CN111334212A - 粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法 - Google Patents

粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法 Download PDF

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Abstract

提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜(10)，其损耗角正切在‑20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外，粘接薄膜(10)优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂，优选含有玻璃化转变温度为‑40～10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜(10)的厚度例如为40～150μm。

Description

粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造过程中可以使用的粘接薄膜及带有切割带的粘接薄膜、以及半导体装置制造方法。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接薄膜的半导体芯片时，有时使用带有切割带的粘接薄膜。带有切割带的粘接薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸的圆盘形状，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以可剥离的方式密合于其粘合剂层侧的粘接薄膜。
作为使用带有切割带的粘接薄膜得到带有粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对带有切割带的粘接薄膜中的切割带进行扩展而将粘接薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在带有切割带的粘接薄膜的粘接薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与粘接薄膜的割断同时被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的粘接薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该粘接薄膜割断，对带有切割带的粘接薄膜的切割带进行扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在粘接薄膜上的与半导体晶圆中的粘接薄膜割断位置相对应的位置也发生割断，半导体晶圆在带有切割带的粘接薄膜和/或切割带上单片化为多个半导体芯片。接着，在经由清洗工序等工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的粘接薄膜一同从切割带的下侧被拾取机构的销构件顶起，然后从切割带上拾取。这样，得到带有粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片借助其粘接薄膜通过芯片接合固着在安装基板等被粘物上。对于例如以上那样使用的带有切割带的粘接薄膜及其中所含的粘接薄膜相关的技术，记载于例如下述的专利文献1～3中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2012-23161号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于成为如上所述的割断用扩展工序中使用的带有切割带的粘接薄膜的一构成要素的粘接薄膜，要求在该扩展工序中在预定割断位置适当地被割断从而单片化为连同半导体芯片一起的粘接薄膜小片。另外，粘接薄膜的厚度越大，越有变得难以产生这样的割断的倾向。对于以往的粘接薄膜，在其厚度比较大的情况下，有时在扩展工序中在预定割断位置的一部分不会发生割断，另外，有时在该工序中在预定割断位置以外的位置产生断裂(割断裂纹)。
本发明是基于以上的情况而想出的，其目的在于，提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。
用于解决问题的方案
根据本发明的第1方面，提供粘接薄膜。对于该粘接薄膜，其未固化状态下的损耗角正切(＝损耗弹性模量/储能模量)在-20～20℃的范围具有第1峰顶并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第1峰顶和第2峰顶在示出损耗角正切的温度依赖性的图中彼此分离。对于损耗角正切，例如可以由使用动态粘弹性测定装置(商品名“RSA-III”，TA Instrument公司制)进行的动态粘弹性测定求出。在该测定中，例如，将测定模式设为拉伸模式、将初始卡盘间距离设为22.5mm、将测定温度范围设为例如-30℃～100℃、将升温速度设为例如10℃/分钟、将频率设为例如1Hz。由这样的动态粘弹性测定可以求出损耗角正切tanδ(＝损耗弹性模量E”/储能模量E’)。这样的构成的粘接薄膜可以以密合于切割带的粘合剂层侧的方式用于通过半导体装置的制造过程得到带有粘接薄膜的半导体芯片。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，在得到带有粘接薄膜的半导体芯片时，有时实施使用带有切割带的粘接薄膜进行的割断用的扩展工序。该扩展工序例如在0℃以下的低温环境下进行。对于成为构成带有切割带的粘接薄膜的一构成要素的粘接薄膜，本发明人等发现，对其损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶并且在20～60℃的范围具有第2峰顶这样的上述构成，即使该粘接薄膜在其较厚的情况下，也适于在扩展工序中使其预定割断位置产生割断。例如，如后述的实施例及比较例所示那样。
对于以往的粘接薄膜，认为有时在扩展工序中在预定割断位置的一部分不产生割断是因为该薄膜的断裂强度过高。对于以往的粘接薄膜，认为在扩展工序中在预定割断位置以外的位置产生割断裂纹是因为如下：该薄膜的弹性过强，因此有时扩展工序中的割断用应力未适当地传递到该薄膜的预定割断位置，在预定割断位置以外的位置处产生脆性破坏。另一方面，损耗角正切涉及材料的力学物性，为该材料的粘性相对于弹性的比值，是损耗角正切越大、表示粘性越强的指标。对于本粘接薄膜中的其损耗角正切在高温侧的20～60℃的范围具有峰顶并且在低温侧的-20～20℃的范围也具有峰顶这样的上述构成，适于获得实施割断用扩展工序的例如0℃以下的低温条件下的粘接薄膜的弹性与粘性的平衡、并且实现其破坏强度的降低，因此，适于在扩展工序中实现良好的割断。对于本粘接薄膜中的第1及第2峰顶有关的上述构成，具体而言，认为适于在扩展工序中抑制预定割断位置以外的位置处的脆性破坏(割断裂纹)的产生从而将割断用应力适当地传递到薄膜的预定割断位置，并且适于抑制断裂强度从而使预定割断位置容易产生割断。
如上所述，本发明的第1方面的粘接薄膜适于在以密合于切割带的粘合剂层侧的方式在割断用扩展工序中使用的情况下实现良好的割断。
本粘接薄膜中，第2峰顶的值优选为2以上、更优选为2.2以上、更优选为2.4以上。这样的构成有助于获得实施割断用扩展工序的规定低温条件下的本粘接薄膜的弹性与粘性的平衡、并且实现其破坏强度的降低。另外，该构成在确保将半导体晶圆等工件贴合于本粘接薄膜的情况下本粘接薄膜对该工件的密合性的方面是适宜的。
本粘接薄膜优选含有热固化性树脂，更优选含有环氧树脂和/或酚醛树脂。本粘接薄膜含有热固化性树脂的情况下，该热固化性树脂的软化温度优选为70℃以上、更优选为75℃以上、更优选为80℃以上。另外，本粘接薄膜优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。该丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度更优选为-35～5℃。根据这些构成，容易实现本粘接薄膜中的第1及第2峰顶有关的上述构成。
本粘接薄膜的厚度优选为40μm以上、更优选为60μm以上、更优选为80μm以上。这样的构成在使用本粘接薄膜作为将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片与连接于该第1半导体芯片的接合引线的整体或一部分一起包埋、并且将第2半导体芯片接合于安装基板的粘接剂层形成用的粘接薄膜(半导体芯片包埋用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，粘接薄膜的厚度有关的该构成在使用本粘接薄膜作为将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片的接合引线连接部位覆盖而将该接合引线的一部分包埋、并且将第2半导体芯片接合于第1半导体芯片的粘接剂层形成用的粘接薄膜(伴随接合引线的部分的包埋的半导体芯片间接合用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，粘接薄膜的厚度有关的该构成在使用本粘接薄膜作为将倒装芯片安装于安装基板的第1半导体芯片包埋并且将第2半导体芯片接合于安装基板的粘接剂层形成用的粘接薄膜(芯片包埋用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。另一方面，本粘接薄膜的厚度优选为150μm以下，更优选为140μm以下，更优选为130μm以下，更优选为120μm以下。这样的构成对于本粘接薄膜适于避免断裂强度变得过大。
根据本发明的第2方面，提供一种带有切割带的粘接薄膜。该带有切割带的粘接薄膜具备：切割带、和本发明的第1方面的上述粘接薄膜。切割带具有包含基材及粘合剂层的层叠结构。粘接薄膜以可剥离的方式密合于切割带的粘合剂层。具备本发明的第1方面的粘接薄膜的这样的带有切割带的粘接薄膜在割断用扩展工序中使用的情况下，对于粘接薄膜适于实现良好的割断。
根据本发明的第3方面，提供一种半导体装置制造方法。该半导体装置制造方法包括以下的第1工序及第2工序。第1工序中，在本发明的第2方面的带有切割带的粘接薄膜中的粘接薄膜上贴合可单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆、或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体。第2工序中，对带有切割带的粘接薄膜中的切割带进行扩展，由此将粘接薄膜割断而得到带有粘接薄膜的半导体芯片。包括使用具备本发明的第1方面的粘接薄膜的带有切割带的粘接薄膜进行的第2工序即割断用扩展工序的本半导体装置制造方法适于使处于该扩展工序的粘接薄膜实现良好的割断并且实现半导体芯片的单片化。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的带有切割带的粘接薄膜的剖面示意图。
图2示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图3示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图4示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图6示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图7示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图8示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图9示出通过本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法制造的半导体元件的一方式。
图10示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图11示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图12示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图13示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图14示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图15示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图16为示出关于实施例1的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图17为示出关于实施例2的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图18为示出关于实施例3的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图19为示出关于比较例1的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图20为示出关于比较例2的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图21为示出关于比较例3的粘接薄膜的损耗角正切的图。
图22为示出关于比较例4的粘接薄膜的损耗角正切的图。
附图标记说明
X 带有切割带的粘接薄膜
10、11 粘接薄膜
20 切割带
21 基材
22 粘合剂层
W、30A、30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31、31’ 半导体芯片
51 安装基板
53 接合引线
具体实施方式
图1为本发明的一个实施方式的带有切割带的粘接薄膜X的剖面示意图。带有切割带的粘接薄膜X具有包含本发明的一个实施方式的粘接薄膜10和切割带20的层叠结构。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。粘合剂层22在粘接薄膜10侧具有粘合面22a。粘接薄膜10以可剥离的方式密合于切割带20的粘合剂层22和/或其粘合面22a。带有切割带的粘接薄膜X可以用于在半导体装置的制造中得到带有粘接薄膜的半导体芯片的过程中的例如后述那样的扩展工序。另外，带有切割带的粘接薄膜X及粘接薄膜10具有圆盘形状，在本实施方式中以同心圆状配置。粘接薄膜10的直径例如处于300～390mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、200～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、450～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)、或150～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)。
带有切割带的粘接薄膜X中的粘接薄膜10具有可作为显示出热固化性的芯片接合用粘接剂而发挥作用的构成。对于粘接薄膜10，可以具有包含热固化性树脂和热塑性树脂作为树脂成分的组成，也可以具有包含带有可与固化剂反应而发生键合的热固化性官能团的热塑性树脂作为树脂成分的组成。粘接薄膜10具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，该粘接薄膜10不必进而含有热固化性树脂。这样的粘接薄膜10可以具有单层结构，也可以具有在邻接层间组成不同的多层结构。
作为粘接薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成的情况下的该热固化性树脂，例如可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂。本实施方式中，粘接薄膜10优选含有环氧树脂和/或酚醛树脂。环氧树脂有可成为作为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等含量少的倾向，因此优选作为粘接薄膜10中的热固化性树脂。另外，作为用于使环氧树脂表现热固化性的固化剂，优选酚醛树脂。粘接薄膜10可以包含一种热固化性树脂，也可以包含两种以上的热固化性树脂。
作为上述的环氧树脂，例如，可列举出双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、及四羟苯基乙烷型环氧树脂由于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性高、并且耐热性优异，因此优选作为粘接薄膜10中的环氧树脂。
对可作为环氧树脂的固化剂起作用的酚醛树脂，例如，可列举出酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、及壬基苯酚酚醛清漆树脂。粘接薄膜10可以包含一种酚醛树脂、也可以包含两种以上的酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂被用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，有提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此优选作为粘接薄膜10中的环氧树脂用固化剂。
粘接薄膜10含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂的情况下，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这样的构成对于在粘接薄膜10的固化时使该环氧树脂及酚醛树脂的固化反应充分进行的方面是优选的。
对于粘接薄膜10中的热固化性树脂的含有比例，从粘接薄膜10适当地表现作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，例如为20～70质量％，优选为30～60质量％。粘接薄膜10同时含有环氧树脂及酚醛树脂的情况下，粘接薄膜10中的该两树脂的总含有比例优选为40～55质量％、更优选为40～50质量％、更优选为42～48质量％。
粘接薄膜10含有热固化性树脂的情况下，该热固化性树脂的软化温度优选为70℃以上、更优选为75℃以上、更优选为80℃以上。该软化温度例如为120℃以下。对于粘接薄膜的软化温度，例如，可以使用ELEX SCIENTIFIC公司制的自动软化点测定装置“EX-719PD4”来测定。
粘接薄膜10中含有软化温度优选为70℃以上、更优选为75℃以上、更优选为80℃以上的酚醛树脂等热固化性树脂的情况下，粘接薄膜10中的该热固化性树脂的含有比例优选为5～25质量％、更优选为6～20质量％、更优选为7～18质量％、更优选为8～16质量％。
粘接薄膜10中的热塑性树脂例如发挥粘结剂功能，作为粘接薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成的情况下的该热塑性树脂，例如，可列举出丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、及氟树脂。粘接薄膜10可以包含一种热塑性树脂，也可以包含两种以上的热塑性树脂。丙烯酸类树脂由于离子性杂质少并且耐热性高，因此优选作为粘接薄膜10中的热塑性树脂。
粘接薄膜10含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂的情况下的形成该丙烯酸类树脂的丙烯酸系聚合物优选含有质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
用于形成上述丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸系聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯及环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸苯基及(甲基)丙烯酸苄基。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，用于形成丙烯酸类树脂的丙烯酸系聚合物可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。
对于上述丙烯酸系聚合物，出于例如其内聚力、耐热性的改性的目的，可以包含可与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体作为构成单体。作为这样的单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈。作为含羧基单体，例如，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸。作为酸酐单体，例如，可列举出马来酸酐及衣康酸酐。作为含羟基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如，可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如，可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。
从粘接薄膜10实现高的内聚力的观点出发，作为丙烯酸类树脂而包含于粘接薄膜10中的丙烯酸系聚合物例如为丙烯酸丁酯和丙烯酸乙酯和丙烯腈的共聚物。
粘接薄膜10具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，作为该热塑性树脂，例如，可以使用含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如，可以使用上述的(甲基)丙烯酸酯作为形成粘接薄膜10中所含的丙烯酸类树脂的丙烯酸系聚合物的构成单体。另一方面，作为用于形成含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团，例如，可列举出缩水甘油基、羧基、羟基、及异氰酸酯基。这些之中，可以适宜地使用缩水甘油基及羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，可以适宜地使用含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。另外，根据含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团的种类来选择可与其发生反应的固化剂。含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂，可以使用上述的酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂。
对于为了芯片接合而进行固化前的粘接薄膜10、即未固化状态的粘接薄膜10，为了实现一定程度的交联度，例如，优选在粘接薄膜形成用树脂组合物中预先配混可与粘接薄膜10中所含的上述树脂成分的分子链末端的官能团等反应而发生键合的多官能性化合物作为交联剂。这样的构成在对粘接薄膜10提高高温下的粘接特性的方面、以及实现耐热性的改善的方面是适宜的。作为这样的交联剂，例如可列举出多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对亚苯基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、及多元醇与二异氰酸酯的加成物。对于粘接薄膜形成用树脂组合物中的交联剂含量，相对于具有可与该交联剂反应而发生键合的上述官能团的树脂100质量份，从形成的粘接薄膜10的内聚力提高的观点出发，优选为0.05质量份以上，从形成的粘接薄膜10的粘接力提高的观点出发，优选为7质量份以下。另外，作为粘接薄膜10中的交联剂，可以将环氧树脂等其他多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
配混到粘接薄膜10中的上述丙烯酸类树脂及上述含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度优选为-40～10℃、更优选为-40～-18℃、进一步优选为-35～-20℃。对于聚合物的玻璃化转变温度，可以使用基于下述的Fox公式求出的玻璃化转变温度(理论值)。Fox公式为聚合物的玻璃化转变温度Tg与该聚合物中的各个构成单体的均聚物的玻璃化转变温度Tgi的关系式。下述的Fox公式中，Tg表示聚合物的玻璃化转变温度(℃)，Wi表示构成该聚合物的单体i的重量分率，Tgi表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度(℃)。对于均聚物的玻璃化转变温度，可以使用文献值。例如在“新高分子文库7涂料用合成树脂入门”(北冈协三著，高分子刊行会，1995年)、“丙烯酸酯目录(1997年度版)”(MITSUBISHIRAYON CO.,LTD.)中列举出了各种均聚物的玻璃化转变温度。另外，对于单体的均聚物的玻璃化转变温度，也可以通过日本特开2007-51271号公报中具体记载的方法来求出。
Fox公式1/(273+Tg)＝Σ[Wi/(273+Tgi)]
粘接薄膜10中含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂的情况下，粘接薄膜10中的该丙烯酸类树脂的含有比例优选为8～25质量％、更优选为10～22质量％、更优选为12～20质量％、更优选为14～19质量％、更优选为15～18质量％。
粘接薄膜10可以含有填料。向粘接薄膜10中配混填料在调整粘接薄膜10的断裂强度、断裂伸长率、弹性模量等物性的方面是优选的。作为填料，可列举出无机填料及有机填料。填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。另外，粘接薄膜10可以含有一种填料，也可以含有两种以上的填料。
作为上述的无机填料的构成材料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、及非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，也可列举出铝、金、銀、铜、镍等单质金属、合金、无定形碳、石墨等。粘接薄膜10含有无机填料情况下的该无机填料的含量优选为10质量％以上、更优选为20质量％以上、更优选为30质量％以上。另外，该含量优选为60质量％以下、更优选为55质量％以下、更优选为50质量％以下。
作为上述的有机填料的构成材料，例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、及聚酯酰亚胺。粘接薄膜10含有有机填料的情况下的该有机填料的含量例如为2～20质量％。
粘接薄膜10含有填料的情况下的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.05～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上这样的构成在粘接薄膜10实现对半导体晶圆等被粘物的高的润湿性、粘接性的方面是适宜的。该填料的平均粒径为10μm以下这样的构成在粘接薄膜10得到充分的填料添加效果并且确保耐热性的方面是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，HORIBA,Ltd.制)来求出。
粘接薄膜10可以含有热固化催化剂。向粘接薄膜10中配混热固化催化剂在粘接薄膜10的固化时使树脂成分的固化反应充分进行、提高固化反应速度的方面是优选的。作为这样的热固化催化剂，例如，可列举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤素硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如，可列举出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如，可列举出三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻、及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物也包括兼有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如，可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐、及三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸盐及双氰胺。作为三卤素硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。粘接薄膜10可以含有一种热固化催化剂，也可以含有两种以上的热固化催化剂。
粘接薄膜10根据需要可以含有一种或两种以上的其他成分。作为该其他成分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕获剂。作为阻燃剂，例如，可列举出三氧化锑、五氧化锑、及溴化化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如，可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、及γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕获剂，例如，可列举出水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 600”)、及硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 700”)。与金属离子间可形成络合物的化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的化合物，例如，可列举出***系化合物、四唑系化合物、及联吡啶系化合物。这些之中，从与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选***系化合物。作为这样的***系化合物，例如，可列举出1,2,3-苯并***、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并***、羧基苯并***、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并***、6-(2-苯并***基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并***、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并***、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并***、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并***-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并***、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并***、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并***-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、及甲基-3-[3-(2H-苯并***-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，氢醌化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等规定的含羟基化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的含羟基化合物，具体而言，可列举出1,2-苯二醇、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯、及邻苯三酚。
粘接薄膜10的厚度优选为40μm以上、更优选为60μm以上、更优选为80μm以上。另外，粘接薄膜10的厚度优选为150μm以下、更优选为140μm以下、更优选为130μm以下、更优选为120μm以下。
粘接薄膜10的未固化状态下的在120℃下的粘度例如为300～7000Pa·s。
对于粘接薄膜10，其未固化状态下的损耗角正切(＝损耗弹性模量/储能模量)在-20～20℃的范围具有峰顶(第1峰顶)并且在20～60℃的范围也具有峰顶(第2峰顶)。第1峰顶和第2峰顶在示出损耗角正切的温度依赖性的图中彼此分离。粘接薄膜10的第1峰顶处于优选-15～18℃、更优选-10～16℃、更优选-5～14℃、更优选0～10℃的范围。粘接薄膜10中的第1峰顶的值优选为0.1～1、更优选为0.1～0.5。另一方面，第2峰顶处于优选25～55℃、更优选30～53℃、更优选35～51℃的范围。粘接薄膜10中的第2峰顶的值优选为2以上、更优选为2.2以上、更优选为2.4以上。第2峰顶的值例如为4以下。粘接薄膜10的损耗角正切的调整可以通过粘接薄膜10中所含的丙烯酸类树脂等热塑性树脂的玻璃化转变温度的调整、粘接薄膜10中所含的环氧树脂、酚醛树脂等热固化性树脂的软化温度的调整、粘接薄膜10中的热塑性树脂与热固化性树脂的配混比率的调整等来进行。
对于这样的粘接薄膜的损耗角正切，例如，可以由使用动态粘弹性测定装置(商品名“RSA-III”，TA Instrument公司制)进行的动态粘弹性测定来求出。该测定中，将测定模式设为拉伸模式、将初始卡盘间距离设为22.5mm、将测定温度范围设为例如-30℃～100℃、将升温速度设为例如10℃/分钟、将频率设为例如1Hz。另外，对于供于测定的粘接薄膜试验片，宽度设为例如10mm，长度设为例如30mm。可以由这样的动态粘弹性测定求出粘接薄膜的损耗角正切tanδ(＝损耗弹性模量E”/储能模量E’)。
带有切割带的粘接薄膜X中的切割带20的基材21为在切割带20和/或带有切割带的粘接薄膜X中作为支撑体发挥作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材，可以适宜地使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如，可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳纶、氟树脂、纤维素系树脂、及有机硅树脂。作为聚烯烃，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料形成，也可以由两种以上的材料形成。基材21可以具有单层结构，也可以具有多层结构。基材21上的粘合剂层22具有紫外线固化性的情况下，基材21优选具有紫外线透过性。另外，基材21由塑料薄膜形成的情况下，可以为未拉伸薄膜、可以为单轴拉伸薄膜、也可以为双轴拉伸薄膜。
在带有切割带的粘接薄膜X的使用时，在通过例如部分的加热使切割带20和/或基材21收缩的情况下，基材21优选具有热收缩性。另外，基材21由塑料薄膜形成的情况下，在切割带20和/或基材21实现各向同性的热收缩性的方面，基材21优选为双轴拉伸薄膜。切割带20和/或基材21在加热温度100℃及加热处理时间60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率例如为2～30％。
基材21中的粘合剂层22侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如，可列举出电晕处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、及电离辐射线处理。作为化学处理，例如可列举出铬酸处理。
对于基材21的厚度，从确保基材21用于作为切割带20和/或带有切割带的粘接薄膜X中的支撑体而发挥作用的强度的观点出发，优选为40μm以上、优选为50μm以上、更优选为60μm以上。另外，从切割带20和/或带有切割带的粘接薄膜X实现适度的挠性的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带20的粘合剂层22含有粘合剂。该粘合剂可以为在带有切割带的粘接薄膜X的使用过程中能通过来自外部的作用有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力降低型粘合剂)，也可以为在带有切割带的粘接薄膜X的使用过程中粘合力几乎或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。对于作为粘合剂层22中的粘合剂使用粘合力降低型粘合剂还是粘合力非降低型粘合剂，可以根据使用带有切割带的粘接薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等带有切割带的粘接薄膜X的使用方式来适宜选择。
使用粘合力降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂的情况下，在带有切割带的粘接薄膜X的使用过程中，可以分开使用粘合剂层22显示相对高的粘合力的状态和显示相对低的粘合力的状态。例如，可以在将带有切割带的粘接薄膜X用于后述的扩展工序时为了抑制/防止粘接薄膜10自粘合剂层22的浮起、剥离而利用粘合剂层22的高粘合力状态，而其后在用于从带有切割带的粘接薄膜X的切割带20拾取带有粘接薄膜的半导体芯片的后述的拾取工序中，为了容易地从粘合剂层22拾取带有粘接薄膜的半导体芯片，利用粘合剂层22的低粘合力状态。
作为这样的粘合力降低型粘合剂，例如，可列举出在带有切割带的粘接薄膜X的使用过程中能够通过辐射线照射固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层22的整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22的一部分由粘合力降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以是粘合剂层22的整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22中的规定部位由粘合力降低型粘合剂形成，其他部位(例如，作为环框的贴接对象区域的、位于中央区域的外侧的区域)由粘合力非降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有多层结构的情况下，可以是形成多层结构的全部层由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是多层结构中的一部分层由粘合力降低型粘合剂形成。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有作为丙烯酸系粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。
作为辐射线固化性粘合剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。对于用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸系聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作为该(甲基)丙烯酸酯，更具体而言，可列举出作为用于形成粘接薄膜10用的丙烯酸类树脂的丙烯酸系聚合物的构成单体在上面叙述的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，优选可列举出丙烯酸2-乙基己酯。另外，在使粘合剂层22中适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸系聚合物的构成单体整体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
对于丙烯酸系聚合物，出于例如其内聚力、耐热性的改性的目的，可以在构成单体中包含能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体。作为这样的其他单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈。作为该其他单体，更具体而言，可列举出作为用于形成粘接薄膜10用的丙烯酸类树脂的丙烯酸系聚合物的构成单体在上面叙述的共聚性的其他单体。
对于丙烯酸系聚合物，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如，可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在使粘合剂层22适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸系聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、优选为30质量％以下。
对于丙烯酸系聚合物，可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。从使用切割带20和/或带有切割带的粘接薄膜X的半导体装置制造方法中的高度的洁净性的观点出发，优选切割带20和/或带有切割带的粘接薄膜X中的粘合剂层22中的低分子量成分少，丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
对于粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂，为了提高丙烯酸系聚合物等基础聚合物的数均分子量，可以含有例如外部交联剂。作为用于与丙烯酸系聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂。粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述的辐射线聚合性单体成分，例如，可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述的辐射线聚合性低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右是适宜的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在可使形成的粘合剂层22的粘合力适当地降低的范围内决定，相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，可以使用例如日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，也可列举出含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型的辐射线固化性粘合剂。这样的内在型的辐射线固化性粘合剂在抑制所形成的粘合剂层22内的由低分子量成分的移动引起的粘合特性的不希望发生的经时变化方面是适宜的。
作为内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物为基本骨架。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸系聚合物，可以采用上述的丙烯酸系聚合物作为添加型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物。作为向丙烯酸系聚合物导入辐射线聚合性碳-碳双键的方法，例如可以列举出如下的方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸系聚合物后，使具有能与第1官能团之间发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如，可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易性的观点出发，羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合是优选的。另外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物时技术难度高，因此从丙烯酸系聚合物的制作或获得的容易性的观点出发，丙烯酸系聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况是更优选的。作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即含有辐射线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如，可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、及1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如，可列举出甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲基硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮。作为苯偶姻醚系化合物，例如，可列举出苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、及茴香偶姻甲基醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如，可列举出1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如，可列举出二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、及3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如，可列举出噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
粘合剂层22中的上述的加热发泡型粘合剂为含有通过加热而发泡、膨胀的成分的粘合剂。作为通过加热而发泡、膨胀的成分，例如，可列举出发泡剂及热膨胀性微小球。
作为加热发泡型粘合剂用的发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂及有机系发泡剂。作为无机系发泡剂，例如，可列举出碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、及叠氮化物类。作为有机系发泡剂，例如，可列举出三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟代烷烃、偶氮双异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物、对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物、对甲苯磺酰氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物、5-吗啉基-1,2,3,4-噻***等***系化合物、以及N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。
作为加热发泡型粘合剂用的热膨胀性微小球，例如，可列举出通过加热容易气化膨胀的物质被封入壳内而成的构成的微小球。作为通过加热容易气化膨胀的物质，例如，可列举出异丁烷、丙烷、及戊烷。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热容易气化而膨胀的物质封入壳形成物质内，能够制作热膨胀性微球。作为壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、通过封入物质的热膨胀的作用能够破裂的物质。作为这样的物质，例如，可列举出偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯基缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、及聚砜。
作为粘合剂层22中的上述的粘合力非降低型粘合剂，可列举出例如压敏性粘合剂。作为该压敏性粘合剂，例如，可以使用以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层22含有丙烯酸系粘合剂作为压敏性粘合剂的情况下，作为该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为单体单元。作为这样的丙烯酸系聚合物，例如，可列举出关于辐射线固化性粘合剂在上面叙述的丙烯酸系聚合物。
作为粘合剂层22中的压敏性粘合剂，可以利用通过辐射线照射使关于粘合力降低型粘合剂在上面叙述的辐射线固化性粘合剂固化的形态的粘合剂。对于这样的固化后的辐射线固化类型的粘合剂，即使通过辐射线照射使粘合力降低，根据聚合物成分的含量，也能显示出起因于该聚合物成分的粘合性，从而在规定的使用方式中能发挥可用于对被粘物进行粘合保持的粘合力。
本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以使是粘合剂层22的整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22的一部分由粘合力非降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以是粘合剂层22的整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22中的规定的部位由粘合力非降低型粘合剂形成，其他部位由粘合力降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有层叠结构的情况下，可以是形成层叠结构的全部层由粘合力非降低型粘合剂形成，层叠结构中的一部分层由粘合力非降低型粘合剂形成。
粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂中除了上述的各成分以外，还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、着色剂等。作为着色剂，可列举出颜料及染料。另外，着色剂可以为接受辐射线照射从而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出隐色染料。
粘合剂层22的厚度优选为1～50μm、更优选为2～30μm、更优选为5～25μm。这样的构成例如在粘合剂层22包含辐射线固化性粘合剂的情况下获得该粘合剂层22的辐射线固化前后对粘接薄膜10的粘接力的平衡的方面是适宜的。
具有如上所述的构成的带有切割带的粘接薄膜X例如可以如下地来制造。
在带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10的制作中，首先，制备粘接薄膜10形成用的粘接剂组合物后，在规定的隔离体上涂布该组合物而形成粘接剂组合物层。作为隔离体，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为粘接剂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对于该粘接剂组合物层，通过加热、根据需要使其干燥，另外，根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为70～160℃，加热时间例如为1～5分钟。可以如以上那样操作，在带有隔离体的形态下制作上述的粘接薄膜10。
对于带有切割带的粘接薄膜X的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以通过压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对于制膜后的薄膜和/或基材21，根据需要实施规定的表面处理。在粘合剂层22的形成中，例如，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材21上或规定的隔离体上而形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对于该粘合剂组合物层，通过加热、根据需要使其干燥，另外，根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合剂层22形成于隔离体上的情况下，将带有该隔离体的粘合剂层22贴合于基材21，其后，将隔离体从粘合剂层22剥离。由此，制作具有基材21和粘合剂层22的层叠结构的上述的切割带20。
在带有切割带的粘接薄膜X的制作中，接着，将粘接薄膜10例如压接贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为30～50℃，优选为35～45℃。贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm，优选为1～10kgf/cm。粘合剂层22包含如上所述的辐射线固化性粘合剂的情况下，可以在该贴合前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在该贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，在带有切割带的粘接薄膜X的制造过程中，可以不进行这样的辐射线照射(该情况下，在带有切割带的粘接薄膜X的使用过程中可使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22具有紫外线固化性的情况下，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。带有切割带的粘接薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)例如如图1所示为粘合剂层22中的粘接薄膜贴合区域内除其周缘部以外的区域。
如可以以上那样操作制作带有切割带的粘接薄膜X。对于带有切割带的粘接薄膜X，可以在粘接薄膜10侧以至少覆盖粘接薄膜10的方式设置有隔离体(省略图示)。粘接薄膜10的尺寸比切割带20的粘合剂层22小、且在粘合剂层22中存在未贴合粘接薄膜10的区域的情况下，隔离体可以以覆盖粘接薄膜10及粘合剂层22的方式来设置。隔离体为用于保护以使粘接薄膜10、粘合剂层22不会露出的要素，使用带有切割带的粘接薄膜X时从该薄膜剥离。
图2～图8表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法。
在本半导体装置制造方法中，首先，如图2的(a)及图2的(b)所示，在半导体晶圆W形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。在本工序中，将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧后，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，使用切割装置等旋转刀片在半导体晶圆W的第1面Wa侧形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(图2～图4中，用粗线示意性地表示分割槽30a)。
接着，如图2的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合、和晶圆加工用带T1自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图2的(d)所示，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T2上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将薄化半导体晶圆W至规定的厚度(晶圆薄化工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置来进行。在该晶圆薄化工序中，本实施方式中，形成可单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。半导体晶圆30A具体而言具有在第2面Wb侧将该晶圆中会被单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30A中的连接部的厚度、即半导体晶圆30A的第2面Wb与分割槽30a的第2面Wb侧前端间的距离例如为1～30μm，优选为3～20μm。
接着，如图3的(a)所示，保持于晶圆加工用带T2的半导体晶圆30A被贴合于带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10。然后，如图3的(b)所示，将晶圆加工用带T2从半导体晶圆30A剥离。带有切割带的粘接薄膜X中的粘合剂层22为辐射线固化性粘合剂层的情况下，可以代替带有切割带的粘接薄膜X的制造过程中的上述的辐射线照射，在半导体晶圆30A向粘接薄膜10的贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。带有切割带的粘接薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如为粘合剂层22中的粘接薄膜10贴合区域内的除其周缘部以外的区域。
接着，在带有切割带的粘接薄膜X中的粘接薄膜10上贴附环框41后，如图4的(a)所示，带有半导体晶圆30A的该带有切割带的粘接薄膜X被固定于扩展装置的保持件42。
接着，如图4的(b)所示那样进行相对低温的条件下的第1扩展工序(冷却扩展工序)，将半导体晶圆30A单片化为多个半导体芯片31，并且将带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10割断为小片的芯片接合薄膜11，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。在本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43(未图示出截面)在带有切割带的粘接薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿包括半导体晶圆30A的径向及圆周方向的二维方向拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30A的带有切割带的粘接薄膜X的切割带20进行扩展。该扩展在切割带20中产生例如15～32MPa的拉伸应力的条件下进行。冷却扩展工序中的温度条件例如为0℃以下，优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷却扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～300mm/秒。另外，冷却扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。
在本工序中，在半导体晶圆30A中厚度薄且容易破裂的部位产生割断从而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，在本工序中，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的粘接薄膜10中，在各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽相对的位置被割断。本工序后，如图4的(c)所示，顶起构件43下降，切割带20中的扩展状态被解除。
接着，如图5的(a)及图5的(b)所示那样进行相对高温的条件下的第2扩展工序，带有芯片接合薄膜的半导体芯片31间的距离(分隔距离)被扩大。本工序中，使扩展装置所具备的平台44上升，对切割芯片接合薄膜X的切割带20进行扩展。平台44使负压作用于平台面上的工件从而可将该工件真空吸附。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(平台44上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的分隔距离被扩大为在后述的拾取工序中能从切割带20适当地拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的程度。通过平台44的上升，切割带20被扩展后，平台44将切割带20真空吸附。然后，在维持由平台44带来的该吸附的状态下，如图5的(c)所示那样使平台44伴随工件而下降。本实施方式中，在该状态下对切割芯片接合薄膜X中的半导体晶圆30A周围(比半导体芯片31保持区域更靠外侧的部分)进行加热使其收缩(热收缩工序)。其后，解除基于平台44的真空吸附状态。通过经由热收缩工序，在切割芯片接合薄膜X中形成如下状态：规定程度的张力能作用于在上述的第1扩展工序、第2扩展工序中被拉伸并暂时松弛了的晶圆贴合区域的状态，即使在前述真空吸附状态解除后也能固定半导体芯片31的上述的分隔距离。
接着，根据需要经由使用水等清洗液对具备带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，如图6所示，从切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，对拾取对象的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件45上升，借助切割带20顶起后，利用吸附夹具46进行吸附保持。在拾取工序中，销构件45的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件45的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图7的(a)及图7的(b)所示，进行带有芯片接合薄膜的半导体芯片31向安装基板51上的暂时固着。该暂时固着以安装基板51上的半导体芯片31’等被埋入伴有半导体芯片31的芯片接合薄膜11的方式进行。作为安装基板51，例如，可列举出引线框、TAB(卷带自动结合，Tape Automated Bonding)薄膜、及布线基板。半导体芯片31’借助粘接剂层52固定于安装基板51。半导体芯片31’的电极极板(省略图示)与安装基板51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线53进行电连接。作为接合引线53，例如可以使用金线、铝线、或铜线。在本工序中，这样进行了引线接合安装的半导体芯片31’和连接于其的接合引线53的整体埋入到伴有半导体芯片31的芯片接合薄膜11内。另外，在本工序中，为了形成半导体芯片31’及接合引线53容易埋入到芯片接合薄膜11内的状态，可以对芯片接合薄膜11进行加热而使其软化。加热温度为芯片接合薄膜11未达到完全热固化状态的温度，例如为80～140℃。
接着，如图7的(c)所示，通过加热，使芯片接合薄膜11固化(热固化工序)。在本工序中，加热温度例如为100～200℃，加热时间例如为0.5～10小时。通过经由本工序，从而形成芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层。该粘接剂层将引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’(第1半导体芯片)与连接于其的接合引线53的整体一起包埋、并且将半导体芯片31接合于安装基板51。
接着，如图8的(a)所示，半导体芯片31的电极极板(省略图示)与安装基板51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线53进行电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板与接合引线53的连接线、及安装基板51的端子部与接合引线53的连接线通过伴有加热的超声波焊接而实现。引线接合中的线加热温度例如为80～250℃，其加热时间例如为几秒～几分钟。这样的引线接合工序也可以比上述的热固化工序先进行。
接着，如图8的(b)所示，形成用于将安装基板51上的半导体芯片31等密封的密封树脂54(密封工序)。在本工序中，例如，通过使用模具进行的传递成型技术形成密封树脂54。作为密封树脂54的构成材料，例如可列举出环氧系树脂。在本工序中，用于形成密封树脂54的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～几分钟。在本工序中未充分进行密封树脂54的固化的情况下，在本工序后进行用于通过进一步的加热处理使密封树脂54完全固化的后固化工序。在后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。即使在参照图7的(c)的上述工序中芯片接合薄膜11未完全热固化的情况下，在密封工序、后固化工序中，芯片接合薄膜11也能与密封树脂54一起实现完全的热固化。
如以上那样操作，可以制造多段安装有多个半导体芯片的半导体装置。本实施方式中，半导体芯片31’与连接于其的接合引线53的整体埋入到芯片接合薄膜11固化而成的粘接剂层内。与此相对，可以是半导体芯片31’与连接于其的接合引线53中的半导体芯片31’侧的一部分埋入到芯片接合薄膜11固化而成的粘接剂层内。另外，本实施方式中，可以代替经引线接合安装的半导体芯片31’，例如如图9所示，采用经倒装芯片安装的半导体芯片31’。图9所示的半导体芯片31’借助凸块55对安装基板51进行电连接，在该半导体芯片31’与安装基板51之间，填充底部填充剂56并热固化。在图9所示的半导体装置中，芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板51的半导体芯片31’(第1半导体芯片)包埋、并且将半导体芯片31(第2半导体芯片)接合于安装基板51。
图10及图11表示本发明的半导体装置制造方法的另一实施方式中的一部分工序。本实施方式中，首先，如图10的(a)及图10的(b)所示，进行带有芯片接合薄膜的半导体芯片31向引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’上的暂时固着。半导体芯片31’借助粘接剂层52被固定于安装基板51。半导体芯片31’的电极极板(省略图示)与安装基板51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线53进行电连接。在本工序中，芯片接合薄膜11将这样经引线接合安装的半导体芯片31’的接合引线连接部位覆盖，接合引线53的一部分埋入到该芯片接合薄膜11内。另外，在本工序中，为了形成接合引线53容易埋入到芯片接合薄膜11内的状态，可以对芯片接合薄膜11进行加热而使其软化。加热温度为芯片接合薄膜11未达到完全热固化状态的温度，例如为80～140℃。
接着，如图10的(c)所示，通过加热，使芯片接合薄膜11固化(热固化工序)。本工序中，加热温度例如为100～200℃，加热时间例如为0.5～10小时。通过经由本工序，形成芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层。该粘接剂层将引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’的接合引线连接部位覆盖而将接合引线53的一部分包埋、并且将半导体芯片31(第2半导体芯片)接合于半导体芯片31’(第1半导体芯片)。
接着，如图11的(a)所示，半导体芯片31的电极极板(省略图示)与安装基板51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线53进行电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板与接合引线53的连接线、及安装基板51的端子部与接合引线53的连接线通过伴有加热的超声波焊接而实现。引线接合中的线加热温度例如为80～250℃，其加热时间例如为几秒～几分钟。这样的引线接合工序也可以比本实施方式中的上述的热固化工序先进行。
接着，如图11的(b)所示，形成用于将安装基板51上的半导体芯片31、31’及接合引线53密封的密封树脂54(密封工序)。本工序中，用于形成密封树脂54的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～几分钟。在本工序中未充分进行密封树脂54的固化的情况下，在本工序后进行用于通过进一步的加热处理使密封树脂54完全固化的后固化工序。在后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。即使在参照图10的(c)的上述工序中芯片接合薄膜11未完全热固化的情况下，在密封工序、后固化工序中，芯片接合薄膜11也能与密封树脂54一起实现完全的热固化。
可以如以上那样操作，制造多段安装有多个半导体芯片的半导体装置。
在本发明的半导体装置制造方法中，可以代替参照图2的(d)的上述晶圆薄化工序，进行图12所示的晶圆薄化工序。经由参照图2的(c)的上述过程后，在图12所示的晶圆薄化工序中，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T2上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将该晶圆薄化至规定的厚度，形成包含多个半导体芯片31并保持于晶圆加工用带T2的半导体晶圆分割体30B。在本工序中，可以采用将晶圆磨削到分割槽30a其自身在第2面Wb侧露出为止的方法(第1方法)，也可以采用如下方法：从第2面Wb侧起磨削晶圆至即将到达分割槽30a为止，然后，利用由旋转磨石对晶圆的挤压力的作用使分割槽30a与第2面Wb之间产生裂纹，从而形成半导体晶圆分割体30B的方法(第2方法)。根据采用的方法适宜确定参照图2的(a)及图2的(b)而如上述地形成的分割槽30a自第1面Wa起的深度。在图12中，用粗线示意性地示出经由第1方法的分割槽30a、或经由第2方法的割槽30a及与其连接的裂纹。可以代替半导体晶圆30A而将这样操作而制作的半导体晶圆分割体30B贴合于带有切割带的粘接薄膜X，然后进行参照图3～图6的上述各工序。
图13的(a)及图13的(b)具体表示在将半导体晶圆分割体30B贴合于带有切割带的粘接薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。在本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43(未图示出截面)在带有切割带的粘接薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿包括半导体晶圆分割体30B的径向及圆周方向的二维方向进行拉伸的方式对贴合有半导体晶圆分割体30B的带有切割带的粘接薄膜X的切割带20进行扩展。该扩展在切割带20中产生例如1～100MPa的拉伸应力的条件下进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下，优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量例如为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10被割断为小片的芯片接合薄膜11，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，在本工序中，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的粘接薄膜10中，在半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置被割断。这样得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经由参照图6的上述拾取工序后，供于半导体装置制造过程中的安装工序。
本发明的半导体装置制造方法中，可以代替半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B贴合于带有切割带的粘接薄膜X这样的上述构成，将如下制作的半导体晶圆30C贴合于带有切割带的粘接薄膜X。
在半导体晶圆30C的制作中，首先，如图14的(a)及图14的(b)所示，在半导体晶圆W形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。在本工序中，将具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T3上的状态，从与晶圆加工用带T3相反的一侧对半导体晶圆W沿着其预分割线照射聚光点对准晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的烧蚀在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30b的方法，在例如日本特开2002-192370号公报中详细进行了叙述，本实施方式中的激光照射条件例如可以在以下的条件的范围内适宜调整。
<激光照射条件>
(A)激光
Figure BDA0002323490200000351
Figure BDA0002323490200000361
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
接着，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T3上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W薄化至规定的厚度，由此，如图14的(c)所示，形成可单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆薄化工序)。可以代替半导体晶圆30A，将以上那样操作而制作的半导体晶圆30C贴合于带有切割带的粘接薄膜X，然后进行参照图3～图6的上述各工序。
图15的(a)及图15的(b)具体表示将半导体晶圆30C贴合于带有切割带的粘接薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。在本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43(未图示截面)在带有切割带的粘接薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿着包括导体晶圆30C的径向及圆周方向的二维方向进行拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30C的带有切割带的粘接薄膜X的切割带20进行扩展。该扩展在切割带20中产生例如1～100MPa的拉伸应力的条件下进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下，优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量例如为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10被割断为小片的芯片接合薄膜11，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，在本工序中，在半导体晶圆30C中在脆弱的改性区域30b形成裂纹从而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，在本工序中，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的粘接薄膜10中，在半导体晶圆30C的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成位置相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在粘接薄膜10中与半导体芯片31间的裂纹形成位置相对的位置被割断。这样得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经由参照图6的上述拾取工序后，供于半导体装置制造过程中的安装工序。
对于例如如上所述的半导体装置制造过程中可使用的带有切割带的粘接薄膜X中的粘接薄膜10，本发明人等发现，对于其损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶并且在20～60℃的范围具有第2峰顶这样的上述的构成，即使粘接薄膜10在其较厚的情况下，也适于在割断用在扩展工序中使其预定割断位置产生割断。例如，如后述的实施例及比较例所示那样。
对于以往的粘接薄膜，认为有时在扩展工序中预定割断位置的一部分不产生割断是因为该薄膜的断裂强度过高。对于以往的粘接薄膜，认为在扩展工序中在预定割断位置以外的位置产生割断裂纹是因为如下：该薄膜的弹性过强，因此有时扩展工序中的割断用应力未适当地传递到该薄膜的预定割断位置，在预定割断位置以外的位置处产生脆性破坏。另一方面，损耗角正切涉及材料的力学物性，为该材料的粘性相对于弹性的比值，是损耗角正切越大、表示粘性越强的指标。对于粘接薄膜10中的其损耗角正切在高温侧的20～60℃的范围具有峰顶并且在低温侧的-20～20℃的范围也具有峰顶这样的上述构成，适于获得实施割断用扩展工序的例如0℃以下的低温条件下的粘接薄膜10的弹性与粘性的平衡、并且实现其破坏强度的降低，因此，适于在该扩展工序中实现良好的割断。对于粘接薄膜10中的第1及第2峰顶有关的上述构成，具体而言，认为适于在割断用扩展工序中抑制预定割断位置以外的位置处的脆性破坏(割断裂纹)的产生从而将割断用应力适当地传递到粘接薄膜10的预定割断位置，并且适于抑制断裂强度从而使预定割断位置容易产生割断。
如上所述，带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10适于在割断用扩展工序中实现良好的割断。
对于带有切割带的粘接薄膜X的粘接薄膜10，如上所述，第2峰顶的值优选为2以上、更优选为2.2以上、更优选为2.4以上。这样的构成有助于获得实施割断用扩展工序的规定低温条件下的粘接薄膜10的弹性与粘性的平衡、并且实现其破坏强度的降低。另外，该构成在确保半导体晶圆等工件贴合于粘接薄膜10的情况下粘接薄膜10对该工件的密合性的方面是适宜的。
粘接薄膜10如上所述优选含有热固化性树脂，更优选含有环氧树脂和/或酚醛树脂。该热固化性树脂的软化温度如上所述优选为70℃以上、更优选为75℃以上、更优选为80℃以上。粘接薄膜10中含有软化温度为优选70℃以上、更优选75℃以上、更优选80℃以上的热固化性树脂的情况下，粘接薄膜10中的该热固化性树脂的含有比例如上所述优选为5～25质量％、更优选为6～20质量％、更优选为7～18质量％、更优选为8～16质量％。另外，粘接薄膜10如上所述优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。该丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度优选为-35～5℃。利用这些构成，容易实现粘接薄膜10中的上述的第1及第2峰顶有关的上述构成。
粘接薄膜10的厚度如上所述优选为40μm以上、更优选为60μm以上、更优选为80μm以上。这样的构成在使用粘接薄膜10作为将引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’(第1半导体芯片)与连接于该芯片的接合引线53的整体或一部分一起包埋、并且将半导体芯片31(第2半导体芯片)接合于安装基板51的粘接剂层形成用的粘接薄膜(半导体芯片包埋用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，粘接薄膜10的厚度有关的该构成在使用粘接薄膜10作为将引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’的接合引线连接部位覆盖而将该接合引线53的一部分包埋、并且将半导体芯片31接合于半导体芯片31’的粘接剂层形成用的粘接薄膜(伴随接合引线的部分的包埋的半导体芯片间接合用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，粘接薄膜10的厚度有关的该构成在使用粘接薄膜10作为将倒装芯片安装于安装基板51的半导体芯片31’包埋、并且将半导体芯片31接合于安装基板51的粘接剂层形成用的粘接薄膜(芯片包埋用的较厚的粘接薄膜)的方面是适宜的。
另一方面，粘接薄膜10的厚度如上所述优选为150μm以下、更优选为140μm以下、更优选为130μm以下、更优选为120μm以下。这样的构成对于粘接薄膜10适于避免断裂强度变得过大。
实施例
〔实施例1〕
〈粘接薄膜的制作〉
将丙烯酸类树脂A1(商品名“TEISAN RESIN SG-280”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度Tg为-29℃，Nagase ChemteX Corporation制)15质量份、环氧树脂(商品名“EPPN-501HY”，软化温度60℃，日本化药株式会社制)29质量份、酚醛树脂F1(商品名“HF-1M”，软化温度84℃，明和化成株式会社制)16质量份、和无机填料(商品名“SE-2050MC”，二氧化硅颗粒，平均粒径为0.5μm，Amatex Corporation制)40质量份加入到甲乙酮中混合，得到粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作厚度40μm的粘接薄膜。然后，使用辊层压机将这样操作而制作的3张粘接薄膜贴合，制作实施例1的粘接薄膜(厚度120μm)。该贴合中，将贴合速度设为10mm/秒、将温度条件设为60℃、将压力条件设为0.15MPa。将实施例1以及后述的各实施例及各比较例中的粘接薄膜(DAF)的组成记载于表1中(表1中，表示粘接薄膜(DAF)的组成的各数值的单位为该组成内的相对的“质量份”)。
〈切割带的制作〉
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，在60℃下以10小时、在氮气气氛下对包含丙烯酸2-乙基己酯120质量份、丙烯酸2-羟基乙酯17质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.4质量份、和作为聚合溶剂的甲苯80质量份的混合物进行搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。接着，对包含该含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下以60小时、在空气气氛下进行搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量相对于100质量份上述丙烯酸系聚合物P1为1.4质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于100质量份丙烯酸系聚合物P1为0.1质量份。通过该加成反应，得到含有侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中加入相对于100质量份丙烯酸系聚合物P2为1.1质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，东曹株式会社制)和3质量份的光聚合引发剂(商品名“IRGACURE 184”，BASF公司制)进行混合，然后，以使该混合物在室温下的粘度成为500mPa·s的方式对该混合物加入甲苯进行稀释，得到粘合剂组合物。接着，在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上使用涂抹器涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。接着，对该组合物层在120℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下在该粘合剂层的露出面贴合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“FUNCRARE NRB#125”，厚度125μm，Gunze Limited制)。如以上那样操作而制作切割带。
〈带有切割带的粘接薄膜的制作〉
将带有PET隔离体的实施例1的上述的粘接薄膜(DAF)冲裁加工成直径330mm的圆盘形状。接着，从该粘接薄膜将PET隔离体剥离并且从上述的切割带将PET隔离体剥离后，使用辊层压机使该切割带中露出的粘合剂层与粘接薄膜中通过PET隔离体的剥离而露出的面贴合。该贴合中，将贴合速度设为10mm/秒、将温度条件设为25℃、将压力条件设为0.15MPa。接着，将这样与粘接薄膜贴合的切割带以切割带的中心与粘接薄膜的中心一致的方式冲裁加工成直径390mm的圆盘形状。接着，对切割带中的粘合剂层从EVA基材侧照射紫外线。紫外线照射中，使用高压汞灯，将照射累积光量设为300mJ/cm2。如以上那样操作，制作具有包含切割带和粘接薄膜的层叠结构的实施例1的带有切割带的粘接薄膜。
〔实施例2〕
代替16质量份酚醛树脂F1，使用8质量份酚醛树脂F1及酚醛树脂F2(商品名“LVR8210-DL”，软化温度69℃，群荣化学工业株式会社制)8质量份，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作实施例2的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该实施例2的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作实施例2的带有切割带的粘接薄膜。
〔实施例3〕
代替16质量份酚醛树脂F1，使用酚醛树脂F2(商品名“LVR8210-DL”，软化温度69℃，群荣化学工业株式会社制)16质量份，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作实施例3的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该实施例3的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作实施例3的带有切割带的粘接薄膜。
〔比较例1〕
代替15质量份丙烯酸类树脂A1，使用丙烯酸类树脂A2(商品名“TEISAN RESIN SG-70L”，玻璃化转变温度-15℃，重均分子量为90万，Nagase ChemteX Corporation制)15质量份，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作比较例1的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该比较例1的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作比较例1的带有切割带的粘接薄膜。
〔比较例2〕
代替15质量份丙烯酸类树脂A1，使用丙烯酸类树脂A2(商品名“TEISAN RESIN SG-70L”，Nagase ChemteX Corporation制)18质量份，将环氧树脂(商品名“EPPN-501HY”，日本化药株式会社制)的配混量设为28质量份来代替29质量份、以及使用酚醛树脂F2(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)14质量份来代替16质量份酚醛树脂F1，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作比较例2的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该比较例2的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作比较例2的带有切割带的粘接薄膜。
〔比较例3〕
代替丙烯酸类树脂A115质量份，使用丙烯酸类树脂A3(商品名“TEISAN RESIN SG-708-6”，玻璃化转变温度Tg为4℃，重均分子量为70万，Nagase ChemteX Corporation制)15质量份，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作比较例3的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该比较例3的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作比较例3的带有切割带的粘接薄膜。
〔比较例4〕
代替15质量份丙烯酸类树脂A1，使用丙烯酸类树脂A3(商品名“TEISAN RESIN SG-708-6”，Nagase ChemteX Corporation制)15质量份、及、使用酚醛树脂F2(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)16质量份来代替16质量份酚醛树脂F1，除此以外，与实施例1的粘接薄膜同样地操作，制作比较例4的粘接薄膜(厚度120μm)。另外，使用该比较例4的粘接薄膜来代替实施例1的上述的粘接薄膜，除此以外，与实施例1的带有切割带的粘接薄膜同样地操作，制作比较例4的带有切割带的粘接薄膜。
〈动态粘弹性测定〉
对实施例1～3及比较例1～4的各粘接薄膜，通过使用动态粘弹性测定装置(商品名“RSA-III”，TA Instrument公司制)进行的动态粘弹性测定来对损耗角正切进行研究。将从粘接薄膜(厚度120μm)切出的粘接薄膜试样片(宽度10×长度30mm)供于测定。本测定中，将测定模式设为拉伸模式、将初始卡盘间距离设为22.5mm、将测定温度范围设为例如-30℃～100℃、将升温速度设为例如10℃/分钟、将频率设为例如1Hz。根据这样的动态粘弹性测定对粘接薄膜的损耗角正切tanδ(＝损耗弹性模量E”/储能模量E’)的温度依赖性进行研究。将关于实施例1～3及比较例1～4的粘接薄膜、表示-20～60℃的范围的损耗角正切tanδ的值的图记载于图16(实施例1)、图17(实施例2)、图18(实施例3)、图19(比较例1)、图20(比较例2)、图21(比较例3)、及图22(比较例4)。在各图中，横轴表示温度(℃)，纵轴以对数表示损耗角正切tanδ。图16～图18的各图中，位于-20～20℃的范围的第1峰顶P1及位于20～60℃的范围的第2峰顶P2显著。将实施例1～3及比较例1～4的各粘接薄膜的损耗角正切显示峰顶的温度记载于表1中。另外，将在相对高温区域显著的第2峰顶的值也记载于表1。
〈粘接薄膜的割断性和晶圆贴附性的评价〉
使用实施例及比较例的上述的各带有切割带的粘接薄膜，进行如下的贴合工序、用于割断的第1扩展工序(冷却扩展工序)、及分隔用的第2扩展工序。
贴合工序中，将保持于晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)的规定的半导体晶圆分割体贴合于带有切割带的粘接薄膜的粘接薄膜，其后从半导体晶圆分割体将晶圆加工用带剥离。在贴合中，使用层压机，将贴合速度设为10mm/秒、将温度条件设为70℃、将压力条件设为0.15MPa。半导体晶圆分割体是如下形成而准备的。
首先，对于处于与环框一起被保持于晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”，日东电工株式会社制)的状态的裸晶圆(直径12英寸，厚度780μm，东京化工株式会社制)，从其一面侧，使用切割装置(商品名“DFD6361”，DISCO Corporation制)利用其旋转刀片形成单片化用的分割槽(形成宽度25μm、深度50μm、一个分区10mm×10mm的格子状)。接着，将晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)贴合于分割槽形成面后，将上述的晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”)从晶圆剥离。然后，使用背面磨削装置(商品名“DGP8760”，DISCO Corporation制)，通过从晶圆的另一面(未形成分割槽的面)的一侧起的磨削将该晶圆薄化至厚度40μm，接着，通过使用该装置进行的干式抛光对该磨削面实施镜面精加工。如以上那样操作，形成半导体晶圆分割体(处于被保持于晶圆加工用带的状态)。该半导体晶圆分割体中不包含多个半导体芯片(10mm×10mm)。
关于贴合工序，对于比较例1的带有切割带的粘接薄膜，即使具有充分的密合力，也不能将半导体晶圆分割体贴合。因此，未实施使用比较例1的带有切割带的粘接薄膜的第1及第2扩展工序。关于粘接薄膜的晶圆贴附性，将具有充分的密合力从而能够将带有切割带的粘接薄膜的粘接薄膜与半导体晶圆分割体贴合的情况评价为良，将不是上述那样的情况评价为不良。将它们的评价结果记载于表1中。这些评价结果记载于表1中。
第1扩展工序(冷却扩展工序)使用模具分隔装置(商品名“Die SeparatorDDS2300”，DISCO Corporation制)，利用其第1扩展单元进行。具体而言，首先，在具有半导体晶圆分割体的上述的带有切割带的粘接薄膜中的切割带粘合剂层，在室温下贴附直径12英寸的SUS制环框(DISCO Corporation制)。接着，将该带有切割带的粘接薄膜安装于装置内，利用该装置的第1扩展单元对具有半导体晶圆分割体的带有切割带的粘接薄膜的切割带进行扩展。该冷却扩展工序中，温度为-15℃，扩展速度为300mm/秒，扩展量为14mm。
第2扩展工序使用模具分隔装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCOCorporation制)，利用其第2扩展单元进行。在本工序中，首先，对经由上述第1扩展工序的具有工件的带有切割带的粘接薄膜和/或切割带，利用同一装置的第2扩展单元，通过可真空吸附带有工件的切割带的平台的上升而顶起并扩展。该扩展中，温度为23℃，扩展速度为1mm/秒，扩展量为7mm。在本工序中，接着，利用平台将通过平台的上升而扩展的切割带真空吸附，在维持由平台带来的该吸附的状态下使平台与工件一起下降。然后，对切割带中的比工件贴接区域更靠外侧的周缘部实施加热收缩处理(热收缩)。该处理中，加热用的热风的温度为220℃，其风量为40L/分钟，加热距离(从热风吹出口到加热对象物的距离)为20mm，用于保持带有工件的切割带的平台(stage)的旋转速度为5°/秒。
对于粘接薄膜的割断性，经由使用带有切割带的粘接薄膜而进行的如上所述的过程后，将预定割断线整体的90％以上产生割断的情况评价为良，将不是那样的情况评价为不良。将它们的评价结果记载于表1中。
利用实施例1～3的粘接薄膜，能够在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断。
[表1]
Figure BDA0002323490200000461

Claims (11)

1.一种粘接薄膜，其中，损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。
2.根据权利要求1所述的粘接薄膜，其中，所述第2峰顶的值为2以上。
3.根据权利要求1或2所述的粘接薄膜，其中，含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘接薄膜，其中，含有环氧树脂和/或酚醛树脂。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接薄膜，其中，含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘接薄膜，其具有40～150μm的厚度。
7.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片与连接于该第1半导体芯片的接合引线的全部或一部分一起包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述安装基板。
8.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片的接合引线连接部位覆盖而将该接合引线的一部分包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述第1半导体芯片。
9.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板的第1半导体芯片包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述安装基板。
10.一种带切割带的粘接薄膜，其具备：
切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
权利要求1～9中任一项所述的粘接薄膜，其以能剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层。
11.一种半导体装置制造方法，其包括：
第1工序，在权利要求10所述的带切割带的粘接薄膜中的所述粘接薄膜上贴合能单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体；及
第2工序，对所述带切割带的粘接薄膜中的所述切割带进行扩展，由此将所述粘接薄膜割断而得到带粘接薄膜的半导体芯片。
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