JP2020205415A - ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルム - Google Patents
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Abstract
Description
前記ダイシングテープは基材層上に粘着剤層が積層されて構成されており、前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンド層が剥離可能に積層されて構成されている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風(例えば、100〜130℃)を当ててダイシングテープを熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離(カーフ)を維持している。
また、前記エキスパンド工程では、前記ダイボンド層は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。
特に、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップ(例えば、長さ12mm×幅4mm×厚さ0.055mmの大きさの半導体チップ)に割断する場合に、前記半導体ウェハの割断性をより一層向上させることが要望されている。
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である。
そのため、半導体ウェハに貼付して、低温条件(例えば、−15℃〜5℃)下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド開始時において、前記ダイシングテープの全体に引張力を十分に加えることができる。
これにより、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができる。
−5℃における30%引張応力が5.5N/10mm以上であることが好ましい。
そのため、半導体ウェハを複数の半導体チップにより割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップをより得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
室温における30%引張応力が3.2N/10mm以上であることが好ましい。
また、割断された前記半導体チップ間のダイシングテープに生じた引張応力が、半導体チップ側に移行することを抑制することができる。
そのため、前記半導体チップの外周縁部分に比較的大きな力が加わって、前記半導体チップの外周縁部分が前記ダイシングテープの表面から浮き上がること(チップ浮き)を比較的抑制することができる。
室温における30%引張応力に対する−5℃における30%引張応力の比が1.7以上であることが好ましい。
また、前記ダイシングテープに生じた引張応力が半導体チップ側に移行することが原因となるチップ浮きを比較的抑制することができる。
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である。
これにより、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができることに加えて、ダイボンド層の割断性を向上させることができる。
図1に示したように、本実施形態に係るダイシングテープ10は、基材層1上に粘着剤層2が積層されたダイシングテープであって、−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である。
ダイシングテープ10に貼付した半導体ウェハの、エキスパンドによる複数の半導体チップへの割断性(例えば、割断のし易さや均一割断性など)を向上させるためには、半導体ウェハの割断開始時に、ダイシングテープ10の全体に引張力を十分に加える必要がある。
ここで、割断開始時にダイシングテープ10が比較的軟らかい場合、すなわち、ダイシングテープ10の引張貯蔵弾性率が比較的小さい場合には、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ10の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ10に吸収されて次第に小さくなると考えられる。そのため、割断開始時の引張力を、ダイシングテープ10の全体に十分に加えることは難しいと考えられる。
これに対し、本実施形態に係るダイシングテープ10は、100MPa以上という比較的大きな引張貯蔵弾性率を有しているので、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ10の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ10に吸収され難くなっていると考えられる。そのため、割断開始時の引張力はダイシングテープ10の全体に十分に加わるようになり、その結果、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる、すなわち、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができると考えられる。
その理由について、本発明者らは以下のように推察している。
同じ大きさの半導体ウェハを割断する場合、割断後の半導体チップの大きさが小さいほど、ハーフカット工程において、半導体ウェハに形成する溝(ライン)の間隔が狭くなることから、半導体ウェハに形成する溝の数は多くなる。その結果、エキスパンド工程における溝の伸び率が減少する。
したがって、エキスパンド工程において、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断したときに割断不良が生じることを抑制するためには、より少ない伸び率で高い応力を発生させる必要がある。
ここで、弾性率は、基材層を引っ張った時の伸び率(歪み量)に対する応力の傾きを意味することから、弾性率が高い方が、より少ない伸び率で高い応力を発生させることができると考えられる。
そして、ダイシングテープ10を用いたエキスパンド工程では、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ10の破れが発生し難いという観点から、−5℃という温度を採用してエキスパンドを行うことが最適であるため、−5℃における引張貯蔵弾性率を100MPa以上という比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察している。
これにより、ダイシングテープ10の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ10を比較的伸ばし易くなるため、ダイシングテープ10に貼付された半導体ウェハの半導体チップへの割断時に、引張力によるダイシングテープ10の破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、−5℃における引張貯蔵弾性率が400MPa以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
詳しくは、長さ40mm(測定長さ)、幅10mmのダイシングテープを試験片とし、固体粘弾性測定装置(例えば、型式RSAIII、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製)を用いて、周波数1Hz、ひずみ量0.1%、昇温速度10℃/min、チャック間距離22.5mmの条件において、−50〜100℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定する。その際、−5℃での値を読み取ることにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をMD方向(樹脂流れ方向)に引っ張ることにより行う。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ10の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ10を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ10をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、−5℃における30%引張応力が30N/10mm以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ10の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ10を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ10をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における30%引張応力を30N/10mm以下とすることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
詳しくは、長さ100mm、幅10mmのダイシングテープを試験片とし、引張試験機(テンシロン万能試験機、島津製作所製)を用いて、測定温度(−5℃及び室温(23℃±1℃)にて、チャック間距離50mm及び引張速度100mm/minの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が30%に達したとき(チャック間距離65mm)の応力を測定することにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をMD方向(樹脂流れ方向)に引っ張ることにより行う。
これにより、エキスパンド中において、ダイシングテープ10の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ10を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ10をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における30%引張応力に対する−5℃における30%引張応力の比が3.0以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス3980(エクソンモービルケミカル社製)が挙げられる。
なお、粘着剤層2が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層1は、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。
基材層1をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層1に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層1を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、基材層1が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が10MPa以上100MPa以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が200MPa以上500MPa以下のものが挙げられる。
非エラストマー層は、1種の非エラストマーを含むものであってもよいし、2種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンPPを含むことが好ましい。
基材層1がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層1は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造(非エラストマー層/エラストマー層/非エラストマー層)に形成されることが好ましい(図1参照)。なお、図1では、一方の非エラストマー層を第1樹脂層1aとして示し、エラストマー層を第2樹脂層1bとして示し、他方の非エラストマー層を第3樹脂層1cとして示している。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量(DSC)分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置(TAインスツルメンツ社製、型式DSC Q2000)を用い、窒素ガス気流下、昇温速度5℃/minにて200℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。
基材層1の厚さは、例えば、ダイアルゲージ(PEACOCK社製、型式R−205)を用いて、ランダムに選んだ任意の5点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
なお、市販のメタロセンPPとしては、ウィンテックWXK1233、ウィンテックWMX03(いずれも、日本ポリプロ社製)が挙げられる。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン/α−オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングテープを熱収縮させた後に、基材層1が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
次に、図2を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム20について説明する。なお、ダイシングダイボンドフィルム20の説明において、ダイシングテープ10と重複する部分においては、その説明は繰り返さない。
ダイシングダイボンドフィルム20では、ダイボンド層3上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム20を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層3も割断される。ダイボンド層3は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層3付の半導体チップを得ることができる。
ダイシングダイボンドフィルム20のダイシングテープ10は、前記したように、−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である。
したがって、ダイシングダイボンドフィルム20を用いたエキスパンド工程では、先に説明したように、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ10の破れが発生し難いという観点に加えて、ダイボンド層3の割断性の観点から、−5℃という温度を採用してエキスパンド工程を行うことが最適であると考えられる。
そのため、ダイシングダイボンドフィルム20においても、−5℃における引張貯蔵弾性率を100MPaという比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察される。
また、ダイシングダイボンドフィルム20のダイシングテープ10は、前記したように、−5℃における30%引張応力が5.5N/10mm以上であることが好ましく、室温における30%引張応力が3.2N/10mmであることが好ましく、室温における30%引張応力に対する−5℃における30%引張応力の比が1.7以上であることが好ましい。
さらに、ダイシングダイボンドフィルム20のダイシングテープ10は、前記したように、−5℃における30%引張応力が30N/10mm以下であることが好ましく、室温における30%引張応力が30N/10mm以下であることが好ましい。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
以下では、基材層1が一層であるダイシングダイボンドフィルム20を用いた例について説明する。
さらに、エキスパンド工程では、図6A〜図6Bに示すように、より高い温度条件下(例えば、室温(23℃))において、面積を広げるようにダイシングテープ10を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップWをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
ここで、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム20では、ダイシングテープ10の−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上であるので、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
なお、上記の半導体集積回路の製造においては、ダイシングダイボンドフィルム20を補助具として用いる例について説明したが、ダイシングテープ10を補助具として用いた場合にも、上記と同様にして半導体集積回路を製造することができる。
<基材層の成形>
2種3層押出Tダイ成形機を用いて、A層/B層/C層の3層構造(B層を中心層とし、B層の両面に外層たるA層及びC層が積層された3層構造)を有する基材層を成形した。A層及びC層の樹脂にはメタロセンPP(商品名:ウィンテックWXK1233、日本ポリプロ社製)を用い、B層の樹脂にはEVA(商品名:エバフレックスEV250、三井・デュポンポリケミカル社製)を用いた。
前記押出成形は、ダイス温度190℃で行った。すなわち、A層、B層、及び、C層は190℃で押出成形された。押出成形により得られた基材層の厚さは100μmであった。なお、A層、B層、及びC層の厚さの比(層厚比)は、A層:B層:C層=1:10:1であった。
成形された基材層を十分に固化させた後に、固化後の基材層をロール状に巻き取ってロール体とした。
<ダイシングテープの作製>
ロール状の基材層から基材層の一方の表面に、アプリケータを用いて厚さ10μmとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後の基材層を110℃で3分加熱乾燥し、粘着剤層を形成することにより、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、INA(イソノニルアクリレート)173質量部、HEA(ヒドロキシエチルアクリレート)54.5質量部、AIBN(2,2’−アゾビスイソブチロニトリル)0.46質量部、酢酸エチル372質量部を混合して第1樹脂組成物を得た。
次に、丸底セパラブルフラスコ(容量1L)、温度計、窒素導入管、及び、撹拌翼が装備された重合用実験装置の前記丸底セパラブルフラスコ内に前記第1樹脂組成物を加え、前記第1樹脂組成物を撹拌しながら、前記第1樹脂組成物の液温を常温(23℃)として、前記丸底セパラブルフラスコ内を6時間窒素置換した。
引き続き前記丸底セパラブルフラスコ内に窒素を流入させた状態で、前記第1樹脂組成物を撹拌しながら、前記第1樹脂組成物の液温を62℃で3時間保持した後さらに75℃で2時間保持して、前記INA、前記HEA、及び、前記AIBNを重合させて、第2樹脂組成物を得た。その後、前記丸底セパラブルフラスコ内への窒素の流入を停止した。
液温が常温となるまで前記第2樹脂組成物を冷却した後、前記第2樹脂組成物に、重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、2−イソシアナトエチルメタクリレート(昭和電工社製、商品名「カレンズMOI(登録商標)」)52.5質量部、及び、ジラウリン酸ジブチルスズIV(和光純薬工業社製)0.26質量部を加えて得た第3樹脂組成物を、大気雰囲気下にて、液温50℃で24時間撹拌した。
次に、前記第3樹脂組成物において、ポリマー固形分100質量部に対してコロネートL(イソシアネート化合物)及びOmnirad127(光重合開始剤)をそれぞれ0.75質量部及び2質量部加えた後、酢酸エチルを用いて、固形分濃度が20質量%となるように前記第3樹脂組成物を希釈して、粘着剤組成物を調製した。
<ダイシングダイボンドフィルムの作製>
アクリル樹脂(ナガセケムテックス社製、商品名「SG−P3」、ガラス転移温度12℃)100質量部、エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名「JER1001」)46質量部、フェノール樹脂(明和化成社製、商品名「MEH−7851ss」)51質量部、球状シリカ(アドマテックス社製、商品名「SO−25R」)191質量部、及び、硬化触媒(四国化成工業社製、商品名「キュアゾールPHZ」)0.6質量部を、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度20質量%のダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるPET系セパレータ(厚さ50μm)のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ10μmとなるように前記ダイボンド組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥して前記ダイボンド組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離シートが積層されていない側を貼り合せた後、前記剥離ライナーを前記ダイボンド層から剥離して、ダイボンド層を備えるダイシングダイボンドフィルムを得た。
実施例1に係るダイシングテープから、長さ40mm(測定長さ)×幅10mmの試験片を切り出し、固体粘弾性測定装置(型式RSAIII、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製)を用いて、周波数1Hz、ひずみ量0.1%、昇温速度10℃/min、チャック間距離22.5mmの条件において、−50〜100℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定し、その際、−5℃における引張弾性率の値を読み取ることにより、−5℃における引張貯蔵弾性率を求めた。
実施例1に係るダイシングテープから、長さ100mm×幅10mmの試験片を切り出し、引張試験機(テンシロン万能試験機、島津製作所製)を用いて、測定温度(−5℃及び室温)にて、チャック間距離50mm及び引張速度100mm/minの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が30%に達したとき(チャック間距離65mm)の応力を測定した。
実施例1に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ(直径300mm)及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータDDS230(ディスコ社製)を用いて、半導体ウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のチップ浮きについて評価した。ベアウェハは、長さ12mm×幅4mm×厚さ0.055mmの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。
まず、下記(a)〜(f)をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度20質量%の反り調整組成物を得た。
(a)アクリル樹脂(ナガセケムテックス社製、商品名「SG−70L」):5質量部
(b)エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名「JER828」):5質量部
(c)フェノール樹脂(明和化成社製、商品名「LDR8210」):14質量部
(d)エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名「MEH−8005」):2質量部
(e)球状シリカ(アドマテックス社製、商品名「SO−25R」):53質量部
(f)リン系触媒(TPP−K):1質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるPET系セパレータ(厚さ50μm)のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ25μmで塗布し、130℃で2分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ(MCK社製、型式MRK−600)を用いて、60℃、0.1MPa、10mm/sの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて175℃で1時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ(日東電工株式会社製、商品名「V−12SR2」)を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置(DISCO社製、型番6361)を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面(以下、一方面という)の全体に、この面から100μmの深さの溝を格子状(巾20μm)に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面(前記一方面と反対側の面)から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー(DISCO社製、型式DGP8760)を用いて、反ったベアウェハの厚みが55μm(0.055mm)となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−5℃、エキスパンド速度100mm/秒、エキスパンド量12mmの条件で、ベアウェハ及びダイボンド層を割断して、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度1mm/秒、エキスパンド量5mmの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度200℃、ヒート距離18mm、ローテーションスピード5°/secの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、ダイシングダイボンドフィルムの基材層表面について、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの浮きの状態を撮影し、二値化することにより、浮きの面積を算出した。そして、浮きの面積が4%未満の場合を〇と評価し、4%以上の場合を×と評価した。
実施例1に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ(直径300mm)及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータDDS230(ディスコ社製)を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行った。
ベアウェハは、長さ3.2mm×幅1.4mm×厚さ0.025mmの大きさのベアチップに割断した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−5℃、エキスパンド速度100mm/秒、エキスパンド量14mmの条件でベアウェハ及びダイボンド層を割断し、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度1mm/秒、エキスパンド量10mmの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度200℃、ヒート距離18mm、ローテーションスピード5°/secの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの割断部を観察し、割断率を算出した。そして、割断率が90%以上である場合を〇と評価し、割断率が90%未満の場合を×と評価した。
基材層を80μmとした以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例2に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例2に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層のB層(中心層)を構成するEVAをエバフレックスEV550(三井・デュポンポリケミカル社製)とし、基材層を80μmとした以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例3に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例3に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
B層の樹脂をプロピレン系エラストマー(商品名:ビスタマックス3980、エクソンモービルケミカル社製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例4に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例4に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層の厚さを80μmとし、基材層の層厚比を、A層:B層:C層=1:4:1とした以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例5に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例5に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層のA層及びC層(外層)を構成するメタロセンPPをウィンテックWMX03(日本ポリプロ社製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例6に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例6に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例6に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層のB層を構成するEVA樹脂をウルトラセン651(東ソー社製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例7に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例7に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例7に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層を単層構造とし、基材層の厚さを125μmとした以外は、実施例1と同様にして、実施例8に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
基材層は、単層押出Tダイ成形機を用いて成形した。基材層の樹脂としては、プロピレン系エラストマー(商品名:ビスタマックス3980、エクソンモービルケミカル社製)を用いた。
また、実施例8に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例8に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層の厚さを100μmとした以外は、実施例8と同様にして、実施例9に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例9に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、実施例9に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層の樹脂をエバフレックスEV250(三井・デュポンポリケミカル社製)とした以外は、実施例8と同様にして、比較例1に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例1に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、比較例1に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
基材層の厚さを100μmとした以外は、比較例1と同様にして、比較例2に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例2に係るダイシングテープについて、実施例1と同様にして、−5℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−5℃及び23℃における30%引張応力を測定した。
さらに、比較例2に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
また、表1より、実施例1〜7に係るダイシングテープ、すなわち、基材層が3層構造であるダイシングテープを備える、実施例1〜7に係るダイシングダイボンドフィルムは、いずれも、チップ浮きを抑制できていることが分かる。
これに対し、比較例1及び2に係るダイシングテープは、いずれも、−5℃における引張貯蔵弾性率の値が100MPaを下回っており、比較例1及び2に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に劣るとともに、チップ浮きを抑制できていないことが分かる。
なお、表1に掲載した結果は、ダイシングダイボンドフィルムに関するものであるが、ダイシングダイボンドフィルムに含まれるダイシングテープにおいても、表1に示したものと同様の結果が得られると予想される。
2 粘着剤層
3 ダイボンド層
10 ダイシングテープ
20 ダイシングダイボンドフィルム
1a 第1樹脂層
1b 第2樹脂層
1c 第3樹脂層
G バックグラインドテープ
H 保持具
J 吸着治具
P ピン部材
R ダイシングリング
T ウェハ加工用テープ
U 突き上げ部材
W 半導体ウェハ
Claims (5)
- 基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である
ダイシングテープ。 - −5℃における30%引張応力が5.5N/10mm以上である
請求項1に記載のダイシングテープ。 - 室温における30%引張応力が3.2N/10mm以上である
請求項1または2に記載のダイシングテープ。 - 室温における30%引張応力に対する−5℃における30%引張応力の比が1.7以上である
請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイシングテープ。 - 基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
−5℃における引張貯蔵弾性率が100MPa以上である
ダイシングダイボンドフィルム。
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