CN110554727A - 参考电压产生器及偏压产生器 - Google Patents

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Abstract

参考电压产生器包括输出端、第一至第四电阻、第一至第四晶体管及二极管单元。第一晶体管耦接第二晶体管。第一电阻耦接在第二晶体管和第二参考电压端之间。第一电阻还耦接第一晶体管。二极管单元的一端耦接输出端，二极管单元的另一端耦接第二及第三电阻。第二及第三电阻还分别耦接第一及第二晶体管。第三晶体管耦接在第四电阻和第二参考电压端之间，并包括控制端耦接到第二晶体管。第四晶体管耦接在第一参考电压端和二极管单元之间。第四晶体管还耦接第四电阻。

Description

参考电压产生器及偏压产生器
技术领域
本发明关于一种参考电压产生器及偏压产生器，尤指一种可提供温度补偿的参考电压产生器及偏压产生器，以改善电流稳定性。
背景技术
于电路应用的领域，参考电压产生器经常用于产生供其他电路使用的参考电压。传统的参考电压产生器产生的参考电压为固定电压，实质上不随温度变化。当参考电压产生器应用在高性能半导体电路时，半导体电路可以根据参考电压产生器提供的参考电压产生偏压。然而，偏压最好能随不同的温度条件变化，以期获得较佳的电路性能。因此，如何使参考电压产生器提供随温度变化的参考电压是本领域需要解决的问题。
发明内容
本发明提供一种参考电压产生器，包括输出端，用以输出参考电压；第一电阻，包括第一端及第二端；第一晶体管，包括第一端，第二端耦接至该第一电阻的该第二端，及控制端耦接至该第一晶体管的该第一端；第二晶体管，包括第一端，第二端耦接至该第一电阻的该第一端，及控制端耦接至该第一晶体管的该控制端；第二电阻，包括第一端，及第二端耦接至该第一晶体管的该第一端；第三电阻，包括第一端耦接至该第二电阻的该第一端，及第二端耦接至该第二晶体管的该第一端；第四电阻，包括第一端耦接至第一参考电压端，及第二端；第三晶体管，包括第一端耦接至该第四电阻的该第二端，第二端耦接至该第一电阻的该第二端及第二参考电压端，及控制端耦接至该第二晶体管的该第一端或该第二晶体管的该控制端；二极管单元，包括第一端耦接至该参考电压产生器的该输出端，及第二端耦接至该第三电阻的该第一端；及第四晶体管，包括第一端耦接至该第四电阻的该第一端，第二端耦接至该二极管单元的该第一端，及控制端耦接至该第四电阻的该第二端。
本发明另提供一种偏压产生器，包括参考电压产生器及偏压电路。该参考电压产生器包括输出端，用以输出参考电压；第一电阻，包括第一端及第二端；第一晶体管，包括第一端，第二端耦接至该第一电阻的该第二端，及控制端耦接至该第一晶体管的该第一端；第二晶体管，包括第一端，第二端耦接至该第一电阻的该第一端，及控制端耦接至该第一晶体管的该控制端；第二电阻，包括第一端，及第二端耦接至该第一晶体管的该第一端；第三电阻，包括第一端耦接至该第二电阻的该第一端，及第二端耦接至该第二晶体管的该第一端；第四电阻，包括第一端耦接至第一参考电压端，及第二端；第三晶体管，包括第一端耦接至该第四电阻的该第二端，第二端耦接至该第一电阻的该第二端及第二参考电压端，及控制端耦接至该第二晶体管的该第一端或该第二晶体管的该控制端；二极管单元，包括第一端耦接至该参考电压产生器的该输出端，及第二端耦接至该第三电阻的该第一端；及第四晶体管，包括第一端耦接至该第四电阻的该第一端，第二端耦接至该二极管单元的该第一端，及控制端耦接至该第四电阻的该第二端。该偏压电路包括输入端耦接至该参考电压产生器的该输出端；及输出端耦接至放大器的偏压端。
附图说明
图1为实施例的参考电压产生器的示意图。
图2为另一实施例的参考电压产生器的示意图。
图3为实施例中，图1和图2中的二极管单元的示意图。
图4为另一实施例中，图1和图2中的二极管单元的示意图。
图5为另一实施例的参考电压产生器的示意图。
图6为实施例的参考电压产生器的应用示意图。
图7为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。
图8为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。
图9为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。
图10为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。
【符号说明】
100、100B、300及400 参考电压产生器
450 偏压电路
T1至T498 晶体管
R1至R495 电阻
C155、C290及C390 电容
L190 电感
DU 二极管单元
D 二极管
TREF 输出端
VREF、V1至V3 参考电压
TV1至TV3 参考电压端
TP 电源端
VEN 致能信号
AP 放大器
BG 偏压产生器
VBIAS 偏压
TBIAS 偏压端
IREF及IC 电流
具体实施方式
图1为实施例的参考电压产生器100的示意图。参考电压产生器100可包括输出端TREF、电阻R1～R4、晶体管T1～T4及二极管单元DU。输出端TREF用以输出参考电压VREF。电阻R1包括第一端及第二端。晶体管T1包括第一端，第二端耦接至电阻R1的第二端，及控制端耦接至晶体管T1的第一端。晶体管T2包括第一端，第二端耦接至电阻R1的第一端，及控制端耦接至晶体管T1的控制端。电阻R2包括第一端，及第二端耦接至晶体管T1的第一端。电阻R3包括第一端耦接至电阻R2的第一端，及第二端耦接至晶体管T2的第一端。电阻R4包括第一端耦接至参考电压端TV1，及第二端。晶体管T3包括第一端耦接至电阻R4的第二端，第二端耦接至电阻R1的第二端及参考电压端TV2，及控制端耦接至晶体管T2的第一端或晶体管T2的控制端。图1中，是以晶体管T3的控制端耦接至晶体管T2的第一端为例。二极管单元DU包括第一端耦接至参考电压产生器100的输出端TREF，及第二端耦接至电阻R3的第一端。晶体管T4包括第一端耦接至电阻R4的第一端，第二端耦接至二极管单元DU的第一端，及控制端耦接至电阻R4的第二端。由于二极管单元DU的正向压降(forward voltage drop)可实质上随温度变化，通过将二极管单元DU耦接至参考电压产生器100的输出端TREF，可用以提供温度系数(temperature coefficient)来补偿参考电压VREF。当温度升高时，参考电压VREF将会降低；当温度降低时，参考电压VREF将会增加。换句话说，参考电压产生器100输出的参考电压VREF可实质上随温度变化，并且参考电压VREF与温度之间的关系为负相关。
图2为另一实施例的参考电压产生器100B的示意图。参考电压产生器100B可相似于图1的参考电压产生器100。然而，图2中，是以晶体管T3的控制端耦接至晶体管T2的控制端为例。根据实施例，图1和图2中所示的参考电压产生器100、100B皆可产生可实质上随温度变化的参考电压VREF。
图3为实施例中，图1和图2中的二极管单元DU的示意图。如图3所示，二极管单元DU包括晶体管T6。晶体管T6包括第一端耦接至二极管单元DU的第一端，第二端耦接至二极管单元DU的第二端，及控制端耦接至晶体管T6的第一端。
图4为另一实施例中，图1和图2中的二极管单元DU的示意图。如图4所示，二极管单元DU包括二极管D。二极管D包括第一端耦接至二极管单元DU的第一端，及第二端耦接至二极管单元DU的第二端。根据实施例，二极管D的第一端可为阳极，第二端可为阴极。
图5为另一实施例的参考电压产生器300的示意图。参考电压产生器300可相似于图1的参考电压产生器100。不同的是，参考电压产生器300另包括晶体管T5。晶体管T5包括第一端耦接至参考电压端TV1，第二端耦接至晶体管T4的第一端，及控制端耦接至电源(power)端TP。根据实施例，电源端TP可用以接收致能(enable)信号VEN。根据实施例，晶体管T5可作为开关操作，并受控于致能信号VEN，以用于控制参考电压产生器300是否输出参考电压VREF。举例而言，当致能信号VEN处于致能位准时，晶体管T5可导通，参考电压产生器300可输出参考电压VREF；当致能信号VEN处于失能(disable)位准时，晶体管T5可截止，参考电压产生器300可不输出参考电压VREF。根据实施例，在图1、图2及图5中，可根据需求，选择电路是否包括晶体管T5。如图5所示，参考电压产生器300还可选择性地包括电阻R5，耦接于电源端TP及晶体管T5的控制端之间。电阻R5可例如但不限于限流电阻(current-limitingresistor)。
根据实施例，参考电压端TV1用以接收参考电压V1，参考电压端TV2用以接收参考电压V2。参考电压V1可高于参考电压V2。参考电压端TV2可例如但不限于接地端。
根据实施例，晶体管T1、T2及T3可为相同类型的晶体管。当二极管单元DU是以图3的架构实施时，二极管单元DU包括晶体管T6，晶体管T6可与晶体管T1、T2及T3为相同类型的晶体管。根据另一实施例，可根据需求，选择晶体管T2是否与晶体管T1及T3为相同类型的晶体管。根据实施例，晶体管T1、T2、T3及T6可为双极结型晶体管(bipolar junctiontransistor,BJT)。根据实施例，晶体管T1、T2、T3及T6可为异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)。根据实施例，晶体管T6可为砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)或硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)。根据另一实施例，晶体管T6可为场效应晶体管(field effect transistor,FET)。根据实施例，晶体管T2可由n个晶体管形成，其中n个晶体管中的每一晶体管包括第一端耦接至晶体管T2的第一端，第二端耦接至晶体管T2的第二端，及控制端耦接至晶体管T2的控制端，n为大于零的正整数。根据实施例，晶体管T4及T5可为FET。根据实施例，晶体管T4及T5可为耗尽型(depletion mode)假晶高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,PHEMT)或增强型(enhance mode)假晶高电子迁移率晶体管。
图6为实施例的参考电压产生器的应用示意图。根据实施例，参考电压产生器400可产生参考电压VREF以供偏压电路450使用。根据实施例，参考电压产生器400及偏压电路450可用以形成偏压产生器BG的一部分。如图6所示，偏压产生器BG可包括参考电压产生器400及偏压电路450。参考电压产生器400可用以产生可实质上随温度变化的参考电压VREF。偏压电路450可根据参考电压VREF产生对应于不同温度条件下的偏压VBIAS。根据实施例，偏压产生器BG可耦接至放大器AP，用以输出偏压VBIAS至放大器AP。根据实施例，偏压VBIAS可为直流(direct current,DC)电压。如图6所示，偏压电路450可包括输入端耦接至参考电压产生器400的输出端TREF，及输出端耦接至放大器AP的偏压端TBIAS。根据实施例，放大器AP可为功率放大器(power amplifier,PA)、低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)或其他类型的放大器。放大器AP可用来输入交流(alternating current,AC)信号，例如是射频(radio frequency,RF)信号，以及放大交流信号后输出。图6中所示的参考电压产生器400可相似于图5的参考电压产生器300，其中二极管单元DU可如图3所示的架构，在此情况下，二极管单元DU包括晶体管T6。然而，图6中所示的参考电压产生器400的架构仅是示例，图6及下述实施例中的参考电压产生器400可为图1、图2及图5中的参考电压产生器100、100B及300中的任一个。图6及下述实施例中的二极管单元DU可为图3或图4中所示的架构。
在图6中，偏压电路450包括晶体管T55，放大器AP包括晶体管T66。晶体管T55包括第一端，第二端耦接至偏压电路450的输出端，用以输出偏压VBIAS至放大器AP，及控制端。晶体管T66包括第一端，第二端耦接至参考电压端TV2，及控制端耦接至放大器AP的偏压端TBIAS。晶体管T66的控制端例如可用以输入射频信号，第一端例如可用以输出被放大后的射频信号。如图6所示，电阻R190可耦接于偏压电路450的输出端及放大器AP的偏压端TBIAS之间，电阻R190可例如但不限于是镇流电阻(ballast resistor)。电感L190可耦接于参考电压端TV3及放大器AP之间。进一步来说，电感L190可耦接于参考电压端TV3及放大器AP中的晶体管T66的第一端之间。电感L190可例如但不限于是扼流电感(choke inductor)。其中参考电压端TV3用以接收参考电压V3。根据实施例，参考电压V3可实质上等于参考电压端TV1接收的参考电压V1。
图6中的偏压电路450及放大器AP仅是示例，而非用以限制本发明的实施态样，偏压电路450及放大器AP亦可使用其他适宜的架构，下述实施例及图式中将举例说明。此外，如图6至图10所示，电流IREF可以流至偏压电路450的输入端，另一电流IC可以流至放大器AP。
图7为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。图7可相似于图6，然而相较于图6的偏压电路450，图7的偏压电路450可以具有不同的架构。根据实施例，图7的放大器AP可为功率放大器。如图6所示，在图7中，晶体管T55的第一端及晶体管T66的第一端耦接至参考电压端TV3。电流IC可以流至晶体管T66的第一端。根据实施例，晶体管T66的控制端例如可用以输入射频信号，第一端例如可用以输出被放大后的射频信号。相较于图6的偏压电路450，图7的偏压电路450可另包括电阻R495、晶体管T497及T498。电阻R495包括第一端耦接至偏压电路450的输入端，及第二端耦接至晶体管T55的控制端。晶体管T497包括第一端耦接至电阻R495的第二端，第二端，及控制端耦接至晶体管T497的第一端。晶体管T498包括第一端耦接至晶体管T497的第二端，第二端耦接至参考电压端TV2，及控制端耦接至晶体管T498的第一端。根据实施例，以二极管形式连接(diode connected)的晶体管T497和T498可以用二极管代替。
根据实施例，当偏压电路450用以接收由传统的参考电压产生器产生的为定值的参考电压时，因为晶体管T497和T498的正向压降可实质上随温度变化，每个晶体管T497和T498的正向压降和温度之间的关系为负相关，电流IREF可以表示为等式IREF＝(VREF-2(VBE+VΔT))/R。其中，R可为电阻R495的电阻值，VBE可为晶体管T497、T498的控制端(例如，基极端)和第二端(例如，射极端)之间的电压差，VΔT可为对应于温度变化的可变电压值。可变电压值VΔT可对应于晶体管T497和T498的正向压降。换句话说，当温度升高时，电压差VBE将会降低，并且电流IREF将会增加；当温度降低时，电压差VBE将会增加，并且电流IREF将会降低。因此可以得知，电流IREF和温度之间的关系可为正相关。在使用传统的参考电压产生器时，当电流IREF随温度变化，电流IC也可实质上随温度变化。然而，根据本发明实施例，电流IREF及/或IC可为稳定且实质上不随温度变化。如图6至图10所示，当偏压电路450用以接收由参考电压产生器400产生的参考电压VREF时，参考电压VREF可实质上随温度变化并且与温度为负相关，因此将可以补偿电流IREF和温度之间的正相关变化。换句话说，电流IREF可为稳定的电流，电流IC也可实质上为稳定的电流且不随温度变化。举例而言，将可使电流IC在一温度区间，例如-40℃～80℃中随温度而改变的变化率小于一个预定范围，例如5％。根据实施例，电流IC在-40℃～80℃中随温度而改变的变化率小于0.5％。如此一来，可改善放大器AP的性能。
根据实施例，在图7中，参考电压产生器400中的晶体管T1及T3，偏压电路450中的晶体管T55、T497及T498，放大器AP中的晶体管T66及二极管单元DU中的晶体管T6的温度系数可为具有实质上相同的温度系数。根据实施例，晶体管T1、T497及T498可为具有相同类型的控制端(例如，基极端)和第二端(例如，射极端)结型(junction)的晶体管。晶体管T1、T497及T498可为具有相同温度系数的导通电压(turn-on voltage)，其中导通电压可为晶体管的控制端和第二端之间的电压差(例如，VBE)。
根据实施例，在图7中，参考电压产生器400中的晶体管T1及T3，偏压电路450中的晶体管T55、T497及T498，放大器AP中的晶体管T66及二极管单元DU中的晶体管T6可为相同类型的晶体管。根据实施例，前述的晶体管可为BJT。根据实施例，前述的晶体管可为HBT。根据实施例，晶体管T6、T497及T498可为GaAs HBT或SiGe HBT。根据另一实施例，晶体管T1、T3、T55、T497、T498、T66及T6可为FET。当晶体管为BJT时，晶体管的第一端可为集极端，第二端可为射极端，控制端可为基极端。当晶体管为FET时，晶体管的第一端可为漏极端，第二端可为源极端，控制端可为栅极端。
通过选择适当类型的晶体管，对应于参考电压产生器400产生的参考电压VREF的第一温度系数可以接近对应于放大器AP操作的第二温度系数。因此，电流IREF及/或IC可以更为稳定且实质上不随温度变化，并且可以提供与温度相关的补偿。
图8为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。图8可相似于图6，然而相较于图6的偏压电路450，图8的偏压电路450可以具有不同的架构。根据实施例，图8的放大器AP可为功率放大器。如图6所示，在图8中，晶体管T66的第一端耦接至参考电压端TV3。电流IC可以流至晶体管T66的第一端。根据实施例，晶体管T66的控制端例如可用以输入射频信号，第一端例如可用以输出被放大后的射频信号。相较于图6的偏压电路450，图8的偏压电路450可另包括电阻R395～R398、晶体管T397～T398及电容C390。电阻R395包括第一端耦接至偏压电路450的输入端，及第二端耦接至晶体管T55的控制端。晶体管T397包括第一端耦接至电阻R395的第二端，第二端及控制端。晶体管T398包括第一端耦接至晶体管T55的第一端，第二端耦接至晶体管T397的控制端，及控制端耦接至晶体管T397的第一端。电阻R396包括第一端耦接至晶体管T397的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R397包括第一端耦接至晶体管T398的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R398包括第一端耦接至参考电压端TV3，及第二端耦接至晶体管T55的第一端。电容C390包括第一端耦接至晶体管T55的控制端，及第二端耦接至参考电压端TV2。
图9为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。图9可相似于图6，然而相较于图6的偏压电路450及放大器AP，图9的偏压电路450及放大器AP可以具有不同的架构。根据实施例，图9的放大器AP可为低噪声放大器。相较于图6的偏压电路450，图9的偏压电路450可另包括晶体管T95及电阻R95～R98。晶体管T95包括第一端耦接至晶体管T55的控制端，第二端，及控制端耦接至偏压电路450的输出端。电阻R95包括第一端耦接至偏压电路450的输入端，及第二端耦接至晶体管T95的第一端。电阻R96包括第一端耦接至晶体管T95的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R97包括第一端耦接至晶体管T55的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R98包括第一端耦接至参考电压端TV3，及第二端耦接至晶体管T55的第一端。相较于图6的放大器AP，图9的放大器AP可另包括晶体管T98。晶体管T98包括第一端耦接至参考电压端TV3，第二端耦接至晶体管T66的第一端，及控制端耦接至电阻R95的第一端。晶体管T98和T66可形成迭接(cascode)结构。晶体管T66的控制端例如可用以输入射频信号，晶体管T98的第一端例如可用以输出被放大后的射频信号。电流IC可以流至晶体管T98的第一端。电阻R198可耦接在电阻R95的第一端及晶体管T98的控制端之间。电阻R198可例如但不限于镇流电阻。电容C155可耦接在晶体管T98的控制端及参考电压端TV2之间。电容C155可例如但不限于去耦电容(decoupling capacitor)。
图10为另一实施例的参考电压产生器的应用示意图。图10可相似于图6，然而相较于图6的偏压电路450及放大器AP，图10的偏压电路450及放大器AP可以具有不同的架构。根据实施例，图10的放大器AP可为低噪声放大器。相较于图6的偏压电路450，图10的偏压电路450可另包括电阻R295～R298、晶体管T297～T298及电容290。电阻R295包括第一端耦接至偏压电路450的输入端，及第二端。晶体管T297包括第一端耦接至电阻R295的第二端，第二端及控制端。晶体管T298包括第一端耦接至晶体管T55的第一端，第二端耦接至晶体管T297的控制端，及控制端耦接至晶体管T297的第一端及晶体管T55的控制端。电阻R296包括第一端耦接至晶体管T297的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R297包括第一端耦接至晶体管T298的第二端，及第二端耦接至参考电压端TV2。电阻R298包括第一端耦接至参考电压端TV3，及第二端耦接至晶体管T55的第一端。电容C290包括第一端耦接至晶体管T55的控制端，及第二端耦接至参考电压端TV2。相较于图6的放大器AP，图10的放大器AP可另包括晶体管T279。晶体管T279包括第一端耦接至参考电压端TV3，第二端耦接至晶体管T66的第一端，及控制端耦接至电阻R295的第一端。晶体管T279和T66可形成迭接结构。晶体管T66的控制端例如可用以输入射频信号，晶体管T279的第一端例如可用以输出被放大后的射频信号。电流IC可以流至晶体管T279的第一端。
如图9所示，在图10中，电阻R190及R198可耦接在偏压电路450及放大器AP之间，其中电阻R190和R198可例如但不限于镇流电阻。如图9所示，在图10中，电容C155可耦接在晶体管T279的控制端及参考电压端TV2之间。
综上所述，实施例提供的参考电压产生器可用以产生可实质上随温度变化的参考电压，并可应用于在不同温度条件下需要对应电压的电路。实施例提供的偏压产生器包括前述的参考电压产生器，可于不同温度条件下产生对应的偏压。当实施例提供的偏压产生器用以产生偏压至放大器时，由于可执行与温度相关的补偿，因此流至偏压产生器的偏压电路的电流和流至放大器的另一电流将可为实质上不随温度变化的电流，如此一来，可改善放大器的性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种参考电压产生器，其特征在于，包括：
一输出端，用以输出一参考电压；
一第一电阻，包括一第一端，及一第二端；
一第一晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该第一电阻的该第二端，及一控制端耦接至该第一晶体管的该第一端；
一第二晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该第一电阻的该第一端，及一控制端耦接至该第一晶体管的该控制端；
一第二电阻，包括一第一端，及一第二端耦接至该第一晶体管的该第一端；
一第三电阻，包括一第一端耦接至该第二电阻的该第一端，及一第二端耦接至该第二晶体管的该第一端；
一第四电阻，包括一第一端耦接至一第一参考电压端，及一第二端；
一第三晶体管，包括一第一端耦接至该第四电阻的该第二端，一第二端耦接至该第一电阻的该第二端及一第二参考电压端，及一控制端耦接至该第二晶体管的该第一端或该第二晶体管的该控制端；
一二极管单元，包括一第一端耦接至该参考电压产生器的该输出端，及一第二端耦接至该第三电阻的该第一端；及
一第四晶体管，包括一第一端耦接至该第四电阻的该第一端，一第二端耦接至该二极管单元的该第一端，及一控制端耦接至该第四电阻的该第二端。
2.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该参考电压实质上随温度变化。
3.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，另包括：
一第五晶体管，包括一第一端耦接至该第一参考电压端，一第二端耦接至该第四晶体管的该第一端，及一控制端耦接至一电源端。
4.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该第一参考电压端用以接收一第一参考电压，该第二参考电压端用以接收一第二参考电压，该第一参考电压高于该第二参考电压。
5.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该二极管单元包括：
一二极管，包括一第一端耦接至该二极管单元的该第一端，及一第二端耦接至该二极管单元的该第二端。
6.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该二极管单元包括：
一第六晶体管，包括一第一端耦接至该二极管单元的该第一端，一第二端耦接至该二极管单元的该第二端，及一控制端耦接至该第六晶体管的该第一端。
7.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第三晶体管及该第六晶体管为相同类型的晶体管。
8.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于，其中该第六晶体管为异质结双极晶体管或场效应晶体管。
9.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，其中：
该第二晶体管是由n个晶体管形成，该n个晶体管的每一个晶体管包括一第一端耦接至该第二晶体管的该第一端，一第二端耦接至该第二晶体管的该第二端，及一控制端耦接至该第二晶体管的该控制端；
其中n为大于零的正整数。
10.一种偏压产生器，其特征在于，包括：
一参考电压产生器，包括：
一输出端，用以输出一参考电压；
一第一电阻，包括一第一端，及一第二端；
一第一晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该第一电阻的该第二端，及一控制端耦接至该第一晶体管的该第一端；
一第二晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该第一电阻的该第一端，及一控制端耦接至该第一晶体管的该控制端；
一第二电阻，包括一第一端，及一第二端耦接至该第一晶体管的该第一端；
一第三电阻，包括一第一端耦接至该第二电阻的该第一端，及一第二端耦接至该第二晶体管的该第一端；
一第四电阻，包括一第一端耦接至一第一参考电压端，及一第二端；
一第三晶体管，包括一第一端耦接至该第四电阻的该第二端，一第二端耦接至该第一电阻的该第二端及一第二参考电压端，及一控制端耦接至该第二晶体管的该第一端或该第二晶体管的该控制端；
一二极管单元，包括一第一端耦接至该参考电压产生器的该输出端，及一第二端耦接至该第三电阻的该第一端；及
一第四晶体管，包括一第一端耦接至该第四电阻的该第一端，一第二端耦接至该二极管单元的该第一端，及一控制端耦接至该第四电阻的该第二端；及
一偏压电路，包括一输入端耦接至该参考电压产生器的该输出端；及一输出端耦接至一放大器的一偏压端。
11.如权利要求10所述的偏压产生器，其特征在于，其中流至该偏压电路的该输入端的一第一电流及/或流至该放大器的一第二电流实质上不随温度变化。
12.如权利要求10所述的偏压产生器，其特征在于，其中：
该偏压电路包括：
一第五晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该偏压电路的该输出端，用以输出一偏压至该放大器，及一控制端；及
该放大器包括：
一第六晶体管，包括一第一端，一第二端耦接至该第二参考电压端，及一控制端耦接至该放大器的该偏压端。
13.如权利要求12所述的偏压产生器，其特征在于，其中该偏压电路另包括：
一第七晶体管，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该控制端，一第二端，及一控制端耦接至该偏压电路的该输出端；
一第五电阻，包括一第一端耦接至该偏压电路的该输入端，及一第二端耦接至该第七晶体管的该第一端；
一第六电阻，包括一第一端耦接至该第七晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
一第七电阻，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；及
一第八电阻，包括一第一端耦接至一第三参考电压端，及一第二端耦接至该第五晶体管的该第一端；
其中该放大器另包括：
一第八晶体管，包括一第一端耦接至该第三参考电压端，一第二端耦接至该第六晶体管的该第一端，及一控制端耦接至该第五电阻的该第一端。
14.如权利要求12所述的偏电产生器，其特征在于，其中该偏压电路另包括：
一第五电阻，包括一第一端耦接至该偏压电路的该输入端，及一第二端；
一第七晶体管，包括一第一端耦接至该第五电阻的该第二端，一第二端，及一控制端；
一第八晶体管，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该第一端，一第二端耦接至该第七晶体管的该控制端，及一控制端耦接至该第七晶体管的该第一端及该第五晶体管的该控制端；
一第六电阻，包括一第一端耦接至该第七晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
一第七电阻，包括一第一端耦接至该第八晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
一第八电阻，包括一第一端耦接至一第三参考电压端，及一第二端耦接至该第五晶体管的该第一端；及
一电容，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该控制端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
其中该放大器另包括：
一第九晶体管，包括一第一端耦接至该第三参考电压端，一第二端耦接至该第六晶体管的该第一端，及一控制端耦接至该第五电阻的该第一端。
15.如权利要求12所述的偏压产生器，其特征在于，其中该第六晶体管的该第一端耦接至一第三参考电压端；
其中该偏压电路另包括：
一第五电阻，包括一第一端耦接至该偏压电路的该输入端，及一第二端耦接至该第五晶体管的该控制端；
一第七晶体管，包括一第一端耦接至该第五电阻的该第二端，一第二端，及一控制端；
一第八晶体管，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该第一端，一第二端耦接至该第七晶体管的该控制端，及一控制端耦接至该第七晶体管的该第一端；
一第六电阻，包括一第一端耦接至该第七晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
一第七电阻，包括一第一端耦接至该第八晶体管的该第二端，及一第二端耦接至该第二参考电压端；
一第八电阻，包括一第一端耦接至该第三参考电压，及一第二端耦接至该第五晶体管的该第一端；及
一电容，包括一第一端耦接至该第五晶体管的该控制端，及一第二端耦接至该第二参考电压端。
16.如权利要求12所述的偏压产生器，其特征在于，其中该第五晶体管的该第一端及该第六晶体管的该第一端耦接至一第三参考电压端；
其中该偏压电路另包括：
一第五电阻，包括一第一端耦接至该偏压电路的该输入端，及一第二端耦接至该第五晶体管的该控制端；
一第七晶体管，包括一第一端耦接至该第五电阻的该第二端，一第二端，及一控制端耦接至该第七晶体管的该第一端；及
一第八晶体管，包括一第一端耦接至该第七晶体管的该第二端，一第二端耦接至该第二参考电压端，及一控制端耦接至该第八晶体管的该第一端。
17.如权利要求16所述的偏压产生器，其特征在于，其中该二极管单元包括：
一第九晶体管，包括一第一端耦接至该二极管单元的该第一端，一第二端耦接至该二极管单元的该第二端，及一控制端耦接至该第九晶体管的该第一端。
18.如权利要求17所述的偏压产生器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管、该第八晶体管及该第九晶体管具有实质上相同的温度系数。
19.如权利要求17所述的偏压产生器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管、该第八晶体管及该第九晶体管为相同类型的晶体管。
20.如权利要求19所述的偏压产生器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管、该第八晶体管及该第九晶体管为异质结双极晶体管或场效应晶体管。
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