JP2016213284A - Perc型太陽電池用アルミニウムペースト組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】PERC型太陽電池セルに高い変換効率を付与できるともに、シリコン基板に対する密着性にも優れ、しかも、高温高湿環境下でも電気特性の低下や、焼成後のボイドの発生も抑制できるPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物を提供する。
【解決手段】少なくともガラスフリットを構成成分として含有するPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物である。前記ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む。
【選択図】図1
【解決手段】少なくともガラスフリットを構成成分として含有するPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物である。前記ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、裏面にパッシベーション膜を有する結晶系太陽電池セル用のアルミニムペースト組成物に関する。
結晶系太陽電池セルの変換効率(発電効率)や信頼性等を向上させることを目的として、種々の研究開発が実施されており、その一つとしてPERC(Passivated emitter and rear cell)型高変換効率セルが知られている。このPERC型高変換効率セルでは、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミなどで形成される反射防止膜が、太陽電池セルの受光面と反対側の裏面に形成されている。この反射防止膜にレーザー光で孔を形成し、この孔を通じてシリコン基板と電気的に接触するようにアルミニウム電極層が形成されている。このようなPERC構造においては、上記のアルミニウム電極層からのアルミニウム原子の拡散によって形成されたp+層の存在により生成キャリアの収集効率を向上させるBSF(Back Surface Field)効果が得られる。また、上記反射防止膜は、いわゆるパッシベーション膜として作用するので、シリコン基板表面での電子の再結合が抑制されることにより、発生したキャリアの再結合率を減らすことが可能となる。その結果、高い電圧を得ることができ、太陽電池セルの変換効率を高めることができる。
近年では、上記PERC型高変換効率セルの裏面側にアルミニウム電極層(裏面電極)を形成するためのアルミニウムペースト組成物が種々考案されている。PERC型高変換効率セル用のアルミニウムペースト組成物に必要な機能としては、1)均一なBSF層形成による変換効率の向上、2)シリコン基板及びパッシベーション膜との十分な剥離強度の確保、3)高温高湿環境における長期信頼性の確保である。
例えば、特許文献1では、ペースト組成物に含まれるガラスフリットに関して、鉛30〜70カチオンモルパーセント、ケイ素1〜40カチオンモルパーセント、ホウ素10〜65カチオンモルパーセント、アルミニウム1〜25カチオンパーセントを含むガラスフリットが提案されている。また、特許文献2には、0〜12wt%のSiO2、0.3〜10wt%のAl2O3、65〜75wt%のBi2O3を含む、PbOフリーであるガラスフリットを含むペースト組成物が提案されている。さらに特許文献3には、SiO2と、B2O3と、ZnO及び/又はPbOと、Al2O3と、少なくとも1種のアルカリ金属酸化物を含むガラスフリットとを添加したアルミニウムペースト組成物が提案されており、これにより、シリコン基板と電極との密着性を向上させている。
しかしながら、上記特許文献1に開示のペースト組成物をPERC型高変換効率セルに適用したとしても、十分な変換効率が得られるとは言い難く、改善の余地が残されていた。また、Pbを含有することから、環境面に与える影響も問題となる。また、上記特許文献2に開示のペースト組成物も同様に、変換効率に改善の余地が残されるものであり、また、焼成で形成されるアルミニウム電極の剥離強度についても改善が望まれていた。特許文献3に開示のペースト組成物では、確かにシリコン基板に対する密着性は向上するが、高温高湿環境での信頼性の点で課題が残されていた。また、いずれの特許文献に開示のペースト組成物においても、焼成によって形成されるAl−Si合金層にボイドが形成されるものであり、太陽電池セルの機械的強度が低いという問題もあった。以上のような観点から、上記問題点が解決できるペースト組成物の開発が望まれていた。
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、PERC型太陽電池セルに高い変換効率を付与できるともに、シリコン基板に対する密着性にも優れ、しかも、高温高湿環境下でも電気特性の低下や、焼成後のボイドの発生も抑制できるPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、アルミニウムペースト組成物に添加するガラスフリットを特定の組成に調製することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記のPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物に関する。
項1.少なくともガラスフリットを構成成分として含有するPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物であって、
前記ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む、ペースト組成物。
項2.前記ガラスフリットが、さらにBi2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、BaO、CaO、SrO、V2O5、Sb2O3、WO3、P2O5及びTeO2からなる群より選ばれる少なくとも1種の成分を含む、上記項1に記載のペースト組成物。
項3.前記ガラスフリットが、B2O3及びBi2O3成分を含有する第1のガラスフリットと、V2O5及びBaO成分を含有する第2のガラスフリットを含む、上記項1又は2に記載のペースト組成物。
項4.前記第1のガラスフリットにおいて、B2O3成分とBi2O3成分とのモル比(B2O3/Bi2O3)が0.8以上4.0以下であり、
前記第2のガラスフリットにおいて、V2O5成分とBaO成分とのモル比(V2O5/BaO)が1.0以上2.5以下である、上記項3に記載のペースト組成物。
項5.アルミニウム粉及びアルミニウム−シリコン合金粉の少なくとも一方を含む導電性フィラーをさらに含む、上記項1〜4のいずれか1項に記載のペースト組成物。
項6.前記アルミニウム−シリコン合金粉におけるシリコンの含有量が、前記アルミニウムーシリコン合金粉中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜30.0質量部であり、かつ、
前記ペースト組成物中におけるシリコンの含有量が、前記ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜15.0質量部である、上記項5に記載のペースト組成物。
項7.ダンプヒート試験前後の発電効率(Eff)の低下率が5%以内である、上記項1〜6のいずれか1項に記載のペースト組成物。
項1.少なくともガラスフリットを構成成分として含有するPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物であって、
前記ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む、ペースト組成物。
項2.前記ガラスフリットが、さらにBi2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、BaO、CaO、SrO、V2O5、Sb2O3、WO3、P2O5及びTeO2からなる群より選ばれる少なくとも1種の成分を含む、上記項1に記載のペースト組成物。
項3.前記ガラスフリットが、B2O3及びBi2O3成分を含有する第1のガラスフリットと、V2O5及びBaO成分を含有する第2のガラスフリットを含む、上記項1又は2に記載のペースト組成物。
項4.前記第1のガラスフリットにおいて、B2O3成分とBi2O3成分とのモル比(B2O3/Bi2O3)が0.8以上4.0以下であり、
前記第2のガラスフリットにおいて、V2O5成分とBaO成分とのモル比(V2O5/BaO)が1.0以上2.5以下である、上記項3に記載のペースト組成物。
項5.アルミニウム粉及びアルミニウム−シリコン合金粉の少なくとも一方を含む導電性フィラーをさらに含む、上記項1〜4のいずれか1項に記載のペースト組成物。
項6.前記アルミニウム−シリコン合金粉におけるシリコンの含有量が、前記アルミニウムーシリコン合金粉中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜30.0質量部であり、かつ、
前記ペースト組成物中におけるシリコンの含有量が、前記ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜15.0質量部である、上記項5に記載のペースト組成物。
項7.ダンプヒート試験前後の発電効率(Eff)の低下率が5%以内である、上記項1〜6のいずれか1項に記載のペースト組成物。
本発明に係るPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物は、少なくともガラスフリットを構成成分として含有するものであって、該ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む。これにより、上記ペースト組成物をPERC型太陽電池セルに適用すれば、該太陽電池セルに高い変換効率を付与できる。また、ペースト組成物の焼成によって形成される電極(裏面電極)は、シリコン基板との密着性に優れ、裏面電極とシリコン基板との間のボイドの発生も抑制される。しかも、上記ペースト組成物をPERC型太陽電池に適用することによって、該PERC型太陽電池は、高温高湿環境下でも電気特性の低下が起こりにくくなる。
以下、PERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物の実施の形態について詳細に説明する。
本実施形態のPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物(以下、「ペースト組成物」と略記する)は、PERC型高変換効率セルの裏面電極を形成するために使用することができるものである。
最初に、本実施形態のペースト組成物が適用できるPERC型太陽電池のセルについての一例を説明する。
図1は、PERC型太陽電池のセルの一般的な断面構造の模式図である。図1に示すように、太陽電池セルは、例えば、厚みが180〜250μmのp型シリコン半導体基板1を用いて構成される。シリコン半導体基板1の受光面側には、厚みが0.3〜0.6μmのn型不純物層2と、その上に、例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜3(いわゆるパッシベーション膜3)と、グリッド電極4とが形成されている。
また、シリコン半導体基板1の受光面と反対側の裏面には、たとえば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜3(いわゆるパッシベーション膜3)が形成される。この反射防止膜3を貫通してシリコン半導体基板1の表面に到達するコンタクト孔が形成され、該コンタクト孔を通じてシリコン半導体基板1の表面に接触するように所定のパターン形状に従ったアルミニウム電極層5が形成されている。
上記アルミニウム電極層5は、後述するペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥させた後、660℃(アルミニウムの融点)を超える温度にて短時間焼成することによって形成されている。この焼成の際にアルミニウムがシリコン半導体基板1の内部に拡散することにより、アルミニウム電極層5とシリコン半導体基板1との間にアルミニウム−シリコン(Al−Si)合金層6が形成されると同時に、アルミニウム原子の拡散による不純物層としてp+層7(BSF層7)が形成される。このp+層7の存在により、電子の再結合が防止され、生成キャリアの収集効率を向上させるBSF効果が得られる。シリコン半導体基板1の裏面側には、上記のようなアルミニウム電極層5とアルミニウム−シリコン合金層6とから構成される裏面電極8が形成されている。太陽電池セルが上記構造を有していることで、PERC構造のセルを備えたバックコンタクト型の太陽電池が構成される。
本実施形態のペースト組成物は、上記の裏面電極8を形成するために、反射防止膜3(パッシベーション膜3)の上に塗工するための導電性のペーストである。ペースト組成物は、反射防止膜3に形成されたコンタクト孔を通じてシリコン半導体基板1の表面に接触するように塗工される。さらに詳しくは、本実施形態のペースト組成物は、LCO(Laser contact opening)と称される構造の太陽電池用の裏面電極に用いることができる。この場合、ペースト組成物は、Laser等を用いて設けられた開口部のシリコンと反応し、これにより、BSF層が形成される。このようにBSF層が形成されることで、太陽電池の電気特性の向上を図ることができる。
次に、本実施形態のペースト組成物の構成について詳述する。
本実施形態のペースト組成物は、少なくともガラスフリットを構成成分として含有するものである。
上記ガラスフリットは、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む。
ここでいう「Pbを含まない」とは、ペースト組成物が鉛(Pb)を含んでいないことを示すが、不可避的に不純物として含まれる鉛(Pb)を除外するものではない。
また、ここでいう「アルカリ金属を含まない」とは、ペースト組成物がアルカリ金属、すなわち、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム及びフランシウムを含まないことを示すが、不可避的に不純物として含まれるアルカリ金属を除外するものではない。
なお、以下では、上述のように「ガラスフリットがPbを含まない」ことを「Pbフリー」、「ガラスフリットがアルカリ金属を含まない」ことを「アルカリ金属フリー」という。
ガラスフリットは、B2O3を必須の構成成分として含む。これによって、ペースト組成物は、PERC型太陽電池に対して良好なBSF層を形成することができ、太陽電池の発電効率を向上させることができる。
ガラスフリットは、Pbフリー、かつ、アルカリ金属フリーであって、成分としてB2O3を含有する限りは、その他の成分が含まれていてもよい。
上記その他の成分としては、B2O3の他、Bi2O3、SrO、BaO、Sb2O3、V2O5、P2O5、ZnO、SiO2、Al2O3、CaO、WO3、TiO2、ZrO2、CuO、Ag2O、SnO及びCeO2からなる群から選択される1種または2種以上が例示される。ガラスフリットがこれら複数の金属酸化物のうちの1種以上を構成成分として含有している場合は、各々の金属酸化物どうしが混ざり合った混合物の形態であってもよいし、あるいは、複数種の金属の酸化物からなる、いわゆる複合酸化物の形態で存在していてもよい。また、前記混合物及び前記複合酸化物の両方がガラスフリット中に混在していてもよく、その形態に制限はない。
ガラスフリットは、B2O3及びBi2O3成分を含有する第1のガラスフリットと、V2O5及びBaO成分を含有する第2のガラスフリットを含んで構成されていてもよい。すなわち、ガラスフリットは、上記第1のガラスフリットと、上記第2のガラスフリットとの2種類のガラスフリットの混合物であってもよい。
上記のようにガラスフリットが、第1のガラスフリットと、第2のガラスフリットとを含んでいる場合は、ペースト組成物は、PERC型太陽電池に対して、より良好なBSF層を形成することができ、太陽電池の発電特性、特に発電効率(変換効率)を向上させることができる。その上、ペースト組成物から形成された電極と、太陽電池のシリコン基板との密着性も向上させることができる。
ガラスフリットが、第1のガラスフリットと、第2のガラスフリットとを含んでいる場合は、第1のガラスフリット及び第2のガラスフリットのいずれにおいても、各々のガラスフリットに含まれる各成分のモル比に制限はない。好ましくは、第1のガラスフリットにおいて、B2O3成分とBi2O3成分とのモル比(すなわち、B2O3のモル数/Bi2O3のモル数)が0.8以上4.0以下、第2のガラスフリットにおいて、V2O5成分とBaO成分とのモル比(すなわち、V2O5のモル数/BaOのモル数)が1.0以上2.5以下である。この場合、ペースト組成物は、PERC型太陽電池に対して、より良好なBSF層を形成することができ、太陽電池の発電効率を向上させることができる。その上、ペースト組成物から形成された電極と、太陽電池のシリコン基板との密着性をさらに向上させることができる。
第1のガラスフリットには、B2O3及びBi2O3成分以外の成分が含まれていてもよく、第2のガラスフリットには、V2O5及びBaO成分以外の成分が含まれていてもよい。この場合、第1のガラスフリット及び第2のガラスフリットのいずれにあっても、上述した混合物の状態で各成分が存在していてもよいし、上述の複合酸化物の状態で各成分が存在していてもよい。
ガラスフリットにおいて、上記第1のガラスフリットと、上記第2のガラスフリットとの混合割合は特に限定的ではなく、任意の混合割合で含まれていてよい。好ましくは、第2のガラスフリットに含まれるV2O5と、第1のガラスフリットに含まれるB2O3とのモル比、すなわち、V2O5のモル数/B2O3のモル数の値が1.0〜10.0の範囲となるように第1のガラスフリット及び第2のガラスフリットが混合されていることである。この場合、ペースト組成物は、PERC型太陽電池に対して、より良好なBSF層を形成することができ、太陽電池の発電効率を向上させることができる。その上、ペースト組成物から形成された電極と、太陽電池のシリコン基板との密着性をさらに向上させることができる。
本実施形態のペースト組成物は、上記ガラスフリットを含有している限りは、その他の添加剤が含まれていてよい。例えば、ペースト組成物は、ガラスフリットの他、導電性フィラー、シリコン粉末及び有機ビヒクルを含有することができる。
ペースト組成物に含まれる導電性フィラーは、ペースト組成物を焼成することによって形成されたアルミニウム電極層に導電性を発揮させることができる。
導電性フィラーを構成する材料は特に制限はない。例えば、導電性フィラーは、アルミニウム粉及びアルミニウム−シリコン合金粉の少なくとも一方を含むことができ、アルミニウム粉及びアルミニウム−シリコン合金粉からなることが好ましい。
アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の形状は特に限定されない。特にアルミニウム粒子の形状が球状であれば、アルミニウム電極層におけるアルミニウム粒子の充填性が増大し、これにより、電極としての電気抵抗を効果的に低下させることができる。また、アルミニウム粒子の形状が球状であれば、シリコン半導体基板とアルミニウム粒子との接点が増え、良好なBSF層を形成することができる。
アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の平均粒子径は1μm以上10μm以下であることが好ましく、この場合、アルミニウム粒子同士が凝集するおそれが低くなり、ペースト組成物中での分散性が良好となりやすく、しかも、高い反応性も維持しやすい。アルミニウム粉末の製造方法は特に限定されず、例えば、アトマイズ法で製造することができる。
導電性フィラーとして、アルミニウム粉末がペースト組成物に含まれると、ペースト組成物を焼成して裏面電極を形成した際、裏面電極とシリコン半導体基板との間にアルミニウム−シリコン合金層とp+層を形成するので、BSF効果が得られるという利点もある。
アルミニウム−シリコン合金粉末を構成するアルミニウム−シリコン合金粒子の形状は特に限定されない。アルミニウム−シリコン合金粉末を構成するアルミニウム−シリコン合金粒子の平均粒子径は1μm以上10μm以下であることが好ましい。この場合、アルミニウム粒子同士が凝集するおそれが低くなり、ペースト組成物中での分散性が良好となりやすく、しかも、高い反応性も維持されやすい。アルミニウム−シリコン合金粉末の製造方法は特に限定されず、例えば、アトマイズ法で製造することができる。
アルミニウム−シリコン合金粉末も、ペースト組成物を焼成することによって形成されたアルミニウム電極層において導電性を発揮する。また、アルミニウム−シリコン合金粉末に加えて、後述のシリコン粉末がペースト組成物に含まれると、シリコン粉末中のシリコンとアルミニウム−シリコン合金粉末中のシリコンとによって、ペースト組成物中のアルミニウムとシリコン半導体基板中のシリコンとの過剰な反応が制御されやすくなる。これにより、アルミニウム電極層とシリコン半導体基板との界面におけるボイド(空洞)の生成が抑制され得る。
なお、本実施形態のペースト組成物中に含まれるアルミニウム−シリコン合金粉末の含有比率は、特に限定されない。例えば、アルミニウム粉末100質量部に対して、アルミニウム−シリコン合金粉末が10質量部以上500質量部以下であることが好ましい。この場合、ペースト組成物中のアルミニウムとシリコン半導体基板中のシリコンとの過剰な反応をより効果的に制御することができる。
ペースト組成物中にシリコン粉末が含まれる場合、上述のアルミニウム‐シリコン合金粉末中に含まれるシリコンとシリコン粉末中のシリコンとによって、ペースト組成物中のアルミニウムとシリコン半導体基板中のシリコンとの過剰な反応が制御される。これにより、アルミニウム電極層とシリコン半導体基板との界面におけるボイド(空洞)の生成が抑制される。
シリコン粉末を構成するシリコン粒子の形状は特に限定されない。シリコン粉末を構成するシリコン粒子の平均粒子径は1μm以上10μm以下であることが好ましい。この場合、シリコン粒子どうしの凝集が抑制され、ペースト組成物中での良好な分散性を維持することができ、その上、反応性の低下も抑制できる。
シリコンの含有量は特に制限されず、適宜調節することができる。例えば、アルミニウム−シリコン合金粉におけるシリコンの含有量が、アルミニウムーシリコン合金粉中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜30.0質量部、かつ、ペースト組成物中におけるシリコンの含有量が、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜15.0質量部とすることができる。この場合、ペースト組成物によって良好なBSF層を形成することができるので電気特性を向上できるとともに、アルミニウム電極層とシリコン半導体基板との界面におけるボイド(空洞)の生成も抑制され得る。
有機ビヒクルとしては、溶剤に、必要に応じて各種添加剤および樹脂を溶解したものが使用される。溶剤としては公知のものが使用可能であり、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。各種添加剤としては、例えば、酸化防止剤、腐食抑制剤、消泡剤、増粘剤、タックファイヤー、カップリング剤、静電付与剤、重合禁止剤、チキソトロピー剤、沈降防止剤等を使用することができる。添加剤の具体例としては、ポリエチレングリコールエステル化合物、ポリエチレングリコールエーテル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンエステル化合物、ソルビタンアルキルエステル化合物、脂肪族多価カルボン酸化合物、燐酸エステル化合物、ポリエステル酸のアマイドアミン塩、酸化ポリエチレン系化合物、脂肪酸アマイドワックス等を使用することができる。樹脂としては公知のものが使用可能であり、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニールブチラール、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート化合物、シアネート化合物等の熱硬化樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ4フッ化エチレン、シリコン樹脂等のうちの1種又は2種以上を組み合わせて用いることができる。有機ビヒクルに含まれる樹脂は、溶剤に溶解させないで用いてもよい。
なお、本実施形態のペースト組成物中に含まれる有機ビヒクルの含有比率は、特に限定されない。例えば、アルミニウム粉末100質量部に対して、有機ビヒクルの含有比率が70質量部以上500質量部以下であることが好ましい。この場合、ペースト組成物の印刷性の低下が起こりにくい。
本実施形態のペースト組成物は、所定量の各原料を適宜の方法で混合することで調製することができる。混合方法は特に限定されず、ディスパー、3本ロール等の周知の混合機を使用することができる。
本実施形態のペースト組成物を用いて、例えば、図1に示すようなPERC型太陽電池セルの裏面電極を形成することができる。
上記ペースト組成物は、Pbフリー及びアルカリ金属フリーであり、かつ、B2O3成分を含むガラスフリットを含む。これにより、上記ペースト組成物をPERC型太陽電池セルに適用すれば、該太陽電池セルに高い変換効率を付与できる。また、ペースト組成物は、特にアルカリ金属フリー(不可避的に含まれるアルカリ金属は除く)で構成されているので、ペースト組成物の焼成によって形成される裏面電極は、シリコン基板との密着性に優れる。しかも、アルカリ金属フリーであれば、高温高湿環境下でも電気特性の低下が起こりにくいので、高温高湿環境下での信頼性に優れる。また、上記ペースト組成物をPERC型太陽電池セルに適用すれば、太陽電池セルにおける裏面電極とシリコン半導体基板との間に形成される焼成後のボイドの発生も抑制される。その上、ペースト組成物は、Pbフリー(不可避的に含まれるPbは除く)で構成されているので、環境面に与える影響も小さいものである。
本実施形態のペースト組成物を用いて形成されるPERC型太陽電池セルでは、ダンプヒート試験前後の発電効率(以下、「Eff」と略記する)の低下率を抑えることができ、例えば、ダンプヒート試験前後のEffは5%以内に抑えられる。従って、本実施形態のペースト組成物を用いてPERC型太陽電池セルを形成すれば、該太陽電池セルの長期信頼性を高めることができる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の態様に限定されるものではない。
(実施例1)
B2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3が43/22/18/12/5(mol%)の組成割合で構成される第1のガラスフリットと、V2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOが39/26/18/10/7(mol%)の組成割合で構成される第2のガラスフリットとを準備した。
B2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3が43/22/18/12/5(mol%)の組成割合で構成される第1のガラスフリットと、V2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOが39/26/18/10/7(mol%)の組成割合で構成される第2のガラスフリットとを準備した。
上記第1のガラスフリット1.0質量部と、第2のガラスフリット2.0質量部と、ガスアトマイズ法により生成したD50が6.0μmであるアルミニウム粉100質量部と、ガスアトマイズ法により生成したD50が6.0μmであるアルミニウム−15%シリコン合金粉25質量部と、エチルセルロースをブチルジグリコールに溶解した樹脂液35質量部とを、ディスパー又は3本ロール等の周知の混合機により混合させてペースト組成物を調製した。このペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量は、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0質量部(Si/Al量が3.0wt%)となるように調製されている。
一方、太陽電池セルは以下のように制作した。まず、予めレーザー等を用いて開口部を設けた抵抗値3Ω・cmの裏面パッシベーション型単結晶シリコン基板を準備した。そして、上記のように調製したペースト組成物を、上記シリコン基板の裏面側(受光面とは反対面)に1.0−1.1g/pcになるように印刷した。次いで、上記シリコン基板の受光面に対して公知の技術であらかじめ調製しておいたAgペーストを印刷した。その後、上記のように処理されたシリコン基板を800℃に設定した赤外ベルト炉を用いて、シリコン基板の受光面及び裏面側に電極を形成することで、太陽電池セルを得た。
(実施例2)
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例3)
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、15.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、15.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例4)
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−3%シリコン合金粉を使用し、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−3%シリコン合金粉を使用し、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例5)
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−20%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−20%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例6)
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−30%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−30%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例7)
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を40/40/10/5/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を40/40/10/5/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例8)
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を58/15/9/13/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を58/15/9/13/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例9)
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を37/18/24/15/6(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を37/18/24/15/6(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例10)
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を30/30/20/15/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を30/30/20/15/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例11)
ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例12)
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、1.5質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、1.5質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例13)
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、20.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、20.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例14)
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−35%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
アルミニウム−15%シリコン合金粉の代わりにアルミニウム−35%シリコン合金粉を使用し、アルミニウム粉の使用量を調節することにより、ペースト組成物中に含まれるシリコン(Si)の含有量を、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、7.0質量部となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例15)
第2のガラスフリットを使用しなかったこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第2のガラスフリットを使用しなかったこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例16)
第1のガラスフリットを使用しなかったこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットを使用しなかったこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例17)
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を40/8/25/15/12(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を40/8/25/15/12(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例18)
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を25/50/12/8/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットのB2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3の組成割合を25/50/12/8/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例19)
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を65/20/5/5/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を65/20/5/5/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(実施例20)
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を25/35/25/10/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第2のガラスフリットのV2O5−BaO−P2O5−B2O3−SrOの組成割合を25/35/25/10/5(mol%)に変更したこと以外は、実施例2と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(比較例1)
第1のガラスフリットの組成をB2O3−SiO2−Al2O3−K2O−Na2Oが40/15/15/15/15(mol%)の組成割合で構成されるガラスフリットに変更し、かつ、第2のガラスフリットは使用せず、さらに、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットの組成をB2O3−SiO2−Al2O3−K2O−Na2Oが40/15/15/15/15(mol%)の組成割合で構成されるガラスフリットに変更し、かつ、第2のガラスフリットは使用せず、さらに、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
(比較例2)
第1のガラスフリットの組成をPbO−B2O3−Al2O3−SiO2が57/24/4/15(mol%)の組成割合で構成されるガラスフリットに変更し、かつ、第2のガラスフリットは使用せず、さらに、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
第1のガラスフリットの組成をPbO−B2O3−Al2O3−SiO2が57/24/4/15(mol%)の組成割合で構成されるガラスフリットに変更し、かつ、第2のガラスフリットは使用せず、さらに、ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、0質量部(すなわち、導電性フィラーはアルミニウム粉末のみ)となるように調製したこと以外は、実施例1と同様の方法でペースト組成物を調製して、太陽電池セルを得た。
<発電効率(Eff)の測定>
各実施例及び比較例で得られた太陽電池セルについて、ワコム電創のソーラーシミュレータ:WXS−156S−10及びI−V測定装置:IV15040−10を用いて、I−V測定を実施した。I−V測定により計測されたIsc(A)、Voc(V)及びFF値に基づいて、下記算出式
発電効率Eff(%)=(Isc×Voc×FF)/セル面積
により、発電効率(Eff)を算出した。
各実施例及び比較例で得られた太陽電池セルについて、ワコム電創のソーラーシミュレータ:WXS−156S−10及びI−V測定装置:IV15040−10を用いて、I−V測定を実施した。I−V測定により計測されたIsc(A)、Voc(V)及びFF値に基づいて、下記算出式
発電効率Eff(%)=(Isc×Voc×FF)/セル面積
により、発電効率(Eff)を算出した。
<密着性評価>
ペースト組成物から形成された裏面電極とシリコン基板との密着性は、3M社製のメンディングテープ(CAT NO.810−1−18)を用いて実施した。具体的には、メンディングテープをペースト組成物から形成された裏面電極に貼り付けた後、該テープを剥離して、剥離後のテープの粘着面を目視で確認して、下記判断基準により密着性の評価をした。
◎:テープ全面にわたって付着が全くなく、電極の剥離が見られなかった。
○:テープ全面に対して30%未満の付着があり、電極の剥離がわずかに見られた。
△:テープ全面に対して30%以上60%未満の付着があり、電極の剥離が見られた。
×:テープ全面に対して60%以上の付着があり、電極の剥離が多く見られた。
ペースト組成物から形成された裏面電極とシリコン基板との密着性は、3M社製のメンディングテープ(CAT NO.810−1−18)を用いて実施した。具体的には、メンディングテープをペースト組成物から形成された裏面電極に貼り付けた後、該テープを剥離して、剥離後のテープの粘着面を目視で確認して、下記判断基準により密着性の評価をした。
◎:テープ全面にわたって付着が全くなく、電極の剥離が見られなかった。
○:テープ全面に対して30%未満の付着があり、電極の剥離がわずかに見られた。
△:テープ全面に対して30%以上60%未満の付着があり、電極の剥離が見られた。
×:テープ全面に対して60%以上の付着があり、電極の剥離が多く見られた。
<ボイド評価>
ペースト組成物を塗布して焼成した後のシリコン基板の断面を光学顕微鏡(200倍)により、任意に定めた20箇所を観察し、シリコン基板と裏面電極層の界面におけるボイドの有無を下記判定基準に基づいて評価した。
○:全くボイドが形成されていなかった。
△:1〜9個のボイドが形成されていた。
×:10〜20個のボイドが形成されていた。
ペースト組成物を塗布して焼成した後のシリコン基板の断面を光学顕微鏡(200倍)により、任意に定めた20箇所を観察し、シリコン基板と裏面電極層の界面におけるボイドの有無を下記判定基準に基づいて評価した。
○:全くボイドが形成されていなかった。
△:1〜9個のボイドが形成されていた。
×:10〜20個のボイドが形成されていた。
<高温高湿環境下での耐久性>
高温高湿環境下での耐久性は、ダンプヒート試験後(以下、「DH後」表記する)のEffの低下率の値に基づいて判断した。ダンプヒート試験は、IEC−61215/JIS C 8990 10.13の規格に準じ、温度85℃、湿度85%RH、試験時間1000時間として行った。
高温高湿環境下での耐久性は、ダンプヒート試験後(以下、「DH後」表記する)のEffの低下率の値に基づいて判断した。ダンプヒート試験は、IEC−61215/JIS C 8990 10.13の規格に準じ、温度85℃、湿度85%RH、試験時間1000時間として行った。
表1には、各実施例及び比較例のガラスフリットの組成、アルミニウム−シリコン合金粉中のアルミニウムに対するシリコンの含有量(Al−Si合金粉末)、ペースト組成物中におけるアルミニウムに対するシリコンの含有量(Si/Al量)及び評価結果(Eff、密着性評価、ボイド評価、DH後のEffの低下率)を示している。なお、アルミニウム−シリコン合金粉におけるシリコンの含有量及びペースト組成物中におけるシリコンの含有量は重量%(wt%)で表記している。
各実施例で得た太陽電池セルでは、使用したペースト組成物のガラスフリットがPbフリー及びアルカリ金属フリーであり、B2O3成分を少なくとも含むので、発電効率が高く、裏面電極とシリコン基板との密着性が優れ、また、ボイドの発生も抑制されていた。これにより、高温高湿環境下での耐久性も優れるものであった。
一方、比較例1では、使用したペースト組成物のガラスフリットがPb及びアルカリ金属を含むので、裏面電極とシリコン基板との密着性が低く、ボイドの発生も多いものであった。また、比較例1では、高温高湿環境下での耐久性が低いものであった。比較例2では、使用したペースト組成物のガラスフリットがPbを含む裏面電極とシリコン基板との密着性が低く、ボイドの発生も多いので、電気特性の長期信頼性も低いものであった。
1:p型シリコン半導体基板
2:n型不純物層
3:反射防止膜(パッシベーション膜)
4:グリッド電極
5:アルミニウム電極層
6:アルミニウム‐シリコン合金層
7:p+層
8:裏面電極
2:n型不純物層
3:反射防止膜(パッシベーション膜)
4:グリッド電極
5:アルミニウム電極層
6:アルミニウム‐シリコン合金層
7:p+層
8:裏面電極
Claims (7)
- 少なくともガラスフリットを構成成分として含有するPERC型太陽電池用アルミニウムペースト組成物であって、
前記ガラスフリットが、Pb及びアルカリ金属を含まず、B2O3成分を含む、ペースト組成物。 - 前記ガラスフリットが、さらにBi2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、BaO、CaO、SrO、V2O5、Sb2O3、WO3、P2O5及びTeO2からなる群より選ばれる少なくとも1種の成分を含む、請求項1に記載のペースト組成物。
- 前記ガラスフリットが、B2O3及びBi2O3成分を含有する第1のガラスフリットと、V2O5及びBaO成分を含有する第2のガラスフリットを含む、請求項1又は2に記載のペースト組成物。
- 前記第1のガラスフリットにおいて、B2O3成分とBi2O3成分とのモル比(B2O3/Bi2O3)が0.8以上4.0以下であり、
前記第2のガラスフリットにおいて、V2O5成分とBaO成分とのモル比(V2O5/BaO)が1.0以上2.5以下である、請求項3に記載のペースト組成物。 - アルミニウム粉及びアルミニウム−シリコン合金粉の少なくとも一方を含む導電性フィラーをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のペースト組成物。
- 前記アルミニウム−シリコン合金粉におけるシリコンの含有量が、前記アルミニウムーシリコン合金粉中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜30.0質量部であり、かつ、
前記ペースト組成物中におけるシリコンの含有量が、前記ペースト組成物中のアルミニウム100質量部あたり、3.0〜15.0質量部である、請求項5に記載のペースト組成物。 - ダンプヒート試験前後の発電効率(Eff)の低下率が5%以内である、請求項1〜6のいずれか1項に記載のペースト組成物。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101888054B1 (ko) * | 2017-03-16 | 2018-08-13 | 대주전자재료 주식회사 | 전극용 페이스트 조성물, 이로부터 제조된 알루미늄 전극 및 태양전지 |
JP2018154532A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用ペースト組成物 |
WO2018198986A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法 |
WO2018198985A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物及び端子電極の製造方法 |
JP2019009401A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池電極 |
WO2020100792A1 (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
KR20200130714A (ko) * | 2018-04-19 | 2020-11-19 | 존슨 맛쎄이 퍼블릭 리미티드 컴파니 | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
JP2020198380A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | Agc株式会社 | ガラス組成物、ガラス組成物の製造方法、導電ペースト、及び太陽電池 |
WO2021060183A1 (ja) | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用アルミニウムペースト |
JP2021520056A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-12 | サンパワー コーポレイション | クリーブ加工された縁部から後退した接合部を有する太陽電池 |
WO2023190084A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 東洋アルミニウム株式会社 | TOPCon型太陽電池電極用導電性アルミニウムペースト組成物及びその焼成物である裏面電極が積層されているTOPCon型太陽電池 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP7173960B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2022-11-16 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用ペースト組成物 |
JP7013458B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2022-01-31 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用ペースト組成物 |
JP6902398B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-07-14 | 日本山村硝子株式会社 | 導体形成用Sb系ガラス組成物及びその製造方法 |
TWI656659B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-11 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池之製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143499A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物 |
WO2014178419A1 (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池ならびに太陽電池のアルミニウム電極形成用ペースト組成物 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH038302A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Asahi Glass Co Ltd | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 |
JP2011035024A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
CN101630695B (zh) * | 2009-08-05 | 2011-11-02 | 贵研铂业股份有限公司 | 晶体硅太阳能电池用无铅无镉电极浆料及其制备方法 |
KR102177050B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2020-11-10 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 납- 및 텔루륨-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 그의 용도 |
TW201250716A (en) | 2011-06-03 | 2012-12-16 | Noritake Co Ltd | Solar cell and paste composition for forming aluminum electrode of solar cell |
US20130192670A1 (en) | 2011-08-11 | 2013-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum paste and use thereof in the production of passivated emitter and rear contact silicon solar cells |
WO2013096715A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Ferro Corporation | Solar cell pastes for low resistance contacts |
US20130183795A1 (en) | 2012-01-16 | 2013-07-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell back side electrode |
CN102831951B (zh) * | 2012-08-24 | 2014-06-11 | 合肥中南光电有限公司 | 环保无铅硅太阳能电池电极银浆及其制备方法 |
CN102831958B (zh) * | 2012-08-24 | 2014-09-10 | 合肥中南光电有限公司 | 无铅环保型晶体硅太阳能电池正面银浆及其制备方法 |
CN103000251B (zh) * | 2012-11-10 | 2015-05-20 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种具有宽烧结工艺窗口的太阳能电池背银浆料 |
KR20150057457A (ko) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자 |
-
2015
- 2015-05-01 JP JP2015093887A patent/JP2016213284A/ja active Pending
-
2016
- 2016-04-26 CN CN201680025134.6A patent/CN107592944B/zh active Active
- 2016-04-26 WO PCT/JP2016/062963 patent/WO2016178386A1/ja active Application Filing
- 2016-04-26 KR KR1020177033505A patent/KR102524339B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-28 TW TW105113344A patent/TWI667218B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143499A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物 |
WO2014178419A1 (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池ならびに太陽電池のアルミニウム電極形成用ペースト組成物 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101888054B1 (ko) * | 2017-03-16 | 2018-08-13 | 대주전자재료 주식회사 | 전극용 페이스트 조성물, 이로부터 제조된 알루미늄 전극 및 태양전지 |
JP2018154532A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用ペースト組成物 |
KR102488165B1 (ko) | 2017-04-28 | 2023-01-12 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도전성 조성물, 도체의 제조 방법 및 전자 부품의 배선의 형성 방법 |
WO2018198985A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物及び端子電極の製造方法 |
JP2018190491A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法 |
JP2018190490A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物及び端子電極の製造方法 |
KR20190139235A (ko) * | 2017-04-28 | 2019-12-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도전성 조성물, 도체의 제조 방법 및 전자 부품의 배선의 형성 방법 |
KR20190139234A (ko) * | 2017-04-28 | 2019-12-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도전성 조성물 및 단자 전극의 제조 방법 |
KR102488162B1 (ko) | 2017-04-28 | 2023-01-12 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도전성 조성물 및 단자 전극의 제조 방법 |
WO2018198986A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法 |
US11174193B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-11-16 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Conductive composition and method for producing terminal electrode |
US11161775B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Conductive composition, method for producing conductor, and method for forming wire of electronic component |
JP2019009401A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池電極 |
JP2021520056A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-12 | サンパワー コーポレイション | クリーブ加工された縁部から後退した接合部を有する太陽電池 |
JP7042385B2 (ja) | 2018-04-19 | 2022-03-25 | ジョンソン・マッセイ・アドバンスト・グラス・テクノロジーズ・ベスローテン・フェンノートシャップ | キット、粒子混合物、ペースト、及び方法 |
JP2021516655A (ja) * | 2018-04-19 | 2021-07-08 | ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニーJohnson Matthey Public Limited Company | キット、粒子混合物、ペースト、及び方法 |
KR20200130714A (ko) * | 2018-04-19 | 2020-11-19 | 존슨 맛쎄이 퍼블릭 리미티드 컴파니 | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
US11434165B2 (en) | 2018-04-19 | 2022-09-06 | Johnson Matthey Advances Glass Technologies B.V. | Kit, particle mixture, paste and methods |
KR102530916B1 (ko) | 2018-04-19 | 2023-05-11 | 펜지 에이지티 네덜란드 비.브이. | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
JP2020080341A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
WO2020100792A1 (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
JP2020198380A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | Agc株式会社 | ガラス組成物、ガラス組成物の製造方法、導電ペースト、及び太陽電池 |
JP7444552B2 (ja) | 2019-06-04 | 2024-03-06 | Agc株式会社 | ガラス組成物、ガラス組成物の製造方法、導電ペースト、及び太陽電池 |
WO2021060183A1 (ja) | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池用アルミニウムペースト |
WO2023190084A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 東洋アルミニウム株式会社 | TOPCon型太陽電池電極用導電性アルミニウムペースト組成物及びその焼成物である裏面電極が積層されているTOPCon型太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107592944A (zh) | 2018-01-16 |
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