CN111524907A - 一种显示面板、其制备方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板、其制备方法及显示装置。所述显示面板包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极；其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。本发明通过在金属线表面设置复合无机物薄膜结构，可降低金属线的反射，节省制程时间，简化工艺，降低生产成本。

Description

一种显示面板、其制备方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
微型LED技术具有亮度高、稳定性好、色域宽等优点，被认为是下一代新型显示技术，有望在诸多领域取得广泛的应用。
由于微型LED的显示面板，其内部存在诸多金属走线，会造成显示面板的反射率偏高，影响实际观看效果。目前通常采用黑色矩阵结构或黑油遮蔽金属线，从而降低显示面板的反射。但此种方法会导致显示面板的开口率下降，且会增加实验制程，以及存在涂布精度不够等问题。故，有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板，用于解决现有技术的显示面板，其内部存在许多金属走线，导致显示屏反光，影响视觉效果，若采用黑色矩阵或黑油遮蔽金属线的方案降低反射率，会导致显示面板的开口率降低、生产成本上升，且涂布精度不够的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极、位于所述绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层、以及位于所述钝化层上的像素电极。所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。
进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的氧化钼膜。
进一步的，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。
进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第一氧化铟锡膜、以及位于所述第一氧化铟锡膜上的钼膜。
进一步的，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。
进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第二氧化铟锡膜、位于所述第二氧化铟锡膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的第三氧化铟锡膜。
进一步的，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤：提供一衬底层；在所述衬底层上制备遮光金属层；在所述遮光金属层上制备第一减反层；在所述衬底层上制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一减反层；在所述缓冲层上制备有源层；在所述有源层上制备栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制备栅极；在所述栅极上制备第二减反层；在所述缓冲层上制备绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二减反层；在所述绝缘层上制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触；在所述源极和所述漏极上分别制备第三减反层和第四减反层，其中，所述第一减反层、所述第二减反层、所述第三减反层、以及所述第四减反层均为复合无机物薄膜结构；在所述绝缘层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第三减反层和所述第四减反层；在所述钝化层上制备像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。
进一步的，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/钼膜/氧化钼膜、或铜膜/第一氧化铟锡膜/钼膜、或铜膜/第二氧化铟锡膜/钼膜/第三氧化铟锡膜。
本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
有益效果：本发明实施例提供的一种显示面板，通过在金属线表面设置复合无机物薄膜结构，可降低金属线的反射，且所述复合无机物薄膜结构与所述金属线在同一道工序成膜，可节省制程时间，简化工艺，降低生产成本，同时提高了器件精度，优化了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。
图2是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。
图3a～3d是本发明实施例提供的复合无机物薄膜结构的制备工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图，从图中可以很直观地看到本发明的各组成部分，以及各组成部分之间的相对位置关系，所述显示面板包括衬底层101、位于所述衬底层101上的遮光金属层102、位于所述衬底层101上且覆盖所述遮光金属层102的缓冲层103、位于所述缓冲层103上的有源层104、位于所述有源层104上的栅绝缘层105、位于所述栅绝缘层105上的栅极106、位于所述缓冲层103上且覆盖所述栅极106的绝缘层107、位于所述绝缘层107上的源极108和漏极109、位于所述绝缘层107上且覆盖所述源极108和所述漏极109的钝化层110、以及位于所述钝化层110上的像素电极111。
其中，所述源极108和所述漏极109分别通过第一过孔112和第二过孔113与所述有源层104的两端相接触，所述漏极109通过第三过孔114与所述遮光金属层102相接触，所述像素电极111通过第四过孔115与所述源极108相接触。
其中，所述源极108、所述漏极109、所述栅极106、以及所述遮光金属层102的表面均设置有减反层116，所述减反层116为复合无机物薄膜结构。具体地，所述减反层116包括第一减反层1161、第二减反层1162、第三减反层1163、以及第四减反层1164，所述第一减反层1161位于所述遮光金属层102的上表面，所述第二减反层1162位于所述栅极106的上表面，所述第三减反层1163位于所述源极108的上表面，所述第四减反层1164位于所述漏极109的上表面。
需要说明的是，本发明实施例所提供的显示面板，其内部的金属线上方均设置有复合无机物薄膜结构，可降低金属线的反射率，减弱显示面板表面的反光，优化显示效果，所述复合无机物薄膜结构可与金属线在同一道工序中制备，不会额外增加制程程序，简化了工艺，节约了制程时间，降低了生产成本，且所述复合无机物薄膜结构位于金属线的正上方，不会对显示面板的开口率造成影响，与现有技术的涂布黑色光阻或黑油的方法相比，提高了器件的精度。
需要说明的是，本发明实施例提供的复合无机物薄膜结构的整体厚度小于100纳米。由于所述复合无机物薄膜结构是由多层薄膜组成，在特定的薄膜厚度下，利用干涉相消的原理，可实现较低的反射率，宏观上呈现黑色的状态，可降低金属线的反射，优化显示效果。
需要说明的是，本发明实施例提供的复合无机物薄膜结构不仅适用于金属线表面，还可用于透明显示，高PPI显示等特殊应用。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的氧化钼膜。具体地，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。其中，所述钼膜的最佳厚度为5纳米。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第一氧化铟锡膜、以及位于所述第一氧化铟锡膜上的钼膜。具体地，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。其中，所述第一氧化铟锡膜的最佳厚度为40纳米，所述钼膜的最佳厚度为5纳米。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第二氧化铟锡膜、位于所述第二氧化铟锡膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的第三氧化铟锡膜。具体地，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。其中，所述第二氧化铟锡膜的最佳厚度为30纳米，所述钼膜的最佳厚度为10纳米，所述第三氧化铟锡膜的最佳厚度为60纳米。
在一种实施例中，所述显示面板还包括第一金属层117，所述第一金属层117与所述栅极106同层制备，所述像素电极111通过第五过孔118与所述第一金属层117相接触。
如图2所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图，所述制备方法包括步骤：
S201、提供一衬底层；
S202、在所述衬底层上制备遮光金属层；
S203、在所述遮光金属层上制备第一减反层；
S204、在所述衬底层上制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一减反层；
S205、在所述缓冲层上制备有源层；
S206、在所述有源层上制备栅绝缘层；
S207、在所述栅绝缘层上制备栅极；
S208、在所述栅极上制备第二减反层；
S209、在所述缓冲层上制备绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二减反层；
S210、在所述绝缘层上制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触；
S211、在所述源极和所述漏极上分别制备第三减反层和第四减反层，其中，所述第一减反层、所述第二减反层、所述第三减反层、以及所述第四减反层均为复合无机物薄膜结构；
S212、在所述绝缘层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第三减反层和所述第四减反层；
S213、在所述钝化层上制备像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。
需要说明的是，本发明实施例所提供的显示面板的制备方法，通过在金属线上方制备减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构，所述复合无机物薄膜结构是由多层薄膜组成，在特定的薄膜厚度下，利用干涉相消的原理，可实现较低的反射率，宏观上呈现黑色的状态，可降低金属线的反射，减弱显示面板表面的反光，优化显示效果，所述复合无机物薄膜结构与金属线在同一道工序中制备，不会额外增加制程程序，简化了工艺，节约了制程时间，降低了生产成本。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/钼膜/氧化钼膜。具体地，所述钼膜位于所述铜膜上，所述氧化钼膜位于所述钼膜上。其中，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/第一氧化铟锡膜/钼膜。具体地，所述第一氧化铟锡膜位于所述铜膜上，所述钼膜位于所述第一氧化铟锡膜上。其中，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。
在一种实施例中，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/第二氧化铟锡膜/钼膜/第三氧化铟锡膜。具体地，所述第二氧化铟锡膜位于所述铜膜上，所述钼膜位于所述第二氧化铟锡膜上，所述第三氧化铟锡膜位于所述钼膜上。其中，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。
如图3a～3d所示，本发明实施例提供的复合无机物薄膜结构的制备工艺流程图，首先，利用物理气相沉积法，在衬底层101上溅射出遮光金属层102，然后在所述遮光金属层102上溅射出第一减反层1161，所述第一减反层1161为复合无机物薄膜结构，所述复合无机物薄膜结构是由多层薄膜组成，在特定的薄膜厚度下，利用干涉相消的原理，可实现较低的反射率，宏观上呈现黑色的状态，可降低金属线的反射，减弱显示面板表面的反光，优化显示效果。
接下来，在所述第一减反层1161上涂布光阻，进过曝光、显影后形成光阻图案119；然后将所述遮光金属层102和所述第一减反层1161中没有被光阻保护的区域刻蚀掉，形成遮光金属线图案；最后进行光阻剥离，从而制得所述遮光金属层102和所述第一减反层1161。
需要说明的是，所述第一减反层1161与所述遮光金属层102是在同一道工序(黄光工序)中制备，不会额外增加制程程序，简化了工艺，节约了制程时间，降低了生产成本。
需要说明的是，本实施例是以第一减反层1161的制备工艺为例进行说明，其他的第二减反层、第三减反层、以及第四减反层的制备工艺与本实施例类似，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述，本发明实施例提供的一种显示面板，通过在金属线表面设置复合无机物薄膜结构，可降低金属线的反射，且所述复合无机物薄膜结构与所述金属线在同一道工序成膜，可节省制程时间，简化工艺，降低生产成本，同时提高了器件精度，优化了显示效果，解决了现有技术的显示面板，其内部存在许多金属走线，导致显示屏反光，影响视觉效果，若采用黑色矩阵或黑油遮蔽金属线的方案降低反射率，会导致显示面板的开口率降低、生产成本上升，且涂布精度不够的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板、其制备方法及显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极、位于所述绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层、以及位于所述钝化层上的像素电极；
所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触；
其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的氧化钼膜。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第一氧化铟锡膜、以及位于所述第一氧化铟锡膜上的钼膜。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第二氧化铟锡膜、位于所述第二氧化铟锡膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的第三氧化铟锡膜。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一衬底层；
在所述衬底层上制备遮光金属层；
在所述遮光金属层上制备第一减反层；
在所述衬底层上制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一减反层；
在所述缓冲层上制备有源层；
在所述有源层上制备栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上制备栅极；
在所述栅极上制备第二减反层；
在所述缓冲层上制备绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二减反层；
在所述绝缘层上制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触；
在所述源极和所述漏极上分别制备第三减反层和第四减反层，其中，所述第一减反层、所述第二减反层、所述第三减反层、以及所述第四减反层均为复合无机物薄膜结构；
在所述绝缘层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第三减反层和所述第四减反层；
在所述钝化层上制备像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/钼膜/氧化钼膜、或铜膜/第一氧化铟锡膜/钼膜、或铜膜/第二氧化铟锡膜/钼膜/第三氧化铟锡膜。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的显示面板。
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