CN111276439A - 切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及切割芯片接合薄膜。提供一种DDAF，其适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中实现良好的割断、并且对于芯片间的割断位置确保足够的切口宽度。本发明的DDAF具有包含芯片接合薄膜(10)及切割带(20)的层叠结构。芯片接合薄膜(10)以可剥离的方式密合于切割带(20)所具有的粘合剂层(22)。芯片接合薄膜(10)的在规定条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下。该芯片接合薄膜(10)具有直径D1的圆盘形状、并包含与该圆盘形状为同心圆的直径D2的晶圆贴附区域。D1及D2满足0<(D1‑D2)/D2<1。另外，切割带(20)的在规定条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为120％以上。

Description

切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造过程中可以使用的切割芯片接合薄膜。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片时，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以可剥离的方式密合于其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。
作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。
该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。芯片接合薄膜具有超过半导体晶圆的尺寸的圆盘形状。半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。
接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使用扩展装置使切割芯片接合薄膜的切割带沿包括半导体晶圆的径向及圆周方向的二维方向进行拉伸。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜上和/或切割带上实现半导体晶圆的单片化。
对于在扩展工序中被拉伸而松弛了的切割芯片接合薄膜，将其中的半导体晶圆周围的边缘区域加热而使其收缩(热收缩工序)。由此，芯片接合薄膜中的比边缘区域更靠内侧的区域(晶圆贴合区域)达到规定程度的张力发挥作用的状态。这样的热收缩工序是出于确保在上述的扩展工序中被割断的半导体芯片间的分隔距离、即所谓的切口宽度的目的而实施的。
接着，在经由例如清洗工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同从切割带的下侧被拾取机构的销构件顶起，然后从切割带上拾取。这样，得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜通过芯片接合固着在安装基板等被粘物上。
对于例如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，记载于例如下述的专利文献1、2中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
发明内容
发明要解决的问题
在使用以往的切割芯片接合薄膜进行的半导体装置制造过程中的如上所述的热收缩工序中，有时切割芯片接合薄膜中的加热位置(半导体晶圆的周围的边缘区域)不会充分收缩。该情况下，切割芯片接合薄膜中比该加热位置更靠内侧的晶圆贴合区域不会被充分拉伸，变得在切割芯片接合薄膜上的半导体芯片间不能确保足够的切口宽度。不能确保足够的切口宽度的情况下，有时不能从切割带上适当地拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片，例如在半导体芯片的拾取时，该芯片和与其邻接的芯片中有时会产生由芯片间接触引起的损伤等。
本发明是鉴于以上的情况而想出的，其目的在于，提供一种切割芯片接合薄膜，其适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断、并且对于芯片间的割断位置在之后确保足够的切口宽度。
用于解决问题的方案
通过本发明提供的切割芯片接合薄膜具备切割带及芯片接合薄膜。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。该切割带的、对宽度10mm的切割带试验片在初始卡盘间距离50mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)为120％以上。芯片接合薄膜以可剥离的方式密合于切割带中的粘合剂层。该芯片接合薄膜的、对宽度10mm及厚度210μm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离20mm、-15℃及拉伸速度100mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下。另外，芯片接合薄膜具有直径D1(mm)的圆盘形状、并包含与该圆盘形状为同心圆的直径D2(mm)的晶圆贴附区域(即贴合半导体晶圆的区域)，并且D1及D2满足D1>D2及(D1-D2)/D2<0.1。芯片接合薄膜中的晶圆贴附区域的直径D2例如为200～300mm。本切割芯片接合薄膜设计为8英寸晶圆对应型的情况下，D2例如为200mm±5mm，优选为200mm±1mm、更优选为200mm±0.5mm。本切割芯片接合薄膜设计为12英寸晶圆对应型的情况下，D2例如为300mm±5mm，优选为300mm±1mm、更优选为300mm±0.5mm。这样的构成的切割芯片接合薄膜可以用于在半导体装置的制造过程中得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，在得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片时，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的割断用的扩展工序。对于成为切割芯片接合薄膜的一个构成要素的芯片接合薄膜，本发明人等发现，对宽度10mm及厚度210μm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离20mm、-15℃及拉伸速度100mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下这样的上述构成，适于使处于割断用扩展工序的芯片接合薄膜在其预定割断位置产生割断。例如如后述的实施例及比较例所示那样。芯片接合薄膜的上述拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下这样的上述构成适合避免在割断用扩展工序中用于使该芯片接合薄膜割断的拉伸长度变得过大、并且使该芯片接合薄膜产生基于韧性断裂等的断裂。从确保芯片接合薄膜在割断用扩展工序中的良好的割断性的观点出发，对芯片接合薄膜的上述拉伸试验中的断裂伸长率优选为18％以下、更优选为15％以下。
本切割芯片接合薄膜的切割带如上所述，对宽度10mm的切割带试验片在初始卡盘间距离50mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为120％以上。这样的构成适于避免切割带在受到拉伸作用的扩展工序中断裂。在避免切割带在受到拉伸作用的扩展工序中断裂的方面，切割带的前述断裂伸长率优选为150％以上、更优选为200％以上、更优选为250％以上。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，在得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片时，有时在割断用扩展工序后实施热收缩工序。对于成为切割芯片接合薄膜的一个构成要素的芯片接合薄膜，芯片接合薄膜的直径D1与作为该芯片接合薄膜的一部分的晶圆贴附区域的直径D2(<D1)满足(D1-D2)/D2<0.1这样的上述构成适于抑制芯片接合薄膜在规定尺寸的切割芯片接合薄膜的面内方向和/或径向相对于作为工件的半导体晶圆变得过大，因此，适于在芯片接合薄膜周围确保不被该薄膜覆盖的充分广的切割带区域。包含基材和粘合剂层的切割带有与芯片接合薄膜相比基于加热的收缩率大的倾向。因此，适于在切割芯片接合薄膜中在芯片接合薄膜周围确保不被该薄膜覆盖的充分广的切割带区域的上述构成适于在热收缩工序中将切割芯片接合薄膜的半导体晶圆周围充分加热收缩，因此，适于使充分的张力作用于切割芯片接合薄膜的比该加热位置更靠内侧的晶圆贴合区域，从而在该薄膜上的半导体芯片间确保足够的切口宽度。从在热收缩工序中在切割芯片接合薄膜上的半导体芯片间确保足够的切口宽度的观点出发，(D1-D2)/D2的值优选为0.7以下，更优选为0.5以下。
如上所述，本发明的切割芯片接合薄膜适于在割断用的扩展工序中实现良好的割断、并且对芯片间的割断位置在其后确保足够的切口宽度。
本切割芯片接合薄膜中，上述的切割带的对初始卡盘间距离为100mm、在23℃及拉伸速度1000mm/分钟的条件下拉伸至卡盘间距离120mm为止的宽度10mm的切割带试验片在加热温度100℃及加热时间10秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为0.1％以上、更优选为0.2％以上、更优选为0.5％以上、更优选为0.6％以上、更优选为0.7％以上、更优选为1％以上、更优选为1.5％以上。在切割带和/或其基材的所谓的MD方向与所谓的TD方向上热收缩率不同的情况下，本发明中的切割带的热收缩率是指，相当于MD方向的热收缩率与TD方向的热收缩率的平均值的平均热收缩率。这样的构成适于在热收缩工序中使切割芯片接合薄膜的半导体晶圆周围充分加热收缩，因此，适于使充分的张力作用于切割芯片接合薄膜的比该加热位置更靠内侧的晶圆贴合区域，从而在该薄膜上的半导体芯片间确保足够的切口宽度。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的剖面示意图。
图2表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图3表示图2所示的工序的后续工序。
图4表示图3所示的工序的后续工序。
图5表示图4所示的工序的后续工序。
图6表示图5所示的工序的后续工序。
图7表示图6所示的工序的后续工序。
图8表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图9表示图8所示的工序的后续工序。
图10表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图11表示图10所示的工序的后续工序。
附图标记说明
X 切割芯片接合薄膜
10、11 芯片接合薄膜
10A 晶圆贴附区域
20 切割带
21 基材
22 粘合剂层
W、30A、30B 半导体晶圆
30C 半导体晶圆分割体
30a 改性区域
30b 分割槽
31 半导体芯片
具体实施方式
图1为本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜X的剖面示意图。切割芯片接合薄膜X具有包含芯片接合薄膜10和切割带20的层叠结构。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。粘合剂层22在芯片接合薄膜10侧具有粘合面22a。芯片接合薄膜10以可剥离的方式密合于切割带20的粘合剂层22和/或其粘合面22a。切割芯片接合薄膜X可以用于半导体装置的制造中得到带有芯片接合薄膜的半导体芯的过程中的例如后述的扩展工序中。
切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10具有可作为显示出热固化性的芯片接合用粘接剂而发挥作用的构成。对于芯片接合薄膜10，作为树脂成分，可以具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成，也可以具有包含带有可与固化剂反应而发生键合的热固化性官能团的热塑性树脂的组成。芯片接合薄膜10具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，该芯片接合薄膜10不必进而含有热固化性树脂。这样的芯片接合薄膜10可以具有单层结构，也可以具有在邻接层间组成不同的多层结构。
作为芯片接合薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成的情况下的该热固化性树脂，例如，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种热固化性树脂，也可以含有两种以上的热固化性树脂。环氧树脂有可成为作为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等含量少的倾向，因此优选作为芯片接合薄膜10中的热固化性树脂。另外，作为用于使环氧树脂表现热固化性的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可列举出双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、及四羟苯基乙烷型环氧树脂由于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性高、并且耐热性优异，因此优选作为芯片接合薄膜10中的环氧树脂。
对可作为环氧树脂的固化剂起作用的酚醛树脂，例如，可列举出酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、及壬基苯酚酚醛清漆树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种酚醛树脂、也可以含有两种以上的酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂被用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，有提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此优选作为芯片接合薄膜10中的环氧树脂用固化剂。
芯片接合薄膜10含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂的情况下，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这样的构成对于在芯片接合薄膜10的固化时使该环氧树脂及酚醛树脂的固化反应充分进行的方面是优选的。
对于芯片接合薄膜10中的热固化性树脂的含有比例，从在芯片接合薄膜10中适当地表现其作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
芯片接合薄膜10中的热塑性树脂承担例如粘结剂功能，作为芯片接合薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成的情况下的该热塑性树脂，例如，可列举出丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、及氟树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种热塑性树脂、也可以含有两种以上的热塑性树脂。丙烯酸类树脂的离子性杂质少并且耐热性高，因此优选作为芯片接合薄膜10中的热塑性树脂。
芯片接合薄膜10含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂的情况下的该丙烯酸类树脂优选含有质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
对于用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯及环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯、也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，对于丙烯酸类树脂，可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。
对于丙烯酸类树脂，出于例如其内聚力、耐热性的改性的目的，可以将可与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体作为构成单体。作为这样的单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈。作为含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸。作为酸酐单体，例如，可列举出马来酸酐及衣康酸酐。作为含羟基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如，可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如，可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。
从芯片接合薄膜10实现高的内聚力的观点出发，芯片接合薄膜10中所含的丙烯酸类树脂优选为丙烯酸丁酯与丙烯酸乙酯与丙烯腈的共聚物。
芯片接合薄膜10具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，作为该热塑性树脂，例如，可以使用含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如，可以使用与作为芯片接合薄膜10中含有的丙烯酸类树脂的构成单体在上面叙述的同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团，例如，可列举出缩水甘油基、羧基、羟基、及异氰酸酯基。这些之中，可以适当地使用缩水甘油基及羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，可以适当地使用含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。另外，根据含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团的种类，选择可与其发生反应的固化剂。含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂在上面叙述的同样的酚醛树脂。
对于为了芯片接合而进行固化前的芯片接合薄膜10，为了实现一定程度的交联度，例如，优选在芯片接合薄膜形成用树脂组合物中预先配混可与芯片接合薄膜10中所含的上述的树脂成分的分子链末端的官能团等反应而发生键合的多官能性化合物作为交联剂。这样的构成在对芯片接合薄膜10提高高温下的粘接特性的方面、以及实现耐热性的改善的方面是适宜的。作为这样的交联剂，例如可列举出多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对亚苯基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、及多元醇与二异氰酸酯的加成物。对于芯片接合薄膜形成用树脂组合物中的交联剂含量，相对于具有可与该交联剂反应而产生键合的上述官能团的树脂100质量份，从形成的芯片接合薄膜10的内聚力提高的观点出发，优选为0.05质量份以上，从形成的芯片接合薄膜10的粘接力提高的观点出发，优选为7质量份以下。另外，作为芯片接合薄膜10中的交联剂，也可以将环氧树脂等其他多官能性化合物和多异氰酸酯化合物组合使用。
配混到芯片接合薄膜10中的上述丙烯酸类树脂及上述含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度优选为-40～10℃。对于聚合物的玻璃化转变温度，可以使用基于下述的Fox公式求出的玻璃化转变温度(理论值)。Fox公式为聚合物的玻璃化转变温度Tg与该聚合物中的各个构成单体的均聚物的玻璃化转变温度Tgi的关系式。下述的Fox公式中，Tg表示聚合物的玻璃化转变温度(℃)，Wi表示构成该聚合物的单体i的重量分率，Tgi表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度(℃)。对于均聚物的玻璃化转变温度，可以使用文献值，例如在“新高分子文库7涂料用合成树脂入门”(北冈协三著，高分子刊行会，1995年)、“丙烯酸酯目录(1997年度版)”(MITSUBISHI RAYONCO.,LTD.)中列举出了各种均聚物的玻璃化转变温度。另一方面，对于单体的均聚物的玻璃化转变温度，也可以通过日本特开2007-51271号公报中具体记载的方法来求出。
Fox公式1/(273+Tg)＝Σ[Wi/(273+Tgi)]
芯片接合薄膜10可以含有填料。向芯片接合薄膜10中配混填料在调整芯片接合薄膜10的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性方面是优选的。作为填料，可列举出无机填料及有机填料。填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。另外，芯片接合薄膜10可以含有一种填料，也可以含有两种以上的填料。
作为上述的无机填料的构成材料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、及非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，也可列举出铝、金、银、铜、镍等单质金属、合金、无定形碳、石墨等。芯片接合薄膜10含有无机填料的情况下该无机填料的含量优选为10质量％以上、更优选为20质量％以上、更优选为30质量％以上。另外，该含量优选为50质量％以下、更优选为45质量％以下、更优选为40质量％以下。
作为上述的有机填料的构成材料，例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、及聚酯酰亚胺。芯片接合薄膜10含有有机填料的情况下该有机填料的含量优选为2质量％以上、更优选为5质量％以上、更优选为8质量％以上。另外，该含量优选为20质量％以下、更优选为17质量％以下、更优选为15质量％以下。
芯片接合薄膜10含有填料的情况下该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.05～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上这样的构成在芯片接合薄膜10实现对半导体晶圆等被粘物的高的润湿性、粘接性的方面是适宜的。该填料的平均粒径为10μm以下这样的构成在芯片接合薄膜10得到充分的填料添加效果并且确保耐热性的方面是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式粒度分布计(商品名“LA-910”，HORIBA,Ltd.制)来求出。
芯片接合薄膜10可以含有热固化催化剂。向芯片接合薄膜10中配混热固化催化剂在芯片接合薄膜10的固化时使树脂成分的固化反应充分进行、提高固化反应速度的方面是优选的。作为这样的热固化催化剂，例如，可列举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如，可列举出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如，可列举出三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基鏻、及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物也包括兼有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如，可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐、及三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸盐及双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。芯片接合薄膜10可以含有一种热固化催化剂，也可以含有两种以上热固化催化剂。
芯片接合薄膜10根据需要可以含有一种或两种以上的其他成分。作为该其他成分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕获剂。作为阻燃剂，例如，可列举出三氧化锑、五氧化锑、及溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如，可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、及γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕获剂，例如，可列举出水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 600”)、及硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 700”)。与金属离子间可形成络合物的化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的化合物，例如，可列举出***系化合物、四唑系化合物、及联吡啶系化合物。这些之中，从与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选***系化合物。作为这样的***系化合物，例如，可列举出1,2,3-苯并***、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并***、羧基苯并***、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并***、6-(2-苯并***基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并***、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并***、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并***、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并***-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并***、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并***、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并***、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并***-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)酚]、(2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、及甲基-3-[3-(2H-苯并***-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，氢醌化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等规定的含羟基化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的含羟基化合物，具体而言，可列举出1,2-苯二醇、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯、及邻苯三酚。
芯片接合薄膜10的厚度优选为3μm以上、更优选为7μm以上、更优选为10μm以上。另外，芯片接合薄膜10的厚度优选为150μm以下、更优选为140μm以下、更优选为135μm以下。
芯片接合薄膜10具有直径D1(mm)的圆盘形状。与此同时，芯片接合薄膜10包含与该圆盘形状为同心圆的直径D2(mm)的晶圆贴附区域10A。晶圆贴附区域10A的直径D2例如处于200～300mm的范围内。具体而言，切割芯片接合薄膜X设计为8英寸晶圆对应型的情况下，D2例如为200mm±5mm、优选为200mm±1mm、更优选为200mm±0.5mm。切割芯片接合薄膜X设计为12英寸晶圆对应型的情况下，D2例如为300mm±5mm、优选为300mm±1mm、更优选为300mm±0.5mm。
切割芯片接合薄膜X中，芯片接合薄膜10的直径D1与晶圆贴附区域10A的直径D2满足D1>D2及(D1-D2)/D2<0.1。(D1-D2)/D2的值优选为0.7以下、更优选为0.5以下。这些构成适于在切割芯片接合薄膜X中在芯片接合薄膜10周围确保未被该薄膜覆盖的充分广的切割带区域。
芯片接合薄膜10的、对宽度10mm及厚度210μm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离20mm、-15℃及拉伸速度100mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)为20％以下，优选为18％以下、更优选为15％以下。对于该断裂伸长率，可以使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)来测定。另外，芯片接合薄膜10中的断裂伸长率的调整可以通过芯片接合薄膜10中的无机填料和/或有机填料的配混量的控制、芯片接合薄膜10中的上述丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度的控制等来进行。
芯片接合薄膜10的未固化状态下的在120℃下的粘度优选为300Pa·s以上、更优选为700Pa·s以上、更优选为1000Pa·s以上。另外，芯片接合薄膜10的未固化状态下的在120℃下的粘度优选为5000Pa·s以下、更优选为4500Pa·s以下、更优选为4000Pa·s以下。
对于如上所述的芯片接合薄膜10，在温度23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中，对SUS平面显示出例如0.3～20N/10mm的180°剥离粘合力。这样的构成在确保基于切割芯片接合薄膜X和/或其芯片接合薄膜10的工件的保持方面是适宜的。
切割芯片接合薄膜X中的切割带20的基材21为在切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中作为支撑体发挥作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材，可以适当地使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳纶、氟树脂、纤维素系树脂、及有机硅树脂。作为聚烯烃，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料形成，也可以由两种以上材料形成。基材21可以具有单层结构，也可以具有多层结构。基材21上的粘合剂层22如后所述为紫外线固化型的情况下，基材21优选具有紫外线透过性。另外，基材21由塑料薄膜形成的情况下，可以为未拉伸薄膜、可以为单轴拉伸薄膜、也可以为双轴拉伸薄膜。
基材21优选具有热收缩性。另外，基材21由塑料薄膜形成的情况下，在切割带20和/或基材21实现各向同性的热收缩性的方面，基材21优选为双轴拉伸薄膜。切割带20和/或基材21在加热温度100℃及加热处理时间60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、更优选为3～20％、更优选为5～20％。关于基材21的该热收缩率是指所谓的MD方向的热收缩率及所谓的TD方向的热收缩率中的至少一者的收缩率。
基材21中的粘合剂层22侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如，可列举出电晕处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、及电离辐射线处理。作为化学处理，例如可列举出铬酸处理。
对于基材21的厚度，从确保基材21用于作为切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中的支撑体而发挥作用的强度的观点出发，优选为40μm以上、优选为50μm以上、更优选为55μm以上、更优选为60μm以上。另外，从切割带20和/或切割芯片接合薄膜X实现适度的挠性的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带20的粘合剂层22含有粘合剂。该粘合剂可以为在切割芯片接合薄膜X的使用过程中能通过来自外部的作用有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力可降低型粘合剂)，也可以为在切割芯片接合薄膜X的使用过程中粘合力几乎或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。对于作为粘合剂层22中的粘合剂使用粘合力可降低型粘合剂还是使用粘合力非降低型粘合剂，可以根据使用切割芯片接合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等切割芯片接合薄膜X的使用方式来适宜选择。
使用粘合力可降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂的情况下，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，可以分开使用粘合剂层22显示相对高的粘合力的状态和显示相对低的粘合力的状态。例如，可以在将切割芯片接合薄膜X用于后述的扩展工序时为了抑制/防止芯片接合薄膜10自粘合剂层22的浮起、剥离而利用粘合剂层22的高粘合力状态，而其后在用于从切割芯片接合薄膜X的切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片的后述的拾取工序中，为了容易地从粘合剂层22拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片，利用粘合剂层22的低粘合力状态。
作为这样的粘合力可降低型粘合剂，例如，可列举出在切割芯片接合薄膜X的使用过程中能够通过辐射线照射固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力可降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力可降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层22整体由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22的一部分由粘合力可降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以是粘合剂层22整体由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22中的规定部位(例如，作为工件的贴附对象区域的中央区域)由粘合力可降低型粘合剂形成，其他部位(例如，作为环框的贴附对象区域的、位于中央区域的外侧的区域)由粘合力非降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有多层结构的情况下，可以是形成多层结构的全部层由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以是多层结构中的一部分层由粘合力可降低型粘合剂形成。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有作为丙烯酸系粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。
上述的丙烯酸系聚合物优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。对于用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸系聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具体而言，可列举出与关于芯片接合薄膜10用的丙烯酸类树脂在上面叙述的同样的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯、也可以使用两种以上(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，优选可列举出丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸月桂酯。另外，在使粘合剂层22中适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸系聚合物的构成单体整体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
对于丙烯酸系聚合物，出于例如其内聚力、耐热性的改性的目的，可以在构成单体中包含能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体。作为这样的单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈，更具体而言，可列举出与关于芯片接合薄膜10用的丙烯酸类树脂在上面叙述的同样的共聚性单体。
对于丙烯酸系聚合物，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如，可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸系聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在使粘合剂层22适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸系聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、优选为30质量％以下。
对于丙烯酸系聚合物，可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。从使用切割带20和/或切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法中的高度的洁净性的观点出发，优选切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层22中的低分子量物质少，结果丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
对于粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂，为了提高丙烯酸系聚合物等基础聚合物的数均分子量，可以含有例如外部交联剂。作为用于与丙烯酸系聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂。粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右是适宜的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在可使形成的粘合剂层22的粘合力适当地降低的范围内决定，相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，可以使用例如日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂，例如，也可列举出含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型的辐射线固化性粘合剂。这样的内在型的辐射线固化性粘合剂在抑制所形成的粘合剂层22内的由低分子量成分的移动引起的粘合特性的不希望发生的经时变化方面是适宜的。
作为内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物为基本骨架者。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸系聚合物，可以采用上述丙烯酸系聚合物。作为向丙烯酸系聚合物导入辐射线聚合性碳-碳双键的方法，例如可以列举出如下的方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸系聚合物后，使具有能与第1官能团之间发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如，可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易性的观点出发，羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合是优选的。另外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物时技术难度高，因此从丙烯酸系聚合物的制作或获得的容易性的观点出发，丙烯酸系聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况是更优选的。该情况下，作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即含有辐射线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
粘合剂层22用的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如，可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、及1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如，可列举出甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲基硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1。作为苯偶姻醚系化合物，例如，可列举出苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、及茴香偶姻甲基醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如，可列举出1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如，可列举出二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、及3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如，可列举出噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
粘合剂层22用的上述加热发泡型粘合剂为含有通过加热而发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂。作为发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂及有机系发泡剂。作为热膨胀性微球，例如，可列举出在壳内封入通过加热而容易气化膨胀的物质而成的构成的微球。作为无机系发泡剂，例如，可列举出碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、及叠氮化物类。作为有机系发泡剂，例如，可列举出三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟代烷烃、偶氮双异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物、对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物、对甲苯磺酰氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物、5-吗啉基-1,2,3,4-噻***等***系化合物、以及N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。作为用于形成上述那样的热膨胀性微球的、通过加热容易气化膨胀的物质，例如可列举出异丁烷、丙烷、及戊烷。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热容易气化膨胀的物质封入壳形成物质内，能够制作热膨胀性微球。作为壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、通过封入物质的热膨胀的作用能够破裂的物质。作为这样的物质，例如，可列举出偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯基缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、及聚砜。
作为上述的粘合力非降低型粘合剂，例如，可列举出预先通过辐射线照射使关于粘合力可降低型粘合剂在上面叙述的辐射线固化性粘合剂固化的方式的粘合剂、压敏型粘合剂等。辐射线固化性粘合剂可以根据其含有聚合物成分的种类及含量而在进行辐射线固化从而粘合力降低的情况下也能显示出由该聚合物成分引起的粘合性，从而在规定的使用方式中发挥可用于使被粘物保持粘合的粘合力。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层22整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层22的一部分由粘合力非降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以是粘合剂层22整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是如上所述地粘合剂层22中的规定部位(例如，作为环框的贴附对象区域的、位于晶圆的贴附对象区域的外侧的区域)由粘合力非降低型粘合剂形成、其他部位(例如，作为晶圆的贴附对象区域的中央区域)由粘合力可降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有多层结构的情况下，可以是形成多层结构的全部层由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是多层结构中的一部分层由粘合力非降低型粘合剂形成。
另一方面，作为粘合剂层22用的压敏型粘合剂，例如，可以使用以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层22含有丙烯酸系粘合剂作为压敏型粘合剂的情况下，作为该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物优选包含质量比例最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的丙烯酸系聚合物，例如，可列举出关于辐射线固化性粘合剂在上面叙述的丙烯酸系聚合物。
粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂除了上述的各成分以外，还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂可以为接受辐射线照射从而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出隐色染料。
粘合剂层22的厚度优选为1～50μm、更优选为2～30μm、更优选为5～25μm。这样的构成例如在粘合剂层22包含辐射线固化性粘合剂的情况下获得该粘合剂层22在辐射线固化前后对芯片接合薄膜10的粘接力的平衡方面是适宜的。
切割带20具有与上述的芯片接合薄膜10的圆盘形状为同心圆的直径D3的圆盘形状。切割芯片接合薄膜X被设计为8英寸晶圆对应型的情况下，切割带20的直径D3例如为255～280mm，切割芯片接合薄膜X被设计为12英寸晶圆对应型的情况下，切割带20的直径D3例如为360～380mm。
切割带20的对初始卡盘间距离为100mm、在23℃及拉伸速度1000mm/分钟的条件下拉伸至卡盘间距离120mm为止的宽度10mm的切割带试验片在加热温度100℃及加热时间10秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为0.1％以上、更优选为0.2％以上、更优选为0.5％以上、更优选为0.6％以上、更优选为0.7％以上、更优选为1％以上、更优选为1.5％以上。切割带试验片的拉伸例如可以使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)。热收缩率的调整可以通过调整形成切割带20的基材21的材料中的热收缩率高的树脂的存在比例来进行。例如，对于单层结构的基材21，通过提高热收缩率高的树脂在基材构成材料中的配混比例，能够提高切割带20的热收缩率。对于多层结构的基材21，通过使基材21的多层结构中包含由热收缩率高的树脂形成的层，能够提高切割带20的热收缩率。
对于切割带20，对宽度10mm的切割带20试验片在初始卡盘间距离50mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为120％以上，优选为150％以上、更优选为200％以上、更优选为250％以上。对于该断裂伸长率，可以使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)来测定。另外，切割带20中的断裂伸长率的调整可以通过调整形成切割带20的基材21的材料中的、容易伸长的树脂的存在比例来进行。例如，对于单层结构的基材21，通过提高容易伸长的树脂在基材构成材料中的配混比例，能够提高切割带20的断裂伸长率。对于多层结构的基材21，通过使基材21的多层结构中包含由容易伸长的树脂形成的层，能够提高切割带20的断裂伸长率。
具有如上所述的构成的切割芯片接合薄膜X例如可以如下地制造。
在切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10的制作中，首先，制备芯片接合薄膜10形成用的粘接剂组合物后，在规定的隔离体上涂布该组合物而形成粘接剂组合物层。作为隔离体，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为粘接剂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对于该粘接剂组合物层，通过加热、根据需要使其干燥，另外，根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为70～160℃，加热时间例如为1～5分钟。可以如以上那样操作，在带有隔离体的形态下制作上述的芯片接合薄膜10。
对于切割芯片接合薄膜X的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以通过压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对于制膜后的薄膜和/或基材21，根据需要实施规定的表面处理。在粘合剂层22的形成中，例如，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材21上或规定的隔离体上而形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对于该粘合剂组合物层，通过加热、根据需要使其干燥，另外，根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合剂层22形成于隔离体上的情况下，将带有该隔离体的粘合剂层22贴合于基材21，其后，将隔离体剥离。由此，制作具有基材21与粘合剂层22的层叠结构的上述的切割带20。
在切割芯片接合薄膜X的制作中，接着，将芯片接合薄膜10例如压接贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为30～50℃，优选为35～45℃。贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm，优选为1～10kgf/cm。粘合剂层22包含如上所述的辐射线固化性粘合剂的情况下，可以在该贴合前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在该贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，在切割芯片接合薄膜X的制造过程中，可以不进行这样的辐射线照射(该情况下，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中可使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型粘合剂层的情况下，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)例如如图1所示为粘合剂层22中的芯片接合薄膜贴合区域内的除其边缘部以外的区域。
可以如以上那样操作，从而制作切割芯片接合薄膜X。对于切割芯片接合薄膜X，可以在芯片接合薄膜10侧以至少覆盖芯片接合薄膜10的方式设置有隔离体(省略图示)。隔离体为用于保护以使芯片接合薄膜10、粘合剂层22不会露出的要素，使用切割芯片接合薄膜X时从该薄膜剥离。
图2～图7表示使用如上所述的切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法。
在本半导体装置制造方法中，首先，如图2的(a)及图2的(b)所示，在半导体晶圆W形成改性区域30a。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所必需的布线结构等(省略图示)。本工序中，将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，从与晶圆加工用带T1相反的一侧对半导体晶圆W沿着其预分割线照射聚光点对准晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的烧蚀在半导体晶圆W内形成改性区域30a。改性区域30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30a的方法，在例如日本特开2002-192370号公报中详细进行了叙述，本实施方式中的激光照射条件例如可以在以下的条件的范围内适宜调整。
<激光照射条件>
(A)激光
Figure BDA0002303142000000271
Figure BDA0002303142000000281
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透射率 100％以下
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度 280mm/秒以下
接着，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T1上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W薄化至规定的厚度，由此，如图2的(c)所示，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A(晶圆薄化工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置。
接着，如图3的(a)所示，保持在晶圆加工用带T1上的半导体晶圆30A被贴合于切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10和/或其晶圆贴附区域10A。然后，如图3的(b)所示，将晶圆加工用带T1从半导体晶圆30A剥离。切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层22为辐射线固化性粘合剂层的情况下，可以代替切割芯片接合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射，在半导体晶圆30A向芯片接合薄膜10的贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如为粘合剂层22中的芯片接合薄膜10贴合区域内的除其边缘部以外的区域。
接着，在切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10上贴附环框41后，如图4的(a)所示，带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜X被固定于扩展装置的保持件42。
接着，如图4的(b)所示那样进行相对低温的条件下的第1扩展工序(冷却扩展工序)，将半导体晶圆30A单片化为多个半导体芯片31，并且将切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10割断化为小片的芯片接合薄膜11，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿包括半导体晶圆30A的径向及圆周方向的二维方向拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行扩展。该扩展在切割带20中产生例如15～32MPa的拉伸应力的条件下进行。冷却扩展工序中的温度条件例如为0℃以下，优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷却扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～400mm/秒。另外，冷却扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。关于冷却扩展工序中的扩展相关的这些条件，在后述的冷却扩展工序中也同样。
通过这样的冷却扩展工序，切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10被割断为小片的芯片接合薄膜11，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，本工序中，在半导体晶圆30A中在脆弱的改性区域30a形成裂纹，发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10中，在半导体晶圆30A的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成位置相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在芯片接合薄膜10中在与半导体芯片31间的裂纹形成位置相对的位置被割断。本工序之后，如图4的(c)所示，顶起构件43被降下，切割带20中的扩展状态被解除。
接着，如图5的(a)及图5的(b)所示那样进行相对高温的条件下的第2扩展工序，带有芯片接合薄膜的半导体芯片31间的距离(分隔距离)被扩大。本工序中，使扩展装置所具备的平台44上升，对切割芯片接合薄膜X的切割带20进行扩展。平台44使负压作用于平台面上的工件从而可将该工件真空吸附。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(平台44上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的分隔距离被扩大为在后述的拾取工序中能从切割带20适当地拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的程度。通过平台44的上升，切割带20被扩展后，平台44将切割带20真空吸附。然后，在维持由平台44带来的该吸附的状态下，如图5的(c)所示那样使平台44伴随工件而下降。本实施方式中，在该状态下对切割芯片接合薄膜X中的半导体晶圆30A周围(比半导体芯片31保持区域更靠外侧的部分)进行加热使其收缩(热收缩工序)。其后，解除基于平台44的真空吸附状态。通过经由热收缩工序，在切割芯片接合薄膜X中形成如下状态：规定程度的张力能作用于在上述的第1扩展工序、第2扩展工序中被拉伸并暂时松弛了的晶圆贴合区域的状态，即使在前述真空吸附状态解除后也能固定半导体芯片31的上述的分隔距离。
本半导体装置制造方法中，第1扩展工序之后，可以不经由切割芯片接合薄膜X的进一步的扩展而将切割芯片接合薄膜X中的半导体晶圆30A周围(比半导体芯片31保持区域更靠外侧的部分)加热使其收缩。通过这样的热收缩工序，切割芯片接合薄膜X中，使规定程度的张力作用于在上述的第1扩展工序中被拉伸并暂时松弛了的晶圆贴合区域，半导体芯片31间可以确保期望的分隔距离。
接着，根据需要经由使用水等清洗液对具备带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，如图6所示，从切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，对拾取对象的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件45上升，借助切割带20顶起后，利用吸附夹具46进行吸附保持。在拾取工序中，销构件45的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件45的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图7的(a)所示，借助芯片接合薄膜11将所拾取的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31暂时固着于规定的被粘物51。作为被粘物51，例如，可列举出引线框、TAB(卷带自动结合，Tape Automated Bonding)薄膜、及布线基板。
接着，如图7的(b)所示，将半导体芯片31的电极极板(pad)(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线52进行电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板、被粘物51的端子部与接合引线52的连接线可以通过伴有加热的超声波焊接而实现，以不使芯片接合薄膜11热固化的方式来进行。作为接合引线52，例如可以使用金线、铝线、或铜线。引线接合中的引线加热温度例如为80～250℃。另外，其加热时间为几秒～几分钟。
接着，如图7的(c)所示，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、接合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。本工序中，进行芯片接合薄膜11的热固化。在本工序中，例如通过使用模具进行的传递成型技术来形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，可以使用例如环氧系树脂。在本工序中，用于形成密封树脂53的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～几分钟。在本工序(密封工序)中未充分进行密封树脂53的固化的情况下，在本工序之后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。在密封工序中，即使为芯片接合薄膜11未完全热固化的情况下，也可以在后固化工序中与密封树脂53一起进行芯片接合薄膜11的完全热固化。在后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。
可以如以上那样操作来制造半导体装置。
本半导体装置制造方法中，可以代替半导体晶圆30A贴合于切割芯片接合薄膜X这样的上述的构成，将如下地操作而制作的半导体晶圆30B贴合于切割芯片接合薄膜X。
在半导体晶圆30B的制作中，首先，如图8的(a)及图8的(b)所示，在半导体晶圆W形成分割槽30b(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所必需的布线结构等(省略图示)。本工序中，将具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧后，以将半导体晶圆W保持在保持晶圆加工用带T1的状态，使用切割装置等旋转刀片在半导体晶圆W的第1面Wa侧形成规定深度的分割槽30b。分割槽30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(在附图中用粗线示意性地表示分割槽30b)。
接着，如图8的(c)所示，进行具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合、和晶圆加工用带T2自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图8的(d)所示，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T3上的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W薄化至规定的厚度(晶圆薄化工序)。通过该晶圆薄化工序，在本实施方式中，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30B。半导体晶圆30B具体而言具有在第2面Wb侧将该晶圆中会被单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30B中的连接部的厚度、即半导体晶圆30B的第2面Wb与分割槽30b的第2面Wb侧前端间的距离例如为1～30μm，优选为3～20μm。可以代替半导体晶圆30A而将如上所述地操作而制作的半导体晶圆30B贴合于切割芯片接合薄膜X，并进行参照图3～图7的上述各工序。
图9的(a)及图9的(b)具体表示在半导体晶圆30B贴合于切割芯片接合薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿包含半导体晶圆30B的径向及圆周方向的二维方向拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30B的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行扩展。通过这样的冷却扩展工序，在半导体晶圆30B中厚度薄且容易破裂的部位产生割断从而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10中，在各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在芯片接合薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽相对的位置被割断。这样得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经由参照图6的上述拾取工序后供于半导体装置制造过程中的安装工序。
在本半导体装置制造方法中，可以进行图10所示的晶圆薄化工序来代替参照图8的(d)的上述晶圆薄化工序。经由参照图8的(c)的上述工序后，在图10所示的晶圆薄化工序中，以将半导体晶圆W保持在晶圆加工用带T3上的状态，通过自第2面Wb的磨削加工将该晶圆薄化至规定的厚度，形成包含多个半导体芯片31且被保持于晶圆加工用带T3的半导体晶圆分割体30C。本工序中，可以采用将晶圆磨削至分割槽30b其自身在第2面Wb侧露出为止的方法(第1方法)，也可以采用如下方法：从第2面Wb侧起磨削晶圆至即将到达分割槽30b为止，然后利用由旋转磨石对晶圆的挤压力的作用使分割槽30b与第2面Wb之间产生裂纹，从而形成半导体晶圆分割体30C的方法(第2方法)。根据采用的方法适宜确定参照图8的(a)及图8的(b)而如上所述地形成的分割槽30b自第1面Wa起的深度。在图10中，用粗线示意性地示出经由第1方法的分割槽30b、或经由第2方法的分割槽30b及与其相连的裂纹。可以代替半导体晶圆30A、半导体晶圆30B而将这样操作而制作的半导体晶圆分割体30C贴合于切割芯片接合薄膜X，然后进行参照图3～图7的上述各工序。
图11的(a)及图11的(b)具体表示在将半导体晶圆分割体30C贴合于切割芯片接合薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿包括半导体晶圆30B的径向及圆周方向的二维方向进行拉伸的方式对贴合有半导体晶圆30B的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行扩展。通过这样的冷却扩展工序，在与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10中，在半导体晶圆30B的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽30b相对的位置处不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在芯片接合薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽30b相对的位置被割断。这样操作而得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经由参照图6的上述拾取工序后供于半导体装置制造过程中的安装工序。
例如对于如上所述的半导体装置制造过程中可使用的切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10，本发明人等发现：对宽度10mm及厚度210μm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离20mm、-15℃及拉伸速度100mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下这样的上述构成适于使处于割断用的扩展工序的芯片接合薄膜10在其预定割断位置产生割断。例如如后述的实施例及比较例所示。对芯片接合薄膜10在上述拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下这样的上述构成适合避免在割断用扩展工序中用于使该芯片接合薄膜10割断的拉伸长度变得过大、并且使该芯片接合薄膜10产生由韧性断裂等导致的断裂。从确保芯片接合薄膜10在割断用扩展工序中的良好的割断性的观点出发，对芯片接合薄膜10在上述拉伸试验中的断裂伸长率优选为18％以下、更优选为15％以下。
切割芯片接合薄膜X的切割带20如上所述，对宽度10mm的切割带试验片在初始卡盘间距离50mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为120％以上。这样的构成适于避免切割带在受到拉伸作用的扩展工序中断裂。在避免切割带在受到拉伸作用的扩展工序中断裂的方面，切割带的前述断裂伸长率优选为150％以上、更优选为200％以上、更优选为250％以上。
而且，对于成为切割芯片接合薄膜X的一个构成要素的芯片接合薄膜10，芯片接合薄膜10的直径D1与作为该芯片接合薄膜10的一部分的晶圆贴附区域的直径D2(<D1)满足(D1-D2)/D2<0.1这样的上述构成适于抑制芯片接合薄膜10在规定尺寸的切割芯片接合薄膜X的面内方向和/或径向相对于作为工件的半导体晶圆变得过大，因此，适于在芯片接合薄膜10周围确保不被该薄膜覆盖的充分广的切割带区域。包含基材21和粘合剂层22的切割带20有与芯片接合薄膜10相比由加热导致的收缩率大的倾向。因此，适于在切割芯片接合薄膜X中在芯片接合薄膜10周围确保不被该薄膜覆盖的充分广的切割带区域的上述构成适于在上述的热收缩工序中使切割芯片接合薄膜X的半导体晶圆周围充分加热收缩，因此，适于使充分的张力作用于切割芯片接合薄膜X的比该加热位置更靠内侧的晶圆贴合区域，从而在该薄膜上的半导体芯片间确保足够的切口宽度。从在热收缩工序中在切割芯片接合薄膜X上的半导体芯片间确保足够的切口宽度的观点出发，(D1-D2)/D2的值优选为0.7以下，更优选为0.5以下。
如上所述，切割芯片接合薄膜X适于在割断用的扩展工序中实现良好的割断、并且对芯片间的割断位置在其后确保足够的切口宽度。
切割芯片接合薄膜X中，切割带20如上所述对初始卡盘间距离为100mm、在23℃及拉伸速度1000mm/分钟的条件下拉伸至卡盘间距离120mm为止的宽度10mm的切割带20试验片在加热温度100℃及加热时间10秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为0.1％以上、更优选为0.2％以上、更优选为0.5％以上、更优选为0.6％以上、更优选为0.7％以上、更优选为1％以上、更优选为1.5％以上。这样的构成适于在上述的热收缩工序中使切割芯片接合薄膜X的半导体晶圆周围充分加热收缩，因此，适于使充分的张力作用于切割芯片接合薄膜X的比该加热位置更靠内侧的晶圆贴合区域，从而在该薄膜上的半导体芯片31间确保足够的切口宽度。
实施例
〔实施例1〕
〈芯片接合薄膜的制作〉
将丙烯酸类树脂A1(商品名“TeisanResin SG-P3”，重均分子量为85万，玻璃化转变温度Tg为12℃，Nagase ChemteX Corporation.制)100质量份、酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”，明和化成株式会社制)12质量份和无机填料(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为500nm，Admatechs CompanyLimited制)100质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作厚度30μm的实施例1的芯片接合薄膜(DAF)。将实施例1以及后述的各实施例及各比较例中的芯片接合薄膜的组成记载于表1(表1中，表示芯片接合薄膜的组成的各数值的单位为在该组成内的相对的“质量份”)。
〈切割带的制作〉
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯100质量份、丙烯酸2-羟基乙酯19质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.4质量份、作为聚合溶剂的甲苯80质量份的混合物在60℃在氮气气氛下进行10小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。接着，将包含含有该丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下进行60小时搅拌(加成反应)。在该反应溶液中，MOI的配混量相对于100质量份上述丙烯酸系聚合物P1为1.3质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于100质量份丙烯酸系聚合物P1为0.5质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中加入相对于100质量份丙烯酸系聚合物P2为1.3质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，东曹株式会社制)和3质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 184”，BASF公司制)并混合，得到粘合剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。接着，对该组合物层在120℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机在室温下将聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，厚度125μm，Gunze Limited制)贴合于该粘合剂层的露出面。如上所述地制作实施例1的切割带(DT)。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
将带有PET隔离体的实施例1的上述芯片接合薄膜冲裁加工成直径312mm的圆盘形。接着，从该芯片接合薄膜将PET隔离体剥离并且从上述的切割带将PET隔离体剥离后，使用辊层压机使该切割带中露出的粘合剂层与芯片接合薄膜中通过PET隔离体的剥离而露出的面贴合。在该贴合中，将贴合速度设为10mm/分钟、将温度条件设为23℃、将压力条件设为0.15MPa。接着，将这样与芯片接合薄膜贴合的切割带以切割带的中心与芯片接合薄膜的中心一致的方式冲裁加工成直径390mm的圆盘形。接着，对切割带中的粘合剂层从EVA基材侧照射紫外线。紫外线照射中，使用高压汞灯，将照射累积光量设为300mJ/cm2。如以上那样操作，制作具有包含切割带和芯片接合薄膜的层叠结构的实施例1的切割芯片接合薄膜。
〔实施例2〕
将芯片接合薄膜的直径设为315μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例2的切割芯片接合薄膜。
〔实施例3〕
将芯片接合薄膜的直径设为320μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例3的切割芯片接合薄膜。
〔实施例4〕
〈芯片接合薄膜的制作〉
将丙烯酸类树脂A2(商品名“TeisanResin SG-70L”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度Tg为-13℃，Nagase ChemteX Corporation.制)100质量份、酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”，明和化成株式会社制)210质量份、环氧树脂E1(商品名“JER1010”，三菱化学株式会社制)52质量份、环氧树脂E2(商品名“JER828”，三菱化学株式会社制)140质量份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”，四国化成工业株式会社)3质量份和无机填料(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为500nm，Admatechs Company Limited制)350质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度35质量％的粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作厚度30μm的实施例4的芯片接合薄膜。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
将带有PET隔离体的实施例4的上述芯片接合薄膜冲裁加工成直径320mm的圆盘形。使用该芯片接合薄膜来代替实施例1的芯片接合薄膜(直径312μm)，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例4的切割芯片接合薄膜。
〔实施例5〕
代替聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，Gunze Limited制)，使用另一聚烯烃制的基材S2(商品名“ODZ-IVS”，厚度80μm，大仓工业株式会社制)，除此以外，与实施例1的切割带同样地操作，制作实施例5的切割带。然后，使用实施例5的切割带代替实施例1的切割带、及将冲裁加工成圆盘形的芯片接合薄膜的直径设为320μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例5的切割芯片接合薄膜。
〔实施例6〕
〈切割带的制作〉
代替聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，Gunze Limited制)，使用另一聚烯烃制的基材S3(厚度100μm)，除此以外，与实施例1的切割带同样地操作，制作实施例6的切割带。如下地准备聚烯烃制的基材S3。首先，将作为原材料的低密度聚乙烯(商品名“SUMIKATHENE F213-P”，住友化学株式会社制)投入到挤出机(商品名“GM30-28”，螺杆直径为30mm，螺杆有效长(L/D)为28，GM ENGINEERING co.,Ltd.制)中，使用该挤出机和进料头方式的T模，进行基于T模熔融共挤出法的制膜而得到薄膜(挤出温度设为240℃)。接着，对所得薄膜的单面进行压花处理(表面粗糙度Ra为1.42μm)，得到对单面实施了压花处理的厚度100μm的薄膜。接着，对与该薄膜的压花处理面处于相反侧的面实施电晕处理。如上所述地来准备实施例6的切割带用的基材S3。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
使用实施例6的切割带代替实施例1的切割带、及将冲裁加工成圆盘形的芯片接合薄膜的直径设为320μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例6的切割芯片接合薄膜。
〔实施例7〕
代替聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，Gunze Limited制)，使用另一聚烯烃制的基材S4(商品名“DDZ#150”，厚度150μm，GunzeLimited制)，除此以外，与实施例1的切割带同样地操作，制作实施例7的切割带。然后，使用实施例7的切割带代替实施例1的切割带、及将冲裁加工成圆盘形的芯片接合薄膜的直径设为320μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作实施例7的切割芯片接合薄膜。
〔比较例1〕
将芯片接合薄膜的直径设为330μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。
〔比较例2〕
〈芯片接合薄膜的制作〉
将丙烯酸类树脂A1(商品名“TeisanResin SG-P3”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度Tg为12℃，Nagase ChemteX Corporation.制)100质量份、酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”，明和化成株式会社制)6质量份和无机填料(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为500nm，Admatechs Company Limited制)50质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作厚度30μm的比较例2的芯片接合薄膜。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
将带有PET隔离体的比较例2的上述芯片接合薄膜冲裁加工成直径320mm的圆盘形。使用该芯片接合薄膜来代替实施例1的芯片接合薄膜(直径312μm)，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作比较例2的切割芯片接合薄膜。
〔比较例3〕
代替聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，Gunze Limited制)，使用另一聚烯烃制的基材S5(商品名“NSO”，厚度100μm，大仓工业株式会社制)，除此以外，与实施例1的切割带同样地操作，制作比较例3的切割带。然后，使用比较例3的切割带代替实施例1的切割带，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作比较例3的切割芯片接合薄膜。
〔比较例4〕
代替聚烯烃制的基材S1(商品名“FUNCRARE NED#125”，Gunze Limited制)，使用另一聚烯烃制的基材S5(商品名“NSO”，厚度100μm，大仓工业株式会社制)，除此以外，与实施例1的切割带同样地操作，制作比较例4的切割带。然后，使用比较例4的切割带代替实施例1的切割带、及将冲裁加工成圆盘形的芯片接合薄膜的直径设为320μm来代替312μm，除此以外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作比较例4的切割芯片接合薄膜。
〈芯片接合薄膜(DAF)的断裂伸长率〉
对实施例1～7及比较例1～4中的各芯片接合薄膜，通过使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)进行的拉伸试验，对未固化状态下在-15℃下的断裂伸长率进行研究。供于拉伸试验的芯片接合薄膜试验片在各实施例及比较例中如下来准备：将多个芯片接合薄膜层叠成厚度210μm而形成层叠体后，从该层叠体中以长度60mm×宽度10mm的尺寸切出，得到试验片。另外，在该拉伸试验中，初始卡盘间距离为20mm，温度条件为-15℃，拉伸前的试验片在-15℃下的静置时间为2分钟，拉伸速度为100mm/分钟。将所测定的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)的值(％)记载于表1。
〈切割带(DT)的断裂伸长率〉
对实施例1～7及比较例1～4中的各切割带，通过使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)进行的拉伸试验，对-15℃下的断裂伸长率进行研究。作为供于拉伸试验的切割带试验片，在各实施例及比较例中准备2种试验片(第1试验片、第2试验片)。第1试验片为从切割带中以其MD方向的长度90mm×宽度10mm的尺寸切出者。第2试验片为从切割带中以其TD方向的长度90mm×宽度10mm的尺寸切出者。另外，在该拉伸试验中，初始卡盘间距离为50mm，温度条件为-15℃，拉伸前的试验片在-15℃下的静置时间为2分钟，拉伸速度为300mm/分钟。将所测定的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)的值(％)记载于表1。表1中记载的值为第1试验片的断裂伸长率与第2试验片的断裂伸长率的平均值。
〈切割带(DT)的热收缩率〉
对实施例1～7及比较例1～4中的各切割带，对其MD方向的热收缩率、TD方向的热收缩率、及它们的平均热收缩率进行研究。具体而言如下。
各实施例及比较例中准备2种试验片(第3试验片、第4试验片)。第3试验片为从切割带中以其MD方向的长度140mm×宽度10mm的尺寸切出者。第4试验片为从切割带中以其TD方向的长度140mm×宽度10mm的尺寸切出者。对切出的各试验片在其长度方向赋予分开的一对标记线。各标记线沿试验片的宽度方向延伸、并且标记线间的距离为100mm。然后，使用拉伸试验机(商品名“Autograph AG-X”，株式会社岛津制作所制)对试验片进行拉伸。在该拉伸操作中，初始卡盘间距离为100mm(以卡盘间隔与标记线间隔一致的方式使试验片保持于卡盘)，在23℃及拉伸速度为1000mm/分钟的条件下拉伸试验片至卡盘间距离120mm为止，在拉伸后将试验片静置60秒钟。对该拉伸操作后的试验片，从拉伸试验机中取下并测定标记线间距离L1，然后实施加热处理。加热处理中，加热温度为100℃，加热时间为10秒钟。该加热处理之后，测定试验片中的标记线间距离L2。将对试验片算出的热收缩率(收缩部分的长度(L1-L2)相对于收缩前的长度L1的比例)的值(％)、以及由各实施例及比较例的MD方向热收缩率和TD方向热收缩率算出的平均热收缩率(％)记载于表1。
〈从扩展工序到拾取工序的评价〉
使用实施例1～7及比较例1～4的上述各切割芯片接合薄膜，进行如下的贴合工序、割断工序(割断用的冷却扩展工序)、分离工序(扩展工序+热收缩工序)、及拾取工序。
在贴合工序中，使保持于晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)的半导体晶圆贴合于切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜，其后从半导体晶圆将晶圆加工用带剥离。在贴合中，使用层压机，将贴合速度设为10mm/秒，温度条件设为50～80℃，将压力条件设为0.15MPa。另外，半导体晶圆是如下形成而准备的。
首先，将晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)贴合于裸晶圆(直径12英寸，厚度780μm，东京化工株式会社制)的作为改性区域形成预定面的第1面侧。接着，使用隐形切割装置(商品名“DAL7360(SDE05)”，功率：0.25W，频率：80kHz，DISCOCorporation制)，对该裸晶圆从与第1面相反的背面(第2面)侧沿晶圆内的预分割线照射聚光点对准晶圆内的第1面侧的激光，利用由多光子吸收引起的烧蚀在晶圆内的第1面侧形成单片化用的改性区域(形成距离晶圆的第1面的深度为50μm、一个分区10mm×10mm的格子状)。然后，使用背面磨削装置(商品名“DGP8760”，DISCO Corporation制)，通过从晶圆的第2面(未形成改性区域的面)侧起的磨削，将该晶圆薄化至厚度30μm。如以上那样操作，形成半导体晶圆(处于被保持于晶圆加工用带的状态)。该半导体晶圆中包含要单片化为多个半导体芯片(10mm×10mm)的分区。
割断工序使用模具分隔装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCOCorporation制)，以作为其第1扩展单元的冷却扩展单元进行。具体而言，首先，在带有半导体晶圆的上述切割芯片接合薄膜中的切割带粘合剂层，在室温下贴附直径12英寸的SUS制环框(DISCO Corporation制)。接着，将该切割芯片接合薄膜安装于装置内，利用该装置的第1扩展单元，将带有半导体晶圆的切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该割断工序中，温度为-15℃，扩展速度为200mm/秒，扩展量为11mm。
在割断工序之后观察芯片接合薄膜，计数预定割断的边(即，与半导体晶圆的改性区域相对并随着该半导体晶圆的割断而被割断时产生边的位置)中未被割断的边的数量。然后，根据预定割断的边的总数和未割断的边的数量，算出割断的边的数量在预定割断的边的总数中所占的比例作为割断率(％)。将其结果记载于表1。另外，实施例1～7及比较例1～3的切割芯片接合薄膜的切割带在割断工序中未产生断裂位置，而比较例4的切割芯片接合薄膜的切割带在割断工序中产生断裂位置。关于该结果也记载于表1。
分隔工序使用模具分隔装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCOCorporation制)，利用其第2扩展单元进行。本工序中，首先，对经由上述割断工序的带有半导体晶圆的切割芯片接合薄膜的切割带，利用同一装置的第2扩展单元，通过可真空吸附工件的平台的上升而顶起并扩展。该扩展中，温度为23℃，扩展速度为1mm/秒，扩展量为9mm。本工序中，接着，利用平台将通过平台的上升而扩展的切割带真空吸附，在维持由平台带来的该吸附的状态下使平台与工件一起下降。然后，对切割芯片接合薄膜中的比工件贴附区域更靠外侧的边缘部实施加热收缩处理(热收缩)。该处理中，加热用的热风的温度为250℃，其风量为40L/分钟，加热距离(从热风吹出口到加热对象物的距离)为20mm，用于保持带有半导体晶圆的切割芯片接合薄膜的平台(stage)的旋转速度为3°/秒。
分隔工序之后，使用激光显微镜(商品名“H300”，Lasertec Corporation制)，测定在晶圆中央位置被单片化而产生的半导体芯片与在其四边相邻的四个半导体芯片间的距离。将该距离的平均值作为切口宽度(μm)而记载于表1。
拾取工序中，使用具有拾取机构的装置(商品名“Die Bonder SPA-300”，株式会社新川制)，尝试进行在切割带上被单片化的带有芯片接合薄膜的半导体芯片的拾取。该拾取中，拾取高度为350μm，拾取评价数为50。关于该拾取工序，将能将50个带有芯片接合薄膜的半导体芯片全部从切割带拾取的情况评价为优(◎)，将拾取成功率为90％以上并且不足100％的情况评价为良(○)，将拾取成功率不足90％的情况评价为不良(×)。将其评价结果记载于表1(对于如上所述在割断工序中产生了断裂位置的比较例4的切割芯片接合薄膜，不能进行拾取评价)。
[评价]
利用实施例1～7的芯片接合薄膜，能够在扩展工序中实现良好的割断、并且对于芯片间的割断位置确保足够的切口宽度。
[表1]
Figure BDA0002303142000000461

Claims (3)

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
芯片接合薄膜，其以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，
所述切割带的、对宽度10mm的切割带试验片在初始卡盘间距离50mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为120％以上，
所述芯片接合薄膜的、对宽度10mm及厚度210μm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离20mm、-15℃及拉伸速度100mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下，
所述芯片接合薄膜具有直径D1的圆盘形状、并包含与该圆盘形状同心圆的直径D2的晶圆粘贴区域，并且D1及D2满足D1>D2及(D1-D2)/D2<0.1。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述晶圆粘贴区域的直径D2为200～300mm。
3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带的对初始卡盘间距离为100mm、在23℃及拉伸速度1000mm/分钟的条件下拉伸至卡盘间距离120mm为止的宽度10mm的切割带试验片在加热温度100℃及加热时间10秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率为0.1％以上。
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