CN111047996B - 一种显示模组和显示装置 - Google Patents

一种显示模组和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111047996B
CN111047996B CN202010005117.4A CN202010005117A CN111047996B CN 111047996 B CN111047996 B CN 111047996B CN 202010005117 A CN202010005117 A CN 202010005117A CN 111047996 B CN111047996 B CN 111047996B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel circuit
area
display
photosensitive
display module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010005117.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111047996A (zh
Inventor
马扬昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202010005117.4A priority Critical patent/CN111047996B/zh
Publication of CN111047996A publication Critical patent/CN111047996A/zh
Priority to US16/871,413 priority patent/US11522033B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111047996B publication Critical patent/CN111047996B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007Display of intermediate tones
    • G09G3/2074Display of intermediate tones using sub-pixels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示模组和显示装置。该显示模组包括第一显示区以及与所述第一显示区接壤的第二显示区;所述第一显示区包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,所述第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,所述第一显示区还包括多个感光区,所述第一像素电路区和所述第二像素电路区在单位面积内的数量相同;所述显示模组还包括图像采集模组,所述图像采集模组包括微透镜模组,所述微透镜模组包括多个微透镜,所述多个微透镜一一对应设置在所述感光区。本发明实施例解决了现有显示面板挖孔区不能显示的问题,实现了图像采集区的正常显示,保证了显示模组显示画面的完整性,有助于增加屏占比,实现全面屏。

Description

一种显示模组和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示模组和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,全面屏以其具有较大的屏占比、超窄的边框,与普通的显示屏相比,可以大大提高观看者的视觉效果,从而受到了广泛的关注。目前,在采用全面屏的诸如手机的显示装置中,为了实现自拍、可视通话以及指纹识别的功能,通常都会在显示装置的正面设置前置摄像头、听筒、指纹识别区域或实体按键等。
目前常见的全屏显示屏就是在显示区包围的范围内设置非显示区域,并在非显示区区域内设置挖孔区,用于将原本设置在边框区的模组(例如:手机上的前置摄像头、前置闪光灯、听筒等)设置于该挖孔区。显然,设置挖孔区用来放置摄像头模组的方式,即会影响显示面板的像素分布和布线,还会牺牲该挖孔区的显示功能,使得显示屏的屏占比降低,显示画面不完整。
发明内容
本发明提供一种显示模组和显示装置,以实现图像采集区的正常显示,保证显示画面的完整性。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示模组,包括第一显示区以及与所述第一显示区接壤的第二显示区;
所述第一显示区包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,所述第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,所述第一显示区还包括多个感光区,所述第一像素电路区和所述第二像素电路区在单位面积内的数量相同;
所述显示模组还包括图像采集模组,所述图像采集模组包括微透镜模组,所述微透镜模组包括多个微透镜,所述多个微透镜一一对应设置在所述感光区。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如第一方面所述的显示模组。
本发明实施例提供的显示模组和显示装置,通过在显示模组中设置第一显示区和第二显示区,并且第一显示区中包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,在保证第一像素电路区和第二像素电路区在单位面积内的数量相同的基础上,第一显示区还包括多个感光区,显示模组还包括图像采集模组,图像采集模组包括微透镜模组,微透镜模组中的多个微透镜与感光区一一对应设置,在第一显示区和第二显示区可以正常显示的基础上,使得第一显示区中的感光区可以对图像元进行采集,从而可以获取完整的图像,实现了摄像功能,解决了现有显示面板挖孔区不能显示的问题,实现了图像采集区的正常显示,保证了显示模组显示画面的完整性,有助于增加屏占比,实现全面屏。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示模组的结构示意图;
图2是图1所示显示模组中虚线框处的局部放大示意图;
图3是图2所示显示模组沿AA’的剖面结构示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种显示模组的局部放大示意图;
图5是图2所示显示模组沿虚线框的局部放大示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种显示模组的局部放大示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种显示模组的局部放大示意图;
图8是图2所示显示模组沿BB’的局部剖面示意图;
图9是本发明实施例提供的又一种显示模组的结构示意图;
图10是图9所示显示模组的剖面结构示意图;
图11是本发明实施例提供的又一种显示模组的结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种显示模组的剖面结构示意图;
图13是本发明实施例提供的又一种显示模组的剖面结构示意图;
图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
如背景技术部分所述,现有的显示屏中,通常为了实现前置的摄像功能,会在显示面板的上部区域挖孔,以添加摄像模组。显然,在增加挖孔区的基础上,一方面需要对显示面板进行切割挖孔,并且通常的挖孔区被显示区包围,在切割挖孔的基础上要保证挖孔区边缘的显示面板的正常显示,因此需要对显示面板挖孔区边缘区域的线路进行设计,增加了显示面板的设计和制备难度;另一方面,挖孔区的增加,导致显示面板牺牲了部分显示区的面积,在显示面板显示图像时,会影响画面的完整性,降低画面的显示效果。
针对上述问题,本发明实施例提供了一种显示模组,该显示模组包括第一显示区以及与第一显示区接壤的第二显示区;第一显示区包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,第一显示区还包括多个感光区,第一像素电路区和第二像素电路区在单位面积内的数量相同;显示模组还包括图像采集模组,图像采集模组包括微透镜模组,微透镜模组包括多个微透镜,多个微透镜一一对应设置在感光区。
第一显示区实质是可实现图像采集的显示区,第二显示区则为正常显示区。第一显示区和第二显示区中针对每个发光单元,均设置有像素驱动电路,因而均包括像素电路区。其中,第一显示区的第一像素电路区和第二显示区中的第二像素电路区的区别仅在于位置和面积的不同,其中设置的像素驱动电路一致,功能均用于驱动发光单元发光。第一驱动电路区和第二驱动电路区在单位面积内的数量相同,其实质是第一驱动电路区和第二驱动电路区的设置密度一致,因而对应的像素单元的密度一致,从而能够保证第一显示区和第二显示区的显示分辨率一致。
第一驱动电路区和第二驱动电路区尽管设置密度一致,但其面积尺寸可以相同,也可不同。由此,在保证第一显示区的显示要求的基础上,第一显示区增加设置了多个感光区,其感光区实质是在第一显示区中形成的用于透射外界光线的区域,外界光线可透射每一感光区。并且在显示模组中增加设置图像采集模组,图像采集模组中设置有微透镜模组,微透镜模组中的微透镜与感光区一一对应设置,可以通过各微透镜透过感光区进行图像元的采集,获得一幅图像的全部图像元,进而将各图像元进行拼接融合后合成完整图像。多个感光区可以阵列排布,也可以组成多个同心环实现环形排布,对感光区的排布方式本领域技术人员也可根据图像采集的需要进行设计,此处不做限制。
需要说明的是,显示模组中的像素驱动电路对应一个发光单元,也即一个像素驱动电路和一个发光单元组成一个子像素单元,相邻的三原色的发光单元对应的三个子像素单元,可组合形成一个像素单元。另外,像素驱动电路通常设置在发光单元背离出光的一侧,因此,在保证不透光的像素驱动电路区之间中存在透光的感光区的情况下,还需合理设置第一显示区中发光单元的形状和尺寸,以保证感光区的透光。在发光单元为非透光单元的基础上,感光区可设置在发光单元所在区域之间,也即需要将发光单元的形状和尺寸进行适当缩减。
本发明实施例提供的显示模组,通过设置第一显示区和第二显示区,并且第一显示区中包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,在保证第一像素电路区和第二像素电路区在单位面积内的数量相同的基础上,第一显示区还包括多个感光区,显示模组还包括图像采集模组,图像采集模组包括微透镜模组,微透镜模组中的多个微透镜与感光区一一对应设置,在第一显示区和第二显示区可以正常显示的基础上,使得第一显示区中的感光区可以对图像元进行采集,从而可以获取完整的图像,实现了摄像功能,解决了现有显示面板挖孔区不能显示的问题,实现了图像采集区的正常显示,保证了显示模组显示画面的完整性,有助于增加屏占比,实现全面屏。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如上所述,第一像素电路区和第二像素电路区的面积尺寸可以设置一致,也可不同。基于此,本发明实施例提供了两种显示模组。下面以具体实施例对该两种显示模组进行介绍。
首先,针对第一像素电路区和第二像素电路区的尺寸不一致的方案,本发明实施例提供了多种显示模组。图1是本发明实施例提供的一种显示模组的结构示意图,图2是图1所示显示模组中虚线框处的局部放大示意图,参考图1和图2,该显示模组包括第一显示区100以及与第一显示区100接壤的第二显示区200;第一显示区100包括多个呈阵列排布的第一像素电路区110,第二显示区200包括多个呈阵列排布的第二像素电路区210,第一显示区100还包括多个感光区120,第一像素电路区110和第二像素电路区210在单位面积内的数量相同。
其中,第一显示区100和第二显示区200中,分别设置有第一像素电路区110和第二像素电路区210,其区别仅在于位置不同,面积和尺寸存在不同,而相同之处则在于,第一像素电路区110和第二像素电路区210中均设置有像素驱动电路,可用于驱动一一对应设置的发光单元进行显示。第一显示区100可以设置为矩形、圆形等形状,其尺寸和位置此处均不做限制。第一显示区100中设置的感光区120,实质是在第一显示区100中形成的用于透射外界光线的区域。在有机发光显示模组的行方向上,相邻的三个像素电路区可分别对应三种不同颜色的有机发光单元,以红绿蓝三原色为例,相邻的三个像素电路区中设置的像素驱动电路,分别对应驱动红绿蓝三个有机发光单元,每个像素单元则通过红绿蓝三个有机发光单元可以实现全彩配色,从而进行画面显示。
图3是图2所示显示模组沿AA’的剖面结构示意图,参考图2和图3,显示模组还包括图像采集模组10,图像采集模组10包括微透镜模组11,微透镜模组11包括多个微透镜111,多个微透镜111一一对应设置在感光区120。
具体地,继续参考图3,显示模组还包括阵列基板20,阵列基板20包括衬底基板21以及设置于衬底基板21上的多个像素驱动电路22,像素驱动电路22与第一像素电路区110以及第二像素电路区210一一对应;图像采集模组10设置在衬底基板21背离像素驱动电路22的一侧,图像采集模组10包括微透镜模组11和感光模组12,感光模组12根据微透镜模组11中各微透镜111采集的图像,进行图像融合拼接。
图像采集模组10中除设置有微透镜模组11,利用微透镜模组11中的微透镜111进行图像元的放大外,还设置有感光模组12,感光模组12负责将各微透镜11放大的图像元进行采集,在各图像元被采集的情况下,可以通过图像拼接融合算法,完成图像的完整获取,即实现了图像采集的功能。感光模组12如图所示,可以是尺寸大小与该第一显示区相当的感光模组,也可以是由与微透镜11一一对应设置的多个子感光模组组成。此处,为了保证图像采集模组10进行有效的图像采集和图像融合拼接,可根据现有显示面板的像素尺寸设计感光区的大小,合理设置感光区的面积。可选地,感光区120的尺寸可设置为大于或等于10×10μm。此时,感光区120的尺寸与像素电路区的尺寸相当,因此每个感光区120可以获得与像素电路区面积大小相当的图像元,从而可以实现像素级别的图像融合拼接,保证图像采集的完整和清晰度。
需要说明的是,设置图像采集模组10在衬底基板21背离像素驱动电路22的一侧仅为本发明实施例提供的一种实施例,本领域技术人员可以根据实际情况,将图像采集模组10的至少部分结构置于阵列基板21的像素驱动电路22的一侧,此处不做限制。
在上述实施例的基础上,可选地,在第一方向1上,任意相邻的两个感光区120之间包括相同数量的第一像素电路区110,且在第一方向1上,相邻两个感光区120之间的第一像素电路区110的总长度与一感光区120长度的和,等于同等数量的第二像素电路区210的总长度;其中,第一方向1为显示模组的行方向或列方向。
其中,如图2所示,以第一方向1为列方向为例,在列方向上,位于同一列的第一像素电路区110可进行纵向压缩,即第一像素电路区110的在纵向上的长度缩短,通过一定数量的第一像素电路区110的压缩,可以节省空间以设置感光区120。此时,相邻的两个感光区120之间存在一定数量的被压缩的第一像素电路区110。以图2所示,两个第一像素电路区110通过压缩长度,可设置一感光区120。并且由于两个第一像素电路区110的长度a与该感光区120的长度b之和,等于第二像素电路区210的长度c之和,也即尽管第一像素电路区110的长度有所减少,但其数量并未减少,并且保证了第一像素电路区110在单位面积上的数量与第二像素电路区210在单位面积上的数量相同,也即第一像素电路区110的设置密度与第二显示区200的第二像素电路区210的设置密度相同,从而保证了第一显示区和第二显示区的像素密度一致,实现了第一显示区和第二显示区显示分辨率的一致。
优选地,如图2所示,每两个第一像素电路区110通过压缩长度设置一感光区120,也即任意相邻的两个感光区120之间包括两个第一像素电路区110。除此之外,还可设置任意相邻的两个感光区之间包括一个第一像素电路区。图4是本发明实施例提供的另一种显示模组的局部放大示意图,参考图4,该显示模组中,在第一方向1上,任意相邻的两个感光区120之间包括一个第一像素驱动电路110,此时,每个第一像素电路区110通过压缩长度即可获得一个感光区120。如图2和图4所示的显示模组,每一个或两个第一像素电路区通过压缩长度获得一个感光区120,可以保证第一显示区中感光区120的数量,从而提高图像元采集的密度,有利于改善图像的成像质量,保证图像的清晰度。
需要注意的是,如图2和图4所示的显示模组的第一显示区中,每列第一像素电路区中均进行了压缩,以节省空间设置感光区120,当然,本领域技术人员也可以根据实际的需求,在感光区的设置密度满足要求的情况下,仅对特定列的第一像素电路区进行压缩,例如每隔一定数量的第一像素电路区列,在列方向上对某一第一像素电路区列中的第一像素电路区进行压缩,设置感光区,从而保证发光单元的面积,避免第一显示区的显示效果与第二显示区的显示效果差距过大。
下面对上述实施例提供的显示模组的实现方式进行介绍。具体地,图5是图2所示显示模组沿虚线框的局部放大示意图,参考图5,其中,第一像素电路区110和第二像素电路区120中均设置有像素驱动电路22,像素驱动电路22包括存储电容电极220和垂直于第一方向1延伸的多条第一走线221;
在第一方向1上,第一像素电路区110中的存储电容电极220为第一存储电容电极2201,第二像素电路区210中的存储电容电极220为第二存储电容电极2202,第一存储电容电极2201的面积小于第二存储电容电极2202的面积;和/或,第一像素电路区110中第一走线221的线宽d1,小于第二像素电路区210中第一走线221的线宽d2;和/或,第一像素电路区110中第一走线221的线间距L1,小于第二像素电路区210中第一走线221的线间距L2。
其中,在第一方向1上对第一像素电路区110的尺寸进行压缩的过程,实质是对像素驱动电路22中的走线或元件组成结构在第一方向1上进行压缩的过程。如图5所示,第二像素电路区210中,像素驱动电路22中在第一方向1上的长度较长的元件包括有存储电容,因此,对应地,在第一显示区100中,可将像素驱动电路22中的存储电容的电极进行压缩,也即设置第一存储电容电极2201的面积小于第二存储电容电极2202的面积。同时,为了进一步地缩小第一像素电路区110在第一方向1上的长度,还可将沿垂直第一方向1延伸的走线的线宽和线距进行压缩。其中,以第一方向1为列方向为例,像素驱动电路22中沿垂直第一方向1即沿行方向延伸的走线包括参考电压线Ref、扫描线Scan以及发光控制信号线Emit,在设计第一显示区100的像素驱动电路时,可将此部分信号线进行线宽或线距的压缩,以节省空间设置感光区。优选地,如图5所示的显示模组中,可同时设置第一存储电容电极2201的面积小于第二存储电容电极2202的面积,第一像素电路区110中的第一走线221的线宽d1和线距L1分别小于第二像素电路区210中的第一走线221的线宽d2和线距L2,从而保证对第一像素电路区110在第一方向1上的最大程度的压缩,以增加感光区120的设置数量和密度,提高感光区120的图像采集能力,有助于改善成像质量。
图6是本发明实施例提供的又一种显示模组的局部放大示意图,参考图6,继续以第一方向1为列方向为例,该显示模组中,第一显示区100还包括多个绕线区130;在第一方向1上,任意相邻的两个绕线区130之间包括相同数量的第一像素电路区110,绕线区130在垂直于第一方向1上与感光区120相邻;像素驱动电路22还包括沿第一方向1延伸的多条第二走线222;在第一方向1上,与感光区120相邻的两个第一像素驱动电路110中相连接的第二走线222,绕线至与感光区120相邻的绕线区130。
其中,绕线区130占据一定的显示区面积,其主要用于进行走线的绕线设置。如图6所示,在列方向上与感光区120相邻的两个第一像素电路区110中,沿列方向延伸的走线需要进行连接,在设置感光区120的基础上,将纵向延伸的走线即第二走线222进行绕线,以增加感光区120的面积,可以提高每个感光区120位置对应采集的图像元的面积,从而能够避免每个图像元由于面积过小而失真,能够改善拼接融合后的图像的清晰度。绕线区130应与感光区120相邻,并且,为了方便像素驱动电路22中的多条第二走线222进行合理绕线,可选地,每个感光区120在垂直于第一方向1上的两侧各设置一个绕线区130。
在设置感光区和绕线区的基础上,本领域技术人员可以合理分配感光区的设置密度。图7是本发明实施例提供的又一种显示模组的局部放大示意图,参考图7,优选地,可设置感光区120和绕线区130在垂直第一方向1上依次交替排列。此时,每一感光区120在行方向上均相邻设置有两个绕线区130,与感光区120位于同一列的沿纵向延伸的多条走线,可以分流至该两个绕线区130,不仅能够保证感光区120具有较大的面积,同时还可以形成类圆孔状的感光区形状,从而形成较规则的图像元,便于后续的图像元拼接和融合。
图8是图2所示显示模组沿BB’的局部剖面示意图,参考图8,可选地,显示模组包括阵列基板20,阵列基板20包括衬底基板21以及设置于衬底基板21上的多个像素驱动电路22,像素驱动电路22与第一像素驱动电路区以及第二像素电路区一一对应(图中未示出);像素驱动电路22包括存储电容电极220、垂直第一方向延伸的多条第一走线和沿第一方向延伸的多条第二走线(图中未示出);阵列基板21上还设置有多个层间绝缘膜层210,层间绝缘膜层210用于隔绝存储电容电极220、第一走线和第二走线;各层间绝缘膜层210设置有第一通孔211,且感光区120位于第一通孔211在衬底基板21上的正投影中。
一般地,层间绝缘膜层210通常采用透明的有机或无机材料制成,用于实现像素驱动电路中各走线和各元器件电极之间的绝缘。层间绝缘膜层210本身存在一定的透过率系数,即对外界光线的透射存在一定的阻挡作用。通过设置第一通孔211,并且感光区120位于第一通孔211在衬底基板21上的正投影中,即避免了阵列基板21对感光区120的光线的阻挡,提高了光线在感光区120的透过率,有利于图像采集模组10通过感光区120获取外界光线,从而获取清晰的图像元,改善成像质量。
本发明实施例针对面积相等的第一像素电路区和第二像素电路区的方案,同样提供了多种显示模组。图9是本发明实施例提供的又一种显示模组的结构示意图,参考图9,该显示模组中,包括第一显示区100以及与第一显示区100接壤的第二显示区200;第一显示区100包括多个呈阵列排布的第一像素电路区110,第二显示区200包括多个呈阵列排布的第二像素电路区210,第一显示区100还包括多个感光区120,第一像素电路区110和第二像素电路区210在单位面积内的数量相同。
其中,第一显示区100和第二显示区200中,分别设置有第一像素电路区110和第二像素电路区210,其区别仅在于位置不同,而相同之处则在于,面积和尺寸一致,同时第一像素电路区110和第二像素电路区210中均设置有像素驱动电路,可用于驱动一一对应设置的发光单元进行显示。同样地,第一显示区100中设置的感光区120,实质是在第一显示区100中形成的用于透射外界光线的区域。在有机发光显示模组的行方向上,相邻的三个像素电路区可分别对应三种不同颜色的有机发光单元,以红绿蓝三原色为例,相邻的三个像素电路区中设置的像素驱动电路,分别对应驱动红绿蓝三个有机发光单元,每个像素单元则通过红绿蓝三个有机发光单元可以实现全彩配色,从而进行画面显示。
图10是图9所示显示模组的剖面结构示意图,参考图9和图10,显示模组还包括图像采集模组10,图像采集模组10包括微透镜模组11,微透镜模组11包括多个微透镜111,多个微透镜111一一对应设置在感光区120。
同样地,继续参考图10,显示模组还包括阵列基板20,阵列基板20包括衬底基板21以及设置于衬底基板21上的多个像素驱动电路22,像素驱动电路22与第一像素电路区110以及第二像素电路区210一一对应;图像采集模组10设置在衬底基板21背离像素驱动电路22的一侧,图像采集模组10包括微透镜模组11和感光模组12,感光模组12根据微透镜模组11中各微透镜111采集的图像,进行图像融合拼接。
并且,可选地,第一像素电路区110和第二像素电路区210的面积相等,感光区120位于第一像素电路区110内。此时,感光区120可以通过将像素驱动电路22中的走线或元器件进行合理绕线或者采用透明材质,将感光区120合理设置在第一像素电路区110中。本领域技术人员可以根据实际的像素电路区的面积和布线方式,合理设置感光区120的尺寸和形状。优选地,可设置感光区120的尺寸大于或等于10×10μm,此时感光区120具有足够的面积,可以采集到清晰的图像元,因而能够保证显示模组的成像质量。
图11是本发明实施例提供的又一种显示模组的结构示意图,下面以图11所示显示模组为例,对上述具有面积相等的第一像素电路区和第二像素电路区的显示模组进行介绍,其中,第一像素电路区110中设置有像素驱动电路,像素驱动电路包括垂直第一方向1延伸的多条第一走线221和沿第一方向1延伸的多条第二走线222;经过感光区120的第一走线221和第二走线222为透明导电线2200。
其中,透明导电线2200可采用透明金属氧化物制成,例如氧化铟锡、氧化铟镓锌等。通过将经过感光区120的走线均设置为透明导电线,因而可以在像素电路区中形成透光的感光区域。需要说明的是,可选地,经过感光区120的第一走线221和第二走线222可以是整条走线均采用透明金属氧化物制成,也可以是仅经过该感光区120的走线段采用透明金属氧化物制成,本领域技术人员可以根据实际导电线材料的电阻率或电导率等特性进行合理设计,此处不多赘述。另外,如图11所示,在设置感光区120时,需要合理设置感光区120的位置,一方面需要保证经过感光区120的第一走线和第二走线是否可设置为透明导电线,以及设置为透明导电线的合理性;另一方面,还需保证在设置第一走线和第二走线为透明导电线以形成透明的感光区120时,感光区的面积是否满足图像元的采集要求。
在上述实施例的基础上,本发明实施例还提供了一种显示模组。图12是本发明实施例提供的又一种显示模组的剖面结构示意图,参考图12,该显示模组包括阵列基板20,阵列基板20包括衬底基板21以及设置于衬底基板21上的多个像素驱动电路22,像素驱动电路22与第一像素电路区以及第二像素电路区一一对应(图中未示出);阵列基板20还包括遮光部23,遮光部23在衬底基板21上的正投影至少位于第一显示区,遮光部23设置有多个第二通孔231,第二通孔231在衬底基板21上的正投影位于感光区120中,微透镜111在遮光部23所在平面的正投影位于第二通孔231中;遮光部23在衬底基板21上的正投影至少覆盖感光区120边缘的走线在衬底基板21上的正投影。
其中,微透镜111在遮光部23所在平面的正投影位于第二通孔231中,用于保证微透镜111通过第二通孔231获取外界光线,从而采集外界图像的图像元。而遮光部23的第二通孔231在衬底基板21上的正投影位于感光区120中,可以利用遮光部23将感光区120边缘的光线进行遮挡,尤其在感光区120的边缘存在走线时,走线之间可能存在间隙,在外界光线透过该间隙时,容易产生光的衍射,造成微透镜采集的图像元不清晰。通过设置遮光部23,且遮光部23在衬底基板21上的正投影至少覆盖感光区120边缘的走线在衬底基板21上的投影,可以保证遮光部23对感光区120边缘的走线的遮挡,避免外界光线入射至该部分走线形成衍射现象,因此能够保证和改善每个微透镜采集的图像元的清晰度,提高图像采集模组的成像质量。
如图12所示,可选地,像素驱动电路22包括沿行方向延伸的多条第一走线221和沿列方向延伸的多条第二走线222;每个第一像素电路区110对应设置有一个有机发光单元24,有机发光单元24包括沿出光方向依次层叠设置的第一电极241、有机发光功能层240和第二电极242;
第二走线222所在膜层位于第一走线221所在膜层和第一电极241所在膜层之间,遮光部23位于第二走线222层所在膜层和第一电极241所在膜层之间。
此外,针对遮光部的具体设置位置,本发明实施例还提供一种显示模组。图13是本发明实施例提供的又一种显示模组的剖面结构示意图,参考图13,同样可选地,像素驱动电路22包括沿行方向延伸的多条第一走线221和沿列方向延伸的多条第二走线222;每个第一像素电路区110对应设置有一个有机发光单元24,有机发光单元24包括沿出光方向依次层叠设置的第一电极241、有机发光功能层240和第二电极242;第二走线222所在膜层位于第一走线221所在膜层和第一电极241所在膜层之间,遮光部23与第一电极241同层设置。通过将遮光部23与第一电极241同层设置,可以在制备第一电极241的制程中采用同工艺形成遮光部23,其中第一电极241优选采用不透明金属材质制备,与现有第一电极241的制备过程相比,在同时制备第一电极241和遮光部23的过程中,仅需调整沉积工艺制程中的掩模版图案即可,从而可以避免工艺制程的增加,降低工艺难度。同时,将遮光部23和第一电极241同层设置,也可避免阵列基板中额外增加膜层,有助于降低阵列基板的厚度。
图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参见图14,该显示装置包括本发明实施例提供的任意一种显示模组2。该显示装置具体可以为手机、智能平板、电脑以及智能可穿戴设备等。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种显示模组,其特征在于,包括第一显示区以及与所述第一显示区接壤的第二显示区;
所述第一显示区包括多个呈阵列排布的第一像素电路区,所述第二显示区包括多个呈阵列排布的第二像素电路区,所述第一显示区还包括多个感光区,所述第一像素电路区和所述第二像素电路区在单位面积内的数量相同;
所述显示模组还包括图像采集模组,所述图像采集模组包括微透镜模组,所述微透镜模组包括多个微透镜,所述多个微透镜一一对应设置在所述感光区;
所述第一显示区还包括多个绕线区;在第一方向上,任意相邻的两个所述绕线区之间包括相同数量的所述第一像素电路区,所述绕线区在垂直所述第一方向上与所述感光区相邻;其中,所述第一方向为所述显示模组的行方向或列方向;
所述第一像素电路区和所述第二像素电路区中均设置有像素驱动电路,所述像素驱动电路还包括沿所述第一方向延伸的多条第二走线;
在所述第一方向上,与所述感光区相邻的两个所述第一像素驱动电路中相连接的所述第二走线,绕线至与所述感光区相邻的所述绕线区。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,在第一方向上,任意相邻的两个所述感光区之间包括相同数量的所述第一像素电路区,且在所述第一方向上,相邻两个所述感光区之间的所述第一像素电路区的总长度与一所述感光区长度的和,等于同等数量的所述第二像素电路区的总长度。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,任意相邻的两个所述感光区之间包括一个或两个所述第一像素电路区。
4.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述像素驱动电路包括存储电容电极和垂直所述第一方向延伸的多条第一走线;
在所述第一方向上,所述第一像素电路区中的所述存储电容电极为第一存储电容电极,所述第二像素电路区中的所述存储电容电极为第二存储电容电极,所述第一存储电容电极的面积小于所述第二存储电容电极的面积;和/或,所述第一像素电路区中第一走线的线宽,小于所述第二像素电路区中第一走线的线宽;和/或,所述第一像素电路区中第一走线的线间距,小于所述第二像素电路区中第一走线的线间距。
5.根据权利要求4所述的显示模组,其特征在于,所述感光区和所述绕线区在垂直所述第一方向上依次交替排列。
6.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组包括阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素驱动电路,所述像素驱动电路与所述第一像素电路区以及所述第二像素电路区一一对应;所述像素驱动电路包括存储电容电极、垂直所述第一方向延伸的多条第一走线和沿所述第一方向延伸的多条第二走线;所述阵列基板上还设置有多个层间绝缘膜层,所述层间绝缘膜层用于隔绝所述存储电容电极、所述第一走线和所述第二走线;
各所述层间绝缘膜层设置有第一通孔,且所述感光区位于所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影中。
7.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述第一像素电路区和所述第二像素电路区的面积相等,所述感光区位于所述第一像素电路区内。
8.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,所述第一像素电路区中设置有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括垂直第一方向延伸的多条第一走线和沿所述第一方向延伸的多条第二走线;
经过所述感光区的所述第一走线和所述第二走线为透明导电线。
9.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述感光区的尺寸大于或等于10×10μm。
10.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组包括阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素驱动电路,所述像素驱动电路与所述第一像素电路区以及所述第二像素电路区一一对应;
所述阵列基板还包括遮光部,所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少位于所述第一显示区,所述遮光部设置有多个第二通孔,所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述感光区中,所述微透镜在所述遮光部所在平面的正投影位于所述第二通孔中;所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述感光区边缘的走线在所述衬底基板上的正投影。
11.根据权利要求10所述的显示模组,其特征在于,所述像素驱动电路包括沿行方向延伸的多条第一走线和沿列方向延伸的多条第二走线;
每个所述第一像素电路区对应设置有一个有机发光单元,所述有机发光单元包括沿出光方向依次层叠设置的第一电极、有机发光功能层和第二电极;
所述第二走线所在膜层位于所述第一走线所在膜层和所述第一电极所在膜层之间,所述遮光部位于第二走线层所在膜层和所述第一电极所在膜层之间。
12.根据权利要求10所述的显示模组,其特征在于,所述像素驱动电路包括沿行方向延伸的多条第一走线和沿列方向延伸的多条第二走线;
每个所述第一像素电路区对应设置有一个有机发光单元,所述有机发光单元包括沿出光方向依次层叠设置的第一电极、有机发光功能层和第二电极;
所述第二走线所在膜层位于所述第一走线所在膜层和所述第一电极所在膜层之间,所述遮光部与所述第一电极同层设置。
13.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,在所述显示模组的行方向上,相邻的三个像素电路区分别对应三种不同颜色的有机发光单元。
14.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组包括阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素驱动电路,所述像素驱动电路与所述第一像素电路区以及所述第二像素电路区一一对应;
所述图像采集模组设置在所述衬底基板背离所述像素驱动电路的一侧,所述图像采集模组包括微透镜模组和感光模组,所述感光模组根据所述微透镜模组中各微透镜采集的图像,进行图像融合拼接。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-14任一项所述的显示模组。
CN202010005117.4A 2020-01-03 2020-01-03 一种显示模组和显示装置 Active CN111047996B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010005117.4A CN111047996B (zh) 2020-01-03 2020-01-03 一种显示模组和显示装置
US16/871,413 US11522033B2 (en) 2020-01-03 2020-05-11 Display module and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010005117.4A CN111047996B (zh) 2020-01-03 2020-01-03 一种显示模组和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111047996A CN111047996A (zh) 2020-04-21
CN111047996B true CN111047996B (zh) 2021-12-10

Family

ID=70243556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010005117.4A Active CN111047996B (zh) 2020-01-03 2020-01-03 一种显示模组和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11522033B2 (zh)
CN (1) CN111047996B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021217676A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 华为技术有限公司 显示面板、显示终端与显示装置
CN113792571B (zh) * 2020-08-17 2024-03-08 友达光电股份有限公司 指纹感测模块
CN114203759A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 华为技术有限公司 一种显示面板及终端设备
CN113325573B (zh) * 2021-05-27 2022-10-18 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及显示装置
CN113363271B (zh) * 2021-05-31 2023-12-22 武汉新芯集成电路制造有限公司 感光阵列及成像设备
CN113410275A (zh) * 2021-06-16 2021-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113437123A (zh) * 2021-06-22 2021-09-24 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板、oled显示面板、显示装置及成像控制方法
CN115273744A (zh) * 2021-07-19 2022-11-01 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组和显示设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110070801A (zh) * 2019-04-30 2019-07-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110288915A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110518037A (zh) * 2019-08-26 2019-11-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102171366B1 (ko) * 2013-09-13 2020-10-29 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
CN107037648A (zh) * 2017-01-13 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN106842731B (zh) * 2017-04-17 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板
CN106991930B (zh) 2017-05-09 2019-05-24 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板与移动电子终端
CN207338380U (zh) * 2017-07-21 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN107819018B (zh) * 2017-10-31 2020-11-10 武汉天马微电子有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN108615008B (zh) * 2018-04-24 2020-10-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108732801A (zh) * 2018-05-28 2018-11-02 武汉华星光电技术有限公司 全面屏模组及智能手机
CN109686770B (zh) * 2018-12-25 2021-04-16 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110061014B (zh) * 2019-04-30 2021-06-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110098240B (zh) * 2019-05-21 2021-05-25 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及显示装置、像素驱动电路、显示控制方法
CN110189627B (zh) * 2019-05-30 2021-12-24 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110459175A (zh) * 2019-08-09 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110070801A (zh) * 2019-04-30 2019-07-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110288915A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110518037A (zh) * 2019-08-26 2019-11-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111047996A (zh) 2020-04-21
US11522033B2 (en) 2022-12-06
US20210210581A1 (en) 2021-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111047996B (zh) 一种显示模组和显示装置
CN110767662B (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
CN110061014B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110867476B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20220123094A1 (en) Display substrate and display device
CN111129102B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110767694B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN210516000U (zh) 显示基板及显示装置
CN210575958U (zh) 显示面板及显示装置
CN110767141B (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
CN113096581B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN111223908B (zh) 屏下摄像显示模组以及电致发光显示屏
CN110289304B (zh) 一种显示装置
CN111402743A (zh) 显示面板及显示装置
CN111129100B (zh) 一种显示面板及显示装置
KR20210138780A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
CN111312755B (zh) 显示面板及显示装置
WO2021244266A1 (zh) 显示基板和显示装置
CN112201683B (zh) 显示面板以及显示装置
CN111261677B (zh) 显示面板以及显示装置
CN111653201B (zh) 一种显示面板以及显示装置
CN113161398B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109814304B (zh) 显示面板和显示装置
CN114335074A (zh) 显示面板及显示装置
CN110783481A (zh) 显示面板、显示屏及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant