CN112397407A - 基板的偏心降低方法及示教装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够避开缺口测量基板周边的位置，并高精度地降低基板的偏心量的技术。在第一工序中使基板(W)旋转。在第二工序中，摄像头依次拍摄基板的周边，获取多个图像(IM1)。在第三工序中，针对多个图像执行缺口检测处理。在第四工序中，将在多个图像内沿着第一轴延伸的测量区域(MR1)在第二轴上的位置设定为：测量区域在多个图像的任一个中均不包含缺口(NT1)而包含基板的周边。在第五工序中，针对包含基板的旋转位置和测量区域中的基板的周边的位置的绘图点，进行曲线插值处理求出正弦波。在第六工序中，根据该正弦波求出以缺口的位置为基准的基板的偏心。在第七工序中使基板移动，以降低基板的偏心。

Description

基板的偏心降低方法及示教装置
技术领域
本申请涉及一种基板的偏心降低方法及示教装置。
背景技术
以往，在将圆板状基板以水平姿势保持并使该基板在水平面内旋转的基板保持机构中，提及一种测量基板偏心的技术(例如，专利文献1)。在专利文献1中，以俯视时与基板周边交叉的方式设置线性传感器。线性传感器在基板旋转过程中针对每个规定的旋转角度测量该延伸方向上的基板周边的位置，并向控制部输出该测量值。线性传感器例如针对基板的每次旋转测量基板周边的位置。
基板旋转一圈的过程中，通过线性传感器测量到的测量值组(测量波形)呈与基板的偏心对应的正弦形状。但是，在专利文献1中，因为在基板的周边形成有缺口，所以，测量波形在与缺口对应的位置偏离正弦形状。控制部利用测量波形中与缺口对应的测量值之外的测量值来计算基板的偏心量(偏置量)。
专利文献1：日本特开2015-211205号公报
但是，在专利文献1中，因为线性传感器针对每次旋转来测量基板的周边，所以，该测量波形包含有与缺口对应的凹部。因为该凹部不能用于计算基板的偏心量，所以，这样的测量是无用的。
另外，线性传感器相对于基板的设置位置能够随着时间变化等而变动。由此，若要以线性传感器的位置为基准降低基板的偏心量，则不能够高精度地降低基板的偏心量。
发明内容
因此，本申请的目的在于提供一种能够避开缺口地测量基板周边的位置，并能够高精度地降低基板的偏心量的技术。
基板的偏心降低方法的第一方式包括：第一工序，将周边具有缺口的基板保持为水平，并使所述基板围绕沿铅垂方向的旋转轴旋转；第二工序，摄像头在所述基板的旋转过程中依次拍摄所述基板的所述周边，获取多个包括相互垂直的第一轴和第二轴的二维图像，所述摄像头在铅垂方向上与所述基板的所述周边相向；第三工序，在多个所述图像的每一个图像中执行用于检测所述基板的所述缺口的缺口检测处理；第四工序，将沿着在多个所述图像内，所述第一轴延伸的测量区域在所述第二轴上的位置设定为，所述测量区域在多个所述图像的任一个中均不包含所述缺口而包含所述基板的所述周边；第五工序，针对绘图点进行曲线插值处理并求出正弦波，所述绘图点包括获取到多个所述图像中的每一个图像时的所述基板的各个旋转位置、以及多个所述图像中的每一个图像的所述测量区域中的所述基板的所述周边在所述第一轴上的位置；第六工序，根据通过所述第五工序求出的所述正弦波，求出以所述缺口的位置为基准的所述基板的偏心；以及第七工序，以所述缺口的所述位置为基准使所述基板移动，以降低通过所述第六工序求出的所述基板的偏心。
基板的偏心降低方法的第二方式，其中，在所述第二工序中，所述摄像头对每个第一旋转角度拍摄所述基板的所述周边；在所述第四工序中，在包含从所述缺口偏离第二旋转角度的区域的位置上设定所述测量区域，所述缺口包含于多个所述图像的一个中，所述第二旋转角度比所述第一旋转角度更小。
基板的偏心降低方法的第三方式，其中，所述测量区域的在所述第二轴上的像素数为两个以上，若将在所述测量区域中沿所述第一轴排列的多个像素称作像素行，则在所述第三工序中，将所述测量区域内的多个像素行中的所述基板的所述周边的位置平均化，求出所述测量区域内的所述基板的所述周边的位置。
基板的偏心降低方法的第四方式是第一至三任一方式的基板的偏心降低方法，所述曲线插值处理包括样条插值。
基板的偏心降低方法的第五方式是第一至四任一方式的基板的偏心降低方法，还包括：在所述第一工序之前执行的将所述摄像头设定在用于拍摄所述基板的所述周边的位置上的工序；在所述第二工序之后执行的卸下所述摄像头的工序。
示教装置的第一方式为：在包括基板保持部的基板处理装置中降低所述基板的偏心，所述基板保持部将周边具有缺口的基板保持为水平，并使所述基板围绕沿铅垂方向的旋转轴旋转。所述示教装置具有：摄像头，在铅垂方向上与所述基板的所述周边相向，在所述基板的旋转过程中依次拍摄所述基板的所述周边，获取多个包括相互垂直的第一轴和第二轴的二维图像；以及控制部，所述控制部执行下述工序：第一工序，在从所述摄像头输入的多个所述图像中的每一个图像中执行用于检测所述基板的所述缺口的缺口检测处理；第二工序，将在多个所述图像内沿着所述第一轴延伸的测量区域在所述第二轴上的位置设定为，所述测量区域在多个所述图像的任一个中均不包含所述缺口而包含所述基板的所述周边；第三工序，针对绘图点进行曲线插值处理并求出正弦波，所述绘图点包括获取到多个所述图像中的每一个图像时的所述基板的各个旋转位置，以及，多个所述图像中的每一个图像的所述测量区域中的所述基板的所述周边在所述第一轴上的位置；第四工序，根据通过所述第三工序求出的所述正弦波求出以所述缺口的位置为基准的所述基板的偏心；以及第五工序，以所述缺口的所述位置为基准来计算所述基板的位置，以降低通过所述第四工序求出的所述基板的偏心。
示教装置的第二方式是第一方式的示教装置，所述摄像头相对于所述基板处理装置能够装卸。
根据基板的偏心降低方法的第一方式和示教装置的第一方式，在多个图像的任一个中，设定测量区域以使均不包含缺口。由此，能够避免测量无益于偏心计算的缺口在基板周边的位置。换言之，能够使多个图像均有助于偏心量的计算。
并且，因为以缺口的位置为基准求出偏心，所以，能够不受摄像头的设置位置变动的影响而降低偏心。
根据基板的偏心降低方法的第二方式，能够简易地设定测定区域。
根据基板的偏心降低方法的第三方式，能够高精度地求出周边的位置。
根据基板的偏心降低方法的第四方式，能够更高精度地计算正弦波。
根据基板的偏心降低方法的第五方式和示教装置的第二方式，能够将摄像头设置在其他基板处理装置。由此，能够降低该其他基板处理装置中基板的偏心。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理***的结构的一例的图。
图2是示意性地表示基板的结构的一例的图。
图3是示意性地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图4是表示基板处理***的电气结构的一例的图。
图5是表示基板W的偏心降低方法的一例的流程图。
图6是表示偏心计算处理的操作的一例的流程图。
图7是示意性地表示图像的一例的图。
图8是示意性地表示图像的一例的图。
图9是示意性地表示图像的一例的图。
图10是表示测量区域内的基板周边的位置与旋转位置之间的关系的一例的坐标图。
图11是示意性地表示基板搬运装置的手部上的基板的结构的一例的图。
图12是表示比较例的测量区域内的基板周边的位置与旋转位置之间的关系的一例的坐标图。
图13是示意性地表示图像的一例的图。
图14是表示基板的偏心降低方法的一例的流程图。
附图标记说明如下：
9 控制部
20 基板保持部
50 示教装置
51 摄像头
IM1、IM11～IM13 图像
IR1 拍摄区域
MR1 测量区域
NT1 缺口
Q2 旋转轴
W 基板
α1 第二旋转角度(旋转角度)
Figure BDA0002616690620000051
第一旋转角度(旋转角度)
具体实施方式
下面，参考所附的附图对实施方式进行说明。此外，附图是示意图，为了便于说明，其适当地省略结构或简化结构。另外，附图所示结构等的大小及位置的相互关系不一定准确记载，能够适当变更。
另外，在以下所示说明中，对同样的结构构件赋予相同标记进行图示，其名称和功能也相同。因此，为了避免重复，会有省略的情况。
＜基板处理***的概要＞
图1是示意性地表示基板处理***100的结构的一例的图。该基板处理***100包括分度器部110、处理部120、控制基板处理***100的控制部9。
分度器部110上载置有基板收纳器111。在图1的例子中，多个基板收纳器111被载置为一列。各个基板收纳器111中收纳多个基板W。基板W例如是半导体基板。若基板W为半导体基板，则基板W的形状呈大致圆板状。作为基板收纳器111，例如能够采用将基板W收纳于密闭空间的FOUP(正面开口标准箱：front openin gunified pod)或者SMIF(标准机械界面：Standard Mechanical Inter Face)舱或者以收纳状态将基板W暴露于空气中的OC(开放式晶圆匣：open cassette)。各个基板收纳器111中例如沿铅垂方向排列收纳多个基板W。
图2是示意性地表示基板的结构的一例的图。如图2所示，在基板W的周边形成有缺口NT1。缺口NT1是形成于基板W的周边的凹部，俯视时，向基板W的中心Q1侧凹陷。俯视时，缺口NT1形成大致V字形。这样的基板W在基板收纳器111内以该缺口NT1的周向位置相互相同的方式对齐。
参考图1，分度器部110上设置有基板搬运装置112。基板搬运装置112例如是基板搬运机器人，可以称作分度器机器人。基板搬运装置112与多个基板收纳器111的每一个交接基板W。在图1的例子中，基板搬运装置112与载置有多个基板收纳器111的区域邻接设置。分度器部110上设置有使基板搬运装置112移动的移动机构(未图示)。该移动机构使基板搬运装置112沿着基板收纳器111的排列方向移动，并使其停在与多个基板收纳器111的每一个面对的位置上。基板搬运装置112能够以停在与一个基板收纳器111面对的位置上的状态，与该一个基板收纳器111交接基板W。
在图1的例子中，基板搬运装置112具有手部H，使该手部H移动至基板收纳器111内未处理的基板W的正下方，通过使手部H上升来抬起基板W。由此，基板搬运装置112能够从基板收纳器111取出未处理的基板W。
基板搬运装置112例如通过俯视时的自转，能够改变手部H的方向。基板搬运装置112能够在与基板载置部PASS面对的位置上使手部H朝向基板载置部PASS侧。基板搬运装置112使手部H移动至基板载置部PASS后下降，从而能够使未处理的基板W载置于基板载置部PASS。
基板搬运装置112不使基板W相对于手部H旋转。也就是说，基板搬运装置112维持基板W的缺口NT1相对于手部H的周向位置并搬运基板W。由此，基板载置部PASS上的基板W的缺口NT1的周向位置成为预定位置。此外，可以在基板载置部PASS上设置用于调整基板W的缺口NT1的周向位置的调整机构。该调整机构包括使基板W在水平面内旋转的旋转机构(例如，电机)。由此，能够高精度地定位基板W的缺口NT1。由此，即便基板收纳器111内的基板W的缺口NT1的周向位置出现偏差，也能够高精度地将基板载置部PASS上的缺口NT1的周向位置调整为预定位置。另外，基板载置部PASS的调整机构可以调整基板W俯视时的位置。
基板载置部PASS设置在分度器部110与处理部120之间。基板载置部PASS能够载置基板W，在分度器部110与处理部120之间中转基板W。
在处理部120对基板W实施各种处理，并再次将其载置于基板载置部PASS。基板搬运装置112能够用手部H取出载置于基板载置部PASS的已处理的基板W，并将该基板W收纳于基板收纳器111。
处理部120对从分度器部110经由基板载置部PASS交接来的基板W执行各种处理。在图1的例子中，处理部120包括基板搬运装置121、多个基板处理装置122。基板搬运装置121例如是基板搬运机器人，可称作中心机器人。基板搬运装置121能够与基板载置部PASS及多个基板处理装置122的每一个交接基板W。在图1的例子中，多个基板处理装置122围绕基板搬运装置121设置。
基板搬运装置121例如与基板搬运装置112同样包括手部H。基板搬运装置121使手部H移动至基板载置部PASS后使手部H升降，从而，能够与基板载置部PASS交接基板W。
另外，基板搬运装置121例如能够通过俯视时的自转来改变手部H的方向。基板搬运装置121使手部H与基板处理装置122相向，并使手部H向基板处理装置122移动。在此状态下，基板搬运装置121使手部H升降，从而，能够与基板处理装置122交接基板W。
基板搬运装置121不使基板W相对于手部H旋转。也就是说，基板搬运装置121维持基板W的缺口NT1相对于手部H的周向位置并搬运基板W。由此，搬入时基板处理装置122内的基板W的缺口NT1的周向位置也成为预定位置。
每个基板处理装置122对从基板搬运装置121接收的基板W执行处理。虽然该处理不必特别限定，但例如可以举出清洗处理、膜形成处理、加热处理、曝光处理及蚀刻处理等处理。基板搬运装置121将从基板处理装置122接收到的已处理的基板W交接给其他基板处理装置122或基板载置部PASS。
控制部9例如能够控制基板处理***100所包括的各部件的动作。图3是示意性地表示基板处理***100的电气结构的一例的图。控制部9是电子电路，例如，可以具有数据处理装置91和存储介质92。在图3的例子中，数据处理装置91与存储介质92通过总线93相互连接。数据处理装置91例如可以是CPU(中央处理器：Central Processor Unit)等计算处理装置。存储介质92可以具有非临时性的存储介质(例如：ROM(只读存储器：Read Only Memory)或者硬盘)921和临时性的存储介质(例如：RAM(随机存取存储器：Random Access Memory))922。非临时性的存储介质921例如可以存储规定控制部9所执行的处理的程序。数据处理装置91执行该程序，从而，控制部9能够执行程序所规定的处理。当然，控制部9所执行的处理的一部分或全部可以由硬件执行。
控制部9的存储介质92中存储有用于基板搬运装置112的示教数据和用于基板搬运装置121的示教数据。这些示教数据分别表示基板搬运装置112和基板搬运装置121对基板W的搬运路径。控制部9根据存储介质92所存储的示教数据来控制基板搬运装置112和基板搬运装置121。在图3中，作为一例示意性地表示了基板搬运装置112和基板搬运装置121与总线93连接的方式。此外，在设置有与存储介质92的不同存储介质的情况下，示教数据可以存储在该不同存储介质中。
＜基板处理装置＞
图4是示意性地表示基板处理装置1的结构的一例的图。基板处理装置1相当于一个上述基板处理装置122。基板处理装置1是对基板W进行逐枚处理的单片式处理装置。
基板处理装置1将基板W以大致水平姿势保持，使基板W在水平面内旋转，并且，对基板W执行各种处理。例如，基板处理装置1对旋转过程中的基板W的主表面供给处理液。着落在基板W的主表面上的处理液受到离心力从基板W的主表面向外侧飞溅。处理液作用于基板W的主表面，从而，能够对基板W执行与处理液对应的处理。作为处理液，例如，能够采用蚀刻液等各种药液或纯水等冲洗液。
其中，基板处理装置1仅对基板W的主表面的周边部供给处理液，对基板W的周边部进行处理。例如，基板W的上表面上形成有抗蚀剂的情况中包括该抗蚀剂在基板W的周边部***的情况(所谓边珠(Edge bead))。作为处理液，如果采用能够去除该抗蚀剂的药液，则通过基板处理装置1向基板W的周边部供给处理液，从而，能够去除该边珠。另外，还包括基板W的周边部上附着金属等杂质的情况。在这样的情况下，采用能够除去杂质的药液作为该处理液，从而，基板处理装置1能够除去基板W的周边部的杂质。
如图4所所示，作为主要构件，基板处理装置1在腔室10内包括基板保持部20和处理液供给部30。基板保持部20保持基板W并使基板W旋转。处理液供给部30向基板保持部20所保持的基板W的上表面供给处理液。另外，在图4的例子中，在腔室10内设置有处理杯40和隔板15。处理杯40围绕基板保持部20的周围。隔板15在腔室10内位于处理杯40周围，上下分隔腔室10的内侧空间。
腔室10包括沿铅垂方向的侧壁11、封闭被侧壁11包围的空间的上方的顶壁12、封闭下方的底壁13。由侧壁11、顶壁12和底壁13包围的空间成为基板W的处理空间。另外，在腔室10的侧壁11的一部分上设置有搬入搬出口和闸板，所述搬入搬出口用于基板搬运装置121相对于腔室10搬入搬出基板W，所述闸板开闭该搬入搬出口(均省略图示)。
在图4的例子中，腔室10的顶壁12上安装有风机过滤机组(FFU)14，所述风机过滤机组14用于进一步净化设置有基板处理装置1的无尘室内的空气，并将其供给至腔室10内的处理空间。风机过滤机组14包括将无尘室内的空气纳入并向腔室10内送出的风机和过滤器(例如，HEPA过滤器)，在腔室10内的处理空间形成净化空气的下行气流。为了平均分散由风机过滤机组14供给的净化空气，可以将开设有多个出风孔的冲压板设置在顶壁12的正下方。
基板保持部20使所保持的基板W围绕旋转轴Q2旋转。旋转轴Q2与铅垂方向大致平行，是通过基板W的中央部的轴。理想情况，俯视时基板W的中心Q1与旋转轴Q2一致。但是，实际上，俯视时基板W的中心Q1会偏离旋转轴Q2(所谓偏心)。
在图1的例子中，基板保持部20包括旋转卡盘21和旋转机构22。旋转卡盘21将基板W以大致水平姿势保持。此处所说水平姿势是指基板W的厚度方向沿铅垂方向的状态。旋转卡盘21可以通过多个卡盘销保持基板W的周边。卡盘销的驱动由控制部9来控制。或者，旋转卡盘21可以通过例如吸引卡盘或者静电卡盘等来吸附基板W的下表面并保持基板W。旋转卡盘21的吸引机构(未图示)或静电机构(未图示)由控制部9来控制。
基板保持部20可以包括用于与基板搬运装置121交接基板W的三个以上的升降销(未图示)。三个以上的升降销在围绕旋转轴Q2的周向上大致等间隔设置。该升降销的升降机构(未图示)也由控制部9来控制。
在此，对基板搬运装置121将基板W搬入基板处理装置1的动作的一例进行说明。基板搬运装置121使保持有基板W的手部H向腔室10内移动，并使其停止在比基板保持部20靠近垂直上方的交接位置。该交接位置由存储于控制部9的存储介质92的用于基板搬运装置121的示教数据规定。
另外，基板处理装置1使升降销上升。基板搬运装置121在该状态下使手部H从交接位置下降，使基板W载置于升降销的顶端。由此，基板W从基板搬运装置121交接至升降销。然后，基板搬运装置121使手部H从腔室10的内部向外部移动。接着，升降销下降，将基板W交接给旋转卡盘21。旋转卡盘21保持基板W。由此，基板W被搬入基板处理装置1。
此时，若俯视时上述交接位置偏离规定位置，则基板W的中心Q1偏离旋转轴Q2。此外，如果旋转卡盘21通过卡盘销保持基板W的周边，则能够降低卡止时基板W的偏心，但是，如果上述交接位置的偏离大，则在旋转卡盘21处不能完全降低偏心，会有偏心残留。另外，如果旋转卡盘21通过吸引卡盘或静电卡盘吸附基板W的下表面，上述交接位置的偏离直接成为旋转卡盘21中的基板W的偏心。
下面，对基板搬运装置121从基板处理装置1搬出基板W时的动作的一例进行说明。在解除旋转卡盘21对基板W的保持的状态下，升降销上升，从而，升降销能够从旋转卡盘21抬起基板W。在该状态下，基板搬运装置121使手部H移动至基板W的正下方，使手部H上升，从升降销抬起基板W。然后，基板搬运装置121使手部H向腔室10外部移动。由此，基板W被搬出基板处理装置1。
旋转机构22使旋转卡盘21围绕旋转轴Q2旋转。由此，由旋转卡盘21所保持的基板W也围绕旋转轴Q2旋转。在图4的例子中，旋转机构22包括电机221和轴222。轴222沿旋转轴Q2延伸，其一端与旋转卡盘21的下表面相连接。电机221使轴222围绕旋转轴Q2旋转，从而，能够使旋转卡盘21和基板W围绕旋转轴Q2旋转。电机221由控制部9控制。
处理液供给部30向由基板保持部20所保持的基板W的主表面供给处理液。作为处理液，能够采用各种药液或冲洗液。在基板W旋转过程中，处理液供给部30例如仅向基板W的主表面的周边部供给处理液。具体而言，处理液供给部30朝向基板W的周边部上的规定的着落位置供给处理液。因为基板W围绕旋转轴Q2旋转，所以，该着落位置相对地在基板W的周边部周向旋转，其结果，处理液被供给至基板W的整个周边部。因为处理液没有流向基板W的中央部，所以，基板处理装置1能够仅对基板W的周边部进行处理。
如图4所示，处理液供给部30包括喷嘴31、供给管32、供给阀33、处理液供给源34。在图4的例子中，喷嘴31与喷嘴移动机构35相连接。喷嘴移动机构35例如包括电机，使喷嘴31在处理位置与待机位置之间移动。处理位置例如是比基板保持部20所保持的基板W更靠近上方的位置，是对基板W喷出处理液时的位置。此处，处理位置是在铅垂方向上与基板保持部20所保持的基板W的周边部相向的位置。与处理位置相比，待机位置是远离基板保持部20所保持的基板W的位置，例如是避开基板保持部20所保持的基板W的正上方空间的位置。喷嘴移动机构35由控制部9控制。
喷嘴31经由供给管32与处理液供给源34相连接。供给阀33设置在供给管32上，切换供给管32内部的流路的开闭。供给阀33由控制部9控制。供给阀33打开供给管32的流路，从而，来自处理液供给源34的处理液经由供给管32向喷嘴31供给，并从喷嘴31的喷出口向基板W喷出。供给阀33可以是能够调整流过供给管32的处理液的流量的阀门。
处理液供给部30可以是能够供给多种处理液的部件。例如，处理液供给部30可以在向基板W的周边部供给药液之后，向该周边部供给第一冲洗液冲洗掉药液。进一步，处理液供给部30向基板W的周边部供给比第一冲洗液挥发性高的第二冲洗液，可以冲洗掉第一冲洗液。由此，基板W的周边部上残留第二冲洗液。因为该第二冲洗液的挥发性高，所以能够使基板W迅速干燥。
在图4的例子中，基板处理装置1上设置有处理杯40。处理杯40被设置为在腔室10内包围基板保持部20。处理杯40包括内杯41、中杯42和外杯43。内杯41、中杯42和外杯43能够通过升降机构44相互独立地升降。升降机构44例如包括滚珠丝杠机构或气缸。在内杯41、中杯42和外杯43上升的状态下，从基板W的周边飞溅的处理液碰到内杯41的内周面而掉落。掉落的处理液被第一回收机构适当地回收。在内杯41下降、中杯42和外杯43上升的状态下，从基板W的周边飞溅的处理液碰到中杯42的内周面而掉落。掉落的处理液被第二回收机构适当地回收。在内杯41和中杯42下降、外杯43上升的状态下，从基板W的周边飞溅的处理液碰到外杯43的内周面而掉落。掉落的处理液被第三回收机构适当地回收。据此，能够分别适当地回收不同的处理液。
隔板15被设置为在处理杯40的周围对腔室10的内侧空间进行上下分隔。隔板15可以是包围处理杯40的一张板状构件，也可以是将多张板状构件拼接在一起的构件。
隔板15的外周端与腔室10的侧壁11相连结。另外，隔板15的包围处理杯40的端缘部形成为具有比外杯43的外径更大的外径的圆形形状。由此，隔板15不会妨碍外杯43的升降。
另外，在图4的例子中，在腔室10的侧壁11中底壁13附近的位置上设置有排气通道18。排气通道18与省略图示的排气机构相连接。从风机过滤机组14供给的在腔室10内向下流动的净化空气中，在处理杯40和隔板15之间通过的空气从排气通道18排出至装置外。
控制部9能够综合控制基板处理装置1。例如控制部9能够控制基板保持部20、处理液供给部30、升降机构44。在图3的例子中，作为一例，示意性地表示了该各个部件与总线93相连接的方式。更具体地讲，控制部9例如控制旋转卡盘21的卡盘机构、旋转机构22、供给阀33、喷嘴移动机构35和升降机构44。
＜基板处理装置1的动作概要＞
首先，打开腔室10的闸板，基板搬运装置121经由该闸板将未处理的基板W搬入基板保持部20。接着，关闭闸板，喷嘴移动机构35使喷嘴31移动至处理位置。然后，旋转机构22使旋转卡盘21围绕旋转轴Q2旋转。由此，基板W围绕旋转轴Q2旋转。然后，处理液供给部30向基板W的主表面供给处理液。由此，对基板W的主表面进行处理。处理液供给部30例如在仅对基板W的周边部供给药液后，向该周边部供给第一冲洗液，冲洗掉基板W的周边部上的药液。然后，处理液供给部30向基板W的周边部供给挥发性高的第二冲洗液，冲洗掉第一冲洗液。然后，旋转机构22增大基板W的旋转速度，干燥基板W(所谓旋转干燥)。然后，打开闸板，基板搬运装置121从基板保持部20搬出已处理的基板W。
通过上述动作，基板处理装置1能够执行对基板W的处理。
＜偏心＞
在针对基板W的上述处理中，若基板W的中心Q1与旋转轴Q2一致，则处理液相对于基板W的径向的着落位置与基板W的旋转位置无关而恒定。在该情况下，能够对基板W的周边部等宽度地供给处理液。但是，若基板W的中心Q1从旋转轴Q2偏离，则该着落位置随着基板W的旋转位置而径向变动。图2的例子示意性地示出了处理液相对于基板W的着落位置LP1。另外，图2的例子中以双点划线示出了使基板W围绕旋转轴Q2旋转半圈时的基板W。若基板W的中心Q1的从旋转轴Q2偏离的偏离量(偏心量)变大，则随着基板W的旋转，着落位置LP1的变动范围也变大，处理液可能超出至比基板W的周边部更靠近内侧的位置。由于能够在比基板W的周边部更靠近内侧的区域形成器件，所以，不希望处理液超出至内侧。
因此，在本实施方式中，求出基板W的偏心，根据该偏心修正基板搬运装置121的示教数据，更具体而言，修正基板搬运装置121向基板处理装置1交接基板W时的交接位置。
＜示教装置＞
此处，设置有示教装置50。操作人员例如安装在基板处理装置1时或安装基板处理装置1后，定期地利用示教装置50来检查基板W的偏心量。
示教装置50包括摄像头51。摄像头51可装卸地设置在基板处理装置1内(具体而言，腔室10内)。例如，摄像头51经由固定构件52设置在基板处理装置1内。固定构件52可装卸地固定在基板处理装置1的腔室10内。作为装卸结构，例如能够采用螺纹和卡止结构等任意的装卸结构。在腔室10的底壁13由软磁性体形成的情况下，可以采用使用了磁铁的装卸结构。
摄像头51设置在能够对基板保持部20所保持的基板W的周边进行拍摄的位置上。具体而言，摄像头51设置在与基板保持部20所保持的基板W的周边在铅垂方向上相向的位置上。在图4的例子中，摄像头51位于比基板保持部20所保持的基板W更靠近垂直上方的位置。该摄像头51的位置比处理杯40更靠近垂直上方。
摄像头51与控制部9可装卸地电连接。例如，摄像头51上连接有布线，该布线上设置有能够与控制部9相连接的连接器。在将摄像头51设置在基板处理装置1内时，操作人员将该连接器与控制部9相连接。由此，摄像头51与控制部9电连接。此外，摄像头51可以与控制部9无线通信。图3中作为一例示意性地示出了摄像头51与总线93连接的方式。
摄像头51例如包括CCD(电荷耦合器件：Charge Coupled Device)图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)图像传感器等图像传感器。该图像传感器所包括的多个受光元件二维排列，作为更具体的一例，其排列成矩阵状。由此，摄像头51获取二维图像。
摄像头51拍摄基板保持部20所保持的基板W的周边并获取二维图像。摄像头51向控制部9输出该图像。图2用虚线示出了摄像头51的拍摄区域IR1的一例。该拍摄区域IR1包括基板W的周边的一部分，不包括整个基板W。由图2可以了解，基板W的中心Q1从旋转轴Q2偏离时，根据基板W的旋转，基板W的周边的位置发生变动。
因为摄像头51的位置在设置时发生变动，所以，摄像头51相对于基板保持部20的位置也会发生变动。由此，拍摄区域IR1相对于基板W的位置也能够发生变动。
控制部9根据从摄像头51输入的多个图像，求出基板W的偏心(偏心矢量)。基板W的偏心通过基板W的偏心量d1和偏心角度θ1表达出来(参见图2)。偏心量d1是基板W的中心Q1与旋转轴Q2之间的偏离量(距离)。偏心角度θ1是表示俯视时基板W的中心Q1从旋转轴Q2向某个方向偏离的指标。此处，作为偏心角度θ1，采用连接旋转轴Q2和缺口NT1的假想直线与连接旋转轴Q2和基板W的中心Q1的假想直线所成的角度(0度≦θ1≦180度)。关于基板W的偏心的求取方法，将在后面详述。
控制部9根据求出的基板W的偏心修正用于基板搬运装置121的示教数据(更具体地讲，上述交接位置)以降低偏心量d1。由此，之后，基板搬运装置121能够在更合适的位置将基板W交接给基板保持部20。由此，能够降低基板W的偏心。
此外，也可以说控制部9的偏心计算功能和示教修正功能属于示教装置50。该偏心计算功能和示教修正功能可以安装在与控制部9不同的控制部上。在该情况下，示教装置50由摄像头51和该控制部构成，该控制部与控制部9可装卸地电连接。以下，以偏心计算功能和示教修正功能安装在控制部9上为例进行说明。
＜基板的偏心降低方法＞
图5是表示基板W的偏心降低方法的一例的流程图。首先，基板W被搬入基板处理装置1内(步骤S1)。具体而言，基板搬运装置112取出基板收纳器111内的基板W，将基板W载置于基板载置部PASS。其次，基板搬运装置121从基板载置部PASS取出基板W，将基板W搬入基板处理装置1。此时，若交接位置偏离规定位置，其结果，基板保持部20以基板W的中心Q1偏离旋转轴Q2的状态保持基板W。
其次，操作人员将示教装置50(摄像头51)设置在基板处理装置1的腔室10内(步骤S2)。具体而言，操作人员在比基板W更靠近垂直上方的与基板W的周边相向的位置上设置摄像头51。
其次，执行偏心计算处理(步骤S3)。所谓偏心计算处理，是测量基板W的偏心的处理。关于该偏心计算处理将在后面详述。
其次，控制部9修正用于基板搬运装置121的示教数据(更具体地讲，交接位置)，更新该示教数据并存储于存储介质92(步骤S4)，以降低步骤S3所求出的基板W的偏心量。
然后，操作人员从基板处理装置1的腔室10卸下示教装置50(摄像头51)(步骤S5)。
＜偏心计算处理＞
图6是表示偏心计算处理的一个具体例子的流程图。首先，基板保持部20使基板W围绕旋转轴Q2开始旋转(步骤S31)。
其次，摄像头51拍摄拍摄区域IR1并获取图像IM1(步骤S32)。摄像头51向控制部9输出该图像IM1。摄像头51例如在基板W每旋转规定的旋转角度Δφ1时进行拍摄。此处，摄像头51通过在基板W的定速旋转过程中以规定的拍摄周期进行拍摄，从而，获取每个规定的旋转角度Δφ1的图像IM1。此外，在使基板W仅旋转规定的旋转角度Δφ1并使其静止后，摄像头51进行拍摄，从而，可以获取每个规定的旋转角度Δφ1的图像IM1。
其次，控制部9判断摄像头51是否获取了指定张数的图像IM1(步骤S33)。若获取张数低于指定张数，则摄像头51再次拍摄拍摄区域IR1并获取图像IM1(步骤S32)。该指定张数被设定为大于或等于基板W旋转一圈所获取的图像IM1的张数。
图7至图9是示意性地表示摄像头51所获取的图像IM1的一例的图。图像IM1呈矩形形状。以下，将图像IM1的横向和纵向分别称作X轴方向和Y轴方向。X轴方向和Y轴方向相互垂直。另外，以下，在相互区别图7至图9所例示的图像IM1的情况下，将图7至图9的图像IM1分别称作图像IM11、图像IM12和图像IM13。通过摄像头51按后述顺序连续获取图像IM11、图像IM12和图像IM13。此外，图8用双点划线假想地示出了图像IM13中的基板W的周边。
图像IM1包括基板W的周边的一部分。在图7至图9的例子中基板W的周边从图像IM1的上边弯曲并向下侧延伸，到达图像IM1的下边。在图7的例子中，图像IM1不包含缺口NT1，在图8及图9的例子中，图像IM1包括整个缺口NT1。换言之，摄像头51的拍摄区域IR1的尺寸被设定为该拍摄区域IR1能够包含整个缺口NT1的尺寸，另外，摄像头51的拍摄周期(具体而言，旋转角度Δφ1)被设定为至少一个图像IM1包括整个缺口NT1。例如，以通过指定张数的图像IM1能够拍摄基板W的周边部的整周方式来设定旋转角度Δφ1。由此，至少一个图像IM1能够包含缺口NT1。
此处，俯视时，摄像头51拍摄基板W的右侧的周边(参见图2)，基板W顺时针旋转。由此，图像IM13中的缺口NT1位于比图像IM12中缺口NT1更靠下侧的位置。另外，此处，因为基板W的中心Q1从旋转轴Q2偏离，所以，各个图像IM1中的基板W的周边的位置在X轴方向变动。
当在步骤S33中获取张数大于或等于指定张数时，基板保持部20结束基板W的旋转(步骤S34)。然后，控制部9对从摄像头51输入的多个图像IM1中的每一个图像进行边缘提取处理(步骤S35)。作为边缘提取处理，例如，能够采用Canny边缘检测法。控制部9通过边缘提取处理在各个图像IM1中提取基板W的周边(边缘)。具体而言，控制部9在各个图像IM1中确定表示基板W的周边的像素(以下，称作周边像素)P1，提取该周边像素P1的位置信息(坐标信息)。在图7及图8的例子中，示意性地示出了若干周边像素P1。
其次，控制部9对多个图像IM1中的每一个图像进行缺口检测处理(步骤S36)。所谓缺口检测处理是确定包含缺口NT1的图像IM1的处理。在该缺口检测处理中，控制部9根据基板W的周边的形状判断各个图像IM1是否包含缺口NT1。例如，在各个图像IM1中，控制部9依次求出表示相邻周边像素P1的差异的矢量(以下，称作形状矢量)V1。此处，将更靠上侧的周边像素P1作为形状矢量V1的起始点。
如图7所所示，如果图像IM11不包含缺口NT1，则在该图像IM11中多个形状矢量V1的方向落入规定范围内。该规定范围为预定范围。另一方面，如图8所所示，如果图像IM12包含缺口NT1，则在该缺口NT1处，形状矢量V1的方向不在规定范围。例如，在缺口NT1的规定位置，形状矢量V1大致沿着X轴方向，在缺口NT1之外，不存在沿着X轴方向的形状矢量V1。
因此，当在图像IM1中全部形状矢量V1的方向都落入规定范围内时，控制部9可以判断该图像IM1不包含缺口NT1。另一方面，当在图像IM1中至少一个形状矢量V1的方向不在规定范围时，控制部9可以判断该图像IM1包含缺口NT1。
其次，控制部9利用包含缺口NT1的一个图像IM1(例如，图像IM12)来设定测量区域MR1(步骤S37)。多个图像IM1中该测量区域MR1的位置和尺寸是共同的。此处，测量区域MR1呈X轴方向比Y轴方向长的长条状矩形形状。测量区域MR1的Y轴方向的像素数例如设定为一个。测量区域MR1的X轴方向的像素数和X轴方向的位置设定为测量区域MR1内包括基板W的周边的一部分。
在步骤S37中，控制部9设定测量区域MR1在Y轴方向上的位置，以使测量区域MR1在多个图像IM1的任一个中均不包含缺口NT1而包括基板W的周边的一部分。例如，在图像IM12中，控制部9在如下位置设定测量区域MR1：该位置包括从缺口NT1偏离了旋转角度α1的区域。更具体地讲，例如，控制部9将包括基板W的周边上的特定像素的区域设定为测量区域MR1，该基板W的周边上的特定像素为将缺口NT1的周向的中心位置沿旋转方向仅旋转规定的旋转角度α1而得到的像素。如果基板W每旋转旋转角度Δφ1摄像头51就获取图像IM1，则规定的旋转角度α1被设定为例如比旋转角度Δφ1更小的值。此外，旋转角度Δφ1能够被设定为比缺口NT1的周向的宽度更宽，例如能够被设定为缺口NT1的周向的两倍以上。
作为更具体的一例，如果旋转角度Δφ1为15度，则采用比15度更小的值例如7.5度作为旋转角度α1。由此，在包括图像IM13在内的其他图像IM1中，测量区域MR1不包含缺口NT1但包括基板W的周边。
如上所述，能够简易地设定测量区域MR1。此外，更简单地说，控制部9可以将图像IM12中的如下区域设定为测量区域MR1：该区域包括比缺口NT1(例如，缺口NT1的下侧的端部)低规定像素数PN1的更靠近下侧的像素。
其次，控制部9在多个图像IM1中求出测量区域MR1内的基板W的周边的位置(以下，称作测量位置)PM1。测量位置PM1是测量区域MR1内的基板W的周边的X轴方向的位置。
图10是表示测量位置PM1与基板W的旋转位置φ1之间的关系的一例的坐标图。在图10的例子中，在横轴表示旋转位置φ1。旋转位置φ1表示获取到图像IM1时的基板W的旋转位置。旋转位置φ1为零度时的测量位置PM1表示图像IM12中的测量位置PM1。图像IM12中的测量位置PM1与图像IM12中的缺口NT1之间的旋转角度α1是预先设定好的，所以，可以说图10的旋转位置φ1即是以图像IM12的缺口NT1的周向位置为基准的位置。
但是，当周边未形成缺口NT1的大致圆板状的基板随着偏心旋转时，该测量位置正弦形状波动。此处，因为测量区域MR1被设定为在所有图像IM1不包含缺口NT1，所以，多个测量位置PM1均位于大致正弦形状的假想线上。
其次，控制部9针对多个绘图点(包括旋转位置φ1和测量位置PM1的点)进行曲线插值处理，计算正弦波VL1(步骤S38)。作为曲线插值处理，例如采用样条插值处理。该正弦波VL1的振幅A1对应偏心量d1。另外，正弦波VL1最大值时的旋转位置φ1(以下，称作旋转位置φ1a)对应偏心角度θ1。因此，控制部9求出该正弦波VL1的振幅A1和正弦波VL1取最大值时的旋转位置φ1a，并据此求出偏心量d1和偏心角度θ1(步骤S39)。正弦波VL1的振幅A1与偏心量d1之间的关系能够用几何学求出。偏心角度θ1用(φ1a-α1)表示。
再次参考图5，在步骤S4中，控制部9根据在步骤S3中求出的以缺口NT1的周向位置为基准的偏心(偏心量d1和偏心角度θ1)，修正基板搬运装置121的示教数据(具体为交接位置)。
图11是表示被基板搬运装置121的手部H所保持的基板W的图。在图11示出了修正前的交接位置上的基板W。手部H上的基板W的中心Q1的位置已被预先规定，手部H上的缺口NT1的周向位置也如已叙述的那样已被预先规定。例如，在基板载置部PASS的调整机构对基板W的位置和基板W的缺口NT1的周向位置进行调整的情况下，能够高精度地定位手部H上的基板W的中心Q1和缺口NT1。
控制部9根据偏心角度θ1求出基板W的交接位置的移动方向(图11的空心箭头)，并根据偏心量d1，求出基板W的交接位置的移动量。移动方向是偏心角度θ1与180度的和所表示的方向，移动量与偏心量d1相等。控制部9计算使修正前的交接位置沿该移动方向仅移动该移动量后的位置作为新的交接位置。
随后，控制部9根据修正后的示教数据控制基板搬运装置121，从而，基板搬运装置121能够在更适当的交接位置向基板保持部20交接基板W。由此，能够降低基板保持部20所保持的基板W的偏心量d1。
另外，在上述例子中，控制部9以使测量区域MR1在多个图像IM1的任一个中均不包含缺口NT1而包括基板W的周边(步骤S37)的方式设定测量区域MR1在Y轴方向的位置。由此，多个图像IM1中的测量位置PM1中的任一个均表示缺口NT1之外的基板W的周边的位置。
为了比较，在某一个图像IM1中，考虑测量区域MR1内包含缺口NT1的情况。图12是表示在一个图像IM1的测量区域MR1内包含缺口NT1时的测量位置PM1与旋转位置φ1之间的关系的一例的坐标图。如图12所示，与缺口NT1对应的测量位置PM1被绘制为偏离正弦波的位置。由此，使用该测量位置PM1得到的正弦波的计算精度大幅降低，与此对应地，偏心的计算精度也大幅降低。因此，除与缺口NT1对应的测量位置PM1外，还要考虑仅使用不与缺口NT1对应的测量位置PM1计算偏心的情况。但是，即便在该情况下，因为能够用于曲线插值处理的绘图点的个数变少，所以，会降低正弦波的计算精度。甚至会导致偏心的计算精度的降低。另外，摄像头51获取了无益于偏心计算的图像IM1，获取了无用的图像IM1。
与此相对，控制部9以使多个图像IM1全部不包含缺口NT1的方式设定测量区域MR1在Y轴方向的位置。由此，控制部9使用全部图像IM1中的测量位置PM1来进行曲线插值处理。也就是说，控制部9能够使用更多的绘图点来进行曲线插值处理。因此，控制部9能够以更高的计算精度来求出偏心。另外，因为能够使全部图像IM1有助于偏心的计算，所以，能够避免获取无用的图像IM1。
另外，控制部9求出以缺口NT1的周向位置为基准的偏心角度作为偏心角度θ1。因此，即便摄像头51的设置位置发生变动，该摄像头51的设置位置的变动也不影响偏心角度θ1的计算。因此，能够高精度地降低基板W的偏心量d1。
另外，在上述例子中，控制部9将样条插值处理用作曲线插值处理(步骤S38)。据此，控制部9能够高精度地求出正弦波VL1。由此，控制部9能够高精度地求出偏心。
另外，因为示教装置50相对于基板处理装置1可装卸，所以，操作人员能够针对多个基板处理装置1的每一个依次安装示教装置50。由此，操作人员能够依次测量基板处理装置1的基板W的偏心，另外，能够依次修正各个基板处理装置1内的基板W的交接位置。因此，能够降低之后的各个基板处理装置1中的基板W的偏心。
＜测量区域＞
在上述例子中，采用一个像素数作为测量区域MR1的Y轴方向上的像素数，但其可以是两个以上。图13是示意性地表示图像IM1的一例的图。在图13的例子中，测量区域MR1的Y轴方向的像素数为三个。由此，在测量区域MR1，多个像素沿X轴方向排列构成的像素行沿Y轴方向设置为三行。在图13的例子中，作为各个像素行中基板W的周边的位置，示出了测量位置PM11～PM13。控制部9可以计算测量区域MR1的各个像素行的测量位置PM11～PM13的平均值作为该测量区域MR1的测量位置PM1。
据此，即便使用像素数少的摄像头51，也能够更高精度地求出测量区域MR1中的测量位置。
＜是否修正的判断＞
在上述例子中，当控制部9求出基板W的偏心时，修正用于基板搬运装置121的示教数据(交接位置)以降低该偏心量d1。然而，如果偏心量d1小，则控制部9不必修正该示教数据。
图14是表示基板W的偏心降低方法的一例的流程图。在该动作中，与图6的流程图相比，在步骤S3与步骤S4之间还执行步骤S6。在步骤S6中，控制部9判断步骤S3中求出的偏心量d1是否大于或等于基准值dref。如果偏心量d1大于或等于基准值dref，则控制部9在步骤S4中修正示教数据。也就是说，当偏心量d1大时，则修正示教数据，降低下次以后的基板W的偏心量d1。接着，在步骤S5中，操作人员从基板处理装置1卸下示教装置50(摄像头51)。
另一方面，当偏心量d1小于基准值dref时，控制部9不执行步骤S4。也就是说，当偏心量d1小时，控制部9不修正示教数据。然后，在步骤S5中，操作人员从基板处理装置1卸下示教装置50(摄像头51)。
根据该动作，能够避免修正不必要的示教数据。
如上所述，详细展示并记述了降低基板的偏心的方法(测量基板的偏心的测量方法及示教修正方法)，但以上记述是在全部方式中的示例，并非限定性内容。因此，在本实施方式的公开范围内，能够适当地变形、省略实施方式。另外，能够适当地组合上述实施方式。
例如，在上述说明中，操作人员将示教装置50(摄像头51)设置在基板处理装置1(步骤S2)，在修正示教数据后，操作人员从基板处理装置1卸下示教装置50(摄像头51)(步骤S5)。但是，并不局限于此。示教装置50(摄像头51)可以常设于基板处理装置1内。在该情况下，每搬入基板W，控制部9就求出基板W的偏心，可以修正用于基板搬运装置121的示教数据以降低该偏心。
另外，在上述例子中，控制部9修正用于基板搬运装置121的示教数据，但并不局限于此。存在基板处理装置1包括位置调整机构的情况。位置调整机构是一种能够使基板W相对于基板保持部20(具体为旋转机构22)沿水平方向移动的机构。该位置调整机构例如具有滚珠丝杠机构等。在该情况下，可以通过基板处理装置1的位置调整机构调整基板W的位置，来降低基板W的偏心量d1。

Claims (7)

1.一种基板的偏心降低方法，包括：
第一工序，将周边具有缺口的基板保持为水平，并使所述基板围绕沿铅垂方向的旋转轴旋转；
第二工序，摄像头在所述基板的旋转过程中依次拍摄所述基板的所述周边，获取多个包括相互垂直的第一轴和第二轴的二维图像，所述摄像头在铅垂方向上与所述基板的所述周边相向；
第三工序，在多个所述图像的每一个中执行用于检测所述基板的所述缺口的缺口检测处理；
第四工序，将在多个所述图像内沿着所述第一轴延伸的测量区域在所述第二轴上的位置设定为，所述测量区域在多个所述图像的任一个中均不包含所述缺口而包含所述基板的所述周边；
第五工序，针对绘图点进行曲线插值处理并求出正弦波，所述绘图点包括获取到多个所述图像中的每一个图像时的所述基板的各旋转位置、以及多个所述图像中的每一个图像的所述测量区域中的所述基板的所述周边在所述第一轴上的位置；
第六工序，根据通过所述第五工序求出的所述正弦波，求出以所述缺口的位置为基准的所述基板的偏心；以及
第七工序，以所述缺口的所述位置为基准使所述基板移动，以降低通过所述第六工序求出的所述基板的偏心。
2.根据权利要求1所述的基板的偏心降低方法，其中，
在所述第二工序中，所述摄像头针对每个第一旋转角度拍摄所述基板的所述周边，
在所述第四工序中，在包含从所述缺口偏离第二旋转角度的区域的位置上设定所述测量区域，所述缺口包含于所述多个图像的一个中，
所述第二旋转角度比所述第一旋转角度小。
3.根据权利要求1或2所述的基板的偏心降低方法，其中，
所述测量区域的在所述第二轴上的像素数为两个以上，
若将在所述测量区域中沿所述第一轴排列的多个像素称作像素行，则
在所述第三工序中，将所述测量区域内的多个像素行中的所述基板的所述周边的位置平均，求出所述测量区域内的所述基板的所述周边的位置。
4.根据权利要求1或2所述的基板的偏心降低方法，其中，
所述曲线插值处理包括样条插值。
5.根据权利要求1或2所述的基板的偏心降低方法，其中，
还包括：
在所述第一工序之前执行的将所述摄像头设定在用于拍摄所述基板的所述周边的位置的工序；
在所述第二工序之后执行的卸下所述摄像头的工序。
6.一种示教装置，在包括基板保持部的基板处理装置中降低所述基板的偏心，所述基板保持部将周边具有缺口的基板保持为水平，并使所述基板围绕沿铅垂方向的旋转轴旋转，
所述示教装置具有：
摄像头，在铅垂方向上与所述基板的所述周边相向，在所述基板的旋转过程中依次拍摄所述基板的所述周边，获取多个包括相互垂直的第一轴和第二轴的二维图像；以及
控制部，
所述控制部执行下述工序：
第一工序，在从所述摄像头输入的多个所述图像中的每一个图像中执行用于检测所述基板的所述缺口的缺口检测处理；
第二工序，将在多个所述图像内沿着所述第一轴延伸的测量区域在所述第二轴上的位置设定为，所述测量区域在多个所述图像的任一个中均不包含所述缺口而包含所述基板的所述周边；
第三工序，针对绘图点进行曲线插值处理并求出正弦波，所述绘图点包括获取到多个所述图像中的每一个图像时的所述基板的各旋转位置、以及多个所述图像中的每一个图像的所述测量区域中的所述基板的所述周边在所述第一轴上的位置；
第四工序，根据通过所述第三工序求出的所述正弦波，求出以所述缺口的位置为基准的所述基板的偏心；以及
第五工序，以所述缺口的所述位置为基准来计算所述基板的位置，以降低通过所述第四工序求出的所述基板的偏心。
7.根据权利要求6所述的示教装置，
所述摄像头相对于所述基板处理装置能够装卸。
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