CN110055501A - 一种半干法连续型pvd镀膜塑胶金属化温控的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 2-[(E)-N-[2-(4-chlorophenoxy)propoxy]-C-propylcarbonimidoyl]-3-hydroxy-5-(thian-3-yl)cyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCC\C(=N/OCC(C)OC1=CC=C(Cl)C=C1)C1=C(O)CC(CC1=O)C1CCCSC1 KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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Abstract
本发明公开一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,包括以下步骤:第一步:在温度为55℃±5℃条件下烘干塑胶工件,通过机械臂和AGV小车运输至冷却干燥室;第二步:将塑胶工件干燥降温至少10分钟后,送入镀膜腔室,其中干燥条件为温度20‑25℃且湿度<40%;第三步:经过辉光改性后进行中频磁控溅射镀膜,选择靶管直径100mm至150mm的柱状溅射靶,通入20℃至28℃的冷却水,并将中频溅射电源频率下调至500Hz至10000Hz之间;第四步:完成半干法真空镀膜流程,温升控制在20℃以内,使得工件镀膜后的最高温度不超过60℃,防止工件尺寸变形异常发生。
Description
技术领域
本发明涉及一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法。
背景技术
现有半干法连续型PVD真空镀膜产线进行连续快速生产时,由于过多的热量不能得到控制及疏散,使得产品温升过高出现尺寸变形报废,因此不得不在生产一段时间后停线等待产线内腔降温,浪费了大量的宝贵工时并不时出现尺寸不良的塑胶工件。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法。
本发明通过以下技术方案来实现:
一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,包括以下步骤:
第一步:在温度为55℃±5℃条件下烘干塑胶工件,通过机械臂和AGV小车(Automated Guided Vehicle,无人搬运车)运输至冷却干燥室;
第二步:将塑胶工件干燥降温至少10分钟后,送入镀膜腔室,其中干燥条件为温度20-25℃且湿度<40%;
第三步:经过辉光改性后进行中频磁控溅射镀膜,选择靶管直径100mm至150mm的柱状溅射靶,通入20℃至28℃的冷却水,并将中频溅射电源频率下调至500Hz至10000Hz之间;
第四步:完成半干法真空镀膜流程,温升控制在20℃以内,使得工件镀膜后的最高温度不超过60℃,防止工件尺寸变形异常发生。
优选地,所述镀膜腔室为三个连续排列且结构相同的真空镀膜腔体。
优选地,所述真空镀膜腔体内部排列有柱状溅射靶,所述真空镀膜腔体内壁设置有腔体衬板,所述腔体衬板需全部紧贴腔体内壁。
优选地,所述真空镀膜腔体内壁采用冷却水冷却。
优选地,所述真空镀膜腔体侧部具有真空泵组。
优选地,所述真空镀膜腔体底部具有中频溅射电源。
优选地,所述中频溅射电源调节频率范围为0-3000KHz。
优选地,所述真空镀膜腔体内部具有两组柱状溅射靶组,每组柱状溅射靶组为四个呈方形排列的柱状溅射靶。
本发明的具有如下有益效果:本发明用以控制连续型PVD真空镀膜产线对产品造成的超过60℃的温升造成的停线及产品变形;使得塑胶件在降温过程中不吸附潮湿空气及水汽;使得生产节拍能够有固定节拍的进行。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是本发明的俯视图。
图2是图1中A处的放大示意图。
图3是本发明的主视图。
图中:1、冷却干燥室;2、1号腔室;3、2号腔室;4、3号腔室;5、4号腔室;6、5号腔室;7、6号腔室;8、辉光电极;9、真空泵组;10、腔体内壁安装衬板;11、柱状溅射靶;12、真空镀膜腔体;13、中频溅射电源。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参考说明书附图1-3,一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化设备,包括冷却干燥室以及1-6号腔室,每个腔体中间通过一条传送通道连接。其中3号腔室包括真空镀膜腔体,所述真空镀膜腔体内部排列有柱状溅射靶,所述真空镀膜腔体内壁设置有腔体衬板,所述腔体衬板需全部紧贴腔体内壁,所述腔体内壁采用冷却水冷却,使衬板吸收的热量能够快速通过热传导传递给炉壁及冷却水,以此防止衬板吸收的热能不能及时传递走而转变为热辐射再回到真空环境被工件吸收,造成工件温升进一步升高,所述3号腔体侧部具有真空泵组用于保持腔体内部的真空状态,所述3号腔体底部具有中频溅射电源,用于与真空镀膜腔体内的柱状溅射靶电连接以产生电磁场,所述中频溅射电源调节频率范围为0-3000KHz。其中3-5号为镀膜腔室,且具有相同的结构。
对应于上述半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化设备进行温控的方法,包括以下步骤:
第一步:在温度为55℃±5℃条件下烘干塑胶工件,通过机械臂和AGV小车运输至冷却干燥室;
第二步:将塑胶工件干燥降温至少10分钟后,送入镀膜腔室,其中干燥条件为温度20-25℃且湿度<40%;
第三步:经过辉光改性后进行中频磁控溅射镀膜,选择靶管直径100mm至150mm的柱状溅射靶,通入20℃至28℃的冷却水,并将中频溅射电源频率下调至500Hz至10000Hz之间;
第四步:完成半干法真空镀膜流程,温升控制在20℃以内,使得工件镀膜后的最高温度不超过60℃,防止工件尺寸变形异常发生。
上述说明示出并描述了本发明的优选实施例,如前所述,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步:在温度为55℃±5℃条件下烘干塑胶工件,通过机械臂和AGV小车运输至冷却干燥室;
第二步:将塑胶工件干燥降温至少10分钟后,送入镀膜腔室,其中干燥条件为温度20-25℃且湿度<40%;
第三步:经过辉光改性后进行中频磁控溅射镀膜,选择靶管直径100mm至150mm的柱状溅射靶,通入20℃至28℃的冷却水,并将中频溅射电源频率下调至500Hz至10000Hz之间;
第四步:完成半干法真空镀膜流程,温升控制在20℃以内,使得工件镀膜后的最高温度不超过60℃,防止工件尺寸变形异常发生。
2.根据权利要求1所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述镀膜腔室为三个连续排列且结构相同的真空镀膜腔体。
3.根据权利要求2所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述真空镀膜腔体内部排列有柱状溅射靶,所述真空镀膜腔体内壁设置有腔体衬板,所述腔体衬板需全部紧贴腔体内壁。
4.根据权利要求3所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述真空镀膜腔体内壁采用冷却水冷却。
5.根据权利要求4所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述真空镀膜腔体侧部具有真空泵组。
6.根据权利要求2-5之一所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述真空镀膜腔体底部具有中频溅射电源。
7.根据权利要求6所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述中频溅射电源调节频率范围为0-3000KHz。
8.根据权利要求3所述的一种半干法连续型PVD镀膜塑胶金属化温控的方法,其特征在于,所述真空镀膜腔体内部具有两组柱状溅射靶组,每组柱状溅射靶组为四个呈方形排列的柱状溅射靶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910309904.5A CN110055501A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种半干法连续型pvd镀膜塑胶金属化温控的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910309904.5A CN110055501A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种半干法连续型pvd镀膜塑胶金属化温控的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110055501A true CN110055501A (zh) | 2019-07-26 |
Family
ID=67319339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910309904.5A Pending CN110055501A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种半干法连续型pvd镀膜塑胶金属化温控的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110055501A (zh) |
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