CN111158199A - 一种阵列基板和显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 204
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 283
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板和显示装置。阵列基板包括显示区域和绑定区域，阵列基板包括：第一基底；取光层，设置在所述第一基底上，包括位于显示区域的多个取光单元；有机介质层，设置在所述取光层的背离所述第一基底的一侧，所述有机介质层位于绑定区域之外，所述有机介质层的折射率小于所述第一基底的折射率；第一绝缘层，设置在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧，且位于绑定区域；绑定垫，设置在所述第一绝缘层的背离所述第一基底的一侧，且位于绑定区域。该阵列基板，绑定区域不再设置有有机介质层，可以避免绑定过程中绑定垫脱落。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的日益发展，各种显示技术不断涌现，其中，透明显示技术因其显示面板的光穿透特性，越来越受到人们的关注。透明显示装置具有一定的光穿透性，不仅可以在显示屏幕上显示画面，还可以透过显示屏幕观看到显示屏幕后方的背景，从而更适合在建筑物窗户、汽车车窗、商店橱窗等。
现有技术中，透明显示面板设置有绑定区域，绑定区域设置有用于与外接线路板绑定连接的绑定垫，绑定垫设置在绝缘材料上。在绑定过程中，绑定垫下方的绝缘材料由于受到机械力和加热影响，容易产生变形，从而导致绑定垫脱落，降低了产品的性能和良率。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种阵列基板和显示装置。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种阵列基板，包括显示区域以及位于所述显示区域之外的绑定区域，所述阵列基板包括：
第一基底；
取光层，设置在所述第一基底上，所述取光层包括位于显示区域的多个取光单元；
有机介质层，设置在所述取光层的背离所述第一基底的一侧，所述有机介质层位于绑定区域之外，所述有机介质层的折射率小于所述第一基底的折射率；第一绝缘层，设置在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧，且位于绑定区域；
绑定垫，设置在所述第一绝缘层的背离所述第一基底的一侧，且位于绑定区域。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述第一基底与所述第一绝缘层之间，所述遮光层位于绑定区域。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述有机介质层的背离所述取光层的一侧，所述第二绝缘层在所述第一基底上的正投影与所述有机介质层在所述第一基底上的正投影重合。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述第一基底和所述遮光层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层位于绑定区域。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述有机介质层的背离所述取光层的一侧，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层同层设置。
在一个示例性实施例中，所述有机介质层的材料的折射率小于或等于1.25。
在一个示例性实施例中，所述有机介质层的材料包括有机硅氧材料。
在一个示例性实施例中，所述显示区域包括多个呈矩阵排布的子像素区域，所述取光单元位于相邻两个子像素区域之间。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板包括多个所述显示区域，多个所述显示区域呈阵列排布，所述阵列基板还包括位于所述显示区域和所述绑定区域之外的透明区域，所述有机介质层位于所述透明区域。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述有机介质层的背离所述取光层一侧且位于显示区域的控制结构层，所述控制结构层包括薄膜晶体管，所述遮光层与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种显示装置，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，还包括设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板采用以上所述的阵列基板。
在一个示例性实施例中，所述显示装置还包括侧入式导光组件，所述侧入式导光组件包括设置在所述阵列基板的背离所述彩膜基板一侧的导光板以及设置在所述导光板侧面的光源。
在一个示例性实施例中，所述第一基底复用为所述导光板。
在一个示例性实施例中，所述彩膜基板包括第二基底和设置在所述第二基底的朝向所述阵列基板一侧的彩膜结构层，所述彩膜结构层包括多个彩膜以及设置在相邻两个彩膜之间的黑矩阵，所述取光单元在所述第二基底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第二基底上的正投影的范围内。
本发明实施例的阵列基板，绑定垫与第一基底之间不再设置有有机介质层，因此，在绑定过程中，可以避免绑定垫脱落，提高产品良率和性能。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一种透明显示装置的平面结构示意图；
图2为图1中的B-B截面结构示意图；
图3为本发明实施例阵列基板的截面结构示意图；
图4为阵列基板的显示区域的平面结构示意图；
图5a为阵列基板中形成有机介质层后的结构示意图；
图5b为阵列基板中形成第三绝缘层后的结构示意图；
图5c为阵列基板中形成绑定垫后的结构示意图；
图6为本发明实施例显示装置的结构示意图；
图7为本发明另一实施例显示装置的结构示意图。
附图标记说明：
10—阵列基板； 11—第一基底； 121—取光单元；
13—有机介质层； 14—绝缘层； 141—第二绝缘层；
142—第四绝缘层； 15—控制结构层； 151—薄膜晶体管；
152—平坦层； 153—第一电极； 154—第五绝缘层
155—第二电极； 16—绑定垫； 20—彩膜基板；
21—第二基底； 22—彩膜； 23—黑矩阵；
31—导光板； 32—光源； 51—遮光层；
52—第一绝缘层； 53—第三绝缘层； 100—显示区域；
200—透明区域； 300—绑定区域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1为一种透明显示装置的平面结构示意图，图2为图1中的B-B截面结构示意图。如图1所示，透明显示装置包括多个呈阵列排布的显示区域100以及位于显示区域100之间的透明区域200。显示区域100用于显示图像，透明区域200可以透过环境光，实现透明显示。透明显示装置还包括位于显示区域之外并靠近边缘位置的绑定区域300，绑定区域300设置有绑定垫，透明显示面板通过绑定垫与控制线路板绑定连接。
如图2所示，透明显示装置包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20，以及设置在阵列基板10和彩膜基板20之间的液晶层(图中未示出)。显示装置还包括设置在阵列基板10的背离彩膜基板20一侧的侧入式导光组件。侧入式导光组件包括导光板31和光源32。导光板31设置在阵列基板10的背离彩膜基板20的一侧，光源32位于导光板31的侧面(在图2中，光源32位于导光板31的左侧)。阵列基板10包括第一基底11，第一基底11的背离导光板31的一侧设置有取光层，取光层包括位于显示区域100的多个取光单元121。阵列基板10还包括设置在取光层的背离第一基底11一侧的有机介质层13，有机介质层13位于显示区域100、透明区域200和绑定区域300。光源32发出的光线从导光板31侧面射入导光板31。为了防止导光板31内的光线从非取光单元121处射出，有机介质层13的材质采用低折射率材料，有机介质层13的材质的折射率低于导光板31的折射率，有机介质层13具有较低的折射率。当导光板31内的光线照射到有机介质层13的表面时，低折射率材料的有机介质层13可以使光线发生全反射后再次进入导光板31内传输，这样就可以避免显示装置漏光。取光单元121可以采用纳米光栅，取光单元121可以作为取光口，通过光栅衍射实现准直取光。因此，取光单元121可以从导光板31内取出准直光线。通过电压调整液晶的偏转，可以实现显示装置从L0至L255灰阶的显示。
如图2所示，阵列基板10还包括设置在有机介质层13的背离第一基底11一侧的绝缘层14，绝缘层14的背离第一基底11的一侧设置有控制结构层15和绑定垫16。控制结构层15位于显示区域100，绑定垫16位于绑定区域300。显示面板通过绑定垫16与外部控制线路板绑定连接。如图2所示，为了防止导光板31内的光线从绑定区域300漏出，有机介质层13布满整个第一基底11，也就是说，有机介质层13布满显示区域100、透明区域200和绑定区域300。在绑定过程中，由于受到机械力和加热影响，有机介质层13容易发生变形，导致绑定垫16脱落，导致产品良率下降，降低了产品性能。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板。该阵列基板包括显示区域以及位于所述显示区域之外的绑定区域，所述阵列基板包括：第一基底；取光层，设置在所述第一基底上，所述取光层包括位于显示区域的多个取光单元；有机介质层，设置在所述取光层的背离所述第一基底的一侧，所述有机介质层位于绑定区域之外，所述有机介质层的折射率小于所述第一基底的折射率；第一绝缘层，设置在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧，且位于绑定区域；绑定垫，设置在所述第一绝缘层的背离所述第一基底的一侧，且位于绑定区域。
本发明实施例的阵列基板，绑定垫与第一基底之间不再设置有有机介质层，因此，在绑定过程中，可以避免绑定垫脱落，提高产品良率和性能。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
图3为本发明实施例阵列基板的截面结构示意图。如图3所示，阵列基板包括显示区域100以及位于显示区域100之外的绑定区域300。阵列基板包括第一基底11、设置在第一基底11上的取光层以及设置在取光层的背离第一基底11一侧的有机介质层13。取光层包括位于显示区域100的多个取光单元121，有机介质层13位于绑定区域300之外。有机介质层13的折射率小于第一基底11的折射率阵列基板还包括设置在第一基底11的朝向取光层一侧的遮光层51，遮光层51位于绑定区域300。阵列基板还包括设置在第一基底11的朝向取光层一侧的第一绝缘层52和设置在第一绝缘层52的背离第一基底11一侧的绑定垫16。绑定垫16和第一绝缘层52均位于绑定区域300。
本发明实施例的阵列基板，绑定垫16与第一基底11之间不再设置有有机介质层13，因此，在绑定过程中，可以避免绑定垫16脱落，提高产品良率和性能。
在一个示例性实施例中，阵列基板还包括遮光层51，遮光层51设置在第一基底11与第一绝缘层52之间，遮光层51位于绑定区域300。在绑定区域设置遮光层51，遮光层51可以避免光线从绑定区域漏光，提高产品的性能。
在一个示例性实施例中，有机介质层13的材料的折射率小于或等于1.25，从而，有机介质层13的材料的折射率就小于导光板。从而，当在第一基底11的背离取光层的一侧设置侧入式导光组件后，导光组件内的光线照射到有机介质层13表面时，有机介质层13会使光线发生全反射重新进入导光组件，避免光线漏出，提高光源利用率。
在一个示例性实施例中，取光单元121可以采用纳米光栅，取光单元121可以作为取光口，通过光栅衍射实现准直取光。
在一个示例性实施例中，有机介质层13的材料可以包括有机硅氧材料。有机硅氧材料具有较小的折射率，当导光组件内的光线照射到有机介质层13表面时，有机硅氧材料的有机介质层13可以使光线发生全反射重新进入导光组件传输。
在一个示例性实施例中，如图1所示，阵列基板包括多个显示区域100。多个显示区域100呈阵列排布。阵列基板还包括位于显示区域100和绑定区域300之外的透明区域200。有机介质层13还位于透明区域200。这样的结构，当阵列基板应用在侧入式背光显示装置中时，位于透明区域200的有机介质层13可以将导光板***向透明区域200的光线全反射回导光板，避免透明区域漏光，提高了光线的利用率和显示装置的显示亮度。
在一个示例性实施例中，如图1所示，多个显示区域100呈阵列排布，透明区域200位于相邻两个显示区域100之间。
在一个示例性实施例中，如图3所示，阵列基板还可以包括第二绝缘层141，第二绝缘层141设置在有机介质层13的背离取光层的一侧。在一个示例性实施例中，第二绝缘层141在第一基底11上的正投影与有机介质层13在第一基底11上的正投影重合。当有机介质层材料采用有机硅氧材料时，由于有机硅氧材料为非感光材料，所以，第二绝缘层141可以作为形成有机介质层时的掩膜。在一个示例性实施例中，第二绝缘层141的材料可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
在一个示例性实施例中，如图3所示，阵列基板还包括设置在第一基底11和遮光层51之间的第三绝缘层53，第三绝缘层53位于绑定区域。在一个示例性实施例中，第三绝缘层53的材质可以包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。第三绝缘层53的设置，可以避免遮光层51与第一基底11直接接触，增加了遮光层51的牢固性。
在一个示例性实施例中，如图3所示，阵列基板还可以包括设置在第二绝缘层141的背离有机介质层13一的第四绝缘层142，第四绝缘层142可以位于显示区域和透明区域。在一个示例性实施例中，第三绝缘层53和第四绝缘层142可以同层设置，亦即，第三绝缘层53和第四绝缘层142同时形成。
在一个示例性实施例中，如图3所示，阵列基板还包括设置在有机介质层13的背离取光层一侧的控制结构层15。在图3中，控制结构层15设置在第四绝缘层142背离第三绝缘层141的一侧。控制结构层15位于显示区域。控制结构层15可以包括薄膜晶体管。遮光层51与薄膜晶体管的栅电极同层设置，也就是说，遮光层51与薄膜晶体管的栅电极通过一次图案化工艺形成。这样的结构，在形成薄膜晶体管的栅电极时，可以同时形成遮光层51，不需要额外增加掩膜，简化了阵列基板的制程，降低了阵列基板的成本。
在一个示例性实施例中，如图3所示，控制结构层15的薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管。位于绑定区域的第一绝缘层52可以与薄膜晶体管中的栅绝缘膜(位于栅电极与有源层之间的绝缘层)同层设置，即，第一绝缘层52可以与薄膜晶体管中的栅绝缘层同时形成。在一个示例性实施例中，控制结构层的薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管。位于绑定区域的第一绝缘层52可以与薄膜晶体管中的层间绝缘层(位于栅电极与漏电极之间的绝缘层)同层设置；第三绝缘层53可以与薄膜晶体管中的栅绝缘层(位于有源层与栅电极之间的绝缘层)同层设置。
在一个示例性实施例中，如图3所示，控制结构层15还可以包括位于薄膜晶体管的背离第一基底11一侧的平坦层152。平坦层152的背离薄膜晶体管一侧设置有第一电极153。第一电极153的背离平坦层152的一侧设置有第五绝缘层154，第五绝缘层154的背离第一电极153的一侧设置有第二电极155。在一个示例性实施例中，第一电极153和第二电极155中的一个可以为板状电极，另一个可以为条状电极，第一电极153和第二电极155之间可以形成水平电场，来驱动液晶偏转。在一个示例性实施例中，第一电极和第二电极的材质可以均为透明材质，例如氧化铟锡等。
在一个示例性实施例中，如图3所示，阵列基板还可以包括设置在控制结构层15的背离有机介质层13一侧的取向层18，取向层18可以位于显示区域100。
图4为阵列基板的显示区域的平面结构示意图。在一个示例性实施例中，如图4所示，显示区域100可以包括多个呈阵列排布的子像素区域，取光单元121位于相邻两个子像素区域之间。多个子像素区域可以为R子像素区域、G子像素区域、B子像素区域。取光单元121可以位于相邻两行子像素区域之间，或者，取光单元121可以位于相邻两列子像素区域之间，或者，取光单元121可以设置在相邻两行和相邻两列子像素区域之间。
本发明实施例还提供了一种如上所述阵列基板的制备方法。阵列基板的制备方法，可以包括：
在第一基底上形成取光层，所述取光层包括位于显示区域的多个取光单元；
在所述取光层的背离所述第一基底的一侧形成位于显示区域的有机介质层；
在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧形成位于绑定区域的遮光层；
在所述遮光层的背离所述第一基底的一侧形成位于绑定区域的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层的背离所述遮光层的一侧形成位于绑定区域的绑定垫。
在一个示例性实施例中，在所述取光层的背离所述第一基底的一侧形成位于显示区域的有机介质层的步骤，可以包括：
在所述取光层的背离所述第一基底的一侧形成反射薄膜；
在所述反射薄膜的背离所述取光层的一侧形成第二绝缘薄膜；
对所述第二绝缘薄膜进行图案化处理，去除位于绑定区域的第二绝缘薄膜，保留的第二绝缘薄膜形成第二绝缘层；
以所述第二绝缘层为掩膜，对反射薄膜进行刻蚀，去除位于绑定区域的反射薄膜，保留的反射薄膜形成有机介质层。
在一个示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述有机介质层的背离所述取光层一侧且位于显示区域的控制结构层，所述控制结构层包括薄膜晶体管，在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧形成位于绑定区域的遮光层的步骤，包括：
在形成薄膜晶体管的栅电极的同时，在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧形成位于绑定区域的遮光层。
下面通过如图3所示阵列基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。容易理解的是，本发明实施例中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺。本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的刻蚀，可以为干法刻蚀，也可以为湿法刻蚀。“同层设置”指通过一次图案化工艺形成。
在第一基底11上形成取光层，取光层包括位于显示区域100的多个取光单元121。本领域技术人员理解，可以采用常规技术形成取光层，在此不再赘述。取光单元121可以采用纳米光栅，取光单元121可以作为取光口，通过光栅衍射实现准直取光。
在取光层的背离第一基底的一侧形成位于显示区域的有机介质层，可以包括：在取光层的背离第一基底11的一侧形成反射薄膜，在反射薄膜的背离取光层的一侧沉积第二绝缘薄膜；对第二绝缘薄膜进行图案化处理，去除绑定区域的第二绝缘薄膜，保留的第二绝缘薄膜形成第二绝缘层141，位于绑定区域的反射薄膜暴露出来；采用第二绝缘层141为硬掩膜，对反射薄膜进行刻蚀，去除位于绑定区域的反射薄膜，保留被第二绝缘层141覆盖的反射薄膜而形成有机介质层13，如图5a所示，图5a为阵列基板中形成有机介质层后的结构示意图。其中，有机介质层13的材料的折射率小于或等于1.25。有机介质层13的材质可以包括有机硅氧材料。有机硅氧材料为非感光材料有机材料，可以采用涂覆的方式形成反射薄膜。在其它实施例中，反射薄膜还可以选择其它低折射率材料，当反射薄膜的材料为有机感光材料时，可以通过曝光、显影直接形成有机介质层；当反射薄膜的材料为无机材料时，可以通过涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺形成有机介质层。
在形成前述图案的第一基底上形成位于显示区域和透明区域的第四绝缘层，以及位于绑定区域的第三绝缘层，可以包括：在形成前述图案的第一基底上沉积第三绝缘薄膜，位于显示区域和透明区域的第三绝缘薄膜形成第四绝缘层142，位于绑定区域的第三绝缘薄膜形成第三绝缘层53，如图5b所示，图5b为阵列基板中形成第三绝缘层后的结构示意图。在该步骤中，位于绑定区域的第三绝缘层53和位于显示区域的第四绝缘层142同时形成。
在形成前述图案的第一基底上形成位于显示区域的控制结构层、位于绑定区域的遮光层、第一绝缘层和绑定垫，控制结构层15包括薄膜晶体管151，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，遮光层与栅电极通过一次图案化工艺形成。在一个示例性实施例中，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管，该步骤可以包括：在形成前述图案的第一基底上形成栅电极薄膜，对栅电极薄膜进行图案化处理，形成位于显示区域的栅电极和位于绑定区域的遮光层51，去除其它位置的栅电极薄膜；在形成前述图案的第一基底上形成栅绝缘薄膜，栅绝缘薄膜位于显示区域、透明区域和绑定区域，位于绑定区域的栅绝缘薄膜即为第一绝缘层52，位于显示区域的栅绝缘薄膜即为栅绝缘层；在栅绝缘层上形成位于显示区域的有源层；在形成有源层的第一基底11上形成源/漏电极薄膜，对源/漏电极薄膜进行图案化处理，形成位于显示区域的源电极和漏电极，以及形成位于绑定区域的绑定垫16，如图5c所示，图5c为阵列基板中形成绑定垫后的结构示意图。其中，遮光层51的材质可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
在一个示例性实施例中，薄膜晶体管还可以为顶栅型薄膜晶体管。遮光层51与薄膜晶体管的栅电极通过一次图案化工艺形成。
在一个示例性实施例中，形成控制结构层，还可以包括：在形成薄膜晶体管的第一基底上形成位于显示区域的平坦层152，在平坦层152上形成位于显示区域的第一电极153，在第一电极153上形成位于显示区域的第五绝缘层154，在第五绝缘层154上形成位于显示区域的第二电极155，如图3所示。在一个示例性实施例中，第一电极可以为板状电极，第二电极可以包括多个条状电极。第一电极和第二电极之间形成水平电场，控制液晶的偏转。
在一个示例性实施例中，阵列基板的制备过程还可以包括：在第二电极155上形成取向层18，如图3所示。
图6为本发明实施例显示装置的结构示意图。本发明实施例还提供了一种显示装置，如图6所示，该显示装置包括以上所述的阵列基板10，还包括彩膜基板20和侧入式导光组件30。彩膜基板20在阵列基板10的绑定垫16侧与阵列基板10对盒设置，侧入式导光组件30设置在阵列基板10的背离彩膜基板20的一侧。显示装置还包括设置在阵列基板10和彩膜基板20之间的液晶层(图中未示出)。
在一个示例性实施例中，如图6所示，彩膜基板20包括第二基底21，第二基底21的朝向阵列基板10的一侧设置有位于显示区域的彩膜结构层，彩膜结构层包括多个呈阵列排布的彩膜22以及设置在相邻两个彩膜之间的黑矩阵23。彩膜22与阵列基板10的子像素区域一一对应设置。在一个示例性实施例中，阵列基板10的取光单元121与黑矩阵23对应设置，也就是说，取光单元121在第二基底21上的正投影位于黑矩阵23在第二基底21上的正投影的范围内。
在一个示例性实施例中，如图6所示，侧入式导光组件30包括导光板31以及设置在导光板31侧面的光源32。光源32发出的光进入导光板31后，在导光板31内传输。由于有机介质层13的折射率远远小于导光板31，所以，当导光板31内的光线照射到有机介质层13表面时，有机介质层13会使光线产生全反射重新进入导光板31内，避免光线从有机介质层13漏出。取光单元121可以从导光板31内取出准直光线。
当显示装置显示时，通过控制第一电极和第二电极的电压，来控制液晶偏转，取光单元121取出的准直光线通过液晶层和彩膜基板显示对应的图像。当显示装置不显示时，黑矩阵可以遮挡取光单元121射出的准直光线，避免取光单元121射出的准直光线射出到显示侧。
图7为本发明另一实施例显示装置的结构示意图。在一个示例性实施例中，如图7所示，第一基底11复用为导光板31，光源32设置在第一基底11的侧面。也就是说，将制作在第一基底11上的膜层直接制作在导光板31的上表面上。这样的显示装置，可以节省一个玻璃基底的厚度，有利于实现显示装置的超薄设计。
在一个示例性实施例中，该显示装置可以为透明显示装置。显示装置可以用做商店橱窗等。
当显示装置处于未显示图像状态时，显示装置为透明状态。虽然取光单元121可以从导光板31内取出准直光线，但由于黑矩阵的遮挡，取光单元121取出的准直光线不会对显示装置产生影响。位于显示装置显示侧的用户可以清楚地看到位于显示装置另一侧的物品，例如，当显示装置用作商店橱窗时，橱窗外的用户可以清晰地观看到橱窗内的物品。
当显示装置处于显示图像状态时，显示装置的透明区域保持透明，显示区域进行图像显示。位于显示装置显示侧的用户可以通过显示装置的透明区域清楚地看到位于显示装置另一侧的物品，例如，当显示装置用作商店橱窗时，橱窗外的用户可以通过显示装置的透明区域清晰地观看到橱窗内的物品，同时，用户还可以从显示装置的显示区域观看到显示的图像。
该显示装置，可以为透明显示装置，适合应用在建筑物窗户、汽车车窗、商店橱窗等产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (14)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域以及位于所述显示区域之外的绑定区域，所述阵列基板包括：
第一基底；
取光层，设置在所述第一基底上，所述取光层包括位于显示区域的多个取光单元；
有机介质层，设置在所述取光层的背离所述第一基底的一侧，所述有机介质层位于绑定区域之外，所述有机介质层的折射率小于所述第一基底的折射率；
第一绝缘层，设置在所述第一基底的朝向所述取光层的一侧，且位于绑定区域；
绑定垫，设置在所述第一绝缘层的背离所述第一基底的一侧，且位于绑定区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述第一基底与所述第一绝缘层之间，所述遮光层位于绑定区域。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述有机介质层的背离所述取光层的一侧，所述第二绝缘层在所述第一基底上的正投影与所述有机介质层在所述第一基底上的正投影重合。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述第一基底和所述遮光层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层位于绑定区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述有机介质层的背离所述取光层的一侧，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层同层设置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机介质层的材料的折射率小于或等于1.25。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有机介质层的材料包括有机硅氧材料。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域包括多个呈矩阵排布的子像素区域，所述取光单元位于相邻两个子像素区域之间。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个所述显示区域，多个所述显示区域呈阵列排布，所述阵列基板还包括位于所述显示区域和所述绑定区域之外的透明区域，所述有机介质层还位于所述透明区域。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述有机介质层的背离所述取光层一侧且位于显示区域的控制结构层，所述控制结构层包括薄膜晶体管，所述遮光层与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置。
11.一种显示装置，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，还包括设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板采用权利要求1～10中任意一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括侧入式导光组件，所述侧入式导光组件包括设置在所述阵列基板的背离所述彩膜基板一侧的导光板以及设置在所述导光板侧面的光源。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第一基底复用为所述导光板。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述彩膜基板包括第二基底和设置在所述第二基底的朝向所述阵列基板一侧的彩膜结构层，所述彩膜结构层包括多个彩膜以及设置在相邻两个彩膜之间的黑矩阵，所述取光单元在所述第二基底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第二基底上的正投影的范围内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010076400.6A CN111158199B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种阵列基板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010076400.6A CN111158199B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种阵列基板和显示装置 |
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| CN111158199A true CN111158199A (zh) | 2020-05-15 |
| CN111158199B CN111158199B (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=70565449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202010076400.6A Active CN111158199B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种阵列基板和显示装置 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114371572A (zh) * | 2020-10-14 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101546775A (zh) * | 2008-03-27 | 2009-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置、电光装置及电子设备 |
| CN106019657A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种绑定方法及绑定装置 |
| CN106896960A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-06-27 | 昆山国显光电有限公司 | 触摸显示屏及其制备方法 |
| CN107564923A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN108231692A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN109283735A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及方法 |
| CN110554542A (zh) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 乐金显示有限公司 | 光控制设备和包括该设备的透明显示装置 |
| CN110706602A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
-
2020
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101546775A (zh) * | 2008-03-27 | 2009-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置、电光装置及电子设备 |
| CN106019657A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种绑定方法及绑定装置 |
| CN106896960A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-06-27 | 昆山国显光电有限公司 | 触摸显示屏及其制备方法 |
| CN107564923A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN108231692A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN110554542A (zh) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 乐金显示有限公司 | 光控制设备和包括该设备的透明显示装置 |
| CN109283735A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及方法 |
| CN110706602A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114371572A (zh) * | 2020-10-14 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |