JPWO2019138565A1 - 電子機器 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 474
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 258
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 48
- 230000009351 contact transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 124
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 72
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 15
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 3
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 3
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000154870 Viola adunca Species 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006913 SnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 244000172533 Viola sororia Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N [Li].[S] Chemical compound [Li].[S] JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002641 lithium Chemical class 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000652 nickel hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
特許文献1から特許文献7のいずれにおいても、以下に詳述する複数のアンテナユニットにそれぞれにおいて個別に行われる信号の送受信、及び、個別に行われる電力供給によって、タッチセンシング機能及び表示機能を実現する技術が開示されていない。
[1]電子機器であって、
観察方向から見た平面視において、表示領域と、前記表示領域の周囲に位置する額縁領域と、
第1面と第2面を具備する第1基板と、
第3面と第4面を具備する第2基板と、
第5面と第6面を具備する第3基板と、
タッチセンシング機能、表示機能、通信機能、及び非接触充電機能を制御する制御部と、
を備え、
前記観察方向から見て、前記第1基板、前記第2基板、及び前記第3基板はこの順で積層されており、
前記第1基板は、可視域の光を透過し、静電容量方式のタッチセンシング配線ユニットと第1アンテナユニットとを含むタッチセンシング機能層を前記第2面に備え、
前記第1基板の厚み及び前記第3基板の厚みの各々は、前記第2基板の厚みより大きく、
前記第2面と前記第3面との間に、表示機能層が設けられており、
前記第2基板は、前記表示機能層を駆動する薄膜トランジスタアレイ及び第3アンテナユニットを前記第3面に備え、
前記第3基板は、少なくとも、前記電子機器の外部と内部との間の通信機能及び前記電子機器の外部からの非接触充電機能を行うループアンテナと、第2アンテナユニットと、第4アンテナユニットとを、前記第5面に備え、
前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットは、前記観察方向から見た平面視において重畳し、
前記第3アンテナユニット及び前記第4アンテナユニットは、前記観察方向から見た平面視において重畳し、
前記第2基板は、導電性シールド層を前記第4面に備える、
電子機器。
[2]前記導電性シールド層は、少なくとも、光吸収層と金属層を含む、[1]に記載の電子機器。
[3]前記導電性シールド層は、熱伝導率が100W/(m・K)以上の熱伝導層を含む、[1]に記載の電子機器。
[4]前記第1基板、前記第2基板、及び前記第3基板のそれぞれの熱伝導率は、1W/(m・K)以上である、[1]に記載の電子機器。
[5]前記第1基板及び前記第3基板を構成する基板のモース硬度は、6〜10の範囲にある、[1]に記載の電子機器。
以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成等の図示や一部の図示が省略されている。また、本発明の実施形態を分かり易く説明するため、電気的な回路要素、表示機能層などの図示を簡略化することがある。
なお、以下の説明において、「平面視」は、「観察者側から電子機器を見た観察方向における平面視」を意味している。あるいは、観察者方向(観察者Pが電子機器を見た方向)から見た図を、単に、平面図と言うことがある。
本発明の実施形態に係る電子機器に用いられる基板上に形成される配線、例えば、第1導電配線、第2導電配線、薄膜トランジスタを駆動するソース配線、ゲート配線、電源線やアンテナを含む配線は、熱伝導性の良好な銅配線あるいは銅合金配線を含む配線を用いることが好ましい。LEDや有機ELなどの発光素子(発光ダイオード素子)を形成する第2基板の第4面に、熱伝導性の良い金属層あるいは熱伝導性の良い光吸収層を導電性シールド層の構成に含むことが好ましい。
(電子機器の機能構成)
以下、本発明の第1実施形態に係る電子機器E1を、図1から図18を参照しながら説明する。第1実施形態に係る電子機器E1においては、表示機能層として、マイクロLEDと呼称される複数個の発光ダイオード素子が用いられている。例えば、薄膜トランジスタアレイ上に、赤色発光ダイオード素子、緑色発光ダイオード素子、及び青色発光ダイオード素子を複数マトリクス状に配列して表示部が形成されている。
タッチセンシング部10(タッチセンシング機能層)は、第1アンテナユニット110、タッチ機能駆動部4、及びタッチセンシング配線ユニット5を備える。第1アンテナユニット110及びタッチセンシング配線ユニット5は、タッチ機能駆動部4と電気的に接続されている。タッチセンシング部10において、タッチ機能駆動部4は、タッチセンシング配線ユニット5を用いてタッチセンシング機能(例えば、静電容量方式のタッチセンシング機能)を制御する。
第1アンテナユニット110、タッチ機能駆動部4、及びタッチセンシング配線ユニット5は、後述する第1基板1の第2面42に配設されている。第1アンテナユニット110は、観察者側から見た平面視において、後述する第3基板3に設けられた第2アンテナユニット120と重畳する。
表示部40は、第1基板1の第2面42と、後述する第2基板2の第3面43との間に配設されており、表示機能層6、表示機能駆動部7、及び第3アンテナユニット130を備える。第3アンテナユニット130及び表示機能層6は、表示機能駆動部7と電気的に接続されている。表示部40において、表示機能駆動部7(薄膜トランジスタアレイ)は、表示機能層6を制御する。
表示機能層6、表示機能駆動部7、及び第3アンテナユニット130は、後述する第2基板2の第3面43に配設されている。上述したように、表示機能層6は、複数の発光ダイオード素子と薄膜トランジスタアレイで構成される。第3アンテナユニット130は、観察者側から見た平面視において、第3基板3に設けられた第4アンテナユニット140と重畳する。
システム制御部30は、CPU(Central Processing Unit)122、充電制御部123、切り替え部125、NFC通信部126(Near Field Communication)、アンテナ部127、第2アンテナユニット120、及び第4アンテナユニット140、二次電池124を備える。また、後述するように、二次電池124は、システム制御部30の隣接する位置に設けられている。
CPU122は、二次電池124、第2アンテナユニット120、第4アンテナユニット140、充電制御部123、切り替え部125、及びNFC通信部126と電気的に接続されている。充電制御部123及びNFC通信部126は、切り替え部125と電気的に接続されている。アンテナ部127は、充電制御部123、切り替え部125、及びNFC通信部126と電気的に接続されている。
図1に示されるクレードル150は、本発明の第1実施形態に係る電子機器E1やスマートフォンなどの携帯端末、ウエアラブル機器を充電する機能を有しており、電力給電部として機能する。クレードル150は、電磁誘導方式による複数の給電側アンテナ151を具備し、電子機器E1は、これらの1以上のアンテナ151から非接触での電力供給を受けることができる。クレードル150は、複数の給電側アンテナ151のいずれかを選択するアンテナ切り替え部を有する。クレードル150は、例えば、ACアダプタ152を介して、100Vや220V等の外部電源と接続されている。
図2は、電子機器E1を構成する第1基板1を示す平面図である。なお、図2は、観察者から第1基板を見た平面図であるが、遮光性を有するブラックマトリクスを透視するように第1基板上に設けられた構成要素が示されている。
第1基板1は、可視域の光を透過する光透過性の透明基板であり、公知の材料によって形成されている。図2に示すように、第1基板1の第2面42上には、ブラックマトリクスBM、第1導電配線21、第2導電配線22、第1アンテナユニット110、電力受電部15、電源制御部16、タッチ駆動制御部17、タッチ駆動スイッチング回路18、タッチ検知スイッチング回路19、タッチ信号送受信制御部20、及び検波・AD変換部25が設けられている。
また、ブラックマトリクスBMを必ずしも形成する必要はなく、ブラックマトリクスBMを第1基板1に形成しなくてもよい。額縁領域72は、後述するように、金属を含む細い縁取りであってもよく、この場合、縁取りにはブラックマトリクスBMの形成を省くことができる。
図2に示すように、タッチセンシング配線ユニット5は、X方向(第1方向)に平行に延在される複数の第1導電配線21と、Y方向(第2方向)に並行に延在される複数の第2導電配線22とで構成される。すなわち、複数の第1導電配線21及び複数の第2導電配線22は、互いに直交するように延在している。
また、タッチセンシング配線ユニット5の積層構造においては、絶縁層38(第5絶縁層38、図4参照)を介して、複数の第2導電配線22は、複数の第1導電配線21上に積層されている。
なお、第2導電配線22の一部は、電気的接続用のスルーホールと絶縁層とを介して、第1アンテナユニット110を構成する第1導電配線に積層され、即ち、2層構造の配線に適用することができる。
符号112に示されたアンテナ対は、第2アンテナユニット120のアンテナ対116と第1アンテナユニット110のアンテナ対112との間で、タッチセンシングに必要な電力の供給及び受電を非接触で行うために用いられる。
なお、小径ループアンテナは、導電配線を同一平面上にスパイラル状に形成することによって構成され、第1基板の平面に実装可能な小径ループアンテナであってもよい。
図3に示すように、第3薄膜トランジスタ153は、ボトムゲート構造を有しており、第1基板1の額縁領域72に形成されている。第3薄膜トランジスタ153は、第4絶縁層37を介して第1基板1の第2面42に形成される。なお、図3に示す例では、第2面42上にブラックマトリクスBMが形成され、ブラックマトリクスBM上に第4絶縁層37が形成されている構造を採用されているが、ブラックマトリクスを第2面42上に形成しなくてもよい。
第1導電配線21は、第1導電性金属酸化物層8Aと第2導電性金属酸化物層8Cとによって銅合金層8B(あるいは銅層)が挟持された構成を有する。第1導電性金属酸化物層8A及び第2導電性金属酸化物層8Cの各々の膜厚は、例えば、10nmから100nmの範囲から選択できる。銅合金層8B(あるいは銅層)の膜厚は、例えば、50nmから2000nmの範囲から選択できる。あるいは、2000nmより厚く形成することもできる。これら導電性金属酸化物層8A、8Cや銅合金層8Bの成膜方法としては、スパッタリング等の真空成膜法を用いることができる。銅合金層8Bの形成にメッキ法を併用する場合、上記膜厚より厚く形成してもよい。第2導電配線22も、第1導電配線21と同じ構造である。
次に、銅合金層8Bについて具体的に説明する。
銅合金層8Bは、例えば、銅に固溶する第1元素と、銅及び第1元素より電気陰性度が小さい第2元素とを含む。第1元素及び前記第2元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が1μΩcm/at%以下の元素である。銅合金層の比抵抗は、1.9μΩcmから6μΩcmの範囲内にある。本実施形態において、銅と固溶する元素とは、車載向け含む電子機器の使用範囲である−(マイナス)40℃から+(プラス)80℃の温度領域で、銅に対して安定した置換型固溶が得られる元素であると言い換えることができる。また、元素(複数種でもよい)の銅への添加量は、その銅合金の電気抵抗率(比抵抗と同義)が6μΩcmを超えない範囲であればよい。マトリクス母材を銅とする場合に、銅に対し、広い固溶域を持つ金属は、金(Au)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、パラジウム(Pd)、マンガン(Mn)が例示できる。アルミニウム(Al)は広くはないが、銅への固溶域を持つ。
次に、上述した第1導電性金属酸化物層8A及び第2導電性金属酸化物層8C、及び、後述する第3導電性金属酸化物層及び第4導電性金属酸化物層の構造について説明する。以下、第1〜第4導電性金属酸化物層を単に導電性金属酸化物層と呼称する。
図5は、電子機器E1を構成する第2基板2を示す平面図である。
図5に示すように、第2基板2の第3面43上には、不図示の薄膜トランジスタアレイ、発光素子CHIP(LEDチップ、発光ダイオード素子)、第3アンテナユニット130などを含む表示部40が設けられている。具体的に、第3面43上には、第3アンテナユニット130、ソース信号スイッチング回路26、ゲート信号スイッチング回路27、第2電力受電部28、映像信号受信部29、第2電源制御部59等の回路などが設けられている。第2電源制御部59は、昇圧回路を含むことが望ましい。
図5に示されるソース信号スイッチング回路26、ゲート信号スイッチング回路27、第2電力受電部28、映像信号受信部29、第2電源制御部59等は、本発明の第1実施形態に係る表示機能駆動部7に相当する。
符号114に示されたアンテナ対は、第4アンテナユニット140のアンテナ対118との間で、表示機能層の駆動に必要な電力の供給及び受電を非接触で行うために用いられる。
小径ループアンテナの巻き数は、例えば、2から25の範囲から選択できる。
図7は、電子機器E1を構成する第3基板3を示す平面図である。
第3基板3は、第5面45と、第5面45とは反対側の第6面46とを有する(図8参照)。
図7に示すように、第3基板3の第5面45上には、ループアンテナ128、第2アンテナユニット120、第4アンテナユニット140、磁性体層131、二次電池124、システム制御部30などが設けられている。また、このように第3基板3上に形成される部材は、図1に示すように、第2基板2の第4面44と第3基板3の第5面45との間に設けられている。
第4アンテナユニット140は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が2以上である小径ループアンテナが一対となって構成されたアンテナ対(第4ループアンテナ)を2組含み、具体的に、アンテナ対117、118とを備える。
第2アンテナユニット120のアンテナ対115は、第1アンテナユニット110のアンテナ対111と、巻き方向が同じであり、重畳している。第2アンテナユニット120のアンテナ対116は、第1アンテナユニット110のアンテナ対112と、巻き方向が同じであり、重畳している。第4アンテナユニット140のアンテナ対117は、第3アンテナユニット130のアンテナ対113と、巻き方向が同じであり、重畳している。第4アンテナユニット140のアンテナ対118は、第3アンテナユニット130のアンテナ対114と、巻き方向が同じであり、重畳している。第1アンテナユニット110と第2アンテナユニット120との間の重畳関係、及び、第3アンテナユニット130と第4アンテナユニット140との間の重畳関係については後述する。
図8に示すように、第3基板3の第5面45上に、ループアンテナ128、第2アンテナユニット120、及び第4アンテナユニット140が設けられている。また、ループアンテナ128を覆うように、磁性体層131が第5面45上に設けられている。また、磁性体層131には開口部132が形成されており、開口部132の内側に第2アンテナユニット120及び第4アンテナユニット140が配置されている。換言すると、第2アンテナユニット120及び第4アンテナユニット140は、磁性体層131で覆われていない。
図9は、電子機器E1を部分的に示す断面図であって、図8の符号Bで示された領域を示す拡大図である。なお、図9では、ブラックマトリクスBMが省略されている。
図10は、電子機器E1が備える第2基板2を部分的に示す拡大図であり、第2基板2上に設けられた発光素子CHIP及び第2薄膜トランジスタ68(薄膜トランジスタ168)を中心的に示した断面図である。
図11は、電子機器E1に搭載される発光素子CHIPを示す図であって、図10の符号Cで示された領域を拡大して示す発光素子CHIPを示す断面図である。
発光素子CHIPを構成する下部電極88は、接合層77を介して反射電極89と電気的に連携されている。反射電極89は、コンタクトホール93を介して、発光素子CHIPを駆動する駆動トランジスタとして機能する第2薄膜トランジスタ68と接続されている。
上部電極87の表層(表面の層)は、導電性金属酸化物で形成されている。補助導体75及び透明導電膜76は、銅あるいは銅合金が導電性金属酸化物で挟持された構造を有する導電層であり、同じレイヤ、同じ工程で形成されている。図10において、補助導体75は、例えば、紙面の前後方向、即ち、Y方向に延在している。補助導体75は、X方向に延在する第2電源線52(図18参照)と連絡している。平面視における第1電源線51及び第2電源線52の配置については、図18を参照して後述する。
反射電極89の表面は、インジウム酸化物を含む複合酸化物(導電性金属酸化物)、あるいは、銀合金などで形成できる。インジウム酸化物を含む複合酸化物、あるいは、銀合金で反射電極89の表面を形成することで、上述した接合層77と反射電極89との電気的接続が容易になる。なお、反射電極89の面積が開口部に占める割合を小さくすることで、第2光吸収層24による「黒色」を活用できる。
発光素子CHIPは、上部電極87、n型半導体層90、発光層92、p型半導体層91、及び下部電極88が、この順で積層された構造を有する。換言すると、発光素子CHIPは、下部電極88上に、p型半導体層91、発光層92、n型半導体層90、及び上部電極87がこの順で積層された構成を有する。図11に示すように、LED発光に用いられる電極は、異なる面に形成され、互いに対向する面に形成されている。また、互いに平行となるように積層されているn型半導体層90及びp型半導体層91の各々に対向する面の外側に上部電極87及び下部電極88が配置されている。このような構造を有する発光素子CHIPを本実施形態では、垂直型発光ダイオードと呼称している。断面視において、LED構造が、角錐形状等の異型である場合、本発明の垂直型発光ダイオードに含めない。LED構造において片側の面に電極が並ぶように形成される構造、あるいは、水平方向に電極が並ぶように形成される構造は、水平型発光ダイオードと呼ぶ。
具体的に、重なり部74は、角部171において透明導電膜76と上部電極87との間に位置しており、例えば、5°から70°の角度θで上部電極87の面に対して傾斜している。このように重なり部74が傾斜を有することで、透明導電膜76の断線を防ぐことができる。
図10は、反射電極89(画素電極)に接続されているアクティブ素子として用いられるトップゲート構造を有する薄膜トランジスタ(TFT)の構造の一例を示している。なお、図10においては、第1基板1や第3基板3などの周辺部材を省略している。
なお、上述した図10に示す薄膜トランジスタは、後述する第2実施形態に係る電子機器(図22参照)に適用することもできる。
次に、図12から図15を用いて、電子機器E1を構成するアンテナユニット110、120、130、140の構成を説明する。
図12は、電子機器E1を構成する第1基板1の第2面42に形成された第1アンテナユニット110を拡大して示す部分平面図であり、第1アンテナユニット110を構成する2組のループアンテナのうち片方のループアンテナを示す図である。
図13は、電子機器E1を構成する第1基板1の第2面42に形成された第1アンテナユニット110を拡大して示す図であって、図12のC−C’線に沿う第1アンテナユニット110を示す断面図である。
図14は、電子機器E1を構成する第1基板1の第2面42に形成された第1アンテナユニット110のアンテナ対と、第2基板の第3面に形成された第2アンテナユニット120のアンテナ対との重なりを示す斜視図である。
図15は、小径ループアンテナの周囲を導体で囲った場合において渦電流の発生を説明するための説明図である。
また、図14においては、代表として、第1アンテナユニット110のアンテナ対111と、第2アンテナユニット120のアンテナ対115との重なりについて説明するが、第1アンテナユニット110のアンテナ対112と、第2アンテナユニット120のアンテナ対116との重なり、及び、第3アンテナユニット130のアンテナ対113、114と、第4アンテナユニット140のアンテナ対117、118との重なりについても、同様の構造を採用することができる。また、以下の説明では、単に「アンテナユニット」と称する場合がある。
小径ループアンテナ164は、上述した導電配線と同じ積層構造を有する、ループ配線141及び引き出し線143を有する。ループ配線141は、接続用パッド60を介して、引き出し線143と電気的に接続されている。
同様に、小径ループアンテナ165は、上述した導電配線と同じ積層構造を有する、ループ配線142及び引き出し線144を有する。ループ配線142は、接続用パッド61を介して、引き出し線144と電気的に接続されている。
さらに、後述するように、本発明の実施形態に係るアンテナユニットにおいては、小径ループアンテナ164、165を囲うように略U字形状の導電パターン148(137、138)が形成されている。
(a)巻き数を増やすこと
(b)例えば、13.56MHz等の周波数を前提にカードサイズ等の大きなアンテナ径を確保すること
(c)導電配線の導電率を確保すること等
ここで、アンテナ径とは、アンテナの平面視において、長軸と短軸との平均値を目安としている。その一方、本発明の実施形態に係る小径ループアンテナの通信距離は、有機EL層に用いる封止層の厚みや液晶層の厚み、或いは、ガラスなどの基板の厚みを考慮して設定すればよい。例えば、その距離は、1μm〜10000μm程度の短い距離でよいため、上述した制限は、殆どなくなる。換言すれば、本発明の実施形態に係る小径ループアンテナの通信距離は、一般的なRFIDと異なり1μmから10000μm程度の短い距離でよいため、表示機能層等の駆動回路へのノイズ影響を極めて小さくすることができる。本発明の実施形態に係る小径ループアンテナの遠方放射強度は小さく、通常のアンテナの共振周波数の法的制限を殆ど受けない。
導電パターン137、138には熱伝導性の良い金属を用いることができ、小径ループアンテナに発生する熱の放散効果(放熱フィンの役割)を付与することができる。
加えて、第3基板3に設けられたループアンテナ128を用いて、電子機器E1の外部との通信、及び、外部電源から電子機器E1への給電を行うことができる。
従って、従来のFPC(フレキシブルプリント基板)を用いた実装構造を、第1基板、第2基板、及び第3基板の各々において、省くことができる。更に、表示装置として額縁領域72の幅を小さくすることができ、かつ、電子機器の組み立てが極めて簡便となる。
図7及び図8に示すように、磁性体層131は、第5面45上に設けられている。例えば、二次電池124であるリチウム電池のパッケージ(二次電池ケーシング)などにラミネートされている金属層がループアンテナ128の近くに配置されている場合に、磁性体層131は、アンテナ効率を改善する目的で用いることができる。
充電台であるクレードル150や、RF−IDのリーダライタが動作して、ループアンテナ128に磁界(磁束ループ)が形成される時に、磁界を打ち消す方向に金属層134に渦電流が発生し、同時の反磁界が形成される。このため、ループアンテナ128の磁束ループに歪みを生じ、アンテナの効率を低下させてしまう。なお、図16に示す金属層134は、例えば、リチウム電池などの樹脂でラミネートされた金属パッケージや固体リチウム電池などの導電層を意味する。
図17に示すように、金属層134とループアンテナ128の間に磁性体層131を挿入することで、磁束ループ形状が保たれ、アンテナ効率を高めることができる。
図18は、薄膜トランジスタを用いた発光ダイオード素子を駆動する代表的な回路図である。本発明の第1実施形態では発光ダイオード素子として、LEDあるいは有機ELを例示している。複数の画素PXはマトリクス状に配置されている。以下、画素PXを画素開口部PXと記載することがある。
なお、本発明の実施形態においては、上述した第1導電配線21、第2導電配線22、ソース配線66、ゲート配線69、及び電源配線の位置関係を限定しない。
上記実施形態では、発光素子CHIPとして赤色発光LED、緑色発光LED、青色発光LEDをマトリクス状に複数配置する構造を説明した。本発明は、上述した第1実施形態の構造に限定されない。例えば、後述する変形例を採用することもできる。
上述した実施形態においては、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜を所望のパターンに形成することで抵抗素子を形成することができる。また、第2基板2上にポリシリコン半導体をチャネル層とする薄膜トランジスタ(アクティブ素子)のマトリクスを形成した後、絶縁層にスルーホールを形成し、スルーホールを介して、前記チャネル層として酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ(アクティブ素子)のマトリクスを積層することができる。ポリシリコン半導体をチャネル層とする薄膜トランジスタのマトリクス上に、さらに、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタのマトリクスを積層する2階建て構成では、例えば、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート配線やゲート電極のレイヤと、酸化物半導体薄膜トランジスタのソース配線、ソース電極、ドレイン電極のそれぞれ配線層とを、同じ材料、同じ構成、同じレイヤとして共通した層でそれぞれパターン形成できる。
上記の技術により、第1基板1の第2面や第2基板2の第3面に、スイッチング素子を含む回路形成ができる。
以下、図面を参照しながら本発明の第2実施形態について説明する。
第2実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図20は、電子機器E2が備える第3基板を示す平面図である。
図21は、電子機器E2を部分的に示す断面図であって、図19の符号Dで示された領域を示す拡大図であり、X方向に沿う図である。なお、図21では、ブラックマトリクスBMが省略されている。
図22は、電子機器E2が備える第2基板を部分的に示す拡大図であって、第2薄膜トランジスタを部分的に示す断面図であり、X方向に沿う図である。
これにより、小径ループアンテナ164(165)とループアンテナ128との間に導電パターンが配置された構造が得られている。このような配置を採用することによって、アンテナユニットを構成する導電配線に対するループアンテナ128の影響を低減することができる。
加えて、第3基板3に設けられたループアンテナ128を用いて、電子機器E2の外部との通信、及び、外部電源から電子機器E2への給電を行うことができる。
なお、上述した実施形態に係る電子機器は、カバーガラスや円偏光板の使用を否定するものでなく、これらの部材を電子機器に用いてもよい。
2 第2基板
3 第3基板
4 タッチ機能駆動部
5 タッチセンシング配線ユニット
6 表示機能層
7 表示機能駆動部
8A 第1導電性金属酸化物層(導電性金属酸化物層)
8B 銅合金層
8C 第2導電性金属酸化物層(導電性金属酸化物層)
10 タッチセンシング部
13 第3絶縁層
15 電力受電部
16 電源制御部
17 タッチ駆動制御部
18 タッチ駆動スイッチング回路
19 タッチ検知スイッチング回路
20 タッチ信号送受信制御部
21 第1導電配線(導電配線)
22 第2導電配線(導電配線)
23 第1光吸収層(光吸収層)
24 第2光吸収層(光吸収層)
25 検波・AD変換部
26 ソース信号スイッチング回路
27 ゲート信号スイッチング回路
28 第2電力受電部
29 映像信号受信部
30 システム制御部
31、32 重畳部
34 導電性シールド層
34A 第1導電性金属酸化物層(導電性金属酸化物層)
34B 銅合金層
34C 第2導電性金属酸化金層(導電性金属酸化物層)
36 シール部
37 第4絶縁層
38 第5絶縁層(絶縁層)
39 第6絶縁層
40 表示部
41 第1面
42 第2面
43 第3面
44 第4面
45 第5面
46 第6面
47 第4絶縁層
48 第2絶縁層
49 第1絶縁層
50、51 電源線
51 第1電源線(電源線)
52 第2電源線(電源線)
54 ソース電極
55 ゲート電極
56 ドレイン電極
58 チャネル層
59 第2電源制御部
60、61 接続用パッド
66 ソース配線
67 第1薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)
68 第2薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)
69 ゲート配線
71 有効表示領域
72 額縁領域(額縁部)
74 重なり部
75 補助導体
76 透明導電膜
77 接合層
78 上面
79 容量素子
81 ソース信号回路
82 走査駆動回路
86 発光素子
87 上部電極
88 下部電極
89 反射電極
90 n型半導体層
91 p型半導体層
92 発光層
93 コンタクトホール
94 バンク
95 第2平坦化層
96 第1平坦化層
97 画素開口部
108 接着層
109 封止層
110 第1アンテナユニット(アンテナユニット)
111、112、113、114、115、116、117、118 アンテナ対
120 第2アンテナユニット(アンテナユニット)
123 充電制御部
124 二次電池
125 切り替え部
126 NFC通信部
127 アンテナ部
128 ループアンテナ
130 第3アンテナユニット(アンテナユニット)
131 磁性体層
132 開口部
134 金属層
137、138、148、248 導電パターン
140 第4アンテナユニット(アンテナユニット)
141、142 ループ配線
143、144 引き出し線
150 クレードル
151 給電側アンテナ(アンテナ)
152 アダプタ
153 第3薄膜トランジスタ
154 ソース電極
155 ゲート電極
156 ドレイン電極
157 ソース配線
158 チャネル層
164、164A、164B、165、165A、165B 小径ループアンテナ
166 中心線
168 薄膜トランジスタ
170 重畳部
171 角部
191 ホール注入層
E1、E2 電子機器
G 開口部
PX 画素開口部(画素)
Claims (12)
- 電子機器であって、
観察方向から見た平面視において、表示領域と、前記表示領域の周囲に位置する額縁領域と、
第1面と第2面を具備する第1基板と、
第3面と第4面を具備する第2基板と、
第5面と第6面を具備する第3基板と、
タッチセンシング機能、表示機能、通信機能、及び非接触充電機能を制御する制御部と、
を備え、
前記観察方向から見て、前記第1基板、前記第2基板、及び前記第3基板はこの順で積層されており、
前記第1基板は、可視域の光を透過し、静電容量方式のタッチセンシング配線ユニット及び第1アンテナユニットを含むタッチセンシング機能層を前記第2面に備え、
前記第2面と前記第3面との間に、表示機能層が設けられており、
前記第2基板は、前記表示機能層を駆動する薄膜トランジスタアレイ及び第3アンテナユニットを前記第3面に備え、
前記第3基板は、少なくとも、前記電子機器の外部と内部との間の通信機能及び前記電子機器の外部からの非接触充電機能を行うループアンテナと、第2アンテナユニットと、第4アンテナユニットと、を前記第5面に備え、
前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットは、前記観察方向から見た平面視において重畳し、
前記第3アンテナユニット及び前記第4アンテナユニットは、前記観察方向から見た平面視において重畳している、
電子機器。 - 前記表示機能層は、複数の発光ダイオード素子で構成される、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記表示機能層は、複数の有機EL素子で構成される、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記タッチセンシング配線ユニットは、
第1方向に平行に延在する複数の第1導電配線と、
絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記第1導電配線に積層され、かつ、前記第1方向に直交する第2方向に平行に延在する複数の第2導電配線と、
を有する、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記観察方向から見て、前記第1導電配線上及び前記第2導電配線上に設けられた光吸収層を備える、
請求項4に記載の電子機器。 - 前記第1導電配線及び前記第2導電配線は、少なくとも銅層あるいは銅合金層を含む2層以上の多層構成を有する、
請求項4に記載の電子機器。 - 前記第1導電配線及び前記第2導電配線は、
少なくとも銅層あるいは銅合金層と、
前記観察方向から見て、前記第1導電配線及び前記第2導電配線の各々の表側及び裏側に設けられた光吸収層と、を備える、
請求項4に記載の電子機器。 - 前記第1アンテナユニット、前記第2アンテナユニット、前記第3アンテナユニット、及び前記第4アンテナユニットの各々のサイズは、前記ループアンテナのサイズより小さく、
前記第1アンテナユニット、前記第2アンテナユニット、前記第3アンテナユニット、及び前記第4アンテナユニットは、前記観察方向から見た平面視において、前記ループアンテナと重畳しない位置に配設されている、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記第1アンテナユニットは、巻き数が2以上で、かつ、巻き方向が互いに逆である、2つの第1ループアンテナを含み、
前記第2アンテナユニットは、巻き数が2以上で、かつ、巻き方向が互いに逆である、2つの第2ループアンテナを含み、
前記2つの第1ループアンテナのうちの一方、及び、前記2つの第2ループアンテナのうちの一方は、巻き方向が同じであり、平面視において重畳し、タッチセンシングに係る信号の送受信を非接触で行い、
前記2つの第1ループアンテナのうちの他方、及び、前記2つの第2ループアンテナのうちの他方は、巻き方向が同じであり、平面視において重畳し、タッチセンシングに必要な電力の供給及び受電を非接触で行う、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記第3アンテナユニットは、巻き数が2以上で、かつ、巻き方向が互いに逆である、2つの第3ループアンテナを含み、
前記第4アンテナユニットは、巻き数が2以上で、かつ、巻き方向が互いに逆である、2つの第4ループアンテナを含み、
前記2つの第3ループアンテナのうちの一方、及び、前記2つの第4ループアンテナのうちの一方は、巻き方向が同じであり、平面視において重畳し、表示機能層の駆動に係る信号の送受信を非接触で行い、
前記2つの第3ループアンテナのうちの他方、及び、前記2つの第4ループアンテナのうちの他方は、巻き方向が同じであり、平面視において重畳し、表示機能層の駆動に必要な電力の供給及び受電を非接触で行う、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの各々は、平面視において導電パターンで部分的に囲まれ、
前記第3アンテナユニット及び前記第4アンテナユニットの各々は、平面視において導電パターンで部分的に囲まれている、
請求項1に記載の電子機器。 - 前記薄膜トランジスタアレイを構成する薄膜トランジスタは、少なくとも、酸化物半導体で構成されたチャネル層を有する、
請求項1に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/000748 WO2019138565A1 (ja) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | 電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6519711B1 JP6519711B1 (ja) | 2019-05-29 |
JPWO2019138565A1 true JPWO2019138565A1 (ja) | 2020-01-16 |
Family
ID=66655660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018526959A Active JP6519711B1 (ja) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | 電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11315987B2 (ja) |
JP (1) | JP6519711B1 (ja) |
KR (1) | KR102330968B1 (ja) |
CN (1) | CN111587411B (ja) |
WO (1) | WO2019138565A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1962408B1 (en) * | 2006-11-16 | 2015-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same |
KR102580060B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2023-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102089458B1 (ko) * | 2019-02-21 | 2020-03-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 터치 센서 및 안테나를 포함하는 화상 표시 장치 |
JPWO2021014264A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | ||
JP7302396B2 (ja) * | 2019-09-06 | 2023-07-04 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置 |
KR20210030739A (ko) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 삼성전자주식회사 | 무선 충전 기능을 제공하는 전자 장치 및 그의 동작 방법 |
KR20210030701A (ko) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 삼성전자주식회사 | 무선 충전 기능을 제공하는 전자 장치 및 그의 동작 방법 |
KR20210042202A (ko) * | 2019-10-08 | 2021-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210053093A (ko) * | 2019-11-01 | 2021-05-11 | 삼성전자주식회사 | 무선 전력 송신을 위한 코일을 포함하는 전자 장치 |
KR102673524B1 (ko) * | 2019-11-05 | 2024-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
TWI704482B (zh) * | 2019-12-06 | 2020-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN111367435B (zh) * | 2020-03-17 | 2024-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US20220413654A1 (en) * | 2021-04-09 | 2022-12-29 | Pixart Imaging Inc. | Capacitive touchpad |
CN113299184A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-24 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组和电子设备 |
US11652291B2 (en) * | 2021-05-26 | 2023-05-16 | City University Of Hong Kong | Tri-frequency multi-polarisation omnidirectional antenna |
CN113872412B (zh) * | 2021-09-27 | 2022-10-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114327146B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-10-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
JP2024021364A (ja) * | 2022-08-03 | 2024-02-16 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | インセルタッチパネル |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4304204A (en) | 1976-06-11 | 1981-12-08 | Robert Bosch Gmbh | Method and apparatus for fuel-air mixture control |
KR100873080B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
JP2009020140A (ja) | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
US7973722B1 (en) | 2007-08-28 | 2011-07-05 | Apple Inc. | Electronic device with conductive housing and near field antenna |
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WO2009116205A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | タッチセンサー内蔵液晶表示装置 |
JP4698702B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2011-06-08 | 三菱電機株式会社 | 電子機器 |
JP2014179663A (ja) | 2011-07-19 | 2014-09-25 | Alps Electric Co Ltd | 携帯機器 |
JP3171994U (ja) | 2011-09-15 | 2011-11-24 | 雅士晶業股▲ふん▼有限公司 | 多機能タッチパネル |
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CN102890583A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子设备及其无线触摸屏 |
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CN103235439B (zh) * | 2013-04-08 | 2015-08-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种对盒基板及制备方法、触摸屏、显示装置 |
US10263451B2 (en) * | 2013-08-09 | 2019-04-16 | Intel Corporation | Coil for mobile device context-driven switching and wireless charging |
AU2014323434B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-07-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
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CN106062619B (zh) * | 2014-02-28 | 2019-04-16 | 凸版印刷株式会社 | 液晶显示装置 |
CN112904941A (zh) * | 2014-02-28 | 2021-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备 |
WO2015147132A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置および通信機器 |
CN206727227U (zh) * | 2014-03-28 | 2017-12-08 | 株式会社村田制作所 | 天线装置以及电子设备 |
CN106605169B (zh) * | 2014-09-05 | 2020-09-01 | 凸版印刷株式会社 | 液晶显示装置以及显示装置用基板 |
JP2016110075A (ja) | 2014-10-03 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、モジュール、及び電子機器 |
WO2016181524A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
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KR102469566B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2022-11-22 | 삼성전자주식회사 | 안테나 장치를 포함하는 전자 장치 |
WO2017195339A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置 |
CN110462557B (zh) * | 2017-03-21 | 2022-11-15 | 凸版印刷株式会社 | 显示装置及显示装置基板 |
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US10665959B2 (en) * | 2017-07-24 | 2020-05-26 | Apple Inc. | Millimeter wave antennas having dual patch resonating elements |
US10431872B1 (en) * | 2018-04-05 | 2019-10-01 | Lg Electronics Inc. | Mobile terminal |
-
2018
- 2018-01-15 KR KR1020207023226A patent/KR102330968B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-15 JP JP2018526959A patent/JP6519711B1/ja active Active
- 2018-01-15 CN CN201880086409.6A patent/CN111587411B/zh active Active
- 2018-01-15 WO PCT/JP2018/000748 patent/WO2019138565A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-07-13 US US16/927,365 patent/US11315987B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6519711B1 (ja) | 2019-05-29 |
US20200343314A1 (en) | 2020-10-29 |
CN111587411A (zh) | 2020-08-25 |
WO2019138565A1 (ja) | 2019-07-18 |
US11315987B2 (en) | 2022-04-26 |
KR20200108046A (ko) | 2020-09-16 |
KR102330968B1 (ko) | 2021-12-01 |
CN111587411B (zh) | 2024-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |