CN111182735A - 一种led灯带用高透射单面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED灯带用高透射单面板及其制备方法,通过(1)贴干膜,在背面贴合有保护膜的铜箔的正面贴合干膜,形成有干膜保护的铜箔基板;(2)曝光、(3)显影和(4)蚀刻,在铜箔基板上形成线路;(5)剥膜,在铜箔基板上形成完整的铜层线路;(6)丝印胶黏剂,将胶黏剂丝印在铜层线路上,形成胶层;(7)贴合绝缘膜,形成绝缘膜层;(8)剥离保护膜,制得LED灯带用高透射单面板,所述LED灯带用高透射单面板包括绝缘膜层、胶层和铜箔层。本发明通过在铜层线路上丝印胶黏剂,减少了胶黏剂的涂覆面积,增加了绝缘膜层的透射度,进而提高了LED灯带用单面板的透射率。

Description

一种LED灯带用高透射单面板及其制备方法
技术领域
本发明属于线路板用单面板技术领域,特别涉及一种LED灯带用高透射单面板及其制备方法。
背景技术
印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)及可挠性覆铜箔基板(FlexibleCopper Clad Laminate,FCCL)是电子通讯的重要基材,且作为电子互连的基础材料需要有薄、轻及结构灵活等特点,被广泛应用在LED以及灯带(light bar)领域。
LED灯带是指将LED组装在带状的FPC(柔性电路板)或PCB上,形成带状的LED灯结构。目前市场上的LED灯带用单面板,通常为三层结构,即绝缘膜层、胶层及铜箔层。现有LED灯带用单面板的制备方法,包括以下步骤:
1、在绝缘膜下表面涂覆胶黏剂,绝缘膜下表面形成胶层;
2、铜箔通过胶层贴合绝缘膜下表面,制得单面板。
绝缘膜通过胶层贴合于铜箔的表面,形成对铜箔的保护和支撑作用。
然而,单面板此种结构虽达到对LED灯带的保护和支撑目的,但整个绝缘膜层全部涂有胶黏剂,经过高温压合,胶层表面变的凹凸不平,导致单面板的透射性较差,影响LED灯透射效果。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种LED灯带用高透射单面板及其制备方法,通过在铜层线路上涂覆胶黏剂,减少胶黏剂的涂覆面积,增加了绝缘膜层的透射度,提高了LED灯带用单面板的透射率。
本发明提供一种LED灯带用高透射单面板的制备方法,包括下列步骤:
(1)贴干膜:提供干膜和铜箔,所述铜箔的背面贴合有保护膜,通过贴膜机将所述干膜贴合在所述铜箔的正面,形成有干膜保护的铜箔基板;
(2)曝光:将底片上的线路图形与贴干膜的铜箔基板对位,通过曝光机进行影像转移,被光照到区域的干膜发生聚合反应,未被光照到区域的干膜不发生聚合反应,利用光的作用将影像转移到贴干膜的铜箔基板;
(3)显影:将曝光后的铜箔基板,通过显影液冲洗,将没有发生聚合反应区域的干膜去除干净,铜箔基板上露出没有干膜保护的铜箔;
(4)蚀刻:将显影后的铜箔基板,经蚀刻液的冲洗,将没有干膜保护的铜箔蚀刻去除干净,留下发生聚合反应干膜保护的铜箔,在铜箔基板上形成线路;
(5)剥膜:将蚀刻后的铜箔基板,经剥膜液的冲洗,将保护铜箔的发生聚合反应干膜去除干净,铜箔基板上形成完整的铜层线路;
(6)丝印胶黏剂:通过丝网印刷设备,将胶黏剂丝印在铜层线路上,形成胶层;
(7)贴合绝缘膜:通过快压机,将绝缘膜通过胶层贴合在铜层线路上,形成绝缘膜层;
(8)剥离保护膜:通过剥膜机剥离铜箔基板背面的保护膜,得到LED灯带用高透射单面板。
进一步地,所述步骤(1)贴干膜:所述铜箔的厚度为12~50微米;所述保护膜为PI膜、PET膜、PE膜、PS膜、PTFE膜或PC膜中的一种,所述保护膜的厚度为80~120微米;所述干膜包括PET膜层和光致抗蚀剂膜层,所述干膜的厚度为30~50微米;所述贴膜机的压力控制在3.0~5.0kgf/cm2,压合温度控制在100~120℃,贴膜速度控制在1.5~2.5m/min。
进一步地,所述步骤(2)曝光:所述曝光机的曝光能量控制在35~75mj/cm2
进一步地,所述步骤(3)显影:所述显影液为浓度为0.08~0.12mol/L的Na2CO3溶液;所述步骤(3)显影所用设备为显影生产线;所述显影生产线的显影液喷淋压力控制在1.5~2.5kgf/cm2,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2,温度控制在35~45℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
进一步地,所述步骤(4)蚀刻:所述蚀刻液为酸性氯化铜蚀刻液,所述酸性氯化铜蚀刻液含有HCl和CuCl2,所述HCl的浓度为0.8~2.5mol/L,所述CuCl2的浓度为1.5~2.5mol/L;所述步骤(4)蚀刻所用设备为蚀刻生产线;所述蚀刻生产线的蚀刻液喷淋压力控制在1~3kgf/cm2,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2,温度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
进一步地,所述步骤(5)剥膜:所述剥膜液为浓度0.8~1.3mol/L的NaOH溶液;所述步骤(5)剥膜所用设备为剥膜生产线;所述剥膜生产线的剥膜液喷淋压力设置为1.5~2.5kgf/cm2,温度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗压力设置为1.0~2.0kgf/cm2
进一步地,所述步骤(6)丝印胶黏剂:所述胶黏剂所用材料选自环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂或聚酰亚胺树脂中的一种;所述胶层的厚度为8~15微米。
进一步地,所述步骤(7)贴合绝缘膜:所述绝缘膜为PI膜、PET膜、PE膜、PEN膜或BOPP膜中的一种;所述绝缘膜的厚度为18~120微米;所述快压机的压力控制在80~100kgf/cm2,压合温度控制在160~180℃,压合时间控制在60~90s。
本发明还提供一种LED灯带用高透射单面板,由上述所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法制备得到。
所述LED灯带用高透射单面板,包括绝缘膜层、胶层和铜箔层。
本发明的有益效果是:本发明LED灯带用高透射单面板及其制备方法,通过(1)贴干膜,在背面贴合有保护膜的铜箔的正面贴合干膜,形成有干膜保护的铜箔基板;(2)曝光、(3)显影和(4)蚀刻,在铜箔基板上形成线路;(5)剥膜,在铜箔基板上形成完整的铜层线路;(6)丝印胶黏剂,将胶黏剂丝印在铜层线路上,形成胶层;(7)贴合绝缘膜,形成绝缘膜层;(8)剥离保护膜,制得LED灯带用高透射单面板,所述LED灯带用高透射单面板包括绝缘膜层、胶层和铜箔层。本发明通过在铜层线路上丝印胶黏剂,减少了胶黏剂的涂覆面积,增加了绝缘膜层的透射度,进而提高了LED灯带用单面板的透射率。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面结合具体实施步骤和实施例1-3对本发明作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
本发明提供的一种LED灯带用高透射单面板的制备方法,包括以下步骤:
步骤(1)贴干膜:提供干膜和铜箔,所述铜箔的背面贴合有保护膜,通过贴膜机将所述干膜贴合在所述铜箔的正面,形成有干膜保护的铜箔基板,以便后续形成线路。贴干膜完成后,铜箔基板的背面贴合有保护膜,铜箔基板的正面贴合有干膜。
确保铜箔的蚀刻效果和柔性,所述铜箔厚度为12~50微米,优选为12微米、20微米、30微米、40微米。
实施例1-3中保护膜所用材料为PET膜,其它实施例中,所述保护膜还可以为PI膜、PE膜、PS膜、PTFE膜或PC膜中的一种,所述保护膜用于支撑和保护铜箔,所述保护膜的厚度为80~120微米,所述保护膜具有低粘性,可长期贴合,且在移除后不会出现脱胶现象。
所述干膜用于后续影像转移和蚀刻保护;所述干膜包括PET膜层和光致抗蚀剂膜层,所述PET膜层用来支撑和保护光致抗蚀剂膜层,所述光致抗蚀剂膜层的表面覆盖一层PE保护膜,所述PE保护膜主要用来保护干膜的光致抗蚀剂膜层;所述干膜的厚度为30~50微米,优选为30微米、40微米、45微米。
所述干膜在使用前,需要剥离光致抗蚀剂膜层表面的PE保护膜。
所述贴膜机的压力过大,压合温度过高,贴膜速度过快,贴膜折皱;压力过小,压合温度过低,贴膜速度过慢,贴膜附着力变差。为了确保干膜的贴合效果,所述贴膜机的压力控制在3.0~5.0kgf/cm2,压合温度控制在100~120℃,贴膜速度控制在1.5~2.5m/min。
步骤(2)曝光:将底片上的线路图形与贴好干膜的铜箔基板对位,进行影像转移。在曝光机上通过紫外线曝光,经过紫外线曝光区域的干膜,会发生聚合反应,未被光照到的区域不发生聚合反应,将线路移转到干膜上。即利用紫外光的能量,使干膜中的光致抗蚀剂膜层发生光化学反应,以达到选择性局部桥架硬化的效果,而完成影像转移。
避免曝光不足或曝光过量,所述曝光机的曝光能量控制在35~75mj/cm2
步骤(3)显影:经过紫外线曝光区域的干膜,会聚合反应,未被光照到的区域不发生聚合反应,在显影液的作用下,将没有发生聚合反应区域的干膜去除干净,铜箔基板上露出没有干膜保护的铜箔;所述显影液为Na2CO3溶液。
Na2CO3溶液的浓度越大,显影速率越快,但过快会造成显影过度;Na2CO3溶液的浓度过小,显影速率变慢,造成显影不足,故显影液中Na2CO3的浓度控制在0.08~0.12mol/L。
显影过程中,显影所用设备为显影生产线。为控制显影液的反应速度和反应效果,显影生产线的显影液喷淋压力控制在1.5~2.5kgf/cm2,温度控制在35~45℃,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2
步骤(4)蚀刻:将显影后的铜箔基板,经酸性氯化铜蚀刻液的冲洗,将没有干膜保护的铜箔蚀刻去除干净,即将不需要的铜反应掉,留下有聚合干膜保护的铜箔,在铜箔基板上形成线路;所述聚合干膜为发生聚合反应的干膜。
所述酸性氯化铜蚀刻液含有HCl和CuCl2
蚀刻机理: Cu+CuCl2→Cu2Cl2
Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2-
影响蚀刻速率的因素:影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。
1)Cl-含量的影响:溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系,HCl浓度升高低于0.8 mol/L,蚀刻时间较长,容铜量较低。当HCl浓度升高时,蚀刻时间减少,并且能够提高溶铜量。当HCl浓度超过2.5mol/L,CuCl2的溶解度迅速降低。
添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是:在CuCl2溶液中发生铜的蚀刻反应时,生成的Cu2Cl2不易溶于水,则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜,这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-,从铜表面上溶解下来,从而提高了蚀刻速率。
故HCl的浓度控制在0.8~2.5mol/L。
2)Cu+含量的影响:根据蚀刻反应机理,随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会显著的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。
3) Cu2+含量的影响:溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时,蚀刻速率较低,在2mol/L时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中Cu+的含量会逐渐增加。当Cu+含量增加到一定浓度时,蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含Cu2+量控制在一定的范围内,故CuCl2的浓度控制在1.5~2.5mol/L。
4)温度对蚀刻速率的影响:如果蚀刻液温度低于40℃,蚀刻速率很慢,影响蚀刻质量,温度高于60℃,蚀刻速率明显增大,会引起HCl过多地挥发,造成溶液组分比例失调。故蚀刻温度控制在45~55℃。
蚀刻过程中,蚀刻所用设备为蚀刻生产线,为控制蚀刻液的反应速度和反应效果,蚀刻生产线的蚀刻液喷淋压力控制在1~3kgf/cm2,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2
步骤(5)剥膜:将蚀刻后的铜箔基板,经剥膜液的冲洗,将保护铜箔的聚合干膜去除干净,铜箔基板上形成完整的铜层线路;所述剥膜液为NaOH溶液,所述聚合干膜为发生聚合反应的干膜。
NaOH溶液的浓度越大,剥膜速率越快,但会对铜箔基板和剥膜设备造成腐蚀;NaOH溶液的浓度过小,剥膜速率变慢而影响剥膜质量,故剥膜液中NaOH的浓度控制在0.8~1.3mol/L。
剥膜过程中,剥膜所用设备为剥膜生产线,为控制剥膜液的反应速度和反应效果,剥膜生产线的剥膜液喷淋压力控制在1.5~2.5kgf/cm2,温度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗压力设置为1.0~2.0kgf/cm2
步骤(6)丝印胶黏剂:通过丝网印刷设备,将胶黏剂丝印在铜层线路上,形成胶层。
实施例1-3中胶黏剂所用材料为环氧树脂,其它实施例中,所述胶黏剂所用材料还可以为丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂或聚酰亚胺树脂中的一种。
为了确保胶层的贴合作用和确保单面板的厚度,所述胶层的厚度为8~15微米,优选为8微米、10微米、12微米、15微米。
步骤(7)贴合绝缘膜:通过快压机,将绝缘膜通过胶层贴合在铜层线路上。
实施例1-3中绝缘膜为PET膜。其它实施例中,所述绝缘膜还可以为PI膜、PE膜、PEN膜或BOPP膜中的一种;所述绝缘膜的厚度小于18微米,对铜箔线路的支撑作用不够;所述绝缘膜的厚度大于120微米,单面板厚度增加,影响单面板的透射度,故绝缘膜的厚度为18~120微米,优选为20微米、25微米、40微米、60微米、80微米、100微米。
所述快压机的压力过大、压合时间过长,贴膜折皱;压力过小,压合时间过短,附着力变差。为了确保绝缘膜的贴合效果,所述快压机的压力控制在80~100kgf/cm2,压合温度控制在160~180℃、压合时间控制在60~90s。
步骤(8)剥离保护膜:通过剥膜机剥离铜层线路背面的保护膜,得到LED灯带用高透射单面板。
上述实施步骤中,通过调整实施参数,得到实施例1-3。
将本发明制备方法制得的LED灯带用高透射单面板与现有技术制得的单面板进行透射率测试。具体测试方法如下:将制得的单面板平铺,铜层线路面朝上,采用上海精密科学仪器有限公司的WGT-S透光雾度测试仪,对单面板进行透光率测试,待仪器显示稳定1min后读数记录,反复测试5次,求取平均值。
测试结果如下:
表1为现有技术制得的单面板。
表2为本发明制备方法制得的LED灯带用高透射单面板。
表1:
Figure DEST_PATH_IMAGE002
表2:
Figure DEST_PATH_IMAGE004
本发明LED灯带用高透射单面板的制备方法,仅在铜层线路上涂覆胶层,有效降低整个单面板上胶层的面积,增加了单面板的透射度。
本发明LED灯带用高透射单面板的制备方法制得的LED灯带用高透射单面板,相比现有技术制得的单面板,具有较高的透射率。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此,本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式,对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于:其包括下列步骤:
(1)贴干膜:提供干膜和铜箔,所述铜箔的背面贴合有保护膜,通过贴膜机将所述干膜贴合在所述铜箔的正面,形成有干膜保护的铜箔基板;
(2)曝光:将底片上的线路图形与贴干膜的铜箔基板对位,通过曝光机进行影像转移,被光照到区域的干膜发生聚合反应,未被光照到区域的干膜不发生聚合反应,利用光的作用将影像转移到贴干膜的铜箔基板;
(3)显影:将曝光后的铜箔基板,通过显影液冲洗,将没有发生聚合反应区域的干膜去除干净,铜箔基板上露出没有干膜保护的铜箔;
(4)蚀刻:将显影后的铜箔基板,经蚀刻液的冲洗,将没有干膜保护的铜箔蚀刻去除干净,留下发生聚合反应干膜保护的铜箔,在铜箔基板上形成线路;
(5)剥膜:将蚀刻后的铜箔基板,经剥膜液的冲洗,将保护铜箔的发生聚合反应干膜去除干净,铜箔基板上形成完整的铜层线路;
(6)丝印胶黏剂:通过丝网印刷设备,将胶黏剂丝印在铜层线路上,形成胶层;
(7)贴合绝缘膜:通过快压机,将绝缘膜通过胶层贴合在铜层线路上,形成绝缘膜层;
(8)剥离保护膜:通过剥膜机剥离铜箔基板背面的保护膜,得到LED灯带用高透射单面板。
2.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)贴干膜:
所述铜箔的厚度为12~50微米;
所述保护膜为PI膜、PET膜、PE膜、PS膜、PTFE膜或PC膜中的一种,所述保护膜的厚度为80~120微米。
3.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)贴干膜:
所述干膜包括PET膜层和光致抗蚀剂膜层;
所述干膜的厚度为30~50微米;
所述贴膜机的压力控制在3.0~5.0kgf/cm2,压合温度控制在100~120℃,贴膜速度控制在1.5~2.5m/min。
4.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)曝光:
所述曝光机的曝光能量控制在35~75mj/cm2
5.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)显影:
所述显影液为浓度为0.08~0.12mol/L的Na2CO3溶液;
所述步骤(3)显影所用设备为显影生产线;
所述显影生产线的显影液喷淋压力控制在1.5~2.5kgf/cm2,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2,温度控制在35~45℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
6.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)蚀刻:
所述蚀刻液为酸性氯化铜蚀刻液,所述酸性氯化铜蚀刻液含有HCl和CuCl2,所述HCl的浓度为0.8~2.5mol/L,所述CuCl2的浓度为1.5~2.5mol/L;
所述步骤(4)蚀刻所用设备为蚀刻生产线;
所述蚀刻生产线的蚀刻液喷淋压力控制在1~3 kgf/cm2,水洗压力控制在1.0~2.0kgf/cm2,温度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
7.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)剥膜:
所述剥膜液为浓度0.8~1.3mol/L的NaOH溶液;
所述步骤(5)剥膜所用设备为剥膜生产线;
所述剥膜生产线的剥膜液喷淋压力设置为1.5~2.5kgf/cm2,温度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗压力设置为1.0~2.0kgf/cm2
8.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)丝印胶黏剂:
所述胶黏剂所用材料选自环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂或聚酰亚胺树脂中的一种;
所述胶层的厚度为8~15微米。
9.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法,其特征在于,所述步骤(7)贴合绝缘膜:
所述绝缘膜为PI膜、PET膜、PE膜、PEN膜或BOPP膜中的一种;
所述绝缘膜的厚度为18~120微米;
所述快压机的压力控制在80~100kgf/cm2,压合温度控制在160~180℃,压合时间控制在60~90s。
10.一种采用权利要求1至9任一项所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法制备得到LED灯带用高透射单面板,其特征在于,其包括绝缘膜层、胶层和铜箔层。
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