CN111996586A - 一种筒式单晶炉的半导体石墨热场 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,包括安装仓A,所述安装仓A内部的顶部设置有安装仓B,所述安装仓B内部的顶部设置有导流筒,所述导流筒的底部设置有安装环,所述安装仓B内部底部的一侧设置有伺服电机B,所述伺服电机B的输出端贯穿至安装环的内部并设置有转轴,所述转轴外侧的中间位置处设置有圆形挡板,且圆形挡板与安装环相互适配,所述安装仓A内部顶部的两侧对称设置有滑轨;本发明装置通过安装块、伺服电机A、螺纹杆、内螺纹套块、安装盖、滑动块和滑动杆的相互配合,可方便操作人员打开,使操作人员只需一个操作步骤就可打开放置物料,从而增加该装置的便捷性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体石墨热场技术领域,具体为一种筒式单晶炉的半导体石墨热场。
背景技术
普通方法拉制的单晶,不同晶向,不同掺杂源表现的电阻率均匀性(RRV)不同,由于硼和磷在硅晶体中的固有分凝系数的存在,RRV的存在是不可避免的,目前硅单晶拉制通常采用单晶炉进行,将多晶原料放入到单晶炉内部的石英坩埚中,经设置在单晶炉内部的加热器的加热作用下,形成热场使多晶原料熔化,放入籽晶到石英坩埚中使其生长为硅单晶;
现有装置存在以下问题:
1、现有的装置放置物料时,大多数都还需手动的进行多组的螺栓拧动,才能打开放置物料,从而增加该装置的繁琐性;
2、现有的装置其内部结构较为单一,对其内部温度的保持较为不明显,从而增加该装置的能源消耗,同时降低物料质量;
3、现有的装置其内部结构大多都是一体式的,在对其内部进行清洗时较为不便,从而增加操作人员工作时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,以解决上述背景技术中提出现有装置存在以下问题:1、现有的装置放置物料时,大多数都还需手动的进行多组的螺栓拧动,才能打开放置物料,从而增加该装置的繁琐性;2、现有的装置其内部结构较为单一,对其内部温度的保持较为不明显,从而增加该装置的能源消耗,同时降低物料质量;3、现有的装置其内部结构大多都是一体式的,在对其内部进行清洗时较为不便,从而增加操作人员工作时间的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,包括安装仓A,所述安装仓A内部的顶部设置有安装仓B,所述安装仓B内部的顶部设置有导流筒,所述导流筒的底部设置有安装环,所述安装仓B内部底部的一侧设置有伺服电机B,所述伺服电机B的输出端贯穿至安装环的内部并设置有转轴,所述转轴外侧的中间位置处设置有圆形挡板,且圆形挡板与安装环相互适配,所述安装仓A内部顶部的两侧对称设置有滑轨,两组所述滑轨的内部皆设置有与其相互配合的滑块,两组所述滑块相互靠近的一侧共同设置有坩埚,所述坩埚底部的中间位置处设置有坩埚轴,且坩埚轴延伸至安装仓A的外部,所述坩埚轴的两侧对称设置有螺栓,且螺栓与坩埚相互适配,所述安装仓A的顶部设置有安装盖,所述安装仓A两侧的顶部对称设置有安装块,一组所述安装块的顶部设置有伺服电机A,所述伺服电机A的输出端设置有螺纹杆,所述螺纹杆的外侧套设有内螺纹套块,且内螺纹套块与安装盖相互连接,另一组所述安装块的顶部设置有滑动杆,所述滑动杆的外侧套设有滑动块,且滑动块与安装盖相互连接,所述安装仓A正面一端的底部设置有控制面板,所述控制面板通过导线分别与伺服电机A和安装块电连接。
优选的,所述螺纹杆和滑动杆的顶部皆设置有挡块,且挡块分别与内螺纹套块和滑动块相互适配。
优选的,所述安装仓A底部的四角处皆设置有支撑柱,且支撑柱的底部设置有防滑垫。
优选的,所述伺服电机A和伺服电机B的外侧皆设置有保护仓,且保护仓的内部设置有减震消音棉。
优选的,所述坩埚内部的底部设置有内螺纹孔,且内螺纹孔与螺栓相互适配。
优选的,所述安装仓A的背面一端设置有仓门,且仓门的正面一端设置有把手。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:该筒式单晶炉的半导体石墨热可方便操作人员打开,还可减少坩埚内部温度的扩散,并且可方便操作人员对坩埚的内部进行清洗;
1、通过安装块、伺服电机A、螺纹杆、内螺纹套块、安装盖、滑动块和滑动杆的相互配合,可方便操作人员打开,使操作人员只需一个操作步骤就可打开放置物料,从而增加该装置的便捷性;
2、通过导流筒、安装环、坩埚、伺服电机B、转轴和圆形挡板的相互配合,可减少坩埚内部温度的扩散,从而减少该装置消耗能耗,同时还对物料的质量进行一定提升;
3、通过安装仓A、螺栓、坩埚、滑块和滑轨的相互配合,可方便操作人员对坩埚的内部进行清洗,从而增加该装置的舒适性。
附图说明
图1为本发明的主视剖视图;
图2为本发明的主视图;
图3为本发明的背视图;
图4为本发明的导流筒的俯视图。
图中:1、安装仓A;2、螺栓;3、坩埚轴;4、坩埚;5、滑块;6、安装块;7、伺服电机A;8、内螺纹套块;9、螺纹杆;10、安装盖;11、导流筒;12、转轴;13、滑动杆;14、滑动块;15、安装仓B;16、伺服电机B;17、圆形挡板;18、安装环;19、滑轨;20、控制面板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4,本发明提供的实施例:一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,包括安装仓A1,安装仓A1内部的顶部设置有安装仓B15,安装仓B15内部的顶部设置有导流筒11,导流筒11的底部设置有安装环18,安装仓B15内部底部的一侧设置有伺服电机B16,伺服电机B16的输出端贯穿至安装环18的内部并设置有转轴12,转轴12外侧的中间位置处设置有圆形挡板17,且圆形挡板17与安装环18相互适配,可减少坩埚4内部温度的扩散,从而减少该装置消耗能耗,同时还对物料的质量进行一定提升,安装仓A1内部顶部的两侧对称设置有滑轨19,两组滑轨19的内部皆设置有与其相互配合的滑块5,两组滑块5相互靠近的一侧共同设置有坩埚4,坩埚4底部的中间位置处设置有坩埚轴3,且坩埚轴3延伸至安装仓A1的外部,坩埚轴3的两侧对称设置有螺栓2,且螺栓2与坩埚4相互适配,可方便操作人员对坩埚4的内部进行清洗,从而增加该装置的舒适性,安装仓A1的顶部设置有安装盖10,安装仓A1两侧的顶部对称设置有安装块6,一组安装块6的顶部设置有伺服电机A7,伺服电机A7的输出端设置有螺纹杆9,螺纹杆9的外侧套设有内螺纹套块8,且内螺纹套块8与安装盖10相互连接,另一组安装块6的顶部设置有滑动杆13,滑动杆13的外侧套设有滑动块14,且滑动块14与安装盖10相互连接,可方便操作人员打开,使操作人员只需一个操作步骤就可打开放置物料,从而增加该装置的便捷性,安装仓A1正面一端的底部设置有控制面板20,控制面板20通过导线分别与伺服电机A7和安装块6电连接。
进一步的,螺纹杆9和滑动杆13的顶部皆设置有挡块,且挡块分别与内螺纹套块8和滑动块14相互适配,便于定位。
进一步的,安装仓A1底部的四角处皆设置有支撑柱,且支撑柱的底部设置有防滑垫,防止滑动。
进一步的,伺服电机A7和伺服电机B16的外侧皆设置有保护仓,且保护仓的内部设置有减震消音棉,便于保护。
进一步的,坩埚4内部的底部设置有内螺纹孔,且内螺纹孔与螺栓2相互适配,便于固定拆卸。
进一步的,安装仓A1的背面一端设置有仓门,且仓门的正面一端设置有把手,便于打开。
工作原理:该装置用电部件皆由外接电源进行供电,首先将该装置移动到指定位置处,接通电源打开控制面板20;
在使用时,先通过控制面板20打开安装块6顶部安装的伺服电机A7,通过伺服电机A7的工作带动螺纹杆9进行转动,通过螺纹杆9带动内螺纹套块8进行上下移动,使内螺纹套块8带动安装盖10进行上下移动,通过安装盖10在带动滑动块14在滑动杆13的外侧进行滑动,通过概不部件的配合可方便操作人员打开,使操作人员只需一个操作步骤就可打开放置物料,从而增加该装置的便捷性;
在工作时,物料通过导流筒11进入安装环18的内部,在通过安装环18进入坩埚4的内部,当物料放置完成后,通过伺服电机B16带动转轴12进行转动,通过转轴12带动圆形挡板17进行转动,使圆形挡板17对安装环18形成密封,通过该部件的配合可减少坩埚4内部温度的扩散,从而减少该装置消耗能耗,同时还对物料的质量进行一定提升;
当该装置工作完成后,通过打开安装仓A1背面一端的仓门,拧动螺栓2解除对坩埚4的控制,通过拉动坩埚4带动滑块5在滑轨19的内部进行滑动,从而取出坩埚4,通过该部件的配合可方便操作人员对坩埚4的内部进行清洗,从而增加该装置的舒适性。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (6)
1.一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,包括安装仓A(1),其特征在于:所述安装仓A(1)内部的顶部设置有安装仓B(15),所述安装仓B(15)内部的顶部设置有导流筒(11),所述导流筒(11)的底部设置有安装环(18),所述安装仓B(15)内部底部的一侧设置有伺服电机B(16),所述伺服电机B(16)的输出端贯穿至安装环(18)的内部并设置有转轴(12),所述转轴(12)外侧的中间位置处设置有圆形挡板(17),且圆形挡板(17)与安装环(18)相互适配,所述安装仓A(1)内部顶部的两侧对称设置有滑轨(19),两组所述滑轨(19)的内部皆设置有与其相互配合的滑块(5),两组所述滑块(5)相互靠近的一侧共同设置有坩埚(4),所述坩埚(4)底部的中间位置处设置有坩埚轴(3),且坩埚轴(3)延伸至安装仓A(1)的外部,所述坩埚轴(3)的两侧对称设置有螺栓(2),且螺栓(2)与坩埚(4)相互适配,所述安装仓A(1)的顶部设置有安装盖(10),所述安装仓A(1)两侧的顶部对称设置有安装块(6),一组所述安装块(6)的顶部设置有伺服电机A(7),所述伺服电机A(7)的输出端设置有螺纹杆(9),所述螺纹杆(9)的外侧套设有内螺纹套块(8),且内螺纹套块(8)与安装盖(10)相互连接,另一组所述安装块(6)的顶部设置有滑动杆(13),所述滑动杆(13)的外侧套设有滑动块(14),且滑动块(14)与安装盖(10)相互连接,所述安装仓A(1)正面一端的底部设置有控制面板(20),所述控制面板(20)通过导线分别与伺服电机A(7)和安装块(6)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,其特征在于:所述螺纹杆(9)和滑动杆(13)的顶部皆设置有挡块,且挡块分别与内螺纹套块(8)和滑动块(14)相互适配。
3.根据权利要求1所述的一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,其特征在于:所述安装仓A(1)底部的四角处皆设置有支撑柱,且支撑柱的底部设置有防滑垫。
4.根据权利要求1所述的一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,其特征在于:所述伺服电机A(7)和伺服电机B(16)的外侧皆设置有保护仓,且保护仓的内部设置有减震消音棉。
5.根据权利要求1所述的一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,其特征在于:所述坩埚(4)内部的底部设置有内螺纹孔,且内螺纹孔与螺栓(2)相互适配。
6.根据权利要求1所述的一种筒式单晶炉的半导体石墨热场,其特征在于:所述安装仓A(1)的背面一端设置有仓门,且仓门的正面一端设置有把手。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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