CN111662646A - 切割带和带有粘接薄膜的切割带 - Google Patents

Abstract

[课题]提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。[解决方案]本发明的切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。本发明的带有粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)和粘接薄膜(20)的层叠结构。粘接薄膜(20)以能剥离的方式与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘合剂层(12)含有玻璃化转变温度为‑43℃以下的基础聚合物。

Description

切割带和带有粘接薄膜的切割带

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造过程中能使用的切割带和带有粘接薄膜的切割带。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接薄膜的半导体芯片时，有时使用带有粘接薄膜的切割带。带有粘接薄膜的切割带例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以能剥离的方式密合于其粘合剂层侧的粘接薄膜。粘接薄膜具有大于作为工件的半导体晶圆的尺寸的圆盘形状，例如对于具有大于该粘接薄膜的尺寸的圆盘形状的切割带以同心圆状粘贴在其粘合剂层侧。切割带的粘合剂层中，在未被粘接薄膜覆盖的粘接薄膜周围的区域，能粘附SUS制的环框。环框为如下构件：在粘附于切割带的状态下在各种装置所具备的输送臂等输送机构输送工件时机械地抵接。

作为使用带有粘接薄膜的切割带而得到带有粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有如下方法：经由用于将带有粘接薄膜的切割带中的切割带扩展而割断粘接薄膜的工序。该方法中，首先，在带有粘接薄膜的切割带中，以在切割带粘合剂层的粘接薄膜周围的区域粘附有环框的状态，在粘接薄膜上粘贴半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与粘接薄膜的割断同时被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的粘接薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该粘接薄膜割断，使用规定的扩展装置，在低温下(例如-20℃～0℃)沿晶圆径向对带有粘接薄膜的切割带的切割带进行扩展(冷扩展工序)。该冷扩展工序中，粘接薄膜上的半导体晶圆中的对应于粘接薄膜割断部位的部位也产生割断，在带有粘接薄膜的切割带或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，经过用于扩展带有粘接薄膜的切割带上的芯片间的间隔距离的切割带的扩展(分离扩展)后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的粘接薄膜一同从切割带的下侧被拾取机构的销构件顶起，然后从切割带上拾取(拾取工序)。这样，得到带有粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片借助该粘接薄膜通过芯片接合固着在安装基板等被粘物上。对于例如如上述那样使用的带有粘接薄膜的切割带相关的技术，记载于例如下述的专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述的冷扩展工序中将切割带扩展时，张力集中在特别是粘接薄膜和切割带中的、半导体晶圆的外周侧面的延长面与环框的内周侧面的延长面之间的部分，有时在切割带中产生断裂。冷扩展工序时如果在切割带中产生断裂，则从切割带传递的张力被中断，因此，产生无法进行半导体晶圆、粘接薄膜的割断的不良情况。另外，切割带的断裂如果变大，则难以进入下一工序。

本发明是基于以上那样的情况而作出的，其目的在于，提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。

用于解决问题的方案

根据本发明的第1方面，提供一种切割带。该切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，粘合剂层含有玻璃化转变温度(Tg)为-43℃以下的基础聚合物。这样的构成的切割带可以在如下的工序中适宜使用：在粘接薄膜以能剥离的方式与其粘合剂层密合、在粘接薄膜上进一步粘结有半导体晶圆的形态下，将切割带在低温下(例如-15℃～5℃)下扩展，将半导体晶圆和粘接薄膜割断，得到单片化后的带有粘接薄膜的半导体芯片的割断工序(冷扩展工序)。

本发明的第1方面的切割带如上所述，其粘合剂层含有Tg为-43℃以下的基础聚合物。该构成对于在上述冷扩展工序中能抑制切割带的断裂的方面是适合的。即，认为：在冷扩展工序的低温条件下，粘合剂层含有Tg为-43℃以下的基础聚合物，从而粘合剂层具有适度的柔软性，可以抑制以粘合剂层的裂纹为起点的切割带的断裂。从可以抑制切割带的断裂的观点出发，上述基础聚合物的Tg优选-50℃以下，更优选-55℃以下。上述基础聚合物的Tg优选-65℃以上、更优选-62℃以上。从冷扩展工序中切割带的张力传递至粘接薄膜而不被粘合剂层吸收、可以良好地断割半导体晶圆的观点出发，上述基础聚合物的Tg优选-65℃以上、更优选-62℃以上的构成是适合的。

从容易将Tg控制为-43℃以下的观点出发，本发明的第1方面的切割带的基础聚合物优选丙烯酸类聚合物。

本发明的第1方面的切割带中，粘合剂层的厚度优选5μm以上且40μm以下，更优选7μm以上且30μm以下，进一步优选10μm以上且15μm以下。这样的构成在确保半导体晶圆的割断性、且抑制切割带的断裂的方面优选。上述粘合剂层的厚度为40μm以下，优选30μm以下，进一步优选15μm以下这样的构成在抑制粘合剂层的增厚化导致的整体硬度、抑制由粘合剂层的裂纹引起的切割带的断裂方面是优选的。从在冷扩展工序中将切割带的张力传递至粘接薄膜、良好地割断半导体晶圆的观点出发，上述粘合剂层的厚度为5μm以上、优选7μm以上、进一步优选10μm以上这样的构成是适合的。

本发明的第1方面的切割带的-15℃下的断裂伸长率优选300％以上、更优选373％以上、进一步优选400％以上。这样的构成在抑制切割带的断裂上是适合的。另外，上述断裂伸长率优选600％以下，更优选500％以下。

本发明的第1方面的切割带的-15℃下的断裂强度优选15N/10mm以上、更优选18N/10mm以上、进一步优选30N/10mm以上。这样的构成在抑制切割带的断裂上是适合的。另外，从在冷扩展工序中将切割带的张力传递至粘接薄膜、良好地割断半导体晶圆的观点出发，上述断裂强度优选35N/10mm以下，更优选32N/10mm以下。

根据本发明的第2方面，提供一种带有粘接薄膜的切割带。由本发明提供的带有粘接薄膜的切割带具有：本发明的第1方面的切割带、和以能剥离的方式与该切割带中的前述粘合剂层密合的粘接薄膜。具备本发明的第1方面的切割带这样的带有粘接薄膜的切割带适合用于冷扩展工序，即，适于在冷扩展工序中抑制切割带的断裂、良好地割断半导体晶圆和粘接薄膜。

本发明的第2方面的带有粘接薄膜的切割带中，粘接薄膜的25℃下的断裂强度优选5N/10mm以下，更优选3N/10mm以下，进一步优选1.5N/10mm以下。这样的构成在减轻对切割带施加的负荷、抑制切割带的断裂上是适合的。另外，从半导体晶圆的适度的割断性的观点出发，上述断裂强度优选0.1N/10mm以上、更优选0.2N/10mm以上、进一步优选0.5N/10mm以上。

本发明的第2方面的带有粘接薄膜的切割带中，粘接薄膜的25℃下的断裂伸长率优选100％以下，更优选80％以下，进一步优选50％以下，最优选15％以下。这样的构成在减轻对切割带施加的负荷、抑制切割带的断裂上是适合的。从半导体晶圆的适度的割断性的观点出发，上述断裂伸长率优选0.5％以上、更优选1％以上、进一步优选3％以上、最优选5％以上。

附图说明

图1为本发明的一实施方式的带有粘接薄膜的切割带的截面示意图。

图2为图1所示的带有粘接薄膜的切割带的俯视图。

图3示出使用图1所示的带有粘接薄膜的切割带的半导体装置制造方法的一例中的一部分工序。

图4示出图3所示的工序后接下来的工序。

图5示出图4所示的工序后接下来的工序。

图6示出图5所示的工序后接下来的工序。

图7示出图6所示的工序后接下来的工序。

图8示出图7所示的工序后接下来的工序。

图9示出图8所示的工序后接下来的工序。

图10示出使用图1所示的带有粘接薄膜的切割带的半导体装置制造方法的另一例中的一部分工序。

图11示出图10所示的工序后接下来的工序。

图12示出使用图1所示的带有粘接薄膜的切割带的半导体装置制造方法的另一例中的一部分工序。

图13示出图12所示的工序后接下来的工序。

附图标记说明

X 带有粘接薄膜的切割带

10 切割带

11 基材

12 粘合剂层

20、21 粘接薄膜

W、30A、30B 半导体晶圆

30C 半导体晶圆分割体

30a 改性区域

30b 分割槽

31 半导体芯片

具体实施方式

图1为本发明的一实施方式的带有粘接薄膜的切割带X的截面示意图。带有粘接薄膜的切割带X具有包含本发明的一实施方式的切割带10和粘接薄膜20的层叠结构。切割带10具有包含基材11和粘合剂层12的层叠结构。粘合剂层12在粘接薄膜20侧具有粘合面12a。粘接薄膜20以能剥离的方式与切割带10的粘合剂层12和/或其粘合面12a密合。本实施方式中，切割带10和粘接薄膜20如图2所示那样，具有圆盘形状、且以同心圆状配置。切割带10的粘合剂层12中，在未被粘接薄膜20覆盖的粘接薄膜周围的区域中，能粘附例如SUS制的环框。环框为在粘附于切割带10的状态下在各种装置所具备的输送臂等输送机构输送工件时机械地抵接的构件。这样的带有粘接薄膜的切割带X可以在半导体装置的制造中、在得到带有粘接薄膜的半导体芯片的过程中使用。

带有粘接薄膜的切割带X中的切割带10的基材11是在切割带10和/或带有粘接薄膜的切割带X中为作为支撑体发挥功能的要素。基材11为具有紫外线透射性的例如塑料基材，作为该塑料基材，可以适合使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如可以举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、芳族聚酰胺、氟树脂、纤维素系树脂和有机硅树脂。作为聚烯烃，例如可以举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物和乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材11可以由一种材料形成，也可以由两种以上的材料形成。基材11可以具有单层结构，也可以具有多层结构。另外，基材11由塑料薄膜形成的情况下，可以为无拉伸薄膜，也可以为单轴拉伸薄膜，还可以为双轴拉伸薄膜。

基材11中的粘合剂层12侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层12的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如可以举出电晕处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理和离子化辐射线处理。作为化学处理，例如可以举出铬酸处理。

从确保基材11用于作为切割带10和/或带有粘接薄膜的切割带X中的支撑体发挥功能的强度的观点出发，基材11的厚度优选40μm以上、更优选50μm以上。另外，从切割带10和/或带有粘接薄膜的切割带X中实现适度的挠性的观点出发，基材11的厚度优选200μm以下，更优选180μm以下。

基材11的雾度优选50～98％。关于塑料基材等基材的雾度，例如可以使用雾度测定装置(商品名“HM-150”，株式会社村上色彩技术研究所制)而测定。基材11的雾度为50％以上这样的构成在能实现使半导体晶圆粘贴于带有粘接薄膜的切割带X时使用的粘贴装置所具备的光学传感器中的位置识别上是适合的。基材11的雾度为98％以下这样的构成在通过穿过基材11对切割带10的粘合剂层12的紫外线照射而使粘合剂层12进行紫外线固化的方面是适合的。

构成切割带10的粘合剂层12的粘合剂可以为能够通过辐射线照射、加热等来自外部的作用而有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力降低型粘合剂)，也可以为粘合力基本不因来自外部的作用而降低或完全不降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)，可以根据使用带有粘接薄膜的切割带X而单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等来适宜选择。

使用粘合力降低型粘合剂作为粘合剂层12中的粘合剂的情况下，在带有粘接薄膜的切割带X的制造过程、使用过程中，可区分使用粘合剂层12显示相对高的粘合力的状态与显示相对低的粘合力的状态。例如，在带有粘接薄膜的切割带X的制造过程中，在使粘接薄膜20粘贴于切割带10的粘合剂层12时、带有粘接薄膜的切割带X用于规定的晶圆切割工序时，利用粘合剂层12显示相对高的粘合力的状态，能抑制/防止粘接薄膜20等被粘物从粘合剂层12的浮起、剥离，另一方面，此后，用于从带有粘接薄膜的切割带X的切割带10拾取带有粘接薄膜的半导体芯片的拾取工序中，在使粘合剂层12的粘合力降低的基础上，能从粘合剂层12适当地拾取带有粘接薄膜的半导体芯片。

作为这样的粘合力降低型粘合剂，例如可以举出辐射线固化型粘合剂(具有辐射线固化性的粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力降低型粘合剂。另外，可以粘合剂层12的整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以粘合剂层12的一部分由粘合力降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构的情况下，可以粘合剂层12的整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以粘合剂层12中的规定的部位(例如，作为晶圆的贴附对象区域的中央区域)由粘合力降低型粘合剂形成、其他部位(例如，为环框的贴附对象区域、且位于中央区域的外侧的区域)由粘合力非降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层12具有层叠结构的情况下，可以是形成层叠结构的全部层由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力降低型粘合剂形成。

作为粘合剂层12中的辐射线固化型粘合剂，例如可以使用通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可以特别适合使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化型粘合剂)。

切割带10的粘合剂层12中的粘合剂如上所述，含有玻璃化转变温度(Tg)为-43℃以下的基础聚合物。该构成对于在上述冷扩展工序中可以抑制切割带10的断裂的方面是适合的。即，认为，在冷扩展工序的低温条件下，粘合剂层12含有Tg为-43℃以下的基础聚合物，从而粘合剂层12具有适度的柔软性，可以抑制以粘合剂层12的裂纹为起点的切割带10的断裂。从可以抑制切割带10的断裂的观点出发，上述基础聚合物的Tg优选-50℃以下，更优选-55℃以下。上述基础聚合物的Tg优选-65℃以上、更优选-62℃以上。从冷扩展工序中切割带10的张力传递至粘接薄膜20而不被粘合剂层12吸收、可以良好地割断半导体晶圆的观点出发，上述基础聚合物的Tg优选-65℃以上、更优选-62℃以上这样的构成是适合的。

该基础聚合物的Tg例如可以依据JIS K 7121等而测定，也可以为由以下的Fox式算出的计算玻璃化转变温度。该计算玻璃化转变温度可以通过选择构成基础聚合物(共聚物)的各单体成分的种类和量等而调整。

计算玻璃化转变温度(计算Tg)可以由Fox式〔1〕算出。

1/计算Tg＝W1/Tg(1)+W2/Tg(2)+···+Wn/Tn 〔1〕

此处，W1、W2、···Wn表示构成共聚物的单体成分(1)、单体成分(2)、···单体成分(n)相对于全部单体成分的各重量分率(重量％)，Tg(1)、Tg(2)、···Tg(n)表示单体成分(1)、单体成分(2)、···单体成分(n)的均聚物的玻璃化转变温度(单位为绝对温度：K)。

需要说明的是，均聚物的玻璃化转变温度根据各种文献、产品目录等是公知的，例如记载于J.Brandup,E.H.Immergut，E.A.Grulke:Polymer Handbook：JOHNWILEY&SONS,INC。对于各种文献中无数值的单体，可以采用通过一般的热分析、例如差示热分析、动态粘弹性测定法等而测定的值。

从在冷扩展工序的低温条件下对粘合剂层12赋予适当的柔软性的观点出发，粘合剂层12中的上述基础聚合物的含量相对于粘合剂层12优选85重量％以上、更优选90重量％以上。另外，从配混辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分、聚合引发剂等功能性成分的观点出发，粘合剂层12中的上述基础聚合物的含量相对于粘合剂层(100重量％)优选99重量％以下、更优选98重量％以下。

为了将基础聚合物的Tg(包含根据Fox式而算出的计算Tg)调整为-43℃以下，优选调整均聚物具有低的Tg的单体成分(以下，称为“低Tg单体”)与均聚物具有高的Tg的单体成分(以下，称为“高Tg单体”)的配混比例。

作为低Tg单体的均聚物的Tg，从容易将基础聚合物的Tg调整为-43℃以下的观点出发，优选低于100℃、更优选低于80℃、更优选低于60℃、更优选低于40℃、更优选低于20℃、更优选低于0℃、进一步优选低于-10℃。

作为高Tg单体的均聚物的Tg，从容易将基础聚合物的Tg调整为-43℃以下的观点出发，优选-10℃以上、更优选0℃以上、更优选20℃以上、更优选40℃以上、更优选60℃以上、更优选80℃以上、进一步优选100℃以上。

低Tg单体与高Tg单体的比率(低Tg单体/高Tg单体的摩尔比)可以根据使用的单体成分的Tg、其组合而变动，从容易将基础聚合物的Tg调整为-43℃以下、可以抑制切割带10的断裂的观点出发，例如优选5以上、更优选10以上。另外，从将基础聚合物的Tg调整为-65℃以上、担保半导体晶圆的割断性的观点出发，上述比率优选30以下、更优选25以下。

作为粘合剂层12中的上述基础聚合物，例如可以举出属于丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物、属于氨基甲酸酯系粘合剂的氨基甲酸酯系聚合物、属于有机硅系粘合剂的有机硅系聚合物等。从容易调整以上述Fox式算出的计算Tg的观点出发，优选丙烯酸类聚合物。

上述丙烯酸类聚合物优选包含以质量比例计最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。“(甲基)丙烯酸”是指，“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。作为用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即、作为丙烯酸类聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯。

作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即，月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、和二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯和环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为用于丙烯酸类聚合物的(甲基)丙烯酸酯，优选使用丙烯酸2-乙基己酯。另外，在粘合剂层12适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性、且将Tg调整为-43℃以下的方面，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的(甲基)丙烯酸酯的比率优选70质量％以上、更优选80质量％以上。

上述丙烯酸类聚合物例如从其内聚力、耐热性的改性、将Tg调整为-43℃以下的观点出发，可以包含源自能跟(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体的单体单元。作为用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的其他共聚性单体、即、作为丙烯酸类聚合物的构成单体的其他共聚性单体，例如可以举出含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含氮的单体、含环氧基的单体、含磺酸基的单体和含磷酸基的单体。作为含羧基的单体，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸。作为酸酐单体，例如可以举出马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基的单体，例如可以举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含氮的单体，例如可以举出丙烯酰基吗啉、丙烯酰胺和丙烯腈。作为含环氧基的单体，例如可以举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基的单体，例如可以举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基的单体，例如可以举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。作为用于丙烯酸类聚合物的上述共聚性单体，优选使用选自由含羟基的单体和含氮的单体组成的组中的至少一种。作为用于丙烯酸类聚合物的上述共聚性单体，更优选使用选自由(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和丙烯酰基吗啉组成的组中的至少一种。

上述丙烯酸类聚合物包含源自含羟基的单体(特别是丙烯酸2-羟基乙酯)的单体单元的情况下，即，丙烯酸类聚合物包含含羟基的单体作为其构成单体的情况下，作为该丙烯酸类聚合物中的构成单体的含羟基的单体的比率优选5～40mol％、更优选10～30mol％。

上述丙烯酸类聚合物包含源自含氮的单体(特别是丙烯酰基吗啉)的单体单元的情况下，即，丙烯酸类聚合物包含含氮的单体作为其构成单体的情况下，作为该丙烯酸类聚合物中的构成单体的含氮的单体的比率优选0～30mol％、更优选5～20mol％、进一步优选10～20mol％。切割带10中，该含有比率为5mol％以上、优选10mol％以上这样的构成对于粘合剂层12中的前述聚合物实现高极性的方面是适合的，在粘合剂层12高弹性化从而得到半导体晶圆的割断性、割断后的带有粘接薄膜的半导体芯片从切割带10的剥离性的方面是适合的。切割带10中，该含有比率为30mol％以下、优选20mol％以下这样的构成在可以抑制切割带10的断裂的方面是适合的。

丙烯酸类聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能跟(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可以举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸多缩水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指，“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在粘合剂层12适当体现基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比率优选40mol％以下，优选30mol％以下。

作为高Tg单体，可以举出丙烯酰基吗啉(均聚物的Tg：145℃)、丙烯腈(均聚物的Tg：97℃)、甲基丙烯酸甲酯(均聚物的Tg：105℃)等，优选丙烯酰基吗啉。

另外，作为低Tg单体，可以举出丙烯酸2-乙基己酯(均聚物的Tg：-70℃)、丙烯酸2-羟基乙酯(均聚物的Tg：-15℃)、丙烯酸丁酯(均聚物的Tg：-55℃)、丙烯酸4-羟基丁酯(均聚物的Tg：-40℃)等，优选丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙酯。

丙烯酸类聚合物可以通过将用于形成其的原料单体进行聚合而得到。作为聚合方法，例如可以举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。从使用切割带10和/或带有粘接薄膜的切割带X的半导体装置制造过程中的高度的清洁性的观点出发，优选切割带10和/或带有粘接薄膜的切割带X中的粘合剂层12中的低分子量物质较少，结果丙烯酸类聚合物的重均分子量优选10万以上、更优选20万～300万。丙烯酸类聚合物的重均分子量(Mw)是指，通过凝胶渗透色谱(GPC)而测定得到的、标准聚苯乙烯换算的值。

对于粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂，为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的平均分子量，可以含有例如交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的交联剂，可以举出作为异氰酸酯系交联剂的多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物和三聚氰胺系交联剂。粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂组合物中的交联剂的含量相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选0.01质量份以上、更优选0.03质量份以上、更优选0.05质量份以上。该含量优选5质量份以下、更优选4质量份以下、更优选3质量份以下。

需要说明的是，本申请发明中的“基础聚合物的Tg”是指，与交联剂反应前的基础聚合物的Tg。

粘合剂层12为通过紫外线照射而产生粘合力的降低的紫外线固化性的粘合剂层的情况下，作为用于形成紫外线固化性的粘合剂层的粘合剂，可以举出含有如下成分的添加型的紫外线固化性粘合剂：属于丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物、以及具有紫外线聚合性的碳-碳双键等官能团的紫外线聚合性的单体成分、低聚物成分。

作为用于形成紫外线固化性粘合剂的上述紫外线聚合性单体成分，例如可以举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成紫外线固化性粘合剂的上述紫外线聚合性低聚物成分，例如可以举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右者是适当的。紫外线固化性粘合剂中的紫外线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量可以在能适当降低要形成的粘合剂层12的粘合力的范围内确定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选5～500质量份、更优选40～150质量份。另外，作为添加型的紫外线固化性粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开者。

作为用于粘合剂层12的紫外线固化性粘合剂，例如还可以举出内在型的紫外线固化性粘合剂，其含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有紫外线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物。这样的内在型的紫外线固化性粘合剂在抑制由要形成的粘合剂层12内的低分子量成分的移动引起的粘合特性的非意图的经时变化的方面是适合的。

作为内在型的紫外线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物为基本骨架。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述丙烯酸类聚合物。作为紫外线聚合性的碳-碳双键向丙烯酸类聚合物的导入方法，例如可以举出如下方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，在维持碳-碳双键的紫外线聚合性不变的情况下，使具有能与第1官能团之间产生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和紫外线聚合性碳-碳双键的化合物与丙烯酸类聚合物进行缩合反应或加成反应。

需要说明的是，本申请发明中的“基础聚合物的Tg”是指，与具有第2官能团和紫外线聚合性碳-碳双键的化合物等反应而导入紫外线聚合性的碳-碳双键之前的基础聚合物的Tg。

作为第1官能团与第2官能团的组合，例如可以举出：羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易性的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。另外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物时技术的难易度高，因此，从丙烯酸类聚合物的制作或获得的容易性的观点出发，更优选丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基、且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况。上述情况下，作为兼有紫外线聚合性碳-碳双键和属于第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即、含紫外线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如可以举出甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。

粘合剂层12优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如可以举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可以举出甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-吗啉基-1-丙酮。作为苯偶姻醚系化合物，例如可以举出苯偶姻***、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚。作为缩酮系化合物，例如可以举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可以举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可以举出1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可以举出二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸和3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可以举出噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层12中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份为例如0.05～10质量份。

粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂在上述各成分的基础上，可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂和颜料、染料等着色剂。着色剂可以为受到辐射线照射而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可以举出隐色染料。

粘合剂层12的厚度优选5μm以上且40μm以下、更优选7μm以上且且30μm以下、进一步优选10μm以上且15μm以下。这样的构成在确保半导体晶圆的割断性、且抑制切割带10的断裂的方面优选。上述粘合剂层12的厚度为40μm以下、优选30μm以下、进一步优选15μm以下这样的构成在抑制粘合剂层12的增厚化导致的整体硬度、抑制由粘合剂层12的裂纹引起的切割带10的断裂的方面优选。上述粘合剂层12的厚度为5μm以上、优选7μm以上、进一步优选10μm以上这样的构成从冷扩展工序中将切割带10的张力传递至粘接薄膜20、良好地割断半导体晶圆的观点出发是适合的。

以上那样的构成的切割带10的-15℃下的断裂伸长率优选300％以上、更优选373％以上、更优选400％以上。这样的构成在抑制切割带10的断裂的方面是适合的。另外，上述断裂伸长率优选600％以下，更优选500％以下。

另外，切割带10的-15℃下的断裂强度优选15N/10mm以上、更优选18N/10mm以上、进一步优选30N/10mm以上。这样的构成在抑制切割带的断裂的方面是适合的。另外，从在冷扩展工序中将切割带的张力传递至粘接薄膜、良好地割断半导体晶圆的观点出发，上述断裂强度35N/10mm以下、更优选32N/10mm以下。

带有粘接薄膜的切割带X中的粘接薄膜20具有能作为显示热固性的芯片接合用粘接剂发挥功能的构成。粘接薄膜20可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂作为树脂成分的组成，也可以具有包含带有能与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。这样的粘接薄膜20可以具有单层结构，也可以具有在相邻层间组成不同的多层结构。

作为粘接薄膜20具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可以举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。粘接薄膜20可以含有一种热固性树脂，也可以含有两种以上的热固性树脂。环氧树脂存在可能成为作为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向，因此，优选作为粘接薄膜20中的热固性树脂。另外，作为用于使环氧树脂显示热固性的固化剂，优选酚醛树脂。

作为环氧树脂，例如可以举出双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型和缩水甘油胺型的环氧树脂。苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂由于富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性、且耐热性优异，因此，优选作为粘接薄膜20中的环氧树脂。

对于能作为环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，例如可以举出酚醛清漆型酚醛树脂、甲酚型酚醛树脂和聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如可以举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂。粘接薄膜20可以含有一种酚醛树脂、或两种以上的酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，有改善该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此，优选作为粘接薄膜20中的环氧树脂用固化剂。

粘接薄膜20含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂的情况下，以酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂中的环氧基1当量优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例，配混两树脂。这样的构成对于在粘接薄膜20的固化时使该环氧树脂和酚醛树脂的固化反应充分进行的方面优选。

从粘接薄膜20适当地体现其作为该热固化型粘接剂的功能的观点出发，粘接薄膜20中的热固性树脂的含有比率优选5～60质量％、更优选10～50质量％。

粘接薄膜20中的热塑性树脂例如承担粘结剂功能，作为粘接薄膜20具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可以举出丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。粘接薄膜20可以含有一种热塑性树脂，也可以含有两种以上的热塑性树脂。丙烯酸类树脂由于离子性杂质少、且耐热性高，因此，优选作为粘接薄膜20中的热塑性树脂。

粘接薄膜20含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂优选包含以质量比率计最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。

对于用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出作为用于粘合剂层12的丙烯酸类聚合物的构成单体而在上面叙述的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。

对于丙烯酸类树脂，例如从其内聚力、耐热性的改性的观点出发，可以包含源自能跟(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体的单体单元。对于用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的其他共聚性单体、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的其他共聚性单体，例如可以举出含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含氮的单体、含环氧基的单体、含磺酸基的单体和含磷酸基的单体。对于这些单体，具体而言，可以举出作为用于粘合剂层12的丙烯酸类聚合物的构成单体而在上面叙述的单体。

粘接薄膜20具有包含带有热固性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，作为该热塑性树脂，例如可以使用含热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含以质量比率计最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与作为用于粘合剂层12的丙烯酸类聚合物的构成单体而在上面叙述的同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可以举出缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。它们之中，可以适合使用缩水甘油基和羧基。即，作为含热固性官能团的丙烯酸类树脂，可以适合使用含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。另外，可以根据含热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类而选择能跟其产生反应的固化剂。含热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂而在上面叙述的同样的酚醛树脂。

关于为了进行芯片接合而固化前的粘接薄膜20，为了实现某种程度的交联度，例如优选事先将能跟粘接薄膜20中所含的上述树脂成分的分子链末端的官能团等反应而产生键合的多官能性化合物作为交联剂，配混在粘接薄膜形成用树脂组合物中。这样的构成对于使粘接薄膜20改善高温下的粘接特性的方面、另外改善耐热性的改善的方面是适合的。作为这样的交联剂，例如可以举出多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如可以举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、和多元醇与二异氰酸酯的加成物。关于粘接薄膜形成用树脂组合物中的交联剂含量，相对于具有能跟该交联剂反应而产生键合的上述官能团的树脂100质量份，从改善形成的粘接薄膜20的内聚力的观点出发，优选0.05质量份以上，从改善形成的粘接薄膜20的粘接力的观点出发，优选7质量份以下。另外，作为粘接薄膜20中的交联剂，也可以将环氧树脂等其他多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。

粘接薄膜20可以含有填料。向粘接薄膜20中配混填料在调整粘接薄膜20的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性的方面是优选的。作为填料，可列举出无机填料及有机填料。填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。另外，粘接薄膜20可以含有一种填料，也可以含有两种以上的填料。

作为上述的无机填料的构成材料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅和非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，也可列举出铝、金、银、铜、镍等单质金属、合金、无定形碳、石墨等。粘接薄膜20含有无机填料时的该无机填料的含量优选10质量％以上、更优选20质量％以上。另外，该含量优选50质量％以下、更优选45质量％以下。

作为上述的有机填料的构成材料，例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺和聚酯酰亚胺。粘接薄膜20含有有机填料的情况下的该有机填料的含量优选2质量％以上、更优选5质量％以上。另外，该含量优选20质量％以下、更优选15质量％以下。

粘接薄膜20含有填料的情况下的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.05～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上这样的构成在粘接薄膜20实现对半导体晶圆等被粘物的高的润湿性、粘接性的方面是适合的。该填料的平均粒径为10μm以下这样的构成在粘接薄膜20得到充分的填料添加效果并且确保耐热性的方面是适合的。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，HORIBA,Ltd.制)来求出。

粘接薄膜20可以含有热固化催化剂。向粘接薄膜20中配混热固化催化剂对于在粘接薄膜20的固化时使树脂成分的固化反应充分进行、或提高固化反应速度的方面是优选的。作为这样的热固化催化剂，例如，可列举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物和三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如，可列举出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑和2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如，可列举出三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻和苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物也包括兼有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如，可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐和三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸盐和双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。粘接薄膜20可以含有一种热固化催化剂，也可以含有两种以上的热固化催化剂。

粘接薄膜20根据需要可以含有一种或两种以上的其他成分。作为该其他成分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕获剂。

粘接薄膜20的25℃下的断裂强度优选5N/10mm以下，更优选3N/10mm以下、进一步优选1.5N/10mm以下。这样的构成在减轻对切割带10施加的负荷、抑制切割带10的断裂的方面是适合的。另外，从半导体晶圆的适度的割断性的观点出发，上述断裂强度优选0.1N/10mm以上、更优选0.2N/10mm以上、进一步优选0.5N/10mm以上。

粘接薄膜20的25℃下的断裂伸长率优选100％以下、更优选80％以下、进一步优选50％以下、最优选15％以下。这样的构成在减轻对切割带10施加的负荷、抑制切割带10的断裂的方面是适合的。从半导体晶圆的适度的割断性的观点出发，上述断裂伸长率优选0.5％以上、更优选1％以上、进一步优选3％以上、最优选5％以上。

以上那样的带有粘接薄膜的切割带X例如可以如以下制造。

关于带有粘接薄膜的切割带X的切割带10，可以通过在准备好的基材11上设置粘合剂层12而制作。例如树脂制的基材11可以通过压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法而制作。可以对制膜后的薄膜和/或基材11，根据需要实施规定的表面处理。粘合剂层12的形成中，例如，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材11上或规定的隔离体上，形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如可以举出辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。接着，该粘合剂组合物层中，通过加热，根据需要使其干燥，另外，根据需要产生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合剂层12形成于隔离体上的情况下，使带有该隔离体的粘合剂层12粘贴于基材11，之后，剥离隔离体。由此，可以制作具有基材11与粘合剂层12的层叠结构的上述切割带10。

带有粘接薄膜的切割带X的粘接薄膜20的制作中，首先，制备粘接薄膜20形成用的粘接剂组合物后，在规定的隔离体上涂布该组合物而形成粘接剂组合物层。作为隔离体，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及通过氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂而进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为粘接剂组合物的涂布方法，例如可以举出辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。接着，该粘接剂组合物层中，通过加热，根据需要使其干燥，另外，根据需要产生交联反应。加热温度例如为70～160℃，加热时间例如为1～5分钟。如以上操作，可以以带有隔离体的形态制作上述粘接薄膜20。

可以使上述中得到的粘接薄膜20的2个以上进一步层叠。层叠的2个以上的粘接薄膜20可以为相同组成也可以为不同的组成。另外，层叠的2个以上的粘接薄膜20的厚度可以相同也可以不同。2个以上的粘接薄膜20的层叠例如可以如下进行：使上述中得到的带有隔离体的粘接薄膜20的未密合隔离体的面彼此粘贴并层压，从而进行。层压温度例如为40～100℃，优选60～90℃。层压压力(线压)例如为0.05～1.00MPa、优选0.1～0.8MPa。层压速度例如为1～20mm/s，优选5～15mm/s。可以将粘贴后的粘接薄膜20的层叠物的一个隔离体剥离，进一步粘贴另一带有隔离体的粘接薄膜20。

带有粘接薄膜的切割带X的制作中，接着，将带有隔离体的粘接薄膜20冲裁加工为规定直径的圆盘形后，在切割带10的粘合剂层12侧压接粘接薄膜20并粘贴。粘贴温度例如为30～50℃、优选35～45℃。粘贴压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm、优选1～10kgf/cm。接着，将如此与粘接薄膜20粘贴的切割带10以切割带10的中心与粘接薄膜20的中心一致的方式冲裁加工为规定直径的圆盘形。

如以上操作，可以制作带有粘接薄膜的切割带X。对于带有粘接薄膜的切割带X，在粘接薄膜20侧可以以至少覆盖粘接薄膜20的形态设置隔离体(省略图示)。隔离体为用于保护使得粘接薄膜20、粘合剂层12不露出的要素，使用带有粘接薄膜的切割带X时，从该薄膜被剥离。

图3～图9示出使用以上的带有粘接薄膜的切割带X的半导体装置制造方法的一例。

本半导体装置制造方法中，首先，如图3的(a)和图3的(b)所示那样，在半导体晶圆W上形成改性区域30a。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。在本工序中，将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，从与晶圆加工用带T3相反的一侧对半导体晶圆W沿着其预分割线照射聚光点对准晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的烧蚀在半导体晶圆W内形成改性区域30a。改性区域30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30a的方法，在例如日本特开2002-192370号公报中详细进行了叙述，本实施方式中的激光照射条件例如可以在以下的条件的范围内适宜调整。

<激光照射条件>

(A)激光

激光源 半导体激光激发Nd：YAG激光

波长 1064nm

激光光斑截面积 3.14×10^-8cm²

振荡形态 Q开关脉冲

重复频率 100kHz以下

脉冲宽度 1μs以下

功率 1mJ以下

激光品质 TEM00

偏光特性 直线偏光

(B)聚光用透镜

倍率 100倍以下

NA 0.55

对激光波长的透射率 100％以下

(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度 280mm/秒以下

接着，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W薄化至规定的厚度，由此，如图3的(c)所示，形成可单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A(晶圆薄化工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置而进行。

接着，如图4的(a)所示那样，使保持于晶圆加工用带T1的半导体晶圆30A粘贴于带有粘接薄膜的切割带X的粘接薄膜20侧。之后，如图4的(b)所示那样，从半导体晶圆30A剥离晶圆加工用带T1。

接着，在带有粘接薄膜的切割带X中的粘接薄膜20周围的粘合剂层12上粘附例如SUS制的环框41后，如图5的(a)所示那样，带有半导体晶圆30A的该带有粘接薄膜的切割带X借助环框41被固定于扩展装置的保持件42。

接着，规定的低温条件下的第1扩展工序(冷扩展工序)如图5的(b)所示那样进行，半导体晶圆30A被单片化为多个半导体芯片31，且带有粘接薄膜的切割带X的粘接薄膜20被割断为小片的粘接薄膜21，得到带有粘接薄膜的半导体芯片31。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在带有粘接薄膜的切割带X的图中下侧抵接于切割带10并上升，以沿包括半导体晶圆30A的径向及圆周方向的二维方向拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30A的带有粘接薄膜的切割带X的切割带10进行扩展。

该冷扩展工序中，在切割带10中产生例如15～32MPa的拉伸应力的条件下进行。通过将冷扩展工序中的切割带10的拉伸应力控制为该范围，从而可以在切割带10不断裂的情况下，将半导体晶圆30A在改性区域30a良好地割断。

冷扩展工序中的温度条件例如为0℃以下，优选-20～-5℃、更优选-15～-5℃、更优选-15℃。通过将冷扩展工序的温度条件控制为该范围，从而可以在切割带10不断裂的情况下，将半导体晶圆30A在改性区域30a良好地割断。

冷扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～400mm/秒。通过将扩展速度控制为该范围，从而可以在切割带10不断裂的情况下，将半导体晶圆30A在改性区域30a良好地割断。

另外，冷扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。通过将扩展量控制为该范围，从而可以在切割带10不断裂的情况下，将半导体晶圆30A在改性区域30a良好地割断。

关于涉及冷扩展工序中的扩展的这些条件，后述的冷扩展工序中也同样。

通过这样的冷扩展工序，带有粘接薄膜的切割带X的粘接薄膜20被割断为小片的粘接薄膜21，可以得到带有粘接薄膜的半导体芯片31。具体而言，本工序中，半导体晶圆30A中脆弱的改性区域30a中形成裂纹，从而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，在本工序中，在与被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接薄膜20中，在半导体晶圆30A的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成位置相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带10上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜20中与半导体芯片31间的裂纹形成位置相对的位置被割断。本工序后，如图5的(c)所示那样，顶起构件43下降，从而解除切割带10中的扩展状态。

接着，第2扩展工序(常温扩展工序)如图6的(a)和图6的(b)所示那样进行，扩展带有粘接薄膜的半导体芯片31间的距离。本工序中，扩展装置所具备的平台44上升，带有粘接薄膜的切割带X的切割带10被扩展。平台44能使负压作用于平台面上的工件而使该工件进行真空吸附。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(平台44上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中，通过平台44的上升而切割带10被扩展(由此，带有粘接薄膜的半导体芯片31的分离距离被扩展)，之后，平台44真空吸附切割带10。然后，在维持利用平台44的该吸附的状态下，如图6的(c)所示那样，平台44随着工件而下降。本实施方式中，在该状态下，带有粘接薄膜的切割带X中的半导体晶圆30A周围(比半导体芯片31保持区域还靠近外侧的部分)被加热而收缩(热收缩工序)。之后，利用平台44的真空吸附状态被解除。通过经过热收缩工序，从而带有粘接薄膜的切割带X成为规定程度的张力能作用于在上述第1扩展工序、第2扩展工序中被拉伸而暂时松弛后的晶圆粘贴区域的状态，即使在前述真空吸附状态解除后，半导体芯片31间的分离距离也被固定。

本半导体装置制造方法中，接着，如图7所示那样，进行用于使粘合剂层12进行紫外线固化而使其粘合力降低的紫外线照射(紫外线照射工序)。具体而言，例如使用高压汞灯，从切割带10的基材11侧对粘合剂层12遍及其整体地进行紫外线照射R。照射累积光量例如为50～500mJ/cm²，优选100～300mJ/cm²。

本半导体装置制造方法中，接着，根据需要经过使用水等清洗液，对带有粘接薄膜的切割带X中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序，然后使用同时具备拾取机构和扩展机构的切割粘合装置，进行拾取工序。

具体而言，首先，如图8的(a)所示那样，在带有多个半导体芯片31的带有粘接薄膜的切割带X和/或其切割带10借助环框41被固定于芯片接合装置的保持件45的状态下，同一装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件46在切割带10的图中下侧与切割带10抵接而上升。由此，切割带10以沿包括其径向和圆周方向的二维方向被拉伸的方式进行扩展(拾取前扩展)。

接着，如图8的(b)所示那样，从切割带10拾取带有粘接薄膜的半导体芯片31。例如，对于拾取对象的带有粘接薄膜的半导体芯片31，在切割带10的图中下侧，使拾取机构的销构件47上升，借助切割带10顶起后，通过吸附夹具48进行吸附保持。该拾取中，销构件47的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件47的顶起量例如为50～3000μm。

接着，如图9的(a)所示那样，拾取后的带有粘接薄膜的半导体芯片31借助粘接薄膜21而被暂时固着于规定的被粘物51。作为被粘物51，例如可以举出引线框、TAB(卷带自动结合(Tape Automated Bonding))薄膜和布线基板。

接着，如图9的(b)所示那样，将半导体芯片31的电极极板(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线52进行电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板、被粘物51的端子部与接合引线52的连接线通过伴有加热的超声波焊接而实现，以不使粘接薄膜21热固化的方式进行。作为接合引线52，例如可以使用金线、铝线或铜线。引线接合中的引线加热温度例如为80～250℃。另外，其加热时间为几秒～几分钟。

接着，如图9的(c)所示那样，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、接合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。本工序中，粘接薄膜21进行热固化。本工序中，例如，通过使用模具进行的传递成型技术形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，例如可以使用环氧系树脂。本工序中，用于形成密封树脂53的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～几分钟。本工序(密封工序)中密封树脂53的固化不充分进行的情况下，在本工序后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。密封工序中粘接薄膜21未完全热固化的情况下，后固化工序中也能与密封树脂53一起实现粘接薄膜21的完全的热固化。后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。

如以上操作，可以制造半导体装置。

本半导体装置制造方法中，可以使如下制作的半导体晶圆30B粘贴于带有粘接薄膜的切割带X来代替半导体晶圆30A粘贴于带有粘接薄膜的切割带X的上述构成。

半导体晶圆30B的制作中，首先，如图10的(a)和图10的(b)所示那样，在半导体晶圆W形成分割槽30b(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。在本工序中，将具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧后，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，使用切割装置等旋转刀片在半导体晶圆W的第1面Wa侧形成规定深度的分割槽30b。分割槽30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(附图中，用粗线示意性地表示分割槽30b)。

接着，如图10的(c)所示那样，进行具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合、和晶圆加工用带T2自半导体晶圆W的剥离。

接着，如图10的(d)所示那样，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T3上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W薄化至规定的厚度(晶圆薄化工序)。通过该晶圆薄化工序，本实施方式中，形成可单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30B。半导体晶圆30B具体而言具有在第2面Wb侧将该晶圆中会被单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30B中的连接部的厚度、即半导体晶圆30B的第2面Wb与分割槽30b的第2面Wb侧前端间的距离例如为1～30μm。在将如以上制作的半导体晶圆30B代替半导体晶圆30A粘贴于带有粘接薄膜的切割带X之后，可以进行参照图5～图9的上述各工序。

图11的(a)和图11的(b)具体示出半导体晶圆30B粘贴于带有粘接薄膜的切割带X后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在带有粘接薄膜的切割带X的图中下侧与切割带10抵接而上升，粘贴有半导体晶圆30B的带有粘接薄膜的切割带X的切割带10以沿包括半导体晶圆30B的径向和圆周方向的二维方向被拉伸的方式进行扩展。通过这样的冷扩展工序，在半导体晶圆30B中较薄而容易断裂的部位产生割断，产生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，与要扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接薄膜20中，在各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带10上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜20中与半导体芯片31间的分割槽相对的位置被割断。对于如此得到的带有粘接薄膜的半导体芯片31，经过参照图8的上述的拾取工序后，被供于半导体装置制造过程中的安装工序。

本半导体装置制造方法中，可以进行图12所示的晶圆薄化工序代替参照图10的(d)进行的上述晶圆薄化工序。经过参照图10的(c)的上述的过程后，在图12所示的晶圆薄化工序中，以半导体晶圆W被保持于晶圆加工用带T3的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将该晶圆W薄化至规定的厚度，形成包含多个半导体芯片31且保持于晶圆加工用带T3的半导体晶圆分割体30C。本工序中，可以采用如下方法(第1方法)：对晶圆进行磨削直至分割槽30b其本身在第2面Wb侧露出，或者也可以采用如下方法(第2方法)：从第2面Wb侧起对晶圆进行磨削直至即将到达分割槽30b前，之后，通过从旋转磨石向晶圆的挤压力的作用而使分割槽30b与第2面Wb之间产生裂纹，形成半导体晶圆分割体30C。根据采用的方法，适宜确定参照图10的(a)和图10的(b)的如上形成的分割槽30b的、距离第1面Wa的深度。图12中，对于经过了第1方法的分割槽30b、或经过了第2方法的分割槽30b和连接其的裂纹，示意性地以粗线表示。在如此制作的半导体晶圆分割体30C代替半导体晶圆30A、半导体晶圆30B粘贴于带有粘接薄膜的切割带X之后，可以进行参照图5～图9的上述各工序。

图13的(a)和图13的(b)具体示出半导体晶圆分割体30C被粘贴于带有粘接薄膜的切割带X后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在带有粘接薄膜的切割带X的图中下侧与切割带10抵接而上升，粘贴有半导体晶圆分割体30C的带有粘接薄膜的切割带X的切割带10以沿包括半导体晶圆分割体30C的径向和圆周方向的二维方向被拉伸的方式进行扩展。通过这样的冷扩展工序，与要被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接薄膜20中，在半导体晶圆分割体30C的各半导体芯片31密合的各区域中，变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽30b相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，该状态下，切割带10上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜20中与半导体芯片31间的分割槽30b相对的位置被割断。如此得到的带有粘接薄膜的半导体芯片31在经过参照图8的上述拾取工序后，被供于半导体装置制造过程中的安装工序。

实施例

〔实施例1～5、比较例1～3〕

〈切割带的制作〉

在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，对以表1所示的比率(摩尔份)使用丙烯酸2-乙基己酯(2EHA；均聚物的Tg：-70℃)、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA；均聚物的Tg：-15℃)和丙烯酰基吗啉(ACMO；均聚物的Tg：145℃)、且包含作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、和作为聚合溶剂的甲苯的混合物(基础55wt％)，在60℃下以10小时、在氮气气氛下进行搅拌(聚合反应)。在该混合物中，过氧化苯甲酰的含量相对于单体成分100质量份为0.3质量份，甲苯的含量相对于单体成分100质量份为60质量份。通过该聚合反应，得到含有丙烯酸类聚合物P₁的聚合物溶液。表1中示出由单体成分组成根据Fox式而算出的丙烯酸类聚合物P₁的玻璃化转变温度(Tg)。

接着，将包含含有该丙烯酸类聚合物P₁的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下搅拌60小时(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量相对于丙烯酸类聚合物P₁100质量份为1.4质量份。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸类聚合物P₁100质量份为0.1质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酰基的丙烯酸类聚合物P₂的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中，加入相对于丙烯酸类聚合物P₂100质量份为1.1质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，东曹株式会社制)和3质量份的光聚合引发剂(商品名“IRGACURE 184”，BASF公司制)并混合，且以该混合物的室温下的粘度成为500mPa·s的方式，对该混合物加入甲苯进行稀释，得到粘合剂溶液。接着，在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体的有机硅脱模处理面上使用涂抹器涂布粘合剂溶液而形成涂膜，对于该涂膜，在120℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下在该粘合剂层的露出面上粘贴乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“RB0103”，厚度125μm，KURABO INDUSTRIES LTD.制)。如以上制作实施例1～5、比较例1～3的切割带。

〈粘接薄膜的制作〉

使丙烯酸类树脂(商品名“TEISANRESIN SG-280”，Nagase ChemteX Corporation制)15质量份、环氧树脂(商品名“EPPN 501HY”，日本化药株式会社制)29质量份、酚醛树脂(商品名“HF-1M”，明和化成株式会社制)16质量份和无机填料(商品名“SE-2050MCV”，球状二氧化硅，Admatechs Co.,Ltd.制)40质量份溶解于甲乙酮，制备浓度40～50重量％的粘接剂组合物溶液。

将该粘接剂组合物溶液涂布于作为剥离衬垫的经有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜所形成的PET隔离体上后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度60μm的粘接薄膜。使制作好的60μm的粘接薄膜彼此粘贴，从而制作120μm的粘接薄膜(层压条件：80℃、0.15MPa、10mm/s)。

〈带有粘接薄膜的切割带的制作〉

将带有PET隔离体的上述粘接薄膜冲裁加工成直径330mm的圆盘形。接着，从该粘接薄膜剥离PET隔离体，且从上述切割带剥离PET隔离体后，使用辊层压机，使该切割带中露出的粘合剂层、与粘接薄膜中通过PET隔离体的剥离而露出的面粘贴。该粘贴中，使粘贴速度为10mm/分钟、温度条件为25℃、压力条件为0.15MPa。之后，仅对粘接薄膜的粘贴部分照射紫外线(300mJ/cm²)。如以上操作，制作具有包含切割带和粘接薄膜的层叠结构的实施例1～5、比较例1～3的带有粘接薄膜的切割带。

〈切割带的断裂伸长率、断裂强度的测定〉

对于实施例1～5和比较例1～3的各切割带，如以下操作测定断裂伸长率、断裂强度。从该切割带切出切割带试验片(宽度10mm×长度100mm)。对实施例1～5和比较例1～3的各切割带，准备所需数量的切割带试验片。然后，使用拉伸试验机(商品名“Autograph AGS-50NX”，株式会社岛津制作所制)，对切割带试验片进行拉伸试验，测定以规定的拉伸速度拉伸的切割带试验片的断裂伸长率、断裂强度。拉伸试验中，初始卡盘间距离为50mm，温度条件为-15℃，拉伸速度为300mm/分钟。将测定结果示于表1。

〈粘接薄膜的断裂伸长率、断裂强度的测定〉

对于实施例1～5和比较例1～3的各粘接薄膜，如以下操作测定断裂伸长率、断裂强度。首先，切出粘接薄膜试验片(宽度10mm×长度40mm)。对于实施例1～5和比较例1～3的各粘接薄膜，准备所需数量的粘接薄膜试验片。然后，使用拉伸试验机(商品名“AutographAGS-50NX”，株式会社岛津制作所制)，对粘接薄膜试验片进行拉伸试验，测定以规定的拉伸速度拉伸的粘接薄膜试验片的断裂伸长率、断裂强度。拉伸试验中，初始卡盘间距离为10mm、温度条件为25℃、拉伸速度为300mm/分钟。将测定结果示于表1。

〈切割带的断裂、割断性的评价〉

对以芯片尺寸10×10mm施加了割断预定线(刀片半切；宽度20μm，深度100μm)的12英寸晶圆进行背面研磨，直至成为40μm的厚度，进行与实施例1～5、比较例1～3中制成的带有粘接薄膜的切割带的粘贴(晶圆粘贴温度：70℃、速度10mm/s)。

之后，用芯片分离装置(商品名“Die separation DDS2300”，Disco Inc.制)，进行半导体晶圆和粘接薄膜的割断、进而切割片的热收缩，从而对切割带的断裂、割断性进行评价。

首先，用冷扩展单元，在扩展温度-15℃、扩展速度300mm/秒、扩展量14mm的条件下割断半导体晶圆。

之后，对切割带断裂进行评价。将未发生带断裂的情况记作〇、发生了带断裂的情况记作×。

另外，将半导体晶圆的割断率为80％以上的情况记作〇、90％以上的情况记作◎、低于80％的情况记作×。将评价结果示于表1。

[表1]

作为以上内容的归纳，以下列举本发明的构成和其变化作为附记。

〔附记1〕

一种切割带，其为具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带，

前述粘合剂层含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。

〔附记2〕

根据附记1所述的切割带，其中，前述基础聚合物为丙烯酸类聚合物。

〔附记3〕

根据附记1或2所述的切割带，其中，前述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。

〔附记4〕

根据附记1～3中任一项所述的切割带，其-15℃下的断裂伸长率为300％以上。

〔附记5〕

根据附记1～4中任一项所述的切割带，其-15℃下的断裂强度为15N/10mm以上。

〔附记6〕

一种带有粘接薄膜的切割带，其具有：

附记1～5中任一项所述的切割带；和，

以能剥离的方式与前述切割带中的前述粘合剂层密合的粘接薄膜。

〔附记7〕

根据附记6所述的带有粘接薄膜的切割带，其中，前述粘接薄膜的25℃下的断裂强度为5N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为100％以下。

〔附记8〕

根据附记6或7所述的带有粘接薄膜的切割带，其用于半导体晶圆的割断工序。

Claims (8)

1.一种切割带，其为具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带，

所述粘合剂层含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。

2.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述基础聚合物为丙烯酸类聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的切割带，其-15℃下的断裂伸长率为300％以上。

5.根据权利要求1或2所述的切割带，其-15℃下的断裂强度为15N/10mm以上。

6.一种带有粘接薄膜的切割带，其具有：

权利要求1～5中任一项所述的切割带；和，

以能剥离的方式与所述切割带中的所述粘合剂层密合的粘接薄膜。

7.根据权利要求6所述的带有粘接薄膜的切割带，其中，所述粘接薄膜的25℃下的断裂强度为5N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为100％以下。

8.根据权利要求6或7所述的带有粘接薄膜的切割带，其用于半导体晶圆的割断工序。

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