10构成，上石墨板9和下石墨板10通过螺栓12连接以增加石墨电极与预还原后的杂化膜11接触的可靠性；两组石墨电极分别连接直流电源的正负极，直流电源具有可编程功能，实验采用脉冲波形加载，并采用红外测温传感器实时监测杂化膜表面温度，控制温度始终在银的熔点之下，通过直流电源的脉冲波形，实现对预还原后的杂化膜11的闪烧，闪烧的最高温度为800℃，在高温去除氧化石墨烯的含氧官能团的同时，不会影响银纳米颗粒的形貌和大小；
如图6(a)所示，两片石墨烯之间被直径约为210nm的银纳米颗粒包裹交联；如图6(b)所示，可以观测到一些银纳米团簇发生在两片相邻石墨烯之间；如图7所示，最终得到的石墨烯杂化膜具有良好的分层结构，银纳米颗粒将相邻的石墨烯片之间包裹交联起来，极大程度地改善了石墨烯片之间的界面电阻。
实施例2，一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，包括以下步骤：
(1)量取8ml的氧化石墨烯溶液(8mg/ml)与1ml的氯化铁溶液(0.1mol/L)按体积比8:1混合，混合时将氯化铁溶液逐滴缓慢地加入正在磁力搅拌的氧化石墨烯溶液中，之后继续磁力搅拌1h；将混合均匀的混合溶液继续置于超声浴中超声30min做一步分散；由于氧化石墨烯表面的大量含氧官能团使得氧化石墨烯带负电性，铁离子通过强静电作用均匀地负载在氧化石墨烯片表面及边缘上；将分散完成后的混合溶液倒入真空抽滤装置中，滤纸采用直径为50mm，孔径0.22um的醋酸纤维素滤纸，真空抽滤装置外接真空泵，抽滤时真空泵的负压为0.09MPa；
(2)当步骤(1)中混合溶液抽干、将会在滤纸表面形成一层含有铁离子的氧化石墨烯杂化膜，此时杂化膜具有良好的层级结构，铁离子均匀地吸附在氧化石墨烯片上；称取3g的柠檬酸粉末，溶于30ml的去离子水中制成柠檬酸溶液；再将柠檬酸溶液倒入真空抽滤装置中继续抽滤，由于相邻的氧化石墨烯片之间存在纳米通道，对于柠檬酸溶液的阻力较小，柠檬酸溶液会优先流过纳米通道；由于柠檬酸具有还原性，当柠檬酸溶液流过纳米通道时，铁离子首先被原位还原成铁原子，再形成团簇，最后成核长大，成为铁纳米颗粒，并将相邻的氧化石墨烯片包裹交联起来；抽滤5h后，将多余柠檬酸溶液从真空抽滤装置倒出，之后将杂化膜从滤纸上取下并自然晾干；
(3)将步骤(2)制备的杂化膜置于真空气氛炉中，在真空环境下以5℃/min的加热速率升温至300℃，保温2h，对杂化膜进行预还原，赋予杂化膜一定的导电性；之后在真空操作箱中，将预还原后的杂化膜放置于两组石墨电极之间，每组石墨电极由上石墨板和下石墨板构成，上石墨板和下石墨板通过螺栓连接以增加石墨电极与预还原后的杂化膜接触的可靠性；两组石墨电极分别连接直流电源的正负极，直流电源具有可编程功能，实验采用脉冲波形加载，并采用红外测温传感器实时监测杂化膜表面温度，控制温度始终在铁的熔点之下，通过直流电源的脉冲波形，实现对预还原后的杂化膜的闪烧，闪烧的最高温度为1500℃，在高温去除氧化石墨烯的含氧官能团的同时，不会影响铁纳米颗粒的形貌和大小；
最终得到的石墨烯杂化膜具有良好的分层结构，铁纳米颗粒将相邻的石墨烯片之间包裹交联起来，极大程度地改善了石墨烯片之间的界面电阻。
实施例3，一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，包括以下步骤：
(1)量取10ml的氧化石墨烯溶液(8mg/ml)与1ml的硝酸银溶液(0.1mol/L)按体积比10:1混合，混合时将硝酸银溶液逐滴缓慢地加入正在磁力搅拌的氧化石墨烯溶液中，之后继续磁力搅拌1h；将混合均匀的混合溶液继续置于超声浴中超声30min做一步分散；由于氧化石墨烯表面的大量含氧官能团使得氧化石墨烯带负电性，银离子通过强静电作用均匀地负载在氧化石墨烯片表面及边缘上；首先将分散完成后的混合溶液倒入真空抽滤装置中，滤纸采用直径为50mm，孔径0.22um的醋酸纤维素滤纸，真空抽滤装置外接真空泵，抽滤时真空泵的负压为0.09MPa；
(2)当步骤(1)中混合溶液抽干、将会在滤纸表面形成一层含有银离子的氧化石墨烯杂化膜，此时含有银离子的氧化石墨烯杂化膜具有良好的层级结构，银离子均匀地吸附在氧化石墨烯片上；称取5g的抗坏血酸粉末，溶于50ml的去离子水中制成抗坏血酸溶液；再将抗坏血酸溶液倒入真空抽滤装置中继续抽滤，由于相邻的氧化石墨烯片之间存在纳米通道，对于抗坏血酸溶液的阻力较小，抗坏血酸溶液会优先流过纳米通道；由于抗坏血酸分子中的二烯醇基具有极强的还原性，当抗坏血酸溶液流过纳米通道时，抗坏血酸脱氢被氧化，银离子首先被原位还原成银原子，再形成团簇，最后成核长大，成为银纳米颗粒，并将相邻的氧化石墨烯片包裹交联起来；抽滤5h后，将多余抗坏血酸溶液从真空抽滤装置倒出，之后将杂化膜连同滤纸放入高压釜内；
(3)由于此时抗坏血酸溶液已经充分浸润杂化膜，因此将高压釜放置于烘箱中加热至90℃，通过化学方法对杂化膜进行预还原，赋予杂化膜一定的导电性；反应完成后，将杂化膜从滤纸上取下并自然晾干；之后在真空操作箱中，将预还原后的杂化膜放置于两组石墨电极之间，每组石墨电极由上石墨板和下石墨板构成，上石墨板和下石墨板通过螺栓连接以增加石墨电极与预还原后的杂化膜接触的可靠性；两组石墨电极分别连接直流电源的正负极，直流电源具有可编程功能，实验采用脉冲波形加载，并采用红外测温传感器实时监测杂化膜表面温度，通过直流电源的脉冲波形，实现对预还原后的杂化膜的闪烧，闪烧的最高温度为2000℃，由于此时加热温度已经超过了银的熔点，但闪烧可以实现快速升温与降温；因此，银纳米颗粒会发生瞬间熔化与再结晶，并在熔化的过程中不断浸润相邻石墨烯片之间的缝隙，最后再结晶将两片石墨烯片包裹起来。
如图8所示，可以发现银纳米颗粒的形貌发生了改变，由球状颗粒变为扁平状，这主要是由于快速熔化与瞬间结晶造成的，但此时扁平状的银聚集体仍然将相邻的石墨烯片包裹交联起来，形成导电网络。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用顺序抽滤的方法，首先将氧化石墨烯溶液与金属盐溶液按照比例混合均匀，将混合溶液倒入真空抽滤装置进行抽滤，得到含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜；
(2)再将具有还原性的溶液倒入步骤(1)中真空抽滤装置进行二次抽滤，将金属离子原位还原成金属纳米颗粒, 将相邻的氧化石墨烯片通过金属纳米颗粒包裹交联起来，减小氧化石墨烯片之间的界面电阻；
(3)将步骤(2)制备好的杂化膜利用化学还原或低温热处理进行预还原，赋予导电性；再利用电加热将预还原的杂化膜进行800℃-2000℃的高温热还原，将氧化石墨烯还原为石墨烯；
还原后的杂化膜电导率与超高温石墨化处理后的石墨烯膜在同一个数量级105S/m。
2.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的具体步骤为：首先将氧化石墨烯溶液与金属盐溶液按比例混合，通过磁力搅拌、超声分散，使两者混合均匀，之后将混合溶液倒入真空抽滤装置，当混合溶液抽干后，便在滤纸表面形成了一层含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜，此时杂化膜由氧化石墨烯片层层堆叠组装而成，金属离子通过强静电力吸附在氧化石墨烯片上。
3.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于：所述的含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜的厚度根据需求，通过调整混合溶液的体积控制。
4.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的具体步骤为：向真空抽滤装置中倒入具有还原性的溶液，具有还原性的溶液会优先流过相邻氧化石墨烯片之间的纳米通道；当还原性的溶液流过纳米通道时，金属离子首先被原位还原成金属原子，再形成团簇，最后成核长大，成为金属纳米颗粒，并将相邻的氧化石墨烯片包裹交联起来，改善了氧化石墨烯片之间的界面电阻。
5.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的具体步骤为：当还原性的溶液抽干后，再将杂化膜通过化学还原或是采用300-500℃的低温热还原对杂化膜进行预还原，预还原后的杂化膜具有导电性；最后在真空操作箱中将预还原的杂化膜置于石墨电极之间，采用可编程直流电源在石墨电极两端加载脉冲电流，使预还原的杂化膜在焦耳热的作用下快速升温至800℃-2000℃，去除氧化石墨烯中的含氧官能团，将氧化石墨烯还原为石墨烯。
6.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述的金属离子采用银离子、铜离子、铝离子或铁离子。
7.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中还原性的溶液采用抗坏血酸溶液或柠檬酸溶液。
8.根据权利要求1所述的一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法，其特征在于，所述的含有金属离子的氧化石墨烯杂化膜能够通过旋涂法或涂布法制备。
CN202011329617.XA 2020-11-24 2020-11-24 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法 Active CN112582105B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011329617.XA CN112582105B (zh) 2020-11-24 2020-11-24 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011329617.XA CN112582105B (zh) 2020-11-24 2020-11-24 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112582105A CN112582105A (zh) 2021-03-30
CN112582105B true CN112582105B (zh) 2022-08-05

Family

ID=75124310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011329617.XA Active CN112582105B (zh) 2020-11-24 2020-11-24 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112582105B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102568641A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 海洋王照明科技股份有限公司 一种负载纳米金属颗粒的石墨烯复合材料的制备方法
CN106835082A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 东南大学 金属纳米粒子掺杂的柔性自支撑石墨烯薄膜的制备方法
TW201817678A (zh) * 2016-09-30 2018-05-16 日商柯尼卡美能達股份有限公司 石墨成形體之製造方法
CN110127671A (zh) * 2019-06-10 2019-08-16 中国烟草总公司郑州烟草研究院 一种还原氧化石墨烯基复合膜的通用制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8920764B2 (en) * 2011-02-11 2014-12-30 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Graphene composition, method of forming a graphene composition and sensor system comprising a graphene composition
WO2015061327A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-30 The Penn State Research Foundation Method for preparing graphene oxide films and fibers
TWI486969B (zh) * 2014-06-11 2015-06-01 Nat Univ Tsing Hua 複合導電材料的製作方法及其導電薄膜
KR102190460B1 (ko) * 2014-10-02 2020-12-11 한국전기연구원 나노금속과 탄소나노소재의 복합체 제조방법
CN105938907A (zh) * 2016-05-26 2016-09-14 江苏深苏电子科技有限公司 一种高导电性石墨烯集流体的制备方法
US11369929B2 (en) * 2017-06-22 2022-06-28 University Of Maryland, College Park Nanoparticles and systems and methods for synthesizing nanoparticles through thermal shock

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102568641A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 海洋王照明科技股份有限公司 一种负载纳米金属颗粒的石墨烯复合材料的制备方法
TW201817678A (zh) * 2016-09-30 2018-05-16 日商柯尼卡美能達股份有限公司 石墨成形體之製造方法
CN106835082A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 东南大学 金属纳米粒子掺杂的柔性自支撑石墨烯薄膜的制备方法
CN110127671A (zh) * 2019-06-10 2019-08-16 中国烟草总公司郑州烟草研究院 一种还原氧化石墨烯基复合膜的通用制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112582105A (zh) 2021-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621133B1 (ko) 리튬이온전지 3d다공성 실리카계 복합 음극재료 및 그 제조방법
CN108251076B (zh) 碳纳米管-石墨烯复合散热膜、其制备方法与应用
CN108145169B (zh) 一种高强高导石墨烯增强铜基复合材料及制备方法与应用
WO2019114373A1 (zh) 一种复合包覆的纳米锡负极材料及其制备方法和应用
CN110148746B (zh) 石墨烯纳米片复合材料、其制造方法及应用
CN108573763B (zh) 电线电缆导体、石墨烯包覆金属粉体和导体的制备方法
US20140374146A1 (en) Metal nanonetwork and method for producing the same, and conductive film and conductive substrate using metal nanonetwork
CN108396168A (zh) 一种高强高导抗蠕变石墨烯增强铝合金材料的制备方法
CN106784856A (zh) 一种纳米碳纤维/金属箔双层复合材料及其制备方法
CN105679551A (zh) 基于Ni(OH)2/NiO纳米颗粒的石墨烯纳米墙超级电容器电极制作方法
CN108492907B (zh) 纳米金属修饰的石墨烯导电材料及其制备方法
CN105826571A (zh) 一种柔性高电导率石墨烯碳纳米管复合集流体的制备方法
CN111697218A (zh) 一种硅碳负极材料及其制备方法
CN111799449A (zh) 复合负极材料的制备方法及用于锂二次电池的复合负极材料
CN102181831A (zh) 一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法
CN112582105B (zh) 一种高导电且内部连续的石墨烯杂化膜制备方法
CN113421781A (zh) 一种镍钴氧化物@镍钴氢氧化物核壳结构电极材料的制备方法
Sun et al. PVP-grafted synthesis for uniform electrospinning silica@ carbon nanofibers as flexible free-standing anode for Li-ion batteries
CN108914253B (zh) 一种基于静电纺丝和高温碳化制备碳纳米纤维及其修饰电极的方法
Zhang et al. Promoting the cyclic and rate performance of nickel hydroxide with ZnO via electrodeposition for supercapacitor
CN103280338A (zh) 用于超级电容器中无支撑电极的增强型碳纳米管巴基纸及其制备方法
CN106219532B (zh) 一种纳米碳管阵列/石墨复合导热膜及其制备方法
CN105778365A (zh) 一种碳纳米管/聚四氟乙烯纳米复合膜及其制备方法
CN115101722B (zh) 一种磁控溅射法制备多孔银包覆硬碳复合材料的制备方法
CN111187506B (zh) 一种石墨烯纳米膏制备复合材料的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant