JP2016219256A - Cuペースト組成物および厚膜導体 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の表面上に塗布し、焼成することにより形成される厚膜電極や厚膜配線などの耐硫化性を向上させ、電子部品や電子回路の信頼性を高めることができるCuペースト組成物の提供。【解決手段】Cu粉末と、Ni粉末と、有機ビヒクルとを、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、Ni粉末が0.7〜20質量部、有機ビヒクルが5〜40質量部となる様に混合して、Cuペースト組成物を得て、これらに加えて、Cu2O粉末を1〜15質量部となるように混合して、Cuペースト組成物を得る方法。【選択図】図1
Description
本発明は、厚膜電極や厚膜配線などの厚膜導体を形成するための銅(Cu)ペースト組成物に関する。また、本発明は、このCuペースト組成物によって形成された厚膜導体に関する。
チップ抵抗器、ハイブリッドIC、抵抗ネットワーク、タッチパネルをはじめとする表示デバイス、太陽電池などの電子部品、ならびに、これらの電子部品を用いた電子回路の分野においては、導電性粉末を有機溶媒などに均一に分散させたペースト(導電性ペースト)をガラス基板、アルミナ基板またはシリコン基板などの表面上に塗布し、焼成または熱硬化させることによって、厚膜電極または厚膜配線を形成することが一般的に行われている。
この際、導電性ペーストの塗布は、スクリーン印刷、グラビア印刷またはディスペンサを用いた描画などによって行われる。これらの導電性ペーストに使用される導電性粉末としては、低い抵抗値と優れた耐酸化性を有する銀(Ag)粉末が広く用いられる。しかしながら、Ag粉末を含む導電性ペーストを用いて、その表面上に厚膜電極や厚膜配線が形成された基板は、水分が多い環境下で電圧が印加されると、電極間をイオン化した銀(Ag+)が移動し、短絡する現象(イオンマイグレーション)が生じるという問題がある。また、Ag粉末は単価が高く、製造コストの低減を図ることは難しいという問題もある。このため、近年、厚膜電極および厚膜配線形成用の導電性ペーストとして、Ag粉末の代わりに、抵抗値が低く、マイグレーション性に優れる銅(Cu)粉末またはCuを主成分とする粉末を用いた導電性ペーストを使用することが検討され、実用化されつつある。
たとえば、特許文献1(特開2004−039355号公報)では、Cu粉末と、結晶化ガラスからなり、軟化点と結晶化開始温度との差が100℃以上であるガラス粉末とを含む導電性ペーストを提案している。このような導電性ペーストは、シール性に優れ、めっき付着性が良好な導電膜を形成することができる。しかしながら、この文献に記載の導電性ペーストは、主として、積層セラミックコンデンサの外部電極との接続性を対象としたものであるため、焼成時の収縮性、耐酸化性および耐硫化性に関しては十分な評価がなされているとは言い難い。
これに対して、特許文献2(特許3237497号公報)では、セラミック基板のスルーホール導通用ではあるが、Cu粉末、ニッケル(Ni)粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルからなり、Cu粉末およびNi粉末の全量に対するNi粉末量が1質量%〜20質量%であり、かつ、Cu粉末、Ni粉末およびガラスフリットの全量に対するガラスフリット量が1質量%〜40質量%である、導電性ペーストを提案している。この文献によれば、Cu粉末に一定量のNi粉末を添加することで、焼成時における収縮を抑制し、導体とスルーホール側壁間の剥離を防止することができるとされている。
また、特許文献3(特許4646362号公報)には、ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表面および/または内部のメタライズ配線層を、Cu粉末100質量部に対して、Ni粉末または酸化ニッケル(NiO)粉末をNiO換算で1質量部〜10質量部、酸化第二銅(CuO)粉末を0.1質量部〜3質量部の割合で含有する導体性ペーストによって形成する技術が記載されている。この導電性ペーストにおいては、焼成過程中におけるCuとNiの合金化を抑制し、得られるメタライズ配線層の導電性を確保するために、CuO粉末が添加されている。
ところで、近年の電子部品や電子回路などの小型化に対する要望から、その厚膜電極や厚膜配線の微細化に対する要求、換言すれば、より幅が狭く、かつ、間隔が狭い厚膜電極や厚膜配線の形成を可能とする導電性ペーストに対する要求が高まっている。一方、このような厚膜電極または厚膜配線の微細化に伴い、従来技術では問題とならなかった大気中の硫化水素(H2S)ガスや亜硫酸(H2SO3)ガスなどに起因する硫化により、厚膜電極または厚膜配線の抵抗値が次第に増加し、最終的には断線に至るという問題が生じており、このことが、電子部品や電子回路の信頼性を低下させる要因の一つとなっている。
本発明は、基板の表面上に塗布し、焼成することにより形成される厚膜電極や厚膜配線などの耐硫化性を向上させ、電子部品や電子回路の信頼性を高めることができるCuペースト組成物および厚膜導体を提供することを目的とする。
本発明のCuペースト組成物は、Cu粉末、Ni粉末および有機ビヒクルからなり、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、Ni粉末を0.7質量部〜20質量部、有機ビヒクルを5質量部〜40質量部含有することを特徴とする。
前記Cuペースト組成物は、非酸化性雰囲気下、550℃〜750℃で焼成し、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合において、該厚膜導体の面積抵抗値を50mΩ/□以下とすることができる。
前記Cuペースト組成物は、前記Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、Cu2O粉末を1質量部〜15質量部、さらに含有することが好ましい。
前記Cu2O粉末の添加により、前記Cuペースト組成物の焼成温度を低温化することができる。すなわち、前記Cu2O粉末を含有するCuペースト組成物は、非酸化性雰囲気下、500℃〜750℃で焼成し、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合において、該厚膜導体の面積抵抗値を50mΩ/□以下とすることができる。
前記Cu2O粉末の平均粒径は0.5μm〜5μmであることが好ましい。
また、本発明のCuペースト組成物は、前記Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、ガラス粉末を0.5質量部〜5質量部、さらに含有してもよい。
前記Cu粉末およびNi粉末の平均粒径が0.2μm〜0.7μmであることが好ましい。
なお、本発明のCuペースト組成物は、一対のAu電極間に厚膜導体を形成し、該厚膜導体の初期状態における面積抵抗値をRs0、該厚膜導体を、80℃に保持した0.3質量%の硫黄を含む切削油に6時間浸漬した後の面積抵抗値をRs6とした場合において、Rs0に対するRs6の比Rs6/Rs0によって定義される抵抗変化率を20以下とすることができる。
本発明の厚膜導体は、上述したCuペースト組成物によって形成することができる。
本発明のCuペースト組成物および厚膜導体によれば、基板の表面上に形成される厚膜電極や厚膜配線などの硫化による抵抗値の上昇を長期間にわたり抑制することができるため、電子部品や電子回路などの信頼性を向上させることが可能となる。しかも、本発明のCuペースト組成物は、工業的に容易に量産可能である。このため、本発明の工業的意義はきわめて大きい。
本発明者らは、上述の問題に鑑みて、厚膜電極や厚膜配線などの厚膜導体を形成するためのCuペースト組成物に各種元素を添加し、その面積抵抗値および耐硫化性を評価する試験を繰り返し行った。その結果、Cuペースト組成物に所定量のNi粉末を添加した場合には、このCuペースト組成物を焼成する際にCuとNiが合金化し、厚膜導体の耐硫化性を飛躍的に向上させることができるとの知見を得た。本発明はこの知見に基づき完成されたものである。
1.構成成分
以下、本発明のCuペースト組成物について、その構成成分ごとに分けて詳細に説明する。なお、本発明では、導電性粉末として、Ag粉末よりも安価なCu粉末およびNi粉末を使用しているため、その生産コストを大幅に低減することが可能となる。また、本発明のCuペースト組成物は、以下の構成成分を均一に混合することができる限り、その製造方法が制限されることはない。たとえば、3本ロールミルやミキサーなどの公知の手段によって混合および攪拌することで製造することができる。
以下、本発明のCuペースト組成物について、その構成成分ごとに分けて詳細に説明する。なお、本発明では、導電性粉末として、Ag粉末よりも安価なCu粉末およびNi粉末を使用しているため、その生産コストを大幅に低減することが可能となる。また、本発明のCuペースト組成物は、以下の構成成分を均一に混合することができる限り、その製造方法が制限されることはない。たとえば、3本ロールミルやミキサーなどの公知の手段によって混合および攪拌することで製造することができる。
(1)Cu粉末およびNi粉末
本発明のCuペースト組成物は、Cu粉末に、一定量のNi粉末を添加することを特徴とする。これによって、Cuペースト組成物を基板上に塗布し、焼成することにより得られる厚膜導体の耐硫化性を向上させることができる。
本発明のCuペースト組成物は、Cu粉末に、一定量のNi粉末を添加することを特徴とする。これによって、Cuペースト組成物を基板上に塗布し、焼成することにより得られる厚膜導体の耐硫化性を向上させることができる。
[Ni粉末の含有量]
Ni粉末の含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、0.7質量部〜20質量部、好ましくは0.7質量部〜12質量部、より好ましくは1質量部〜3質量部とする。Niの含有量が0.7質量部未満では、厚膜導体の耐硫化性を十分に向上させることができない。一方、Niの含有量が20質量部を超えると、厚膜導体の面積抵抗値が高くなり、電極材料や配線材料として使用することができなくなる。
Ni粉末の含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、0.7質量部〜20質量部、好ましくは0.7質量部〜12質量部、より好ましくは1質量部〜3質量部とする。Niの含有量が0.7質量部未満では、厚膜導体の耐硫化性を十分に向上させることができない。一方、Niの含有量が20質量部を超えると、厚膜導体の面積抵抗値が高くなり、電極材料や配線材料として使用することができなくなる。
[Cu粉末およびNi粉末の平均粒径]
Niは、Cuと比べて融点が高く、拡散速度が遅いため、Ni粉末の添加により、Cuペースト組成物の焼結が阻害され、高温で焼成しなければ、CuとNiとを適切に合金化することができなくなる。一方、焼結材料を微細にすることで、焼結を促進することができることが一般的に知られている。このため、本発明のCuペースト組成物においては、Cu粉末およびNi粉末の平均粒径を0.2μm〜0.7μmとすることが好ましく、0.2μm〜0.5μmとすることがより好ましく、0.3μm〜0.5μmとすることがさらに好ましい。Cu粉末およびNi粉末の平均粒径がこのような範囲にあれば、Cu粉末とNi粉末との焼結を促進することができ、焼成温度を比較的低温とした場合であっても、CuとNiとを適切に合金化することが可能となる。
Niは、Cuと比べて融点が高く、拡散速度が遅いため、Ni粉末の添加により、Cuペースト組成物の焼結が阻害され、高温で焼成しなければ、CuとNiとを適切に合金化することができなくなる。一方、焼結材料を微細にすることで、焼結を促進することができることが一般的に知られている。このため、本発明のCuペースト組成物においては、Cu粉末およびNi粉末の平均粒径を0.2μm〜0.7μmとすることが好ましく、0.2μm〜0.5μmとすることがより好ましく、0.3μm〜0.5μmとすることがさらに好ましい。Cu粉末およびNi粉末の平均粒径がこのような範囲にあれば、Cu粉末とNi粉末との焼結を促進することができ、焼成温度を比較的低温とした場合であっても、CuとNiとを適切に合金化することが可能となる。
これに対して、Cu粉末およびNi粉末の平均粒径が0.2μm未満では、より低温で焼成することが可能となるが、Cuペースト組成物中の酸素含有量が増加し、Cu粉末とNi粉末の合金化が阻害されることとなる。一方、Cu粉末およびNi粉末の平均粒径が0.7μmを超えると、焼結が阻害され、上述した焼結促進効果を得ることができなくなる場合がある。
なお、本発明において、平均粒径とは、レーザ回折散乱法で求められる体積基準平均粒径(MV)を意味し、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置により測定することができる。この点については、後述する酸化第一銅(Cu2O)粉末およびガラス粉末についても同様である。
(2)有機ビヒクル
有機ビヒクルは、Cuペースト組成物の塗布時に必要であるが、焼成時に焼失してしまい、厚膜導体の耐硫化性の向上には寄与しない。このため、本発明のCuペースト組成物においては、有機ビヒクルの種類が制限されることはなく、公知のものを使用することができる。代表的な有機ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂またはメタクリル樹脂を、ターピネオールや高級アルコールなどの溶剤に溶解したものを挙げることができる。
有機ビヒクルは、Cuペースト組成物の塗布時に必要であるが、焼成時に焼失してしまい、厚膜導体の耐硫化性の向上には寄与しない。このため、本発明のCuペースト組成物においては、有機ビヒクルの種類が制限されることはなく、公知のものを使用することができる。代表的な有機ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂またはメタクリル樹脂を、ターピネオールや高級アルコールなどの溶剤に溶解したものを挙げることができる。
有機ビヒクルの含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、5質量部〜40質量部、好ましくは10質量部〜35質量部、より好ましくは20質量部〜30質量部とする。有機ビヒクルの含有量が5質量部未満では、Cuペースト組成物の粘度が高くなり、均一な塗膜を形成することができない。一方、有機ビヒクルの含有量が40質量部を超えると、焼成後の厚膜電極や厚膜配線が薄くなりすぎるばかりでなく、焼成時に有機ビヒクルが完全に焼失することができず、Cu粉末やNi粉末の焼結が阻害されることとなる。
(3)ガラス粉末
本発明のCuペースト組成物を用いて、直接、基板上に厚膜導体を形成する場合には、Cuペースト組成物と基板との密着性を向上させる観点から、上述した構成成分に、さらにガラス粉末を添加してもよい。ただし、ワイヤボンディングやはんだ付けを行う場合には、ガラス粉末を添加しない方がよい場合もある。このため、ガラス粉末の添加は、Cuペースト組成物の用途や目的に応じて適宜選択する必要がある。
本発明のCuペースト組成物を用いて、直接、基板上に厚膜導体を形成する場合には、Cuペースト組成物と基板との密着性を向上させる観点から、上述した構成成分に、さらにガラス粉末を添加してもよい。ただし、ワイヤボンディングやはんだ付けを行う場合には、ガラス粉末を添加しない方がよい場合もある。このため、ガラス粉末の添加は、Cuペースト組成物の用途や目的に応じて適宜選択する必要がある。
Cuペースト組成物に添加するガラス粉末としては、軟化点がCuペースト組成物の焼成温度よりも低温である限り、特に制限されることはないが、環境保護などの観点から、鉛(Pb)やカドミウム(Cd)などの有害物質を含有しないものが好ましい。
Cuペースト組成物にガラス粉末を添加する場合、その含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、0.5質量部〜5質量部とすることが好ましく、2質量部〜3質量部とすることがより好ましい。ガラス粉末の含有量が0.5質量部未満では、焼成後において、厚膜導体と基板との密着性を十分に向上させることができない場合がある。一方、ガラス粉末の含有量が5質量部を超えると、厚膜導体の抵抗値が高くなるばかりでなく、厚膜導体のはんだ濡れ性やめっき付着性が低下するおそれがある。
なお、ガラス粉末の平均粒径は特に制限されることはないが、Cu粉末やNi粉末などと均一に混合する観点から、好ましくは1μm〜10μm、より好ましくは3μm〜5μmとする。
(4)Cu2O粉末
上述したようにCuペースト組成物にNi粉末を添加すると、その焼結が阻害される場合がある。また、有機ビヒクルとして、エチルセルロースのような非酸化性雰囲気下の焼成で焼失しにくい樹脂を使用した場合にも、その添加量によっては、Cuペースト組成物の焼結が阻害される場合がある。
上述したようにCuペースト組成物にNi粉末を添加すると、その焼結が阻害される場合がある。また、有機ビヒクルとして、エチルセルロースのような非酸化性雰囲気下の焼成で焼失しにくい樹脂を使用した場合にも、その添加量によっては、Cuペースト組成物の焼結が阻害される場合がある。
本発明者らは、この点について研究を重ねた結果、上述したCu粉末、Ni粉末および有機ビヒクルまたはこれらに加えてガラス粉末を添加したCuペースト組成物に、一定量の酸化第一銅(Cu2O)粉末をさらに添加することにより、焼結性を改善し、より低温で焼成した場合であっても、CuとNiを適切に合金化できることを見出した。
Cu2O粉末の添加により、このような焼結性改善効果が得られる理由は、現時点では不明であるが、本発明者らが、Cu2O粉末の代わりに、酸化第二銅(CuO)粉末を添加したこと以外は同様にしてCuペースト組成物を作製し、その焼成温度を測定する実験を繰り返して行ったところ、このCuペースト組成物では、十分な焼結性改善効果を得られないことが確認された。すなわち、上述した特許第464362号公報には、Cuペースト組成物中に酸化銅粉末を添加する旨が記載されているものの、この文献における酸化銅粉末はCuO粉末であるため、このCuペースト組成物では、焼結性改善効果がほとんど得られないものと考えられる。また、この文献では、CuO粉末をCuとNiの合金化を抑制するために添加している。したがって、本発明と特許第464362号公報に記載のCuペースト組成物は、これらの点において、大きく相違する技術であるといえる。
なお、本発明のCuペースト組成物におけるCu2O粉末は、焼成中に分解されるため、焼成後においては、Cu粉末やNi粉末とともに合金化した状態で、厚膜導体中に存在していると考えられる。
[Cu2O粉末の含有量]
Cu2O粉末を添加する場合、その含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、1質量部〜15質量部、好ましくは5質量部〜10質量部とする。Cu2O粉末の含有量がこのような範囲にあれば、Cuペースト組成物の焼結性改善効果を十分に得ることができる。具体的には、Cuペースト組成物を500℃で焼成した場合であっても、Cu粉末とNi粉末とを十分に焼結させ、CuとNiとを適切に合金化することができる。
Cu2O粉末を添加する場合、その含有量は、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、1質量部〜15質量部、好ましくは5質量部〜10質量部とする。Cu2O粉末の含有量がこのような範囲にあれば、Cuペースト組成物の焼結性改善効果を十分に得ることができる。具体的には、Cuペースト組成物を500℃で焼成した場合であっても、Cu粉末とNi粉末とを十分に焼結させ、CuとNiとを適切に合金化することができる。
これに対して、Cu2O粉末の含有量が1質量部未満では、焼結性改善効果を十分に得ることができない。一方、Cu2O粉末の含有量が15質量部を超えると、未反応のCu2O粉末が残留することによって、焼結が阻害されたり、はんだやめっきの付着性が低下したりするおそれがある。
[Cu2O粉末の平均粒径]
Cu2O粉末の平均粒径は、Cu粉末やNi粉末などと均一に混合し、焼結性改善効果を効率的に得る観点から、0.5μm〜5μmとすることが好ましく、1μm〜2μmとすることがより好ましい。
Cu2O粉末の平均粒径は、Cu粉末やNi粉末などと均一に混合し、焼結性改善効果を効率的に得る観点から、0.5μm〜5μmとすることが好ましく、1μm〜2μmとすることがより好ましい。
(5)他の添加成分
本発明のCuペースト組成物では、上述した構成成分に加えて、焼成温度を低温化する観点から、In、SnおよびZnなどを添加することもできる。また、分散剤や粘度調整剤を添加することも可能である。ただし、これらの他の添加成分の添加量は、上述したNi粉末やCu2O粉末の添加による効果を妨げない範囲に規制することが必要となる。
本発明のCuペースト組成物では、上述した構成成分に加えて、焼成温度を低温化する観点から、In、SnおよびZnなどを添加することもできる。また、分散剤や粘度調整剤を添加することも可能である。ただし、これらの他の添加成分の添加量は、上述したNi粉末やCu2O粉末の添加による効果を妨げない範囲に規制することが必要となる。
2.Cuペースト組成物の特性
(1)焼成温度
本発明のCuペースト組成物を基板の表面上に塗布し、焼成する際の温度(焼成温度)は、Cu2O粉末を含まない場合においては、550℃〜750℃とする。一方、Cu2O粉末を含む場合においては、500℃〜750℃とする。Cuペースト組成物の焼成温度をこのような範囲に設定することにより、高温耐久性の低い基板に対しても厚膜導体を形成することが可能となる。また、多層配線を形成することも可能となるため、Cuペースト組成物の適用範囲を広げることができる。
(1)焼成温度
本発明のCuペースト組成物を基板の表面上に塗布し、焼成する際の温度(焼成温度)は、Cu2O粉末を含まない場合においては、550℃〜750℃とする。一方、Cu2O粉末を含む場合においては、500℃〜750℃とする。Cuペースト組成物の焼成温度をこのような範囲に設定することにより、高温耐久性の低い基板に対しても厚膜導体を形成することが可能となる。また、多層配線を形成することも可能となるため、Cuペースト組成物の適用範囲を広げることができる。
これに対して、Cu2O粉末を含まないCuペースト組成物の焼成温度が550℃未満の場合、または、Cu2O粉末を含むCuペースト組成物の焼成温度が500℃未満の場合には、CuとNiとを適切に合金化することができない。一方、いずれのCuペースト組成物も、焼成温度が750℃を超えても、それ以上の効果を得ることができないばかりか、生産コストの増加を招くこととなる。
(2)面積抵抗値
本発明のCuペースト組成物は、基板上に塗布し、上述した焼成温度で焼成することにより、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合に、その面積抵抗値Rsを、好ましくは50mΩ/□以下、より好ましくは20mΩ/□以下、さらに好ましくは10mΩ/□以下とすることができる。ここで、面積抵抗値Rsはシート抵抗とも呼ばれ、抵抗値Rと以下の関係があることが知られている。
R=ρ×L/A=ρ×L/(W×t)=ρ/t×L/W=Rs×L/W
ρ:抵抗率、
A:試料の断面積
L:試料の長さ
W:試料の幅
t:試料の厚さ
本発明のCuペースト組成物は、基板上に塗布し、上述した焼成温度で焼成することにより、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合に、その面積抵抗値Rsを、好ましくは50mΩ/□以下、より好ましくは20mΩ/□以下、さらに好ましくは10mΩ/□以下とすることができる。ここで、面積抵抗値Rsはシート抵抗とも呼ばれ、抵抗値Rと以下の関係があることが知られている。
R=ρ×L/A=ρ×L/(W×t)=ρ/t×L/W=Rs×L/W
ρ:抵抗率、
A:試料の断面積
L:試料の長さ
W:試料の幅
t:試料の厚さ
なお、上述した厚膜導体の面積抵抗値は、小さいほど好ましく、その下限が制限されることはない。また、面積抵抗値は、公知の手段で測定することができる。
(3)耐硫化性
本発明のCuペースト組成物によって得られる厚膜導体は、耐硫化性に優れるため、その面積抵抗値を、上述した範囲内に長期間にわたって維持することができる。このような厚膜導体の耐硫化性は、次述する硫化試験により評価することができる。
本発明のCuペースト組成物によって得られる厚膜導体は、耐硫化性に優れるため、その面積抵抗値を、上述した範囲内に長期間にわたって維持することができる。このような厚膜導体の耐硫化性は、次述する硫化試験により評価することができる。
はじめに、基板上に電極間距離が50mmとなるようにAuペースト組成物を印刷し、焼成することにより一対のAu電極を形成する。続いて、このAu電極間に、Cuペースト組成物を塗布し、不活性雰囲気下、上述した焼成温度で焼成することにより、幅0.5mm、厚さ10μm〜13μmの厚膜導体を形成する。この状態(初期状態)で、Au電極間の5か所以上の位置において抵抗値を測定し、厚膜導体の抵抗値の平均値と厚さから、厚膜導体の面積抵抗値Rs0を算出する。次に、80℃に保持した0.3質量%の硫黄(S)を含む切削油に、厚膜導体を基板ごと浸漬する。t時間経過後、厚膜導体を引き上げて、同様にして厚膜導体の面積抵抗値Rstを算出する。このようにして得られた面積抵抗値Rs0およびRstより、Rs0に対するRstの比Rst/Rs0によって定義される抵抗変化率を算出することで、厚膜導体の耐硫化性を評価することができる。なお、本硫化試験において、電極としてAu電極を使用するのは、Auは硫黄(S)による腐食を受けないため、硫化試験後における厚膜導体の面積抵抗値の測定に際して、電極の影響を無視することができるからである。
特に、本発明のCuペースト組成物を用いて厚膜導体を形成した場合においては、初期状態の面積抵抗値Rs0に対する、80℃に保持した0.3質量%の硫黄を含む切削油に6時間浸漬した後の面積抵抗値をRs6の比Rs6/Rs0によって定義される抵抗変化率を、好ましくは20以下、より好ましくは10以下、さらに好ましくは1.5以下とすることができる。
3.厚膜導体
本発明の厚膜導体は、上述したCuペースト組成物によって形成することができる。この厚膜導体は、上述したように、優れた耐硫化性を備えており、大気中の硫化水素ガスや亜硫酸ガスなどによって腐食することがない。したがって、電子部品や電子回路の小型化に対応して、この厚膜導体からなる厚膜電極や厚膜配線などを微細化した場合であっても、断線や抵抗値の増加などを効果的に抑制することができる。このため、本発明の厚膜導体を用いることで、電子部品や電子回路の信頼性を飛躍的に向上させることが可能となる。
本発明の厚膜導体は、上述したCuペースト組成物によって形成することができる。この厚膜導体は、上述したように、優れた耐硫化性を備えており、大気中の硫化水素ガスや亜硫酸ガスなどによって腐食することがない。したがって、電子部品や電子回路の小型化に対応して、この厚膜導体からなる厚膜電極や厚膜配線などを微細化した場合であっても、断線や抵抗値の増加などを効果的に抑制することができる。このため、本発明の厚膜導体を用いることで、電子部品や電子回路の信頼性を飛躍的に向上させることが可能となる。
以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1−1〜1−9および比較例1−1〜1−3)
[Cuペースト組成物の作製]
Cuペースト組成物の成分として、平均粒径が0.2μmおよび0.5μmのCu粉末とNi粉末、平均粒径が3μm、軟化点が450℃のSiO2−B2O3−ZnO系ガラス粉末、ならびに、アクリル樹脂をターピネオールに溶解した有機ビヒクルを用意した。なお、これらの粉末の平均粒径は、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置(日機装株式会社、マイクロトラック)によって測定したものである。これらの成分を表1に示す組成比となるように配合し、3本ロールミルを用いて混練し、各構成成分を十分に分散させることにより、実施例1−1〜1−9および比較例1−1〜1−3のCuペースト組成物を得た。
[Cuペースト組成物の作製]
Cuペースト組成物の成分として、平均粒径が0.2μmおよび0.5μmのCu粉末とNi粉末、平均粒径が3μm、軟化点が450℃のSiO2−B2O3−ZnO系ガラス粉末、ならびに、アクリル樹脂をターピネオールに溶解した有機ビヒクルを用意した。なお、これらの粉末の平均粒径は、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置(日機装株式会社、マイクロトラック)によって測定したものである。これらの成分を表1に示す組成比となるように配合し、3本ロールミルを用いて混練し、各構成成分を十分に分散させることにより、実施例1−1〜1−9および比較例1−1〜1−3のCuペースト組成物を得た。
[面積抵抗値および耐硫化性の評価]
予め、Auペースト組成物を印刷および焼成することでAu電極を形成した96%アルミナ基板の表面上に、幅Wが0.5mm、電極間隔Lが50mmとなるパターンを用いて、焼成後の膜厚tが10μm〜13μmとなるように、実施例1−1〜1−9および比較例1−1〜1−3のCuペースト組成物を印刷し、N2雰囲気下、750℃で1時間焼成することにより、硫化試験用のサンプルをそれぞれ作製した。
予め、Auペースト組成物を印刷および焼成することでAu電極を形成した96%アルミナ基板の表面上に、幅Wが0.5mm、電極間隔Lが50mmとなるパターンを用いて、焼成後の膜厚tが10μm〜13μmとなるように、実施例1−1〜1−9および比較例1−1〜1−3のCuペースト組成物を印刷し、N2雰囲気下、750℃で1時間焼成することにより、硫化試験用のサンプルをそれぞれ作製した。
これらのサンプルのAu電極間の5か所にデジタルマルチメータ(株式会社アドバンテスト製)の抵抗値測定用プローブを接触させて、厚膜導体の抵抗値R[t]を測定した。続いて、この抵抗値R[t]を面積抵抗値Rs[t](=R(t)×W/L)に換算し、その平均値Rs0[t]を求め、これより、厚膜導体の厚さが10μmである場合の面積抵抗値Rs0(=Rs[t]×t/10)を、それぞれ算出した。
次に、これらのサンプルを加速評価用に80℃に保持した0.3質量%のSを含む切削油に浸漬し、1時間経過後、2時間経過後、3時間経過後および6時間経過後における面積抵抗値Rs1、Rs2、RS3およびRs6を同様にして算出した。これらの結果を表2および図1に示す。
(実施例2−1〜2−13および比較例2−1〜2−3)
[Cuペースト組成物の作製]
Cuペースト組成物の成分として、平均粒径が0.2μmおよび0.3μmのCu粉末とNi粉末、平均粒径が3μm、軟化点が450℃のSiO2−B2O3−ZnO系ガラス粉末、平均粒径が0.5μmおよび1.5μmのCu2O粉末、ならびに、エチルセルロースをターピネオールに溶解した有機ビヒクルを用意した。これらの成分を表3に示す組成比となるように配合し、3本ロールミルを用いて混練し、各構成成分を十分に分散させることにより、実施例2−1〜2−13および比較例2−1〜2−3のCuペースト組成物を得た。
[Cuペースト組成物の作製]
Cuペースト組成物の成分として、平均粒径が0.2μmおよび0.3μmのCu粉末とNi粉末、平均粒径が3μm、軟化点が450℃のSiO2−B2O3−ZnO系ガラス粉末、平均粒径が0.5μmおよび1.5μmのCu2O粉末、ならびに、エチルセルロースをターピネオールに溶解した有機ビヒクルを用意した。これらの成分を表3に示す組成比となるように配合し、3本ロールミルを用いて混練し、各構成成分を十分に分散させることにより、実施例2−1〜2−13および比較例2−1〜2−3のCuペースト組成物を得た。
[面積抵抗値および耐硫化性の評価]
予め、Auペースト組成物を印刷および焼成することでAu電極を形成した96%アルミナ基板の表面上に、幅0.5mm、電極間隔50mmとなるパターンを用いて、焼成後の膜厚が10μm〜13μmとなるように、実施例2−1〜2−13および比較例2−1〜2−3のCuペースト組成物を印刷し、N2雰囲気下、550℃で1時間焼成することにより、硫化試験用のサンプルをそれぞれ作製した。
予め、Auペースト組成物を印刷および焼成することでAu電極を形成した96%アルミナ基板の表面上に、幅0.5mm、電極間隔50mmとなるパターンを用いて、焼成後の膜厚が10μm〜13μmとなるように、実施例2−1〜2−13および比較例2−1〜2−3のCuペースト組成物を印刷し、N2雰囲気下、550℃で1時間焼成することにより、硫化試験用のサンプルをそれぞれ作製した。
これらのサンプルの面積抵抗値Rs0、Rs1、Rs2、Rs3およびRs6を、実施例1〜9および比較例1〜3と同様にして算出した。これらの結果を表4および図2に示す。
(評価)
表1〜4、図1および図2より、実施例1−1〜1〜9および実施例2−1〜2−13のCuペースト組成物を塗布および焼成することにより得られる厚膜導体は、いずれも初期状態における面積抵抗値Rs0が50mΩ/□以下で、かつ、抵抗変化率Rs6/Rs0が20以下であり、優れた耐硫化性を備えていることが確認される。
表1〜4、図1および図2より、実施例1−1〜1〜9および実施例2−1〜2−13のCuペースト組成物を塗布および焼成することにより得られる厚膜導体は、いずれも初期状態における面積抵抗値Rs0が50mΩ/□以下で、かつ、抵抗変化率Rs6/Rs0が20以下であり、優れた耐硫化性を備えていることが確認される。
なお、実施例2−12のCuペースト組成物を塗布および印刷することにより得られた厚膜導体をX線回折により分析したところ、他の実施例と同様に、CuおよびNiの回折ピークは観察されず、Cu−Ni合金の回折ピークのみが観察された。したがって、Cu2O粉末を添加した場合には、焼成温度を500℃程度としても、CuとNiを適切に合金化することができ、耐硫化性を向上させることが可能であることが確認された。
Claims (9)
- Cu粉末、Ni粉末および有機ビヒクルからなり、Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、Ni粉末を0.7質量部〜20質量部、有機ビヒクルを5質量部〜40質量部含有する、Cuペースト組成物。
- 非酸化性雰囲気下、550℃〜750℃で焼成し、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合において、該厚膜導体の面積抵抗値が50mΩ/□以下である、請求項1に記載のCuペースト組成物。
- 前記Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、Cu2O粉末を1質量部〜15質量部、さらに含有する、請求項1に記載のCuペースト組成物。
- 非酸化性雰囲気下、500℃〜750℃で焼成し、厚さ10μmの厚膜導体を形成した場合において、該厚膜導体の面積抵抗値が50mΩ/□以下である、請求項3に記載のCuペースト組成物。
- 前記Cu2O粉末の平均粒径が0.5μm〜5μmである、請求項3または4に記載のCuペースト組成物。
- 前記Cu粉末とNi粉末の合計100質量部に対して、ガラス粉末を0.5質量部〜5質量部、さらに含有する、請求項1または3に記載のCuペースト組成物。
- 前記Cu粉末およびNi粉末の平均粒径が0.2μm〜0.7μmである、請求項1、3または6に記載のCuペースト組成物。
- 一対のAu電極間に厚膜導体を形成し、該厚膜導体の初期状態における面積抵抗値をRs0、該厚膜導体を、80℃に保持した0.3質量%の硫黄を含む切削油に6時間浸漬した後の面積抵抗値をRs6とした場合において、Rs0に対するRs6の比Rs6/Rs0によって定義される抵抗変化率が20以下である、請求項1〜7のいずれかに記載のCuペースト組成物。
- 請求項1〜8のいずれかのCuペースト組成物によって形成された、厚膜導体。
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