CN112080218A - 切割带及切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的切割带在基材层上层叠有粘合剂层，所述切割带的‑5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

Description

切割带及切割芯片接合薄膜
关联申请的相互参照
本申请要求日本特愿2019-110200号的优先权，通过引用将其并入本申请说明书的记载中。
技术领域
本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。
背景技术
众所周知的是，以往，在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯片而使用切割带、切割芯片接合薄膜。
上述切割带是在基材层上层叠粘合剂层而构成的，上述切割芯片接合薄膜是在上述切割带的粘合剂层上可剥离地层叠芯片接合层而构成的。
并且已知，作为使用上述切割芯片接合薄膜得到芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，采用具有下述工序的方法：半切割工序，为了通过切断处理将半导体晶圆加工成芯片(Die)，在半导体晶圆上形成槽，再对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一个面(例如与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，其将经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，以贴附有芯片接合层的状态取出半导体芯片；和芯片接合工序，其使贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。
需要说明的是，在上述切口维持工序中，使热风(例如100～130℃)对准切割带而使切割带热收缩后进行冷却固化，从而维持被切断的相邻的半导体芯片间的距离(切口)。
另外，在上述扩展工序中，上述芯片接合层被切断为与已单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。
在使用如上所述的切割芯片接合薄膜得到芯片接合用的半导体芯片的方法中，专利文献1公开了：通过使用具有特定物性的切割带(-10℃下的初始弹性模量为200MPa以上且380MPa以下且-10℃下的Tanδ(损耗模量/储能模量)为0.080以上0.3以下的切割带)、并且在-15～5℃的低温条件下进行上述扩展工序，从而可以提高上述扩展工序中由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性(例如切断容易性、均匀切断性等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-185591号公报
发明内容
发明要解决的问题
如专利文献1记载那样通过使用具有特定物性的切割带、并且在上述低温条件下进行上述扩展工序，由此上述半导体晶圆的切断性提高，但是在使用切割带及切割芯片接合薄膜在低温条件下通过扩展将半导体晶圆切断为多个半导体芯片时，需要更进一步地提高上述半导体晶圆的切断性。
特别是将半导体晶圆切断为多个小型的半导体芯片(例如大小为长度12mm×宽度4mm×厚度0.055mm的半导体芯片)的情况下，需要更进一步地提高上述半导体晶圆的切断性。
因此，本发明的课题在于，提供能够更进一步地提高在低温条件下基于扩展的从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性的切割带及切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
本发明的切割带在基材层上层叠有粘合剂层，
所述切割带的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
在上述切割带中，优选：
-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上。
在上述切割带中，优选：
室温下的30％拉伸应力为3.2N/10mm以上。
在上述切割带中，优选：
-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
本发明的切割芯片接合薄膜具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和
层叠在上述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
附图说明
图1：示出本发明的一实施方式的切割带的构成的剖视图。
图2：示出本发明的一实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的剖视图。
图3A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状态的剖视图。
图3B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状态的剖视图。
图3C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状态的剖视图。
图3D：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状态的剖视图。
图4A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状态的剖视图。
图4B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状态的剖视图。
图5A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图5B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图5C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图6A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的剖视图。
图6B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的剖视图。
图7：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的切口维持工序的状态的剖视图。
图8：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的状态的剖视图。
附图标记说明
1 基材层
2 粘合剂层
3 芯片接合层
10 切割带
20 切割芯片接合薄膜
1a 第1树脂层
1b 第2树脂层
1c 第3树脂层
G 背面研磨带
H 保持件
J 吸附夹具
P 销构件
R 切割环
T 晶圆加工用带
U 顶起构件
W 半导体晶圆
具体实施方式
以下对本发明的一实施方式进行说明。
[切割带]
如图1所示，本实施方式的切割带10在基材层1上层叠有粘合剂层2，其-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
关于通过使-5℃下的切割带10的拉伸储能模量为100MPa以上而贴附于切割带10的半导体晶圆的切断性提高的理由，可认为如下。
为了提高贴附于切割带10的半导体晶圆的、通过扩展而切断为多个半导体芯片的切断性(例如切断容易性、均匀切断性等)，需要在开始切断半导体晶圆时对切割带10整体充分地施加拉伸力。
在此，可认为：在切断开始时切割带10较软的情况下、即切割带10的拉伸储能模量较小的情况下，切断开始时的拉伸力会随着从切割带10的外边缘部分向中央部分靠近而被切割带10吸收、从而逐渐变小。因此认为，难以将切断开始时的拉伸力充分地施加于切割带10整体。
与此相对地，本实施方式的切割带10具有100MPa以上的较大的拉伸储能模量，因此认为，切断开始时的拉伸力不易随着从切割带10的外边缘部分向中央部分靠近而被切割带10吸收。因此，能够对切割带10整体充分地施加切断开始时的拉伸力，其结果是，容易将半导体晶圆切断为多个半导体芯片、并且容易得到被较均匀地切断的半导体芯片，即能够更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
需要说明的是，如后述的实施例部分所说明，通过使切割带10的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上，特别是能够更进一步地提高将半导体晶圆(例如直径200mm(8英寸)的半导体晶圆)切断为小型的半导体芯片(例如长度12mm×宽度4mm×厚度0.55mm)时的切断性。
本发明人等推测其理由如下。
在切断大小相同的半导体晶圆的情况下，切断后的半导体芯片的尺寸越小则半切割工序中形成于半导体晶圆的槽(线)的间隔越窄，因此在半导体晶圆上形成的槽的数量变多。其结果是，扩展工序中的槽的伸长率降低。
因此，在扩展工序中将半导体晶圆切断为小型的半导体芯片时，为了抑制发生切断不良而需要以更低的伸长率来产生高应力。
在此，弹性模量是指：拉伸基材层时的、应力相对于伸长率(应变量)的斜率，因此认为，弹性模量高则可以以更低的伸长率来产生高应力。
并且，在使用切割带10的扩展工序中，从将半导体晶圆切断为多个小型的半导体芯片时的切断性良好、并且拉伸力不会导致切割带10发生破裂的观点出发，采用-5℃这一温度进行扩展的方式是最佳的，因此认为，通过将-5℃下的拉伸储能模量设为100MPa以上之类的较高的值，能够以更低的伸长率产生高应力。
本发明人等推测，其结果是能够更进一步地提高将半导体晶圆切断为小型的半导体芯片时的切断性。
本实施方式的切割带10优选-5℃下的拉伸储能模量为400MPa以下。
由此，对切割带10整体施加充分的拉伸力、并且使切割带10变得较容易伸长，因此能够抑制将贴附于切割带10的半导体晶圆切断为半导体芯片时由拉伸力导致的切割带10的破裂、并且更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的拉伸储能模量为400MPa以下，从而特别是能够更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
-5℃下的拉伸储能模量可以如下所述地求出。
详细而言，将长度40mm(测定长度)、宽度10mm的切割带作为试验片，使用固体粘弹性测定装置(例如型号RSAIII、Rheometric Scientific株式会社制)，在频率1Hz、变形量0.1％、升温速度10℃/分钟、夹具间距离22.5mm的条件下，在-50～100℃的温度范围测定上述试验片的拉伸储能模量。此时，可以通过读取-5℃下的值而求出。
需要说明的是，通过沿着MD方向(树脂流动方向)拉伸上述试验片来进行上述测定。
本实施方式的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上。
本实施方式的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下。
由此，在扩展中对切割带10整体施加充分的拉伸力、并且使切割带10变得较容易伸长，因此，在对贴附于半导体晶圆的切割带10进行扩展、将上述半导体晶圆切断为半导体芯片的期间，能够抑制由扩展导致的切割带破裂、并且更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下，特别是能够更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
本实施方式的切割带10优选室温(23℃)下的30％拉伸应力为3.2N/10mm以上。
室温(23℃)下的30％拉伸应力优选为30N/10mm以下。
由此，在扩展中对切割带10整体施加充分的拉伸力、并且使切割带10变得较容易伸长，因此，在对贴附于半导体晶圆的切割带10进行扩展、将上述半导体晶圆切断为半导体芯片的期间，能够抑制由扩展导致的切割带破裂、并且更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过将室温下的30％拉伸应力设为30N/10mm以下，特别是能够更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
-5℃及室温下的30％拉伸应力可以如下所述地求出。
详细而言，可以如下求出：将长度100mm、宽度10mm的切割带作为试验片，使用拉伸试验机(Tensilon万能试验机、岛津制作所制)，在测定温度(-5℃及室温(23℃±1℃)下，在夹具间距离50mm及拉伸速度100mm/分钟的条件下拉伸上述试验片，测定伸长率达到30％时(夹具间距离65mm)的应力。
需要说明的是，通过沿着MD方向(树脂流动方向)拉伸上述试验片来进行上述测定。
本实施方式的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
本实施方式的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为3.0以下。
由此，在扩展中对切割带10整体施加充分的拉伸力、并且使切割带10变得较容易伸长，因此，在对贴附于半导体晶圆的切割带10进行扩展、将上述半导体晶圆切断为半导体芯片的期间，能够抑制由扩展导致的切割带破裂、并且更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为3.0以下，特别是能够更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
基材层1支撑粘合剂层2。基材层1包含树脂。作为基材层1所含的树脂，可列举聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯硫醚、氟树脂、纤维素系树脂及有机硅树脂等。
作为聚烯烃，可列举例如α-烯烃的均聚物、两种以上的α-烯烃的共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、一种或两种以上的α-烯烃与此外的乙烯基单体的共聚物等。
作为α-烯烃的均聚物，优选碳数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。作为这样的均聚物，可列举乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。
作为两种以上的α-烯烃的共聚物，可列举乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物等。
作为一种或两种以上的α-烯烃与此外的乙烯基单体的共聚物，可列举乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
聚烯烃可以是被称为α-烯烃系热塑性弹性体的物质。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举丙烯-乙烯共聚物与丙烯均聚物组合成的物质、或丙烯-乙烯-碳数4以上的α-烯烃三元共聚物。
作为α-烯烃系热塑性弹性体的市售品，可列举例如作为丙烯系弹性体树脂的Vistamaxx3980(ExxonMobil Chemical company制)。
基材层1可以包含一种上述的树脂，也可以包含两种以上的上述树脂。
需要说明的是，在粘合剂层2包含后述的紫外线固化粘合剂的情况下，基材层1优选以具有紫外线透射性的方式构成。
基材层1可以为单层结构，也可以为层叠结构。基材层1可通过非拉伸成型而得到，也可以通过拉伸成型而得到，优选通过拉伸成型而得到。在基材层1为层叠结构时，基材层1优选具有包含弹性体的层(以下称为弹性体层)和包含非弹性体的层(以下称为非弹性体层)。
通过将基材层1设为具有弹性体层和非弹性体层的基材层，从而可以使弹性体层作为缓和拉伸应力的应力缓和层起作用。即，可以使基材层1中产生的拉伸应力较小，因此能够使基材层1具有合适的硬度并且较容易拉伸。
由此，能够提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，在切断工序中的扩展时，能够抑制基材层1破裂而发生破损。
需要说明的是，在本说明书中，弹性体层是指：室温下的拉伸储能模量低于非弹性体层的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举室温下的拉伸储能模量为10MPa以上且100MPa以下者，作为非弹性体层，可列举室温下的拉伸储能模量为200MPa以上且500MPa以下者。
弹性体层可以包含一种弹性体，也可以包含两种以上的弹性体，优选包含α-烯烃系热塑性弹性体。
非弹性体层可以包含一种非弹性体，也可以包含两种以上的非弹性体，优选包含后述的茂金属PP。
在基材层1具有弹性体层和非弹性体层的情况下，基材层1优选形成以弹性体层为中心层、并且在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构(非弹性体层/弹性体层/非弹性体层)(参照图1)。需要说明的是，在图1中，将一个非弹性体层表示为第1树脂层1a、将弹性体层表示为第2树脂层1b、将另一个非弹性体层表示为第3树脂层3c。
另外，如上所述，在切口维持工序中使热风(例如100～130℃)对准在室温(例如23℃)下维持扩展状态的上述切割芯片接合薄膜而使上述切割芯片接合薄膜热收缩后、使其冷却固化，因此基材层1的最外层优选包含熔点接近对准切割带的热风的温度的树脂。由此，能够使由于被热风对准而熔融的最外层更迅速地固化。
其结果是，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
在基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构、弹性体层包含α-烯烃系热塑性弹性体、并且非弹性体层包含后述的茂金属PP等聚烯烃的情况下，优选弹性体层相对于形成该弹性体层的弹性体的总质量包含50质量％以上且100质量％以下的α-烯烃系热塑性弹性体，更优选包含70质量％以上且100质量％以下，进一步优选包含80质量％以上且100质量％以下，特别优选包含90质量％以上且100质量％以下，包含95质量％以上且100质量％以下的方式最佳。通过以上述范围包含α-烯烃系热塑性弹性体，从而弹性体层与非弹性体层的亲和性提高，因此能够比较容易地将基材层1挤出成型。另外，能够使弹性体层作为应力缓和层起作用，因此能够将贴附于切割带的半导体晶圆效率良好地切断。
在基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构的情况下，基材层1优选通过共挤出成型而得到，所述共挤出成型对弹性体和非弹性体进行共挤出，从而形成弹性体层与非弹性体层的层叠结构。作为共挤出成型，可以采用在制造薄膜、片等时通常进行的任意适宜的共挤出成型。在共挤出成型中，从可以效率良好、廉价地得到基材层1的角度出发，优选采用吹胀法、共挤出T模法。
在通过共挤出成型得到呈层叠结构的基材层1的情况下，上述弹性体层与上述非弹性体层以被加热熔融的状态相接触，因此优选上述弹性体与上述非弹性体的熔点差小。通过使熔点差小，能够抑制对成为低熔点的上述弹性体或上述非弹性体中的任一者施加过度的热，因此能够抑制成为低熔点的上述弹性体或上述非弹性体中的任一者发生热劣化而生成副产物的情况。另外，也能够抑制以下情况：成为低熔点的上述弹性体或上述非弹性体中的任一者的粘度过度下降，导致上述弹性体层与上述非弹性体层之间产生层叠不良。上述弹性体与上述非弹性体的熔点差优选为0℃以上且70℃以下，更优选为0℃以上且55℃以下。
可以通过差示扫描量热(DSC)分析来测定上述弹性体及上述非弹性体的熔点。例如，使用差示扫描量热计装置(TA INSTRUMENTS公司制型号DSC Q2000)，在氮气气流下以升温速度5℃/分钟升温到200℃，求出吸热峰的峰值温度，从而测定。
基材层1的厚度优选为55μm以上且195μm以下，更优选为55μm以上且190μm以下，进一步优选为55μm以上且170μm以下，为60μm以上且160μm以下的方式最佳。通过将基材层1的厚度设为上述范围，能够效率良好地制造切割带，并且能够效率良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
基材层1的厚度例如可以如下求出：使用直读式厚度计(PEACOCK公司制型号R-205)测定随机选择的任意5个点的厚度，对这些厚度进行算术平均而求出。
在将弹性体层和非弹性体层层叠而成的基材层1中，非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比优选为1/25以上且1/3以下，更优选为1/25以上且1/3.5以下，进一步优选为1/25以上且1/4以下，特别优选为1/22以上且1/4以下，为1/20以上且1/4以下的方式最佳。通过将非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比设为上述范围，能够效率更良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。在弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的弹性体，也可以是至少2层包含不同的弹性体。
非弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。非弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。在非弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的非弹性体，也可以是至少2层包含不同的非弹性体。
非弹性体层优选包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂(以下称为茂金属PP)来作为非弹性体。作为茂金属PP，可列举作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物。通过使非弹性体层包含茂金属PP，从而能够效率良好地制造切割带，并且能够效率良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
需要说明的是，作为市售的茂金属PP，可列举WINTEC WXK1233、WINTEC WMX03(均为日本聚丙烯株式会社制)。
在此，茂金属催化剂为包含周期表第4族的过渡金属化合物(所谓的茂金属化合物)、和可与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物活化为稳定的离子态的助催化剂的催化剂，所述周期表第4族的过渡金属化合物包含具有环戊二烯基骨架的配体，所述茂金属催化剂根据需要而包含有机铝化合物。茂金属化合物为能够进行丙烯的立构规整聚合的交联型的茂金属化合物。
在上述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物中，优选作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，在上述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物中，优选选自作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数2的α-烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数4的α-烯烃无规共聚物、及作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数5的α-烯烃无规共聚物中的共聚物，这些中，作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/乙烯无规共聚物最佳。
就上述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物而言，从与上述弹性体层的共挤出成膜性及贴附于切割带的半导体晶圆的切断性的观点出发，优选熔点为80℃以上且140℃以下、特别是100℃以上且130℃以下者。
上述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物的熔点可以利用上述的方法来测定。
在此，如果将上述弹性体层配置在基材层1的最外层，则在将基材层1制成卷状体时，被配置在最外层的上述弹性体层彼此容易粘连(容易粘在一起)。因此，变得难以将基材层1从卷状体退卷。与此相对地，上述的层叠结构的基材层1的优选方式为非弹性体层/弹性体层/非弹性体层，即非弹性体层被配置在最外层，因此这种形态的基材层1的耐粘连性变得优异。从而能够抑制使用切割带10的半导体装置的制造因粘连而产生延迟。
上述非弹性体层优选包含具有100℃以上且130℃以下的熔点、并且分子量分散度(质均分子量/数均分子量)为5以下的树脂。作为这样的树脂，可列举茂金属PP。
通过使上述非弹性体层包含如上所述的树脂，从而能够在切口维持工序中使非弹性体层更迅速地冷却固化。因此，能够更充分地抑制在使切割带热收缩后基材层1发生收缩。
由此，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
粘合剂层2含有粘合剂。粘合剂层2通过粘合来保持用于单片化为半导体芯片的半导体晶圆。
作为上述粘合剂，可列举在切割带10的使用过程中能够通过来自外部的作用而降低粘合力的粘合剂(以下称为粘合降低型粘合剂)。
当使用粘合降低型粘合剂作为粘合剂时，在切割带10的使用过程中，粘合剂层2可以分开使用显示较高的粘合力的状态(以下称为高粘合状态)和显示较低的粘合力的状态(以下称为低粘合状态)。例如，在将贴附于切割带10的半导体晶圆供于切断时，为了抑制通过切断半导体晶圆而单片化的多个半导体芯片从粘合剂层2浮起或剥离而使用高粘合状态。与此相对地，在切断半导体晶圆后，为了拾取已单片化的多个半导体芯片而使用低粘合状态，以便容易从粘合剂层2拾取多个半导体芯片。
作为上述粘合降低型粘合剂，可列举例如：能够在切割带10的使用过程中通过照射辐射线而固化的粘合剂(以下称为辐射线固化粘合剂)。
作为上述辐射线固化粘合剂，可列举例如：通过照射电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线而固化的类型的粘合剂。这些中，优选使用通过照射紫外线而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。
作为上述辐射线固化粘合剂，可列举例如添加型的辐射线固化粘合剂，其包含丙烯酸系聚合物等基础聚合物以及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分。
作为上述丙烯酸系聚合物，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
粘合剂层2可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要是可以与作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物反应而形成交联结构的物质，则任意类型均可使用。作为这样的外部交联剂，可列举例如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂等。
作为上述辐射线聚合性单体成分，可列举例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作为上述辐射线聚合性低聚物成分，可列举例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。上述辐射线固化粘合剂中的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可在使粘合剂层2的粘合性适当下降的范围内选择。
上述辐射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯等。
粘合剂层2中，除了上述各成分以外还可以包含交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料或染料等着色剂等。
粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且30μm以下，进一步优选为5μm以上且25μm以下。
[切割芯片接合薄膜]
之后，参照图2对切割芯片接合薄膜20进行说明。需要说明的是，在切割芯片接合薄膜20的说明中，与切割带10重复的部分不再重复对其进行说明。
如图2所示，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备在基材层1上层叠有粘合剂层2的切割带10、和层叠在切割带10的粘合剂层2上的芯片接合层3。
在切割芯片接合薄膜20中，在芯片接合层3上贴附半导体晶圆。
在使用切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的切断中，芯片接合层3也与半导体晶圆一起被切断。芯片接合层3被切断为与单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，可以得到带有芯片接合层3的半导体芯片。
如上所述，切割芯片接合薄膜20的切割带10的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
在此，通常情况下，切割芯片接合薄膜20的芯片接合层3大多包含玻璃化转变温度(Tg)在0℃附近的丙烯酸类树脂，因此将扩展工序的温度设为低于丙烯酸类树脂的Tg的温度会导致变得容易破裂。另一方面，若过度降低扩展工序的温度，则芯片接合层3的弹性模量会上升到妨碍芯片接合层3的切断性的程度。因此，从芯片接合层3的切断性的观点出发，扩展工序的温度优选设为-5℃。
因此，在使用切割芯片接合薄膜20的扩展工序中，从如前述所说明的、将半导体晶圆切断为多个小型的半导体芯片时的切断性良好、并且不易发生由拉伸力导致的切割带10破裂的观点，以及从芯片接合层3的切断性的观点出发，认为采用-5℃的温度进行扩展工序的方案最佳。
因此认为，对于切割芯片接合薄膜20而言，通过将-5℃下的拉伸储能模量也设为100MPa这一较高的值，从而可以以更低的伸长率产生高应力。
推测其结果是，可以更进一步地提高将半导体晶圆切断为小型的半导体芯片时的切断性。
如上所述，切割芯片接合薄膜20的切割带10优选-5℃下的拉伸储能模量为400MPa以下。
另外，如上所述，切割芯片接合薄膜20的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上，优选室温下的30％拉伸应力为3.2N/10mm，优选-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
进一步地，如上所述，切割芯片接合薄膜20的切割带10优选-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下，优选室温下的30％拉伸应力为30N/10mm以下。
芯片接合层3优选具有热固化性。通过使芯片接合层3包含热固化性树脂及具有热固化性官能团的热塑性树脂中的至少一者，从而可以对芯片接合层3赋予热固化性。
当芯片接合层3包含热固化性树脂时，作为这样的热固化性树脂，可列举例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂等。这些中，优选使用环氧树脂。
作为环氧树脂，可列举例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。
就作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂而言，可列举例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。
当芯片接合层3包含具有热固化性官能团的热塑性树脂时，作为这样的热塑性树脂，可列举例如含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂。作为含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸类树脂。
对于具有热固化性官能团的热固化性树脂而言，可根据热固化性官能团的种类来选择固化剂。
从使树脂成分的固化反应充分进行、或者提高固化反应速度的观点出发，芯片接合层3也可以含有热固化催化剂。作为热固化催化剂，可列举例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。
芯片接合层3可以包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂起作用。作为热塑性树脂，可列举例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6和聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET和PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以将两种以上组合使用。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少且耐热性高而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯酸类树脂。
上述丙烯酸类树脂优选为包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元来作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含来自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它成分的单体单元。作为上述其它成分，可列举例如含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体以及各种多官能性单体等。从使芯片接合层实现高内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体、含氮原子单体、多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、(甲基)丙烯酸多缩水甘油基酯的共聚物。
根据需要，芯片接合层3可以含有一种或两种以上的其它成分。作为其它成分，可列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
芯片接合层3的厚度优选为40μm以上，更优选为60μm以上，进一步优选为80μm以上。另外，芯片接合层3的厚度优选为200μm以下，更优选为160μm以下，进一步优选为120μm以下。
本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如可作为用于制造半导体集成电路的辅助用具来使用。以下对使用切割芯片接合薄膜20的具体例进行说明。
以下，对使用基材层1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。
制造半导体集成电路的方法具有下述工序：半切割工序，其为了通过切断处理将半导体晶圆加工成芯片(Die)而在半导体晶圆上形成槽，再对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层3而将半导体晶圆固定于切割带10；扩展工序，其使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离，以贴附有芯片接合层3的状态取出半导体芯片(Die)；和芯片接合工序，其使贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片(Die)粘接于被粘物。在实施这些工序时，使用本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)作为制造辅助用具。
在半切割工序中，如图3A及图3B所示，实施用于将半导体集成电路切断成小片(Die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆W的与电路面处于相反侧的面贴附晶圆加工用带T(参照图3A)。另外，将切割环R安装于晶圆加工用带T(参照图3A)。在贴附有晶圆加工用带T的状态下形成分割用的槽(参照图3B)。在背面研磨工序中，如图3C及图3D所示，对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄。详细而言，在形成有槽的面上贴附背面研磨带G，另一方面，将最初贴附的晶圆加工用带T剥离(参照图3C)。在贴附有背面研磨带G的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆W达到规定的厚度为止(参照图3D)。
在安装工序中，如图4A～图4B所示，将切割环R安装于切割带10的粘合剂层2后，在露出的芯片接合层3的面上贴附经半切割加工的半导体晶圆W(参照图4A)。之后，从半导体晶圆W剥离背面研磨带G(参照图4B)。
在扩展工序中，如图5A～图5C所示，将切割环R固定于扩展装置的保持件H。使用扩展装置所具备的顶起构件U将切割芯片接合薄膜20从下侧顶起，从而对切割芯片接合薄膜20进行拉伸而使其沿着面方向扩展(参照图5B)。从而，在特定的温度条件下切断经半切割加工的半导体晶圆W。上述温度条件为例如-20～5℃，优选为-15～0℃，更优选为-10～-5℃。通过使顶起构件U下降而解除扩展状态(参照图5C)。
进一步地，在扩展工序中，如图6A～图6B所示，在更高的温度条件下(例如室温(23℃))对切割带10进行拉伸而使面积扩大。从而，使已切断的相邻的半导体芯片W在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大间隔。
在此，本实施方式的切割芯片接合薄膜20由于芯片接合带10的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上，因此可以更进一步地提高在低温条件下基于扩展而从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
在切口维持工序中，如图7所示，使热风(例如100～130℃)对准切割带10而使切割带10热收缩后，进行冷却固化，维持已切断的相邻的半导体芯片W间的距离(切口)。
在拾取工序中，如图8所示，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片W从切割带10的粘合层2剥离。详细而言，使销构件P上升，从而将拾取对象的半导体芯片W隔着切割带10顶起。利用吸附夹具J保持被顶起的半导体芯片。
在芯片接合工序中，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片W粘接于被粘物。
需要说明的是，在上述的半导体集成电路的制造中对使用切割芯片接合薄膜20作为辅助工具的例子进行了说明，但是在使用切割带10作为辅助工具时，也可以与上述同样地制造半导体集成电路。
通过本说明书而公开的事项包含以下事项。
(1)
一种切割带，其在基材层上层叠有粘合剂层，
所述切割带的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
根据所述构成，上述切割带的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上，因此可以使上述切割带具有较大的硬度。
因此，在贴附于半导体晶圆并且在低温条件(例如-15℃～5℃)下扩展上述切割带而进行由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断时，在扩展开始时，可以对上述切割带的整体充分地施加拉伸力。
从而，容易将半导体晶圆切断为多个半导体芯片，并且容易得到切断得较均匀的半导体芯片。
即，可以更进一步地提高半导体晶圆的切断性。
(2)
根据上述(1)所述的切割带，其中，-5℃下的拉伸储能模量为400MPa以下。
根据所述构成，对上述切割带的整体施加充分的拉伸力、并且使上述切割带较容易伸长，因此，可以更进一步地抑制在由贴附于上述切割带的半导体晶圆向多个半导体芯片切断时由拉伸力导致的上述切割带破裂、并且提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下，特别是可以更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
(3)
根据上述(1)或(2)所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上。
根据所述构成，-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上，因此，在贴附于半导体晶圆并且在低温条件下扩展上述切割带而进行由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断时，可以使切割带在扩展中也具有较大的硬度。
因此，变得更容易将半导体晶圆切断为多个半导体芯片，并且更容易得到被较均匀地切断的半导体芯片。
即，可以更加进一步地提高半导体晶圆的切断性。
(4)
根据上述(1)至(3)中任一项所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下。
根据所述构成，在扩展中对上述切割带的整体施加充分的拉伸力、并且使上述切割带较容易伸长，因此在对贴附于半导体晶圆的切割带进行扩展、从而将上述半导体晶圆切断为多个半导体芯片的期间，可以更进一步地抑制由扩展导致的上述切割带破裂、并且提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的30％拉伸应力为30N/10mm以下，特别是可以更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
(5)
根据上述(1)至(4)中任一项所述的切割带，其中，室温下的30％拉伸应力为3.2N/10mm以上。
根据所述构成，室温下的30％拉伸应力为3.2N/10mm以上，因此在贴附于半导体晶圆并且在低温条件下扩展上述切割带而进行由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断时，在扩展中也可以更加进一步地提高半导体晶圆的切断性。
另外，可以抑制被切断的上述半导体芯片间的切割带所产生的拉伸应力转移到半导体芯片侧。
因此，可以相对地抑制对上述半导体芯片的外边缘部分施加较大的力而使上述半导体芯片的外边缘部分从上述切割带的表面浮起(芯片浮起)的情况。
(6)
根据上述(1)至(5)中任一项所述的切割带，其中，室温下的30％拉伸应力为30N/10mm以下。
根据所述构成，在扩展中对上述切割带的整体施加充分的拉伸力、并且使上述切割带较容易伸长，因此在对贴附于半导体晶圆的切割带进行扩展、从而将上述半导体晶圆切断为多个半导体芯片的期间，可以更进一步地抑制由扩展导致的上述切割带破裂、并且提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过将室温下的30％拉伸应力设为30N/10mm以下，特别是可以更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
(7)
根据上述(1)至(6)中任一项所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
根据所述构成，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上，因此在贴附于半导体晶圆并且在低温条件下扩展上述切割带而进行由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断时，在扩展中，也可以更加进一步地提高半导体晶圆的切断性。
另外，可以相对地抑制由上述切割带所产生的拉伸应力转移到半导体芯片侧而引起的芯片浮起。
(8)
根据上述(1)至(7)中任一项所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为3.0以下。
根据所述构成，在扩展中对上述切割带的整体施加充分的拉伸力、并且使上述切割带较容易伸长，因此在对贴附于半导体晶圆的切割带进行扩展而将上述半导体晶圆切断为多个半导体芯片的期间，可以更进一步地由扩展导致的上述切割带破裂、并且提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，通过使-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为3.0以下，特别是可以更进一步地提高由半导体晶圆向多个小型的半导体芯片的切断性。
(9)
根据上述(1)至(8)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层形成为以弹性体层为中心层、在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构。
根据所述构成，可以使上述弹性体层作为缓和拉伸应力的应力缓和层起作用。即，可以相对地减小上述基材层所产生的拉伸应力，因此可以使上述基材层具有合适的硬度、并且较容易拉伸。
从而，可以提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
另外，可以抑制在切断工序中的扩展时上述基材层破裂而发生破损。
(10)
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和
层叠在上述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
根据所述构成，在贴附于半导体晶圆并且在低温条件(例如-15℃～5℃)下扩展上述切割带而进行由上述半导体晶圆向多个半导体芯片的切断时，可以在扩展开始时对上述切割带的整体充分地施加拉伸力。
从而，可以更进一步地提高半导体晶圆的切断性，而且可以提高芯片接合层的切断性。
需要说明的是，本发明的切割带及切割芯片接合薄膜不受上述实施方式限定。另外，本发明的切割带及切割芯片接合薄膜不受上述的作用效果限定。本发明的切割带及切割芯片接合薄膜能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。
实施例
之后，列举实施例对本发明进行进一步具体说明。以下的实施例是用于进一步详细说明本发明的例子，并非对本发明的范围进行限定。
[实施例1]
＜基材层的成型＞
使用两种3层挤出T模成型机成型具有A层/B层/C层的3层结构(以B层为中心层、并且在B层的两面层叠有作为外层的A层及C层的3层结构)的基材层。作为A层及C层的树脂，使用茂金属PP(商品名：WINTEC WXK1233、日本聚丙烯株式会社制)，作为B层的树脂，使用EVA(商品名：Evaflex EV250、Mitsui DuPont Polychemical Co.,Ltd.制)。
在模头温度190℃下进行上述挤出成型。即，在190℃下将A层、B层、及C层挤出成型。通过挤出成型而得到的基材层的厚度为100μm。需要说明的是，A层、B层、及C层的厚度比(层厚比)为A层：B层：C层＝1：10：1。
在使成型出的基材层充分固化后，将固化后的基材层卷取成卷状，从而制成卷状体。
＜切割带的制作＞
使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将粘合剂组合物从卷状的基材层涂布在基材层的一个表面。将涂布粘合剂组合物后的基材层在110℃下加热干燥3分钟而形成粘合剂层，从而得到切割带。
如下所述地制备上述粘合剂组合物。
首先，将INA(丙烯酸异壬酯)173质量份、HEA(丙烯酸羟乙酯)54.5质量份、AIBN(2,2’-偶氮二异丁腈)0.46质量份、乙酸乙酯372质量份混合，得到第1树脂组合物。
之后，向安装有圆底可拆式烧瓶(容量1L)、温度计、氮气导入管及搅拌叶片的聚合用实验装置的上述圆底可拆式烧瓶内加入上述第1树脂组合物，一边搅拌上述第1树脂组合物一边使上述第1树脂组合物的液温达到常温(23℃)，对上述圆底可拆式烧瓶内进行6小时氮气置换。
接着，在使氮气流入上述圆底可拆式烧瓶内的状态下，一边搅拌上述第1树脂组合物一边使上述第1树脂组合物的液温在62℃下保持3小时，之后进一步在75℃下保持2小时，使上述INA、上述HEA、及上述AIBN聚合，得到第2树脂组合物。之后，停止氮气向上述圆底可拆式烧瓶内的流入。
将上述第2树脂组合物冷却至液温达到常温为止，之后向上述第2树脂组合物中加入作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(昭和电工公司制、商品名“Karenz MOI(注册商标)”)52.5质量份及二月桂酸二丁基锡IV(和光纯药工业公司制)0.26质量份，得到第3树脂组合物，将所得到的第3树脂组合物在大气气氛、液温50℃下搅拌24小时。
之后，向上述第3树脂组合物中分别加入相对于聚合物固态成分100质量份为0.75质量份的CORONATE L(异氰酸酯化合物)及2质量份的Omnirad127(光聚合引发剂)后，用乙酸乙酯将上述第3树脂组合物稀释至固态成分浓度达到20质量％，由此制备粘合剂组合物。
＜切割芯片接合薄膜的制作＞
将丙烯酸类树脂(长濑化学公司制、商品名“SG-P3”、玻璃化转变温度12℃)100质量份、环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“JER1001”)46质量份、酚醛树脂(明和化成公司制、商品名“MEH-7851ss”)51质量份、球状二氧化硅(Admatechs公司制、商品名“SO-25R”)191质量份及固化催化剂(四国化成工业公司制、商品名“CUREZOL PHZ”)0.6质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固态成分浓度20质量％的芯片接合组合物。
之后，使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将上述芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的PET系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下干燥2分钟而从上述芯片接合组合物脱溶剂，得到在上述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。
之后，在上述切割带的上述粘合剂层上贴合上述芯片接合片中的未层叠上述剥离片的一侧后，将上述剥离衬垫从上述芯片接合层剥离，得到具备芯片接合层的切割芯片接合薄膜。
对于如上得到的切割带，如下所述地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。另外，对扩展时芯片从切割芯片接合薄膜的浮起(以下称为芯片浮起)、以及芯片及芯片接合层的切断性(以下称为切断性)进行评价。
(-5℃下的拉伸储能模量)
从实施例1的切割带切出长度40mm(测定长度)×宽度10mm的试验片，使用固体粘弹性测定装置(型号RSAIII、Rheometric Scientific株式会社制)，在频率1Hz、变形量0.1％、升温速度10℃/分钟、夹具间距离22.5mm的条件下，在-50～100℃的温度范围测定上述试验片的拉伸储能模量，此时，通过读取-5℃下的拉伸弹性模量的值而求出-5℃下的拉伸储能模量。
(-5℃及室温下的30％拉伸应力)
从实施例1的切割带切出长度100mm×宽度10mm的试验片，使用拉伸试验机(Tensilon万能试验机、岛津制作所制)，在测定温度(-5℃及室温)下，在夹具间距离50mm及拉伸速度100mm/分钟的条件下拉伸上述试验片，测定伸长率达到30％时(夹具间距离65mm)的应力。
(芯片浮起的评价)
在实施例1的切割芯片接合薄膜上贴附裸晶圆(直径300mm)及切割环。之后，使用芯片分离装置DDS230(DISCO公司制)进行半导体晶圆及芯片接合层的切断，评价切断后的芯片浮起。裸晶圆被切成大小为长度12mm×宽度4mm×厚度0.055mm的裸芯片。
需要说明的是，作为裸晶圆，使用了翘曲晶圆。
如下所述地制作翘曲晶圆。
首先，使下述(a)～(f)溶解于甲乙酮，得到固态成分浓度20质量％的翘曲调整组合物。
(a)丙烯酸类树脂(长濑化学公司制、商品名“SG-70L”)：5质量份
(b)环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“JER828”)：5质量份
(c)酚醛树脂(明和化成公司制、商品名“LDR8210”)：14质量份
(d)环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“MEH-8005”)：2质量份
(e)球状二氧化硅(Admatechs公司制、商品名“SO-25R”)：53质量份
(f)磷系催化剂(TPP-K)：1质量份
之后，使用涂抹器以厚度25μm将上述翘曲调整组合物涂布到作为剥离衬垫的PET系隔离体(厚度50μm)的经有机硅处理的面上，在130℃下干燥2分钟而从上述翘曲调整组合脱溶剂，得到在上述剥离衬垫上层叠有翘曲调整层的翘曲调整片。
之后，使用层压机(MCK公司制、型号MRK-600)在60℃、0.1MPa、10mm/s的条件下将裸晶圆贴附到上述翘曲调整片的未层叠上述剥离衬垫的一侧，放入烘箱中，以175℃加热1小时而使上述翘曲调整层的树脂热固化，由此上述翘曲调整层收缩，得到翘曲了的裸晶圆。
在使上述翘曲调整层收缩后，在翘曲了的裸晶圆的未层叠上述翘曲调整层的那一侧贴附晶圆加工用带(日东电工株式会社制、商品名“V-12SR2”)，然后，借助上述晶圆加工用带将切割环固定在翘曲了的裸晶圆上。之后，从翘曲了的裸晶圆除去上述翘曲调整层。
使用切割装置(DISCO公司制、型号6361)，在翘曲了的裸晶圆的除去了上述翘曲调整层的整个面(以下称为一个面)上以格子状(宽度20μm)形成从该面起深100μm的槽。
之后，在翘曲了的裸晶圆的一个面上贴合背面研磨带，从翘曲了的裸晶圆的另一面(与上述一个面处于相反侧的面)除去上述晶圆加工用带。
之后，使用背面研磨机(DISCO公司制、型号DGP8760)从另一面侧对翘曲了的裸晶圆进行磨削，直至翘曲了的裸晶圆的厚度达到55μm(0.055mm)为止，将所得到的晶圆作为翘曲晶圆。
详细而言，如下所述地评价芯片浮起。
首先，利用冷扩展单元在扩展温度-5℃、扩展速度100mm/秒、扩展量12mm的条件下切断裸晶圆及芯片接合层，得到带有芯片接合层的半导体芯片。
之后，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量5mm的条件下进行扩展。然后在维持扩展状态的情况下，在加热温度200℃、加热距离18mm、旋转速度5°/秒的条件下使处于与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。
之后，对于切割芯片接合薄膜的基材层表面，通过显微镜观察来拍摄带有芯片接合层的半导体芯片的浮起状态并二值化，由此计算浮起的面积。之后，将浮起的面积小于4％的情况评价为〇，将为4％以上的情况评价为×。
(切断性的评价)
在实施例1的切割芯片接合薄膜上贴附裸晶圆(直径300mm)及切割环。之后，使用芯片分离装置DDS230(DISCO公司制)进行裸晶圆及芯片接合层的切断。
裸晶圆被切成大小为长度3.2mm×宽度1.4mm×厚度0.025mm的裸芯片。
详细而言，如下所述地评价切断性。
首先，用冷扩展单元在扩展温度-5℃、扩展速度100mm/秒、扩展量14mm的条件下切断裸晶圆及芯片接合层，得到带有芯片接合层的半导体芯片。
之后，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量10mm的条件下进行扩展。然后，在维持扩展状态的情况下，在加热温度200℃、加热距离18mm、旋转速度5°/秒的条件下使处于与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。
之后，通过显微镜观察来观察带有芯片接合层的半导体芯片的切断部，计算切断率。之后，将切断率为90％以上的情况评价为〇，将切断率低于90％的情况评价为×。
[实施例2]
将基材层设为80μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例2的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例2的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例2的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例3]
将构成基材层的B层(中心层)的EVA设为Evaflex EV550(Mitsui DuPontPolychemical Co.,Ltd.制)，将基材层设为80μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例3的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例3的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例3的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例4]
将B层的树脂设为丙烯系弹性体(商品名：Vistamaxx3980、ExxonMobil Chemicalcompany制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例4的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例4的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例4的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例5]
将基材层的厚度设为80μm，将基材层的层厚比设为A层：B层：C层＝1：4：1，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例5的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例5的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例5的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例6]
将构成基材层的A层及C层(外层)的茂金属PP设为WINTEC WMX03(日本聚丙烯株式会社制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例6的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例6的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例6的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例7]
将构成基材层的B层的EVA树脂设为Ultrathene651(东曹公司制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例7的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例7的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例7的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例8]
将基材层设为单层结构，将基材层的厚度设为125μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例8的切割带及切割芯片接合薄膜。
使用单层挤出T模成型机来成型基材层。作为基材层的树脂，使用丙烯系弹性体(商品名：Vistamaxx3980、ExxonMobil Chemical company制)。
另外，对于实施例8的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例8的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[实施例9]
将基材层的厚度设为100μm，除此以外与实施例8同样地进行，得到实施例9的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于实施例9的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进而对实施例9的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[比较例1]
将基材层的树脂设为Evaflex EV250(Mitsui DuPont Polychemical Co.,Ltd.制)，除此以外与实施例8同样地进行，得到比较例1的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于比较例1的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进一步地，对于比较例1的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
[比较例2]
将基材层的厚度设为100μm，除此以外与比较例1同样地进行，得到比较例2的切割带及切割芯片接合薄膜。
另外，对于比较例2的切割带，与实施例1同样地测定-5℃下的拉伸储能模量、以及-5℃及23℃下的30％拉伸应力。
进一步地，对于比较例2的切割芯片接合薄膜评价芯片浮起及切断性。
将关于各例的切割带的-5℃下的拉伸储能模量、-5℃及23℃下的拉伸应力的测定结果、和关于各例的切割芯片接合薄膜的芯片浮起及切断性的评价结果示于以下的表1。
【表1】
Figure BDA0002523105400000321
由表1可知，实施例1～9的切割带的-5℃下的拉伸储能模量的值均显示为100MPa以上，实施例1～9的切割芯片接合薄膜的切断性优异。
另外，由表1可知，具备实施例1～7的切割带、即基材层为3层结构的切割带的实施例1～7的切割芯片接合薄膜均能够抑制芯片浮起。
与此相对地，可知：比较例1及2的切割带的-5℃下的拉伸储能模量的值均低于100MPa，比较例1及2的切割芯片接合薄膜的切断性差、并且不能抑制芯片浮起。
需要说明的是，虽然表1揭示的结果是关于切割芯片接合薄膜的，但是可以预测切割芯片接合薄膜所含的切割带也可得到与表1所示的结果同样的结果。

Claims (7)

1.一种切割带，其在基材层上层叠有粘合剂层，
所述切割带的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
2.根据权利要求1所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力为5.5N/10mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，室温下的30％拉伸应力为3.2N/10mm以上。
4.根据权利要求1所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
5.根据权利要求2所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
6.根据权利要求3所述的切割带，其中，-5℃下的30％拉伸应力相对于室温下的30％拉伸应力的比为1.7以上。
7.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和
层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜的-5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
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