CN111697007A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板，采用三层金属结构制备的走线结构，第一金属层与第三金属层的材料包括钼合金材料，可以预防电偶腐蚀。并且将第三金属层的表面形成凹凸不平的表面，将表面的粗糙度变大，进而可以降低可见光反射率，提高视觉效果，适用于低反射高阶产品。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
现在大尺寸的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示面板金属走线大都采用铜(Cu)制程，尤其是目前热点的具有8K分辨率的超高清显示产品，其铜线的数量非常多；Cu制备形成的膜在可见光下的反射率达到80％，Cu膜在上方没有遮挡，可见光到达Cu膜表面引起反射，从而导致产品的反射率偏高，影响视觉效果，无法满足高阶产品需求。
发明内容
本发明的第一目的，提供一种显示面板，可以降低面板的反射率。
为了达到上述目的，一种显示面板，包括：若干金属走线，其中至少一个金属走线包括：第一金属层；以及第二金属层，设于所述第一金属层上；第三金属层，设于所述第二金属层上；其中，所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧具有连续的凸起，所述凸起用以将所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧形成凹凸不平的表面。
进一步地，所述若干金属走线形成源漏电极走线以及栅极走线。
进一步地，所述显示面板还包括：基板；所述栅极走线设于所述基板上；栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述栅极走线；半导体层，设于所述栅极绝缘层上；所述源漏电极走线设于所述栅极绝缘层上且连接所述半导体层；钝化层，设于所述源漏电极走线以及所述半导体层上。
进一步地，所述第一金属层与所述三金属层的材料包括钼合金材料；所述钼合金材料包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种。
进一步地，所述第二金属层的材料包括铜。
进一步地，所述显示面板还包括像素电极，设于所述钝化层上且连接所述源漏电极走线。
进一步地，所述源漏电极走线包括源极走线以及漏级走线；所述源极走线以及所述漏级走线分别设于所述半导体层的两端。
进一步地，所述钝化层开设有通孔，所述通孔向下延伸至所述源漏电极走线的表面，所述像素电极通过所述通孔连接所述源漏电极走线。
本发明的第二目的提供一种制备方法，用于制备所述的显示面板，包括至少一个步骤：制备至少一金属走线的步骤；所述的制备至少一金属走线的步骤包括：形成金属走线，所述形成金属走线的步骤具体包括：形成所述第一金属层；形成所述第二金属层于所述第一金属层上；形成所述第三金属层于所述第二金属层上；将所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧的表面进行等离子处理，将表面的粗糙度变大。
进一步地，所述制备方法还包括：提供一基板；依次沉积所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层于所述基板上，图案化后形成栅极走线；形成一栅极绝缘层于所述基板上且覆盖所述栅极走线；形成一半导体层于所述栅极绝缘层上；依次沉积所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层于所述栅极绝缘层上，图案化后形成源漏电极走线，所述源漏电极走线连接所述半导体层；形成钝化层于所述源漏电极走线以及所述半导体层上。
本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板，其金属走线采用三层金属制备而成，第一金属层与第三金属层的材料包括钼合金材料，可以预防电偶腐蚀。并且将第三金属层的表面形成凹凸不平的表面，将表面的粗糙度变大，进而可以降低可见光反射率，提高视觉效果，适用于低反射高阶产品。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明提供的金属走线的结构示意图。
图2为本发明提供的显示面板的结构示意图。
图3为本发明提供的金属走线进行等离子处理的结构示意图。
显示面板100；
金属走线110；第一金属层111；第二金属层112；
第三金属层113；凸起114；源漏电极走线105；
栅极走线102；基板101；栅极绝缘层103；
半导体层104；钝化层106；像素电极107；
源极走线1051；漏级走线1052；通孔1061。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“集成”、“相连”、“连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
如图1、图2所示，本发明提供一种显示面板100，包括：若干金属走线110。
至少一个金属走线110采用三层金属制备而成。例如，至少一个金属走线110具有：第一金属层111、第二金属层112以及第三金属层113。
在本实施例中，每个金属走线110均采用三层金属制备而成。也就是，每个金属走线110均具有第一金属层111、第二金属层112以及第三金属层113。
所述第一金属层111包括钼合金材料，所述钼合金材料还包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种金属元素。
所述第二金属层112设于所述第一金属层111上。所述第二金属层112的材料包括铜。
所述第三金属层113设于所述第二金属层112上；所述第三金属层113的材料包括钼合金材料，所述钼合金材料还包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种金属元素。
本发明采用三层金属结构制备的走线结构，第一金属层111与第三金属层113的材料包括钼合金材料，可以预防电偶腐蚀。
其中，所述第三金属层113远离所述第二金属层112的一侧具有连续的凸起114，所述凸起114用以将所述第三金属层113远离所述第二金属层112的一侧形成凹凸不平的表面。
本发明将第三金属层113的表面(即入光侧的表面)形成凹凸不平的表面，将表面的粗糙度变大，进而可以降低可见光反射率(可以最低达到10％)，提高视觉效果，适用于低反射高阶产品。
如图2所示，所述金属走线110包括源漏电极走线105及栅极走线102，当然，所述金属走线110还包括扫描线以及数据线。
继续参照图2所示，在一实施例中，所述显示面板100还包括：基板101、栅极绝缘层103、半导体层104、钝化层106以及像素电极107。
所述栅极走线102设于所述基板101上。所述栅极绝缘层103设于所述基板101上且覆盖所述栅极走线102。
所述半导体层104设于所述栅极绝缘层103上。
所述源漏电极走线105设于所述栅极绝缘层103上且连接所述半导体层104。所述源漏电极走线105包括源极走线1051以及漏级走线1052；
所述源极走线1051以及所述漏级走线1052分别设于所述半导体层104的两端。
所述钝化层106设于所述源漏电极走线105以及所述半导体层104上。
像素电极107，设于所述钝化层106上且连接所述源漏电极走线105。
所述钝化层106开设有通孔1061，所述通孔1061向下延伸至所述源漏电极走线105的表面，所述像素电极107通过所述通孔1061连接所述源漏电极走线105，具体的，所述像素电极107连接所述源漏电极走线105的第二金属层112。
本发明还提供一种制备方法，用于制备所述的显示面板100，包括至少一个步骤，例如：制备至少一金属走线110。
所述的制备至少一金属走线110的步骤具体包括如下步骤：
如图3所示，形成所述第一金属层111。所述第一金属层111的材料包括钼合金材料；所述钼合金材料包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种。
形成所述第二金属层112于所述第一金属层111上。所述第二金属层112的材料包括铜。
形成所述第三金属层113于所述第二金属层112上。所述第三金属层113的材料包括钼合金材料；所述钼合金材料包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种。
将所述第三金属层113远离所述第二金属层112的一侧的表面进行等离子(Heplasma或Ar plasma)处理，增大表面粗糙度，形成图1表面凹凸不平的结构。从而使所述第三金属层113的入光面反射率降低，最低达到10％；
在一实施例中，所述制备方法还包括以下步骤。
提供一基板101；
依次沉积所述第一金属层111、所述第二金属层112及所述第三金属层113于所述基板101上，图案化后形成栅极走线102，栅极走线102的厚度为100～1000埃；
形成一栅极绝缘层103于所述基板101上且覆盖所述栅极走线102；具体地，通过沉积一绝缘材料于所述基板101上形成所述栅极绝缘层103，所述栅极绝缘层103覆盖所述栅极走线102；
形成一半导体层104于所述栅极绝缘层103上；具体地，通过沉积一半导体材料于所述栅极绝缘层103上，图案化后形成半导体层104；
依次沉积所述第一金属层111、所述第二金属层112及所述第三金属层113于所述栅极绝缘层103上，图案化后形成源漏电极走线105，所述源漏电极走线105连接所述半导体层104；以及
形成钝化层106于所述源漏电极走线105以及所述半导体层104上。具体地，通过沉积一绝缘材料于所述基板101上形成所述钝化层106，所述钝化层106覆盖所述源漏极走线以及所述半导体层104。
所述制备方法进一步包括以下步骤：
在所述钝化层106上开设通孔1061，所述通孔1061向下延伸至所述源漏电极走线105的表面；以及
沉积氧化铟锡材料于所述钝化层106上图案化得到所述像素电极107，所述像素电极107通过所述通孔1061连接所述源漏电极走线105。
以上对本发明进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：若干金属走线，其中至少一个金属走线具有：
第一金属层；以及
第二金属层，设于所述第一金属层上；
第三金属层，设于所述第二金属层上；
其中，所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧具有连续的凸起，所述凸起用以将所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧形成凹凸不平的表面。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述若干金属走线包括源漏电极走线及栅极走线。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
基板；
所述栅极走线设于所述基板上；
栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述栅极走线；
半导体层，设于所述栅极绝缘层上；
所述源漏电极走线设于所述栅极绝缘层上且连接所述半导体层；
钝化层，设于所述源漏电极走线以及所述半导体层上。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一金属层与所述三金属层的材料包括钼合金材料；
所述钼合金材料还包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一种金属元素。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二金属层的材料包括铜。
6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括
像素电极，设于所述钝化层上且连接所述源漏电极走线。
7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述源漏电极走线包括源极走线以及漏级走线；
所述源极走线以及所述漏级走线分别设于所述半导体层的两端。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述钝化层开设有通孔，所述通孔向下延伸至所述源漏电极走线的表面，所述像素电极通过所述通孔连接所述源漏电极走线。
9.一种制备方法，用于制备如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包括至少一个步骤：制备至少一金属走线；
所述的制备至少一金属走线的步骤包括：
形成所述第一金属层；
形成所述第二金属层于所述第一金属层上；
形成所述第三金属层于所述第二金属层上；以及
将所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧的表面进行等离子处理，增大表面粗糙度。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：
提供一基板；
依次沉积所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层于所述基板上，图案化后形成栅极走线；
形成一栅极绝缘层于所述基板上且覆盖所述栅极走线；
形成一半导体层于所述栅极绝缘层上；
依次沉积所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层于所述栅极绝缘层上，图案化后形成源漏电极走线，所述源漏电极走线连接所述半导体层；
形成钝化层于所述源漏电极走线以及所述半导体层上。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003241222A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2004013176A (ja) * | 2003-10-03 | 2004-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型液晶表示装置 |
| CN1716637A (zh) * | 2004-06-30 | 2006-01-04 | 三星Sdi株式会社 | 薄膜晶体管（tft）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法 |
| CN104681567A (zh) * | 2013-12-02 | 2015-06-03 | 乐金显示有限公司 | 具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法 |
| CN106229344A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、其制备方法及显示装置 |
| CN110854069A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制备方法及阵列基板 |
| CN111081766A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
2020
- 2020-06-08 CN CN202010513498.7A patent/CN111697007A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003241222A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2004013176A (ja) * | 2003-10-03 | 2004-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型液晶表示装置 |
| CN1716637A (zh) * | 2004-06-30 | 2006-01-04 | 三星Sdi株式会社 | 薄膜晶体管（tft）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法 |
| CN104681567A (zh) * | 2013-12-02 | 2015-06-03 | 乐金显示有限公司 | 具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法 |
| CN106229344A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、其制备方法及显示装置 |
| CN110854069A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制备方法及阵列基板 |
| CN111081766A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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