CN111041424B - 成膜装置、制造***、有机el面板的制造***、成膜方法及有机el元件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、制造***、有机el面板的制造***、成膜方法及有机el元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111041424B
CN111041424B CN201910975564.XA CN201910975564A CN111041424B CN 111041424 B CN111041424 B CN 111041424B CN 201910975564 A CN201910975564 A CN 201910975564A CN 111041424 B CN111041424 B CN 111041424B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
vapor deposition
vapor
mask
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910975564.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111041424A (zh
Inventor
高津和正
河野贵志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN111041424A publication Critical patent/CN111041424A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111041424B publication Critical patent/CN111041424B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及成膜装置、制造***、有机EL面板的制造***、成膜方法、以及有机EL元件的制造方法。在蒸镀装置中，为了提高蒸镀材料的利用效率和生产率，若在一个真空腔中设置多个蒸镀台，则为了确保更换基板时的作业空间，真空腔的容积变大，装置的成本增大。在直至对设置于第一蒸镀台(28)的成膜位置的未蒸镀的基板完成蒸镀为止的期间，使第二蒸镀台(32)的第二掩模支承部(25)下降到比蒸镀时低的位置，使用基板输送机构(33)将支承于第二基板支承部(24)的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，此后使第二掩模支承部(25)上升，将第二掩模(9)与未蒸镀的基板的相对位置对准，并将已对准的未蒸镀的基板设置于第二蒸镀台(32)的成膜位置。

Description

成膜装置、制造***、有机EL面板的制造***、成膜方法及有机EL元件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置以及成膜方法。尤其是，涉及能够在同一腔室内一边在一个蒸镀台对基板进行蒸镀一边在其他的蒸镀台进行基板的更换的成膜装置以及成膜方法。
背景技术
近年来，自发光型且视角、对比度、响应速度优异的有机EL元件被广泛地应用于以壁挂式电视为代表的各种显示装置。
通常，有机EL元件通过将基板送入真空腔内并在基板上形成规定图案的有机膜的方法来制造。更详细地说，经过向维持真空的成膜腔内送入基板的工序、使基板与掩模高精度地对位(对准)的工序、成膜有机材料的工序、将已成膜的基板从成膜腔送出的工序等来制造。
在对有机材料进行成膜的工序中，使有机材料蒸发或升华而成膜，但在每次设置基板时对有机材料进行加热这种方式的情况下，在每次加热时需要待机至成膜速率稳定为止，从而限制制造的生产率。
因此，可考虑将蒸镀源始终维持在高温而使有机材料的成膜速率恒定的方式，但在进行基板的输送、对准的期间也会继续进行有机材料的蒸发或升华，因此，有机材料的浪费的损失变大。因此，正在尝试兼顾制造的生产率提高和有机材料的损失量降低的方法。
例如，在专利文献1中，公开了具备能够收容第一基板和第二基板的真空腔并且蒸镀源构成为能够在第一基板的蒸镀区域与第二基板的蒸镀区域之间移动的装置。该装置的蒸镀源能够沿着圆弧轨道在第一基板的蒸镀区域与第二基板的蒸镀区域之间移动。能够同时进行一方的基板的输送及对准的执行和另一方的基板的蒸镀，从而实现工序时间的缩短和材料的利用效率提高。
另外，在专利文献2中，公开了在真空腔内邻接地配置第一蒸镀台和第二蒸镀台并且蒸镀源在两个蒸镀台之间往复移动而交替地进行成膜的装置。在该装置中，例如在一方的蒸镀台对基板进行成膜时，为了使有机材料不入射到邻接的另一方的蒸镀台，在各蒸镀台设置有挡板。在一方的蒸镀台执行基板的输送以及对准工序的同时，在另一方的蒸镀台可以进行基板的蒸镀工序，从而实现工序时间的缩短和材料的利用效率提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-68980号公报
专利文献2：日本特开2016-196684号公报
在专利文献1、专利文献2所记载的装置中，在真空腔内的底部以能够水平移动的方式配置蒸镀源，使有机材料朝向铅垂上方蒸发。在各蒸镀台，从下依次配置有掩模保持机构、基板保持机构，并且，设置有基板输送机构、调整两者的对准的对准调整机构。
例如，在将成膜后的基板从成膜腔送出时，提升基板保持机构而使基板从掩模离开，此后将基板输送到成膜腔外。另外，在将成膜前的基板设置于蒸镀台时，将送入到了成膜腔的基板移动到蒸镀台的上方并保持于基板保持机构，一边使基板保持机构向下方移动而使基板与掩模接近一边进行对准调整来进行设置。
在专利文献1、专利文献2所公开的成膜装置中，虽然实现了工序时间的缩短和材料的利用效率提高，但是存在成膜装置大型化的倾向。
在成膜腔中，从下依次配置有蒸镀源、掩模、基板。在更换基板时，基板输送机构在固定于规定高度的掩模的上方动作来进行基板的送入、送出。此时，为了使基板输送机构不与掩模、掩模保持机构干涉，需要在掩模的上方确保基板输送机构能够动作的较大的作业空间。因此，成膜腔(真空腔)的高度、容积变大，成膜装置的制造成本、运输费增大，进而设置成膜装置的建筑物的高度、地面载荷也变大。由此，有机EL元件的制造设备的总成本增大。
发明内容
本发明的成膜装置具备控制部和能够在能够减压的成膜室的内部移动到第一蒸镀台或第二蒸镀台的蒸镀源，其特征在于，所述第一蒸镀台具备：支承第一掩模而能够上下移动的第一掩模支承部、以及能够支承基板的第一基板支承部，所述第二蒸镀台具备：支承第二掩模而能够上下移动的第二掩模支承部、以及能够支承基板的第二基板支承部，所述控制部执行第一处理、第二处理、第三处理以及第四处理，在所述第一处理中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第一蒸镀台的成膜位置的未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第一基板更换和第一设置，在所述第一基板更换中，使所述第二掩模支承部下降到比蒸镀时低的位置，将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第一基板更换之后，在所述第一设置中，使所述第二掩模支承部上升，将进行了与所述第二掩模的对准的进行了所述第一基板更换的未蒸镀的基板向所述第二蒸镀台的成膜位置设置，在所述第一处理之后，在所述第二处理中，使所述蒸镀源从所述第一蒸镀台移动到所述第二蒸镀台，在所述第二处理之后，在所述第三处理中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第二蒸镀台的成膜位置的所述未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第二基板更换和第二设置，在所述第二基板更换中，使所述第一掩模支承部下降到比蒸镀时低的位置，将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第二基板更换之后，在所述第二设置中，使所述第一掩模支承部上升，将进行了与所述第一掩模的对准的进行了所述第二基板更换的未蒸镀的基板向所述第一蒸镀台的成膜位置设置，在所述第三处理之后，在所述第四处理中，使所述蒸镀源从所述第二蒸镀台移动到所述第一蒸镀台。
另外，本发明的成膜方法使用成膜装置，所述成膜装置具备能够在能够减压的成膜室的内部移动到第一蒸镀台或第二蒸镀台的蒸镀源，所述第一蒸镀台具有：支承第一掩模而能够上下移动的第一掩模支承部、以及能够支承基板的第一基板支承部，所述第二蒸镀台具有：支承第二掩模而能够上下移动的第二掩模支承部、以及能够支承基板的第二基板支承部，所述成膜方法的特征在于，具有：第一工序，在所述第一工序中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第一蒸镀台的成膜位置的未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第一基板更换和第一设置，在所述第一基板更换中，使所述第二掩模支承部下降到比蒸镀时低的位置，将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第一基板更换之后，在所述第一设置中，使所述第二掩模支承部上升，将进行了与所述第二掩模的对准的进行了所述第一基板更换的未蒸镀的基板向所述第二蒸镀台的成膜位置设置；第二工序，在所述第二工序中，所述蒸镀源从所述第一蒸镀台移动到所述第二蒸镀台；第三工序，在所述第三工序中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第二蒸镀台的成膜位置的所述未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第二基板更换和第二设置，在所述第二基板更换中，使所述第一掩模支承部下降到比蒸镀时低的位置，将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第二基板更换之后，在所述第二设置中，使所述第一掩模支承部上升，将进行了与所述第一掩模的对准的所述未蒸镀的基板向所述第一蒸镀台的成膜位置设置；以及第四工序，在所述第四工序中，所述蒸镀源从所述第二蒸镀台移动到所述第一蒸镀台。
发明效果
根据本发明，由于蒸镀材料的利用效率和成膜的生产率高，而且真空腔的容积紧凑，因此，可以提供装置价格低廉的成膜装置以及成膜方法。
附图说明
图1是实施方式的成膜***的示意性的俯视图。
图2是表示实施方式的成膜装置的整体结构的示意性的剖视图。
图3是表示实施方式的成膜装置的整体结构的示意性的剖视图。
图4是将掩模支承部和掩模驱动构件的一部分放大的示意性的剖视图。
图5是表示实施方式的成膜装置的各部分的动作的时序图。
图6是表示进行基板的送出或送入时的蒸镀台的示意性的剖视图。
图7是表示送入基板并固定于基板支承部时的蒸镀台的示意性的剖视图。
图8是表示将基板设置于成膜位置时的蒸镀台的示意性的剖视图。
图9是实施方式的成膜装置的控制框图。
图10是实施方式的有机EL面板制造***的说明图。
附图标记说明
1真空腔，2蒸镀源装置，
3X轴滑动机构，4Y轴滑动机构，
5第一按压板，6第一基板，
7第一掩模，8第二基板，
9第二掩模，10表示成膜时的掩模支承部的高度的单点划线，
11第一掩模驱动构件，12第一基板驱动构件，
13第二掩模驱动构件，14第二基板驱动构件，
15同步带，16带轮，
17驱动电机，18滚珠丝杠，
19金属波纹管，20第一掩模支承部，
21基板夹紧件，22第一对准机构，
23第一对准照相机，24第二基板支承部，
25第二掩模支承部，26第一基板支承部，
27第二按压板，28第一蒸镀台，
29基板夹紧件，30第二对准照相机，
31第二对准机构，32第二蒸镀台，
33基板保持手部，34闸阀，
35输送室，36表示蒸镀源装置2的最高的部分的高度的单点划线，
50控制部，51外部的计算机，
100、101、102成膜装置，103输送路径，
104可动臂，300制造有机EL面板的制造***，
1101、1102、1103输送室，1105基板供给室，
1106掩模储备室，1107交接室，
1108玻璃供给室，1109贴合室，
1110取出室，1120机械手。
具体实施方式
参照附图对作为本发明的实施方式的成膜装置以及成膜方法进行说明。另外，在以下的说明所参照的附图中，对相同的结构要素，只要没有特别标记，则标注相同的附图标记进行图示。
(成膜***)
图1是包括实施方式的成膜装置在内的成膜***的示意性的俯视图。在图1的成膜***中，成膜装置100、成膜装置101、成膜装置102、输送室35、输送路径103经由闸阀34相互连接，成膜***内被保持为规定的真空度。成膜装置100、成膜装置101、成膜装置102是将有机材料蒸镀到基板上的成膜装置，各装置的基本结构相同。既可以以各成膜装置成膜同一种类的有机材料的方式构成成膜***，也可以构成为按照各成膜装置成膜不同种类的有机材料。各成膜装置具备两个蒸镀台，关于成膜装置的结构和动作，在后面以成膜装置100为例进行详细说明。
输送室35具备输送机械手，可以向各成膜装置或输送路径103送入基板，或从各成膜装置或输送路径103送出基板。输送机械手具备可动臂104和基板保持手部33，可以相对于各成膜装置的各蒸镀台送入或送出基板。可动臂104和基板保持手部33只要能够在真空装置内稳定地处理基板即可，可以是任意形式的机构。另外，在图1中，示意性地图示出将成膜装置100的第二蒸镀台32与输送室35连接的闸阀34打开且输送机械手对基板8进行处理的状态。
输送路径103是用于向能够在大气中取出或放入基板的加载互锁室输送基板、用于向其他的成膜***输送基板的输送路径。在图1中，在输送室35的上下左右的4个方向上配置有成膜装置、输送路径，但在实施本发明的基础上成膜***的形态不需要限定于该例子，例如也可以以输送室为中心在周围的6个方向或8个方向上配置成膜室、输送路径。另外，作为基板输送机构的输送机械手不限于单臂，也可以是多臂的机械手。
(成膜装置的结构)
接着，以成膜装置100为例，对实施方式的成膜装置的结构进行说明。图2以及图3是表示成膜装置100的整体结构的示意性的剖视图，各图示出成膜装置100的不同的动作状态。
成膜装置100具备作为成膜室的外封壳的真空腔1，真空腔1的内部通过未图示的真空泵可以减压至例如10-3Pa以下的压力区域。
在真空腔1内配置有蒸镀源装置2，在蒸镀源装置2的内部储存有作为成膜材料的有机材料，有机材料被受到控制的加热器加热而以规定的速率蒸发或升华。在蒸镀源装置2的上表面设置有：用于将气化的有机材料朝向基板放出的开口部、以及用于根据需要将开口部遮挡的挡板。
蒸镀源装置2能够通过X轴滑动机构3和Y轴滑动机构4在X方向以及Y方向上移动。在图2以及图3中，在左侧设置有第一蒸镀台28，在右侧设置有第二蒸镀台32，但蒸镀源装置2也可以通过X轴滑动机构3移动到任意的蒸镀台侧。图2示出蒸镀源装置2位于第一蒸镀台28侧的状态，图3示出蒸镀源装置2位于第二蒸镀台32侧的状态。
另外，蒸镀源装置2能够通过Y轴滑动机构4沿着与图的纸面垂直的方向进行直线往复扫描，可以在各蒸镀台沿着Y方向在基板上形成均匀性高的膜。
在真空腔1内的第一蒸镀台28侧，从下依次配置有第一掩模7、第一基板6、兼用作磁铁板的第一按压板5。第一掩模7被一对第一掩模支承部20从两侧支承。第一基板6在与第一掩模7对准时，被一对第一基板支承部26从两侧支承，基板夹紧件21可以将第一基板6固定于第一基板支承部26。
在真空腔1上的第一蒸镀台28侧，设置有第一掩模驱动构件11、第一基板驱动构件12、第一对准机构22、第一对准照相机23。第一掩模驱动构件11可以调整真空腔1内的第一掩模支承部20的上下方向的位置。第一基板驱动构件12可以调整真空腔1内的第一基板支承部26的上下方向的位置。第一对准照相机23可以拍摄第一基板6和第一掩模7的对准标记。第一对准机构22可以使第一基板支承部26进行X轴方向移动、Y轴方向移动以及θ旋转。
与上述第一蒸镀台28侧相同的结构也可以设置在第二蒸镀台32侧。即，在真空腔1内的第二蒸镀台32侧，从下依次配置有第二掩模9、第二基板8、兼用作磁铁板的第二按压板27。第二掩模9被一对第二掩模支承部25从两侧支承。第二基板8在与第二掩模9对准时，被一对第二基板支承部24从两侧支承，基板夹紧件29可以将第二基板8固定于第二基板支承部24。
在真空腔1上的第二蒸镀台32侧，设置有第二掩模驱动构件13、第二基板驱动构件14、第二对准机构31、第二对准照相机30。第二掩模驱动构件13可以调整真空腔1内的第二掩模支承部25的上下方向的位置。第二基板驱动构件14可以调整真空腔1内的第二基板支承部24的上下方向的位置。第二对准照相机30可以拍摄第二基板8和第二掩模9的对准标记。第二对准机构31可以使第二基板支承部24进行X轴方向移动、Y轴方向移动以及θ旋转。
接着，对各蒸镀台具备的掩模驱动构件以及基板驱动构件的具体结构更详细地进行说明。掩模驱动构件和基板驱动构件分别是能够使真空腔1内的掩模支承部和基板支承部上下移动的机构，基本的动作原理相同。因此，以第一掩模驱动构件11为例进行说明。
图4是将第一掩模支承部20和第一掩模驱动构件11的一部分放大的示意性的剖视图，如该图所示，第一掩模支承部20的轴以经由金属波纹管19确保了气密性的状态能够上下移动地与大气侧连通。而且，第一掩模支承部20通过使用滚珠丝杠18将经由带轮16和同步带15传递的驱动电机17的旋转转换为直线运动，从而可以上下移动。在第一蒸镀台28，通过对能够支承掩模的一对第一掩模支承部20进行2轴同步控制，从而可以一边维持第一掩模7的姿势一边进行升降动作。
同样地，第一基板支承部26的轴也以经由金属波纹管确保了气密性的状态与大气侧连通，通过利用滚珠丝杠将经由带轮和同步带传递的驱动电机的旋转转换为直线运动，从而可以上下移动。在第一蒸镀台28，通过对能够支承基板的一对第一基板支承部26进行2轴同步控制，从而可以一边维持第一基板6的姿势一边进行升降动作。
而且，第二蒸镀台32侧的第二掩模驱动构件13、第二基板驱动构件14也具有相同的机构。
(成膜装置的动作)
接着，以成膜装置100为例，对实施方式的成膜装置的动作进行说明。在实施方式的成膜装置中，在利用一方的蒸镀台进行蒸镀的期间，在另一方的蒸镀台使掩模向下方移动，在形成用于对基板进行处理的空间后进行基板的更换。
图5是针对成膜装置100的动作的一个循环而表示第一蒸镀台、第二蒸镀台、蒸镀源装置的各动作状态的推移的时序图。
首先，在期间T1中，控制部对各部分进行控制而执行第一处理，实施以下的第一工序。即，在成膜装置100的第一蒸镀台28侧，对第一基板6进行蒸镀。蒸镀源装置2在期间T1之前预先向第一蒸镀台28侧移动，当打开挡板而开始蒸镀时，一边通过Y轴滑动机构4在Y方向上往复扫描，一边在基板6的整个蒸镀区域进行均匀性高的蒸镀。蒸镀规定的膜厚后，关闭挡板而结束蒸镀。
另一方面，在期间T1中，在第二蒸镀台32，将已蒸镀的基板送出，将接下来蒸镀的基板送入并将其与第二掩模9的相对位置对准，将已对准的基板和掩模设置于成膜位置。另外，图2示出期间T1中的成膜装置100的各部分的配置。
接着，在期间T2中，控制部对各部分进行控制而执行第二处理，实施以下的第二工序。即，通过X轴滑动机构3使关闭了挡板的状态的蒸镀源装置2从第一蒸镀台28侧向第二蒸镀台32侧移动。
接着，在期间T3中，控制部对各部分进行控制而执行第三处理，实施以下的第三工序。即，对在期间T1送入第二蒸镀台32而设置于成膜位置的第二基板8进行蒸镀。蒸镀源装置2在打开挡板而开始蒸镀时，一边通过Y轴滑动机构4在Y方向上往复扫描，一边在第二基板8的整个蒸镀区域进行均匀性高的蒸镀。蒸镀规定的膜厚后，关闭挡板而结束蒸镀。
另一方面，在期间T3中，在第一蒸镀台28，将已在期间T1完成蒸镀的基板送出，将接下来蒸镀的基板送入并将其与第一掩模7的相对位置对准，将已对准的基板和掩模设置于成膜位置。另外，图3示出期间T3中的成膜装置100的各部分的配置。
接着，在期间T4中，控制部对各部分进行控制而执行第四处理，实施以下的第四工序。即，通过X轴滑动机构3使关闭了挡板的状态的蒸镀源装置2从第二蒸镀台32侧向第一蒸镀台28侧移动。
成膜装置100通过反复并连续地进行以上说明的期间T1到期间T4的动作，从而可以提高蒸镀材料的利用效率，以较高的生产率对多个基板进行蒸镀。
接着，对在各蒸镀台将已蒸镀的基板从蒸镀台送出并将接下来蒸镀的未蒸镀的基板送入而设置于成膜位置为止的步骤进行详细说明。
在此，参照图3以及图6～图8，对期间T3中的第一蒸镀台28侧的动作进行说明，但期间T1中的第二蒸镀台32侧的动作的步骤也相同。另外，在各图中，单点划线10示出成膜时的掩模支承部的高度，单点划线36示出蒸镀源装置2的最高部位的高度。
在期间T3的开始时刻，在第一蒸镀台28，在期间T1完成了蒸镀的基板被保持在设置于成膜位置的状态。即，如图8所示，第一掩模支承部20处于成膜时的高度即单点划线10的水平，对已蒸镀的基板和第一掩模7进行支承。在已蒸镀的基板的上表面紧贴兼用作磁铁板的第一按压板5，使第一掩模7吸附于基板的下表面。已蒸镀的基板在该阶段支承于第一掩模支承部20，从第一基板支承部26离开，基板夹紧件21成为开放状态。
为了使用输送机械手的基板保持手部33从第一蒸镀台28送出已蒸镀的基板而进行以下的动作。
首先，使第一按压板5上升而从已蒸镀的基板的上表面离开，将第一掩模7从利用磁铁进行的吸引释放。接着，对第一基板驱动构件12进行驱动以使第一基板支承部26上升，在支承已蒸镀的基板的状态下移动到比单点划线10稍高(例如10mm)的位置。另外，对第一掩模驱动构件11进行驱动以使第一掩模支承部20下降，在支承第一掩模7的状态下使第一掩模支承部20移动到比单点划线36低的位置。由于蒸镀源装置2在期间T2中向第二蒸镀台32侧移动，因此，即便使第一掩模支承部20下降到比单点划线36低的位置，也不会与蒸镀源装置2干涉。根据不同情况，也可以构成为在蒸镀源装置2上设置位置传感器，在使第一掩模支承部20下降之前，对蒸镀源装置2向第二蒸镀台32侧移动进行确认。
在本实施方式中，通过使掩模支承部下降到比蒸镀源装置的最高部位的高度低的高度，从而可以在基板支承部与掩模之间形成输送机械手的动作空间。为了在基板支承部与输送机械手之间进行基板的交接作业，在基板支承部与掩模之间需要使输送机械手动作的宽广的作业空间。在以往的成膜装置中，在输送基板时，将掩模固定在与蒸镀时相同的高度，因此，为了确保输送机械手的动作空间，需要在单点划线10与真空腔的顶部之间确保宽广的空间。而且，使基板支承部向真空腔的顶部方向较大地(例如150mm)移动来确保输送机械手的动作空间，但由于真空腔的高度变大，因此，装置大型化，制造设备的总成本增大。
在本实施方式中，在送出基板时，通过使掩模支承部下降，只要使基板支承部移动到比单点划线10稍高的位置，就可以在基板支承部与掩模之间形成输送机械手的动作空间。因此，在本实施方式中，不需要在单点划线10与真空腔的顶部之间确保宽广的空间，所以，如图2、图3所示，可以降低真空腔的室内高度HC，减小成膜装置的大小、重量。即，可以抑制制造设备的总成本。
在送出已蒸镀的基板时，如图3、图6所示，使用输送机械手的基板保持手部33将已蒸镀的基板6捧起并保持，使其通过闸阀34送出到输送室35。
当完成已蒸镀的基板的送出时，使用输送机械手将作为接下来蒸镀的对象的未蒸镀的基板送入第一蒸镀台28。各部分的高度与送出已蒸镀的基板时相同。因此，对图6所图示的基板6而言，可以说在送出时是已蒸镀的基板，在送入时是未蒸镀的基板。若将未蒸镀的基板载置于第一基板支承部26上，则输送机械手的基板保持手部33退避至输送室35，闸阀34被关闭。
此后，如图7所示，载置于第一基板支承部26的未蒸镀的第一基板6由基板夹紧件21固定。
接着，对第一掩模驱动构件11进行驱动以使第一掩模支承部20上升，在作为蒸镀时的高度的单点划线10的位置使其静止。第一基板支承部26位于比单点划线10高的位置，但以使第一基板接近第一掩模7直至能够利用第一对准照相机23对第一基板6和第一掩模7的对准标记同时拍摄的位置的方式对第一基板驱动构件12进行驱动，从而使第一基板支承部26下降。而且，为了进行第一基板6与第一掩模7的对位，利用第一对准照相机23对第一基板6和第一掩模7的对准标记进行拍摄，控制部基于拍摄数据运算对准修正量。
接着，在此，对第一基板而言，暂时对第一基板驱动构件12进行驱动以使第一基板支承部26上升。接下来，控制部基于运算结果对能够进行X轴方向移动、Y轴方向移动以及θ旋转的第一对准机构22进行驱动，使第一基板6移动到对准目标位置。
在使第一基板6移动到对准目标位置后，对第一基板6而言，再次对第一基板驱动构件12进行驱动以使第一基板支承部26下降，在作为蒸镀时的高度的单点划线10的位置使其静止。接下来，当使位于上方的兼用作磁铁板的第一按压板5下降时，作为磁性体的第一掩模7被磁铁的磁力吸引并成为与第一基板6的下表面紧贴的状态。在第一基板6与第一掩模7成为紧贴状态后，使基板夹紧件21成为松开状态。
接着，通过使第一基板支承部26稍微下降，从而第一基板6在与第一掩模7紧贴的状态下成为装载于第一掩模支承部20的状态。即，成为设置于图8所示的成膜位置的状态。
至此为止的动作在图5所示的期间T3的期间、即在第二蒸镀台32侧向基板的成膜结束为止的期间完成。
(控制***)
接着，参照图9的控制框图，对实施方式的成膜装置100的控制***的结构进行说明。另外，成膜装置100的控制***也可以构成对图1所示的成膜***整体进行控制的控制***的一部分。另外，为便于图示，在图9中仅示出与控制部连接的要素中的一部分。
控制部50是用于对成膜装置100的动作进行控制的计算机，在内部具备CPU、ROM、RAM、I/O端口等。在ROM中存储有与成膜装置100的基本动作相关的动作程序。
用于执行与本实施方式的成膜方法相关的各种处理的程序可以与基本动作程序同样地存储在ROM中，也可以经由网络从外部加载到RAM中。或者，也可以经由记录有程序的计算机能够读取的记录介质加载到RAM中。
I/O端口与外部设备、网络连接，可以在其与外部的计算机51之间进行例如蒸镀所需的数据的输入输出。另外，I/O端口与未图示的监视器、输入装置连接，可以向操作者显示成膜装置的动作状态信息或受理来自操作者的命令输入。
控制部50与第一掩模驱动构件11、第一基板驱动构件12、第一对准机构22、基板夹紧件21连接，对第一蒸镀台28的各部分的动作进行控制。另外，控制部50与第二掩模驱动构件13、第二基板驱动构件14、第二对准机构31、基板夹紧件29连接，对第二蒸镀台32的各部分的动作进行控制。
另外，控制部50与X轴滑动机构3、Y轴滑动机构4连接，对蒸镀源装置2的位置进行控制。另外，控制部50与蒸镀源装置2连接，对蒸镀源装置2的加热器、挡板的动作进行控制。
并且，控制部50与第一对准照相机23、第二对准照相机30、蒸镀源装置的位置传感器、掩模支承部的位置传感器等传感器连接，获得各部分的控制所需的信息。
另外，控制部50与输送机械手的控制部、闸阀34的控制部连接，在进行基板的送出、送入时，与它们协作来进行动作时机的同步调整。根据不同情况，控制部50也可以直接控制输送机械手、闸阀34的动作。
控制部50对上述各部分的动作进行控制，从而执行各蒸镀台处的包括基板的送入、蒸镀、基板的送出在内的成膜工序整体所涉及的处理。
如以上说明的那样，在本实施方式的成膜装置以及成膜方法中，如果在一方的蒸镀台完成蒸镀，则使蒸镀源装置移动到另一方的蒸镀台，开始蒸镀。而且，在直至另一方的蒸镀台的蒸镀完成为止的期间，在一方的蒸镀台，使掩模支承部向下方移动而进行已蒸镀的基板的送出和未蒸镀的基板的送入，完成与掩模的对准并设置于成膜位置。而且，如果在另一方的蒸镀台完成蒸镀，则使蒸镀源装置移动到一方的蒸镀台，开始蒸镀。接下来，在直至一方的蒸镀台的蒸镀完成为止的期间，在另一方的蒸镀台，使掩模支承部向下方移动而进行已蒸镀的基板的送出和未蒸镀的基板的送入，此后使掩模上升到对准位置，完成掩模与基板的对准并设置于成膜位置。通过反复进行以上动作，从而可以对交替地送入同一真空腔内的两个蒸镀台的新的基板连续地进行蒸镀。即，通过在同一真空腔内同时并行地进行成膜和基板更换，从而可以在制造有机EL元件时提高蒸镀材料的利用效率，可以使成膜的生产率高速化。
并且，在本实施方式中，在送出或送入基板时，使掩模支承部下降到比蒸镀位置、对准位置靠下方的位置，因此，只要将基板支承部移动到比成膜位置稍高的位置，就可以在基板支承部与掩模之间形成输送机械手的动作空间。在本实施方式中，由于不需要在成膜位置与真空腔的顶部之间确保宽广的空间，因此，可以缩小真空腔的室内高度，可以减小成膜装置的大小、重量。因此，可以抑制有机EL元件的制造设备的总成本。
[其他实施方式]
另外，本发明并不限于以上说明的实施方式，可以在本发明的技术思想内进行多种变形。
例如，在更换基板时，优选使掩模支承部下降到比蒸镀源装置的最高部位的高度低的高度，但在能够通过直至比蒸镀源装置的最高部位高的位置为止的下降来确保输送机械手的动作空间的情况下，也可以到该位置为止。总之，通过在更换基板时使掩模支承部下降，可以在基板支承部与掩模之间形成输送机械手的动作空间，可以抑制真空腔的高度即可。
另外，只要是一个成膜装置具备多个蒸镀台的***，就能够实施本发明，例如一个成膜装置也可以具备3个以上的蒸镀台。
图10是实施本发明的、制造有机EL面板的制造***300的说明图。制造***300具备多个成膜装置100、输送室1101、输送室1102、输送室1103、基板供给室1105、掩模储备室1106、交接室1107、玻璃供给室1108、贴合室1109、取出室1110等。各成膜装置100虽然在成膜材料的差异、掩模的差异等细小方面存在不同的部分，但是基本结构(尤其是与基板的输送、对准相关的结构)大致相同。而且，如上所述，各成膜装置100在直至一方的蒸镀台的蒸镀完成为止的期间，在另一方的蒸镀台，使掩模支承部移动到比蒸镀位置、对准位置靠下方的位置，进行已蒸镀的基板的送出和未蒸镀的基板的送入，此后使掩模上升，完成基板与掩模的对准并设置于成膜位置。
在输送室1101、输送室1102、输送室1103配置有作为输送机构的机械手1120。通过机械手1120进行各室之间的基板的输送。制造***300所包含的多个成膜装置100既可以是相互成膜同一材料的装置，也可以是成膜不同的材料的装置。例如，也可以是各成膜装置蒸镀互不相同的发光色的有机材料的制造***。在制造***300中，在由机械手1120输送的基板上蒸镀有机材料，或者通过例如蒸镀而形成金属材料等无机材料的薄膜。
从外部向基板供给室1105供给基板。在各成膜装置100中使用并堆积了膜的掩模由机械手1120输送到掩模储备室1106。通过回收被输送到了掩模储备室1106的掩模，可以对掩模进行清洗。另外，也可以在掩模储备室1106收纳已清洗的掩模，通过机械手1120设置于成膜装置100。
从外部向玻璃供给室1108供给密封用的玻璃材料。在贴合室1109中，通过在成膜后的基板上贴合密封用的玻璃材料来制造有机EL面板。制造出的有机EL面板从取出室1110被取出。
如上所述，本发明可以在对构成有机EL元件的有机膜进行成膜时适当地实施，但也可以用于除此之外的成膜。

Claims (9)

1.一种成膜装置，具备控制部和能够在能够减压的成膜室的内部移动到第一蒸镀台或第二蒸镀台的蒸镀源，其特征在于，
所述第一蒸镀台具备：支承第一掩模而能够上下移动的第一掩模支承部、以及能够支承基板的第一基板支承部，
所述第二蒸镀台具备：支承第二掩模而能够上下移动的第二掩模支承部、以及能够支承基板的第二基板支承部，
所述控制部执行第一处理、第二处理、第三处理以及第四处理，
在所述第一处理中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第一蒸镀台的成膜位置的未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第一基板更换和第一设置，在所述第一基板更换中，使所述第二掩模支承部下降到比蒸镀时低且比所述蒸镀源的最高部位的高度低的高度，将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第一基板更换之后，在所述第一设置中，使所述第二掩模支承部上升，将进行了与所述第二掩模的对准的进行了所述第一基板更换的未蒸镀的基板向所述第二蒸镀台的成膜位置设置，
在所述第一处理之后，在所述第二处理中，使所述蒸镀源从所述第一蒸镀台移动到所述第二蒸镀台，
在所述第二处理之后，在所述第三处理中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第二蒸镀台的成膜位置的所述未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第二基板更换和第二设置，在所述第二基板更换中，使所述第一掩模支承部下降到比蒸镀时低且比所述蒸镀源的最高部位的高度低的高度，将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第二基板更换之后，在所述第二设置中，使所述第一掩模支承部上升，将进行了与所述第一掩模的对准的进行了所述第二基板更换的未蒸镀的基板向所述第一蒸镀台的成膜位置设置，
在所述第三处理之后，在所述第四处理中，使所述蒸镀源从所述第二蒸镀台移动到所述第一蒸镀台。
2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部在所述第一处理中，在使用基板输送机构将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板从所述成膜室送出后，使用所述基板输送机构将未蒸镀的基板送入所述成膜室而使未蒸镀的基板支承于所述第二基板支承部，
所述控制部在所述第三处理中，在使用所述基板输送机构将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板从所述成膜室送出后，使用所述基板输送机构将未蒸镀的基板送入所述成膜室而使未蒸镀的基板支承于所述第一基板支承部。
3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部反复执行所述第一处理到所述第四处理。
4.一种制造***，其特征在于，
具备多台权利要求1～3中任一项所述的成膜装置。
5.一种有机EL面板的制造***，其特征在于，
具备多台权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，至少一台所述成膜装置的所述蒸镀源是有机材料的蒸镀源。
6.一种成膜方法，使用成膜装置，所述成膜装置具备能够在能够减压的成膜室的内部移动到第一蒸镀台或第二蒸镀台的蒸镀源，
所述第一蒸镀台具有：支承第一掩模而能够上下移动的第一掩模支承部、以及能够支承基板的第一基板支承部，所述第二蒸镀台具有：支承第二掩模而能够上下移动的第二掩模支承部、以及能够支承基板的第二基板支承部，
所述成膜方法的特征在于，具有：
第一工序，在所述第一工序中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第一蒸镀台的成膜位置的未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第一基板更换和第一设置，在所述第一基板更换中，使所述第二掩模支承部下降到比蒸镀时低且比所述蒸镀源的最高部位的高度低的高度，将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第一基板更换之后，在所述第一设置中，使所述第二掩模支承部上升，将进行了与所述第二掩模的对准的进行了所述第一基板更换的未蒸镀的基板向所述第二蒸镀台的成膜位置设置；
第二工序，在所述第二工序中，所述蒸镀源从所述第一蒸镀台移动到所述第二蒸镀台；
第三工序，在所述第三工序中，在直至所述蒸镀源对设置于所述第二蒸镀台的成膜位置的所述未蒸镀的基板进行的蒸镀完成为止的期间，进行第二基板更换和第二设置，在所述第二基板更换中，使所述第一掩模支承部下降到比蒸镀时低且比所述蒸镀源的最高部位的高度低的高度，将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板更换为未蒸镀的基板，在所述第二基板更换之后，在所述第二设置中，使所述第一掩模支承部上升，将进行了与所述第一掩模的对准的所述未蒸镀的基板向所述第一蒸镀台的成膜位置设置；以及
第四工序，在所述第四工序中，所述蒸镀源从所述第二蒸镀台移动到所述第一蒸镀台。
7.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第一工序中，在基板输送机构将支承于所述第二基板支承部的已蒸镀的基板从所述成膜室送出后，所述基板输送机构将未蒸镀的基板送入所述成膜室而使未蒸镀的基板支承于所述第二基板支承部，
在所述第三工序中，在所述基板输送机构将支承于所述第一基板支承部的已蒸镀的基板从所述成膜室送出后，所述基板输送机构将未蒸镀的基板送入所述成膜室而使未蒸镀的基板支承于所述第一基板支承部。
8.如权利要求6或7所述的成膜方法，其特征在于，
反复进行所述第一工序到所述第四工序。
9.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，
利用权利要求6～8中任一项所述的成膜方法来形成有机EL元件的有机膜。
CN201910975564.XA 2018-10-15 2019-10-15 成膜装置、制造***、有机el面板的制造***、成膜方法及有机el元件的制造方法 Active CN111041424B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018194414A JP7188973B2 (ja) 2018-10-15 2018-10-15 成膜装置、製造システム、有機ｅｌパネルの製造システム、成膜方法、及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP2018-194414 2018-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111041424A CN111041424A (zh) 2020-04-21
CN111041424B true CN111041424B (zh) 2023-05-05

Family

ID=70232292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910975564.XA Active CN111041424B (zh) 2018-10-15 2019-10-15 成膜装置、制造***、有机el面板的制造***、成膜方法及有机el元件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7188973B2 (zh)
KR (1) KR20200042384A (zh)
CN (1) CN111041424B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022007540A (ja) * 2020-06-26 2022-01-13 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101338410A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 昆山维信诺显示技术有限公司 一种蒸镀工艺用清洁板及采用该清洁板的蒸镀工艺方法
WO2012053430A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 株式会社アルバック 蒸着装置及び蒸着方法
WO2012127957A1 (ja) * 2011-03-18 2012-09-27 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
JP2013204129A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
CN103710678A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 株式会社日立高新技术 蒸镀装置及蒸镀方法
WO2015188530A1 (zh) * 2014-06-10 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 收集装置和使用其的蒸镀工艺

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01138206A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Unitika Ltd 溶剤可溶性ポリオレフイン樹脂の製造方法
US20030129117A1 (en) * 2002-01-02 2003-07-10 Mills Randell L. Synthesis and characterization of a highly stable amorphous silicon hydride as the product of a catalytic hydrogen plasma reaction
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP4609759B2 (ja) 2005-03-24 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置
JP2008198500A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Canon Inc 有機ｅｌディスプレイの製造方法および製造装置
EP2036996A1 (de) * 2007-09-13 2009-03-18 Sulzer Metco AG Verfahren zur Bestimmung von Prozessparametern in einem plasmagestützten Prozess zur Oberflächenbehandlung
CN101667630A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 株式会社日立高新技术 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法
JP5694679B2 (ja) 2009-05-04 2015-04-01 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機物蒸着装置及び蒸着方法
JP2011074423A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造方法並びに成膜装置及び成膜方法
KR101293024B1 (ko) 2011-11-11 2013-08-05 에스엔유 프리시젼 주식회사 평판패널 제조장치
JP6263441B2 (ja) * 2014-05-23 2018-01-17 キヤノントッキ株式会社 水晶発振式膜厚モニタによる膜厚制御方法
JP6537324B2 (ja) 2015-04-03 2019-07-03 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
CN106256925B (zh) * 2015-06-18 2020-10-02 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法
JP6298138B2 (ja) * 2015-11-25 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 成膜システム、磁性体部及び膜の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101338410A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 昆山维信诺显示技术有限公司 一种蒸镀工艺用清洁板及采用该清洁板的蒸镀工艺方法
WO2012053430A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 株式会社アルバック 蒸着装置及び蒸着方法
WO2012127957A1 (ja) * 2011-03-18 2012-09-27 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
JP2013204129A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
CN103710678A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 株式会社日立高新技术 蒸镀装置及蒸镀方法
WO2015188530A1 (zh) * 2014-06-10 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 收集装置和使用其的蒸镀工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN111041424A (zh) 2020-04-21
KR20200042384A (ko) 2020-04-23
JP7188973B2 (ja) 2022-12-13
JP2020063465A (ja) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7316782B2 (ja) 蒸着装置、電子デバイスの製造装置、および、蒸着方法
US20050281950A1 (en) Deposition apparatus and method
CN102686764B (zh) 成膜装置以及成膜方法
CN108677158B (zh) 基板搬送机构、基板载置机构、成膜装置及其方法
JP7224165B2 (ja) アライメント装置、蒸着装置、および、電子デバイスの製造装置
JP7244401B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2001135704A (ja) 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
JP7290988B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法
JP7170524B2 (ja) 基板載置方法、成膜方法、成膜装置、有機ｅｌパネルの製造システム
CN111041424B (zh) 成膜装置、制造***、有机el面板的制造***、成膜方法及有机el元件的制造方法
JP7190997B2 (ja) 吸着及びアライメント方法、吸着システム、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法
KR101436895B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101795912B1 (ko) 하나의 진공 증착 챔버에서 두 장의 기판에 순차 증착하는 시스템
CN111331622B (zh) 基板载置方法、成膜方法、成膜装置以及有机el面板的制造***
KR101176843B1 (ko) Ｏｌｅｄ 제조용 박막 증착 시스템
US20140339512A1 (en) Deposition apparatus, method for manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
CN110114502B (zh) 溅射装置
JP5260212B2 (ja) 成膜装置
JP7118864B2 (ja) 成膜装置、製造システム、有機ｅｌパネルの製造システム
JP5358697B2 (ja) 成膜装置
KR20180127290A (ko) 두 장의 기판이 연속 증착되는 듀얼 증착 시스템
KR101824320B1 (ko) 두 장의 기판이 연속 증착되는 듀얼 증착 시스템
KR200492111Y1 (ko) 두 장의 기판이 연속 증착되는 듀얼 증착 시스템
JP5968770B2 (ja) 真空成膜装置
JP2024078164A (ja) 成膜装置及び成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant