CN111326553A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种具有减少的非显示区域的显示装置。显示装置包括设置在封装单元上的有机覆盖层、设置在基板孔与多个发光元件之间的内坝以及设置在基板孔与内坝之间的阻挡元件，阻挡元件设置在有机覆盖层下方，由此可以防止对发光堆叠层造成损坏。另外，因为基板孔设置在有源区域中，所以可以减少非显示区域的尺寸。
Description
本申请要求于2018年12月14日提交的韩国专利申请P2018-0161821的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，特别是涉及一种具有减少的非显示区域的显示装置。
背景技术
已经开发出作为信息和通信时代的核心技术并且用于在屏幕上显示各种信息的图像显示装置，从而使得图像显示装置更薄、更轻并且便携并且表现出高性能。结果，具有比阴电极射线管(CRT)更低的重量和体积的平板显示装置已经受到广泛的关注。
这种平板显示装置的代表性实施例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置和电泳显示(ED)装置。
平板显示装置用于各种设备中，诸如电视、监视器和蜂窝电话，此外，在平板显示装置中安装有摄像头、扬声器和传感器。摄像头、扬声器和传感器布置在显示装置的非显示区域中。因此，在常规的显示装置中，非显示区域(即边框区域或焊盘区域)的尺寸增加，从而减少显示区域(即显示装置的有源区域)的尺寸。
发明内容
因此，本发明针对一种显示装置，其基本上消除由于现有技术的局限性和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种具有减少的非显示区域的显示装置。
本发明的其他优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且对于本领域的普通技术人员而言，在阅读以下内容后将变得显然，或者可以从本发明的实践中获悉。通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的目的，如在本文中具体实施和广泛描述的，显示装置包括设置在封装单元上的有机覆盖层、设置在基板孔与多个发光元件之间的内坝、以及设置在基板孔与内坝之间的阻挡元件，阻挡元件设置在有机覆盖层下方，从而可以防止对发光堆叠层的损坏，并且可以减少非显示区域的尺寸，因为基板孔设置在有源区域中。
应当理解，本发明的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本申请并构成本申请的一部分，该附图展示本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的具有基板孔的有机发光显示装置的视图；
图2是沿着图1的线I-I’和II-II’截取的有机发光显示装置的剖视图；
图3是示出图1所示的基板孔区域的详细俯视图；
图4是示出***到图2所示的基板孔中的摄像头模块的剖视图；
图5A至图5E是展示具有图2所示的基板孔的有机发光显示装置的制造方法的剖视图。
图6是示出根据本发明第二实施方式的具有基板孔的有机发光显示装置的视图；以及
图7A至图7E是展示制造图6所示的具有基板孔的有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施方式，其实施例在附图中展示。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
图1和图2所示的显示装置包括有源区域AA和焊盘区域PDA。
在焊盘区域PDA中形成有多个焊盘180，用于将驱动信号提供给设置在有源区域AA中的多条信号线106。在此，信号线106包括扫描线SL、数据线DL、高压(VDD)电源线或低压(VSS)电源线中的至少一个。多个焊盘180中的每一个包括焊盘下电极182或焊盘上电极184中的至少一个。焊盘下电极182或焊盘上电极184中的至少一个接触信号线106中的相应信号线。
焊盘下电极182由与栅电极152相同的材料制成，并设置在与栅电极152设置在相同平面中的栅介质膜116上。焊盘上电极184由与源电极156和漏电极158相同的材料制成，并设置在与源电极156和漏电极158设置在相同平面中的层间介质膜102上。焊盘上电极184接触焊盘下电极182，该焊盘下电极由穿过层间介质膜102形成的第一焊盘接触孔186暴露。焊盘上电极184由穿过有机覆盖层148和无机覆盖层170形成的第二焊盘接触孔188暴露，并且电连接至信号传输膜(未示出)，该信号传输膜连接至驱动集成电路(未示出)。
同时，尽管已经参照图2通过实施例描述其中焊盘下电极182和焊盘上电极184经由第一焊盘接触孔186彼此接触的结构，但是焊盘下电极182和焊盘上电极184可以不彼此接触而是可以利用设置在焊盘下电极182与焊盘上电极184之间的层间介质膜102彼此相对。
有源区域AA包括发射区域EA、阻挡区域BA和孔区域HA。
单位像素设置在发射区域EA中，每个单位像素包括发光元件130。如图1所示，每个单位像素包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素，或包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)子像素。每个子像素包括发光元件130和用于独立地驱动发光元件130的像素驱动电路。
像素驱动电路包括开关晶体管TS，驱动晶体管TD和存储电容器Cst。
当将扫描脉冲提供给扫描线SL时，开关晶体管TS导通，以将提供给数据线DL的数据信号提供给存储电容器Cst和驱动晶体管TD的栅电极。
响应于提供给驱动晶体管TD的栅电极的数据信号，驱动晶体管TD控制从高压(VDD)电源线提供给发光元件130的电流I以调节由发光元件130发射的光量。即使当开关晶体管TS截止时，驱动晶体管TD也利用充电在存储电容器Cst中的电压向发光元件130提供均匀的电流I，从而使得发光元件130持续发光直到提供下一帧的数据信号为止。
如图2所示，驱动晶体管TD 150包括设置在有源缓冲层114上的有源层154、与有源层154交叠的栅电极152以及形成在层间介质膜102上以接触有源层154的源电极156和漏电极158，其中栅介质膜116设置在有源层154与栅电极152之间。
有源层154由非晶半导体材料、多晶半导体材料或氧化物半导体材料中的至少一种制成。有源层154包括通道区域、源区域和漏区域。通道区域与栅电极152交叠，其中栅介质膜116设置在通道区域与栅电极152之间以形成在源电极156与漏电极158之间。源区域经由穿过栅介质膜116和层间介质膜102形成的源接触孔电连接至源电极156。漏区域经由穿过栅介质膜116和层间介质膜102形成的漏接触孔电连接至漏电极158。在有源层154与基板101之间配制有多层缓冲层112和有源缓冲层114。多层缓冲层112阻止渗透到基板中的水分和/或氧气扩散。多层缓冲层112可以形成在整个基板101上，以便提供其中可以更稳定地形成薄膜同时在进行显示面板的全面制造之前更平稳地进行各种工艺的环境。有源缓冲层114保护有源层154并阻止从基板101引入各种缺陷。多层缓冲层112、有源缓冲层114或基板101中的至少一个具有多层结构。
此时，与有源缓冲层114接触的多层缓冲层112的最上层由具有与多层缓冲层112、有源缓冲层114和栅介质膜116的其他层的蚀刻特性不同的蚀刻特性的材料制成。与有源缓冲层114接触的多层缓冲层112的最上层由SiNx和SiOx之一制成，并且多层缓冲层112、有源缓冲层114和栅介质膜116的其他层由SiNx和SiOx中的另一个制成。例如，与有源缓冲层114接触的多层缓冲层112的最上层由SiNx制成，并且多层缓冲层112、有源缓冲层114和栅介质膜116的其他层由SiOx制成。
发光元件130包括连接至驱动晶体管150的漏电极158的阳电极132、形成在阳电极132上的至少一个发光堆叠层134以及形成在发光堆叠层134上以连接至低压(VSS)电源线的阴电极136。在此，低压(VSS)电源线提供低于高压VDD的低压VSS。
阳电极132电连接至驱动晶体管150的漏电极158，该漏电极由穿过设置在驱动晶体管150上的钝化膜124和平坦化层104形成的像素接触孔126暴露。每个子像素的阳电极形成在平坦化层104上以由堰138暴露。
在将阳电极132应用于后发光型有机发光显示装置的情况下，阳电极132由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电膜制成。在将阳电极132应用于前发光型有机发光显示装置的情况下，阳电极132形成为具有包括透明导电膜和不透明导电膜的多层结构，该不透明导电膜具有高反射效率。具有相对较高的功函数值的材料，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，用作透明导电膜，并且包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层结构用作不透明导电膜。例如，阳电极132形成为具有其中透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜依次层叠的结构。
发光堆叠层134通过将孔传输层、发光层和电子传输层以该顺序或相反的顺序堆叠在阳电极132上而形成。
阴电极136形成在发光堆叠层134上并且形成在堰138的上表面和侧表面上以与阳电极132相对，其中发光堆叠层134设置在阴电极136与阳电极132之间。
封装单元140防止外部水分或氧气渗透到对外部水分或氧气抗性低的发光元件130中。为此，封装单元140包括多个无机封装层142和146以及设置在无机封装层142与146之间的有机封装层144。无机封装层146设置在最上层处。此时，封装单元140包括至少一个无机封装层142和146以及至少一个有机封装层144。在本公开中，封装单元140具有其中有机封装层144设置在第一无机封装层142与第二无机封装层146之间的结构，将会作为实施例进行描述。触摸电极设置在封装单元与有机覆盖层之间。
第一无机封装层142形成在其上形成有阴电极136的基板101上，以最接近发光元件130。第一无机封装层142由在可以低温下沉积的无机介质材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)制成。因此，将第一无机封装层142在低温气氛中沉积，由此当将第一无机封装层142沉积时，可以防止对高温气氛抗性低的发光堆叠层134造成损坏。
第二无机封装层146形成为覆盖有机封装层144的上表面和侧表面以及由有机封装层144暴露的第一无机封装层142的上表面和侧表面。因此，有机封装层144的上表面、下表面和侧表面通过第一无机封装层142和第二无机封装层146密封，由此可以最小化(或减少)或防止外部水分或氧气渗透到有机封装层144中，或最小化(或减少)或防止有机封装层144中存在的水分或氧气渗透到发光元件130中。第二无机封装层146由无机介质材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)制成。
有机封装层144减少由于有机发光装置的弯曲而导致的层之间的应力，并且改善平坦化。另外，有机封装层144形成为具有比无机封装层142和146更大的厚度，以便防止由于异物而形成裂缝或针孔。有机封装层144由有机介质材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或碳氧化硅(SiOC)制成。
外坝128和内坝108形成为在形成有机封装层144时限制有机封装层144的迁移率。
如图1所示，至少一个外坝128可以形成为完全围绕其中设置有发光元件130的有源区域AA，或者可以仅形成在有源区域AA与焊盘区域PDA之间。在其中设置有焊盘180的焊盘区域PDA设置在基板101的一侧的情况下，外坝128仅设置在基板101的一侧。在其中设置有焊盘180的焊盘区域PDA设置在基板101的相对侧的情况下，外坝128设置在基板101的相对侧。在设置有多个外坝128的情况下，外坝128以彼此隔开预定距离的状态并排设置。通过提供外坝128，可以防止有机封装层144扩散到焊盘区域PDA。
以与外坝128相同的方式，形成至少一个内坝108以具有单层或多层结构108a和108b。例如，内坝108和外坝128中的每一个由与平坦化层104、堰138或隔离物(未示出)中的至少一个相同的材料制成，并且在形成该平坦化层、堰或隔离物中的至少一个时被同时形成，由此不需要额外的掩模工艺，因此可以防止成本增加。此外，阻挡元件可以由与内坝不同的材料制成。内坝108设置为完全围绕阻挡凹部110。无机封装层142和146与阻挡凹部110交叠。可以通过提供内坝108防止可能用作水分渗透路径的有机封装层144扩散到阻挡凹部110。
阻挡区域BA设置在孔区域HA与发射区域EA之间。内坝108、阻挡元件118、至少一个阻挡凹部110和通孔190设置在阻挡区域BA中。
如图3所示，阻挡元件118设置在内坝108与设置在孔区域HA中的基板孔120之间，以完全包围(或完全横向包围)基板孔120。此时，围绕内坝108和118以及基板孔120设置的包括扫描线SL和数据线DL的信号线106设置为沿着基板孔120的轮廓转向。
阻挡元件118形成在与内坝108相同的平面上，并且由与内坝108相同的材料制成。例如，以与内坝108相同的方式，阻挡元件118形成在层间介质膜102上以具有多层结构108a和108b。阻挡元件118的下层108a由与平坦化层104相同的材料制成，并且阻挡元件118的上层108b以与堰138相同的材料制成。因为可以在形成通孔190时去除阻挡元件118的一部分，所以阻挡元件118的宽度形成为小于或等于内坝108的宽度。因为阻挡元件118设置为完全包围(或完全横向包围)基板孔120，所以可以防止可能用作水分渗透路径的有机覆盖层148扩散到基板孔120。此外，阻挡元件118设置在阻挡区域BA中的有机覆盖层148(在图2的左侧示出)与阻挡区域BA中的有机覆盖层148(在图2的右侧示出)之间。
阻挡凹部110设置在内坝108与基板孔120之间，可选地设置在内坝108与阻挡元件118之间。阻挡凹部110穿过设置在基板101与平坦化层104之间的多层缓冲层112、有源缓冲层114、栅介质膜116或层间介质膜102中的至少一个形成。此时，无机介质层112、114、116或102的由阻挡凹部110暴露的侧表面形成为倒锥形，以与无机介质层112、114、116或102的由阻挡凹部110暴露的底表面形成锐角或直角。当形成发光堆叠层134和阴电极136时，发光堆叠层134和阴电极136通过阻挡凹部110断开。因此，即使当外部水分沿着设置在孔区域HA周围的发光堆叠层134渗透时，也可以通过阻挡凹部110防止或阻止水分被引入到发射区域EA中。而且，即使当静电沿着设置在孔区域HA周围的阴电极136被引入时，也可以通过阻挡凹部110防止静电扩散到发射区域EA。此外，因为硬度高于有机介质材料并且因此其中容易通过弯曲应力形成裂纹的无机介质层112、114、116和102通过阻挡凹部110去除，所以可以防止裂纹扩散到发射区域EA。
有机覆盖层148可以形成在除了孔区域HA之外的其他区域EA、BA和PDA中，或者可以仅形成在阻挡区域BA和焊盘区域PDA中。即，有机覆盖层148形成为通过阻挡元件118防止扩散到孔区域HA。有机覆盖层148形成在封装单元140的最上无机封装层146上，并且由与有机封装层144相同的材料制成。因此，有机覆盖层148在没有单独的光掩模工艺的情况下仅通过应用工艺形成，由此不需要单独的剥离工艺。
因为有机覆盖层148由于第二无机封装层146的存在而不与发光堆叠层134接触，所以可以防止水分通过有机覆盖层148渗透到发光堆叠层134中。另外，因为有机覆盖层148设置在封装单元140上，所以可以防止设置在发射区域EA中的无机封装层142和146在形成通孔190时被蚀刻。
无机覆盖层170形成在有机覆盖层148上，并且由无机介质材料制成。因为有机覆盖层148与由通孔190暴露的薄膜114、116、102、118、134、136、142和146之间的界面由无机覆盖层170密封，所以可以最小化(或减少)或防止外部水分或氧气渗透到有机覆盖层148及其界面中。
通孔190穿过设置在孔区域HA和周围区域中的多个薄膜层而形成。例如，通孔190形成为穿过设置在孔区域HA和周围区域中无机介质层114、116和102、发光堆叠层134、阴电极136、阻挡元件118以及无机封装层142和146形成，以将基板101或多层缓冲层112的上表面暴露。因为设置在孔区域HA中的无机介质层114、116和102、发光堆叠层134以及无机封装层142和146由通孔190去除，所以简化了形成基板孔120的激光修整工艺。
因为孔区域HA设置在有源区域AA中，所以孔区域HA可以由多个子像素SP围绕，每个子像素包括发光元件130。设置在孔区域HA中的至少一个基板孔120被展示为具有圆形形状。可替代地，基板孔120可以形成为具有多边形或椭圆形形状。基板孔120穿过多层缓冲层112和基板101形成。基板孔120与通孔190交叠，并且具有比通孔190小的线宽。
包括摄像头、扬声器、闪光灯光源或生物传感器(诸如指纹传感器)的电子器件设置在孔区域HA中。在本公开中，将会通过实施例的方式描述如图4所示的其中在孔区域HA中设置有摄像头模块160的结构。
摄像头模块160包括摄像头镜头164和摄像头驱动单元162。
摄像头驱动单元162设置在显示装置的基板101的后表面处，并且连接至摄像头镜头164。
摄像头镜头164设置在基板孔120中，该基板孔从设置在有源区域AA的最下部处的薄膜层(例如，基板101或背板)延伸到设置在有源区域AA的最上部处的薄膜层(例如，偏光板166)。因此，摄像头镜头164设置为面对盖玻璃168。在此，基板孔120具有比通孔190小的线宽，并且设置为与通孔190交叠。孔120穿过基板101、无机覆盖层170和偏光板166形成，或者穿过基板101和偏光板166形成。
在摄像头模块160设置在有源区域AA中的情况下，可以减少或最小化显示装置的非显示区域，即边框区域。
图5A至图5E是示出制造图2所示的具有基板孔的有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体地，如图5A所示，多层缓冲层112和有源缓冲层114形成在基板101上。这里，基板101由表现出高柔韧性的塑料材料制成，基板101通过该塑料材料而可弯曲。例如，基板101可以由聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚砜(PSF)或环烯烃共聚物(COC)制成。
随后，有源层154通过光刻和蚀刻工艺形成在有源缓冲层114上，然后由无机介质材料制成的栅介质膜116形成在有源层154上。栅电极152和焊盘下电极182通过光刻和蚀刻工艺形成在栅介质膜116上，然后形成由无机介质材料制成的层间介质膜102。层间介质膜102和栅介质膜116通过光刻和刻蚀工艺来图案化以形成源接触孔和漏接触孔(未示出)以及第一焊盘接触孔186，有源层154由该源接触孔和漏接触孔暴露，焊盘下电极由该第一焊盘接触孔暴露。同时，将孔区域HA中的有源缓冲层114、层间介质膜102和栅介质膜116去除。随后，层间介质膜102、栅介质膜116和有源缓冲层114通过光刻和蚀刻工艺来图案化以形成阻挡凹部110，多层缓冲层112的上表面由该阻挡凹部暴露。此时，多层缓冲层112的一部分可以通过蚀刻工艺来图案化，由此多层缓冲层112的侧表面可以由阻挡凹部110暴露。
随后，焊盘上电极184以及源电极156和漏电极158通过光刻和蚀刻工艺形成在层间介质膜102上。随后，平坦化层104和阳电极132通过光刻和蚀刻工艺按顺序形成。随后，堰138、内坝108、阻挡元件118和外坝128使用相同的掩模通过光刻和蚀刻工艺同时形成。
发光堆叠层134和阴电极136使用阴影掩模通过沉积工艺按顺序形成在其上形成有堰138的基板101上。此时，发光堆叠层134和阴电极136通过阻挡凹部110断开。随后，至少一个无机封装层142和146以及至少一个有机封装层144堆叠在阴电极136上以形成封装单元140。此时，有机封装层144形成在内坝108与外坝128之间的除孔区域HA和焊盘区域PDA之外的其他区域中。
如图5B所示，将与有机封装层144相同的有机介质材料应用到基板101上以形成其上形成有封装单元140的有机覆盖层148。此时，有机覆盖层148通过阻挡元件118形成在除了孔区域HA之外的其他区域中。随后，如图5C所示，无机封装层142和146、阴电极136、层间介质膜102、栅介质膜116和有源缓冲层114使用有机覆盖层148作为掩模通过蚀刻工艺蚀刻以形成通孔190。同时，阻挡元件118的一部分可以在形成通孔时被蚀刻。
随后，将无机介质材料沉积在其中形成有通孔190的基板101的整个表面上以形成无机覆盖层170。如图5D所示，无机覆盖层170和有机覆盖层148通过光刻和蚀刻工艺来图案化，由此形成第二焊盘接触孔188，并将孔区域HA中的无机覆盖层170去除。
随后，如图5E所示，多层缓冲层112和基板101通过激光修整工艺来图案化以形成基板孔120。
在本公开中，如上所述，在形成通孔190时用作掩模的有机覆盖层148仅通过单独的应用工艺形成。因此，在本公开中，当形成有机覆盖层148和通孔190时，不需要光刻工艺和剥离工艺。因此，可以防止由于在剥离工艺期间使用的剥离溶液而对发光堆叠层134造成损坏。
而且，在本公开中，有机覆盖层148在形成封装单元140之后通过应用工艺形成，并且未在形成孔区域HA中的无机覆盖层170可以使用至少一个掩模工艺形成，由此可以简化掩模工艺。
此外，通过干蚀刻工艺将设置在孔区域HA中的薄膜层去除以形成通孔190，然后通过激光修整工艺将基板101去除以形成基板孔120。因此，可以减少或最小化要通过激光修整工艺去除的薄膜的数量，由此可以减少或最小化在激光修整工艺期间发生物理冲击的可能性。
图6是示出根据本公开的一个或多个实施方式的有机发光显示装置的视图。
图6所示的有机发光显示装置在结构上与图2所示的有机发光显示装置相同，除了阻挡元件118定位成高于内坝108。因此，将会省略有机发光显示装置的相应部件的详细描述。
阻挡元件118设置在第二无机封装层146上，该第二无机封装层设置在封装单元140的最上部处。因为阻挡元件118定位成高于内坝108，所以阻挡元件118形成为厚度小于内坝108。因此，阻挡元件118的最上表面定位在与内坝108的最上表面相同高度处，或者定位成高于内坝108的最上表面。
阻挡元件118由有机介质材料，例如与堰138、平坦化层104或内坝108中的至少一个相同的有机介质材料制成。因为阻挡元件118设置在第二无机封装层146上以与阻挡凹部110交叠，所以保护了由阻挡凹部110形成的底切区域。
因为阻挡元件118设置为完全围绕基板孔120，所以可以防止可能用作水分渗透路径的有机覆盖层148扩散到基板孔120。
有机覆盖层148形成在封装单元140的最上无机封装层146上，并且由与有机封装层144相同的材料制成。因此，有机覆盖层148在没有单独的光掩模工艺的情况下仅通过应用工艺形成，由此不需要单独的剥离工艺。
因为有机覆盖层148不与发光堆叠层134接触，所以可以防止水分通过有机覆盖层148渗透到发光堆叠层134中。另外，因为有机覆盖层148设置在封装单元140上，所以可以防止设置在发射区域EA中的无机封装层142、146在形成贯通孔190时被蚀刻。
图7A至图7E是展示制造图6所示的具有基板孔的有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体地，如图7A所示，薄膜晶体管(驱动晶体管)150、焊盘180和阻挡凹部110形成在基板101上。随后，钝化膜124、平坦化层104和阳电极132通过光刻和蚀刻工艺按顺序形成。随后，堰138、内坝108和外坝128使用相同的掩模通过光刻和蚀刻工艺同时形成。
发光元件130的发光堆叠层134和阴电极136按顺序形成在其上形成有堰138、内坝108和外坝128的基板101上。随后，至少一个无机封装层142和146以及至少一个有机封装层144堆叠在阴电极136上以形成封装单元140。
如图7B所示，将光敏有机介质材料应用到其上形成有封装单元140的基板101上，并通过光刻工艺来图案化以形成阻挡元件118。随后，如图7C所示，将有机介质材料应用到其上形成有阻挡元件118的基板101上以形成有机覆盖层148。此时，有机覆盖层148通过阻挡元件118形成在除了孔区域HA之外的其他区域中。随后，孔区域HA中的无机封装层142和146、阴电极136、发光堆叠层134、层间介质膜102、栅介质膜116和有源缓冲层114使用有机覆盖层148和阻挡元件118作为掩模通过蚀刻工艺蚀刻以形成通孔190。同时，阻挡元件118的一部分可以在形成通孔190时被蚀刻。
随后，将无机介质材料沉积在其中形成有通孔190的基板101的整个表面上以形成无机覆盖层170。如图7D所示，无机覆盖层170和有机覆盖层148通过光刻和蚀刻工艺来图案化，由此形成第二焊盘接触孔188，并将孔区域HA中的无机覆盖层170去除。
随后，如图7E所示，多层缓冲层112和基板101通过激光修整工艺来图案化以形成基板孔120。
在本公开中，如上所述，在形成通孔时用作掩模的有机覆盖层148仅通过应用工艺形成。因此，在本公开中，当形成有机覆盖层148时，不需要光刻工艺和剥离工艺。因此，可以防止由于在剥离工艺期间使用的剥离溶液而对发光堆叠层134造成损坏。
而且，在本公开中，有机覆盖层148在形成封装单元140之后通过应用工艺形成，并且未形成在孔区域HA中的无机覆盖层170可以使用至少一个掩模工艺形成，由此可以简化掩模工艺。
此外，通过干蚀刻工艺将设置在孔区域HA中的薄膜层去除以形成通孔190，然后通过激光修整工艺将基板101去除以形成基板孔120。可以减少或最小化要通过激光修整工艺去除的薄膜的数量，由此可以减少或最小化在激光修整工艺期间发生物理冲击的可能性。
同时，触摸传感器中包括的触摸电极和触摸缓冲膜可以设置在封装单元140与有机覆盖层148之间。如图7E所示，触摸电极可以设置在与封装单元140接触的触摸缓冲膜上。可替代地，触摸电极可以在没有触摸缓冲膜的情况下设置在封装单元140与有机覆盖层148之间。触摸电极可以在没有触摸缓冲膜的情况下设置在封装单元140上。在这种情况下，触摸缓冲膜和触摸电极按顺序形成在通过图7A和图7B所示的制造方法形成的封装单元140上，然后有机覆盖层148和无机覆盖层170通过图7C至7E所示的制造方法按顺序形成，由此完成具有触摸传感器的有机发光显示装置。
另外，具有第一触摸电极和第二触摸电极的互电容触摸传感器中包括的触摸介质膜和触摸缓冲膜中的至少一个可以形成为延伸至内坝108、阻挡元件118、外坝128和焊盘区域PDA中的至少一个。
此外，根据本公开的无机覆盖层和有机覆盖层可以用作设置在封装单元上的触摸传感器中包括的触摸介质膜和触摸缓冲膜。
从以上描述显然的是，在本公开中，将摄像头模块***其中的通孔设置在有源区域中，由此可以减少或最小化显示装置的非显示区域，即边框区域。
而且，在本公开中，在形成通孔时用作掩模的有机覆盖层仅通过应用工艺形成，由此在形成有机覆盖层和通孔时不需要光刻工艺和剥离工艺。因此，可以防止由于在剥离工艺中使用的剥离溶液而对发光堆叠层造成损坏。
此外，布置在孔区域中的薄膜层通过干蚀刻工艺去除以形成通孔，然后基板通过激光修整工艺去除以形成基板孔。因此，可以减少或最小化要通过激光修整工艺去除的薄膜的数量，由此可以减少或最小化在激光修整工艺期间发生物理冲击的可能性。
对本领域技术人员而言显然的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖对本发明的这些修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
Claims (20)
1.一种显示装置，包括：
基板，其具有在显示装置的有源区域中穿过基板形成的基板孔；
多个发光元件，其在有源区域中设置在基板上。
封装单元，其设置在各发光元件上；
有机覆盖层，其设置在封装单元上；
内坝，其设置在基板孔与发光元件之间；
阻挡元件，其至少部分地设置在有机覆盖层与基板之间；以及
阻挡凹部，其设置在基板孔与内坝之间，
其中阻挡元件设置成横向包围基板孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡元件由与内坝相同的材料制成，并且阻挡元件和内坝设置在相同平面上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡凹部形成为倒锥形。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡元件由与内坝不同的材料制成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在封装单元与有机覆盖层之间的触摸电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中封装单元包括第一无机封装层、第二无机封装层以及设置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，以及
第一无机封装层和第二无机封装层与阻挡凹部交叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡凹部设置在内坝与阻挡元件之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
驱动晶体管，其连接至各发光元件中的第一发光元件；
平坦化层，其设置在驱动晶体管上；以及
堰，其用于将第一发光元件的阳电极暴露，
其中内坝和阻挡元件的每一个包括：
由与平坦化层相同的材料制成的下层；以及
由与堰相同的材料制成的上层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡元件设置在与其上设置有内坝的第二平面不同的第一平面中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中
阻挡元件设置在封装单元的至少第一部分上；以及
内坝设置在封装单元的至少第二部分下方。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中阻挡凹部与阻挡元件交叠。
12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括穿过设置在基板与有机覆盖层之间的多个薄膜层形成的通孔。
13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括设置在由通孔暴露的薄膜层的侧表面上以及有机覆盖层上的无机覆盖层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：
焊盘区域；
焊盘，其在焊盘区域中设置在基板上；以及
焊盘接触孔，其穿过设置在焊盘上的有机覆盖层形成，
其中焊盘接触孔将焊盘暴露。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中焊盘接触孔穿过无机覆盖层形成。
16.根据权利要求6所述的显示装置，其中有机覆盖层由与有机封装层相同的材料制成。
17.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在基板孔中的电子器件。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中电子器件包括摄像头、扬声器、闪光灯光源或生物传感器中的至少一个。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中阻挡元件至少部分地设置在基板孔与内坝之间。
20.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：
焊盘区域；
多个焊盘，其在焊盘区域中设置在基板上；以及
有机覆盖层中的设置在焊盘上的多个焊盘接触孔，
其中焊盘中的每一个由焊盘接触孔中的至少一个暴露。
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