CN111785709A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111785709A CN111785709A CN202010712845.9A CN202010712845A CN111785709A CN 111785709 A CN111785709 A CN 111785709A CN 202010712845 A CN202010712845 A CN 202010712845A CN 111785709 A CN111785709 A CN 111785709A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- wiring layer
- wiring
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- QWZBTFSQDQBZLB-UHFFFAOYSA-N gallium neodymium Chemical compound [Ga].[Nd] QWZBTFSQDQBZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光装置。该发光装置具有:配线基板,其具有基材、和在所述基材的上表面配置的正负的配线层;发光元件,其安装在所述配线层上;保护膜,其覆盖所述基材、所述配线层以及所述发光元件,沿着所述配线基板的上表面和所述发光元件的表面形成,并且形成发光装置的外表面。所述配线层比所述配线基板的外缘靠内侧。
Description
本申请是申请日为2016年10月28日、申请号为201610971163.3、发明名称为“发光装置及发光模块的制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有低耗电、长寿命、高可靠性等多个优点,作为发光元件而在各种照明及背光灯用光源等发光装置中被广泛利用。专利文献1所示的发光装置将发出紫外线区域的波长的光(以下也记为紫外光)的发光元件安装在具有凹部的基板上,通过玻璃等透明板将凹部的开口密封。
例如参照(日本)特开2008-78586号公报
但是,专利文献1所示的发光装置由于基板具有凹部,难以将发光装置小型化。另外,为了将透明板固定在基板上,使得构成变得复杂,会导致材料成本增加。
发明内容
因此,本发明的实施方式的目的在于提供一种小型且构造简单,并且可靠性高的发光装置。
本发明的发光装置具有:一种发光装置。该发光装置具有:配线基板,其具有基材、和在所述基材的上表面配置的正负的配线层;发光元件,其安装在所述配线层上;保护膜,其覆盖所述基材、所述配线层以及所述发光元件,沿着所述配线基板的上表面和所述发光元件的表面形成,并且形成发光装置的外表面。所述配线层比所述配线基板的外缘靠内侧。
本发明的另一发光装置具有:配线基板,其具有基材、和在所述基材的上表面配置的正负的配线层;发光元件,其倒装片安装在所述配线层上;保护膜,其由无机材料构成,覆盖所述基材、所述配线层及所述发光元件并且形成发光装置的外表面,所述配线层的外缘层为曲线,该曲线的曲率大致一定。
另外,本发明的发光模块的制造方法具有如下的工序:准备发光装置,该发光装置具有:配线基板,其具有基材和在所述基材上的中央部配置的配线层;发光元件,其与所述配线层相接合;保护膜,其由无机材料形成,覆盖所述基材、所述配线层及所述发光元件;准备安装基板,该安装基板用于配置所述发光装置;准备喷嘴,平面看,该喷嘴的开口直径为所述配线层以上;以所述喷嘴与所述基材上的所述保护膜接触的方式,由所述喷嘴吸附所述发光装置并将所述发光装置配置在所述安装基板上。
根据本发明的构成,能够形成为小型且构造简单,可靠性高的发光装置。另外,根据本发明的制造方法,能够形成可靠性高的发光模块。
附图说明
下面结合附图,参考以下具体描述可以获得对本发明的更完整的理解和其具有的很多优点的理解,其中:
图1是本发明实施方式1的发光装置的概略立体图;
图2A是本发明实施方式1的发光装置的概略平面图,另外,在图2A中,为了使附图清楚,将保护膜透视表示;
图2B是使用有具有形状与图2A不同的配线层的配线基板的发光装置的概略平面图,另外,在图2B中,为了使附图清楚,将保护膜透视表示;
图2C是从背面侧看到的本发明实施方式1的发光装置的概略平面图;
图3是图1所示的发光装置的A-A′的概略剖面图;
图4是本发明实施方式1的发光模块的概略剖面图;
图5A是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置准备工序的概略剖面图;
图5B是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示安装基板准备工序的概略剖面图;
图5C是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示喷嘴准备工序的概略侧面图;
图5D是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置配置工序的概略剖面图;
图5E是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置配置工序的概略剖面图;
图6A是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置的配线基板的配线层的平面形状、和配线基板上的喷嘴的接触位置的概略平面图;
图6B是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置的配线基板的配线层的平面形状和配线基板上的喷嘴的接触位置的概略平面图;
图6C是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置的配线基板的配线层的平面形状和配线基板上的喷嘴的接触位置的概略平面图;
图7是表示使用了开口形状与图5D不同的喷嘴的实施方式2的发光装置配置工序的概略剖面图。
具体实施方式
下面参考附图描述实施方式,其中,在各附图中,相同的参考标记代表相对应或相同的元件。
以下说明的发光装置及发光模块的制造方法是用于将实施方式的技术思想具体化,并不限定于以下方式。特别是,构成零件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等只要没有特定的记载,就不将本发明的范围仅限定于此。另外,各附图所示的部件的大小及位置关系等为了使说明明确而会夸大。另外,以下记载的实施方式及实施例能够将各构成等适当组合而适用。
<实施方式1>
(发光装置)
图1是本发明实施方式1的发光装置的概略立体图。图2A是本发明实施方式1的发光装置的概略平面图。图2B是使用了具有形状与图2A不同的配线层的配线基板的发光装置的概略平面图。另外,在图2A及图2B中,为了将图清楚而将保护膜透视表示。图2C是从背面侧看到的本发明实施方式1的发光装置的概略平面图。图3是图1所示的发光装置的A-A′的概略剖面图。如图1所示,实施方式1的发光装置100在配线基板10上倒装片安装有发光元件20。
配线基板10为平板状,具有基材11、至少设置在基材11的上表面的正负的配线层12。这样,通过使用平板状的配线基板10,与使用具有凹部的配线基板的情况相比,能够将发光装置小型化。
配线层12如图2A所示地,平面看,面向配线基板10外侧的边(以下记为“配线层的外缘12S”)为曲线,该曲线的曲率大致一定。另外,虽然优选配线层的外缘12S的整周为上述那样的曲线,但配线层的外缘12S的至少80%以上、更优选为90%以上为上述那样的曲线即可,也可以为一部分是与上述的曲线不同的曲率的曲线或直线。
在实施方式1中,配线层12的平面形状例如可形成为大致圆形。在此,“配线层12的平面形状”不是指分开配置的正、负的配线层12各自的平面形状,而是如图2A中虚线所示地,是指将正负的配线层12作为一个集合而看时的平面形状、即平面看将配线层的外缘12S组合而形成的形状。
在实施方式1中,如图2A所示,上述那样的平面形状为圆形的配线层12配置在平面看为矩形的配线基板10的上表面的中央部。因此,配线基板10的上表面由中央部的正负的配线层12、正负的配线层12之间以及配线层12外侧的基材11构成。
更具体地,在实施方式1中,如图1及图2A所示,在基材11上设有正负两个配线层12。正负的配线层12分别面向配线基板10外侧的边为曲线,该曲线的曲率大致相等,配线层12的平面形状为圆形。这样,设有正负一对的配线层12的配线基板10的配线层12的形状不复杂,容易形成图案。另外,与设有多对配线层的配线基板相比,能够将一个配线层的面积设置得较大,故而能够提高每一个配线层的散热性,能够形成为散热性良好的发光装置。
另外,不限于上述构成,根据安装的发光元件的电极图案,能够适当地使用具有所希望的形状及数量的配线层。例如,如图2B所示地,也可以使用设有两个以上的由正的配线层12x1和负的配线层12x2构成的一对配线层的配线基板10x。
另外,在配线基板20的上表面,也可以在配线层12的间隙之间以及配线层12外侧的区域以外使基材11露出。例如,如图1及图2A所示,也可以沿着安装的发光元件20的外缘的至少一部分、例如沿着发光元件20的角部使基材11露出。由此,容易识别发光元件11的安装位置,容易将发光元件11安装在所希望的位置。另外,能够抑制用于将发光元件11接合的粘接剂的扩展。另外,为了判断正负的配线层12,平面看,也可以在配线层的内侧使基材露出而设置阳极标志、阴极标志等。
另外,在实施方式1中,如图2C所示,在与安装有发光元件的配线基板的上表面反对侧的背面,作为背面配线层121而设有配线层。背面配线层121在将发光装置100安装于安装基板等时,用于与安装基板电连接,能够根据安装基板的配线图案等适当地设置在所希望的范围。
发光元件20如图3所示地,具有包含发光层22的半导体层21、设于同一面侧的正负的电极23。实施方式1的发光元件20通过导电性粘接剂30倒装片安装在正负的配线层12上。由此,与使用引线等进行安装的情况相比,容易将发光装置小型化。
在实施方式1中,如图2A所示,发光元件20平面看为矩形,配线层的外缘12S位于发光元件20的外侧。由此,能够将来自发光元件20的热向发光装置的外侧有效地散热。另外,在实施方式1中,发光元件20配置在配线层12的集合的中央部。即,发光元件20以发光元件20的中心到配线层的外缘12S的距离大致相等的方式配置。另外,“发光元件20的中心到配线层的外缘12S的距离大致相等”是指,也包含具有0.05mm~0.25mm左右的距离的差的情况。
如以上,通过将配线层12的平面形状形成为大致圆形,能够使发光元件20的中心到配线层的外缘12S的距离大致相等,能够使发光元件20的热向配线基板10的外侧方向均等地扩散。因此,例如,与使用配线层的平面形状为矩形的配线基板的情况相比,能够使发光元件20的热均匀地散热,容易顺畅地进行发光装置的散热。另外,在发光元件20的附近,热不易滞留,能够抑制发光元件20的劣化。
保护膜40由无机材料构成,将基材11、配线层12及发光元件20覆盖。保护膜40如图1及图3所示地将发光元件20密封,形成发光装置100的外表面。保护膜40若仅由此将发光元件20密封,则从发光装置100的小型化方面来看是优选的。实施方式1的保护膜40如图3所示,将配线基板10的上表面和发光元件20以没有孔及切缝等间隙的方式覆盖,将发光元件20和基材11及配线层12之间也覆盖。由此,能够保护发光元件20及配线基板10不受来自外部的灰尘、尘埃及水分的影响,能够防止发光元件20及配线基板10的劣化、特别是发光元件20的氧化。因此,能够提高发光装置100的可靠性。另外,实施方式1的保护膜40如图3所示地将接合有发光元件20的部分以外的配线基板10的整个上表面覆盖,但例如也可以覆盖到配线基板的上表面的外缘的内侧。即,配线基板10的上表面的外缘附近也可以从保护膜40露出一部分。另外,优选将基材11、配线层12、发光元件20无间隙地覆盖,但也可以具有例如在由溅射等形成保护膜的情况下产生的微细的间隙。另外,实施方式1的保护膜40不仅将配线基板10的上表面覆盖,也可以将配线基板10的侧面及背面覆盖。在保护膜40以覆盖配线基板10的背面的方式设置的情况下,背面配线层121从保护膜40露出而设置。
保护膜40的厚度优选为1nm~10μm左右、更优选为30nm~200nm。这样,通过使保护膜较薄,容易将发光装置小型化。
除此之外,发光装置100如图1所示地,也可以搭载有与发光元件20的通电及驱动相关联的电子零件50。特别是,作为电子零件50若具有齐纳二极管等保护元件,则能够提供通电及驱动的可靠性高的发光装置。另外,电子零件50既可以倒装片安装在配线基板上,也可以由引线等电连接。在配置电子零件50的情况下,通过保护膜40将基材11、配线层12、发光元件20、电子零件50无间隙地覆盖为好。
以上,通过将发光元件倒装片安装在平板状的配线基板上,利用由无机材料构成的保护膜将配线基板及发光元件密封,能够形成为小型且构造简单的发光装置。另外,由于配线基板的配线层的外缘为曲率一定的曲线,且以从发光元件的中心到配线层的外缘的距离相等的方式配置发光元件,能够使发光元件的热向配线基板均匀地扩散。因此,容易使发光元件的热向外部有效地散热,能够抑制由热导致的部件的劣化,故而能够形成为小型且构成简单、可靠性高的发光装置。
以下,对构成实施方式1的发光装置100的部件进行详细说明。
(配线基板)
配线基板10优选由能够将从在其上表面安装的发光元件20射出的射出光遮光的材料构成。
作为基材11的材料,列举陶瓷、树脂、玻璃等绝缘材料。特别是,从散热性的观点来看,优选作为无机材料的陶瓷。另外,通过作为基材21而使用无机材料,能够提高与由无机材料构成的保护膜的紧密贴合性。作为陶瓷,特别优选散热性高的氮化铝。
配线层12的材料只要为可与发光元件20电连接的材料就不特别限定,能够由本领域公知的材料形成。例如,能够使用铜、铝、金、银等金属。配线层12既可由镀敷、溅射及其他公知的方法形成,也可使用引线架等。
配线基板10的平面形状能够适当选择大致矩形、圆形、三角形及六边形等多边形等。
(发光元件)
发光元件20能够使用在本领域中通常使用的发光二极管、激光二极管等。例如,能够利用氮化物类半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP、GaAs等III-V族化合物半导体等各种半导体。作为电极的材料,例如能够使用Au、Ag、Cu、Pt、Al、Rh、W、Ti、Ni、Pd等金属,能够将这些金属单层或者层积多层而使用。
发光元件20除了上述的半导体层21及一对电极23之外,也可以具有用于使半导体层21成长的基板。作为基板,列举蓝宝石那样的绝缘性基板、SiC、ZnO、Si、GaAs、钻石以及与氮化物半导体晶格接合的铌酸锂、镓钕酸等氧化物基板。基板优选为透光性的。另外,基板也可以利用激光剥离法等除去。
发光元件20的发光波长不特别限定,能够适当选择所希望的发光波长。特别是,在使用与可见光相比发出紫外光(例如发光波长200nm~410nm)那样的强能量的发光元件的情况下,发出的热增多,故而需要将热更有效地扩散。因此,如实施方式1那样地,使发光元件20的中心到配线层的外缘12S的距离大致相等,形成为使热向配线基板10均等地扩散而提高发光装置的散热性那样的构成为好。由此,能够抑制由热导致的构成部件的劣化。
发光元件20的平面形状不限于矩形,也可以为六边形等多边形。特别是,若将正六边形的发光元件配置在平面形状大致为圆形的配线层上,则不仅从发光元件的中央到配线层的外缘的距离大致相等,而且与将矩形的发光元件配置在平面形状大致为圆形的配线层上的情况相比,从发光元件的外缘到配线层的外缘的距离大致相等的区域增加,故而能够使发光元件的热向外侧方向更加均匀地扩散。发光元件20的尺寸只要平面看比配线层12小,就不特别限定。
(保护膜)
作为保护膜40的材料,例如列举氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)等无机材料,特别优选氧化铝。由此,来自发光元件20的光不易被吸收,容易形成可保护发光元件20不被水分等影响的致密的保护膜40。
保护膜40在将发光元件安装在配线基板上之后,通过原子堆积法(以下也记为“ALD”(Atomic Layer Deposition))、溅射、CVD等而形成。特别是,若由ALD形成,则能够无间隙地形成均匀厚度的保护膜。因此,水分等不易从外部透过,能够形成发光元件10不易氧化的可靠性高的发光装置。
保护膜也可以形成为单层膜或2以上的不同材料构成的多层膜。若形成为多层膜,则能够提高发光元件的光的取出。例如,能够将Al2O3和SiO2以所希望的膜厚交替地层积。
(发光模块)
图4是本发明实施方式1的发光模块的概略剖面图。实施方式1的发光模块1000将上述的发光装置100安装在安装基板200上。发光模块1000例如能够作为印刷、固化、传感器用的光源而使用。
安装基板200在其表面至少具有正负的配线201,该正负的配线201、发光装置100的正负的配线层12分别电连接。在实施方式1中,在发光装置100的背面、即在配线基板10中在与安装发光元件20的面相反侧的面上设置的正负的背面配线层121、和安装基板200的正负的配线201通过导电性的粘接剂而分别接合。另外,不限于此,发光装置的配线层和安装基板的配线也可以由引线等而电连接。
接着,对发光模块1000的制造方法进行说明。
(发光模块的制造方法)
图5A是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置准备工序的概略剖面图。图5B是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示安装基板准备工序的概略剖面图。图5C是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示喷嘴准备工序的概略侧面图。图5D及图5E是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置配置工序的概略剖面图。图6A~图6C是在本发明实施方式1的发光模块的制造方法中,表示发光装置的配线基板的配线层的平面形状和配线基板上的喷嘴的接触位置的概略平面图。
在实施方式1的发光模块1000的制造方法中,首先准备发光装置,该发光装置具有:配线基板,其具有基材和在基材上的中央部配置的配线层;发光元件,其与配线层相接合;保护膜,其由无机材料构成,将基材、配线层、发光元件覆盖。另外,准备用于配置该发光装置的安装基板。另外,准备开口直径平面看比发光装置的配线基板的配线层大的喷嘴。喷嘴在例如用于电子零件等的安装的表面安装机(装配机)中是吸附电子零件的吸附喷嘴。而且,通过喷嘴吸附发光装置,将发光装置配置在安装基板上。此时,以喷嘴与基材上的保护膜接触的方式吸附发光装置。
这样,在由喷嘴吸附发光装置时,不与发光元件及配线层上的保护膜接触,从而能够防止由喷嘴接触时的冲击而使发光元件及配线层上的保护膜破裂。这样,通过防止发光元件上的保护膜的破裂,能够防止发光元件的氧化。另外,通过防止配线层上的保护膜的破裂,能够防止配线层的劣化,能够防止由劣化的配线层导致的发光元件的光的吸收等。
以下,对实施方式1的发光模块1000的制造方法的各工序进行详细地说明。
(发光装置准备工序)
在发光装置准备工序中,准备在安装基板上配置的发光装置100。发光装置100如图5A所示地,例如准备配置在压纹载带80的凹部81中的状态的构成,能够在之后的发光装置配置工序中形成为可由喷嘴吸附的状态。由此,能够将发光装置100等间隔地配置,故而在之后的发光装置配置工序中容易吸附发光装置100。
作为发光装置100,具体地,准备在具有基材11和配置于基材11上的中央部的配线层12的平板状的配线基板10上安装有发光元件20的发光装置。在此,“配置于基材11上的中央部的配线层12”是指,平面看,配线层12被基材11包围的状态。配线基板10的配线层12,平面看以后述的喷嘴的开口直径以下的大小设置。
在发光装置准备工序中,准备配线基板10的配线层12的平面形状与在喷嘴准备工序中准备的喷嘴的开口形状相同或比其小的相似形状的发光装置100为好。例如,在准备被广泛使用的开口形状为圆形的喷嘴的情况下,如图6A所示地,能够准备具有平面形状为比喷嘴的接触位置60a靠内侧的圆形的配线层12a、换言之,平面形状为喷嘴的开口直径以下大小的圆形的配线层12a的发光装置100a。除此之外,在准备开口形状为矩形的喷嘴的情况下,如图6B所示地,准备具有平面形状为比喷嘴的接触位置60b靠内侧的矩形的配线层12b、换言之,平面形状为喷嘴的开口直径以下的大小的矩形的配线层12b的发光装置100b为好。由此,在之后的发光装置配置工序中,在喷嘴不与配线层12上的保护膜接触的范围内,能够准备将配线层较大设置的发光装置。因此,容易形成防止配线层上的保护膜的破裂,确保可靠性,且散热性高的发光模块。
另外,若平面看以喷嘴的开口直径以下的大小设置,则也可以准备具有与喷嘴的开口形状不同的平面形状的配线层的发光装置。例如,在准备开口形状为圆形的喷嘴的情况下,如图6C所示,也可以准备具有平面形状为比喷嘴的接触位置60c靠内侧的矩形的配线层12c、换言之,平面形状为喷嘴的开口直径以下的矩形的配线层12c的发光装置100c。另外,如图6C所示,也可以以配线层12c不与喷嘴的接触位置重合的方式形成为将矩形的一部分角部去除的形状的配线层12c。
在此,图6A~图6C所示的喷嘴的接触位置的外缘、即喷嘴的外缘以均比发光装置的配线基板的外缘靠内侧的方式进行了图示,但也可以比配线基板的外缘靠外侧而接触。另外,在图6A~图6C中,喷嘴的开口形状和喷嘴的外缘以相同的形状进行了表示,但喷嘴的外缘的平面形状不特别限定。
在实施方式1准备的发光装置100在配线基板10的背面、即与安装发光元件20的面相反侧的面上设有用于与安装基板电连接的正负的背面配线层121。
在实施方式1中,准备如下的发光装置100,即将具有包含发光层22的半导体层21、和在同一面上设置的正负的电极23的发光元件20倒装片安装在配线基板10的配线层12上。由此,与使用引线将发光元件20接合在配线基板10上的情况相比,在之后的发光装置配置工序中,不易产生喷嘴的接触导致的断线。因此,能够成品率良好地形成发光模块1000。
另外,准备的发光装置100具有保护膜40,其由无机材料构成,覆盖配线基板10的基材11及配线层12、与配线层12相接合的发光元件20,并且形成发光装置100的外表面。
(安装基板准备工序)
在安装基板准备工序中,准备用于安装发光装置100的安装基板200。如图5B所示,安装基板200在其表面具有用于分别与在安装基板200上配置的发光装置100电连接的正负的配线201。配线201若能够与发光装置100电连接,则其构成不特别限定。在实施方式1中,准备如下的安装基板200,其在与配置于上表面的发光装置100的正负的背面配线层121对应的位置上具有正负的配线201。
在此,也可以在安装基板200的上表面的配置发光装置100的位置上配置将发光装置100接合的粘接剂70。粘接剂能够适当选择通常使用的导电性、绝缘性的材料。作为导电性的粘接剂,例如列举包含从Au、Ag、Bi、Cu、In、Pb、Sn、Zn中选择的至少一种的金属膏及共晶材料、碳膏、焊料等。作为绝缘性的粘接剂,例如列举环氧树脂、硅树脂、丙烯树脂等树脂及玻璃等。除此之外,也可以使用各向异性导电部件等。在实施方式1中,在安装基板200的正负的配线201上分别配置有导电性的粘接剂70。粘接剂70能够通过涂敷、印刷、喷雾等公知的方法适当配置。
(喷嘴准备工序)
在喷嘴准备工序中,为了在之后的发光装置配置工序中将发光装置100配置在安装基板200上,准备吸附并拾取发光装置100的喷嘴60。作为喷嘴60,能够适当使用通常在用于电子零件的安装的表面安装机(装配机)中可使用的公知的构成。在喷嘴准备工序中,如图5C所示,准备开口直径K平面看比发光装置100的配线基板10小且平面看为配线基板10的配线层12以上的大小的喷嘴60。由此,在发光装置配置工序中,能够使喷嘴60与配线基板10的基材11上的保护膜40接触而吸附发光装置100。因此,在通过喷嘴60吸附发光装置100时,配线层12上的保护膜40和喷嘴60不接触,故而能够降低由喷嘴接触时的冲击而使配线层12上的保护膜40破裂的可能性。
在实施方式1中,例如准备开口直径K比配线层12大0.05mm~0.25mm的喷嘴60为好。由此,能够进一步降低配线层12上的保护膜40破裂的可能性。另外,若开口直径K为配线基板10的配线层12以上的大小,则喷嘴的开口形状不特别限定,除了通常使用的圆形之外,能够适当选择三角形、矩形、六边形等多边形等。
进行发光装置准备工序、安装基板准备工序、喷嘴准备工序的顺序不特别限定,能够以所希望的顺序适当进行。
(发光装置配置工序)
在发光装置准备工序、安装基板准备工序、喷嘴准备工序之后,进行如下的发光装置配置工序,即,通过准备的喷嘴60吸附并拾取发光装置100并将其配置在安装基板200上。在发光装置安装工序中,如图5D所示,以喷嘴60不与发光装置100的发光元件20上的保护膜40及配线层12上的保护膜40接触的方式进行对位,由喷嘴60吸附发光装置100。即,喷嘴60以与配线层12外侧的基材11上的保护膜40接触的方式对位,通过喷嘴60吸附发光装置100。例如,喷嘴60能够以与距离配线层12的外缘0.05mm~0.25mm的基材11上的保护膜40接触的方式吸附发光装置100。这样,通过使配线层12外侧的基材11上的保护膜40和喷嘴60接触而吸附发光装置100,配线层12上的保护膜40和喷嘴60不接触,故而能够防止由于利用喷嘴60吸附发光装置100时的冲击使发光元件20及配线层12上的保护膜40破裂。特别是,在使用具有发出紫外光的发光元件的发光装置的情况下,虽然由于其热及光而容易使配线层劣化,但通过防止配线层上的保护膜的破裂,能够抑制劣化的发展。
在利用喷嘴60吸附了发光装置100之后,将发光装置100配置在安装基板200上的所希望的位置。在实施方式1中,如图5E所示,将发光装置100配置在安装基板200的配线201(粘接剂70)上。此时,以喷嘴60和发光装置100的基材11上的保护膜40接触的方式吸附发光装置100,从而能够防止由于将发光装置100配置在安装基板200时的冲击而使配线层12上的保护膜40破裂。
而且,在发光装置配置工序之后,通过适当加热等将发光装置100和安装基板200接合,从而能够形成发光模块1000。
以上,通过调整喷嘴的开口直径和发光装置的配线基板的配线层的平面看的大小,将喷嘴的接触位置设为发光装置的配线基板的基材上的保护膜,从而能够防止配线层上的保护膜的破裂。因此,能够抑制由配线层上及其附近的保护膜40的破裂引起的、发光元件20的氧化及配线层12的劣化,能够形成可靠性高的发光模块1000。
<实施方式2>
图7是表示使用了开口形状与图5D不同的喷嘴的实施方式2的发光装置配置工序的概略侧面图。在实施方式2中,使用与在实施方式1中使用的喷嘴不同形状的喷嘴。另外,准备的发光装置的构成、喷嘴准备工序及发光装置配置工序以外的工序、由其制造方法形成的发光模块的构成与实施方式1相同,故而省略详细的说明。
具体地,在实施方式2中,在喷嘴准备工序中,准备开口直径K在喷嘴61的前端和内部不同的喷嘴61。更详细地,准备的喷嘴61内部的开口直径K1在平面看比发光装置100的配线层12大,比配线基板10小。另外,准备的喷嘴61前端的开口直径K2若平面看比喷嘴61内部的开口直径K1大,则没有特别限定,例如能够形成为比配线基板10大且在发光元件准备工序中配置有发光元件的压纹载带的凹部的直径以下。
而且,如图7所示,使用上述的喷嘴61,在发光装置配置工序中,以喷嘴61与配线基板10的基材11上的保护膜40接触的方式由喷嘴61吸附发光装置100,与实施方式1同样地配置在安装基板上。
通过使用具有以上那样的开口的喷嘴61,与使用在实施方式1的发光模块的制造方法中使用的喷嘴相比,能够更加低成本地吸附、配置发光装置100。
本领域普通技术人员应该明了,已示出和描述了本发明的各种优选实施例,应该理解为:本发明不限于公开的特定实施例,其仅仅作为该创造性思路的示例,并且不应被解释为对于本发明的范围的限制,其适用于所有落入本发明所附权利要求限定的范围的修改和变化。
本发明要求2015年10月30日提交的第2015-213765号日本专利申请的优先权。该申请的全部内容合并至此作为参考。
Claims (12)
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
配线基板,其具有基材、和在所述基材的上表面配置的正负的配线层;
发光元件,其安装在所述配线层上;
保护膜,其覆盖所述基材、所述配线层以及所述发光元件,沿着所述配线基板的上表面和所述发光元件的表面形成,并且形成发光装置的外表面;
所述配线层比所述配线基板的外缘靠内侧。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述保护膜的上表面是平坦的。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述配线基板在平面看为矩形。
4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
在所述配线基板上安装有电子零件,通过所述保护膜将所述基材、所述配线层、所述发光元件和所述电子零件无间隙地覆盖。
5.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述配线层的外缘比所述配线基板的外缘靠内侧0.05mm~0.25mm以上。
6.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述配线层的平面形状大致为圆形。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
从所述发光元件的中心到所述配线层的所述外缘的距离大致相等。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述保护膜的厚度为30nm~200nm,将所述发光元件和所述基板无间隙地覆盖。
9.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述保护膜由Al2O3、SiO2、AlN、Si3N4中的任一种形成。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述保护膜将所述无机材料层积多层而构成。
11.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述发光元件将紫外线区域的波长的光射出。
12.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述发光元件射出200nm~410nm波长的光。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015213765A JP6327232B2 (ja) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | 発光装置及び発光モジュールの製造方法 |
JP2015-213765 | 2015-10-30 | ||
CN201610971163.3A CN106876374B (zh) | 2015-10-30 | 2016-10-28 | 发光装置及发光模块的制造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610971163.3A Division CN106876374B (zh) | 2015-10-30 | 2016-10-28 | 发光装置及发光模块的制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111785709A true CN111785709A (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=57211340
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610971163.3A Active CN106876374B (zh) | 2015-10-30 | 2016-10-28 | 发光装置及发光模块的制造方法 |
CN202010712845.9A Pending CN111785709A (zh) | 2015-10-30 | 2016-10-28 | 发光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610971163.3A Active CN106876374B (zh) | 2015-10-30 | 2016-10-28 | 发光装置及发光模块的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9941451B2 (zh) |
EP (2) | EP3163638B1 (zh) |
JP (1) | JP6327232B2 (zh) |
CN (2) | CN106876374B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3085210A1 (en) * | 2013-12-18 | 2016-10-26 | Koninklijke Philips N.V. | Flexible substrate with adaptable parameters for integrated led arrays |
CA3053234C (en) | 2017-04-24 | 2022-05-31 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Toothed belt |
KR20190037741A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치 |
JP7288200B2 (ja) * | 2020-07-30 | 2023-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および梱包体 |
JP7387978B2 (ja) * | 2021-04-20 | 2023-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1401137A (zh) * | 2000-12-18 | 2003-03-05 | Tdk株式会社 | 电子装置及其制造方法 |
JP2008300580A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 発光素子及び発光装置 |
CN102308395A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光装置 |
CN103367605A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-23 | 华南理工大学 | 一种薄膜型led器件及其制造方法 |
CN103682041A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-03-26 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
TW201428997A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-07-16 | Nichia Corp | 半導體發光元件 |
CN104115293A (zh) * | 2011-12-06 | 2014-10-22 | 克利公司 | 用于改善光萃取的发光器件及方法 |
CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
US20150194585A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-09 | Lumens Co., Ltd | Light emitting device package and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04107861U (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | サンケン電気株式会社 | 発光表示装置 |
JPH10308535A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2000294833A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | 表面実装型半導体発光装置及びその吸着実装方法 |
EP1635403B1 (de) * | 2004-09-08 | 2013-04-03 | Asetronics AG | Isoliertes Metallsubstrat mit mehreren Leuchtdioden |
JP2007243076A (ja) * | 2006-03-11 | 2007-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
JP4858032B2 (ja) | 2006-09-15 | 2012-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2008078586A (ja) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Ledユニット |
WO2009031684A1 (ja) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Asahi Glass Company, Limited | ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置 |
JP2009105379A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP5163073B2 (ja) | 2007-11-22 | 2013-03-13 | 旭硝子株式会社 | ガラス被覆発光装置の製造方法 |
JP5354997B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-11-27 | 京セラ株式会社 | 発光装置用基板、発光装置用基板を用いた発光装置及び発光装置を用いた照明装置 |
JP5300439B2 (ja) | 2008-11-27 | 2013-09-25 | 京セラ株式会社 | 発光ランプ及び発光ランプを用いた照明装置 |
JP2011204986A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Showa Denko Kk | ランプおよびランプの製造方法 |
JP5864089B2 (ja) | 2010-08-25 | 2016-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2015062261A (ja) | 2010-08-25 | 2015-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5573602B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-08-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2013110353A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Sharp Corp | 発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法 |
JP5938912B2 (ja) | 2012-01-13 | 2016-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JP5712949B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2015-05-07 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6219586B2 (ja) | 2012-05-09 | 2017-10-25 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5975269B2 (ja) | 2012-06-07 | 2016-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TWI540762B (zh) * | 2012-12-24 | 2016-07-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光二極體模組之製造方法 |
JP6210720B2 (ja) * | 2013-05-02 | 2017-10-11 | シチズン電子株式会社 | Ledパッケージ |
JP6232792B2 (ja) | 2013-07-17 | 2017-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6155932B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN103441203B (zh) * | 2013-07-24 | 2017-01-18 | 重庆四联光电科技有限公司 | 一种半导体器件的封装方法及封装结构 |
-
2015
- 2015-10-30 JP JP2015213765A patent/JP6327232B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-27 EP EP16196003.4A patent/EP3163638B1/en active Active
- 2016-10-27 EP EP21168876.7A patent/EP3886187A1/en active Pending
- 2016-10-28 US US15/336,800 patent/US9941451B2/en active Active
- 2016-10-28 CN CN201610971163.3A patent/CN106876374B/zh active Active
- 2016-10-28 CN CN202010712845.9A patent/CN111785709A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1401137A (zh) * | 2000-12-18 | 2003-03-05 | Tdk株式会社 | 电子装置及其制造方法 |
JP2008300580A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 発光素子及び発光装置 |
CN102308395A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光装置 |
CN104115293A (zh) * | 2011-12-06 | 2014-10-22 | 克利公司 | 用于改善光萃取的发光器件及方法 |
CN103682041A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-03-26 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
TW201428997A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-07-16 | Nichia Corp | 半導體發光元件 |
CN103367605A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-23 | 华南理工大学 | 一种薄膜型led器件及其制造方法 |
CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
US20150194585A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-09 | Lumens Co., Ltd | Light emitting device package and manufacturing method thereof |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
于军胜: "OLED显示基础及产业化", 28 February 2015, 电子科技大学出版社, pages: 49 - 50 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017085025A (ja) | 2017-05-18 |
EP3886187A1 (en) | 2021-09-29 |
EP3163638B1 (en) | 2021-05-12 |
US9941451B2 (en) | 2018-04-10 |
US20170125651A1 (en) | 2017-05-04 |
JP6327232B2 (ja) | 2018-05-23 |
CN106876374A (zh) | 2017-06-20 |
EP3163638A1 (en) | 2017-05-03 |
CN106876374B (zh) | 2020-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106876374B (zh) | 发光装置及发光模块的制造方法 | |
US9318674B2 (en) | Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same | |
EP2503607B1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP6504221B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US9755121B2 (en) | Method of detaching sealing member of light emitting device | |
US10707389B2 (en) | Light emitting device | |
US9559267B2 (en) | Light-emitting device | |
JP6551245B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US10615314B2 (en) | Light-emitting device | |
US10074785B2 (en) | Light-emitting device | |
US10002996B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
US10847405B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP6508189B2 (ja) | 発光装置 | |
US10347808B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
JP7193698B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2016119464A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |