CN208121238U - 一种升降式单晶硅炉 - Google Patents

一种升降式单晶硅炉 Download PDF

Info

Publication number
CN208121238U
CN208121238U CN201820375585.9U CN201820375585U CN208121238U CN 208121238 U CN208121238 U CN 208121238U CN 201820375585 U CN201820375585 U CN 201820375585U CN 208121238 U CN208121238 U CN 208121238U
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
furnace body
lower furnace
lift
mounting base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201820375585.9U
Other languages
English (en)
Inventor
罗乾
陈健
陈立民
韩永龙
文淑梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SOLARGIGA ENERGY (QINGHAI) Co Ltd
Original Assignee
SOLARGIGA ENERGY (QINGHAI) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SOLARGIGA ENERGY (QINGHAI) Co Ltd filed Critical SOLARGIGA ENERGY (QINGHAI) Co Ltd
Priority to CN201820375585.9U priority Critical patent/CN208121238U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208121238U publication Critical patent/CN208121238U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型公布了一种升降式单晶硅炉,包括下炉体和上炉盖,所述上炉盖上设置有提拉组件,下炉体上设置有导流筒;所述的下炉体内有内腔,所述内腔内设置有坩埚,所述的坩埚为中部内凹结构,其内凹处设置有石墨加热器,所述石墨加热器底部设有支撑杆,所述支撑杆通过安装座固定于下炉体上,所述支撑杆外套设有十字套管,所述十字套管上设置有齿轮部件,坩埚通过连接杆连接于十字套管;所述安装座上设置有电机,所述电机与齿轮部件通过驱动齿条连接;安装座的底部设置有气缸。提供一种升降式单晶硅炉,解决现有单炉炼制导致能源浪费和工作效率低的问题,该硅炉具有生产效率高、成品率高、加工成本低的优点。

Description

一种升降式单晶硅炉
技术领域
本实用新型属于单晶硅制备领域,具体为一种升降式单晶硅炉。
背景技术
单晶硅,即硅的单晶体,是一种比较活泼的非金属元素,具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,用高纯度的多晶硅在长晶炉(单晶炉)内拉制而成,纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。
单晶硅炉主要用于生产硅半导体材料和太阳能级硅材料,目前国内主要用于生产太阳能电池的主要材料-单晶硅棒,单晶硅炉主要包括用于生产合成硅材料的机械炉室、电器控制柜和主要的石墨热场***。设备主要运行原理是通过石墨热场在机械炉室内把硅料熔化成液态,在电器控制柜的自动控制下在主炉室内合成制备凝结成单晶硅棒。
现有的升降式单晶硅炉,均为一台硅炉提炼一个硅晶,每次提炼需要3-5天时间,单个炉炼在加料、加热以及开炉方面造成了能源的浪费和重复性工序流程,还极大的影响工作效率,因此亟需一种改进后的单晶硅炉以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对以上问题,提供一种升降式单晶硅炉,解决现有单炉炼制导致能源浪费和工作效率低的问题,该硅炉具有生产效率高、成品率高、加工成本低的优点。
为实现以上目的,本实用新型采用的技术方案是:一种升降式单晶硅炉,包括下炉体和上炉盖,所述上炉盖上设置有提拉组件,下炉体上设置有导流筒;所述的下炉体内有内腔,所述内腔内设置有坩埚,所述的坩埚为中部内凹结构,其内凹处设置有石墨加热器,所述石墨加热器底部设有支撑杆,所述支撑杆通过安装座固定于下炉体上,所述支撑杆外套设有十字套管,所述十字套管上设置有齿轮部件,坩埚通过连接杆连接于十字套管;所述安装座上设置有电机,所述电机与齿轮部件通过驱动齿条连接;安装座的底部设置有气缸。
进一步的,所述的石墨加热器为U型结构,内部设有螺旋盘状的石墨管。
进一步的,所述的导流筒与坩埚结构相同,位于坩埚上端。
进一步的,所述下炉体与内腔之间设置有保温层。
本实用新型的有益效果:本实用新型提供一种升降式单晶硅炉,解决现有单炉炼制导致能源浪费和工作效率低的问题,该硅炉具有生产效率高、成品率高、加工成本低的优点。
1.坩埚采用其截面为迂回型结构,通过利用在中部内凹处进行旋转式加热,实现在大型坩埚内均匀受热,保证位于坩埚内的硅料熔点温度值处于一致状态;
2.本实用新型保温效果好,可实现一炉炼制多根单晶硅棒,减少开炉次数,无需重复性进行多次加热,同时便于连续操作。
附图说明
图1为本实用新型的内部结构示意图。
图2为图1的局部放大结构示意图。
图中所述文字标注表示为:1、下炉体;2、上炉盖;3、提拉组件;4、导流筒;5、内腔;6、坩埚;7、石墨加热器;8、支撑杆;9、安装座;10、十字套管;11、齿轮部件;12、连接杆;13、电机;14、驱动齿条;15、气缸;16、保温层;71、石墨管。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
如图1-2所示,本实用新型的具体结构为:一种升降式单晶硅炉,包括下炉体1和上炉盖2,所述上炉盖2上设置有提拉组件3,下炉体1上设置有导流筒4;所述的下炉体1内有内腔5,所述内腔5内设置有坩埚6,所述的坩埚6为中部内凹结构,其内凹处设置有石墨加热器7,所述石墨加热器7底部设有支撑杆8,所述支撑杆8通过安装座9固定于下炉体1上,所述支撑杆8外套设有十字套管10,所述十字套管10上设置有齿轮部件11,坩埚6通过连接杆12连接于十字套管10;所述安装座9上设置有电机13,所述电机13与齿轮部件11通过驱动齿条14连接;安装座9的底部设置有气缸15。
优选的,所述的石墨加热器7为U型结构,内部设有螺旋盘状的石墨管71。
优选的,所述的导流筒4与坩埚6结构相同,位于坩埚6上端。
优选的,所述下炉体1与内腔5之间设置有保温层16。
本实用新型使用原理:通过气缸15和电机13带动十字套管10旋转,完成对坩埚6进行举托和旋转,使坩埚6在石墨加热器7中进行旋转式加热,加快硅料的熔融速度,同时实现一炉多制,减少开炉所造成的热量浪费以及在拉晶后进行多次冷却。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,由于文字表达的有限性,而客观上存在无限的具体结构,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进、润饰或变化,也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合;这些改进润饰、变化或组合,或未经改进将实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均应视为本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种升降式单晶硅炉,包括下炉体(1)和上炉盖(2),所述上炉盖(2)上设置有提拉组件(3),下炉体(1)上设置有导流筒(4);其特征在于,所述的下炉体(1)内有内腔(5),所述内腔(5)内设置有坩埚(6),所述的坩埚(6)为中部内凹结构,其内凹处设置有石墨加热器(7),所述石墨加热器(7)底部设有支撑杆(8),所述支撑杆(8)通过安装座(9)固定于下炉体(1)上,所述支撑杆(8)外套设有十字套管(10),所述十字套管(10)上设置有齿轮部件(11),坩埚(6)通过连接杆(12)连接于十字套管(10);所述安装座(9)上设置有电机(13),所述电机(13)与齿轮部件(11)通过驱动齿条(14)连接;安装座(9)的底部设置有气缸(15)。
2.根据权利要求1所述一种升降式单晶硅炉,其特征在于,所述的石墨加热器(7)为U型结构,内部设有螺旋盘状的石墨管(71)。
3.根据权利要求1所述一种升降式单晶硅炉,其特征在于,所述的导流筒(4)与坩埚(6)结构相同,位于坩埚(6)上端。
4.根据权利要求1所述一种升降式单晶硅炉,其特征在于,所述下炉体(1)与内腔(5)之间设置有保温层(16)。
CN201820375585.9U 2018-03-20 2018-03-20 一种升降式单晶硅炉 Expired - Fee Related CN208121238U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820375585.9U CN208121238U (zh) 2018-03-20 2018-03-20 一种升降式单晶硅炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820375585.9U CN208121238U (zh) 2018-03-20 2018-03-20 一种升降式单晶硅炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208121238U true CN208121238U (zh) 2018-11-20

Family

ID=64199274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201820375585.9U Expired - Fee Related CN208121238U (zh) 2018-03-20 2018-03-20 一种升降式单晶硅炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208121238U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100464149C (zh) 多晶硅铸锭炉的热场结构
CN201473323U (zh) 一种有效控制热场的多晶硅铸锭炉
CN101323972B (zh) 一种多晶硅定向凝固设备
CN208121235U (zh) 一种单晶硅炉观察窗
CN206157273U (zh) 一种新型单晶炉
EP3760767A1 (en) Ingot furnace for directional solidification growth of crystalline silicon and application
CN102162125A (zh) 多晶硅铸锭炉热场结构
CN204251762U (zh) 一种单晶炉热场结构
CN110219046A (zh) 一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及生长方法
CN104372407B (zh) 一种晶体硅定向凝固生长设备和方法
CN206624946U (zh) 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
CN208121236U (zh) 一种单晶硅炉
CN210711818U (zh) 一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置
CN208121238U (zh) 一种升降式单晶硅炉
CN202164386U (zh) 超高纯锗单晶炉
CN205313716U (zh) 一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构
CN101913606B (zh) 一种多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置
CN202131396U (zh) 带导气环的晶体生长炉热场装置
CN103993355B (zh) CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置
CN103526278B (zh) 一种铸造单晶硅锭的方法与装置
CN202785671U (zh) 一种反向诱导凝固提纯多晶硅的设备
CN208685104U (zh) 一种多坩埚晶体生长炉
CN203144555U (zh) 一种多晶硅铸锭炉底部电磁感应加热***
CN208121239U (zh) 一种单晶硅炉炉盖
CN208618005U (zh) 一种太阳能单晶热场隔热装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181120

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee