CN110582813A - 导电性组合物以及端子电极的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种粘附性以及导电性优异的导电性组合物。该导电性组合物等含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和酸系添加剂，以铜粉末为100质量份计，含有9质量份以上50质量份以下的无铅玻璃料，上述无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料，硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌，钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌，以铜粉末为100质量份计，含有0.1质量份以上5.0质量份以下的上述酸系添加剂。

Description

导电性组合物以及端子电极的制造方法
技术领域
本发明涉及一种导电性组合物以及端子电极的制造方法。
背景技术
存在通过对含有导电性成分的导电性组合物进行烧制而形成电子部件的端子电极等的方法。此时，作为导电性成分，大多使用金、银、钯或它们的混合物等。但是，金、钯是贵金属，因此价格较高，因供需状况等而容易受到价格变动。因此，在使用上述金属的情况下，存在导致产品成本提高、价格变动等问题。虽然银与金、钯相比价格较低，但是存在容易产生迁移的问题。另外，作为导电性成分，除了贵金属以外，有时还会使用镍，但是存在导电性较低的问题。
于是，近年来，作为导电性成分，开始使用导电性优异、耐迁移性优异，并且便宜的铜。例如，将配合有机载体而对粘度进行了调整的浆料状的导电性组合物(导电性浆料)通过丝网印刷等印刷法涂布在电子部件坯体的两个端面并干燥后，进行烧制而形成端子电极。铜容易氧化，因此一般在还原性气氛、惰性气体气氛下进行含有铜的导电性浆料的烧制，例如在氮气中进行。若在大气中进行烧制，则铜被氧化，由于此时形成的氧化物有时使导电性降低。
含有铜的导电性组合物，多数情况下含有铜粉末和玻璃料作为主成分。玻璃料具有使导电性成分彼此粘合、使基板和导电性成分粘合的效果。以往，玻璃料大多使用含有铅的玻璃料。含铅玻璃料的软化温度较低，与导电性成分、基板的润湿性优异，因此使用铅玻璃料的导电性组合物具有足够的导电性以及与基板的粘合性。
但是，近年来，对于对环境有害的化学物质的限制越来越严格，铅成为RoHS指令等的限制对象物质。因此，寻求一种使用不含有铅的玻璃料(无铅玻璃料)的导电性组合物。
例如，在专利文献1中，记载了由以铜粉、氧化亚铜粉、氧化铜粉以及玻璃粉作为主成分的无机成分和有机载体成分所组成的铜浆料组合物，并且记载了该铜浆料组合物特别适合于550-750℃下的低温烧制。但是，在其实施例中，作为在该铜浆料组合物中使用的玻璃粉，仅公开了含有铅的玻璃粉。
已知与铅玻璃料相比实质上不含有铅的无铅玻璃料与基板的润湿性较差。由此，使用无铅玻璃料的导电性组合物有时无法充分获得导体与基板的粘附性。特别是，烧制时的热处理温度越低则越显著地表现出该倾向。因此，寻求一种能够形成具有足够的导电性以及粘附性的导体的、使用无铅玻璃料的导电性组合物。
例如，在专利文献2中公开了一种铜浆料，至少含有铜粉末、无铅玻璃料、氧化亚铜，无铅玻璃料至少含有铋、硼以及硅的各氧化物、且软化开始温度为400℃以下。记载了该铜浆料相对于陶瓷基板而粘附性优异的内容。
另外，在专利文献3中，公开了通过添加硼硅酸系玻璃料(SiO2-B2O3系)、硼硅酸钡系玻璃料(BaO-SiO2-B2O3系)等无铅玻璃料和以特定的比例含有氧化锌的硼硅酸锌系玻璃料作为在外部电极用铜浆料中使用的玻璃料而使得电气特性以及粘合强度优异的铜浆料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平03-141502号公报
专利文献2：日本特开2012-54113号公报
专利文献3：日本特开2002-280248号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在专利文献2及3所记载的铜浆料是在900℃的烧制下形成导体，对于在例如750℃以下的低温下烧制时是否也能获得具有足够的导电性以及粘附性的导体则没有进行研究。
本发明是鉴于这样的现状而研究得到的，其目的在于提供即使在750℃左右的温度下也能够进行烧制，具有足够的粘附性，特别是导电性优异的导电性组合物。
用于解决问题的方法
本发明的第一方式提供一种导电性组合物，含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和羧酸系添加剂，以上述铜粉末为100质量份计，含有9质量份以上50质量份以下的无铅玻璃料，无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料，硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌，钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌，并且，以铜粉末为100质量份计，含有0.1质量份以上5.0质量份以下的羧酸系添加剂。
另外，以上述无铅玻璃料为100质量％计，优选含有10质量％以上90质量％以下的钒锌系玻璃料。另外，优选钒锌系玻璃料含有30质量％以上50质量％以下的氧化钒，并含有30质量％以上50质量％以下的氧化锌。另外，以上述无铅玻璃料为100质量％计，优选含有10质量％以上90质量％以下的硼硅酸锌系玻璃料。另外，优选硼硅酸锌系玻璃料含有35质量％以上55质量％以下的氧化硅，并含有5质量％以上20质量％以下的氧化硼。另外，羧酸系添加剂优选为选自油酸以及亚油酸中的至少一种。另外，以上述铜粉末为100质量份计，优选含有5.5质量份以上50质量份以下的氧化亚铜。另外，铜粉末优选含有球状粉末以及片状粉末中的至少一种。另外，铜粉末的平均粒径优选为0.2μm以上5μm以下。另外，以导电性组合物为100质量％计，优选含有10质量％以上50质量％以下的有机载体。
本发明的第二方式提供一种端子电极的制造方法，具备在对上述导电性组合物进行烧制而得到的导体的表面上形成镀镍或镀锡的工序。
另外，上述端子电极的制造方法优选具备在对导电性组合物进行烧制而得到的导体的表面上形成镀镍或镀锡的工序。
发明效果
本发明能够提供一种能够形成即使在750℃以下的温度下也能够进行烧制，粘附性优异，特别是导电性优异的导体的导电性组合物。因此，通过使用本发明的导电性组合物，能够提供不会对电子部件的电阻体、内部元件等造成损害、且粘附性以及导电性优异的端子电极。
附图说明
图1是表示叠层陶瓷电容器的图。
图2是表示实施例1、2以及对比例5、6的评价结果的图表。
具体实施方式
1.导电性组合物
本实施方式的导电性组合物含有铜粉末、无铅玻璃料、氧化亚铜和羧酸系添加剂。导电性组合物不使用铅玻璃料，由此实质上不含有铅，环境特性优异。此外，无铅玻璃料是指不含有铅或者即使是含有铅的情况下其含量也极少的玻璃料(例如，相对于玻璃料整体，铅的含有率为0.1质量％以下)。另外，导电性组合物实质上不含有铅是指，例如，相对于导电性组合物整体，铅的含量为0.01质量％以下的状态。
以下，对构成导电性组合物的各成分进行说明。
(1)铜粉末
本实施方式的导电性组合物含有铜粉末作为导电性成分。铜粉末的导电性、耐迁移性优异，且价格低。铜粉末由于容易被氧化，因此，在对导电性组合物进行热处理时，通常在氮气气氛中进行加热处理。
对铜粉末的制造方法没有特别限定，可以使用以往公知的方法，例如雾化法、湿式还原法、电解法等。例如，在使用雾化法的情况下，能够减小所得到的铜粉末中的杂质的残留浓度，并且能够减少所得到的铜粉末的颗粒的表面至内部的细孔，从而能够抑制铜粉末的氧化。
对铜粉末的形状以及粒径没有特别限定，可以根据对象电子部件而适当选择。铜粉末的形状，例如，可以使用球状、片状的铜粉末或它们的混合物。铜粉末，例如通过含有片状的铜粉末，有时会使铜粉末之间的接触面积增大而使得导电性优异。
铜粉末，在使用球状的铜粉末以及片状的混合物的情况下，可以根据用途而适当地选择球状的铜粉末以及片状的混合比例。混合比例，例如，以铜粉末整体为100质量份计，可以含有10质量份以上90质量份以下的球状的铜粉末，并含有90质量份以下10质量份以上的片状的铜粉末。
铜粉末的粒径，例如，当为球状的铜粉末的情况下，可以设为平均粒径为0.2μm以上5μm以下。例如，当为片状的铜粉末的情况下，可以将扁平成片状的粒径设为3μm以上30μm以下的程度。当粒径处于上述范围的情况下，相对于小型化的电子部件的适用性优异。此外，在球状的铜粉末的情况下，该平均粒径是指堆积累计分布的中值粒径(D50)，可以通过基于激光衍射/散射法的粒度分布测定装置进行测定。此外，铜粉末既可以使用具有相同粒径的粉末，也可以混合使用具有不同粒径的两种以上的粉末。在片状的铜粉末的情况下，可以通过电子显微镜观察来测定粒径。
此外，通常，通过减小导电性粉末的粒径，能够容易进行烧制，但是例如当球状的铜粉末的平均粒径不足0.2μm的情况下，铜粉末容易被氧化，反之，不仅会发生烧结不良，有时还容易引起容量不足、浆料粘度随时间而变化等不良情况。本实施方式的导电性组合物，即使铜粉末的粒径例如为1μm以上，通过含有后述的特定的成分，即使是例如750℃以下的低温的热处理，也能够充分对铜粉末进行烧制。
(2)无铅玻璃料
本实施方式的导电性组合物含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料作为无铅玻璃料。导电性组合物通过含有组合了上述2种的玻璃料，即使在使用无铅玻璃料的情况下，对于铜粉末以及基板的润湿性平衡良好且优异，因此该导电性组合物，即使是在750℃以下的温度下进行烧制的情况下，也能够得到导电性以及粘附性非常优异的导体。
以铜粉末为100质量份计，导电性组合物优选含有9质量份以上50质量份以下的无铅玻璃料，更优选含有16质量份以上45质量份以下，进一步优选含有20质量份以上41质量份以下。在将无铅玻璃料的含量设为上述范围内的情况下，能够形成理想的端子电极。当在端子电极的形成中使用无铅玻璃料的含量设为上述范围内的导电性组合物时，能够更加提高粘附性，并且，对于在端子电极的表面实施镀镍或镀锡时产生的侵蚀、变形等能够具有优异的耐性。另外，当无铅玻璃料的含量在上述范围内的情况下，存在随着导电性组合物中的无铅玻璃料的含量的增加导电性也提高的趋势。
另外，以导电性浆料为100质量％计，例如，含有5质量％以上40质量％以下的无铅玻璃料，优选含有10质量％以上30质量％以下。
硼硅酸锌系玻璃料是指含有氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为B2O3、SiO2以及ZnO的玻璃料。硼硅酸锌系玻璃料优选含有35质量％以上55质量％以下的SiO2，10质量％以上30质量％以下的ZnO，5质量％以上20质量％以下的B2O3。在以上述范围含有各氧化物成分的情况下，所形成的导体的耐酸性、防腐蚀性非常优异，能够耐受镀镍或镀锡的电镀处理，因此，能够适宜作为形成端子用电极的导电性浆料来使用。
此外，硼硅酸锌系玻璃料的组成可以含有除上述以外的任意其他成分，例如可以含有Li2O、K2O等碱金属氧化物、Al2O3、CaO、ZrO2、CuO等。上述其他成分的添加量，例如分别优选为0.5质量％以上10质量％以下。
硼硅酸锌系玻璃料的软化点优选为600℃以下，更优选为400℃以上600℃以下，进一步优选为500℃以上600℃以下。当软化点在上述范围内的情况下，即使在进行低温烧制时，也能够得到导电性以及粘附性优异的导体。例如，可以通过适当地调整玻璃料的组成而对软化点进行控制。另外，软化点可以在大气气氛下以升温速度为10℃/分钟的条件通过热重-差热分析(TG-DTA)来进行测定。
对硼硅酸锌系玻璃料的粒径没有特别限定，例如平均粒径为1μm以上10μm以下，优选为1μm以上5μm以下。通过使硼硅酸锌系玻璃料的软化点在上述范围内且粒径在上述范围内，即使是在750℃以下的温度下进行烧制时，熔融的硼硅酸锌系玻璃的流动性也很优异，因此能够得到粘附性非常优异的导体。此外，平均粒径为堆积累计分布的中值粒径(D50)，可以通过基于激光衍射/散射法的粒度分布测定装置来进行测定。在激光衍射/散射式的粒径粒度分布测定装置中，已知有被称为Microtrac(注册商标)的测定装置。
以无铅玻璃料为100质量％计，例如含有10质量％以上90质量％以下的硼硅酸锌系玻璃料，优选含有20质量％以上80质量％以下，更优选含有50质量％以上70质量％以下。在本实施方式中，当硼硅酸锌系玻璃料的含量在上述范围内的情况下，所形成的导体的导电性以及与基板的粘附性的平衡良好而优异。
钒锌系玻璃料至少含有氧化锌(ZnO)以及氧化钒(V2O5)，含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌。优选地，钒锌系玻璃料含有30质量％以上50质量％以下的ZnO、且含有30质量％以上50质量％以下的V2O5。钒锌系玻璃料通过含有钒氧化物，即使在以低温进行热处理的情况下，也能够得到流动性优异的导电性组合物。
另外，钒锌系玻璃料的组成可以含有除上述以外的任意成分，例如，可以含有CaO等碱金属氧化物、B2O3、Bi2O3、Al2O3等。上述任意成分的添加量，优选为例如分别为0.5质量％以上10质量％以下。
钒锌系玻璃料，其软化点优选为600℃以下，更优选为300℃以上500℃以下，进一步优选为350℃以上450℃以下。当软化点在上述范围内的情况下，能够形成流动性优异的导电性组合物。例如，可以通过适当地调整玻璃料的组成而对软化点进行控制。另外，软化点可以在大气气氛下以升温速度为10℃/分钟的条件通过热重-差热分析(TG-DTA)来进行测定。
对钒锌系玻璃料的粒径没有特别限定，例如平均粒径为1μm以上10μm以下，优选为1μm以上5μm以下。当钒锌系玻璃料的软化点在上述范围内且粒径在上述范围内的情况下，即使是在750℃以下的温度下进行烧制时，熔融的钒锌系玻璃的流动性也很优异，因此能够得到粘附性非常优异的导体。此外，该平均粒径为堆积累计分布的中值粒径(D50)，可以通过基于激光衍射/散射法的粒度分布测定装置来进行测定。
以无铅玻璃料为100质量％计，例如含有10质量％以上90质量％以下的钒锌系玻璃料，优选含有20质量％以上80质量％以下，更优选含有30质量％以上50质量％以下。在本实施方式中，当钒锌系玻璃料的含量在上述范围内的情况下，所形成的导体的导电性以及与基板的粘附性的平衡良好且优异。
另外，可以使用硼硅酸锌系玻璃料的软化点比上述钒锌系玻璃料的软化点更高的物质。导电性组合物通过含有具有不同软化点的玻璃料，从对导电性组合物进行烧制时的升温过程开始熔融的玻璃的流动性优异、导电性成分以及相对于基板的润湿性的平衡良好且优异，因此能够得到粘附性非常优异的导体。另外，上述玻璃料所包含的ZnO，在干燥、烧制工序时，被来源于有机载体的残留炭(煤、碳)还原成锌，能够通过该锌而抑制铜粉末的氧化。此外，玻璃料中的ZnO的功能并不限于上述内容。
另外，在导电性组成物中，以铜粉末为100质量计，例如含有1质量份以上15质量份的ZnO，优选含有3质量份以上12质量份以下。另外，以铜粉末为100质量计，例如含有1质量份以上15质量份的SiO2，优选含有4质量份以上12质量份以下。另外，以铜粉末为100质量计，例如含有1质量份以上10质量份的B2O3，优选含有2质量份以上6质量份以下。
另外，在导电性组成物中，以铜粉末为100质量计，例如含有1质量份以上10质量份的V2O5，优选含有2质量份以上7质量份以下。当V2O5的含量在上述范围内的情况下，流动性以及粘附性更加优异。另外，在导电性组成物中，以铜粉末为100质量份计，例如含有1质量份以上3质量份以下的CuO。
(3)氧化亚铜
本实施方式的导电性组合物含有氧化亚铜(氧化铜(I)：Cu2O)。由此，能够促进低温烧制用铜导电浆料的铜粉末之间的烧结。
以铜粉末为100质量份计，氧化亚铜的含量例如可以优选为5.5质量份以上50质量份以下，更优选为7质量份以上40质量份以下，进一步优选为7质量份以上15质量份以下。当氧化铜的含量在上述范围内的情况下，促进铜粉末之间的烧结，具有更优异的导电性以及粘附性。此外，以铜粉末为100质量份计，当氧化亚铜的含量超过50质量份的情况下，即使含有后述的羧酸系添加剂，对铜的烧结没有帮助的多余的氧化铜也会形成电阻，有时导电性会不足。
无铅玻璃料存在若在非氧化性气氛中(例如氮气气氛中等)进行烧制则相对于基板的粘附性变得不足的倾向。但是，若在将含有无铅玻璃料和氧化亚铜的导电性组合物例如制备成浆料状之后在非氧化性气氛中进行热处理，则通过在热处理时将微量的氧从氧化亚铜导入至烧制气氛中，能够提高相对于基板的粘附性。另外，若将氧释放至非氧化性气氛中则氧化亚铜变为铜，与铜粉末一起形成通过对导电性组合物进行烧制而得到的导体。根据本实施方式的导电性组合物，通过将硼硅酸锌系玻璃料、钒锌系玻璃料和氧化亚铜进行组合，能够显著提高导电性以及相对于基板的粘附性。此外，本实施方式的导电性组合物可以在不阻碍上述效果的范围内含有少量的氧化铜(氧化铜(II)：CuO)。以铜粉末为100质量份计，例如可以含有0质量份以上5质量份以下的氧化铜。
氧化亚铜为粉末状，其平均粒径优选为5μm以下。通过使用平均粒径为5μm以下的氧化亚铜粉末，能够在导电性组合物中分散地配合氧化亚铜。对氧化亚铜的平均粒径的下限没有特别限定，例如可以设为0.1μm以上。此外，氧化亚铜的平均粒径可以通过电子显微镜观察、基于激光衍射/散射法的粒度分布测定装置进行测定。
(4)羧酸系添加剂
本实施方式的导电性组合物通过含有羧酸系添加剂，提高了上述氧化亚铜促进铜粉末之间的烧结的效果，能够形成粘附性、导电性等更加优异的导体。
如上所述，氧化亚铜具有促进铜粉末之间的烧结的效果，由于铜粉末的烧结而使导电性提高，但是并非所有的氧化亚铜都能够促进烧结，有时一部分还以未反应的状态存在。
据考虑，本实施方式的导电性组合物通过含有羧酸系添加剂而能够使该未反应的氧化亚铜进一步发生反应。而且，据考虑，通过氧化亚铜的反应，可提高铜粉末之间的烧结性，并且减少在导体中残留而成为电阻成分的氧化亚铜，从而能够进一步提高导电性。
以铜粉末为100质量份计，羧酸系添加剂的含量例如可以优选为0.1质量份以上5.0质量份以下，更优选为1.0质量份以上4.0质量份以下，进一步优选为2.0质量份以上3.0质量份以下。当羧酸系添加剂的含量在上述范围内的情况下，具有提高氧化亚铜促进铜粉末之间的烧结的效果、或促进氧化亚铜的分解的效果。以铜粉末为100质量份计，当羧酸系添加剂的含量超过5.0质量份的情况下，在向导电性组合物中添加有机载体并形成浆料状的组合物时，有时会发生由该浆料状的组合物得到的导体的粘附性降低、由于长期保存铜粉末溶解而使浆料状的组合物变色等问题。
羧酸系添加剂是指具有羧基的添加剂，优选为在常温下为液态的不饱和脂肪酸。作为羧酸系添加剂，例如，可列举为肉豆蔻脑酸、棕榈油酸、油酸、亚油酸等，其中，更优选为选自油酸及亚油酸中的至少一种。
另外，羧酸系添加剂还具备在本实施方式所涉及的导电性组合物中添加有机载体而形成浆料状组合物的情况下的、作为使铜粉末和无铅玻璃料分散在有机载体中的分散剂的功能。从提高向有机载体中的分散性的的观点出发，羧酸系添加剂优选为碳原子数为14以上18以下的不饱和羧酸。
(5)有机载体
本实施方式的导电性组合物可以含有有机载体。有机载体能够对导电性组合物的粘度进行调整而形成具有适当的印刷性的浆料状的组合物。
有机载体，对其组成没有特别限定，可以使用在导电性浆料中所使用的公知的有机载体。有机载体例如含有树脂成分和溶剂。作为树脂成分，例如，可以使用纤维素树脂、丙烯酸树脂等。作为溶剂，例如，可以单独使用或多种混合地使用萜品醇、二氢萜品醇等萜烯系溶剂、乙基卡必醇、丁基卡必醇等醚系溶剂。
有机载体是在对导电性组合物进行干燥或烧制时挥发或燃烧的成分，因此对导电性组合物中的有机载体的含量没有特别限定。只要以使得导电性组合物具有适度的粘性以及涂布性的方式来添加有机载体即可，可以根据用途等适当地对其含量进行调整。例如，以浆料状的导电性组合物(导电性浆料)为100质量％计，可以含有10质量％以上50质量％以下的有机载体。
此外，本实施方式的导电性组合物可以在起到本发明的效果的范围内含有其他成分。例如，作为上述其他成分，可以在导电性组合物中适当地添加消泡剂、分散剂、偶联剂等。
(6)导电性组合物
本实施方式的导电性组合物，烧制后的导体的导电性以及与基板的粘合性非常优异、且耐酸性以及防腐蚀性优异，因此能够适合用于形成端子用电极。另外，本实施方式的导电性组合物，能够通过750℃以下的热处理进行烧制，进一步地还能够通过600℃以下的热处理进行烧制，所形成的导体显示出优异的导电性以及与基板的粘合性，因此能够适合地作为低温烧制用的导电性浆料来使用。
本实施方式的导电性组合物，在600℃下烧制的导体的换算成膜厚为10μm的面积电阻值优选为30mΩ以下，更优选为20mΩ以下。此外，该面积电阻值是通过后述的实施例中所记载的方法测定的值。
另外，本实施方式的导电性组成物在600℃下烧制的导体的剥离强度(peelstrength)优选为10N以上，更优选为20N以上。此外，该剥离强度，例如是在将上述导电性组合物在600℃下进行烧制而制备的铜导体上通过3Ag-0.5Cu-Sn焊料而安装直径为0.6mm的镀锡铜导线之后，对上述镀锡铜导线进行拉伸而将其破坏时测定的值，是对电子部件的基板和导体的粘附性进行评价的值。
此外，本实施方式的导电性组合物还可以用于电子部件的端子电极以外的其他用途，例如，还可以作为将电子部件的内部电极、布线、作为焊料替代品的电子元件等芯片部件粘合在引线框架、各种基板上而使其电导通或热导通的材料来使用。
2.端子电极的制造方法
本实施方式的端子电极的制造方法具备对上述导电性组合物进行烧制的工序。另外，端子电极的制造方法可以具备在对上述导电性组合物进行烧制而得到的导体的表面上形成镀镍或镀锡的工序。以下，作为端子电极的制造方法的一个例子，对叠层陶瓷电容器的外部电极的制造方法进行说明。
图1中的(A)以及(B)是表示作为实施方式所涉及的电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器1的图。叠层陶瓷电容器1具备钛酸钡等陶瓷电介质层12以及内部电极层11交替地叠层而成的陶瓷叠层体10和外部电极20。
外部电极20具备使用上述浆料状的导电性组合物(导电性浆料)而形成的外部电极层21以及镀层22。外部电极层21与内部电极层11电连接。此外，外部电极20还可以具备除外部电极层21以及镀层22以外的层。另外，外部电极20也可以不具备镀层22。
通过将铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料、羧酸系添加剂以及有机载体进行混合来制备导电性浆料。无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料。导电性浆料中的各成分的组成、配合比例等如上所述。
外部电极的制造方法，例如，在形成有内部电极并通过烧制而得到的陶瓷叠层体10的端面，将上述导电性浆料通过丝网印刷、转印、浸渍涂布等任意方法进行印刷或涂布。接着，通过进行干燥、烧制，使导电性浆料中的Cu烧结而得到外部电极层21。进一步地，可以在外部电极层21的表面施加镀镍和/或镀锡来形成镀层22。当外部电极20具有镀层22的情况下，焊接性提高。另外，在制造叠层陶瓷电容器的外部电极时，相对于上述导电性组合物的基板是陶瓷叠层体。
一般而言，通过800℃以上1000℃以下的热处理来进行烧制。本实施方式的导电性浆料即使是通过低于800℃的热处理也能够充分进行烧制，例如即使是750℃以下的热处理也能够进行烧制，即使是650℃以下的热处理也能够进行烧制。另外，根据本实施方式的导电性浆料，如后述的实施例所示，即使在通过600℃的热处理来进行烧制的情况下，也能够得到导电性以及粘附性非常优异的外部电极。对烧制的热处理温度的下限没有特别限定，例如为400℃以上。另外，烧制处理的时间，在峰值温度下，例如为5分钟以上20分钟以下。
另外，可以在烧制前进行干燥。对干燥的条件没有特别限定，例如，可以以50℃-150℃、5分钟-15小时的程度来进行。另外，对烧制炉内的燃尽区的氧浓度没有特别限定，例如可以设为100ppm。
关于本实施方式的电子部件，可以通过将上述导电性浆料涂布在电子部件上以及对涂布后的电子部件进行烧制来制造电子部件。若在该电子部件的制造方法中使用本实施方式的导电性组合物，则能够通过750℃以下的热处理进行烧制，因此能够减小对电阻体、内部元件等的损害。另外，热处理还可以在650℃以下进行，进一步地还可以在600℃以下进行。通过该制造方法形成的导体，导电性以及粘附性非常优异。
【实施例】
接下来，使用实施例和对比例对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例的任何限定。
1.原料
(1)铜粉末(球状)：使用通过雾化法制造的平均粒径为0.3μm、1.0μm的球状的铜粉末。
(2)无铅玻璃料
·硼硅酸锌系玻璃料(A)：使用ZnO-SiO2-B2O3系玻璃料(ZnO：21质量％，SiO2：47.6质量％，B2O3：10.6质量％，软化点：595℃，平均粒径为1.5μm)。
·硼硅酸锌系玻璃料(B)：使用ZnO-SiO2-B2O3系玻璃料(ZnO：15.5质量％，SiO2：44.4质量％，B2O3：13.8质量％，软化点：590℃，平均粒径为1.5μm)。
·钒锌系玻璃料：使用ZnO-V2O5系玻璃料(ZnO：40.9质量％，V2O5：39.5质量％，软化点：405℃，平均粒径为3.5μm)。
·硼硅酸铋系玻璃料：Bi2O3-SiO2-B2O3系玻璃料(B2O3：24.4质量％，Bi2O3：34.1质量％，SiO2：17质量％，软化点：580℃，平均粒径为1.5μm)。
所使用的无铅玻璃料的组成如表1所示。
通过Microtrac测定铜粉末和无铅玻璃料的平均粒径。另外，无铅玻璃料的软化点在大气气氛下以升温速度为10℃/分钟的条件通过热重-差热分析(TG-DTA)来进行测定。
(3)使用平均粒径为3μm的氧化亚铜。
(4)另外，作为羧酸系添加剂使用油酸和亚油酸。
2.导电性浆料的制造
(有机载体的制备)
相对于80质量％的萜品醇，一边以乙基纤维素为18质量％、丙烯酸树脂为2质量％的比例混合并搅拌，一边加热到60℃，制备透明且粘稠的有机载体。
(导电性浆料的制备)
利用混合机将铜粉末、玻璃料、氧化亚铜、油酸或亚油酸以及如上所述制备的有机载体混合，得到混合物。各成分的配合比率如表2所示。利用三辊研磨机对该混合物进行混炼，制备导电性浆料。
3.评价用的导体的形成
(1)面积电阻值评价用试样
将金浆料印刷在氧化铝基板上并进行烧制，准备形成有电极间距离为50mm的金(Au)电极的氧化铝基板。在上述基板的表面上，使用宽度为0.5mm、电极间距离为50mm的图案，并以烧制后的厚度为10μm～13μm的方式，将所得到的导电性浆料印刷在Au电极间。将该印刷后的氧化铝基板在120℃下进行热处理，使导电性浆料干燥。利用氮气气氛带式炉，对干燥处理后的氧化铝基板以峰值温度为600℃、峰值温度持续时间为10分钟、从炉入口到出口为60分钟的配置进行热处理，对导电性浆料进行烧制。炉内的烧制区的氧浓度设为5ppm、向在升温至600℃的过程中(从炉入口至600℃的区域)设置的燃尽区导入干燥空气，将氧浓度设定为200ppm、400ppm以及600ppm的各浓度。此外，氧浓度使用氧化锆氧浓度计(东丽制造：型号LC-750)来进行测定并调整至各浓度。
(2)粘附性评价用的试样
在氧化铝基板上，以2mm×2mm的图案印刷上述导电性浆料，并在与上述面积电阻值评价用试样的制备条件相同的条件下进行烧制，制备粘附性评价用的试样(烧制后的厚度为10μm)。
(3)形成的导体的特性评价
(3-1)面积电阻值(导电性)
使数字万用表(株式会社Advantest制造)的电阻值测定用探针与上述得到的面积电阻值评价用试样的Au电极之间接触，对导体的电阻值R[t]进行测定。接着，将该电阻值R[t]换算为面积电阻值Rs[t](＝R(t)×W/L)。使用该值算出导体的厚度为10μm的情况下的面积电阻值Rs0(＝Rs[t]×t/10)(mΩ/□)。此外，t表示导体的厚度，W表示导体的宽度，L表示导体的长度。将上述的结果示于表2。
(3-2)与基板的粘附性
使用组成为96.5质量％Sn-3质量％Ag-0.5质量％Cu的焊料将直径为0.6mm的镀锡铜导线焊接在所得到的粘附性评价用的试样的铜导体上，并使用负荷测定器(AIKOHENGINEERING(株)制造，MODEL 2152HTP)在垂直方向上以80mm/min的速度进行拉伸，测定20次导体从基板剥离时的剥离强度(peel strength)，并以其平均值进行评价。
[评价结果]
如表2所示，根据实施例的导电性组合物，能够得到具有相对于基板的足够的粘附性、且具有足够的导电性的导体。
与此相对，作为玻璃料仅使用了硼硅酸锌系玻璃料的对比例1的粘附性非常差，未能形成稳定的导体。另外，在作为玻璃料仅使用了钒锌系玻璃料的对比例2中，玻璃成分过度渗透于基板，无法保持导体的形状而未能进行粘附性的评价。另外，在作为玻璃料使用了硼硅酸锌系玻璃料和硼硅酸铋系玻璃料的对比例3中，可确认玻璃未充分地熔融而粘附性较差。
在过量地含有羧酸系添加剂的油酸的对比例4中，可确认导电性、粘附性较差。可以认为这是因为过量存在的油酸不但提高了氧化亚铜的烧结性，还引起了铜粉末的溶解等，反而导致导电性、粘附性降低。另外，可确认，对比例4的试样，由于过量的油酸使铜粉末溶解，因此所制备的导电性浆料随着时间的变化而产生变色。
另外，除了不含有羧酸系添加剂以外，在与实施例1相同的条件下得到的对比例5的导体，在与实施例1的导体相比较的情况下，显示出导电性以及粘附性的降低(参照图2)。另外，除了不含有羧酸系添加剂以外，在与实施例2相同的条件下得到的对比例6的导体也显示出同样的趋势(参照图2)。由该结果所示，通过含有羧酸系添加剂，可进一步提高导电性以及粘附性。
由以上结果明确可知，通过使用本实施方式的导电性组合物，在750℃以下，例如600℃左右的低温下进行烧制的情况下，能够形成导电性以及粘附性非常优异的导体。
产业上的可利用性
本实施方式的导电性组合物，通过含有铜粉末、特定的无铅玻璃料和氧化亚铜，导电性以及粘合强度非常优异，能够适合用于形成外部电极等导体。另外，本实施方式的导电性组合物还可以作为电子部件的内部电极、焊料替代品等使用。其中，本实施方式的导电性组合物，能够适合使用于与基体的粘合性较高、特别是在施加了镀镍或镀锡等电镀处理之后也能够获得较高的粘合强度的端子电极中。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式。例如，有时将在上述实施方式中说明的要件中的一个以上省略。另外，可以适当地将在上述实施方式中说明的要件组合。另外，只要法律上允许，援引日本专利申请的特愿2017-089293以及在上述实施方式等中引用的全部的文献的内容并作为本文的记载的一部分。
符号说明
1 叠层陶瓷电容器
10 陶瓷叠层体
11 内部电极层
12 电介质层
20 外部电极
21 外部电极层
22 电镀层

Claims (12)

1.一种导电性组合物，含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和羧酸系添加剂，
以所述铜粉末为100质量份计，含有9质量份以上50质量份以下的所述无铅玻璃料，
所述无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料，
所述硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌，
所述钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌，
以所述铜粉末为100质量份计，含有0.1质量份以上5.0质量份以下的所述羧酸系添加剂。
2.根据权利要求1所述的导电性组合物，其特征在于，以所述无铅玻璃料为100质量％计，含有10质量％以上90质量％以下的所述钒锌系玻璃料。
3.根据权利要求1或2所述的导电性组合物，其特征在于，所述钒锌系玻璃料含有30质量％以上50质量％以下的氧化钒，并含有30质量％以上50质量％以下的氧化锌。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，以所述无铅玻璃料为100质量％计，含有10质量％以上90质量％以下的所述硼硅酸锌系玻璃料。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，所述硼硅酸锌系玻璃料含有35质量％以上55质量％以下的氧化硅，并含有5质量％以上20质量％以下的氧化硼。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，以所述铜粉末为100质量份计，含有5.5质量份以上50质量份以下的所述氧化亚铜。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，所述羧酸系添加剂为选自油酸以及亚油酸中的至少一种。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，所述铜粉末含有球状粉末以及片状粉末中的至少一种。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，所述铜粉末的平均粒径为0.2μm以上5μm以下。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的导电性组合物，其特征在于，以导电性组合物为100质量％计，含有10质量％以上50质量％以下的有机载体。
11.一种端子电极的制造方法，具备对权利要求1-10中任一项所述的导电性组合物通过750℃以下的热处理来进行烧制的工序。
12.根据权利要求11所述的端子电极的制造方法，其特征在于，具备在对所述导电性组合物进行烧制而得到的导体的表面上形成镀镍或镀锡的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111641016A (zh) * 2020-04-30 2020-09-08 深圳第三代半导体研究院 一种陶瓷滤波器表面电极制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7089402B2 (ja) * 2018-05-18 2022-06-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
CN114566387A (zh) * 2018-12-26 2022-05-31 株式会社村田制作所 电解电容器及其制造方法
JP2022136819A (ja) * 2021-03-08 2022-09-21 Tdk株式会社 セラミック電子部品
JP2022136821A (ja) * 2021-03-08 2022-09-21 Tdk株式会社 セラミック電子部品
JP7424340B2 (ja) 2021-04-02 2024-01-30 株式会社村田製作所 導電性ペースト、積層セラミックコンデンサの製造方法、積層セラミックコンデンサ
TWI751089B (zh) 2021-06-16 2021-12-21 國立成功大學 製作積層陶瓷電容器端電極與印刷全面積內電極保護層之方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239892A (ja) * 1986-05-02 1988-10-05 旭硝子株式会社 回路基板用組成物
JP2002280248A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 外部電極用銅ペースト組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサー
JP2012054113A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Kyocera Corp 銅ペースト組成物およびセラミック構造体
CN102543251A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 三星电机株式会社 端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法
CN102831955A (zh) * 2012-08-24 2012-12-19 合肥中南光电有限公司 含纳米级混合银粉的太阳能电池正面银浆及其制备方法
CN103097318A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 株式会社东进世美肯 氧化锌基玻璃料组合物及使用该组合物的且用于太阳能电池的背面接触的铝浆组合物
WO2013109583A2 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Ferro Corporation Non fire-through aluminum conductor reflector paste for back surface passivated cells with laser fired contacts
CN103597547A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 太阳化学公司 含有蜡触变胶的可高纵横比丝网印刷的厚膜糊剂组合物
CN104185874A (zh) * 2012-01-16 2014-12-03 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料
CN104599840A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星电机株式会社 外部电极的导电浆料组合物和使用该组合物的多层陶瓷电子元件及其制造方法
CN105469853A (zh) * 2014-06-30 2016-04-06 比亚迪股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池导电浆料及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2788510B2 (ja) 1989-10-27 1998-08-20 第一工業製薬株式会社 銅ペースト組成物
JP4291857B2 (ja) * 2007-01-24 2009-07-08 三ツ星ベルト株式会社 銅導体ペースト、導体回路板及び電子部品
US20130118573A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode, photovoltaic cell element, and photovoltaic cell
US8815125B2 (en) 2012-06-20 2014-08-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing a resistor paste
KR101587683B1 (ko) 2013-02-15 2016-01-21 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9799421B2 (en) * 2013-06-07 2017-10-24 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Thick print copper pastes for aluminum nitride substrates
TWI652694B (zh) * 2014-01-17 2019-03-01 日商納美仕有限公司 導電性糊及使用該導電性糊製造半導體裝置之方法
JP2015168587A (ja) * 2014-03-05 2015-09-28 日本電気硝子株式会社 バナジウム系ガラス組成物及び電極形成用ペースト
JP2015144126A (ja) * 2015-02-16 2015-08-06 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池素子
JP2016213284A (ja) * 2015-05-01 2016-12-15 東洋アルミニウム株式会社 Ｐｅｒｃ型太陽電池用アルミニウムペースト組成物
JP2016219256A (ja) 2015-05-20 2016-12-22 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕペースト組成物および厚膜導体
JP6623920B2 (ja) * 2016-04-27 2019-12-25 住友金属鉱山株式会社 導電性組成物及び端子電極の製造方法
JP6623919B2 (ja) * 2016-04-27 2019-12-25 住友金属鉱山株式会社 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239892A (ja) * 1986-05-02 1988-10-05 旭硝子株式会社 回路基板用組成物
JP2507418B2 (ja) * 1986-05-02 1996-06-12 旭硝子株式会社 回路基板用組成物
JP2002280248A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 外部電極用銅ペースト組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサー
JP2012054113A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Kyocera Corp 銅ペースト組成物およびセラミック構造体
CN103097318A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 株式会社东进世美肯 氧化锌基玻璃料组合物及使用该组合物的且用于太阳能电池的背面接触的铝浆组合物
CN102543251A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 三星电机株式会社 端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法
CN103597547A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 太阳化学公司 含有蜡触变胶的可高纵横比丝网印刷的厚膜糊剂组合物
WO2013109583A2 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Ferro Corporation Non fire-through aluminum conductor reflector paste for back surface passivated cells with laser fired contacts
CN104185874A (zh) * 2012-01-16 2014-12-03 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料
CN102831955A (zh) * 2012-08-24 2012-12-19 合肥中南光电有限公司 含纳米级混合银粉的太阳能电池正面银浆及其制备方法
CN104599840A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星电机株式会社 外部电极的导电浆料组合物和使用该组合物的多层陶瓷电子元件及其制造方法
CN105469853A (zh) * 2014-06-30 2016-04-06 比亚迪股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池导电浆料及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111641016A (zh) * 2020-04-30 2020-09-08 深圳第三代半导体研究院 一种陶瓷滤波器表面电极制备方法

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