CN111524952B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板，包括：柔性基底，柔性基底上设置有彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；在与孔区相邻的桥区或与孔区相邻的桥区和岛区设置有封装阻隔区域。封装阻隔区域包括：在柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；第一结构层具有限位槽区，限位槽区包括至少一个限位槽；有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成坝。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光显示基板(Organic Electro luminescent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，又以柔性OLED产品最为显著，逐步以其可以满足各种特殊结构而成为OLED显示主流。

随着柔性工艺的发展，从弯曲(Bendable)、弯折(Foldable)，逐步过渡到弹性柔性(Stretchable)。柔性可拉伸显示由于其广阔的应用空间，得到了市场的广泛关注，同时柔性可拉伸显示的发展，也面临着许多技术挑战。

发明内容

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。

一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；在与所述孔区相邻的桥区或与所述孔区相邻的桥区和岛区设置有封装阻隔区域；所述封装阻隔区域包括：在所述柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；所述第一结构层具有限位槽区，所述限位槽区包括至少一个限位槽；所述有机绝缘层和所述第一无机封装层覆盖所述限位槽区形成坝。

另一方面，本公开提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

另一方面，本公开提供了一种显示基板的制备方法，包括：在柔性基底上形成彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；其中，在与所述孔区相邻的桥区或与所述孔区相邻的桥区和岛区形成封装阻隔区域，所述封装阻隔区域包括：在所述柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；所述第一结构层具有限位槽区，所述限位槽区包括至少一个限位槽；所述有机绝缘层和所述第一无机封装层覆盖所述限位槽区形成坝。

本公开提供的显示基板通过在邻近孔区的位置形成限位槽区，并在限位槽区形成用于阻挡有机封装层的坝，可以提高坝的牢固性，从而提高显示基板的封装信赖性。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为一种柔性显示基板的示意图；

图2为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图；

图3为图2中P-P方向的剖面示意图；

图4为本公开至少一实施例形成有源层图案后的示意图；

图5为本公开至少一实施例形成栅电极和连接线图案后的示意图；

图6为本公开至少一实施例形成电容电极图案后的示意图；

图7为本公开至少一实施例形成第三绝缘层图案后的示意图；

图8为本公开至少一实施例的限位槽区的一种形状示例图；

图9为本公开至少一实施例的限位槽区的另一种形状示例图；

图10为本公开至少一实施例形成源电极、漏电极和阻挡结构图案后的示意图；

图11为本公开至少一实施例的阻挡结构的形状示例图；

图12为本公开至少一实施例形成第四绝缘层图案后的示意图；

图13为本公开至少一实施例形成阴极图案后的示意图；

图14为本公开至少一实施例形成第二无机封装层图案后的示意图；

图15为本公开至少一实施例的显示基板的另一结构示意图；

图16为图15中Q-Q方向的剖面示意图；

图17为本公开至少一实施例的显示基板的局部剖面结构图。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

在本公开中，“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化等情况下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。示例性地，本公开中使用的薄膜晶体管可以是低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。薄膜晶体管可以为P型晶体管，或者可以为N型晶体管。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

图1为一种柔性显示基板的示意图。图1所示的柔性显示基板处于拉伸状态。如图1所示，柔性显示基板可以包括：柔性基底，柔性基底上可以设置彼此隔开的多个岛区a、多个孔区c、以及连接相邻岛区a的桥区b。其中，岛区a可以用于图像显示，孔区c可以用于在拉伸时提供变形空间，桥区b可以用于走线和传递拉力。为了减少由于局部封装薄膜导致水汽沿相应区域入侵柔性显示基板的风险，需要对桥区和岛区进行一体封装。柔性显示基板的封装膜层可以采用无机有机的叠层结构，比如，无机/有机/无机的三层结构，或无机/有机/无机/有机/无机的五层结构。其中，在形成有机封装膜层时，通常可以采用喷墨打印(IJP，InkJet Printer)工艺实现。在桥区进行封装时，会在桥区边缘位置制作阻挡IJP溶液流动的坝(Dam)。然而，由于桥区边缘部分普遍为开孔很深的孔区，阻挡IJP溶液流动的坝非常容易发生脱落(Peeling)，导致有机封装膜层无法正常进行封装。

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以实现对有机封装膜层的有效封装，从而可以提高显示基板整体的封装信赖性。

本公开实施例提供一种显示基板，包括：柔性基底；柔性基底上设置有彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区。在与孔区相邻的桥区或与孔区相邻的桥区和岛区设置有封装阻隔区域。封装阻隔区域包括：在柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层。其中，第一结构层具有限位槽区，限位槽区包括至少一个限位槽。有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成坝。有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成的坝可以用于阻挡有机封装层。

在一些示例中，孔区可以位于多个桥区之间，即孔区由桥区围绕，只有桥区与孔区相邻。在本示例中，可以在与孔区相邻的桥区设置封装阻隔区域。

在一些示例中，孔区可以位于岛区与桥区之间，即孔区可以由桥区和岛区围绕，桥区和岛区均与孔区相邻。在本示例中，可以在与孔区相邻的桥区和岛区设置封装阻隔区域。

在一些示例中，封装阻隔区域的第一结构层可以包括：依次在柔性基底上形成的阻挡(Barrier)层、缓冲(Buffer)层、一层或两层的栅极绝缘(GI，Gate Insulation)层、层间绝缘层(ILD，Interlayer Dielectric Layer)。封装阻隔区域的有机绝缘层可以包括：依次在层间绝缘层上形成的平坦化层(PLN，Planarization Layer)和像素定义层(PDL，PixelDefinition Layer)，或者，可以仅包括像素定义层。封装阻隔区域的第一无机封装层可以为显示基板的无机有机层叠结构的封装膜层中的第一个无机膜层。然而，本实施例对此并不限定。

本实施例通过在与孔区邻近的封装阻隔区域设置限位槽区，并通过有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成坝，可以提高坝的牢固性，在通过IJP工艺形成有机封装膜层时，可以避免造成IJP溶液溢出或类似问题，从而提高显示基板的整体封装信赖性。

在一些示例性实施方式中，限位槽区可以包括多个限位槽，且远离相邻孔区的限位槽的深度可以大于靠近相邻孔区的限位槽的深度。在一些示例中，多个限位槽的深度可以沿着从封装阻隔区域到相邻孔区的方向上逐渐减小。例如，在桥区设置封装阻隔区域时，多个限位槽的深度可以由桥区的中心向孔区的方向上逐渐减小。在一些示例中，限位槽的深度范围可以为0.1至2微米。然而，本实施例对此并不限定。通过设置多个限位槽可以对坝提供进一步的限位和固定作用，从而提高坝的牢固性。

在一些示例性实施方式中，在从封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于封装阻隔区域的方向上，限位槽区的宽度可以小于或等于20微米。在一些示例中，在桥区设置封装阻隔区域时，通过将限位槽区的宽度限定在20微米以内，可以降低对整体桥区宽度的影响。

在一些示例性实施方式中，限位槽可以为包括多个矩形图案的非连续结构，或者，限位槽可以呈锯齿型或梳型。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，限位槽可以具有连续形状，或者，可以具有非连续形状。在一些示例中，多个限位槽的形状可以相同或者不同。

在一些示例性实施方式中，封装阻隔区域还可以包括：设置在第一结构层上的阻挡结构，阻挡结构位于限位槽区接近相邻孔区的一侧。本示例性实施例中，通过在限位槽区的***设置阻挡结构可以进一步对坝提供限位和固定作用，以进一步提高坝的牢固性。

在一些示例性实施方式中，阻挡结构可以与岛区的源漏电极层同层同材料设置。通过与源漏电极层同步制备得到阻挡结构，可以简化显示基板的制备流程。

在一些示例性实施方式中，在从封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于封装阻隔区域的方向上，第一无机封装层与阻挡结构的接触面的宽度可以大于或等于2微米。通过第一无机封装层与阻挡结构接触并保证一定的接触宽度，可以达到较好的密封性。

在一些示例性实施方式中，在从封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于封装阻隔区域的方向上，阻挡结构的宽度可以小于或等于4微米。在一些示例中，在桥区设置封装阻隔区域时，通过将阻挡结构的宽度限定在4微米以内，可以降低对整体桥区宽度的影响。

在一些示例性实施方式中，阻挡结构可以为包括多个矩形图案的非连续结构，或者阻挡结构可以呈锯齿型或梳型。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，阻挡结构可以具有连续形状，或者，可以具有非连续形状。在一些示例中，不同桥区设置的封装阻隔区域内的阻挡结构的形状可以相同或者不同。

图2为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图。图3为图2中P-P方向的剖面示意图。如图2所示，本示例性实施例提供的显示基板的平面结构可以包括呈阵列分布且彼此隔开的多个岛区A、使得相邻岛区A彼此连接的桥区B、以及位于相邻桥区B之间的孔区C。其中，岛区A可以用于图像显示，孔区C可以用于在拉伸时提供变形空间，并形成透过光线的孔洞，桥区B可以用于走线和传递拉力。每个岛区A可以包括一个或多个发光单元，每个发光单元可以作为一个子像素。三个出射不同颜色光(例如，红绿蓝)的发光单元或四个出射不同颜色光(例如，红绿蓝白)的发光单元可以组成一个像素单元。

在平行于基底的平面，每个岛区A可以是矩形或正方形，本实施例对此并不限定。位于相邻桥区B之间的孔区C可以由穿透柔性基底的多个微槽或微孔组成。孔区C可以为L形，或者多个L形相连的形状，如┕┙字型、T型等形状，孔区C的宽度范围可以为10μm至500μm，本实施例不做限定。桥区B位于岛区A和孔区C之间，或者位于相邻的孔区C之间，与相邻的岛区A连接。桥区B可以为L形，或者多个L形相连的形状，如┕┙形、T型等形状。桥区B的宽度范围可以为10μm至500μm，本实施例不做限制。

在平行于基底的平面，位于岛区A和孔区C之间的桥区B可以包括：位于桥区B的中间区域的走线区域B1以及设置在与孔区相邻的边缘位置的封装阻隔区域B2。位于相邻的孔区C之间的桥区B可以包括：位于桥区B的中间区域的走线区域以及位于走线区域两侧的边缘位置且与孔区C相邻的封装阻隔区域。换言之，桥区B的边缘位置设置的封装阻隔区域可以围绕孔区C。

在垂直于基底的平面，岛区A中的每个发光单元可以包括在柔性基底10上叠设的驱动结构层和发光结构层。驱动结构层可以包括多个薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)组合的像素驱动电路。在一些示例中，驱动结构层可以包括：设置在阻挡层11和缓冲层12上的有源层13、覆盖有源层13的第一绝缘层14、形成在第一绝缘层14上的第一栅电极21和第二栅电极22、覆盖第一栅电极21和第二栅电极22的第二绝缘层15、形成在第二绝缘层15上的电容电极23、覆盖电容电极23的第三绝缘层16、形成在第三绝缘层16上的源电极24和漏电极25、以及覆盖源电极24和漏电极25的第四绝缘层17。发光结构层可以包括阳极31、像素定义层32、有机发光层33和阴极34。岛区A的封装膜层可以包括层叠设置的第一无机封装层41、有机封装层42以及第二无机封装层43。

在垂直于基底的平面，每个桥区B的走线区域B1可以包括：在柔性基底10上依次层叠设置的阻挡层11、缓冲层12和第一绝缘层14、形成在第一绝缘层14上的连接线26、覆盖连接线26的第二绝缘层15、形成在第二绝缘层15上的第三绝缘层16、以及依次形成在第三绝缘层16上的第一无机封装层41和有机封装层42。其中，连接线26可以用于实现相邻岛区A之间的信号连通，相邻岛区A之间的信号连通可以是指一个岛区A中的发光单元与相邻的另一个岛区A中的发光单元之间的信号连通。在一些示例中，连接线26可以连接相邻岛区A中的栅线，或者，可以连接相邻岛区A中的数据线。

在垂直于基底的平面，每个桥区B的封装阻隔区域B2可以包括：在柔性基底10上设置的第一结构层、形成在第一结构层上的阻挡结构51和有机绝缘层、覆盖有机绝缘层和部分阻挡结构51的第一无机封装层41、以及覆盖部分第一无机绝缘层41的有机封装层42。其中，第一结构层可以包括在柔性基底10上层叠设置的阻挡层11、缓冲层12、第一绝缘层14、第二绝缘层15以及第三绝缘层16。第三绝缘层16上可以形成有第一限位槽T1和第二限位槽T2。阻挡结构51可以与岛区A的源电极24和漏电极25同层设置。阻挡结构51可以位于第一限位槽T1靠近孔区C的一侧。有机绝缘层可以包括覆盖第一限位槽T1和第二限位槽T2的第四绝缘层17、覆盖部分第四绝缘层17和部分阻挡结构51的像素定义层32。

下面通过本示例性实施例的显示基板的制备过程的示例进一步说明本实施例的技术方案，其中的结构示意图均为图2中P-P方向的剖面示意图。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是已知成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是已知成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做限定。

本示例性实施例的显示基板的制备过程可以包括以下步骤。

(1)在玻璃载板1上涂布柔性材料，固化成膜，形成柔性基底10。在本示例性实施例中，柔性基底10的厚度范围可以为5μm至30μm。柔性基底10可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。

(2)在柔性基底10上沉积一层阻挡薄膜，形成阻挡(Barrier)层11图案；随后在阻挡层11上沉积一层缓冲薄膜，形成缓冲(Buffer)层12图案；随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在岛区A形成设置在阻挡层11上的有源层13图案，如图4所示。

其中，阻挡薄膜可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等无机材料，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。在本示例性实施例中，阻挡层11可以用于提高柔性基底10的抗水氧能力。

其中，缓冲薄膜可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等无机材料，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。

在一些示例中，桥区B的阻挡层11可以被刻蚀掉，或者进行减薄处理，即通过刻蚀较少相应厚度，或者可以进行开孔图形化处理，即通过刻蚀形成多个开孔。将桥区B的阻挡层刻蚀掉、减薄处理或开孔图形化处理，都是用于实现降低桥区B的刚度，以利于桥区B的拉伸。然而，本实施例对此并不限定。

(3)依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层14以及设置在第一绝缘层14上的第一栅电极21、第二栅电极22、栅线(未示出)和多个连接线26图案，如图5所示。第一栅电极21、第二栅电极22和栅线图案位于岛区A，多个连接线26图案位于桥区B的走线区域B1。

其中，第一绝缘层14可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等材料，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。第一绝缘层14还可以称为第一栅绝缘层。在本次构图工艺后，孔区C保留有第一绝缘层14。

(4)依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极21、第二栅电极22、栅线和多个连接线26的第二绝缘层15以及设置在第二绝缘层15上的电容电极23图案，如图6所示。电容电极23位于岛区A，且电容电极23的位置与第二栅电极22的位置相对应，电容电极23与第二栅电极22可以构成电容。

其中，第二绝缘层15可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等材料，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。第二绝缘层15可以称为第二栅绝缘层。本次构图工艺后，桥区B和孔区C均保留有第一绝缘层14和第二绝缘层15。

(5)沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成第三绝缘层16图案，如图7所示。在岛区A的第三绝缘层16上开设有两个第一过孔K1，两个第一过孔K1中的第三绝缘层16、第二绝缘层15和第一绝缘层14被刻蚀掉，分别暴露出有源层13。桥区B的封装阻隔区域B2的第三绝缘层16上形成有第一限位槽T1和第二限位槽T2。第一限位槽T1和第二限位槽T1内的第三绝缘层16和部分的第二绝缘层15被刻蚀掉。第一限位槽T1的深度可以小于第二限位槽T2的深度，即第二限位槽T2内刻蚀掉的第二绝缘层15的厚度可以大于第一限位槽T1内刻蚀掉的第二绝缘层15的厚度。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，第一限位槽T1和第二限位槽T2的深度可以相同。第一限位槽T1和第二限位槽T2的深度范围可以为0.1至2微米，本实施例不做限定。在一些示例中，封装阻隔区域B2可以形成三个或三个以上数目且并列设置的限位槽，本实施例不做限定。

在桥区B的走线区域B1形成有在第一绝缘层14上间隔设置的多个连线线26、覆盖多个连接线26的第二绝缘层15以及设置在第二绝缘层15上的第三绝缘层16。在孔区C包括柔性基底10在内的所有膜层均被刻蚀掉。

其中，第三绝缘层16可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，且可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。第三绝缘层16可以称为层间绝缘层。

图8和图9均为本公开至少一实施例的限位槽的平面形状示例图。在一些示例中，第一限位槽T1和第二限位槽T2均可以为包括多个矩形图案的非连续结构。如图8所示，第一限位槽T1和第二限位槽T2的形状可以相同，且第一限位槽T1和第二限位槽T2均可以为包括四个矩形图案的非连续结构。在一些示例中，第一限位槽T1和第二限位槽T2的形状可以不同。在一些示例中，第一限位槽T1和第二限位槽T2可以为连续结构。如图9所示，第一限位槽T1和第二限位槽T2的形状可以不同；第一限位槽T1可以为锯齿型，第二限位槽T2可以为梳型。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，从封装阻隔区域B2到相邻孔区C并垂直于封装阻隔区域B2的方向上，包括多个限位槽的限位槽区的宽度可以小于或等于20微米。例如，限位槽区包括第一限位槽T1和第二限位槽T2，则在垂直于封装阻隔区域B2的方向上，第一限位槽T1接近孔区C的一端与第二限位槽T2远离孔区C的一端之间的距离可以小于或等于20微米。

(6)沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在岛区A形成源电极24、漏电极25和数据线(未示出)图案，在桥区B的封装阻隔区域B2形成阻挡结构51图案，如图10所示。源电极24和漏电极25分别通过第一过孔K1与有源层13连接。这样，有源层13、第一栅电极21、源电极24和漏电极25可以构成驱动薄膜晶体管，第二栅电极22与电容电极23可以构成存储电容，驱动薄膜晶体管、存储电容和其它薄膜晶体管可以构成驱动结构层。

在本示例性实施例中，阻挡结构51可以用于提供限位和固定功能，没有与其他电极或走线建立电性连接。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，可以在阻挡结构51实现限位和固定功能的基础上，设计作为连接线，用于传递电信号。

需要说明的是，岛区A以及岛区A***的桥区B均设置有两个方向的连接线，一个方向的连接线至少包括栅连接线，与栅线同层设置且通过同一次构图工艺形成，另一个方向的连接线至少包括电压连接线和数据连接线，与数据线同层设置且通过同一次构图工艺形成，本示例性实施例仅示意了一个方向的连接线。

图11为本公开至少一实施例的阻挡结构的平面形状示例图。在一些示例中，阻挡结构51可以为包括多个矩形图案的非连续结构。如图11(b)所示，阻挡结构51可以为包括三个矩形图案的非连续结构。在一些示例中，阻挡结构51可以为连续结构。如图11(a)所示，阻挡结构51可以为锯齿型。如图11(c)所示，阻挡结构51可以为梳型，且梳齿靠近孔区C。如图11(d)所示，阻挡结构51可以为梳型，且梳齿远离孔区C。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，从封装阻隔区域B2到相邻孔区C并垂直于封装阻隔区域B2的方向上，阻挡结构51的宽度可以小于或等于4微米。然而，本实施例对此并不限定。

(7)在形成前述图案的柔性基底10上涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成第四绝缘层17图案，如图12所示。在岛区A的第四绝缘层17覆盖源电极24和漏电极25。在岛区A的第四绝缘层17上开设有第二过孔K2，第二过孔K2暴露出驱动薄膜晶体管的漏电极25。在桥区B的封装阻隔区域B2的第四绝缘层17覆盖第一限位槽T1和第二限位槽T2，并与阻挡结构51相邻。在一些示例中，第四绝缘层17可以覆盖阻挡结构51的一部分。

其中，第四绝缘层17可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。第四绝缘层17可以称为平坦化层(PLN)。本次光刻工艺中，桥区B的走线区域B1和孔区C的第四绝缘层17被去掉，走线区域B1暴露出第三绝缘层16，孔区C内包括柔性基底10的所有膜层均被去掉。

在本示例性实施例中，封装阻隔区域B2的第四绝缘层17通过填充第一限位槽和第二限位槽，可以增加粘附力，提升限位和固定能力。而且，阻挡结构51位于封装阻隔区域B2的第四绝缘层17靠近孔区的一侧，可以进一步对封装阻隔区域B2内的第四绝缘层17进行限位和固定。

(8)在形成前述图案的柔性基底10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在岛区A形成阳极31图案，阳极31通过第二过孔K2与漏电极25连接，如图13所示。

其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。本次构图工艺后，桥区B和孔区C没有变化。

(9)在形成前述图案的柔性基底10上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层(PDL，Pixel Define Layer)32图案，如图13所示。岛区A的像素定义层32在每个发光单元限定出暴露阳极31的开口区域。桥区B的封装阻隔区域B2的像素定义层32覆盖部分的阻挡结构51和部分的第四绝缘层17。本次光刻工艺中，桥区B的走线区域B1和孔区C的像素定义层可以被去掉，走线区域B1暴露出第三绝缘层16，孔区C内包括柔性基底10的所有膜层均被去掉。

其中，像素定义薄膜可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料。

(10)在形成前述图案的柔性基底上依次形成有机发光层33和阴极34图案，如图13所示。有机发光层33和阴极34均形成在岛区A，有机发光层33形成在像素定义层32限定出的开口区域内，与阳极31连接，阴极34设置在有机发光层33和像素定义层32上。其中，有机发光层33可以包括发光层(EML)。在一些示例中，有机发光层可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，以提高电子和空穴注入发光层的效率。在一些示例中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、锂(Li)等金属材料的一种，或上述金属的合金。形成有机发光层和阴极可以采用蒸镀或喷墨打印等方式。

(11)在形成前述图案的柔性基底上沉积无机材料，通过构图工艺对无机材料进行构图，形成第一无机封装层41图案；随后可以通过喷墨打印(IJP)工艺形成有机封装层42图案；随后可以沉积无机材料，通过构图工艺形成第二无机封装层43图案，如图14所示。在本示例性实施例中，第一无机封装层41、有机封装层42和第二无机封装层43形成显示基板的封装膜层，即显示基板的封装膜层为无机/有机/无机的三层结构。其中，无机材料可以采用氧化硅、氧化铝、氮化硅或氮氧化硅等，有机材料可以采用基于PET的柔性高分子材料。

在本示例性实施例中，岛区A形成有层叠设置的第一无机封装层41、有机封装层42和第二无机封装层43。桥区B的走线区域B1形成层叠设置的第一无机封装层41和有机封装层42。桥区B的封装阻隔区域B2内，第一无机封装层41可以覆盖第四绝缘层17、像素定义层32以及一部分的阻挡结构51，形成坝，以阻挡有机封装层42。

在本示例性实施例中，在从封装阻隔区域B2到相邻孔区C并垂直于封装阻隔区域B2的方向上，第一无机封装层41与阻挡结构51的接触面的宽度可以大于或等于2微米，以达到较好的密封性。

在本示例性实施例中，通过限位槽和阻挡结构可以使坝具有较强的牢固性，避免在喷墨打印过程中发生脱落，而且，通过像素定义层和第一无机封装层可以给坝提供足够的高度来实现对喷墨打印过程中的流动材料进行阻挡，从而可以提高有机封装层的封装可靠性。

在一些示例中，第二无机封装层43可以覆盖整个桥区B。然而，本实施例对此并不限定。

(12)最后，剥离玻璃载板1，形成本示例性实施例的可拉伸的显示基板，如图3所示。

本示例性实施例提供的显示基板可以实现桥区和岛区的一体封装，具有良好的封装效果，可以有效阻止水氧进入有机发光层。

本示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，显示基板可以是顶发射结构，或者可以是底发射结构；薄膜晶体管可以是顶栅结构或底栅结构；薄膜晶体管可以是单栅结构或双栅结构；薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。再如，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本实施例在此不做限定。

图15为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图。图16为图15中Q-Q方向的剖面示意图。如图15所示，本示例性实施例提供的显示基板的平面结构可以包括呈阵列分布且彼此隔开的多个岛区A、使得相邻岛区A彼此连接的桥区B以及位于相邻岛区A和桥区B之间的孔区C。在本示例中，孔区C可以位于岛区A和桥区C之间、或者相邻桥区C之间。岛区A可以包括发光区域A1以及位于发光区域A1靠近孔区C的一侧的封装阻隔区域A2。岛区B可以包括位于中间位置的走线区域B1以及位于走线区域B1两侧靠近孔区C的封装阻隔区域B2。

在本示例性实施例中，在垂直于基底的平面，岛区A的发光区域A1内的每个发光单元可以包括在柔性基底10上叠设的驱动结构层和发光结构层。驱动结构层可以包括：设置在阻挡层11和缓冲层12上的有源层13、覆盖有源层13的第一绝缘层14、形成在第一绝缘层14上的第一栅电极21和第二栅电极22、覆盖第一栅电极21和第二栅电极22的第二绝缘层15、形成在第二绝缘层15上的电容电极23、覆盖电容电极23的第三绝缘层16、形成在第三绝缘层16上的源电极24和漏电极25、以及覆盖源电极24和漏电极25的第四绝缘层17。发光结构层可以包括阳极31、像素定义层32、有机发光层33和阴极34。发光区域A1的封装膜层可以包括层叠设置的第一无机封装层41、有机封装层42以及第二无机封装层43。

在本示例性实施例中，在垂直于基底的平面，岛区A的封装阻隔区域A1可以包括在柔性基底10上设置的第一结构层、形成在第一结构层上的阻挡结构51和有机绝缘层、覆盖有机绝缘层和部分阻挡结构51的第一无机封装层41、覆盖部分第一无机绝缘层41的有机封装层42、以及覆盖第一无机封装层41和有机封装层42的第二无机封装层43。其中，第一结构层可以包括在柔性基底10上层叠设置的阻挡层11、缓冲层12、第一绝缘层14、第二绝缘层15以及第三绝缘层16。第三绝缘层16上可以形成有两个限位槽。阻挡结构51可以与发光区域A1的源电极24和漏电极25同层设置。阻挡结构51可以位于两个限位槽靠近孔区C的一侧。有机绝缘层可以包括覆盖两个限位槽的第四绝缘层17、覆盖部分第四绝缘层17和部分阻挡结构51的像素定义层32。

关于本示例性实施例的桥区的结构以及显示基板的制备过程可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图17为本公开至少一实施例的显示基板的剖面示意图。图17中仅示意了桥区B与相邻孔区C的剖面结构。在本示例性实施例中，桥区B可以包括：位于中间位置的走线区域B1以及位于走线区域B1周边与孔区C相邻的封装阻隔区域B2。在本示例中，走线区域B1包括：包裹连接线26的多个柱体，柱体之间可以形成凹槽K。柱体包括设置在柔性基底10上的阻挡层11、缓冲层12、第一绝缘层14、设置在第一绝缘层14上的连接线26、设置在第一绝缘层14上并包裹连接线26的第二绝缘层15。凹槽K内阻挡层11、缓冲层12、第一绝缘层14和第二绝缘层15被去掉，露出柔性基底10。第四绝缘层17覆盖多个柱体和凹槽K。多个柱体可以形成裂缝坝(Crack Dam)，从而提高显示基板的可拉伸性。

关于本示例性实施例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：在柔性基底上形成彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；其中，在与孔区相邻的桥区或与孔区相邻的桥区和岛区形成封装阻隔区域，封装阻隔区域包括：在柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；第一结构层具有限位槽区，限位槽区包括至少一个限位槽；有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成坝。

在一些示例性实施方式中，在与孔区相邻的桥区或与孔区相邻的桥区和岛区形成封装阻隔区域，可以包括：依次在柔性基底上形成叠设的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层，封装阻隔区域的层间绝缘层上形成至少一个限位槽；同步在层间绝缘层上形成源电极、漏电极和阻挡结构，源电极和漏电极形成在岛区，阻挡结构形成在所述封装阻隔区域，且位于限位槽接近相邻孔区的一侧；在封装阻隔区域形成覆盖限位槽的平坦化层；在封装阻隔区域形成像素定义层，封装阻隔区域的像素定义层覆盖至少部分的平坦化层和部分的阻挡结构；在封装阻隔区域形成第一无机封装层，封装阻隔区域的第一无机封装层覆盖像素定义层和平坦化层，并覆盖部分的阻挡结构。

本示例性实施例的显示基板的制备方法的详细制备过程，已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本示例性实施例的制备过程中，通过在层间绝缘层上形成限位槽和阻挡结构可以使坝具有较强的牢固性，避免在喷墨打印过程中发生脱落，而且，通过像素定义层和第一无机封装层可以给坝提供足够的高度来实现对喷墨打印过程中的流动材料进行阻挡，从而可以提高有机封装层的封装可靠性。

另外，本示例性实施例的显示基板的制备工艺可以利用已有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，具有工艺实现简单、生产效率高、生产成本低和良品率高等优点，具有良好的应用前景。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，也可以为具有虚拟现实(VR，Virtual Reality)、增强现实(AR，AugmentedReality)和三维(3D，Three-Dimension)显示功能的产品或部件。本实施例对此并不限定。

在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；在与所述孔区相邻的桥区或与所述孔区相邻的桥区和岛区设置有封装阻隔区域；

所述封装阻隔区域包括：在所述柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；所述第一结构层具有限位槽区，所述限位槽区包括至少一个限位槽；所述有机绝缘层和所述第一无机封装层覆盖所述限位槽区形成坝；所述第一结构层包括：依次在柔性基底上形成的阻挡层、缓冲层、一层或两层的栅绝缘层、以及层间绝缘层；所述有机绝缘层包括：依次形成在所述层间绝缘层上的平坦化层和像素定义层，或者包括像素定义层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述限位槽区包括多个限位槽；远离相邻孔区的限位槽的深度大于靠近相邻孔区的限位槽的深度。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述限位槽的深度范围为0.1至2微米。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在从所述封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于所述封装阻隔区域的方向上，所述限位槽区的宽度小于或等于20微米。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述限位槽为包括多个矩形图案的非连续结构，或者，所述限位槽呈锯齿型或梳型。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装阻隔区域还包括：设置在所述第一结构层上的阻挡结构，所述阻挡结构位于所述限位槽区接近相邻孔区的一侧。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构与所述岛区的源漏电极层同层同材料设置。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，在从所述封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于所述封装阻隔区域的方向上，所述第一无机封装层与所述阻挡结构的接触面的宽度大于或等于2微米。

9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，在从所述封装阻隔区域到相邻孔区并垂直于所述封装阻隔区域的方向上，所述阻挡结构的宽度小于或等于4微米。

10.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构为包括多个矩形图案的非连续结构，或者所述阻挡结构呈锯齿型或梳型。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的显示基板。

12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在柔性基底上形成彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；其中，在与所述孔区相邻的桥区或与所述孔区相邻的桥区和岛区形成封装阻隔区域，所述封装阻隔区域包括：在所述柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；所述第一结构层具有限位槽区，所述限位槽区包括至少一个限位槽；所述有机绝缘层和所述第一无机封装层覆盖所述限位槽区形成坝；所述第一结构层包括：依次在柔性基底上形成的阻挡层、缓冲层、一层或两层的栅绝缘层、以及层间绝缘层；所述有机绝缘层包括：依次形成在所述层间绝缘层上的平坦化层和像素定义层，或者包括像素定义层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述在与所述孔区相邻的桥区或与所述孔区相邻的桥区和岛区形成封装阻隔区域，包括：

依次在柔性基底上形成叠设的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层，所述封装阻隔区域的层间绝缘层上形成至少一个限位槽；同步在所述层间绝缘层上形成源电极、漏电极和阻挡结构，所述源电极和漏电极形成在所述岛区，所述阻挡结构形成在所述封装阻隔区域，且位于所述限位槽接近相邻孔区的一侧；在所述封装阻隔区域形成覆盖所述限位槽的平坦化层；在所述封装阻隔区域形成像素定义层，所述封装阻隔区域的像素定义层覆盖至少部分的平坦化层和部分的阻挡结构；在所述封装阻隔区域形成第一无机封装层，所述封装阻隔区域的第一无机封装层覆盖所述像素定义层和平坦化层，并覆盖部分的阻挡结构。

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