CN110462830B - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开的实施例提供一种显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制备方法，该显示基板包括：显示区域和在所述显示区域外侧的周边区域，所述周边区域包括绑定区；其中，该显示基板包括：衬底基板；第一金属图案和第二金属图案，在所述衬底基板上且在所述绑定区内，所述第二金属图案覆盖所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分，所述第二金属图案的金属的活性比所述第一金属图案的金属的活性弱。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制备方法。
背景技术
半导体装置、薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)等微电路通过在衬底基板上对应于周边区域形成低电阻金属薄膜，然后对低电阻金属薄膜进行刻蚀以形成金属图案。
制备上述器件的微电路的材料，例如，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的栅线和数据线的材料，有机发光二极管(OLED)的绑定区集成电路的材料，一般选择化学性质比较稳定但电阻率较高的Ta、Cr、Mo等金属或者上述金属形成的合金。在TFT-LCD器件和OLED器件的尺寸较小、分辨率比较低的情形下，电信号的延迟比较小，对器件的显示效果的影响不明显。然而，随着TFT-LCD器件和OLED器件的尺寸和分辨率不断地提高，金属走线的长度也随着增大，信号延迟的时间也随之增大，信号延迟增加到一定的程度，会造成亮度不均匀的问题，从而会严重地影响图像的显示质量。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：显示区域和在所述显示区域外侧的周边区域，所述周边区域包括绑定区；其中，所述显示基板包括：衬底基板；第一金属图案和第二金属图案，在所述衬底基板上且在所述绑定区内，所述第二金属图案覆盖所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分，所述第二金属图案的金属的活性比所述第一金属图案的金属的活性弱。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一金属图案的金属的导电性比所述第二金属图案的金属的导电性强。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二金属图案还覆盖所述第一金属图案的远离所述衬底基板的表面。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板，还包括第三金属图案，其中，所述第三金属图案设置在所述第一金属图案的靠近所述衬底基板的一侧。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二金属图案覆盖所述第三金属图案的至少一个侧表面的至少一部分。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三金属图案的金属和所述第二金属图案的金属相同。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一金属图案的金属包括铝基金属。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述铝基金属包括Al、AlMo、AlTi、AlMoW、AlMoNb或者AlMoTi中的至少之一。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述铝基金属中，铝的质量百分含量为85wt％～100wt％。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二金属图案的金属包括镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛中的至少之一。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板，包括多个所述第一金属图案和多个所述第二金属图案，其中，多个所述第一金属图案彼此间隔，多个所述第二金属图案彼此间隔。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项所述的显示基板。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和在所述显示区域外侧的周边区域，所述周边区域包括绑定区，其中，所述制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上且在所述绑定区内形成第一金属图案；在所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案；其中，所述第二金属图案的金属的活性比所述第一金属图案的金属的活性弱。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属图案的金属的导电性比所述第二金属图案的金属的导电性强。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第二金属图案还覆盖所述第一金属图案的远离所述衬底基板的表面。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案包括：在所述第一金属图案上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行图案化工艺以形成覆盖所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上的所述第二金属图案。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，对所述第二金属薄膜进行图案化工艺包括干刻。
例如，本公开至少一实施例提供的制备方法，还包括形成第三金属图案，其中，所述第三金属图案形成在所述第一金属图案的靠近所述衬底基板的一侧。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在同一图案化工艺中形成所述第一金属图案和所述第三金属图案。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述在同一图案化工艺中形成所述第一金属图案和所述第三金属图案包括：依次形成第三金属薄膜和第一金属薄膜，同时对所述第三金属薄膜和所述第一金属薄膜进行干刻工艺形成所述第一金属图案和所述第三金属图案。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第二金属图案覆盖所述第三金属图案的至少一个侧表面的至少一部分。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第三金属图案的金属和所述第二金属图案的金属相同。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种绑定区导电图案的截面结构示意图；
图2为低电阻金属的侧面被刻蚀后的截面结构示意图；
图3为导电金属图案的侧表面和部分上表面包覆有机绝缘层后的截面结构示意图；
图4为本公开一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图；
图5为本公开一实施例提供的一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图；
图6为本公开一实施例提供的再一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图；
图7为本公开一实施例提供的又一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图；
图8为本公开一实施例提供的又一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图；
图9为本公开一实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
图10为本公开一实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；
图11为本公开一实施例提供的一种显示装置的框图；以及
图12为本公开一实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。
附图标记：
101-第一金属层；102-低电阻金属；103-第二金属层；104-有机绝缘层；2-显示基板；21-显示区域；22-周边区域；221-绑定区；23-衬底基板；20-导电图案；201-第一金属图案；2011-第一金属图案的上表面；2012-第一金属图案的侧表面；202-第二金属图案；203-第三金属图案；30-显示面板；31-阵列基板；32-对置基板；33-液晶层；301-第一基板；302-栅极；303-栅绝缘层；304-有源层；305-第一源漏电极；306-第二源漏电极；307-有机绝缘层；308-钝化层；309-第一电极；310-第二电极；311-公共电极线；312-第一绝缘层；321-第二基板；322-彩膜层；341-衬底；342-驱动晶体管；343-阴极；344-阳极；345-有机材料功能层；3421-栅极；3422-源极；3423-漏极；3424-有源层；346-像素界定层；347-钝化层；348-封装层；40-显示装置。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在显示器件的制作过程中，例如，在制备薄膜晶体管液晶显示器和有机电致发光显示器件的过程中，均需要制备薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以是驱动晶体管或者开关晶体管。目前，已经实现产业化的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)主要包括使用非晶硅、多晶硅、单晶硅、金属氧化物或碳纳米管等作为有源层材料的TFT，上述各种类型的薄膜晶体管通常采用低电阻金属作为导线或者金属电极的材料，绑定区的集成电路通常也采用低电阻金属材料制备而成，但是，低电阻的金属极易和后续形成膜层或者电极的过程中所用到的刻蚀液反应，从而会影响该低电阻金属材料制备的金属配线和金属电极的导电性能，进而会严重影响显示器件的性能。
通常，在低电阻金属的上下两侧分别形成第一金属层和第二金属层。例如，以铝作为低电阻金属为例加以说明，在铝金属的上下两侧均形成钛金属层，形成在铝金属的远离衬底基板一侧的钛金属层可以减小铝金属与其他导电层接触面的电阻。例如，由于铝金属和多晶硅接触面的电阻很大，形成在铝金属的靠近衬底基板一侧的钛金属层可以和多晶硅形成桥接键，以减小铝金属和多晶硅之间的电阻。
例如，图1为一种绑定区导电图案的截面结构示意图，该导电图案通常用于显示基板的绑定区。如图1所示，低电阻金属102的上下两侧分别形成有第一金属层101和第二金属层103。该第一金属层/低电阻金属/第二金属层的三层结构的形成过程包括：依次沉积第一金属层的薄膜、低电阻金属的薄膜和第二金属层的薄膜，然后对该第一金属层的薄膜、低电阻金属的薄膜和第二金属层的薄膜的叠层进行干刻等处理以形成第一金属层/低电阻金属/第二金属层的三层层叠结构。例如，进行上述干刻等工艺步骤后三层叠层结构中间的一层低电阻金属的侧面会暴露在外侧，从而会使得后续形成其他膜层或者电极结构时采用的刻蚀液与该低电阻金属的侧面进行反应，即出现侧蚀现象，除此之外，还可能导致低电阻金属102缩进以及断线的问题。该侧蚀现象、低电阻金属缩进或者断线的问题会导致第一金属层/低电阻金属/第二金属层的三层层叠结构形成的金属导线或者金属电极的导电性严重下降。
例如，在制备柔性有机电致发光二极管显示器件的过程中，显示器件的绑定区直接利用裸露的导电图案与集成电路输出线相连接。例如，该导电图案为Ti/Al/Ti三层叠层金属结构，在制备背板电路的过程中，在刻蚀阳极层时采用的是湿刻工艺，由于绑定区的导电图案是裸露的，导电图案Ti/Al/Ti中的Al属于较活泼金属，金属Al容易和阳极刻蚀液发生反应，使得金属Al的被暴露的两侧被刻蚀。
例如，图2为低电阻金属102的侧面被刻蚀后的截面结构示意图，第一金属层101和第二金属层103均没有出现被刻蚀的现象，低电阻金属102的左右两个侧表面都被刻蚀了。在对后续形成的膜层或者电极进行刻蚀的过程中，因为刻蚀液的刻蚀作用无方向性，从而会造成刻蚀后导电图案在截面上表现出两侧内陷，即为侧蚀(undercut)现象，侧蚀现象容易导致线路短路或信号延迟，这些问题还会减缓金属走线细线化的进程，从而影响了高分辨率产品的进展。此外，当后续刻蚀阳极材料且阳极材料包括银金属时，还会产生Ag颗粒，Ag颗粒容易沉积在显示器件中，这样会导致暗点等不良。
在相关技术中，采用半色调掩膜(Half Tone Mask,HTM)工艺在导电图案的至少一个侧表面的至少一部分和部分上表面上形成有机绝缘层，以防止刻蚀液对导电图案中的低电阻金属进行刻蚀，且为了保证导电图案的导电性，使得导电图案的至少部分上表面没有被有机绝缘层包覆，而暴露在外侧。例如，图3为导电图案的侧表面和部分上表面包覆有机绝缘层后的截面结构示意图，可以通过半色调掩膜将有机绝缘层(PLN)104的不同区域做成具有不同的厚度。例如，显示区PLN的厚度为1.5μm，绑定区导电图案上包裹的PLN层的厚度为1.1μm，这样形成在绑定区的导电图案上的一层较薄的有机绝缘层可以保护导电图案不被刻蚀，但是，这样会增加一层专门制备有机绝缘层的工艺步骤，从而使得整个工艺过程变的复杂化，且增加了生产成本。
本公开的实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：显示区域和在该显示区域外侧的周边区域，该周边区域包括绑定区；该显示基板包括：衬底基板；第一金属图案和第二金属图案，在衬底基板上且在该绑定区内，该第二金属图案覆盖第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分，该第二金属图案的金属的活性比第一金属图案的金属的活性弱。本公开的实施例通过在第一金属图案上形成覆盖其至少一个侧表面的至少一部分的第二金属图案，以防止第一金属图案的至少部分侧表面被后续形成其他膜层或者电极时用到的刻蚀剂刻蚀，从而减少了第一金属图案导电性降低的问题，进一步减少了产品良率下降的问题。除此之外，本公开的实施例提供的导电图案还降低了导电图案制作工艺的复杂性，降低了生产成本。
需要说明的是，金属活性是指金属被置换出来的灵活程度，根据金属活动顺序表中金属排布的顺序，从前往后金属活性逐渐降低。在金属活性顺序表中，形成第一金属图案的金属的位置比形成第二金属图案的金属的位置更靠前。
还需要说明的是，第二金属图案的金属的活性比第一金属图案的金属的活性弱是指第二金属图案的金属中质量百分含量最大的金属的活性比第一金属图案的金属中质量百分含量最大的金属的活性弱。即当第二金属图案的金属为金属单质，且第一金属图案的金属为金属单质时，第二金属图案的金属单质的活性比第一金属图案的金属单质的活性弱；当第二金属图案的金属为金属单质，且第一金属图案的金属为合金时，第二金属图案的金属单质的活性比第一金属图案的合金中质量百分含量最大的金属的活性弱；当第二金属图案的金属为合金，且第一金属图案的金属为金属单质时，第二金属图案的合金中质量百分含量最大的金属的活性比第一金属图案的金属单质的活性弱；当第二金属图案的金属为合金，且第一金属图案的金属为合金时，第二金属图案的合金中质量百分含量最大的金属的活性比第一金属图案的合金中质量百分含量最大的金属的活性弱。
还需要说明的是，第二金属图案覆盖第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分是指第二金属图案覆盖第一金属图案的全部侧表面，或一个侧表面的全部和另一个侧表面的一部分，或每个侧表面的一部分，或只覆盖其中一个侧表面的一部分。处于更好地保护第一金属图案的目的，第二金属图案覆盖全部侧表面。
还需要说明的是，在第二金属图案覆盖第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分的情形下，第二金属图案也可以覆盖第一金属图案的靠近衬底基板一侧的表面，只是这样会增加工艺难度。
例如，图4为本公开一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图。如图4所示，该显示基板2包括显示区域21和在显示区域21外侧的周边区域22，该周边区域22包括绑定区221。该显示基板2包括衬底基板23，设置在衬底基板23上且在绑定区221内的第一金属图案201和第二金属图案202，该第二金属图案202覆盖第一金属图案201的至少一个侧表面的至少一部分，该第二金属图案202的金属的活性比第一金属图案201的金属的活性弱。例如，第一金属图案201和第二金属图案202构成位于显示基板2的绑定区221的导电图案20。例如，图4以该第二金属图案202覆盖第一金属图案201的全部侧表面为例加以说明。
下面对显示基板的绑定区221中的导电图案20的其他实施方式进行详细说明。
例如，图5为本公开一实施例提供的一种显示基板上的导电图案的截面结构示意图。如图5所示，该导电图案20包括：第一金属图案201和第二金属图案202，该第二金属图案202覆盖第一金属图案201的上表面2011(远离衬底基板的表面)和全部侧表面2012；第二金属图案202的金属的活性比第一金属图案201的金属的活性弱。第二金属图案202将暴露出的第一金属图案201的上表面2011和侧表面2012与外界完全隔绝，从而防止了第一金属图案201被后续形成其他膜层时用到的刻蚀剂刻蚀，避免了第一金属图案201的导电性降低的问题。
需要说明的是，第二金属图案覆盖第一金属图案的上表面是指第二金属图案覆盖第一金属图案的全部上表面或者部分上表面，图5中以第二金属图案202覆盖第一金属图案201的全部上表面2011为例进行说明。
例如，后续形成的其他膜层或者电极包括柔性有机电致发光二极管显示器件中的阳极、阴极等，或者，薄膜晶体管液晶显示器中的像素电极、公共电极等。
例如，后续形成其他膜层或者电极时所用到的刻蚀剂包括三氯化铁、硝酸、磷酸、pH调节剂、缓蚀剂和消泡剂。该蚀刻剂采用磷酸为主要的酸性介质，尽管溶液中存在一定浓度的氯离子和硝酸，但磷酸依然处于主导地位，其与后续要被刻蚀的各膜层或者各电极的材料的反应速度较为缓和，且磷酸的加入使得溶液的粘度增加，利于降低侧蚀的影响，并使得后续形成的膜层表面平整。
例如，pH调节剂为硼酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、褐藻酸、异丁酸、戊酸、异戊酸、草酸、柠檬酸、马来酸和己二酸中的至少一种；缓蚀剂为钼酸盐、钨酸盐、硝酸盐、十二烷基磺酸钠、三乙醇胺、乙二胺、三亚甲基二胺和吡啶中的至少一种；消泡剂为OP-10、二甲基硅氧烷、正辛醇和硅氧烷二元醇中的至少一种。
如图5所示，第二金属图案202覆盖第一金属图案201的全部上表面2011和全部侧表面2012，第二金属图案202暴露在外，在此情形下，在常温条件下第二金属图案202可能与刻蚀剂反应以被刻蚀，即使第二金属图案202与刻蚀剂反应也可以减轻或者避免第一金属图案201与刻蚀剂反应，从而对第一金属图案201进行保护；或者第二金属图案202与刻蚀剂反应初期会形成保护膜，该保护膜阻止反应继续进行，以对第一金属图案进行保护，防止刻蚀剂进一步与第一金属图案反应以出现侧蚀现象。
例如，该第二金属图案202的金属包括镍、钴、钼、铜、钨、铌或者钛中的至少之一。即可以是镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛的单金属，也可以是上述金属中的至少两种形成的合金，例如，NiCo、NiMo、NiTi、NiCu、CuNb或者NiW等。在金属活动顺序表中，上述金属位于铝之后，且易和酸性刻蚀液反应形成保护膜，以阻止反应继续进行，则可以减少或者避免第一金属图案的金属与刻蚀液反应，以对第一金属图案进行保护。
例如，该第二金属图案202的金属的活性还可以选择比氢弱，例如，铜金属，银金属或者铂金属等，这样第二金属图案202不与刻蚀剂反应，从而第二金属图案202不会被刻蚀，这样也会阻止刻蚀液与第一金属图案201接触，从而可以避免第一金属图案201与刻蚀剂反应，以对第一金属图案201进行保护，不会产生第一金属图案201被侧蚀的问题，但是，制备第二金属图案所采用的金属的量较大，而且银金属或者铂金属的价格很昂贵，不适合大规模工业生产，因此，通常选择铜金属作为第二金属图案的金属。
例如，该第一金属图案201的金属的导电性比第二金属图案202的金属的导电性强。这样没有被侧蚀的第一金属图案201可以保证整个导电图案具有较优的导电性。
例如，该第一金属图案201的金属包括铝基金属，即为铝单质或者铝和其他金属形成的合金。
例如，该铝基金属包括Al、AlMo、AlTi、AlMoW、AlMoNb或者AlMoTi中的至少之一。
例如，在铝基金属中，铝的质量百分含量为85wt％～100wt％，例如，铝的质量百分含量为86wt％、88wt％、90wt％、92wt％、94wt％、96wt％、98wt％或者100wt％。
例如，图6为本公开一实施例提供的再一种显示基板中导电图案的截面结构示意图。如图6所示，该导电图案20还包括：设置在第一金属图案201的靠近衬底基板(图6中未示出衬底基板)一侧的第三金属图案203，该第二金属图案202覆盖第三金属图案203的的至少一个侧表面的至少一部分和第一金属图案201的至少一个侧表面的至少一部分。图6中以第二金属图案202覆盖第三金属图案203的全部侧表面和第一金属图案201的全部上表面和全部侧表面为例加以说明。
例如，该第三金属图案203的金属和第二金属图案202的金属相同，该第三金属图案的金属包括镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛中的至少之一，即可以是镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛的单金属，也可以是上述金属中的至少两种形成的合金，例如，NiCo、NiMo、NiTi、NiCu、CuNb或者NiW等。
例如，当该金属图案用作制备薄膜晶体管的源极和漏极的材料时，且当有源层的材料为多晶硅时，如果将第一金属图案和多晶硅制备的有源层直接接触，则会出现在接触面电阻过大的问题。例如，当第三金属图案的金属和多晶硅制备的有源层直接接触时，会在界面处形成新的化学键，以减少电阻，例如形成Ti-Si键，该Ti-Si键起到桥接的作用，从而可以减小金属图案与多晶硅制备的有源层在接触面处的电阻。
例如，图7为本公开一实施例提供的又一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图。如图7所示，该导电图案20包括：多个第一金属图案201和多个第二金属图案202，其中，多个第一金属图案201彼此间隔，多个第二金属图案202彼此间隔。每个第一金属图案201和对应的第二金属图案202组合形成一个子导电图案，相邻的子导电图案之间相互间隔以电绝缘。例如，该导电图案20的整体可以用于显示基板的绑定区的导电图案、集成电路的输出线，或者显示面板绑定区的栅线或者数据线等。
例如，图8为本公开一实施例提供的又一种显示基板中的导电图案的截面结构示意图。如图8所示，该导电图案20包括：多个第一金属图案201、多个第二金属图案202和多个第三金属图案203，其中，多个第一金属图案201彼此间隔，多个第二金属图案202彼此间隔，多个第三金属图案203彼此间隔。每个第一金属图案201和对应的第二金属图案202和第三金属图案203组合形成一个子导电图案，相邻的子导电图案之间相互间隔以电绝缘。该导电图案20的整体可以用于显示基板中绑定区内集成电路的输出线。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括上述任一实施例中的显示基板。该显示面板可以是液晶显示面板，也可以是有机电致发光二极管(OLED)显示面板。
例如，该显示基板中的导电图案可以为显示面板的周边区域中绑定区内的金属走线。
例如，图9为本公开的实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图。图9以该显示面板为液晶显示面板为例加以说明，如图9所示，该显示面板30包括：相对设置的阵列基板31和对置基板32，以及设置在阵列基板31和对置基板32之间的液晶层33。该阵列基板31即为上述任一实施例中的显示基板。
例如，对置基板32和阵列基板31分别为显示面板30的上下两个基板，在阵列基板31上形成薄膜晶体管阵列等显示结构，在对置基板32上形成彩色树脂。例如，对置基板32为彩膜基板。对置基板32上可包括与阵列基板31上的子像素对应的滤色单元，还可以包括黑矩阵等。
如图9所示，该阵列基板31包括第一基板301，第一基板301上设置有栅极302、栅绝缘层303、有源层304、第一源漏电极305、第二源漏电极306、有机绝缘层307、钝化层308、第一电极309、第一绝缘层312、第二电极310和公共电极线311。例如，与栅极302连接的栅线(图中未示出)、与第一源漏电极305或者第二源漏电极306电连接的数据线(图中未示出)、栅绝缘层303、有机绝缘层307、钝化层308、第一绝缘层312等可以从显示区域中延伸至周边区域，可以位于周边区域的绑定区域内。
例如，该显示面板30中延伸至绑定区的栅线(未示出)和数据线(未示出)可以为本公开实施例中的任一显示基板中的导电图案，这样，通过在第一金属图案(例如，铝金属图案)的至少一个侧表面的至少一部分上形成金属活性相对较弱的第二金属图案(例如，镍、钼、铌、钨、铜或者钛金属单质的图案，或者上述金属的合金形成的图案)，可以有效防止铝金属材料形成的第一金属图案与后续形成其他膜层或者电极的过程中用到的刻蚀液反应，从而较少对金属配线(例如，栅线、数据线)和金属电极的导电性能的影响。
例如，第二金属图案的金属即使与刻蚀液反应，很快也会在第二金属图案的表面形成一层薄且致密的薄膜，从而可以阻止反应深入地进行。
例如，该有源层304为金属氧化物半导体，该有源层304的材料包括IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或者Cd-Sn-O。
例如，该栅绝缘层303的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的至少之一，栅绝缘层303的材料还可以采用与上述各物质的材料特性相同或相近的其他无机绝缘材料。
例如，第一基板301包括透明绝缘基板，该第一基板301的材料可以是玻璃、石英、塑料或其他适合的材料。
例如，有机绝缘层307的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
例如，钝化层308的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化钛或者三氧化二铝中的一种或多种。
例如，该第一电极309为像素电极，第二电极310为公共电极；或者，第一电极309为公共电极，第二电极310为像素电极。该第一电极309和第二电极310的形成顺序可以调换，即第二电极310可以位于第一电极309之上，第一电极309也可以位于第二电极310之上，在此不作限制。
例如，该第一电极309和第二电极310可以由透明导电材料或金属材料形成，例如，该透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)或者碳纳米管等。该金属材料包括银或者铝等。
如图9所示，该对置基板32包括第二基板321，第二基板321上设置有彩膜层322。
例如，在对置基板32的远离阵列基板31的一侧还可以设置上偏光板，在阵列基板31的远离对置基板32的一侧还可以设置下偏光板。
例如，在本公开的实施例提供的上述液晶显示面板中，还可以包括设置在阵列基板外侧的背光模组。例如，该背光模组可包括LED灯组件、反射板和导光板，当然还可能包含其他部件，在此不做限定。
例如，图10为本公开一实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。图10以该显示面板为有机电致发光二极管(OLED)显示面板为例加以说明，如图10所示，该有机电致发光二极管(OLED)显示面板包括衬底341以及设置在衬底341上的驱动晶体管342、阴极343、阳极344、位于阴极343和阳极344之间的有机材料功能层345，驱动晶体管342包括栅极3421、源极3422、漏极3423和有源层3424，阴极343与源极3422或漏极3423电连接，在图10中阴极343与漏极3423电连接。
例如，该有机材料功能层345可以包括：空穴传输层、发光层和电子传输层，为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，该有机材料功能层还可以包括设置在阴极343与电子传输层之间的电子注入层，以及设置在阳极344与空穴传输层之间的空穴注入层等有机功能层。
如图10所示，该有机电致发光二极管(OLED)显示面板还包括形成在阴极343、阳极344之间的像素界定层346，该像素界定层346可以用于隔离相邻两个子像素单元。
例如，由于水、氧气等对阴极、有机材料功能层的性能的影响较大，如图10所示，该有机电致发光二极管(OLED)显示面板的阳极344上还可以设置有钝化层347和封装层348。
例如，该钝化层347的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及丙烯酸类树脂等。
例如，封装层348的材料包括氮化硅、氧化硅或者感光树脂形成的单一膜层或者复合膜层，例如，感光树脂可以为聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂或者聚酰胺类树脂等。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的任一显示面板。例如，图11为本公开的实施例提供的一种显示装置的框图。如图11所示，该显示装置40包括显示面板30。
该显示装置40的一个示例为液晶显示装置，其中，阵列基板与对置基板彼此对置以形成液晶盒，阵列基板即为上述任一实施例中的显示基板，在液晶盒中填充有液晶材料。该对置基板例如为彩膜基板。阵列基板的每个子像素的像素电极用于施加电场对液晶材料的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。在一些示例中，该液晶显示装置还包括为阵列基板提供背光的背光源。
该显示装置的其他示例可以为有机电致发光二极管(OLED)显示装置或电子纸显示装置等。
例如，该显示装置40中的其他结构可参见常规设计。该显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不再赘述，也不应作为对本公开的限制。该显示装置的实施可以参见上述中显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本公开的实施例还提供一种显示基板的制备方法，例如，图12为本公开的实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。例如，该显示基板包括显示区域和在显示区域外侧的周边区域，该周边区域包括绑定区。该制备方法包括：
S101：提供衬底基板；
S102：在衬底基板上且在绑定区形成第一金属图案；
例如，形成第一金属图案的过程包括：在衬底基板上沉积第一金属薄膜，对第一金属薄膜进行图案化处理，以形成第一金属图案。
例如，采用溅射或热蒸发的方法，连续沉积厚度为200～400nm的第一金属薄膜。例如，该第一金属薄膜的厚度为200nm、250nm、300nm、350nm或者400nm。
例如，该衬底基板可以是透明绝缘基板，其材料可以是玻璃、石英、塑料或者其他适合的材料。
例如，第一金属图案的材料为低电阻金属材料，该低电阻金属材料包括铝基金属，即可以仅包括铝金属，还可以同时包括铝和其他金属。
例如，该铝基金属包括Al、AlMo、AlTi、AlMoW、AlMoNb和AlMoTi中的至少之一。
例如，在铝基金属中，铝的质量百分含量为85wt％～100wt％，例如，86wt％、88wt％、90wt％、92wt％、94wt％、96wt％、98wt％或者100wt％。
例如，对第一金属薄膜进行图案化处理的过程包括：在第一金属图案上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板遮挡对光刻胶进行曝光和显影处理，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于第一金属图案所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行刻蚀工艺以完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一金属薄膜；剥离剩余的光刻胶，形成第一金属图案。
例如，第一金属图案所在区域为显示基板中栅线或者数据线所在的区域。
S103：在第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案，该第二金属图案的金属的活性比第一金属图案的金属的活性弱。
金属活性是指金属被置换出来的灵活程度，根据金属活动顺序表中金属排布的顺序，从前往后金属活性逐渐降低。在金属活性顺序表中，形成第一金属图案的金属的位置比形成第二金属图案的金属的位置更靠前。
例如，在第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案包括：在第一金属图案上形成第二金属薄膜，对第二金属薄膜进行图案化工艺以形成覆盖第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分的第二金属图案。
例如，在第一金属图案上形成第二金属薄膜包括沉积第二金属薄膜。例如，沉积第二金属薄膜的过程包括通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)方法连续沉积镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛金属单质的膜层，或者镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛金属的合金形成的膜层，然后对该第二金属薄膜进行刻蚀形成第二金属图案。等离子体增强化学气相沉积的过程所用的反应气体为SiH4、NH3、N2、SiH2Cl2或N2。采用PECVD方法沉积具有温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少以及所沉积的膜层不易龟裂的优点。
例如，所沉积的第二金属薄膜的厚度为350～600nm。例如，该第二金属薄膜的厚度为350nm、400nm、450nm、500nm、550nm或者600nm。
例如，对第二金属薄膜进行图案化工艺包括干刻。
例如，干刻所用到的干蚀刻剂包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加气体和非活性气体。
例如，该添加气体包括氧化性气体或还原性气体。该氧化性气体或还原性气体为H2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF3OF、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3中的至少一种气体。
例如，该非活性气体为N2、He、Ar、Ne以及Kr中的至少一种气体。
例如，在该导电图案中，第二金属图案覆盖第一金属图案的全部上表面和全部侧表面，以将暴露出的第一金属图案的上表面和侧表面与外界完全隔绝，从而防止了第一金属图案被后续形成膜层或者形成电极的过程中所用到的刻蚀液刻蚀，从而不会影响导电图案形成的金属配线和金属电极的导电性能，使得显示器件的性能得到保障。
例如，第一金属图案的金属的导电性比第二金属图案的金属的导电性强。
例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，在形成第一金属图案之前还包括形成第三金属薄膜。例如，采用磁控溅射的方法或者化学气相沉积的方法形成第三金属薄膜，然后在第三金属薄膜上沉积第一金属薄膜，并在同一构图工艺形成第一金属图案和第三金属图案。
例如，该第三金属图案形成在第一金属图案的靠近衬底基板的一侧。
例如，沉积第三金属薄膜的过程包括通过等离子体增强化学气相沉积方法连续沉积镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛金属单质的膜层，或者，镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛金属中的至少两种形成的合金的膜层，然后对该第三金属薄膜进行刻蚀形成第三金属图案。等离子体增强化学气相沉积的过程所用的反应气体为SiH4、NH3、N2、SiH2Cl2或N2。采用PECVD方法沉积具有温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少以及不易龟裂的优点。
例如，在第一金属图案和第三金属图案上形成第二金属薄膜，并对第二金属薄膜进行构图工艺形成第二金属图案，第二金属图案覆盖第一金属图案的上表面和侧表面，第二金属图案也可以同时覆盖第三金属图案的至少一个侧表面的至少一部分。例如，第二金属图案覆盖第一金属图案的上表面和侧表面，且同时覆盖第三金属图案的全部侧表面。第二金属图案的形成过程可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。
本公开的实施例提供的显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制备方法具有以下至少一项有益效果：
(1)本公开至少一实施例提供的显示基板，在第一金属图案上形成包覆于其至少一个侧表面的至少一部分的第二金属图案以减少第一金属图案的侧表面与后续形成膜层或者形成电极的过程中所用到的刻蚀液反应，从而减少了第一金属图案导电性降低的问题，进而减少了产品良率下降的问题；
(2)本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法，降低了对设备的要求，减少了工艺步骤，从而降低了显示基板中导电图案的制作工艺的复杂性；
(3)本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法，降低了生产成本。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示基板，包括：显示区域和在所述显示区域外侧的周边区域，所述周边区域包括绑定区；
其中，所述显示基板包括：
衬底基板；
第一金属图案和第二金属图案，在所述衬底基板上且在所述绑定区内，所述第二金属图案覆盖所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分，所述第二金属图案的金属的活性比所述第一金属图案的金属的活性弱；
所述第一金属图案的金属包括铝基金属，且所述第二金属图案的金属包括镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛中的至少之一。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一金属图案的金属的导电性比所述第二金属图案的金属的导电性强。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其中，所述第二金属图案还覆盖所述第一金属图案的远离所述衬底基板的表面。
4.根据权利要求3所述的显示基板，还包括第三金属图案，其中，所述第三金属图案设置在所述第一金属图案的靠近所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第二金属图案覆盖所述第三金属图案的至少一个侧表面的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第三金属图案的金属和所述第二金属图案的金属相同。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述铝基金属包括Al、AlMo、AlTi、AlMoW、AlMoNb或者AlMoTi中的至少之一。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其中，在所述铝基金属中，铝的质量百分含量为85wt％～100wt％。
9.根据权利要求1或2所述的显示基板，包括多个所述第一金属图案和多个所述第二金属图案，其中，多个所述第一金属图案彼此间隔；多个所述第二金属图案彼此间隔。
10.一种显示面板，包括权利要求1-9中任一项所述的显示基板。
11.一种显示装置，包括权利要求10所述的显示面板。
12.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和在所述显示区域外侧的周边区域，所述周边区域包括绑定区，其中，所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上且在所述绑定区内形成第一金属图案；
在所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案；其中，
所述第二金属图案的金属的活性比所述第一金属图案的金属的活性弱；
所述第一金属图案的金属包括铝基金属，且所述第二金属图案的金属包括镍、钴、钼、钨、铜、铌或者钛中的至少之一。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述第一金属图案的金属的导电性比所述第二金属图案的金属的导电性强。
14.根据权利要求12或13所述的制备方法，其中，所述第二金属图案还覆盖所述第一金属图案的远离所述衬底基板的表面。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其中，在所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上形成第二金属图案包括：在所述第一金属图案上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行图案化工艺以形成覆盖所述第一金属图案的至少一个侧表面的至少一部分上的所述第二金属图案。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，对所述第二金属薄膜进行图案化工艺包括干刻。
17.根据权利要求15或16所述的制备方法，还包括形成第三金属图案，其中，所述第三金属图案形成在所述第一金属图案的靠近所述衬底基板的一侧。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其中，在同一图案化工艺中形成所述第一金属图案和所述第三金属图案。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其中，所述在同一图案化工艺中形成所述第一金属图案和所述第三金属图案包括：依次形成第三金属薄膜和第一金属薄膜，同时对所述第三金属薄膜和所述第一金属薄膜进行干刻工艺形成所述第一金属图案和所述第三金属图案。
20.根据权利要求17所述的制备方法，其中，所述第二金属图案覆盖所述第三金属图案的至少一个侧表面的至少一部分。
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