CN111587411B - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明的电子设备具备：显示区域及边框区域，在从观察方向观察的俯视时，上述边框区域位于上述显示区域的周围；第1基板，具备第1面和第2面；第2基板，具备第3面和第4面；第3基板，具备第5面和第6面；以及控制部，控制触摸传感功能，显示功能，通信功能及非接触充电功能。在从上述观察方向观察时，上述第1基板，上述第2基板及上述第3基板依次层叠。上述第1基板在上述第2面具备触摸传感功能层，该触摸传感功能层使可见光区的光透射，包含静电电容方式的触摸传感布线单元及第1天线单元。在上述第2面与上述第3面之间设置有显示功能层。上述第2基板在上述第3面具备对上述显示功能层进行驱动的薄膜晶体管阵列及第3天线单元。上述第3基板在上述第5面具备至少进行上述电子设备的外部与内部之间的通信功能、以及上述电子设备从外部的非接触充电功能的环形天线、第2天线单元、以及第4天线单。上述第1天线单元及上述第2天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠。上述第3天线单元及上述第4天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠。

Description

电子设备

技术领域

本发明涉及具备显示部并且能够进行触摸传感及非接触充电的电子设备。

背景技术

具备静电电容方式的触摸传感功能的智能手机或平板终端等、能够利用手指或指示器直接向显示画面进行输入的显示装置越来越普遍化。作为触摸传感功能，已知有在液晶或有机EL(有机电致发光)等显示器表面粘贴触摸面板的外设方式、以及使液晶或有机EL的显示装置的内侧具有触摸传感功能的内置方式。近年来，不断从外设方式向内置方式转变。

在触摸传感的方式中，已知有自电容类型的触摸传感方式和互电容类型的触摸传感方式。自电容类型的触摸传感方式是使用电气独立地形成有由ITO等形成的透明导电电极等的各个电极图案，来检测与各个电极有关的静电电容的方式。互电容类型的触摸传感方式是在X方向及Y方向上排列触摸传感布线(以下简称为触摸布线)，检测X方向布线与Y方向布线之间的静电电容的方式。

内置方式不同于外设于显示装置的触摸面板，具有在与液晶层等显示功能层靠近的位置形成有触摸布线的构造。内置方式由于不需要触摸面板那样的构件，因此能够提供薄且轻型的显示装置、电子设备。在内置方式中，由于触摸布线设置于与液晶层等显示功能层接近的位置，因此，容易在构成用于驱动显示功能层的薄膜晶体管的栅极布线或源极布线等布线与触摸布线之间产生寄生电容。因而，存在导致触摸传感(以下称作触摸)的S/N比降低的趋势。为了减小寄生电容，优选确保形成有触摸布线的面与形成有栅极线及源极线的面之间的空间距离。专利文献1公开了确保了这样的空间距离的构成。此外，如专利文献2的图12、图13所示那样，具备触摸传感功能的显示基板22与具备薄膜晶体管的阵列基板23被液晶层24在空间上分隔。专利文献2公开了使用将铜作为主材而构成的合金层来形成作为触摸布线的金属层图案的技术。

在专利文献1所公开的构成中，具有设置于显示基板22的多个金属层图案(相当于第1触摸传感布线)的端子部61、以及具有设置于显示基板22的多个透明电极图案(相当于第2触摸传感布线)的端子部与阵列基板的位于液晶密封部的连接端子导通。然而，为了扩大有效显示区域，阵列基板的形成液晶密封部的边框区域的宽度变窄(窄边框化)，极难经由液晶密封部使金属层图案及透明电极图案的端子部的全部完全导通转移。

在使用金属球或金串珠等导电粒子使上述端子部与阵列基板的液晶密封部的连接端子导通的情况下，很难使超过数百或者数千根数的微细端子部在厚度方向上均匀地与经由液晶密封部对置的基板(阵列基板)的连接端子导通。仅显示装置的端子部所存在的边，使基板延长，使用FPC等可挠性电路基板能够获得导通，但是在这样的导通构造中，很难使边框部的宽度形成得窄。近年来，作为在显示装置的有效显示区域的周围设置的遮光性的边框区域的宽度，被要求5mm以下的窄的宽度。所谓窄边框化或者窄边框构造是指，通过使边框区域的宽度窄而扩大有效显示区域的显示装置。

除了用手指进行的触摸输入之外，为了能够实现用笔进行的触摸输入、或者指纹认证，例如需要提高在X方向及Y方向上分别延线的多个触摸布线的布线密度的构造。该情况下，就需要与高精细的液晶显示装置同程度、例如2400像素×1200像素这样的像素数。此外，为了实现能够如上述那样用笔进行触摸输入的触摸屏幕，需要提高在X方向及Y方向上分别延线的多个触摸布线的布线密度的构造。而且，还需要能够应用于上述的窄边框构造的构造。另外，关于便携式的显示装置、电子设备的情况下的充电方法，专利文献1完全未公开。

在便携式的显示装置或电子设备中，从100V的外部电源进行充电很烦琐，因此，非接触充电越来越受到期待。此外，在智能手机或平板终端等绝大多数的便携式设备中，用手指等指示器进行的触摸传感功能与通信功能一起变得越来越不可缺少。

在专利文献2中公开了在透明的触摸传感器的外侧周缘部位具备平面天线的构成。在专利文献2的[0006]段落中记载了通过将天线和触摸传感器设为一体而有助于显示器的壳体内部的空间节省这一内容。

专利文献3如[0017]段落所记载的那样，公开了埋入在陶瓷层中的电子部件110，而且，如[0020]段落所记载的那样，还记载了电子部件110也可以包含1个或者多个天线。专利文献3中关于天线形状的记载并不充分。

在专利文献4中公开了包括发光面板、二次电池、具有天线的电路及密封体的构成。在专利文献4的权利要求2中，示出了天线的一部分位于发光面板与二次电池之间。在专利文献4的[0043]段落中，记载了通过无线(非接触)来对二次电池进行充电。

专利文献5公开了包括螺旋状的第1天线和涡旋形状的第2天线的构成，还公开了通过使用环状的第1磁性体片材和平面状的第2磁性体片材来防止多个天线彼此的干扰的技术。

专利文献6例如图2等所示那样，公开了有机EL被使用于发光层的、一般的显示装置的构成。在使用有机EL或LED(Light Emitting Diode)等发光元件(发光层)的情况下，作为像素电极(在专利文献6中称作光反射层)，使用铝或银等可见光的反射率高的电极材料。即使将具有这种构成的显示装置的电源关断(电源接通的情况下也是)，室内光等外光仍被像素电极反射，导致视觉辨认性降低。为了防止这样的外光反射，圆偏光板(专利文献6中称作反射防止体)被贴附于显示装置表面。圆偏光板中，作为基材而使用树脂。因而，出于防止因触摸传感输入时用笔或手指等指示器接触引起的划伤的目的，通常，在显示装置的最表面配设罩玻璃等保护基板。被要求高强度的罩玻璃的密度高，为2.4g/cm³前后。例如，具有1mm至0.7mm程度的厚度的罩玻璃的重量在画面尺寸为6英寸程度的显示装置中为20g前后。因而，上述的具备罩玻璃的显示装置的重量增加，厚度也增加。

在专利文献7中公开了在导电性壳体的显示装置的外侧表面具备平面天线(aplanar antenna)的电子设备。

专利文献1至专利文献7的哪个都未公开以下详述的通过在多个天线单元中分别独立地进行的信号的收发、以及独立地进行的电力供给来实现触摸传感功能及显示功能的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特许第6020571号

专利文献2：日本国实用新型第3171994号

专利文献3：日本国特表2016－540257号

专利文献4：日本国特开2016－110075号

专利文献5：国际公开第2013/011709号小册子

专利文献6：日本国特开2009－20140号

专利文献7：美国专利7973722

发明内容

发明要解决的问题

本发明鉴于上述的课题，提供具备能够实现用手指进行的触摸输入及用笔进行的触摸输入、或者指纹认证的显示部的电子设备。进而，提供一种电子设备，包括：具备触摸传感布线单元的基板；具备驱动发光二极管元件或者液晶层等多个显示功能层的有源元件的基板；以及天线，能够非接触地实施信号的收发及电力供给，并具有薄、轻且小的边框区域。

用于解决问题的手段

本发明的第1方式所涉及的电子设备具备：显示区域及边框区域，在从观察方向观察的俯视时，上述边框区域位于上述显示区域的周围；第1基板，具备第1面和第2面；第2基板，具备第3面和第4面；第3基板，具备第5面和第6面；以及控制部，控制触摸传感功能、显示功能、通信功能及非接触充电功能；在从上述观察方向观察时，上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板依次层叠，上述第1基板在上述第2面具备触摸传感功能层，该触摸传感功能层使可见光区的光透射，包含静电电容方式的触摸传感布线单元及第1天线单元，在上述第2面与上述第3面之间设置有显示功能层，上述第2基板在上述第3面具备对上述显示功能层进行驱动的薄膜晶体管阵列及第3天线单元，上述第3基板在上述第5面具备至少进行上述电子设备的外部与内部之间的通信功能和上述电子设备从外部的非接触充电功能的环形天线、第2天线单元及第4天线单元，上述第1天线单元与上述第2天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠，上述第3天线单元与上述第4天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述显示功能层由多个发光二极管元件构成。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述显示功能层由多个有机EL元件构成。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述触摸传感布线单元具有：多个第1导电布线，沿第1方向平行延伸；绝缘层；以及多个第2导电布线，经由上述绝缘层而层叠于上述第1导电布线，并且沿与上述第1方向正交的第2方向平行地延伸。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，具备：光吸收层，在从上述观察方向观察时，设置于上述第1导电布线上及上述第2导电布线上。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第1导电布线及上述第2导电布线具有至少包含铜层或者铜合金层的2层以上的多层构成。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第1导电布线及上述第2导电布线具备：至少铜层或者铜合金层；以及光吸收层，在从上述观察方向观察时，设置于上述第1导电布线及上述第2导电布线各自的表侧及里侧。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第1天线单元、上述第2天线单元、上述第3天线单元及上述第4天线单元各自的尺寸比上述环形天线的尺寸小，在从上述观察方向观察的俯视时，上述第1天线单元、上述第2天线单元、上述第3天线单元及上述第4天线单元配设于不与上述环形天线重叠的位置。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第1天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第1环形天线，上述第2天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第2环形天线，上述2个第1环形天线中的一方、以及上述2个第2环形天线中的一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行与触摸传感有关的信号的收发，上述2个第1环形天线中的另一方、以及上述2个第2环形天线中的另一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行触摸传感所需的电力的供给及接受。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第3天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第3环形天线，上述第4天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第4环形天线，上述2个第3环形天线中的一方、以及上述2个第4环形天线中的一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行与显示功能层的驱动有关的信号的收发，上述2个第3环形天线中的另一方、以及上述2个第4环形天线中的另一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行显示功能层的驱动所需的电力的供给及接受。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，上述第1天线单元及上述第2天线单元分别在俯视时被导电图案局部地包围，上述第3天线单元及上述第4天线单元分别在俯视时被导电图案局部地包围。

本发明的第1方式所涉及的电子设备中，也可以是，构成上述薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管至少具有由氧化物半导体构成的沟道层。

本发明的第2方式所涉及的电子设备具备以下的构成。

[1]一种电子设备，其中，具备：

显示区域及边框区域，在从观察方向观察的俯视时，上述边框区域位于上述显示区域的周围；

第1基板，具备第1面和第2面；

第2基板，具备第3面和第4面；

第3基板，具备第5面和第6面；以及

控制部，控制触摸传感功能、显示功能、通信功能及非接触充电功能；

在从上述观察方向观察时，上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板依次层叠，

上述第1基板在上述第2面具备触摸传感功能层，该触摸传感功能层使可见光区的光透射，包含静电电容方式的触摸传感布线单元及第1天线单元，

上述第1基板的厚度及上述第3基板的厚度分别比上述第2基板的厚度大，

在上述第2面与上述第3面之间设置有显示功能层，

上述第2基板在上述第3面具备对上述显示功能层进行驱动的薄膜晶体管阵列及第3天线单元，

上述第3基板在上述第5面具备至少进行上述电子设备的外部与内部之间的通信功能、以及上述电子设备从外部的非接触充电功能的环形天线、第2天线单元及第4天线单元，

上述第1天线单元与上述第2天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠，

上述第3天线单元与上述第4天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠，

上述第2基板在上述第4面具备导电性屏蔽层。

[2]根据[1]记载的电子设备，

上述导电性屏蔽层至少包含光吸收层和金属层。

[3]根据[1]记载的电子设备，

上述导电性屏蔽层包含热传导率为100W/(m·K)以上的热传导层。

[4]根据[1]记载的电子设备，

上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板各自的热传导率为1W/(m·K)以上。

[5]根据[1]记载的电子设备，

构成上述第1基板及上述第3基板的基板的莫氏硬度处于6～10的范围。

发明效果

根据本发明的方式，能够从设置有具备多根导电布线(第1导电布线和第2导电布线)的触摸传感布线单元的第1基板对第3基板，经由天线单元，非接触地进行信号(触摸传感信号和电力信号)的收发。此外，能够从设置有具备薄膜晶体管阵列的第2基板对第3基板，经由天线单元，非接触地进行信号(薄膜晶体管中驱动显示功能层的信号和电力信号)的收发。除此之外，能够使用第3基板中配设的环形天线，非接触地进行电子设备的外部与内部之间的通信、以及电子设备与外部电源之间的电力的供给及接受。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的构成的框图，是表示电子设备中使用的第1基板、第2基板及第3基板的位置关系、以及构成电子设备的触摸传感部、显示部及***控制部等的图。

图2是对本发明的第1实施方式所涉及的电子设备所具备的第1基板从观察方向观察的俯视图。

图3是表示构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第1基板的第2面上形成的第3薄膜晶体管的构造的截面图。

图4是表示构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第1基板的第2面上形成的触摸传感布线单元的局部截面图。

图5是对本发明的第1实施方式所涉及的电子设备所具备的第2基板从观察方向观察的俯视图。

图6是表示构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第2基板的第4面上形成的导电性屏蔽层的局部截面图。

图7是对本发明的第1实施方式所涉及的电子设备所具备的第3基板从观察方向观察的俯视图。

图8是局部地表示本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的图，是沿着图7的A－A’线的截面图。

图9是局部地表示本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的截面图，是表示图8的附图标记B所示的区域的放大图。

图10是局部地表示本发明的第1实施方式所涉及的电子设备所具备的第2基板的放大图，是局部地表示第2薄膜晶体管的截面图。

图11是表示在本发明的第1实施方式所涉及的电子设备中搭载的发光二极管元件(LED)的截面图，是图10的附图标记C所示的区域的放大图。

图12是对构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第1基板的第2面上形成的第1天线单元进行放大表示的局部俯视图。

图13是对构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第1基板的第2面上形成的第1天线单元进行放大表示的图，是表示沿着图12的C－C’线的第1天线单元的截面图。

图14是表示构成本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的第1基板的第2面上形成的第1天线单元与第2基板的第3面上形成的第2天线单元的重叠的立体图。

图15是用于说明在将环形天线的周围用导体进行了包围的情况下产生涡电流的说明图。

图16是用于说明构成二次电池外壳的金属层对磁束环形的影响的说明图，是示意地表示无用辐射波引起的磁束环形的变形的图。

图17是用于说明在金属层与环形天线之间加上了磁性体层的情况下的磁束环形形状的图。

图18是表示具备对应用于本发明的第1实施方式所涉及的电子设备的发光二极管元件进行驱动的薄膜晶体管的代表性电路图。

图19是表示本发明的第2实施方式所涉及的电子设备的截面图，是表示作为显示功能层而采用了有机EL层的构造的图。

图20是表示本发明的第2实施方式所涉及的电子设备所具备的第3基板的俯视图。

图21是局部地表示本发明的第2实施方式所涉及的电子设备的截面图，是表示图19的附图标记D所示的区域的放大图。

图22是局部地表示本发明的第2实施方式所涉及的电子设备所具备的第2基板的放大图，是局部地表示第2薄膜晶体管的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

在以下的说明中，对于相同或者实质相同的功能及构成要素，赋予相同的附图标记，省略或简化其说明，或者仅在必要时进行说明。在各图中，为了将各构成要素在附图上表示成能够辨识的程度的大小，而使各构成要素的尺寸及比率与实际情况适当地不同。根据需要，省略了难于图示的要素，例如半导体的形成沟道层的多个层的构成、以及形成导电层的多个层的构成等的图示或其一部分图示。此外，为了通俗易懂地说明本发明的实施方式，有时简化电气的电路要素、显示功能层等的图示。

在以下所描述的各实施方式中，对特征性部分进行说明，例如对于通常的电子设备中使用的构成要素与本实施方式所涉及的电子设备之间无差异的部分，有时省略说明。

所谓本发明的实施方式所涉及的电子设备，包括：智能手机、平板终端、笔记本PC等通信终端；智能手表或智能眼镜等可穿戴终端；摄像机；游戏机；具有显示器部的IC卡或存储卡等具有通信功能的信息介质。还包括：TV或广告媒体等、具备显示部等的显示功能并且具备静电电容方式的输入功能的电子设备。在这样的电子设备中，从便携、操作简便性的观点出发，优选搭载有非接触充电功能。

在以下的记载中，将与触摸传感有关的布线、电极及信号，有时仅称作触摸传感布线、触摸驱动布线、触摸检测布线、触摸布线、触摸电极及触摸信号。将为了进行触摸传感驱动而向触摸传感布线施加的电压称作触摸驱动电压。触摸传感布线单元由多个平行的第1导电布线(第1触摸布线)和隔着绝缘层而多个平行的第2导电布线(第2触摸布线)构成。第1导电布线、第2导电布线在以下的记载中，有时仅称作导电布线或触摸布线。例如，有时将与触摸传感有关的驱动控制部简称为触摸驱动控制部等。第1导电布线与第2导电布线在俯视时正交。

另外，以下的说明中，“俯视”是指“从观察者侧观察电子设备的观察方向上的俯视”。或者，将从观察者方向(观察者P观察电子设备的方向)观察的图，有时仅称作俯视图。

第1基板、第2基板、第1布线、第2布线、第3布线等，或者第1导电性金属氧化物层及第2导电性金属氧化物层等中使用的“第1”、“第2”等序数词是为了避免构成要素的混淆而赋予的，并不限定数量。此外，第1导电性金属氧化物层及第2导电性金属氧化物层在以下的说明中，有时仅简称作导电性金属氧化物层。

对本发明的实施方式所涉及的电子设备所具备的、第1天线单元、第2天线单元、第3天线单元及第4天线单元进行通称，简称作天线单元。

作为本发明的实施方式所涉及的电子设备所具备的显示功能层，能够使用被称作LED(Light Emitting Diode)的多个发光二极管元件、被称作OLED的多个有机EL(有机电致发光)元件、或者液晶层。

有机EL元件是在一对电极间施加了电场时通过从阳极(例如，上部电极)注入的空穴与从阴极(例如，下部电极、像素电极)注入的电子的再结合而激励，以像素单位进行发光的、使用了有机材料的显示功能层。有机EL的情况下的显示功能层含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且，优选含有具有电子输送性的材料。发光层是在阳极与阴极之间形成的层，在下部电极(正极)之上形成有空穴注入层的情况下，在空穴注入层与上部电极(负极)之间形成有发光层。此外，在阳极之上形成有空穴输送层的情况下，在空穴输送层与阴极之间形成有发光层。上部电极与下部电极的作用能够交换。

LED具有与有机EL元件同样的电极构造，此外，LED(显示功能层、发光层)的驱动与有机EL元件同样地进行。LED使用铟氮化镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、铝氮化镓(AlGaN)、砷化铝镓(AlGaAs)、砷化镓磷(GaAsP)、磷化镓(GaP)等、化合物半导体的单层或层叠构成。如后述那样，作为上述化合物半导体的构造，多数情况下使用n型半导体层/发光层/p型半导体层层叠的构成。在LED的电极构造中，已知有在上述层叠构成的单侧的面上排列地配置正极和负极的构造，换言之，已知有这些电极在水平方向上排列地配置的水平型发光二极管。或者，已知有上部电极/n型半导体层/发光层/p型半导体层/下部电极在与厚度垂直的方向上层叠的垂直型发光二极管。如以上那样，LED的发光层由无机材料构成。

基板不必须限定为透明的基板，例如，作为能够应用于第1基板、第2基板及第3基板的基板，能够列举出玻璃基板、石英(包含人工石英)基板、蓝宝石基板、陶瓷基板等。第2基板、第3基板既可以透明，也可以是不透明的基板、着色的基板。还能够使用聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯等树脂基板。

然而，作为省略了重量大的罩玻璃的电子设备的显示面的硬度，需要对使用前端由金属形成的笔进行的笔输入进行了考虑的基板的硬度。一般而言，基板需要铁笔程度的硬度、例如莫氏硬度5.5以上的硬度。对于莫氏硬度，由于将金刚石的硬度作为10，因此，作为基板的硬度，需要6～10的莫氏硬度。

罩玻璃的一般的厚度处于1mm至0.5mm的范围。因此，通过将本发明的实施方式所涉及的电子设备的第1基板的厚度设为1mm至0.5mm的范围，从而能够对第1基板赋予与罩玻璃相当的强度。通过将本发明的实施方式所涉及的电子设备的第3基板的厚度与第1基板同样地设为1mm至0.5mm的范围，从而即使在省掉了罩玻璃的构成中，也能够对电子设备赋予可移动设备所要求的强度。通过将第1基板及第3基板的厚度设为相同，并且，将第1基板及第3基板的材料设为相同，从而，容易确保电子设备被要求的强度。第2基板的厚度从轻型化的观点出发，可以比第1基板和第3基板的厚度薄。第2基板的厚度例如能够设为0.4mm至0.1mm的厚度。

在考虑了高精细显示下的校准的情况下，第1基板、第2基板及第3基板的线膨胀系数例如优选为处于10×10^－6/℃至5×10^－6/℃的范围内。通过将莫氏硬度处于6～10的范围内且厚度处于1mm至0.5mm的范围内的基板使用于第1基板和第3基板，从而例如能够省掉罩玻璃而提供轻便的电子设备。另外，第1基板和第3基板也能够设为比1mm厚。

在考虑将需要热扩散的LED或有机EL等发光元件应用在电子设备中的情况下，为了避免蓄热，电子设备中使用的基板的热传导率κ(W/m·K)优选比1大。通常的玻璃基板的热传导率为0.5～0.8W/m·K前后，优选具有比该热传导率还良好的热传导率的强化玻璃、石英基板、蓝宝石玻璃等作为本发明的实施方式所涉及的电子设备中使用的基板。强化玻璃的硬度为大致6～7的莫氏硬度，石英基板的硬度为莫氏硬度7，蓝宝石玻璃的硬度为莫氏硬度9。

在本发明的实施方式所涉及的电子设备中使用的基板上形成的布线，例如包括第1导电布线、第2导电布线、驱动薄膜晶体管的源极布线、栅极布线、电源线或天线在内的布线，优选使用包括热传导性良好的铜布线或者铜合金布线的布线。在形成LED或有机EL等发光元件(发光二极管元件)的第2基板的第4面中，优选将热传导性良好的金属层或者热传导性良好的光吸收层包含在导电性屏蔽层的构成中。

(第1实施方式)

(电子设备的功能构成)

以下，对本发明的第1实施方式所涉及的电子设备E1，参照图1至图18进行说明。在第1实施方式所涉及的电子设备E1中，作为显示功能层，使用被称作微型LED的多个发光二极管元件。例如，在薄膜晶体管阵列上，将多个的红色发光二极管元件、绿色发光二极管元件及蓝色发光二极管元件排列成矩阵状而形成显示部。

图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的电子设备E1的框图。如图1所示那样，本实施方式所涉及的电子设备E1具备触摸传感部10、显示部40及***控制部30(控制部)。

(触摸传感部)

触摸传感部10(触摸传感功能层)具备第1天线单元110、触摸功能驱动部4及触摸传感布线单元5。第1天线单元110及触摸传感布线单元5与触摸功能驱动部4电连接。在触摸传感部10中，触摸功能驱动部4使用触摸传感布线单元5来控制触摸传感功能(例如，静电电容方式的触摸传感功能)。

第1天线单元110、触摸功能驱动部4及触摸传感布线单元5配设于后述的第1基板1的第2面42。第1天线单元110在从观察者侧观察的俯视时，与后述的设置于第3基板3的第2天线单元120重叠。

(显示部)

显示部40配设在第1基板1的第2面42与后述的第2基板2的第3面43之间，具备显示功能层6、显示功能驱动部7及第3天线单元130。第3天线单元130及显示功能层6与显示功能驱动部7电连接。在显示部40中，显示功能驱动部7(薄膜晶体管阵列)控制显示功能层6。

显示功能层6、显示功能驱动部7及第3天线单元130配设于后述的第2基板2的第3面43。如上述那样，显示功能层6由多个发光二极管元件和薄膜晶体管阵列构成。第3天线单元130在从观察者侧观察的俯视时，与设置于第3基板3的第4天线单元140重叠。

(***控制部)

***控制部30具备CPU(Central Processing Unit)122、充电控制部123、切换部125、NFC通信部126(Near Field Communication)、天线部127、第2天线单元120及第4天线单元140、二次电池124。此外，如后述那样，二次电池124设置于与***控制部30的相邻的位置。

CPU122与二次电池124、第2天线单元120、第4天线单元140、充电控制部123、切换部125及NFC通信部126电连接。充电控制部123及NFC通信部126与切换部125电连接。天线部127与充电控制部123、切换部125及NFC通信部126电连接。

***控制部30控制触摸传感部10中的触摸传感功能、显示部40中的显示功能、通信功能及非接触充电功能。***控制部30在触摸传感部10与***控制部30之间，如附图标记TR12的箭头所示那样，经由第1天线单元110及第2天线单元120，非接触地进行与触摸传感有关的各种信号的收发，并且，非接触地进行触摸传感所需的电力的供给及接受。***控制部30在显示部40与***控制部30之间，如附图标记TR34的箭头所示那样，经由第3天线单元130及第4天线单元140，非接触地进行与显示功能层的驱动有关的各种信号的收发，并且，非接触地进行显示功能层的驱动触摸传感所需的电力的供给及接受。

充电控制部123如附图标记TR56的箭头所示那样，经由构成天线部127的环形天线128，接受从100V等外部电源(图1中为AC适配器152、托架150)供给的电力。充电控制部123包括整流功能、监视二次电池124的电压的功能在内，从充电控制部123将电力向二次电池124供给而进行充电。在二次电池124设置有温度传感器，在充电控制部123感测到温度异常的情况下，充电控制部123停止对二次电池124的电力的供给及接受。

天线部127具备环形天线128，具有对共振所使用的电容器、环形天线128的线圈长等进行调整的功能。切换部125从***控制部30接收信号，进行天线部127的受电功能与近距离通信(NFC通信)功能的切换。环形天线128进行电子设备E1的外部与内部之间的通信功能、以及电子设备E1从外部的非接触充电功能。

在由天线部127进行的受电中，能够采用基于Qi规格的频率。例如，能够使用100KHz至200KHz的频率。或者，由天线部127进行的受电能够应对将来预定的无线充电的国际标准规格。作为使用了天线部127的近距离通信的共振频率，例如能够采用13.56MHz或者比该频率高的频率。近距离通信由NFC通信部126控制。NFC通信部126具有用于进行近距离通信的调制解调功能。

(外部电源)

图1所示的托架150具有对本发明的第1实施方式所涉及的电子设备E1或智能手机等便携终端、可穿戴设备进行充电的功能，作为电力给电部发挥功能。托架150具备电磁感应方式的多个给电侧天线151，电子设备E1能够从这些1个以上天线151接受非接触的电力供给。托架150具有选择多个给电侧天线151中的任意多个给电侧天线的天线切换部。托架150例如经由AC适配器152而与100V或220V等外部电源连接。

(第1基板)

图2是表示构成电子设备E1的第1基板1的俯视图。另外，图2是从观察者观察第1基板的俯视图，以对具有遮光性的黑矩阵进行透视的方式示出了在第1基板上设置的构成要素。

第1基板1是使可见光区的光透射的透光性的透明基板，由公知的材料形成。如图2所示那样，在第1基板1的第2面42上，设置有黑矩阵BM、第1导电布线21、第2导电布线22、第1天线单元110、电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸感测开关电路19、触摸信号收发控制部20及检波·AD变换部25。

黑矩阵BM具备矩形状的有效显示区域71、包围有效显示区域71(显示区域)的边框区域72(边框部)。在图2所示的例子中，在第2面42上形成有黑矩阵BM，但是也可以在第1基板1的第1面41中作为边框区域72而形成黑矩阵BM。

此外，不是必须形成黑矩阵BM，也可以不将黑矩阵BM形成于第1基板1。边框区域72如后述那样，是含有金属的细的边缘，该情况下，在边缘能够省掉黑矩阵BM的形成。

(导电布线)

如图2所示那样，触摸传感布线单元5由在X方向(第1方向)上平行地延伸的多个第1导电布线21、在Y方向(第2方向)上平行地延伸的多个第2导电布线22构成。即，多个第1导电布线21及多个第2导电布线22相互正交地延伸。

此外，在触摸传感布线单元5的层叠构造中，经由绝缘层38(第5绝缘层38，参照图4)，多个第2导电布线22层叠在多个第1导电布线21上。

如图2的实线所示那样，将第1天线单元110、触摸驱动开关电路18、触摸感测开关电路19等电路电连接的引绕布线，使用第1导电布线21的一部分及第2导电布线22的一部分。图2所示的电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸感测开关电路19、触摸信号收发控制部20、检波·AD变换部25等相当于本发明的第1实施方式所涉及的触摸功能驱动部4。

控制触摸传感的电路(触摸功能驱动部4)包括第1导电布线21的一部分、第2导电布线22的一部分、多个第3薄膜晶体管。电力接受部15使接收电压平滑化、定电压化而作为触摸驱动电压向电源控制部16输出。电源控制部16优选包含升压电路。

另外，第2导电布线22的一部分经由电连接用的贯通孔和绝缘层，层叠于构成第1天线单元110的第1导电布线，即，能够应用于双层构造的布线。

第1天线单元110包含2组的天线对(第1环形天线)，该天线对是卷绕方向相互相反且卷绕圈数为2以上的小径环形天线成为一对而构成的。附图标记111所示的天线对被用于在后述的第2天线单元120的天线对115与第1天线单元110的天线对111之间非接触地进行与触摸传感有关的信号的收发。

附图标记112所示的天线对被用于在第2天线单元120的天线对116与第1天线单元110的天线对112之间非接触地进行触摸传感所需的电力的供给及接受。

另外，小径环形天线通过将导电布线在相同平面上形成为螺旋状而构成，也可以是能够在第1基板的平面上安装的小径环形天线。

图3是表示在第1基板1的第2面42形成的第3薄膜晶体管的构造的截面图。

如图3所示那样，第3薄膜晶体管153具有底栅构造，形成于第1基板1的边框区域72。第3薄膜晶体管153经由第4绝缘层37形成于第1基板1的第2面42。另外，在图3所示的例子中，采用了在第2面42上形成有黑矩阵BM、在黑矩阵BM上形成有第4绝缘层37的构造，但是也可以不在第2面42上形成黑矩阵。

在第3薄膜晶体管153中，栅电极155由与第1导电布线21相同的构成的导电布线形成，并由与第1导电布线21相同的工序形成。在栅电极155上，层叠有栅极绝缘膜(第5绝缘层38)，在第5绝缘层38上，层叠有沟道层158、漏电极156及源电极154。漏电极156、源电极154由与第2导电布线22相同的构成的导电布线形成，并由与第2导电布线22相同的工序形成。在形成源电极154时，同时也形成源极布线157。

由多个第3薄膜晶体管153、以及通过导电性金属氧化物层或者氧化物半导体的膜的图案刻画而形成的电阻元件，构成了图2所示的触摸驱动开关电路18、触摸感测开关电路19、触摸信号收发控制部20、检波·AD变换部25、电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17等电路。第1天线单元110所需的电容器(电容元件)能够在形成第1导电布线21及第2导电布线22时形成。具体而言，将与第1导电布线21及第2导电布线22具有相同构成并且位于相同层的导电层，在第5绝缘层38的上下以具有所希望的大小的方式进行图案刻画，由此能够形成电容器。构成第3薄膜晶体管153的沟道层158由氧化物半导体构成。

图4是表示在第1基板1的第2面42形成的触摸传感布线单元5的局部截面图。以下，使用图4来说明导电布线的构造。

第1导电布线21具有由第1导电性金属氧化物层8A和第2导电性金属氧化物层8C夹着铜合金层8B(或者铜层)的构成。第1导电性金属氧化物层8A及第2导电性金属氧化物层8C各自的膜厚例如能够从10nm至100nm的范围选择。铜合金层8B(或者铜层)的膜厚例如能够从50nm至2000nm的范围选择。或者，还能够比2000nm更厚地形成。作为这些导电性金属氧化物层8A、8C或铜合金层8B的成膜方法，能够使用溅射等真空成膜法。在铜合金层8B的形成中同时采用镀层法的情况下，也可以比上述膜厚更厚地形成。第2导电布线22也是与第1导电布线21相同的构造。

如图4所示那样，第1导电布线21由第1光吸收层23(光吸收层)夹着。具体而言，作为导电布线(第1导电布线21、第2导电布线22)的构造，能够采用铜层或者铜合金层被导电性金属氧化物层覆盖、进而该导电性金属氧化物层被光吸收层覆盖的构造。即，在导电布线的表侧及里侧设置有光吸收层。

通过将导电布线的表面(表侧及里侧)用光吸收层进行覆盖，从而能够提高视觉辨认性。也可以在从观察者方向观察时的铜层或者铜合金层的里面，另外形成导电性金属氧化物层和光吸收氧化物层。作为在铜层或者铜合金层的里面形成的导电性金属氧化物层，也可以交换使用高熔点的金属或铜合金层、以及组成不同的铜合金层。

一般而言，铜或铜合金对于玻璃基板或黑矩阵等光吸收层的紧贴性差。在本发明的第1实施方式中，采用在与铜层或者铜合金层的界面***导电性金属氧化物层的构成。在该构成中，导电性金属氧化物层起到所谓的粘合层的作用，能够赋予实用的可靠性。而且，在铜层或者铜合金层露出的面，随时间经过会形成铜的氧化物，电安装会产生不良状况。通过对铜或铜合金的表面覆盖导电性金属氧化物层，从而能够抑制铜层或者铜合金层的氧化。通过导电性氧化物的形成，能够获得欧姆接触，能够得到电安装中的优点。

(铜合金层)

接下来，具体地对铜合金层8B进行说明。

铜合金层8B例如包含固溶于铜的第1元素、以及与铜及第1元素相比电负性小的第2元素。第1元素及上述第2元素是添加于铜的情况下的比电阻上升率为1μΩcm/at％以下的元素。铜合金层的比电阻处于1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。在本实施方式中，所谓与铜固溶的元素，换个说法是指，在可对应车载的电子设备的使用范围、即－(负)40℃至+(正)80℃的温度区域中，相对于铜能够获得稳定的置换型固溶的元素。此外，元素(也可以是多种)向铜的添加量只要是该铜合金的电阻率(与比电阻同义)为不超过6μΩcm的范围即可。在将基质母材设为铜的情况下，相对于铜具有宽范围的固溶域的金属能够示例出金(Au)、镍(Ni)、锌(Zn)、镓(Ga)、钯(Pd)、锰(Mn)。铝(Al)虽然不是宽范围，但是具有对铜的固溶域。

电阻率小的元素(铜的合金元素)能够列举出钯(Pd)、镁(Mg)、铍(Be)、金(Au)、钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)。这些元素相对于纯铜进行了1at％添加时，电阻率的增加基本为1μΩcm以下。钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)的情况下，电阻率的增加为0.3μΩcm/at％以下，因此，作为合金元素是优选的。若考虑经济性及环境负荷，优选将锌及钙作为合金元素使用。锌及钙能够分别作为向铜的合金元素添加至5at％为止。

也可以基于上述添加量的范围，增加钙的添加量，或者减少锌的添加量，或者增减锌及钙的添加量。关于锌及钙向铜的添加所产生的效果，分别在0.2at％以上的添加量时能够获得显著的效果。

将锌及钙按照合计0.4at％向纯粹的铜进行了添加而得的铜合金的电阻率成为约1.9μΩcm。因此，本发明的第1实施方式所涉及的铜合金层8B的电阻率的下限为1.9μΩcm。另外，在将钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)用作了合金元素的情况下，若向铜的添加量超过5at％，则铜合金的电阻率显著增加，因此，优选为至少5at％以下的添加量。

电负性是原子(元素)吸引电子的强度的相对尺度。该值越小的元素，越容易成为阳离子。铜的电负性为1.9。氧的电负性为3.5。电负性小的元素能够列举出碱土类元素、钛族元素、铬族元素等。碱性元素的电负性也很小，但是，若在铜的附近存在碱性元素或水分，则铜的扩散增长。因而，钠或钾等的碱性金属不能用作铜的合金元素。

钙的电负性小，为1.0。在将钙用作了铜的合金元素的情况下，热处理时等中钙比铜先被氧化，成为氧化钙，能够抑制铜的扩散。在本发明的第1实施方式所涉及的导电布线中，能够在未由导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面、铜合金层与导电性金属氧化物层的界面，选择性地形成钙氧化物。特别是，通过在未由导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面形成钙氧化物，有助于铜的扩散的抑制及可靠性的提高。本发明的第1实施方式所涉及的导电布线或铜合金层的导电率通过热处理等退火而提高。上述的电负性以鲍林的电负性的值而示出。在本发明的第1实施方式所涉及的导电布线中，优选通过导电布线的热处理工序等使第2元素比铜及第1元素先氧化而形成氧化物。此外，优选防止氢·氧向铜或铜合金的的混入。

在本发明的第1实施方式中，采用了铜合金层8B被第1导电性金属氧化物层8A和第2导电性金属氧化物层8C夹着的构成。在该构成中，多数情况下通过热处理(退火)改善了电阻率。换言之，在本发明的第1实施方式中，铜合金层8B被导电性金属氧化物覆盖，从而抑制了铜合金层8B的表面氧化。此外，通过由在铜合金层8B的表面及里面形成的导电性金属氧化物层进行限制(Anchoring，锚定)，从而铜合金层8B的晶粒不会极端地粗大化，铜合金层8B的表面不会粗糙。即使是构成铜合金层8B的合金元素以低的浓度(例如，0.2at％前后)被添加的铜合金层8B，结晶粒(晶粒)也不易变大，能够抑制粗大化的晶粒间界引起的载流子紊乱(电阻率的恶化)。

在本发明的第1实施方式所涉及的导电布线中，通过作为铜合金层8B而使用含有钙的铜合金，从而在铜合金层8B与第1导电性金属氧化物层8A的界面、以及铜合金层8B与第2导电性金属氧化物层8C的界面、以及铜合金层8B的侧面，有时会形成钙氧化物。钙氧化物多数情况下是在后述的低温退火或热处理中形成的。通过在铜合金层8B的表面、铜合金层与导电性金属氧化物层的界面形成有钙氧化物，从而抑制了铜的扩散，能够有助于可靠性的提高。

本发明的第1实施方式所涉及的导电布线如上述那样能够应用于第1基板1的第1导电布线及第2导电布线。而且，能够将具有与上述的导电布线同样的构成的导电布线，应用于第2基板2的源极布线66、电源线50，51及栅极布线69。此外，在形成于第3基板3的布线、例如NFC通信部126等模组形成前的作为基底层的布线、天线单元的布线中，也能够应用具有与上述的导电布线同样的构成的导电布线。天线单元的布线被要求低电阻，因此，优选较厚地形成导电布线的构成中包含的铜层(或者铜合金层)的膜厚。

(导电性金属氧化物层)

接下来，对上述的第1导电性金属氧化物层8A及第2导电性金属氧化物层8C、以及后述的第3导电性金属氧化物层及第4导电性金属氧化物层的构造进行说明。以下，将第1～第4导电性金属氧化物层仅称作导电性金属氧化物层。

作为导电性金属氧化物层的材料，例如能够采用包含从氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化镓、氧化锡选择的2种以上金属氧化物的复合氧化物。例如，氧化锑由于金属锑不易形成与铜的固溶域且抑制层叠构成中的铜的扩散，因此，能够添加到上述导电性金属氧化物层中。在导电性金属氧化物层中还能够少量地添加钛、锆、镁、铝、锗等其他元素。

铜层或者铜合金层相对于透明树脂或玻璃基板(应用于第1基板、第2基板及第3基板)的紧贴性低。因而，在铜层或者铜合金层原样应用于由透明树脂或玻璃基板等构成的显示装置基板的情况下，难以实现实用的显示装置基板。但是，上述的复合氧化物(导电性金属氧化物)相对于光吸收性树脂层、黑矩阵、透明树脂及玻璃基板等充分地具有紧贴性，并且，相对于铜层或铜合金层的紧贴性也充分。因而，在将使用了上述复合氧化物的铜层或者铜合金层应用于显示装置基板的情况下，能够实现实用的显示装置基板。

除此之外，在铜层或铜合金层的表面，随着时间经过而形成不具有导电性的铜氧化物，有时会导致电接触变困难。另一方面，氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化镓、氧化锡等的复合氧化物层能够实现稳定的欧姆接触，在使用这样的复合氧化物的情况下，能够容易地进行导通转移(transfer)、经由接触孔的电安装。

上述的导电布线的构造不限于形成于第1基板1的导电布线21、22，还能够应用于形成于第2基板2或第3基板3的导电布线、进而构成天线单元的布线、构成薄膜晶体管的电极、与电极电连接的布线等中。

(第2基板)

图5是表示构成电子设备E1的第2基板2的俯视图。

如图5所示那样，在第2基板2的第3面43上设置有显示部40，该显示部40包含未图示的薄膜晶体管阵列、发光元件CHIP(LED芯片，发光二极管元件)、第3天线单元130等。具体而言，在第3面43上，设置有第3天线单元130、源极信号开关电路26、栅极信号开关电路27、第2电力接受部28、影像信号接收部29、第2电源控制部59等的电路等。第2电源控制部59优选包含升压电路。

图5所示的源极信号开关电路26、栅极信号开关电路27、第2电力接受部28、影像信号接收部29、第2电源控制部59等相当于本发明的第1实施方式所涉及的显示功能驱动部7。

在第2基板2中，在与像素开口部PX相当的位置，设置有驱动显示功能层6的第1薄膜晶体管67(后述)和第2薄膜晶体管68(后述)。另外，在图5中，省略了第1薄膜晶体管67和第2薄膜晶体管68的图示。

第3天线单元130包含2组的天线对(第3环形天线)，该天线对是卷绕方向相互相反且卷绕圈数为2以上的小径环形天线成为一对而构成的。附图标记113所示的天线对被用于与后述的第4天线单元140的天线对117之间非接触地进行与显示功能层的驱动有关的信号的收发。

附图标记114所示的天线对被用于与第4天线单元140的天线对118之间非接触地进行显示功能层的驱动所需的电力的供给及接受。

小径环形天线的卷绕圈数例如能够从2至25的范围选择。

图6示例了在第2基板2的第4面44设置的导电性屏蔽层34的截面图。在图6中，导电性屏蔽层34具有从第4面44起依次层叠有第2光吸收层24(光吸收层)、第1导电性金属氧化物层34A、铜合金层34B及第2导电性属氧化金层34C的构成。如图6所示那样，通过在导电性屏蔽层34的一部分采用作为低电阻的导电层(铜合金层34B)，从而能够减少从***控制部30或环形天线128产生的噪声对触摸传感功能层(第1天线单元110，触摸功能驱动部4)或显示功能层6的影响。

导电性屏蔽层34的导电层是具有100Ω/□(Ω/sq)以下的面积电阻的导电膜即可。导电性金属氧化物层的构造可以是层叠构造，也可以是单层构造。还能够采用钼、铝、铜、银、镍等的金属层、合金层的单层、这些金属层层叠多个而成的构成。通过在导电性屏蔽层中加入热导电性高的金属层或合金层，能够有助于与发光元件的发光有关的热的扩散。

通过在铜合金层34B与第2基板2之间***第2光吸收层24，能够实现省掉上述的专利文献6所记载那样的圆偏光板的构成。圆偏光板是出于通过将像素电极(反射电极)中的外光反射吸收而产生“黑色”的目的而使用的。但是，圆偏光板是0.1mm至0.3mm的、比较厚的光学薄膜。若是在这样的圆偏光板的厚度上再加上罩玻璃的厚度，那么电子设备的厚度增加1mm前后。通过不使用圆偏光板而***第2光吸收层24，能够实现将发光二极管元件关断时的“黑色”。此外，通过将第1基板1和第3基板3都增厚，从而提高了电子设备所要求的强度，并且，通过减薄第2基板2，省掉罩玻璃，从而能够提高轻且薄的电子设备。

(第3基板)

图7是表示构成电子设备E1的第3基板3的俯视图。

第3基板3具有第5面45和与第5面45相反侧的第6面46(参照图8)。

如图7所示那样，在第3基板3的第5面45上，设置有环形天线128、第2天线单元120、第4天线单元140、磁性体层131、二次电池124、***控制部30等。此外，这样在第3基板3上形成的构件如图1所示那样，设置在第2基板2的第4面44与第3基板3的第5面45之间。

***控制部30包含CPU122、充电控制部123、切换部125、NFC通信部126、天线部127、第2天线单元120、第4天线单元140及二次电池124。CPU122控制触摸传感部10中的触摸传感功能、显示部40中的显示功能、通信功能及非接触充电功能。

第2天线单元120包含2组的天线对(第2环形天线)，该天线对是卷绕方向相互相反且卷绕圈数为2以上的小径环形天线成为一对而构成的，具体而言具备天线对115、116。

第4天线单元140包含2组的天线对(第4环形天线)，该天线对是卷绕方向相互相反且卷绕圈数为2以上的小径环形天线成为一对而构成的，具体而言具备天线对117、118。

在第1基板1、第2基板2及第3基板3重叠而构成的电子设备E1的俯视时，第2天线单元120与第1天线单元110重叠，第4天线单元140与第3天线单元130重叠。

第2天线单元120的天线对115与第1天线单元110的天线对111，卷绕方向相同且重叠。第2天线单元120的天线对116与第1天线单元110的天线对112，卷绕方向相同且重叠。第4天线单元140的天线对117与第3天线单元130的天线对113，卷绕方向相同且重叠。第4天线单元140的天线对118与第3天线单元130的天线对114，卷绕方向相同且重叠。第1天线单元110与第2天线单元120之间的重叠关系、以及第3天线单元130与第4天线单元140之间的重叠关系留待后述。

环形天线128是通过将导电布线在相同平面上形成为螺旋状而构成的，能够安装在第3基板的平面，例如，优选具有能够落入图7所示那样的矩形的边框区域72内的环形天线形状。环形天线128配设在与包围有效显示区域71的边框区域72对应的位置。因此，环形天线128的外形具有比显示部40中的有效显示区域71的大小稍微大的尺寸。

此外，第1天线单元110、第2天线单元120、第3天线单元130及第4天线单元140各自的尺寸比环形天线128的尺寸小。此外，第1天线单元110、第2天线单元120、第3天线单元130及第4天线单元140配设于在从观察方向观察的俯视时不与环形天线128重叠的位置。

环形天线128的卷绕圈数例如能够设为2至10。在本实施方式中，图7所示的环形天线的卷绕圈数设为5，但是天线的卷绕圈数例如能够从1至25的范围选择。作为卷绕圈数，能够基于共振频率的选择、以及最适于共振的天线的阻抗的设定条件来选择卷绕圈数。作为环形天线128的环形面积(Ax×Ay)，优选为较大的面积。

图7中省略的电容元件的电容为了进行共振而被调整。具体而言，在非接触充电时，由充电控制部123进行共振的调整。在NFC通信的情况下，由NFC通信部126进行共振的调整。非接触充电与NFC通信通过切换部125切换而执行。

作为二次电池124，能够列举出锂电池、镍氢电池、有机自由基电池、铅电池、锂空气电池、镍锌电池、镍镉电池、银锌电池等。例如也可以采用尼龙、铝等的金属层、流延聚丙烯(CPP)、电极、隔膜、电解液等被外装材进行层压而成为层压型的锂电池。优选将全固体型的锂电池，例如锂硫黄电池等二次电池应用于二次电池124。此外，在从空间(基板间的厚度)的观点出发很难设置二次电池124的、第1基板的第2面上及第2基板的第3面上，例如能够具备大电容的电容器。在大电容的电容器的构成中，能够使用利用真空成膜等方法而成膜出的薄膜。

在第2基板2的第4面44与第3基板3的第5面45之间，还配置LTE通信模组、WiFi通信模组、GPS接收模组等的电子器件，也可以安装于第4面44或者第5面45。

图8是表示电子设备E1的截面图，是沿着图7的A－A’线的截面图。从观察者P侧观察时，第1基板1、第2基板2及第3基板3依次被层叠。另外，图8中省略了黑矩阵BM。

如图8所示那样，在第3基板3的第5面45上，设置有环形天线128、第2天线单元120及第4天线单元140。此外，以覆盖环形天线128的方式，磁性体层131设置于第5面45上。此外，在磁性体层131形成有开口部132，在开口部132的内侧配置有第2天线单元120及第4天线单元140。换言之，第2天线单元120及第4天线单元140未被磁性体层131覆盖。

在磁性体层131上，配置有***控制部30及二次电池124。***控制部30经由设置于磁性体层131的贯通孔，与环形天线128、第2天线单元120及第4天线单元140电连接。在二次电池124及***控制部30的上表面设置有导电性屏蔽层34，换言之，在二次电池124及***控制部30的上表面与第2基板2的第4面44之间配置有导电性屏蔽层34。

在第1基板1的第2面42上，具备包含触摸传感布线单元5的触摸传感部10。在构成触摸传感布线单元5的第1导电布线21与第2导电布线22之间，沿第1基板1的厚度方向(Z方向)配设有第5绝缘层38。此外，在形成触摸传感布线单元5的工序中，也可以是，在形成导电布线(第1导电布线21)前，在第2基板面上形成第4绝缘层37。优选在第2导电布线22上形成第6绝缘层39。

以下，使用图9～图11，对发光元件CHIP(LED芯片、发光二极管元件)的周边构造进行说明。

图9是局部地示出电子设备E1的截面图，是表示图8的附图标记B所示的区域的放大图。另外，图9中省略了黑矩阵BM。

图10是局部地表示电子设备E1所具备的第2基板2的放大图，是以在第2基板2上设置的发光元件CHIP及第2薄膜晶体管68(薄膜晶体管168)为中心进行表示的截面图。

图11是表示搭载于电子设备E1的发光元件CHIP的图，是表示对图10的附图标记C所示的区域进行放大表示的发光元件CHIP的截面图。

(发光元件)

构成发光元件CHIP的下部电极88经由接合层77而与反射电极89电联动。反射电极89经由接触孔93而与作为驱动发光元件CHIP的驱动晶体管发挥功能的第2薄膜晶体管68连接。

发光元件CHIP经由第2薄膜晶体管68从第1电源线51接受电源的供给。

上部电极87的表层(表面的层)由导电性金属氧化物形成。辅助导体75及透明导电膜76是具有铜或者铜合金被导电性金属氧化物夹着的构造的导电层，以相同的层、由相同的工序形成。在图10中，辅助导体75例如沿纸面的前后方向、即Y方向延伸。辅助导体75与沿X方向延伸的第2电源线52(图18参照)连结。关于俯视时的第1电源线51及第2电源线52的配置，留待参照图18后述。

接合层77例如能够应用在150℃至340℃的温度范围内使发光元件CHIP的下部电极88和反射电极89熔接而能够电连接的导电性材料。该导电性材料也可以是将银或碳、石墨等导电性填料(conductive filler)分散在热流动性树脂中。或者，能够使用In(铟)、InBi合金、InSb合金、InSn合金、InAg合金、InGa合金、SnBi合金、SnSb合金等、或者这些金属的3元系、4元系的低熔点金属来形成接合层77。

反射电极89的表面能够由包含铟氧化物的复合氧化物(导电性金属氧化物)、或者银合金等形成。通过用包含铟氧化物的复合氧化物、或者银合金形成反射电极89的表面，从而使上述的接合层77与反射电极89的电连接变得容易。另外，通过减小反射电极89的面积在开口部占据的比例，能够活用由第2光吸收层24形成的“黑色”。

这些低熔点金属相对于上述的导电性金属氧化物具有良好的润湿性，因此，在进行了下部电极88与反射电极89的大致的校准之后，能够使下部电极88与反射电极89自对准地熔接。作为熔接所需的能量，能够使用热、加压、电磁波、激光光、或这些与超声波的并用等各种能量。另外，垂直型发光二极管还有在产生了接合不合格的情况下容易进行维修的优点。在电极沿相同方向排列的水平型发光二极管中，存在各个二极管的接合检查难、维修(不合格二极管的更换等)时电极容易短路这样的弊端。从该观点出发，优选使用垂直型发光二极管。接合层77能够在真空成膜等的膜形成后利用公知的光刻的方法、剥离的手段进行图案形成。

本实施方式中，发光元件CHIP是作为显示功能层发挥功能的垂直型发光二极管，设置于多个像素PX的每个。

发光元件CHIP具有上部电极87、n型半导体层90、发光层92、p型半导体层91及下部电极88依次层叠的构造。换言之，发光元件CHIP具有在下部电极88上依次层叠有p型半导体层91、发光层92、n型半导体层90及上部电极87的构成。如图11所示那样，LED发光所使用的电极形成于不同的面，形成在相互对置的面。此外，在与以相互平行的方式层叠的n型半导体层90及p型半导体层91分别对置的面的外侧，配置有上部电极87及下部电极88。将具有这样的构造的发光元件CHIP，在本实施方式中称作垂直型发光二极管。在截面视时，在LED构造为角锥形状等异型的情况下，不被包含在本发明的垂直型发光二极管中。在LED构造中，在单侧的面上排列地形成有电极的构造，或者，沿水平方向排列地形成有电极的构造，称作水平型发光二极管。

如图11所示那样，在发光元件CHIP上，透明导电膜76与上部电极87重叠，电连接。发光元件CHIP的角部171被第2平坦化层95覆盖。在发光元件CHIP上，形成有第2平坦化层95与上部电极87重叠的重叠部74。在上部电极87的两端形成有重叠部74，因此，在上部电极87上，第2平坦化层95具有凹部形状。

作为透明导电膜76的构成，采用了导电性金属氧化物的单层或者多层。例如，也可以采用由ITO等导电性金属氧化物夹着Ag或Ag合金层的构成。进而，也可以是，在透明导电膜76之上层叠包含金属层的辅助导体75。通过将包含金属层的辅助导体75形成在透明导电膜76之上，能够降低透明导电膜76的电阻值，并且有助于发光元件CHIP产生的热的扩散。

透明导电膜76是图18所示的电源线52。透明导电膜76作为发光元件(发光二极管或有机EL)的阴极或者共用电极发挥功能。该情况下，透明导电膜76作为触摸传感部10的屏蔽层，具有抑制从***控制部30或NFC通信部126产生的电噪声的影响的效果。

例如，在图11中，出于减少透明导电膜76的断线的风险的目的，在上部电极87上形成的第2平坦化层9具有角度θ的锥形，沿着第2平坦化层95的锥形面形成有透明导电膜76。

具体而言，重叠部74在角部171中位于透明导电膜76与上部电极87之间，例如以5°至70°的角度θ相对于上部电极87的面倾斜。通过这样重叠部74具有倾斜，从而能够防止透明导电膜76的断线。

若发光元件CHIP的上表面78(表层)成为从第2平坦化层95突出、不与第2平坦化层95重叠的状态，即在未形成重叠部74的状态下，透明导电膜76容易断线，可能会产生发光元件CHIP的点亮不合格。

作为形成上述那样的具有凹部形状的第2平坦化层95的方法、形成与发光元件CHIP重叠的重叠部74的方法，采用公知的光刻。而且，除了公知的光刻的手法之外，还可以应用干式蚀刻技术或紫外线清洗技术。

作为发光元件CHIP的形状，例如能够应用在俯视时1边的长度为3μm至500μm的正方形形状。但是，也可以应用正方形或矩形以外的形状。或者，也可以将1边的大小设为500μm以上。此外，在俯视时，由第1布线和第2布线划分的像素PX中能够安装1个、或2个以上发光元件。在发光元件CHIP的安装中，例如，能够使正方形形状的发光元件CHIP的朝向按照90度单位随机旋转而进行安装。通过随机安装，从而能够减少LED结晶生长的微量偏差所产生的画面整体的颜色不均、亮度不均。

作为LED等发光元件中能够应用的n型半导体或p型半导体，能够列举出元素周期表的II族至VI族的元素的化合物、它们的氮化物或氧化物。例如，能够列举出在GaN中掺杂了In或II元素或者IV元素的半导体、在GaP、GaInP、AlGaInP等、进而ZnO中掺杂了II族元素的半导体等。例如，也可以使用发光效率高的近紫外域发光的InGaN/GaN的LED。也可以是，在生物模板技术中还并用中性线束蚀刻技术，使用具有纳米级柱状(pillar)构造的InGaN/GaN的LED。进而，发光层92可以由单一的化合物半导体构成，也可以具有单一量子阱构造或者多量子阱构造。发光元件CHIP能够将红色发光LED、绿色发光LED、蓝色发光LED以矩阵状配置。而且，还可以加上近红外发光LED。或者，也可以在单色发光的LED发光元件上，作为波长变换构件而层叠量子点状层。

作为下部电极88的构成材料，能够应用银、银合金、铝、铝合金。而且，作为下部电极88的构成，如后述那样，也可以应用银或者银合金层被导电性金属氧化物层夹着的构成。也可以是，在下部电极88的构成的一部分中引入包含Ti层、Cr层、Pt层、AuGe层、Pd层、Ni层、TiW层、Mo层等金属层、或上述的导电性金属氧化物层的多层构成。另外，通过减少俯视时的下部电极88的面积比例，能够实现半透射式或透射式的显示装置。上部电极87优选为包含由导电性金属氧化物形成的层的构成。

作为导电性金属氧化物，例如以氧化铟为基材，能够应用氧化锡、氧化锌、氧化镓、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化钨、氧化镁、氧化锑、氧化铈等各种复合氧化物，具有容易调整上部电极87所需的特性的优点。在该特性中，包含功函数的值、光的透射率、折射率、导电性、蚀刻加工性等。也可以在上部电极的构成的一部分中引入包含Ti层、Cr层、Pt层、AuGe层、AuSn层、Pd层、Ni层、TiW层、Mo层等金属层、或上述导电性金属氧化物层的多层构成。另外，上部电极87的上表面78成为光的出射面，因此，优选透明的导电性金属氧化物的层的面积比率大。另外，上部电极87的上表面78(表层)是发光元件CHIP的光的出射面外的区域，优选与具有铜层或者铜合金层被导电性金属氧化物夹着的构造的第6布线电连接。

作为凸堤94的材料，能够使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛清漆酚醛树脂等有机树脂。凸堤94中还层叠有氧化硅、酸氮化硅等无机材料。

作为第1平坦化层96及第2平坦化层95的材料，还能够使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺树脂等。还能够使用低介电常数材料(low－k材料)。

另外，为了提高视觉辨认性，也可以是，第1平坦化层96、第2平坦化层95、密封层109，或者第2基板2的某个具有光散射的功能。或者，也可以在第2基板2的上方形成光散射层。

(薄膜晶体管)

图10示出了作为与反射电极89(像素电极)连接的有源元件而使用的具有顶栅构造的薄膜晶体管(TFT)的构造的一个例子。另外，图10中省略了第1基板1或第3基板3等周边构件。

第2薄膜晶体管68(168)构成为具有沟道层58、以及在沟道层58上层叠的源电极54和漏电极56。具体而言，第2薄膜晶体管68具备：与沟道层58的一端(第1端，图10中的沟道层58的左端)连接的漏电极56；与沟道层58的另一端(第2端，图10中的沟道层58的右端)连接的源电极54；经由第3绝缘层13而与沟道层58对置配置的栅电极55。如后述那样，沟道层58由氧化物半导体构成，与作为栅极绝缘层的第3绝缘层13接触。第2薄膜晶体管68驱动发光元件CHIP。第1薄膜晶体管67和第2薄膜晶体管68的详细情况留待后述。

图10所示的沟道层58的重叠部31、32的截面、源电极54、漏电极56、栅电极55的各自所图示的电极截面中虽未形成锥形面，但出于避免断线等的目的，优选形成锥形面(倾斜面)。

图10所示的源电极54及漏电极56在相同工序中同时形成。此外，源电极54及漏电极56具备相同的构成的导电层。即，在第1实施方式中，作为源电极54(第3布线)及漏电极56(第4布线)的构造，均采用了将铜层或者铜合金层(第3导电层)由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层进行夹持的3层构成。另外，作为源电极54及漏电极56的构造，能够采用钛/铝合金/钛、钼/铝合金/钼等的3层构造。在此，铝合金中，铝－钕为代表性的合金。从热传导率的观点出发，优选将铜层或者铜合金层用作布线材料。为了通过接触孔实现电连接，优选还层叠导电性金属氧化物。

为了获得薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的稳定化、或者稳定的常断的晶体管特性，也可以设置背栅电极。背栅电极能够通过以与图10所示的栅电极55对置的方式在沟道层58的相反侧、例如第4绝缘层47与第2基板2的界面对金属膜进行图案刻画，从而形成背栅电极。通过由金属膜形成背栅电极，从而能够防止外部光朝向沟道层58的入射，能够获得稳定的“正(plus)”的Vth。另外，对背栅电极，通常施加负的电压。利用在栅电极55与背栅电极之间形成的电场，能够对沟道层58进行电包围。利用该电场，能够增大第2薄膜晶体管68的漏极电流，能够进一步减小第2薄膜晶体管68的关断电流即漏电流。因此，相对于第2薄膜晶体管68所要求的漏极电流，能够较小地设定第2薄膜晶体管68的相对大小，能够提高作为半导体电路的集成度。

位于栅电极55的下部的第2绝缘层48，也可以是具有与栅电极55相同的宽度的绝缘层。该情况下，例如，进行将栅电极55用作掩模的干式蚀刻，将栅电极55的周围的第2绝缘层48除去。由此，能够形成具有与栅电极55相同的宽度的绝缘层。将栅电极55用作掩模而对绝缘层进行干式蚀刻加工的技术在顶栅构造的薄膜晶体管中一般被称作自对准。此外，如图9及图10所示那样，第1绝缘层49以覆盖栅电极55的方式设置于第2绝缘层48上。而且，在第1绝缘层49上设置有第1平坦化层96。

关于具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管对LED的驱动，从消耗电力的观点出发，比具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管进行的驱动更优选。

例如，被称作IGZO的氧化物半导体利用溅射等真空成膜被一并形成。在成膜出了氧化物半导体后，TFT等的图案形成后的热处理也一并进行。因而，与沟道层有关的电特性(例如，Vth)的偏差极小。LED的驱动为了抑制其亮度的偏差，需要将薄膜晶体管的Vth的偏差抑制在小范围内。但是，如上述那样，被称作IGZO的氧化物半导体为了确保由结晶化带来的可靠性，多数情况下以400℃至700℃的温度范围(高温退火)进行热处理。在液晶显示装置等的制造工序中，在该热处理时，产生钛及铜的相互扩散，很多情况下铜布线的导电率大幅度恶化。氧化物半导体中，180℃～340℃的温度范围的低温退火也能够进行的、以氧化铟和氧化锑这2种氧化物为中心的复合氧化物的氧化物半导体，从抑制铜的扩散的观点出发更优选。

此外，具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管由于漏电流极少，因此，扫描信号或影像信号的输入后的稳定性高。具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管与氧化物半导体的晶体管比较，漏电流大了2位以上。该漏电流少有助于高精度的触摸传感，因此优选。

氧化物半导体是作为主材而含有氧化铟及氧化锑的复合氧化物。也可以通过仅氧化铟及氧化锑的组成形成氧化物半导体，但是具有这样的组成的氧化物半导体中容易产生氧缺陷。为了减少氧化物半导体的氧缺陷，优选作为氧化状态的稳定剂，还将氧化锆、氧化铪、氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钐、氧化镓、氧化钛、氧化镁添加于氧化物半导体。

另外，上述的图10所示的薄膜晶体管也能够应用于后述的第2实施方式所涉及的电子设备(参照图22)。

(天线单元)

接下来，使用图12至图15，对构成电子设备E1的天线单元110、120、130、140的构成进行说明。

图12是将在构成电子设备E1的第1基板1的第2面42形成的第1天线单元110放大表示的局部俯视图，是表示构成第1天线单元110的2组环形天线之中的1组环形天线的图。

图13是将在构成电子设备E1的第1基板1的第2面42形成的第1天线单元110放大表示的图，是表示沿着图12的C－C’线的第1天线单元110的截面图。

图14是表示在构成电子设备E1的第1基板1的第2面42形成的第1天线单元110的天线对与在第2基板的第3面形成的第2天线单元120的天线对的重叠的立体图。

图15是用于说明将小径环形天线的周围用导体进行了包围的情况下的涡电流的产生的说明图。

第1天线单元110具备2个天线对111、112。第2天线单元120具备2个天线对113、114。第3天线单元130具备2个天线对115、116。第4天线单元140具备2个天线对117、118。

在以下的说明中，第1天线单元110、第2天线单元120、第3天线单元130及第4天线单元140之中作为代表，对构成第1天线单元110的2组天线对111、112中的天线对111的构造进行说明，其他天线单元中也能够采用同样的构造。

此外，图14中作为代表，对第1天线单元110的天线对111与第2天线单元120的天线对115的重叠进行说明，但是，关于第1天线单元110的天线对112与第2天线单元120的天线对116的重叠、以及第3天线单元130的天线对113、114与第4天线单元140的天线对117、118的重叠，也能够采用同样的构造。此外，在以下的说明中，有时仅称作“天线单元”。

如图12所示那样，天线对111由卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的、一对小径环形天线164、165构成。反向卷绕的小径环形天线164、165具有相对于中心线166线对称的天线图案。

小径环形天线164具备具有与上述的导电布线相同的层叠构造的、环形布线141及引出线143。环形布线141经由连接用垫片60与引出线143电连接。

同样，小径环形天线165具备具有与上述的导电布线相同的层叠构造的、环形布线142及引出线144。环形布线142经由连接用垫片61与引出线144电连接。

而且，如后述那样，在本发明的实施方式所涉及的天线单元中，以包围小径环形天线164、165的方式形成有大致U字形状的导电图案148(137、138)。

作为形成天线的导电布线的构造，能够使用将上述的铜合金层由导电性金属氧化物层进行夹着的3层构成的导电布线。例如，第1天线单元110能够与第1导电布线21(或者第2导电布线22)在相同的层、由相同的工序形成。第3天线单元130能够与源极布线66(或者栅极布线69)在相同的层、由相同的工序形成。上述导电布线也可以是铜或铜合金与钛等高熔点金属的双层以上的多层构成。

具体而言，如图13所示那样，在第1天线单元110的情况下，在第4绝缘层37上，第1导电布线21(栅电极155等)、环形布线141、142及导电图案148被同时图案刻画出。此外，以覆盖环形布线141、142的方式形成了第5绝缘层38后，在连接用垫片60、61的位置形成接触孔。在第5绝缘层38上，第2导电布线22(漏电极156、源电极154等)与引出线143、144被同时图案刻画出。由此，引出线143、144分别经由连接用垫片60、61而与环形布线141、142电连接。

本发明的实施方式所涉及的“天线单元”是指，出于信号的收发或电力的受电或者给电等目的而在相同面上使向相互相反方向卷绕的小径环形天线交替地相邻设置2个以上的构成。在此，“信号”是指与触摸传感有关的信号、与显示功能层的影像显示有关的信号等的与通信有关的信号。作为天线单元的构成而采用了环形(在相同平面形成的线圈状或者螺旋状的平面图案)形状的天线构造的情况下，从确保通信的稳定性的观点出发，使向相互相反方向卷绕的2个天线(环形天线)相邻设置的构成是优选的。

还能够是使向相反方向卷绕的天线交替地相邻设置2个以上，选择使用其中的1组天线。以下，将天线单元中的具有环形形状图案的环形天线称作“小径环形天线”。因此，上述“天线单元”中的“天线”也可以替换为小径环形天线。另外，小径环形天线的“小径”是指比图7所示的环形天线128小的尺寸，但本发明不限定环形天线的尺寸。

接下来，如图14所示那样，以卷绕方向相互相同的小径环形天线164A、164B的位置被对准而重叠的方式、并且卷绕方向相互相同的小径环形天线165A、165B的位置被对准而重叠的方式，第1天线单元110的天线对111及第2天线单元120的天线对115重叠(重叠部170)。

在重叠部170中，要求形成天线的导电布线的线宽度例如为1μm至500μm这样的细的线宽度，并且要求在窄的边框区域72内纳入天线单元，因此，天线的位置精度优选为±3μm以内的精度。若位置对准的精度变高，则能够高效地进行信号的发送或接收。通过将2个以上的小径环形天线以并联的方式连接，从而，能够实现天线的小型化、低阻抗化及非接触数据传送的高速化。另外，图12～图14中，省略了用于形成第1天线单元110与第2天线单元120之间的共振电路、以及第3天线单元130与第4天线单元140之间的共振电路的、电容器或其他部件的图示。

第1天线单元110、第2天线单元120、第3天线单元130及第4天线单元140分别由反向卷绕的小径环形天线成为一对而构成的天线对构成。反向卷绕的小径环形天线的磁场的产生方向成为相反方向，从而，能够实现噪声产生少、稳定的收发。换言之，在相互反向卷绕的2个小径环形天线中，通过向相互不同方向形成的磁场，获得了外部磁场的遮挡效果，能够减少外部噪声的影响。图12所示的天线单元由于反向卷绕的小径环形天线164、165具有相对于中心线166呈线对称的天线图案，因此，能够抵消外部磁场的噪声，增加遮挡效果。

环形天线或小径环形天线的卷绕圈数优选为2以上，或者3以上。例如，在天线的外形为10mm以下这样的小尺寸的情况下，能够将卷绕圈数设为3以上20以下。第1实施方式的卷绕圈数设为3圈。在此，卷绕圈数为2以上的环形天线的俯视形状成为在相同平面上随着回转而靠近中心的曲线。能够典型地示例线间几乎为等间隔的阿基米德的螺旋。上述环形天线的形状与后述的能够进行平面安装的螺旋状天线同义。

一般而言，以RFID为代表的环形天线为了获得长的通信距离，需要下面3点。

(a)增加卷绕圈数；

(b)例如以13.56MHz等频率为前提而确保卡尺寸等大小的天线径长；

(c)确保导电布线的导电率；等等。

在此，所谓天线径长以俯视天线时的长轴与短轴的平均值为准。另一方面，本发明的实施方式所涉及的小径环形天线的通信距离考虑有机EL层中使用的密封层的厚度或液晶层的厚度、或者玻璃的基板的厚度而设定即可。例如，该距离是1μm～10000μm程度的短距离即可，因此，上述的限制几乎变没。换言之，本发明的实施方式所涉及的小径环形天线的通信距离与一般的RFID不同，只要是1μm至10000μm程度的短距离即可，因此，能够使噪声对显示功能层等的驱动电路的影响极小。本发明的实施方式所涉及的小径环形天线的远方放射强度小，几乎不受到通常的天线的共振频率的法律限制。

环形天线或小径环形天线能够在相同面上使卷绕方向相互不同的天线(环形天线或者小径环形天线)交替地、且以并联的图案配设2个以上的多个。通过多个并联，从而能够降低天线的阻抗。

本发明的实施方式所涉及的小径环形天线的共振频率例如能够作为触摸传感驱动频率的n倍(n为1以上的整数)而选择适合触摸传感的频率。

相反，为了减小从显示功能层等的驱动电路、100V或220V的外部电源等受到的噪声的影响，优选由图12或图14所示的大致U字形状的导电图案137、138将小径环形天线164、165平面地包围起来。另外，有时将反向卷绕的小径环形天线164、165称作天线的对。

作为导电图案的形状，例如采用了图15所示那样的电闭合的形状W(电连结的形状)的情况下，在导电图案中流动着与小径环形天线中流动的电流向相反方向流动的电流E，导致小径环形天线的效率降低。因而，作为导电图案137、138的形状，优选不是由环状的导电图案包围天线或者天线的对，而是由大致U字形状的导电图案将天线的对(小径环形天线的对)的周围局部地包围。导电图案137、138也可以接地到显示装置的壳体等。

作为导电图案137、138的构造，如上述那样，优选由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层夹着铜层或者铜合金层的构成。

导电图案137、138中能够使用热传导性良好的金属，能够赋予小径环形天线中产生的热的扩散效果(散热片的作用)。

例如，小径环形天线164、165能够设为俯视时分别反向卷绕方向的天线的对。所谓反向卷绕能够定义为，图12所示的上下配置(或者左右配置)的小径环形天线164、165在俯视时相对于中心线166呈线对称的卷绕方向。相互相邻且相互卷绕方向不同的2个小径环形天线在施加电力(或者信号)时，形成相互相反方向的磁场。换言之，相互相邻且相互卷绕方向不同的2个小径环形天线中，流动相互相反的旋转方向的电流。另外，由相互反向卷绕的2个小径环形天线构成的天线对的数(组数)不限于1组，也可以在一个天线单元中设置多组天线对。例如，通过将反向卷绕的天线交替地且电并联地排列，从而能够降低天线单元的阻抗。

在第1天线单元110的天线对111与第2天线单元120的天线对115的重叠部即重叠部170，例如进行从***控制部30输出的触摸驱动信号的接收，或者从触摸感测开关电路19经由触摸信号收发控制部20输出的触摸检测信号向***控制部30的发送。触摸驱动信号经由触摸驱动控制部17而驱动触摸驱动开关电路18。换言之，第1天线单元110的天线对111与第2天线单元120的天线对115的重叠部170具有触摸传感信号的收发功能。

在第1天线单元110的天线对112与第2天线单元120的天线对116的重叠部分(重叠部)，例如，接受经由***控制部30从二次电池124供给的电力。换言之，第1天线单元110的天线对111与第2天线单元120的天线对115的重叠部具有电力信号的供给及受电的功能。

另外，第1天线单元110的一方的天线对与第2天线单元120的一方的天线对的重叠部的作用、以及第1天线单元110的另一方的天线对与第2天线单元120的另一方的天线对的重叠部的作用能够交换。另外，关于用于共振的电容器，省略了图示。

本发明的第1实施方式所涉及的电子设备E1使用天线单元，能够非接触地进行与触摸传感有关的信号的收发、触摸传感所需的电力的供给及接受、与显示功能层的驱动有关的信号的收发及显示功能层的驱动所需的电力的供给及接受。

除此之外，使用设置于第3基板3的环形天线128，还能够进行与电子设备E1的外部之间的通信、以及从外部电源向电子设备E1的给电。

因此，能够将以往的使用了FPC(可挠性印刷电路基板)的安装构造，从第1基板、第2基板及第3基板各自中分别省去。而且，作为显示装置，能够减小边框区域72的宽度，并且能够使电子设备的组装极其简便。

(磁性体层)

如图7及图8所示那样，磁性体层131设置于第5面45上。例如，在作为二次电池124的锂电池的封装件(二次电池外壳)等上层压的金属层配置在环形天线128附近的情况下，磁性体层131能够作为改善天线效率的目的而使用。

图16是在与环形天线128对置的位置配置有金属层134的情况的说明图，是示意地表示由无用辐射波形成的磁束环形的变形的图。

作为充电台的托架150、RF－ID的读写器进行动作而在环形天线128形成有磁场(磁束环形)时，在金属层134在抵消磁场的方向上产生涡电流，形成同时的反磁场。因而，使环形天线128的磁束环形产生变形，导致天线的效率降低。另外，图16所示的金属层134例如是指锂电池等的由树脂进行了层压的金属封装件、或固体锂电池等的导电层。

图17是用于说明在金属层134与环形天线128之间配置有磁性体层131的情况下的磁束环形形状的图。

如图17所示那样，通过在金属层134与环形天线128之间***磁性体层131，确保了磁束环形形状，能够提高天线效率。

作为磁性体层131中能够应用的构造及材料，例如能够使用将使Ni－Zn铁素体、Mn－Zn铁素体、Fe－Si系的非晶体材料、Fe－Ni系的坡莫合金等的材料在合成树脂或橡胶等中分散或者取向的片材加工成所希望的形状的构造。或者，也可以是，利用真空成膜法，在第5面45的表面形成由上述材料构成的非晶膜。由非晶膜形成的磁性体层在将二次电池应用于固体型的锂电池的情况等时，能够良好地用作全固体型的电子设备。

(发光二极管元件的驱动)

图18是对使用了薄膜晶体管的发光二极管元件进行驱动的代表性的电路图。在本发明的第1实施方式中，作为发光二极管元件，示例了LED或者有机EL。多个像素PX以矩阵状配置。以下，有时将像素PX记作像素开口部PX。

图18中示意性地示出了多个像素PX，各像素PX是由作为影像的信号线的源极布线66、以及作为扫描线的栅极布线69划分的、像素开口部PX。第1导电布线21与栅极布线69平行地沿X方向延伸。

源极布线66与第2导电布线22平行地沿Y方向延伸。在俯视时，例如，源极布线66与第2导电布线22平行，第1导电布线21与栅极布线69重叠。第2薄膜晶体管68经由源电极54而与第1电源线51连接。第1电源线51是向发光元件86供给电力的电源线。第2电源线52经由透明导电膜76及辅助导体75，与构成发光元件86(发光二极管元件)的上部电极87连接。第2电源线52被维持为恒电位，例如，接地于大地(壳体等)。另外，第1导电布线21和第2导电布线22也可以设为朝向相差90度的构成。辅助导体75能够使用导电性良好的金属布线，避开像素开口部(像素PX)，在俯视时，形成于与第1导电布线21或第2导电布线22重叠的位置。图9所示的辅助导体75设为导电性金属氧化物、铜合金、导电性金属氧化物的层叠构成。通过在辅助导体75的构成的一部分使用热传导性高的铜或铜合金，能够有助于发光二极管元件的热扩散，能够获得稳定的发光。

如图18所示那样，在由源极布线66和栅极布线69划分的像素PX(像素开口部)内，配置有第1薄膜晶体管67、第2薄膜晶体管68、发光元件86(对应于发光元件CHIP)、电容元件79等。

第1薄膜晶体管67与源极布线66及栅极布线69电联动。第2薄膜晶体管68与第1薄膜晶体管67及第1电源线51电联动，并且，接受来自第1薄膜晶体管67的信号而驱动作为垂直型发光二极管的发光元件86。在本实施方式中，有时将第1薄膜晶体管67及第2薄膜晶体管68称作薄膜晶体管168。薄膜晶体管168构成薄膜晶体管阵列。

图18中，包括第1电源线51在内，示出了在第2基板2的第3面43上配设的主要电要素。以矩阵状排列的多个像素PX形成有效显示区域71。除了图18所示的薄膜晶体管67、68以外，还能够将进行电容的复位处理的薄膜晶体管等另外作为开关元件，将复位信号线等形成在第2基板2的第3面43上。发光元件86是上述的垂直型发光二极管。

栅极布线69与包含移位寄存器的扫描驱动电路82(栅极信号开关电路，显示功能驱动部7)连接，源极布线66与包含移位寄存器、视频线、模拟开关的源极信号开关电路连接。源极信号电路81及扫描驱动电路82接受来自显示控制部的信号，控制作为显示功能层的发光元件86。

在本实施方式中，第1电源线51及源极布线66沿Y方向(第2方向)延伸，与上述的第2导电布线22平行。此外，栅极布线69沿X方向(第1方向)延伸，与上述的第1导电布线21平行。

另外，在本发明的实施方式中，不限定上述的第1导电布线21、第2导电布线22、源极布线66、栅极布线69及电源布线的位置关系。

例如，电源线51及源极布线66也可以与第1导电布线21平行。也可以根据一像素内的薄膜晶体管个数、或者辅助导体75的朝向，改变透明导电膜的图案的朝向。

在多个像素PX的每个中，若接受来自栅极布线69的栅极信号及来自源极布线66的影像信号而第1薄膜晶体管67成为接通，则向像素供给电力的第2薄膜晶体管68的栅电极55被输入接通的信号。经由第2薄膜晶体管68的沟道层58而从第1电源线51向发光元件86供给电流，与其电流量相应地，像素PX(发光元件86)发光。

另外，来自作为开关晶体管的第1薄膜晶体管67的信号(从漏电极的输出)被输出至由未图示的接触孔及第4导电层形成的栅电极55。作为驱动晶体管的第2薄膜晶体管68接受来自栅电极55的信号，从第1电源线51向发光元件86进行电源供给，与其电流量相应地，发光元件86发光。

(第1实施方式的变形例)

在上述实施方式中，说明了作为发光元件CHIP而将红色发光LED、绿色发光LED、蓝色发光LED以矩阵状配置多个的构造。本发明不限于上述的第1实施方式的构造。例如还能够采用后述的变形例。

作为发光元件CHIP，将蓝色发光二极管或者青紫色发光二极管配设于第2基板2。配设了蓝色发光二极管或者青紫色发光二极管后，在绿色像素层叠绿色荧光体，在红色发光的像素层叠红色荧光体。由此，能够在第2基板2简便地形成无机LED。在使用这样的荧光体的情况下，通过从青紫色发光二极管产生的光引起的激励，能够从绿色荧光体及红色荧光体分别得到绿色发光及红色发光。

作为发光元件CHIP，也可以将紫外发光二极管配设于第2基板2。进而，在蓝色像素层叠蓝色荧光体，在绿色像素层叠绿色荧光体，在红色像素层叠红色荧光体。在使用这样的荧光体的情况下，例如能够利用印刷法等简便的手法来形成绿色像素、红色像素、或者蓝色像素。这些像素从各个颜色的发光效率、颜色平衡的观点出发，优选调整像素的大小、或者一像素中配置的发光元件CHIP的个数或面积。

一般而言，LED元件在使用了蓝宝石基板等的制造工序中，有时因为蓝宝石基板面内的偏差而使发光元件的发光峰值波长不均匀。此外，也可能根据制造批次而产生发光峰值波长的不均匀、结晶轴的微妙偏离等发光的不均匀。结晶轴或结晶生长的偏差成为从发光元件的发光层出射的光的偏倚，有时作为显示装置而成为视野角特性的偏倚。为了使这样的偏差均匀化，还能够在一像素中将同色的发光元件配设多个。

另外，在发光元件CHIP以矩阵状配设的第2基板2的检查中，能够将近紫外发光LED、紫色发光LED或者蓝色发光LED用作光源，将来自该光源的发光向第2基板2照射，利用LED(发光元件CHIP)的激励发光。根据需要，也可以是，在该光源中预先组装有λ转换器，观察从作为发光元件CHIP的红色发光LED、绿色发光LED及蓝色发光LED分别发出的激励发光，利用于不合格芯片的检查。在利用激励发光的检查中，能够进行发光元件CHIP的发光不合格、欠缺等外观检查等。

(基于薄膜晶体管的电路形成)

在上述的实施方式中，通过将导电性金属氧化物层或者氧化物半导体的膜形成为所希望的图案，能够形成电阻元件。此外，在第2基板2上形成了以多晶硅半导体为沟道层的薄膜晶体管(有源元件)的矩阵后，在绝缘层形成贯通孔，经由贯通孔，能够层叠作为上述沟道层而使用了氧化物半导体的薄膜晶体管(有源元件)的矩阵。在以多晶硅半导体为沟道层的薄膜晶体管的矩阵上进一步层叠使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的矩阵而得的2层构成中，例如能够将多晶硅薄膜晶体管的栅极布线或栅电极的层、以及氧化物半导体薄膜晶体管的源极布线、源电极、漏电极各自的布线层，用相同的材料、以相同的构成、在作为相同的层而共用的层，分别进行图案形成。

利用使用了电阻元件或n型薄膜晶体管的公知技术，能够构成逆变器电路、SRAM。同样，能够构成ROM电路、NAND电路、NOR电路、触发器、移位寄存器等逻辑电路。氧化物半导体由于漏电流极少，因此，能够形成低消耗电力的电路。此外，由于具有硅半导体所不具备的记忆性(电压保持性)，因此，能够提供良好的存储器元件。或者，在第2基板2中，在将以多晶硅半导体为沟道层的有源元件的矩阵形成为第1层、将作为沟道层而使用了氧化物半导体的有源元件的矩阵形成为第2层的层叠构成中，还能够形成上述存储器、逻辑电路。还能够根据需要，用多晶硅半导体、非晶硅半导体形成沟道层。

通过上述的技术，能够在第1基板1的第2面或第2基板2的第3面形成包含开关元件的电路。

(第2实施方式)

以下，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。

在第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的构件，赋予相同的附图标记，并省略或简化其说明。

图19是表示本发明的第2实施方式所涉及的电子设备E2的截面图。

图20是表示电子设备E2所具备的第3基板的俯视图。

图21是局部地表示电子设备E2的截面图，是表示图19的附图标记D所示的区域的放大图，是沿着X方向的图。另外，在图21中省略了黑矩阵BM。

图22是局部地表示电子设备E2所具备的第2基板的放大图，是局部地表示第2薄膜晶体管的截面图，是沿着X方向的图。

电子设备E2具有具备有机EL的显示部。具体而言，在电子设备E2中，在位于多个凸堤94间的像素开口部97，作为显示功能层6，形成有机EL发光层。另外，在图19中，省略了第3基板3、付随于第3基板3的环形天线或二次电池等的图示。在第2实施方式中，在第1基板1的第2面42上设置的触摸传感部10、对其进行驱动的触摸驱动开关电路18等电路与第1实施方式同样。此外，在第2实施方式中，设置于第2基板2的第3面43的栅极信号开关电路27等电路与第1实施方式同样，不详述。

在第1基板1的第2面42上设置有触摸功能驱动部4，在第2基板2的第3面43上设置有作为有机EL的显示功能层6等。在第3基板3的第5面45上具备环形天线128、磁性体层131、二次电池124、***控制部30等。薄膜晶体管168(第1薄膜晶体管67及第2薄膜晶体管68)使用图18及图22后述。

在图19所示的电子设备E2中，设置有由金属和树脂等缓冲材构成的边缘107。边缘的目的在于基板的角等的欠缺、破损防止。图20示出了环形天线128、二次电池124、磁性体层131在俯视时的配置。不同于第1实施方式，在第2实施方式中，第2天线单元120及第4天线单元140配置于环形天线128的外侧。

此外，第2实施方式所涉及的天线单元的导电图案248具有使第1实施方式的导电图案148的配置旋转了180°后的图案。具体而言，在第2实施方式中，U字形状的导电图案中的沿Y方向延伸的导体部分(将沿X方向延伸的2根导体部分的端部连接的导体部分)位于环形天线128附近。

由此，得到了在小径环形天线164(165)与环形天线128之间配置有导电图案的构造。通过采用这样的配置，能够减少环形天线128对构成天线单元的导电布线的影响。

如图19及图20所示那样，磁性体层131以覆盖环形天线128的方式设置于第5面45上。例如，在作为二次电池124的锂电池的封装件(二次电池外壳)等上层压的金属层134配置于环形天线128附近的情况下，磁性体层131能够出于改善天线效率的目的而使用。在磁性体层131形成有开口部132，在开口部132的内侧配置有第2天线单元120及第4天线单元140。换言之，第2天线单元120及第4天线单元140未被磁性体层131覆盖。在磁性体层131上，设置有二次电池124、***控制部30。

环形天线128、第2天线单元120及第4天线单元140分别经由接触孔或跨接线等(未图示)而与***控制部30电连接。另外，与第1实施方式同样，第1天线单元110及第2天线单元120的小径环形天线在俯视时重叠，第2天线单元120及第4天线单元140的小径环形天线在俯视时重叠。

如图20所示那样，还可以在第3基板3设置开口部G，具备CMOS摄像机等。如图21所示那样，电子设备E2是经由作为透明树脂的粘合层108而将第1基板1与第2基板2贴合起来的有机EL(有机电致发光)显示装置。

如图22所示那样，在第2基板2上，设置有薄膜晶体管168、显示功能层6。显示功能层6是由发光层92及空穴注入层191等构成的有机EL，薄膜晶体管168作为有源元件而驱动发光层92。

如上述那样，本发明的实施方式所涉及的电子设备E2经由天线单元，能够在第1基板1与第3基板3之间，以非接触的方式进行与触摸传感有关的信号的收发、触摸传感所需的电力的供给及接受。此外，能够在具备薄膜晶体管阵列的第2基板2与第3基板3之间，经由天线单元，以非接触的方式，进行与显示功能层的驱动有关的信号的收发及显示功能层的驱动所需的电力的供给及接受。

除此之外，还能够使用设置于第3基板3的环形天线128，进行与电子设备E2的外部之间的通信、以及从外部电源向电子设备E2的给电。

以往，在第1基板1与第3基板3之间的电连接、以及第2基板2与第3基板3之间的电连接中，进行使用FPC连接器的繁琐安装。与此相对，电子设备E2不仅具备进行非接触方式的信号的收发的功能、以及进行非接触方式的电力的供给及接受的功能，而且还通过采用边框区域72中的总体密封构造、即通过仅形成密封部36而实现的密封构造，能够极其简化电子设备E2的构造。此外，通过边框区域72中的边缘，能够获得简单地实现基板间的安装的效果。由于能够实现总体密封构造，因此，获得了高等级的防水性。另外，在密封部36的密封剂中能够应用光固化性、热固化性的树脂等。

另外，第1实施方式及第2实施方式所涉及的环形天线也可以是，以比小径环形天线的大小大的尺寸，使相互不同卷绕方向(反向卷绕)的环形天线相邻地配置。

另外，上述的实施方式所涉及的电子设备并不是否定罩玻璃或圆偏光板的使用，也可以将这些构件用于电子设备。

上述的实施方式所涉及的显示装置能够进行各种应用。作为能够应用上述实施方式所涉及的显示装置的电子设备，能够列举出移动电话、便携式游戏机、便携式信息终端、个人计算机、电子书籍、视频摄像机、数字流摄像机、头安装显示器、导航***、声学再现装置(汽车音响、数字音频播放器等)、复印机、传真机、打印机、打印机复合机、自动销售机、现金自动存取机(ATM)、个人认证设备、光通信设备等。上述的各实施方式能够自由地组合使用。

说明了本发明的优选的实施方式，上述所说明的内容只是本发明的示例，不应该认为构成限定。追加、省略、置换及其他变更能够在不脱离本发明的范围内进行。因此，本发明不应该被认定为由上述说明限定，而应该由权利要求书限定。

附图标记的说明

1第1基板

2第2基板

3第3基板

4 触摸功能驱动部

5 触摸传感布线单元

6 显示功能层

7 显示功能驱动部

8A第1导电性金属氧化物层(导电性金属氧化物层)

8B铜合金层

8C第2导电性金属氧化物层(导电性金属氧化物层)

10触摸传感部

13第3绝缘层

15 电力接受部

16 电源控制部

17 触摸驱动控制部

18 触摸驱动开关电路

19 触摸感测开关电路

20 触摸信号收发控制部

21第1导电布线(导电布线)

22第2导电布线(导电布线)

23第1光吸收层(光吸收层)

24第2光吸收层(光吸收层)

25检波·AD变换部

26 源极信号开关电路

27 栅极信号开关电路

28第2电力接受部

29 影像信号接收部

30 ***控制部

31、32 重叠部

34 导电性屏蔽层

34A第1导电性金属氧化物层(导电性金属氧化物层)

34B铜合金层

34C第2导电性金属氧化金层(导电性金属氧化物层)

36密封部

37第4绝缘层

38第5绝缘层(绝缘层)

39第6绝缘层

40显示部

41第1面

42第2面

43第3面

44第4面

45第5面

46第6面

47第4绝缘层

48第2绝缘层

49第1绝缘层

50、51电源线

51第1电源线(电源线)

52第2电源线(电源线)

54 源电极

55 栅电极

56 漏电极

58 沟道层

59第2电源控制部

60、61 连接用垫片

66 源极布线

67第1薄膜晶体管(薄膜晶体管)

68第2薄膜晶体管(薄膜晶体管)

69 栅极布线

71 有效显示区域

72边框区域(边框部)

74 重叠部

75 辅助导体

76 透明导电膜

77 接合层

78 上表面

79 电容元件

81 源极信号电路

82 扫描驱动电路

86 发光元件

87 上部电极

88 下部电极

89 反射电极

90 n型半导体层

91 p型半导体层

92 发光层

93 接触孔

94 凸堤

95第2平坦化层

96第1平坦化层

97 像素开口部

108 粘合层

109 密封层

110第1天线单元(天线单元)

111、112、113、114、115、116、117、118天线对

120第2天线单元(天线单元)

123 充电控制部

124 二次电池

125 切换部

126 NFC通信部

127 天线部

128环形天线

130第3天线单元(天线单元)

131 磁性体层

132 开口部

134 金属层

137、138、148、248导电图案

140第4天线单元(天线单元)

141、142 环形布线

143、144 引出线

150 托架

151给电侧天线(天线)

152适配器

153第3薄膜晶体管

154 源电极

155 栅电极

156 漏电极

157 源极布线

158 沟道层

164、164A、164B、165、165A、165B小径环形天线

166 中心线

168 薄膜晶体管

170 重叠部

171 角部

191 空穴注入层

E1、E2电子设备

G开口部

PX像素开口部(像素)

Claims (12)

1.一种电子设备，

具备：

显示区域及边框区域，在从观察方向观察的俯视时，上述边框区域位于上述显示区域的周围；

第1基板，具备第1面和第2面；

第2基板，具备第3面和第4面；

第3基板，具备第5面和第6面；以及

控制部，控制触摸传感功能、显示功能、通信功能及非接触充电功能；

在从上述观察方向观察时，上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板依次层叠，

上述第1基板在上述第2面具备触摸传感功能层，该触摸传感功能层使可见光区的光透射，包含静电电容方式的触摸传感布线单元及第1天线单元，

在上述第2面与上述第3面之间设置有显示功能层，

上述第2基板在上述第3面具备对上述显示功能层进行驱动的薄膜晶体管阵列及第3天线单元，

上述第3基板在上述第5面具备至少进行上述电子设备的外部与内部之间的通信功能和上述电子设备从外部的非接触充电功能的环形天线、第2天线单元及第4天线单元，

上述第1天线单元与上述第2天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠，

上述第3天线单元与上述第4天线单元在从上述观察方向观察的俯视时重叠。

2.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述显示功能层由多个发光二极管元件构成。

3.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述显示功能层由多个有机EL元件构成。

4.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述触摸传感布线单元具有：

多个第1导电布线，沿第1方向平行地延伸；

绝缘层；以及

多个第2导电布线，经由上述绝缘层而层叠于上述第1导电布线，并且沿与上述第1方向正交的第2方向平行地延伸。

5.如权利要求4所述的电子设备，其中，

具备：

光吸收层，在从上述观察方向观察时，设置于上述第1导电布线上及上述第2导电布线上。

6.如权利要求4所述的电子设备，其中，

上述第1导电布线及上述第2导电布线具有至少包含铜层或者铜合金层的2层以上的多层构成。

7.如权利要求4所述的电子设备，其中，

上述第1导电布线及上述第2导电布线具备：

至少铜层或者铜合金层；以及

光吸收层，在从上述观察方向观察时，设置于上述第1导电布线及上述第2导电布线各自的表侧及里侧。

8.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述第1天线单元、上述第2天线单元、上述第3天线单元及上述第4天线单元各自的尺寸比上述环形天线的尺寸小，

在从上述观察方向观察的俯视时，上述第1天线单元、上述第2天线单元、上述第3天线单元及上述第4天线单元配设于不与上述环形天线重叠的位置。

9.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述第1天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第1环形天线，

上述第2天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第2环形天线，

上述2个第1环形天线中的一方、以及上述2个第2环形天线中的一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行与触摸传感有关的信号的收发，

上述2个第1环形天线中的另一方、以及上述2个第2环形天线中的另一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行触摸传感所需的电力的供给及接受。

10.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述第3天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第3环形天线，

上述第4天线单元包含卷绕圈数为2以上且卷绕方向相互相反的2个第4环形天线，

上述2个第3环形天线中的一方、以及上述2个第4环形天线中的一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行与显示功能层的驱动有关的信号的收发，

上述2个第3环形天线中的另一方、以及上述2个第4环形天线中的另一方，卷绕方向相同且在俯视时重叠，非接触地进行显示功能层的驱动所需的电力的供给及接受。

11.如权利要求1所述的电子设备，其中，

上述第1天线单元及上述第2天线单元分别在俯视时被导电图案局部地包围，

上述第3天线单元及上述第4天线单元分别在俯视时被导电图案局部地包围。

12.如权利要求1所述的电子设备，其中，

构成上述薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管至少具有由氧化物半导体构成的沟道层。