CN112080217A - 切割带及切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供切割带及切割芯片接合薄膜。该切割带在基材上层叠有粘合剂层，上述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在上述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其在与上述第1树脂层相反侧层叠于上述第2树脂层，上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层。

Description

切割带及切割芯片接合薄膜
关联申请的相互参照
本申请要求日本特愿2019-110199号的优先权，通过引用将其并入本申请说明书的记载中。
技术领域
本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。更详细而言，涉及基材具有层叠结构的切割带及切割芯片接合薄膜。
背景技术
众所周知的是，以往，在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具备：芯片接合带，其在基材上层叠有粘合剂层；和芯片接合层，其层叠在该芯片接合带的粘合剂层上。
并且已知，作为使用上述切割芯片接合薄膜得到芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，采用具有下述工序的方法：半切割工序，其为了通过切断处理将半导体晶圆加工成芯片(Die)而在半导体晶圆上形成槽，再对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一个面(例如与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，其将经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，以贴附有芯片接合层的状态取出半导体芯片；和芯片接合工序，其使贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。
需要说明的是，在上述切口维持工序中，使热风(例如100～130℃)对准切割带而使切割带热收缩后进行冷却固化，从而维持被切断的相邻的半导体芯片间的距离(切口)。
已知在如上所述的得到芯片接合用的半导体芯片的方法的切口维持工序中，为了更充分地维持切口，要使切割带的物性和基材的物性满足特定的关系(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/152919号
发明内容
发明要解决的问题
但是，为了在切口维持工序中更充分地维持切口，需要进行进一步的研究。
因此，本发明的课题在于，提供能够更充分地维持切口的切割带及切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
本发明的切割带在基材上层叠有粘合剂层，
上述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在上述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其与上述第1树脂层相反侧层叠于上述第2树脂层，
上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层。
在上述切割带中，优选：
上述第1树脂具有115℃以上且130℃以下的熔点。
在上述切割带中，优选：
上述第1树脂的质均分子量为100000以上且1000000以下、数均分子量为20000以上且600000以下。
在上述切割带中，优选：
上述第1树脂包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂。
在上述切割带中，优选：
上述基材的厚度为60μm以上且160μm以下，
上述第1树脂层的厚度相对于上述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围，
上述第3树脂层的厚度相对于上述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围。
在上述切割带中，优选：
上述第2树脂层包含α-烯烃系热塑性弹性体。
在上述切割带中，优选：
上述α-烯烃系热塑性弹性体包含α-烯烃的均聚物或α-烯烃的共聚物中的至少1种。
本发明的切割芯片接合薄膜具备：
上述切割带、和
层叠在上述切割带的粘合剂层上的芯片接合层。
附图说明
图1：示出本发明的一实施方式的切割带的构成的剖视图。
图2：示出本发明的一实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的剖视图。
图3A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状态的剖视图。
图3B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状态的剖视图。
图3C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状态的剖视图。
图3D：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状态的剖视图。
图4A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状态的剖视图。
图4B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状态的剖视图。
图5A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图5B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图5C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的剖视图。
图6A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的剖视图。
图6B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的剖视图。
图7：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的切口维持工序的状态的剖视图。
图8：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的状态的剖视图。
附图标记说明
1 基材
2 粘合剂层
3 芯片接合层
10 切割带
20 切割芯片接合薄膜
1a 第1树脂层
1b 第2树脂层
1c 第3树脂层
G 背面研磨带
H 保持件
J 吸附夹具
P 销构件
R 切割环
T 晶圆加工用带
U 顶起构件
W 半导体晶圆
具体实施方式
以下对本发明的一实施方式进行说明。
[切割带]
如图1所示，本实施方式的切割带10为在基材1上层叠有粘合剂层2的切割带10。
基材1具备：第1树脂层1a，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层1b，其层叠在第1树脂层1a的一个面上；和第3树脂层1c，其在与第1树脂层1a相反侧层叠于第2树脂层1b，第2树脂层1b的室温(23℃)下的拉伸储能模量低于第1树脂层1a及第3树脂层1c。
需要说明的是，第2树脂层1b包含第2树脂，第3树脂层1c包含第1树脂。
在此，第1树脂的分子量分散度是指：第1树脂的质均分子量相对于第1树脂的数均分子量的比。
关于基材1通过具备包含分子量分散度为5以下的第1树脂的第1树脂层1a、从而可更充分地维持切口的理由，我们认为如下。
我们认为，第1树脂显示5以下的较小分子量分散度、即第1树脂为具有较均匀的分子量的树脂，因此包含这样的第1树脂的第1树脂层的、层发生熔融的温度变得较均匀。
而且认为，由于层发生熔融的温度较均匀，从而在切口维持工序中在使热风(例如100～130℃)对准切割带10而使切割带10热收缩后进行冷却固化时，可以使由于热风而熔融的层部分以较均匀的速度固化。即，认为可以以已熔融的层部分固化的速度无偏差的方式使已熔融的层部分较迅速地固化。
认为其结果是，能够在使切割带10热收缩后更充分地抑制基材1收缩，能够更充分地维持切口。
第1树脂的数均分子量及质均分子量可以在以下的条件下利用GPC测定。
·测定装置：Waster公司制、型号“Alliance GPC 2000型”
·柱：将2根TSkgel GMH6-HT(东曹公司制)串联连接、并且在下游侧进一步串联连接2根TSKgel GMH-HTL而成
·柱尺寸：TSKgel GMH6-HT及TSKgel GMH-HTL均为内径7.5mm×长度300mm
·柱温度：140℃
·流速：1.0mL/分钟
·洗脱液：邻二氯苯
·样品制备浓度：0.10质量％(溶解于邻二氯苯)
·样品注入量：40μL
·检测器：RI(差示折射计)
·标准试样：聚苯乙烯
作为第1树脂层1a及第3树脂层1c，可列举室温下的拉伸储能模量为10MPa以上且100MPa以下的树脂层，作为第2树脂层1b，可列举室温下的拉伸储能模量为200MPa以上且500MPa以下的树脂层。
常温下的拉伸储能模量可以如下所述地测定。
详细而言，将长度40mm(测定长度)、宽度10mm的切割带作为试验片，使用固体粘弹性测定装置(例如型号RSAIII、Rheometric Scientific株式会社制)，在频率1Hz、变形量0.1％、升温速度10℃/分钟、夹具间距离22.5mm的条件下，在-50～100℃的温度范围测定上述试验片的拉伸储能模量，由此可以求出。此时，读取23℃下的值，作为23℃下的拉伸储能模量。
需要说明的是，通过沿着MD方向(树脂流动方向)拉伸上述试验片来进行上述测定。
作为第1树脂，优选使用非弹性体。作为非弹性体，可列举作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂(以下称为茂金属PP)。作为茂金属PP，可列举作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物。通过使第1树脂层1a及第3树脂层1c包含茂金属PP，可以效率良好地制造切割带，并且可以效率良好地将贴附于切割带的半导体晶圆切断。
需要说明的是，作为市售的茂金属PP，可列举WINTEC WXK1233、WINTEC WMX03(均为日本聚丙烯株式会社制)。
在此，茂金属催化剂为包含周期表第4族的过渡金属化合物(所谓的茂金属化合物)和可与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物活化为稳定的离子态的助催化剂的催化剂，所述周期表第4族的过渡金属化合物包含具有环戊二烯基骨架的配体，所述茂金属催化剂根据需要而包含有机铝化合物。茂金属化合物为能够进行丙烯的立构规整聚合的交联型的茂金属化合物。
在上述作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物中，优选作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，在上述作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物中，优选选自作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数2的α-烯烃无规共聚物、作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数4的α-烯烃无规共聚物、及作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数5的α-烯烃无规共聚物中的共聚物，这些中，作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/乙烯无规共聚物最佳。
就上述作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物而言，从与上述弹性体层的共挤出成膜性及贴附于切割带的半导体晶圆的切断性的观点出发，优选熔点为80℃以上且140℃以下、特别是100℃以上且130℃以下者。
可以通过差示扫描量热(DSC)分析来测定上述作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物的熔点。例如，可以通过使用差示扫描量热计装置(TAINSTRUMENTS公司制型号DSC Q2000)在氮气气流下、以升温速度5℃/分钟升温到200℃并求出吸热峰的峰值温度来测定。
第1树脂优选质均分子量为100000以上且1000000以下、数均分子量为20000以上且600000以下。
作为第2树脂，优选使用弹性体。作为弹性体，可列举例如α-烯烃系热塑性弹性体等。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举例如α-烯烃的均聚物、2种以上的α-烯烃的共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、一种或两种以上的α-烯烃与此外的乙烯基单体的共聚物等。
作为α-烯烃系热塑性弹性体，还可列举丙烯-乙烯共聚物与丙烯均聚物的组合、或丙烯-乙烯-碳数4以上的α-烯烃三元共聚物。
作为α-烯烃系热塑性弹性体的市售品，可列举例如作为丙烯系弹性体树脂的Vistamaxx3980(ExxonMobil Chemical Company制)。
作为α-烯烃的均聚物，优选碳数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。作为这样的均聚物，可列举乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。
作为2种以上的α-烯烃的共聚物，可列举乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物等。
作为一种或两种以上的α-烯烃与此外的乙烯基单体的共聚物，可列举乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
在基材1为如上所述的三层结构时，优选通过共挤出成型来得到，所述共挤出成型对第1树脂和第2树脂进行共挤出而形成在第2树脂层1b的两面侧层叠有第1树脂层1a及第3树脂层1c的层叠结构。作为共挤出成型，可以采用在制造薄膜、片等时通常进行的任意适宜的共挤出成型。在共挤出成型中，从可以效率良好、廉价地得到基材1的角度出发，优选采用吹胀法、共挤出T模法。
在第2树脂层1b包含α-烯烃系热塑性弹性体、并且第1树脂层1a及第3树脂层1c包含茂金属PP之类的聚烯烃的情况下，第2树脂层1b优选相对于第2树脂层1b所含的弹性体的总质量包含50质量％以上且100质量％以下的α-烯烃系热塑性弹性体，更优选包含70质量％以上且100质量％以下，进一步优选包含80质量％以上且100质量％以下，特别优选包含90质量％以上且100质量％以下，包含95质量％以上且100质量％以下的方式最佳。通过以上述范围包含α-烯烃系热塑性弹性体，第1树脂层1a与第2树脂层1b的亲和性及第3树脂层1c与第2树脂层1b的亲和性变高，因此可以较容易地将基材1挤出成型，并且可以效率良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
在通过共挤出成型得到呈层叠结构的基材1时，第1树脂层1a与第2树脂层1b、以及第3树脂层3c与第2树脂层1b以被加热熔融的状态相接触，因此优选上述第1树脂与上述第2树脂的熔点差小。通过使熔点差小，可抑制对低熔点树脂施加过度的热，因此可以抑制由于低熔点树脂的热劣化而生成副产物的情况。另外，也可以抑制以下情况：由于低熔点树脂的粘度过度下降，导致第1树脂层1a与第2树脂层1b之间、以及第3树脂层1c与第2树脂层1b之间产生层叠不良。上述第1树脂与上述第2树脂的熔点差优选为0℃以上且70℃以下，更优选为0℃以上且55℃以下。
可以按照上述的方法来测定上述第1树脂及上述第2树脂的熔点。
基材1的厚度优选为55μm以上且195μm以下，更优选为55μm以上且190μm以下，进一步优选为55μm以上且170μm以下，为60μm以上且160μm以下的方式最佳。通过将基材1的厚度设为上述范围，可以效率良好地制造切割带，并且可以效率良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
基材1的厚度例如可以如下求出：使用直读式厚度计(PEACOCK公司制型号R-205)测定随机选择的任意5个点的厚度，对这些厚度进行算术平均而求出。
在基材1中，第1树脂层1a的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比、及第3树脂层1c的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比优选为1/25以上且1/3以下，更优选为1/25以上且1/3.5以下，进一步优选为1/25以上且1/4以下，特别优选为1/22以上且1/4以下，为1/20以上且1/4以下的方式最佳。通过将第1树脂层1a的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比、及第3树脂层1c的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比设为上述范围，可以效率更良好地切断贴附于切割带的半导体晶圆。
可以通过用显微镜观察利用冷冻切片法从第1树脂层1切出的剖面来求出第1树脂层1a、第2树脂层1b、及第3树脂层1c的厚度。例如，用电子显微镜以100倍的倍率观察利用冷冻切片法切出的剖面的中央部分，对于第1树脂层1a、第2树脂层1b、及第3树脂层1c，分别测定沿着MD方向(树脂流动方向)任意选择的3个点的厚度，分别将对各层进行测定而得的3个点的测定值进行算术平均，从而可以求出。
第1树脂层1a及第3树脂层1c可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。第1树脂层1a优选为1层～5层的结构，更优选1层～3层的结构，进一步优选1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。当第1树脂层1a及第3树脂层1c为层叠结构时，既可以是全部的层包含相同的第1树脂，也可以是至少2层包含不同的第1树脂。
第2树脂层1b可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。第2树脂层1b优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。当第2树脂层1b为层叠结构时，既可以是全部的层包含相同的第2树脂，也可以是至少2层包含不同的第2树脂。
在此，如果将弹性体层配置在基材1的最外层，则在将基材1制成卷状体时，被配置在最外层的弹性体层彼此容易粘连(容易粘在一起)。因此，变得难以将基材1从卷状体退卷。与此相对地，在本实施方式的基材1中，第1树脂层1a及第3树脂层1c为非弹性体层，第1树脂层1b为弹性体层，即，将非弹性体层配置在最外层，因此这种形态的基材1的耐粘连性变得优异。从而可以抑制使用切割带10的半导体装置的制造因粘连而产生延迟。
第1树脂层1a优选由具有115℃以上且130℃以下的熔点、并且分子量分散度(质均分子量/数均分子量)为5以下的树脂构成。作为这样的树脂，可列举茂金属PP。
通过使第1树脂层1a由如上所述的树脂构成，从而，在为了维持在低温条件下切断半导体晶圆而得的多个半导体芯片间的间隔(切口)而使热风(例如100～130℃)对准位于与上述半导体晶圆的外边缘的边界部分的切割带从而使上述切割带热收缩后，能够使由于正对着热风而熔融的非弹性体层(最外层)进行固化所需的时间相对缩短。
由此，可以更好地维持切口。
粘合剂层2含有粘合剂。粘合剂层2通过粘合来保持用于单片化为半导体芯片的半导体晶圆。在本实施方式中，粘合剂层2层叠在基材1的第1树脂层1a上。
作为上述粘合剂，可列举在切割带10的使用过程中能够通过来自外部的作用而降低粘合力的粘合剂(以下称为粘合降低型粘合剂)。
当使用粘合降低型粘合剂作为粘合剂时，在切割带10的使用过程中，粘合剂层2可以分开使用显示较高的粘合力的状态(以下称为高粘合状态)和显示较低的粘合力的状态(以下称为低粘合状态)。例如，在将贴附于切割带10的半导体晶圆供于切断时，为了抑制通过切断半导体晶圆而单片化的多个半导体芯片从粘合剂层2浮起或剥离而使用高粘合状态。与此相对地，在切断半导体晶圆后，为了拾取已单片化的多个半导体芯片而使用低粘合状态，以便容易从粘合剂层2拾取多个半导体芯片。
作为上述粘合降低型粘合剂，可列举例如：能够在切割带10的使用过程中通过照射辐射线而固化的粘合剂(以下称为辐射线固化粘合剂)。
作为上述辐射线固化粘合剂，可列举例如：通过照射电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线而固化的类型的粘合剂。这些中，优选使用通过照射紫外线而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。
作为上述辐射线固化粘合剂，可列举例如添加型的辐射线固化粘合剂，其包含丙烯酸系聚合物等基础聚合物以及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分。
作为上述丙烯酸系聚合物，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
粘合剂层2可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要是可以与作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物反应而形成交联结构的物质，则任意类型均可使用。作为这样的外部交联剂，可列举例如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂等。
作为上述辐射线聚合性单体成分，可列举例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作为上述辐射线聚合性低聚物成分，可列举例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。上述辐射线固化粘合剂中的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可在使粘合剂层2的粘合性适当下降的范围内选择。
上述辐射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯等。
粘合剂层2中，除了上述各成分以外还可以包含交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。
粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且30μm以下，进一步优选为5μm以上且25μm以下。
[切割芯片接合薄膜]
之后，参照图2对切割芯片接合薄膜20进行说明。需要说明的是，在切割芯片接合薄膜20的说明中，与切割带10重复的部分不再重复对其进行说明。
如图2所示，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备在基材1上层叠有粘合剂层2的切割带10、和层叠在切割带10的粘合剂层2上的芯片接合层3。
基材1具备：第1树脂层1a，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层1b，其层叠在第1树脂层1a的一个面上；和第3树脂层1c，其在与第1树脂层1a相反侧层叠于第2树脂层1b，第2树脂层1b的室温(23℃)下的拉伸储能模量低于第1树脂层1a及第3树脂层1c。
需要说明的是，第2树脂层1b包含第2树脂，第3树脂层1c包含第1树脂。
在切割芯片接合薄膜20中，在芯片接合层3上贴附半导体晶圆。
在使用切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的切断中，芯片接合层3也与半导体晶圆一起被切断。芯片接合层3被切断为与单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，可以得到带有芯片接合层3的半导体芯片。
与切割带10同样地，在本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，第1树脂的熔点优选为115℃以上且130℃以下，第1树脂优选质均分子量为100000以上且1000000以下、数均分子量为20000以上且600000以下，第1树脂优选包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂。
另外，与切割带10同样地，切割芯片接合薄膜20优选：基材1的厚度为60μm以上且160μm以下，第1树脂层1a的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比处于1/4～1/20的范围，第3树脂层1c的厚度相对于第2树脂层1b的厚度之比处于1/4～1/20的范围。
另外，与切割带10同样地，切割芯片接合薄膜20优选第2树脂层1b包含α-烯烃系热塑性弹性体，α-烯烃系热塑性弹性体优选包含α-烯烃的均聚物或α-烯烃的共聚物中的至少1种。
芯片接合层3优选具有热固化性。通过使芯片接合层3包含热固化性树脂及具有热固化性官能团的热塑性树脂中的至少一者，从而可以对芯片接合层3赋予热固化性。
当芯片接合层3包含热固化性树脂时，作为这样的热固化性树脂，可列举例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂等。这些中，优选使用环氧树脂。
作为环氧树脂，可列举例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。
就作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂而言，可列举例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。
当芯片接合层3包含具有热固化性官能团的热塑性树脂时，作为这样的热塑性树脂，可列举例如含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂。作为含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸类树脂。
对于具有热固化性官能团的热固化性树脂而言，可根据热固化性官能团的种类来选择固化剂。
从使树脂成分的固化反应充分进行、或者提高固化反应速度的观点出发，芯片接合层3也可以含有热固化催化剂。作为热固化催化剂，可列举例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。
芯片接合层3可以在上述热固化性树脂的基础上还包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂起作用。作为热塑性树脂，可列举例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6和聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET和PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以将两种以上组合使用。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少且耐热性高而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯酸类树脂。
上述丙烯酸类树脂优选为包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含来自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它成分的单体单元。作为上述其它成分，可列举例如含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体以及各种多官能性单体等。从使芯片接合层实现高内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体、含氮原子单体、多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、(甲基)丙烯酸多缩水甘油基酯的共聚物。
根据需要，芯片接合层3可以含有一种或两种以上的其它成分。作为其它成分，可列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
芯片接合层3的厚度优选为40μm以上，更优选为60μm以上，进一步优选为80μm以上。另外，芯片接合层3的厚度优选为200μm以下，更优选为160μm以下，进一步优选为120μm以下。
本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如可作为用于制造半导体集成电路的辅助用具来使用。以下对使用切割芯片接合薄膜20的具体例进行说明。
以下，对使用基材1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。
制造半导体集成电路的方法具有下述工序：半切割工序，其为了通过切断处理将半导体晶圆加工成芯片(Die)而在半导体晶圆上形成槽，再对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层3而将半导体晶圆固定于切割带10；扩展工序，其使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离，以贴附有芯片接合层3的状态取出半导体芯片(Die)；和芯片接合工序，其使贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片(Die)粘接于被粘物。在实施这些工序时，使用本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)作为制造辅助用具。
在半切割工序中，如图3A及图3B所示，实施用于将半导体集成电路切断成小片(Die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆W的与电路面处于相反侧的面贴附晶圆加工用带T(参照图3A)。另外，将切割环R安装于晶圆加工用带T(参照图3A)。在贴附有晶圆加工用带T的状态下形成分割用的槽(参照图3B)。在背面研磨工序中，如图3C及图3D所示，对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄。详细而言，在形成有槽的面上贴附背面研磨带G，另一方面，将最初贴附的晶圆加工用带T剥离(参照图3C)。在贴附有背面研磨带G的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆W达到规定的厚度为止(参照图3D)。
在安装工序中，如图4A～图4B所示，将切割环R安装于切割带10的粘合剂层2后，在露出的芯片接合层3的面上贴附经半切割加工的半导体晶圆W(参照图4A)。之后，从半导体晶圆W剥离背面研磨带G(参照图4B)。
在扩展工序中，如图5A～图5C所示，将切割环R固定于扩展装置的保持件H。使用扩展装置所具备的顶起构件U将切割芯片接合薄膜20从下侧顶起，从而对切割芯片接合薄膜20进行拉伸而使其沿着面方向扩展(参照图5B)。从而，在特定的温度条件下切断经半切割加工的半导体晶圆W。上述温度条件为例如-20～5℃，优选为-15～0℃，更优选为-10～-5℃。通过使顶起构件U下降而解除扩展状态(参照图5C)。
进一步地，在扩展工序中，如图6A～图6B所示，在更高的温度条件下(例如室温(23℃))对切割带10进行拉伸而使面积扩大。从而，使已切断的相邻的半导体芯片W在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大间隔。
在切口维持工序中，如图7所示，使热风(例如100～130℃)对准切割带10而使切割带10热收缩后，进行冷却固化，维持已切断的相邻的半导体芯片W间的距离(切口)。
在此，在本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，基材1具备：第1树脂层1a，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层1b，其层叠在第1树脂层1a的一个面上；第3树脂层1c，其在与第1树脂层1a相反侧层叠于第2树脂层1b，第2树脂层1b的室温(23℃)下的拉伸储能模量低于第1树脂层1a及第3树脂层1c，因此，在切口维持工序中能够更充分地维持切口。
在拾取工序中，如图8所示，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片W从切割带10的粘合层2剥离。详细而言，使销构件P上升，从而将拾取对象的半导体芯片W隔着切割带10顶起。利用吸附夹具J保持被顶起的半导体芯片。
在芯片接合工序中，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片W粘接于被粘物。
需要说明的是，在上述的半导体集成电路的制造中对使用切割芯片接合薄膜20作为辅助工具的例子进行了说明，但是在使用切割带10作为辅助工具时，也可以与上述同样地制造半导体集成电路。
通过本说明书而公开的事项包含以下事项。
(1)
一种切割带，其在基材上层叠有粘合剂层，
上述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在上述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其在与上述第1树脂层相反侧层叠于上述第2树脂层，
上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层。
根据所述构成，上述基材具备包含分子量分散度为5以下的第1树脂的第1树脂层，因此在切口维持工序中，可以使上述基材更迅速地冷却固化。
另外，层叠在第1树脂层的一个面上且在与上述第1树脂层相反侧层叠有第3树脂层的第2树脂层、即被上述第1树脂层和上述第3树脂层夹着的上述第2树脂层在室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层的室温下的拉伸储能模量，因此可以使上述第2树脂层作为缓和拉伸应力的应力缓和层起作用。即，能够使上述基材中产生的拉伸应力较小，因此能够使上述基材具有合适的硬度并且比较容易拉伸。
由此，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
进而，通过使上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量小于上述第1树脂层及上述第3树脂层的室温下的拉伸储能模量，能够提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性，而且在扩展工序中能够抑制上述基材破裂而发生破损。
另外，在上述第1树脂层所含的第1树脂与上述第2树脂层所含的第2树脂的亲和性高的情况下，能够使上述第1树脂层与上述第2树脂层在不剥离的情况下较良好地挤出成型。
(2)
根据上述(1)所述的切割带，其中，上述第1树脂层及上述第3树脂层的室温下的拉伸储能模量为10MPa以上且100MPa以下，上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量为200MPa以上且500MPa以下。
根据所述构成，能够更进一步使上述基材具有合适的硬度、并且容易拉伸。
由此，在切口维持工序中，能够更进一步地维持切口。
另外，能够更进一步地提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性，并且在扩展工序中能够更进一步地抑制上述基材破裂而发生破损。
(3)
根据上述(1)或(2)所述的切割带，其中，上述第1树脂具有115℃以上且130℃以下的熔点。
根据所述构成，上述第1树脂具有115℃以上且130℃以下的熔点，因此在切口维持工序中，能够使对准上述切割带的热风(例如100～130℃)与构成上述第1树脂层的树脂的温度差较小。因此，在切口维持工序中，能够使上述基材更迅速地冷却固化。
由此，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
(4)
根据上述(1)至(3)中任一项所述的切割带，其中，上述第1树脂与上述第2树脂的熔点差为0℃以上且70℃以下。
(5)
根据上述(1)至(4)中任一项所述的切割带，其中，上述1树脂与上述第2树脂的熔点差为0℃以上且55℃以下。
根据所述构成，可以使第1树脂与第2树脂的熔点差较小，因此在利用共挤出成型来得到上述基材时，能够抑制对低熔点树脂施加过度的热，从而能够抑制由于低熔点树脂的热劣化而生成副产物的情况。
另外还能够抑制以下情况：由于低熔点树脂的粘度过度下降，导致上述第1树脂层与上述第2树脂层之间产生层叠不良。
进而，当上述第3树脂层包含上述第1树脂时，能够抑制在上述第3树脂层与上述第2树脂层之间产生层叠不良。
(6)
根据上述(1)至(5)中任一项所述的切割带，其中，上述第1树脂的质均分子量为100000以上且1000000以下、数均分子量为20000以上且600000以下。
(7)
根据上述(1)至(6)中任一项所述的切割带，其中，上述第1树脂包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂。
(8)
根据上述(7)所述的切割带，其中，上述第1树脂中，作为为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂，包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物。
(9)
根据上述(8)所述的切割带，其中，上述第1树脂中，作为为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物，包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物。
(10)
根据上述(9)所述的切割带，其中，上述第1树脂中，作为为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，包含选自作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数2的α-烯烃无规共聚物、作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数4的α-烯烃无规共聚物、及作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/碳数5的α-烯烃无规共聚物中的丙烯/α-烯烃无规共聚物。
(11)
根据上述(10)所述的切割带，其中，上述第1树脂中，作为为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的丙烯/乙烯无规共聚物。
根据所述构成，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
(12)
根据上述(1)至(11)中任一项所述的切割带，其中，
上述基材的厚度为60μm以上且160μm以下，
上述第1树脂层的厚度相对于上述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围，
上述第3树脂层的厚度相对于上述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围。
(13)
根据上述(1)至(12)中任一项所述的切割带，其中，
上述第2树脂层包含α-烯烃系热塑性弹性体。
(14)
根据上述(13)所述的切割带，其中，上述α-烯烃系热塑性弹性体包含α-烯烃的均聚物或α-烯烃的共聚物中的至少1种。
(15)
根据上述(14)所述的切割带，其中，上述α-烯烃的均聚物为碳数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。
(16)
根据上述(15)所述的切割带，其中，上述α-烯烃的均聚物选自乙烯、丙烯、1-丁烯、及4-甲基-1-戊烯中。
(17)
根据上述(14)所述的切割带，其中，上述α-烯烃的共聚物选自乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、及丙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物中。
根据所述构成，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
另外，在切断工序中的扩展时，能够进一步提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的切断性。
(18)
根据上述(1)至(17)中任一项所述的切割带，其中，上述第3树脂层包含上述第1树脂。
根据所述构成，能够效率良好地制造上述切割带，并且能够效率良好地将上述贴附于切割带的半导体晶圆切断。
(19)
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
上述(1)至(18)中任一项所述的切割带、和
层叠在上述切割带的粘合剂层上的芯片接合层。
根据所述构成，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
需要说明的是，本发明的切割带及切割芯片接合薄膜不受上述实施方式限定。另外，本发明的切割带及切割芯片接合薄膜不受上述的作用效果限定。本发明的切割带及切割芯片接合薄膜能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。
实施例
之后，列举实施例对本发明进行进一步具体说明。以下的实施例是用于进一步详细说明本发明的例子，并非对本发明的范围进行限定。
[实施例1]
＜基材的成型＞
使用2种3层挤出T模成型机成型具有A层/B层/C层的3层结构(以B层为中心层、并且在B层的两面层叠有作为外层的A层及C层的3层结构)的基材。作为A层及C层的树脂，使用茂金属PP(商品名：WINTEC WXK1233、日本聚丙烯株式会社制)，作为B层的树脂，使用EVA(商品名：Evaflex EV250、Mitsui DuPont Polychemical Co.,Ltd.制)。
在模头温度190℃下进行上述挤出成型。即，在190℃下将A层、B层、及C层挤出成型。通过挤出成型而得到的基材的厚度为100μm。需要说明的是，A层、B层、及C层的厚度之比(层厚比)为A层：B层：C层＝1：10：1。
在使成型出的基材充分固化后，将固化后的基材卷取成卷状，从而制成卷状体。
需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
＜切割带的制作＞
使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将粘合剂组合物从卷状的基材涂布在基材的一个表面。将涂布粘合剂组合物后的基材在110℃下加热干燥3分钟而形成粘合剂层，从而得到切割带。
如下所述地制备上述粘合剂组合物。
首先，将INA(丙烯酸异壬酯)173质量份、HEA(丙烯酸羟乙酯)54.5质量份、AIBN(2,2’-偶氮二异丁腈)0.46质量份、乙酸乙酯372质量份混合，得到第1树脂组合物。
之后，向安装有圆底可拆式烧瓶(容量1L)、温度计、氮气导入管及搅拌叶片的聚合用实验装置的上述圆底可拆式烧瓶内加入上述第1树脂组合物，一边搅拌上述第1树脂组合物一边使上述第1树脂组合物的液温达到常温(23℃)，对上述圆底可拆式烧瓶内进行6小时氮气置换。
接着，在使氮气流入上述圆底可拆式烧瓶内的状态下，一边搅拌上述第1树脂组合物一边使上述第1树脂组合物的液温在62℃下保持3小时，之后进一步在75℃下保持2小时，使上述INA、上述HEA、及上述AIBN聚合，得到第2树脂组合物。之后，停止氮气向上述圆底可拆式烧瓶内的流入。
将上述第2树脂组合物冷却至液温达到常温为止，之后向上述第2树脂组合物中加入作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(昭和电工公司制、商品名“Karenz MOI(注册商标)”)52.5质量份及二月桂酸二丁基锡IV(和光纯药工业公司制)0.26质量份，得到第3树脂组合物，将得到的第3树脂组合物在大气气氛、液温50℃下搅拌24小时。
之后，向上述第3树脂组合物中分别加入相对于聚合物固态成分100质量份为0.75质量份的CORONATE L(异氰酸酯化合物)及2质量份的Omnirad127(光聚合引发剂)后，用乙酸乙酯将上述第3树脂组合物稀释至固态成分浓度达到20质量％，由此制备粘合剂组合物。
＜切割芯片接合薄膜的制作＞
将丙烯酸类树脂(长濑化学公司制、商品名“SG-P3”、玻璃化转变温度12℃)100质量份、环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“JER1001”)46质量份、酚醛树脂(明和化成公司制、商品名“MEH-7851ss”)51质量份、球状二氧化硅(Admatechs公司制、商品名“SO-25R”)191质量份及固化催化剂(四国化成工业公司制、商品名“CUREZOL PHZ”)0.6质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固态成分浓度20质量％的芯片接合组合物。
之后，使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将上述芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的PET系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下干燥2分钟而从上述芯片接合组合物脱溶剂，得到在上述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。
之后，在上述切割带的上述粘合剂层上贴合上述芯片接合片中的未层叠上述剥离片的一侧后，将上述剥离衬垫从上述芯片接合层剥离，得到具备芯片接合层的切割芯片接合薄膜。
对于如上得到的切割芯片接合薄膜，如下所述地评价晶圆及芯片接合层的切断性(以下称为切断性)、芯片接合层从切割带的浮起(以下称为芯片接合层的浮起)、及切口的维持性。
(切断性的评价)
在实施例1的切割芯片接合薄膜上贴附裸晶圆(直径300mm)及切割环。之后，使用芯片分离装置DDS230(DISCO公司制)进行裸晶圆及芯片接合层的切断，从而评价切断性。
裸晶圆被切成大小为长度3.2mm×宽度1.4mm×厚度0.025mm的裸芯片。
详细而言，如下所述地评价切断性。
首先，用冷扩展单元在扩展温度-5℃、扩展速度100mm/秒、扩展量14mm的条件下切断裸晶圆及芯片接合层，得到带有芯片接合层的半导体芯片。
之后，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量10mm的条件下进行常温扩展。然后，在维持扩展状态的情况下，在加热温度200℃、加热距离18mm、旋转速度5°/秒的条件下使处于与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。
之后，通过显微镜观察来观察带有芯片接合层的半导体芯片的切断部，计算切断率。之后，将切断率为90％以上的情况评价为〇，将切断率低于90％的情况评价为×。
(芯片接合层的浮起的评价)
在实施例1的切割芯片接合薄膜上贴附裸晶圆(直径300mm)及切割环。之后，使用芯片分离装置DDS230(DISCO公司制)进行裸晶圆及芯片接合层的切断，评价切断后的芯片接合层的浮起。
裸晶圆被切成大小为长度12mm×宽度4mm×厚度0.055mm的裸芯片。
需要说明的是，作为裸晶圆，使用了翘曲晶圆。
如下所述地制作翘曲晶圆。
首先，使下述(a)～(f)溶解于甲乙酮，得到固态成分浓度20质量％的翘曲调整组合物。
(a)丙烯酸类树脂(长濑化学公司制、商品名“SG-70L”)：5质量份
(b)环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“JER828”)：5质量份
(c)酚醛树脂(明和化成公司制、商品名“LDR8210”)：14质量份
(d)环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“MEH-8005”)：2质量份
(e)球状二氧化硅(Admatechs公司制、商品名“SO-25R”)：53质量份
(f)磷系催化剂(TPP-K)：1质量份
之后，使用涂抹器以厚度25μm将上述翘曲调整组合物涂布到作为剥离衬垫的PET系隔离体(厚度50μm)的经有机硅处理的面上，在130℃下干燥2分钟而从上述翘曲调整组合脱溶剂，得到在上述剥离衬垫上层叠有翘曲调整层的翘曲调整片。
之后，使用层压机(MCK公司制、型号MRK-600)在60℃、0.1MPa、10mm/s的条件下将裸晶圆贴附到上述翘曲调整片的未层叠上述剥离衬垫的一侧，放入烘箱中，以175℃加热1小时而使上述翘曲调整层的树脂热固化，由此上述翘曲调整层收缩，得到翘曲了的裸晶圆。
在使上述翘曲调整层收缩后，在翘曲了的裸晶圆的未层叠上述翘曲调整层的那一侧贴附晶圆加工用带(日东电工株式会社制、商品名“V-12SR2”)，然后，借助上述晶圆加工用带将切割环固定在翘曲了的裸晶圆上。之后，从翘曲了的裸晶圆除去上述翘曲调整层。
使用切割装置(DISCO公司制、型号6361)，在翘曲了的裸晶圆的除去了上述翘曲调整层的整个面(以下称为一个面)上以格子状(宽度20μm)形成从该面起深100μm的槽。
之后，在翘曲了的裸晶圆的一个面上贴合背面研磨带，从翘曲了的裸晶圆的另一面(与上述一个面处于相反侧的面)除去上述晶圆加工用带。
之后，使用背面研磨机(DISCO公司制、型号DGP8760)从另一面侧对翘曲了的裸晶圆进行磨削，直至翘曲了的裸晶圆的厚度达到55μm(0.055mm)为止，将所得到的晶圆作为翘曲晶圆。
详细而言，如下所述地评价芯片接合层的浮起。
对于实施例1的切割芯片接合薄膜，用显微镜观察芯片接合层从切割带浮起的部分的面积(将芯片接合层整体面积设为100％时的、浮起的芯片接合层的面积的比例)，计算芯片接合层的浮起的面积。之后，将芯片接合层的浮起的面积小于30％的情况评价为〇，将为30％以上的情况评价为×。
(切口维持性的评价)
在实施例1的切割芯片接合薄膜上贴附裸晶圆(直径300mm)及切割环。之后，使用芯片分离装置DDS230(DISCO公司制)进行裸晶圆及芯片接合层的切断，对切断后的切口维持性进行评价。
裸晶圆被切成大小为长度12mm×宽度4mm×厚度0.055mm的裸芯片。
需要说明的是，作为裸晶圆，使用翘曲晶圆。翘曲晶圆是进行与上述同样的操作而制作的。
详细而言，如下所述地评价切口维持性。
首先，利用冷扩展单元在扩展温度-5℃、扩展速度100mm/秒、扩展量12mm的条件下切断半导体晶圆及芯片接合层，得到多个带有芯片接合层的半导体芯片。在切断后，通过显微镜观察来测定多个带有芯片接合层的翘曲芯片间的间隔(以下称为切断后芯片间隔)。通过测定任意的10个点的间隔并进行算术平均，从而求出多个带有芯片接合层的翘曲芯片间的间隔。
之后，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量5mm的条件下进行常温扩展。然后，在维持扩展状态的情况下，在加热温度200℃、加热距离18mm、旋转速度5°/秒的条件下使处于与半导体晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。在热收缩后，通过显微镜观察来测定多个带有芯片接合层的半导体芯片间的间隔(以下称为热收缩后芯片间隔)。测定任意的10个点的间隔并进行算术平均，从而求出多个带有芯片接合层的半导体芯片间的间隔。
之后计算热收缩后芯片间隔相对于切断后芯片间隔的减少比率。并且，将减少比率小于10％的情况评价为〇，将减少比率为10％以上的情况评价为×。
(熔点的测定)
对于作为A层及C层的树脂的WINTEC WXK1233、以及作为B层的树脂的EvaflexEV250测定熔点。所测定的熔点示于以下的表1。
按照以下的条件进行熔点的测定。
即，使用差示扫描量热计装置(TA INSTRUMENTS公司制型号DSC Q2000)，在氮气气流下以升温速度5℃/分钟升温到200℃，求出吸热峰的峰值温度，从而测定。
(数均分子量、质均分子量、及分子量分散度的测定)
按照以下的条件测定作为A层及C层的树脂的WINTEC WXK1233的数均分子量及质均分子量。
另外，由按照以下的条件测定的数均分子量及质均分子量求出WINTEC WXK1233的分子量分散度(质均分子量/数均分子量)。
·测定装置：Waster公司制、型号“Alliance GPC 2000型”
·柱：将2根TSkgel GMH6-HT(东曹公司制)串联连接、并且在下游侧进一步串联连接2根TSKgel GMH-HTL而成
·柱尺寸：TSKgel GMH6-HT及TSKgel GMH-HTL均为内径7.5mm×长度300mm
·柱温度：140℃
·流速：1.0mL/分钟
·洗脱液：邻二氯苯
·样品制备浓度：0.10质量％(溶解于邻二氯苯)
·样品注入量：40μL
·检测器：RI(差示折射计)
·标准试样：聚苯乙烯
[实施例2]
将基材设为80μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例2的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例2的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[实施例3]
将基材设为150μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例3的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例3的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[实施例4]
将构成基材的B层(中心层)的树脂设为Evaflex EV550(Mitsui DuPontPolychemical Co.,Ltd.制)，将基材设为80μm，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例4的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例4的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
进一步地，对于Evaflex EV550，与实施例1同样地测定熔点。所测定的熔点示于以下的表1。
[实施例5]
将B层的树脂设为丙烯系弹性体(商品名：Vistamaxx3980、ExxonMobil Chemicalcompany制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例5的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例5的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
进一步地，对于Vistamaxx3980，与实施例1同样地测定熔点。所测定的熔点示于以下的表1。
[实施例6]
将基材的厚度设为80μm，将基材的层厚比设为A层：B层：C层＝1：4：1，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例6的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例6的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[实施例7]
将基材的厚度设为80μm，将基材的层厚比设为A层：B层：C层＝1：20：1，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例7的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例7的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[实施例8]
将构成基材的A层及C层(外层)的茂金属PP设为WINTEC WMX03(日本聚丙烯株式会社制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到实施例8的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于实施例8的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[比较例1]
将构成基材的A层及C层(外层)的树脂设为非茂金属无规PP(商品名：NOVATEC PPEG7FT、日本聚丙烯株式会社制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到比较例1的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性不良。
另外，对于比较例1的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
进一步地，对于NOVATEC PP EG7FT，与实施例1同样地测定熔点。所测得的熔点示于以下的表1。
[比较例2]
将构成基材的A层及C层(外层)的树脂设为非茂金属低密度聚乙烯(商品名：NOVATEC LC LC720、日本聚丙烯株式会社制)，除此以外与实施例1同样地进行，得到比较例2的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于比较例2的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
进一步地，对于NOVATEC LC LC720，与实施例1同样地测定熔点。所测定的熔点示于以下的表1。
[比较例3]
将构成基材的A层及C层(外层)的树脂设为Evaflex EV250，除此以外与实施例1同样地进行，得到比较例3的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于比较例3的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[比较例4]
将构成基材的A层、B层及C层的树脂设为Vistamaxx3980，除此以外与实施例1同样地进行，得到比较例4的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于比较例4的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口的维持性。
[比较例5]
将构成基材的B层的树脂设为WINTEC WXK1233，除此以外与实施例1同样地进行，得到比较例5的切割芯片接合薄膜。需要说明的是，基材的共挤出成型性良好。
另外，对于比较例5的切割芯片接合薄膜，与实施例1同样地评价切断性、芯片接合层的浮起及切口维持性。
对于各例的切割芯片接合薄膜，将关于基材的共挤出性、切断性、芯片接合层的浮起及切口维持性的评价结果示于以下的表1。
【表1】
Figure BDA0002522711950000321
由表1可知，实施例1～8的切割芯片接合薄膜的、基材的共挤出成型性良好，切断性优异，可以抑制芯片接合层的浮起，并且切口维持性良好。
与此相对地，可知：比较例1的切割芯片接合薄膜的切断性优异，可以抑制芯片接合层的浮起，但是基材的共挤出性不良，不能充分维持切口。
另外可知，比较例2的切割芯片接合薄膜的、基材的共挤出成型性良好，切断性优异，可以抑制芯片接合层的浮起，但是不能充分维持切口。
还可知，比较例3及4的切割芯片接合薄膜的、基材的共挤出成型性良好，切断性优异，但是不能充分抑制芯片接合层的浮起，不能充分维持切口。
另外可知，比较例5的切割芯片接合薄膜的、基材的共挤出成型性良好，但是切断性不良，不能充分抑制芯片接合层的浮起，不能充分维持切口。
需要说明的是，虽然表1揭示的结果是关于切割芯片接合薄膜的，但是，可以预测切割芯片接合薄膜所含的切割带也可得到与表1所示的结果同样的结果。

Claims (8)

1.一种切割带，其在基材上层叠有粘合剂层，
所述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在所述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其在与所述第1树脂层相反侧层叠于所述第2树脂层，
所述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于所述第1树脂层及所述第3树脂层。
2.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述第1树脂具有115℃以上且130℃以下的熔点。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，所述第1树脂的质均分子量为100000以上且1000000以下、数均分子量为20000以上且600000以下。
4.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，所述第1树脂包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂。
5.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，所述基材的厚度为60μm以上且160μm以下，
所述第1树脂层的厚度相对于所述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围，
所述第3树脂层的厚度相对于所述第2树脂层的厚度之比处于1/4～1/20的范围。
6.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，所述第2树脂层包含α-烯烃系热塑性弹性体。
7.根据权利要求6所述的切割带，其中，所述α-烯烃系热塑性弹性体包含α-烯烃的均聚物或α-烯烃的共聚物中的至少1种。
8.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
权利要求1至7中任一项所述的切割带、和
层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层。
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